BOYLESTAD @BULLET NASHELSKY

6 Polarización de FET Polarización fija: Vas = -V aa . Vos = V oo -IJio: autopolarización: Vas = -IJis' Vos = V oo -Io(Rs + Ro)' V s = IsRs: divisor de voltaje: Va = R, Vool(R, + R,), Vas = Va -IJis' Vos = V oo -lo(Ro + R): MOSFET incremental: ID == k(V GS -V GS(Th» 2 , k == 1 D(encendido)/(V GS(encendido) -V GS(Th»2; polarización por retroalimentación: VDS = V GS' Vas = Vr¡o-loRD: divisor de voltaje: Va =R,Vool(R, + R,). V GS = VG-1oRs: curva universal: m = 1 V p 1 IlossRs' M = m x vall V p 1, Va = R, Vool(R, + R,) 7 ModeJaje de transistores bipolares Z,= Y,Jl,,l, = (V, -V,)/R""",,,lo = (V, -V) IR""",,,ZO = V)Io,A,= V)V,.A" = Z¡Av~L /(Z¡ + R s )' A¡ == -AvZJRL' re == 26 mV/lé base común: Z¡ == re,Zo , h ie = f3r e , hft! == f3 ac ' h ib == Te' h fb = -a. ECUACIONES IMPORTANTES 1 Diodos semiconductores W = QV, I eV = 1.6 x 10-'9 J,lD = 1,(e kV D ff , -1), R DC = VDII D , r d = I!.V/M d = 26 mVl ID' r" = I!.V/M d , P D = V dD , Te = I!.V/[V,(T,-T o )] x 100% 2 Aplicaciones de diodos V BE = VD = 0.7 V; media onda: V do = 0.318V m ; onda completa: V do = 0.636V m 4 Polarización en dc-BJT En general: V BE = 0.7 V, Ic = lE' Ic = f31 B ; polarización fija: lB = (Vcc-VBE)/R B , V CE = Vcc-lcRc-Ic~ = Vcc'Ró estabilizada en emisor: lB = (Vcc-VBE)/(R B + (13+ I)R E ), R¡= (13+ I)RE' V CE = Vcc-I¿"Rc+ RE),I Cw = V cc/(R e + RE); divisor de voltaje: exacto: RTh = R, 11 R 2 , ETh = R 2 Veel(R, + R 2 ), lB = (E Th -VBE)I(R Th + (13 + l)R E ), V eE = Vcc-I¿"Rc + RE)' aproximado: V B = R 2 V ee /(R, + R 2 ), f3R E ? IOR 2 , VE = V B -VBE' Ic = lE = V ¡;IRé por retroalimentación de voltaje: lB = (Vee-VBE)/[R B + f3(R e + RE)]; base común: lB = (V EE -VBE)/Ré conmutación de transistores: le,,,,,"do = t, + Id' I,p, ,do = 1, + 1 1 ; estabilidad: S(leo) = Me/Meo; polarización fija: S(leo) = 13 + 1; polarización en emisor: S(leo) = (~+ 1)(1 + RIRE)/(l + 13 + RIRE); divisor de voltaje: S(lco) = (13 + 1)(1 + RnfRE)/(l + 13 + RnfRE); polarización por retroalimentación: S(lco) = (13 + 1)(1 + R/Rc)/(l + 13 + RB/R e ), S(VBE) = M¿I!.VBé polarización fija: S(VBE) = -/3IR B ; polarización en emisor: S(V BE ) = -/3I[R B + (13 + l )R E ]; divisor de voltaje: S(V BE ) = -/3I[RTh + (13 + I)R E ]; polarización por retroalimentación: S(V BE ) = -/3I(R B + (13+ I)R e ), S(f3J = M e /l!..f3; polarización fija: S(f3J = le,lf3,; polarización en emisor: S(f3J = Ic,o + R B IR E )/[I3,(I + 13 2 + RBIR E )]; divisor de voltaje: S(f3J = le,o + R Th IR E )/[f3¡(l + 13 2 + _ RTh/R E )]; polarización por retroalimentación: S(f3J = Ic,(R B + R c )/[f3,(R B + R¿"I + 13 2 ))], Me = S(lco) Meo + S(V BE ) I!.V BE + S(f3J I!.f3 5 Transistores de efecto de campo

Master of Sciences with major in Enginnering OTRO CONCEPTO DEL OSCILADOR: 221 OSCILADOR SIMÉTRICO CON COMPUERTAS NOT: 225 DISPARADORES SCHMITT TRIGGER 226 OSCILADOR DE CRISTAL 227 OSCILADORES CONTROLADOS 229 CIRCUITO INTEGRADO 555 229 CI 555 COMO MULTIVIBRADOR ASTABLE: 231 CI 555 COMO MULTIVIBRADOR MONOESTABLE: 231 CIRCUITOS MONOESTABLES: 232 PRACTICA 14 CIRCUITOS CON AMPLIFICADOR OPERACIONAL 234 PRÁCTICA 15 ASTABLE Y MONOESTABLE CON 555 235 PRACTICA 16 MULTIVIBRADOR ASTABLE 236

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Amplificadores Operacionales, 2017

Resumen-Por medio de este informe se expondrá la importancia de la amplificación por medio de cuatro circuitos diferentes. Para iniciar se suministrará una señal de voltaje en AC positiva de 44 para amplificar, con la cual se alimentará dos configuraciones de amplificadores operacionales, uno inversor y otro no inversor. A la salida del amplificador inversor se conectará una etapa de amplificación con BJT. Por otra parte al amplificador operacional no inversor se conectará un amplificador con JFET. Como resultado se espera que la señal de salida del BJT este en fase con la entrada y que por su parte la salida de JFET presente un desfase de 180° con respecto a la misma entrada, confirmando que la configuración de divisor de tensión distorsiona la fase de la señal a amplificar Palabras claves: BJT, JFET, amplificación.

El presente informe, tiene como finalidad, que el alumno se capaz de integrar los contenidos teóricos desarrollados durante el cursado de la materia Electrónica I y poder aplicarlos al desarrollo de dispositivos electrónicos acordes a dichos contenidos.

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En los últimos años las investigaciones realizadas por un gran número de científicos, sobre el comportamiento al paso de la corriente eléctrica en los materiales llamados semiconductores, han dado por resultado una serie de descubrimientos y adelantos de tal naturaleza que su desenlace es casi imposible prever.