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2024, Cours sur les transistors bipolaires et les MOSFET
Ce cours d'électronique explique simplement le fonctionnement des transistors bipolaires et des transistors à effet de champ (électrique) à grille isolée et à enrichissement. Des montages applicatifs d'introduction à l'électronique de puissance sont présentés (onduleurs, hacheurs dévolteurs et survolteurs).
Deux diodes pn sont mises tête-bêche de façon que le courant de l'une (la diode émetteur base polarisée en direct si l'on veut rendre le transistor conducteur) traverse l'autre et atteigne ainsi la troisième électrode appelée collecteur. Par exemple pour le transistor pnp :
La juxtaposition de deux jonctions P-N conduit au transistor 1 (de l'anglais transfert resistor) à jonctions dans lequel interviennent les deux types de porteurs d'où l'appellation de transistor bipolaire. D'autres types de transistors (transistor à effet de champ, transistor unijonction) seront étudiés ultérieurement.
2004
2009
La reduction des transistors MOSFETs, briques de base des circuits integres, ne permet plus d'ameliorer efficacement leurs performances. Des leviers technologiques ont ete mis en place dans les procedes de fabrication de ces transistors pour y remedier. L'introduction intentionnelle de contraintes constitue l'une de ces solutions. De fait, l'orientation des contraintes en fonction de la direction du canal influence fortement les proprietes de transport des transistors MOSFETs. Les methodes de calculs de structures de bandes semi-empiriques EPM et */k.p/* dans l'approximation de la fonction enveloppe, ont ete developpees afin d'etudier les perturbations occasionnees sur la structure electronique des materiaux par l'action conjuguee des contraintes mecaniques et du confinement. L'influence de ces dernieres perturbations sur les proprietes de transport a, par la suite, ete analysee a l'aide de simulations avancees Monte Carlo "fullband" et ...
2010
Je remercie ALLAH le Tout-puissant de m'avoir donner le courage, la volonté et la patience de mener à terme ce travail. Cette mémoire a été effectuée au département d'électronique, faculté des sciences de l'ingénieur, sous la direction de : Mme Cherifa AZIZI, Professeur à l'Université de Oum El Bouaghi. Je lui exprime particulièrement toute ma reconnaissance pour m'avoir fait bénéficier de ces compétences scientifiques, ses qualités humaines et sa constante disponibilité. J'exprime mes sincères remerciements à Madame M. Marir, Professeur à l'université de Constantine, d'avoir accepter de présider le Jury de cette mémoire. Je remercie aussi sincèrement Madame Thouraya BOUCHMAT, Professeur à l'université de Constantine, d'avoir accepter de faire partie du Jury. Je remercie Madame Frida MANSOUR, Professeur à l'université de Constantine, d'avoir accepter de faire partie du Jury. Je remercie tous les enseignants qui est contribué à mon travail,
1986
Transducteur piezoelectrique alimente a des frequences variant de 5 a 50 KHz. L'emploi des transistors bipolaires pour realiser l'onduleur d'alimentation est destine a augmenter la puissance et le rendement tout en reduisant l'encombrement et le cout
2008
Titre : Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) pour l'électronique de puissance Les travaux présentés dans ce mémoire ont été réalisés au sein du groupe
Dipôle LC : association en série d'un condensateur chargé de capacité C et de charge initiale 0 et d'une bobine d'inductance L et de résistance négligeable. 1. Eude expérimentale Quand l'interrupteur est en position 1 (voir figure 1) on charge le condensateur Lorsqu'on bascule l'interrupteur K en position 2 (voir figure 2), le condensateur se décharge dans la bobine idéale d'inductance L et de résistance nulle r=0 (ce qui est difficile de réaliser pratiquement car quel que soit la bobine, sa résistance est non nulle, donc c'est un circuit idéal). Lorsque l'on regarde l'évolution de la tension () du condensateur ; on observe alors l'apparition d'oscillations électriques non amorties (oscillations électriques harmoniques). 2. Equation différentielle Pour établir l'équation différentielle, on utilise la figure 2. Conditions initiales : à l'instant t=0, (0) = = Appliquant la loi d'additivité des tensions, on a : + = 0 ∶ = avec = = = + = (= 0) ⟹ = 2 2 Variable : + = 0 ⟹ + 2 2 = 0 ⟹ 2 2 + 1 = 0 ⟺ ̈+ 1 = 0 (1) Variable q + = 0 = = ⟹ = 2 2 ⟹ + 2 2 = 0 ⟹ 2 2 + 1 = 0 (2) 3. Equation horaire ou solution de l'équation différentielle Soit () la variable, la solution de l'équation différentielle est : () = (0 +) : Amplitude (valeur maximale de la tension ()) 0 : Pulsation propre [rad/s] : Phase initiale de la tension () à la date t=0 3.1. Détermination de la pulsation propre 0 Remplaçons la solution et sa dérivée seconde dans l'équation différentielle (1) : () = (0 +) ⟹ = − 0 sin(0 +) ⟹ 2 2 = − 0 2 (0 +) ⟹ 2 2 +
Revue d'intelligence artificielle, 2008
Bien que les algorithmes évolutionnaires soient couramment utilisés pour résoudre des problèmes multi-objectifs d'une part, et stochastiques d'autre part, très peu de travaux ont été menés sur ces deux aspects simultanément. Par exemple, les problèmes d'ordonnancement sont habituellement traités sous une forme mono-objectif déterministe, alors qu'ils sont clairement multi-objectifs et qu'ils sont soumis à de nombreux facteurs d'incertitude. Dans cet article, nous présentons différentes approches pour résoudre des problèmes d'optimisation multi-objectif stochastiques et les appliquons à un problème d'ordonnancement de type flow-shop de permutation bi-objectif avec durées d'exécution aléatoires. ABSTRACT. Although evolutionary algorithms are commonly used for solving multi-objective problems on the one hand and stochastic problems on the other hand, very few studies have investigated these two aspects simultaneously. For instance, scheduling problems are usually tackled in a single-objective deterministic form, whereas they are clearly multi-objective and they are subject to a wide range of uncertainty. In this paper, we present different approaches to solve stochastic multi-objective optimization problems and apply them to a bi-objective permutation flow-shop scheduling problem with random processing times.
Ce cours est destiné aux étudiants de 2ème année de socle commun. Il présente les éléments fondamentaux de mécanique des sols aux étudiants non-initiés avec cette discipline. Le document ne représente pas un substitue aux multiples ouvrages généraux ou spécialisés du domaine, mais son auteur souhaite qu'il constitue une synthèse conduisant le lecteur à saisir les grandes lignes de la matière, à s'intéresser aux problèmes posés ainsi que sentir le besoin d'approfondir les connaissances par la voie noble de l'auto-apprentissage. L'ouvrage comporte le nécessaire pour faire le calcul pratique en termes de principes, méthodes, formules, tables et abaques. Dans ce contexte, il représente un aide-mémoire couvrant les chapitres du programme officiel, et laissant à l'auditeur l'occasion de se concentrer sur les notions de base plutôt que copier à la hâte des formules et expressions peux significatives. L'enseignant, se trouvera libérer de la nécessité d'écrire au tableau la majorité de ce qu'il prononce, il aura alors l'occasion de se concentrer sur l'aspect physique et conceptuel.
Technologies Avancées, 2004
2016
Ce travail presente le developpement d’un banc de mesure thermique, pour la mesure : de reseaux I (V), d’impedance basse frequence et de bruit basse frequence des composants semi-conducteurs. Le banc de mesure de bruit BF est compose d’un amplificateur de tension faible bruit, d’un amplificateur transimpedance, d’un analyseur FFT et d’un support thermique. Ce banc a permis d’extraire les sources de bruit en courants equivalentes aux acces du transistor pour differentes densites de courant et a differentes temperatures. Dans le but de calculer l’energie d’activation et la section de capture des pieges grâce a la localisation des frequences de coupures de bruit GR dans la technologie du TBH InGaP/GaAs. Dans un deuxieme temps, nous avons etudie le bruit basse frequence dans le transistor InGaP/GaAs et les jonctions base emetteur, base collecteur et la resistance TLM par le moyen de simulation physique et de mesure de densite spectrale de puissance de bruit basse frequence. Grâce a ces ...
Les échangeurs à contre-courant ou échangeur méthodique ⇒ les courants vont dans des sens opposés. Dans un échangeur méthodique, le coefficient d'échange est sensiblement supérieur à celui d'un échangeur anti-méthodique et la température de sortie du fluide froid peut être plus élevée que la température de sortie du fluide chaud. Θ EF : Température entré du fluide 1 Θ SF : Température sorti du fluide 1 Θ ECH : Température entré du fluide 2 Θ SCH : Température sorti du fluide 2 les échangeurs à courants croisés.
1 Prof Mr : MAHFOUDI II.2.1. Les tensions simples Ce sont les d.d.p entre les divers conducteurs de phase et de point neutre (réel ou fictif) : v 1 , v 2 , v 3.
1988
2014 Un modèle de simulation numérique de transistor à effet de champ basé sur une résolution bidimensionnelle des équations des semiconducteurs est présenté. Il inclut les effets de dynamique non stationnaire et permet l'étude du comportement des composants tant en régime statique que dynamique (petit et grand signal, impulsionnel). Il est montré comment on peut accéder aux paramètres caractéristiques du régime petit signal, grâce à l'utilisation d'une transformation de Fourier rapide. Ce modèle est utilisé pour étudier l'influence du profil de dopage sur les éléments caractéristiques du comportement des composants et sur leurs performances potentielles. Il permet de mettre en évidence l'intérêt des composants à canal enterré tant pour l'amplification de puissance que pour l'amplification faible bruit, ce qui est clairement confirmé par les premiers résultats de l'étude expérimentale.
Ce cours complet du module «électronique de base» est destiné aux étudiants de la deuxième année Filière SMP Semestre 4.
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