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SiC 파워 디바이스의 개발 배경과 메리트
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Full SiC 파워 모듈의 스위칭 손실
활용 포인트 : 게이트 드라이브 -제1장-
활용 포인트 : 전용 게이트 드라이버와 스너버 모듈의 효과
활용 포인트 : 게이트 드라이브 -제2장-
활용 포인트 : 스너버 콘덴서
정리
응용편
SiC MOSFET : 스너버 회로의 설계 방법
드레인 – 소스 사이에 발생하는 서지
스너버 회로의 종류와 선정
C스너버 회로의 설계
RC 스너버 회로의 설계
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패키지에 따른 서지 발생의 차이점
SiC MOSFET : 스너버 회로의 설계 방법 : 정리
SiC MOSFET : 스위칭 파형에서 손실 산출 방법
SiC MOSFET 게이트 – 소스 전압 측정 시의 주의점 : 일반적인 측정 방법
프로브의 장착 방법
측정 위치의 선정
프로브 헤드부의 설치 위치
SiC MOSFET 게이트 – 소스 전압 측정 : 정리
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SiC MOSFET : 브릿지 구성에서의 게이트 – 소스 전압 동작
SiC MOSFET의 브릿지 구성
SiC MOSFET의 게이트 구동 회로와 Turn-on · Turn-off 동작
브릿지 회로의 스위칭에 의해 발생하는 전류와 전압
Low-side 스위치 Turn-on 시의 게이트 – 소스 전압 동작
Low-side 스위치 Turn-off 시의 게이트 – 소스 전압 동작
정리
SiC MOSFET : 게이트 – 소스 전압의 서지 억제 방법 : 서론
게이트 – 소스 전압에 발생하는 서지란?
서지 억제 회로
정전압 서지 대책
부전압 서지 대책
서지 억제 회로의 기판 레이아웃에 관한 주의점
SiC MOSFET : 게이트 – 소스 전압의 서지 억제 방법 : 정리
드라이버 소스 단자를 통한 스위칭 손실 개선
기존 MOSFET의 구동 방법
드라이버 소스 단자가 있는 패키지
드라이버 소스 단자의 유무에 따른 차이와 효과
드라이버 소스 단자의 효과 : 더블 펄스 시험을 통한 비교
브릿지 구성 시, 게이트 – 소스 전압의 동작 : Turn-on 시
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