Технологии производства кристаллов силовых полупроводников с помощью заимствованных из СБИС современных методов фотолитографии, trench-технологий, ультратонких пластин большого диаметра и новых широкозонных материалов позволили уменьшить площадь чипов, улучшить динамические параметры, увеличить мощность и снизить потери, обеспечив значительный рост средних токов на кристалл с десятков до 300–400 А. Мировой рынок силовых полупроводников устойчиво растет, а кремний, несмотря на давление со стороны широкозонных полупроводников, остается важным и востребованным для применения в силовой электронике.
