BBCube: новая технология «чип на пластине» для интеграции чипов искусственного интеллекта следующего поколения

Новая платформа для интеграции полупроводников, разработанная в Токийском научном институте, сочетает в себе усовершенствованную компоновку чипов с межсоединениями высокой плотности и улучшенную систему терморегулирования. Такое сочетание трех взаимодополняющих технологий помогает решить ключевые проблемы, связанные с созданием высокопроизводительного оборудования для искусственного интеллекта. Благодаря более точному расположению чипов, более быстрой передаче данных и эффективному охлаждению эта технология открывает путь к созданию более мощных и энергоэффективных ускорителей ИИ и высокопроизводительных вычислительных систем.

https://www.icgamma.ru/brands/sipeed/?erid=2W5zFGDqcBr

Эволюция технологий и материалов силовой полупроводниковой микроэлектроники. Часть 1. Технологии производства пластин и кристаллов

Технологии производства кристаллов силовых полупроводников с помощью заимствованных из СБИС современных методов фотолитографии, trench-технологий, ультратонких пластин большого диаметра и новых широкозонных материалов позволили уменьшить площадь чипов, улучшить динамические параметры, увеличить мощность и снизить потери, обеспечив значительный рост средних токов на кристалл с десятков до 300–400 А. Мировой рынок силовых полупроводников устойчиво растет, а кремний, несмотря на давление со стороны широкозонных полупроводников, остается важным и востребованным для применения в силовой электронике.