https://www.icgamma.ru/brands/sipeed/?erid=2W5zFGDqcBr

Эволюция технологий и материалов силовой полупроводниковой микроэлектроники. Часть 1. Технологии производства пластин и кристаллов

Технологии производства кристаллов силовых полупроводников с помощью заимствованных из СБИС современных методов фотолитографии, trench-технологий, ультратонких пластин большого диаметра и новых широкозонных материалов позволили уменьшить площадь чипов, улучшить динамические параметры, увеличить мощность и снизить потери, обеспечив значительный рост средних токов на кристалл с десятков до 300–400 А. Мировой рынок силовых полупроводников устойчиво растет, а кремний, несмотря на давление со стороны широкозонных полупроводников, остается важным и востребованным для применения в силовой электронике.

Разработана новая технология производства полупроводников на основе атомно-слоевого осаждения

Для создания полупроводников нового поколения и электронных устройств с низким энергопотреблением необходимо точно укладывать друг на друга материалы с разными функциями. В этом процессе важно сохранить внутренние свойства каждого материала, а также границу раздела между двумя материалами без повреждений. Слоистые ван-дер-ваальсовы материалы, в том числе дихалькогениды переходных металлов (ДПМ), привлекают большое внимание как полупроводниковые платформы следующего поколения, поскольку их слои взаимодействуют за счет слабых сил, что позволяет создавать многослойные структуры из различных материалов, сохраняя атомарную чистоту границ.