RRAM
RRAM, de afkorting van Resistive Random Access Memory, is een niet-vluchtig geheugen dat al meer dan tien jaar in ontwikkeling is. De werking ervan is erop gebaseerd dat de elektrische weerstand van een iets geleidend diëlektricum kan veranderen. Het is dus technisch gezien een memristor. De weerstand kan twee verschillende waarden aannemen en dus als bit fungeren.
RRAM® is een geregistreerd handelsmerk van Sharp. RRAM moet volgens het bedrijf uiteindelijk het breed toegepaste flashgeheugen gaan vervangen.
Bronnen, noten en/of referenties
- (en) Sharp Develops Basic Technology for RRAM, Next-Generation Nonvolatile Memory, 13 december 2006.
· 
· 
· ·