東北大学の黒田理人教授らは島津製作所やラピスセミコンダクタ（横浜市港北区）などと共同で、１秒当たり６兆画素の速度で読み出せるイメージセンサーを開発した。３０万画素の画像を１秒間に２０００万コマの撮像速度で撮影できる。放電時の衝撃波を撮影することに成功した。

相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）でバースト型のイメージセンサーを開発した。バースト型はセンサーにメモリーを内蔵し、画素からメモリーへ信号を転送する。２５６コマ分の信号を連続記録できる。

ノイズを低減したため品質の高い画像が撮れる。放電管の放電現象を５０ナノ秒（ナノは１０億分の１）間隔で撮影すると、放電によって広がる衝撃波を捉えられた。プラズマや絶縁破壊などを高速撮影するとメカニズムを研究できる。半導体製造工程の監視や衝撃波解析などに提案していく。

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パソコンやスマートフォン、自動車など現代社会のあらゆる電子機器に欠かせない「半導体」。安全保障上の戦略物資とされ、産業をめぐる国際競争は激しさを増す。その主たるプレイヤーである台湾積体電路製造（TSMC）やラピダス、キオクシアなどの動きや最先端の研究開発の動向を追う。