Papers by Maxime FERAILLE
L’expérience touristique à l’ère numérique
Tic & société
Cet article conceptualise le parcours de consommation touristique d’une application mobile pour v... more Cet article conceptualise le parcours de consommation touristique d’une application mobile pour voyageur solo. Le contexte est celui de deux marchés distincts : émetteur (Asie-Pacifique) et cible (Europe de l’Est). L’expérience touristique à l’ère numérique est pensée à l’aune du concept de mobilité personnelle. L’objectif de la recherche est de mesurer l’impact de la mobilité personnelle numérique sur trois variables dépendantes : le locus de contrôle, la gratification instantanée et la sécurité ontologique. La méthodologie utilisée est mixte. L’enquête quantitative interroge 348 répondants tandis que l’enquête qualitative recueille les avis de 11 experts. Les résultats de l’enquête permettent d’identifier les ancrages conceptuels des fonctionnalités de la future application. La discussion critique ouvre une piste d’investigation sur le statut du lien de dépendance sociale entre le voyageur solo et la communauté de consommateurs numériques.
La reduction des transistors MOSFETs, briques de base des circuits integres, ne permet plus d'... more La reduction des transistors MOSFETs, briques de base des circuits integres, ne permet plus d'ameliorer efficacement leurs performances. Des leviers technologiques ont ete mis en place dans les procedes de fabrication de ces transistors pour y remedier. L'introduction intentionnelle de contraintes constitue l'une de ces solutions. De fait, l'orientation des contraintes en fonction de la direction du canal influence fortement les proprietes de transport des transistors MOSFETs. Les methodes de calculs de structures de bandes semi-empiriques EPM et */k.p/* dans l'approximation de la fonction enveloppe, ont ete developpees afin d'etudier les perturbations occasionnees sur la structure electronique des materiaux par l'action conjuguee des contraintes mecaniques et du confinement. L'influence de ces dernieres perturbations sur les proprietes de transport a, par la suite, ete analysee a l'aide de simulations avancees Monte Carlo "fullband" et ...
The dimension shrinking of the MOSFETs transistors, integrated circuit ground devices, do not all... more The dimension shrinking of the MOSFETs transistors, integrated circuit ground devices, do not allow their performance enhancement further more. Technology boosters have been inserted in MOSFETs transistors process fabrication to fix it. Intentional introduction of strain is one of these technological solutions. Indeed, the strain orientation as a function of the channel direction strongly influences the transport properties of the MOSFETs transitors. The semi-empirical calculation methods, such as EPM and */k.p/* in the envelop function approximation, have been developed in order to study the bandstructure perturbation associated to the combined action of strain and confinement. The influence of these latter perturbations has subsequently been analyzed using the advanced transport simulations "fullband" Monte Carlo and Kubo-Greenwood. The theoretical results obtained have been compared to the experimental data obtained from Wafer Bending technique and measured throughout t...
Etude du Transport dans les Transistors MOSFETs Contraints: Modélisation Multi-échelle
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