Unità 12

DIODI
E APPLICAZIONI
Il diodo è un componente passivo non lineare la cui caratteristica principale
è di presentare una ridottissima resistenza quando la tensione ai suoi capi ha
una polarità e, al contrario, un’elevatissima resistenza quando la tensione ai
suoi capi ha polarità opposta.
Questa proprietà viene sfruttata in numerose applicazioni quali i raddrizzatori
e i moltiplicatori di tensione, i circuiti limitatori e fissatori, gli stabilizzatori di
tensione (diodi Zener).
I diodi a semiconduttore hanno sostituito i diodi a vuoto, rispetto ai quali pre-
sentano enormi vantaggi per dimensioni, dissipazione, tensioni di lavoro, dura-
ta. Particolari tipi di diodi a semiconduttore, i fotodiodi e i diodi a emissione di
luce (LED), trovano inoltre largo impiego in optoelettronica.
Anche sotto l’aspetto concettuale e didattico il diodo a semiconduttore riveste
grande importanza in quanto consente di acquisire informazioni e metodi di
analisi che troveranno sviluppo e applicazione in relazione ad altri componen-
ti più complessi.

1. Materiali semiconduttori
I materiali usati nella realizzazione di componenti a semiconduttore sono il
silicio (Si), largamente prevalente, il germanio (Ge), impiegato solo in rari casi,
l’arseniuro di gallio (AsGa), composto utilizzato per applicazioni particolari.
Le proprietà di un materiale dipendono, dalla struttura atomica ed elettronica de-
gli elementi che lo compongono e dal legame chimico esistente fra i suoi atomi.
Gli atomi, secondo il modello di Bohr e Rutherford, sono costituiti da un nucleo,
formato da protoni e neutroni, e da una nuvola elettronica ovvero da un certo
numero di elettroni che ruotano con energie e orbite diverse intorno al nucleo.

# notabene Gli elettroni più esterni, quelli dell’ultima orbita (elettroni di valenza), risentono
fortemente delle interazioni con gli atomi circostanti e quindi determinano le
I materiali caratteristiche elettriche e chimiche dei materiali. Quelli più interni, con ener-
semiconduttori più gie più basse, sono invece saldamente legati al nucleo e hanno perciò scarsa
usati sono Si e Ge,
influenza.
i cui atomi sono
tetravalenti. Gli atomi dei semiconduttori puri, silicio e germanio, presentano quattro elet-
troni di valenza (tetravalenti) e una struttura cristallina in cui ciascun atomo
mette in comune un elettrone di valenza con quattro atomi circostanti forman-
do legami covalenti. Ciò fa sì che gli elettroni risultino saldamente vincolati nel
reticolo cristallino. I livelli di energia di tutti gli elettroni sono compresi nella
banda di valenza e la conduttività del materiale è nulla. A temperature molto
basse infatti i materiali semiconduttori si comportano come isolanti.

238
 Diodi e applicazioni Unità 12

Fornendo però energia termica, o un altro tipo di energia, è possibile spezzare

qualche legame covalente. In questo caso si avranno elettroni liberi, con livelli di
energia compresi nella banda di conduzione, e una certa conduttività. In Fig. 1
è illustrato il modello bidimensionale di un cristallo di silicio; ciascun atomo è
rappresentato dal nucleo con gli elettroni più interni ( : ione con carica + 4) e
dagli elettroni esterni che formano i legami covalenti. Si osserva la presenza di un
elettrone libero e di un legame covalente incompleto; la mancanza di un elettrone
nel legame covalente costituisce una lacuna, rappresentata dal cerchietto vuoto.
L’importanza della lacuna consiste nel fatto che l’esistenza di un legame incompleto
rende probabile il trasferimento di un elettrone di un altro atomo alla lacuna stessa.
Questo processo può ripetersi a catena perché l’elettrone che si muove lascia
a sua volta una lacuna. Il flusso degli elettroni procede quindi in verso opposto
a quello delle lacune.
In un semiconduttore puro il numero delle lacune è uguale al numero di elettroni
liberi e aumenta al crescere della temperatura. Pertanto, per esempio a tempera-
tura ambiente, si ha una debole conduttività, dovuta alle lacune e agli elettroni
liberi generatisi per effetti termici, nota come conduttività intrinseca.

Si Si Si

Elettrone libero

Si Si

Si
Lacuna
Si Si Si

Fig. 1

Semiconduttori drogati
Per sfruttare le caratteristiche dei materiali semiconduttori, aumentandone
sensibilmente la conduttività così da ottenere correnti apprezzabili anche con # notabene
l’applicazione di campi elettrici piuttosto deboli, si ricorre al drogaggio (dop- Il processo di
ing) del semiconduttore. Questo processo consiste nell’inserire nella struttura doping consiste
cristallina di Si o Ge, tetravalenti, atomi di materiali pentavalenti o trivalenti e nell’inserire nella
quindi creare una sovrabbondanza di elettroni liberi o di lacune. struttura cristallina
dei semiconduttori
Il materiale in cui sono stati introdotti atomi pentavalenti (o donatori, in quanto,
atomi trivalenti
disponendo ciascuno di 5 elettroni di valenza, presentano un elettrone libero da
(accettori) e
legami covalenti e quindi disponibile a muoversi nel cristallo) diventa di tipo n. pentavalenti
In esso la conduttività è principalmente dovuta alla presenza di elettroni liberi. (donatori).
Nel materiale di tipo n pertanto gli elettroni sono i portatori di carica maggio-
ritari mentre le lacune, presenti in minor numero, sono i portatori minoritari.
Il materiale in cui sono stati introdotti atomi trivalenti (o accettori, in quanto # keywords
l’esistenza di un legame incompleto comporta la disponibilità ad accogliere un
elettrone esterno all’atomo) diventa di tipo p. Doping / drogaggio

In esso la conduttività è dovuta principalmente alla presenza di lacune. Nel

materiale di tipo p le lacune sono i portatori maggioritari e gli elettroni sono i
portatori minoritari.
Fra gli elementi che vengono usati come impurità per il drogaggio si possono
citare: fosforo (P), arsenico (As) e antimonio (Sb), come donatori; boro (B),
gallio (Ga), indio (In) e alluminio (Al), come accettori.

239
E Componenti a semiconduttore

Giunzione pn
Se in un cristallo di materiale semiconduttore vengono introdotte da un lato
# notabene
impurità di tipo p, dall’altro impurità di tipo n, si viene a creare fra le due zone
La zona di una giunzione pn.
svuotamento o di
La presenza di lacune in eccesso nella zona p e di elettroni liberi nella zona
transizione o di carica
spaziale è la zona n determina un’interazione fra gli atomi in prossimità della giunzione. Alcuni
priva di portatori elettroni della zona n si diffondono attraverso la giunzione e si ricombinano con
liberi, che presenta le lacune della zona p. Analogamente alcune lacune della zona p si diffondono
una certa carica ricombinandosi con gli elettroni presenti nella zona n. Ciò crea una regione che,
negativa dal lato p a causa delle ricombinazioni elettrone-lacuna, è priva di portatori liberi.
e una certa carica Inoltre, nelle vicinanze della giunzione, gli atomi che hanno acquisito per ricom-
positiva dal lato n. binazione un elettrone diventano ioni negativi (6) mentre quelli che hanno ac-
quisito una lacuna (cioè hanno perso un elettrone) diventano ioni positivi (5).
Come è illustrato in Fig. 2a e 2b, si crea una zona priva di portatori liberi detta
zona di transizione o di svuotamento o di carica spaziale, che presenta una certa
carica negativa dal lato p e una certa carica positiva dal lato n. Si può osservare
# keywords
che tale regione, che ha uno spessore dell’ordine di 0,5 nm, si presenta come una
Drift / deriva porzione di dielettrico e determina un effetto capacitivo ai capi della giunzione.
Breakdown / rottura La carica che, a causa della diffusione, si accumula in prossimità della giun-
zione genera un campo elettrico; questo si oppone a un’ulteriore diffusione di
portatori maggioritari (elettroni verso sinistra e lacune verso destra nel disegno
di Fig. 2a) e favorisce invece un flusso di portatori minoritari in verso opposto.
In Fig. 2c è illustrata la barriera di potenziale che si crea, la cui altezza V0 vale
pochi decimi di volt. In definitiva si creano due flussi di portatori e quindi due
correnti di verso opposto e precisamente:
• la corrente di diffusione, costituita da portatori maggioritari;
• la corrente di deriva (drift) costituita da portatori minoritari che si forma-
no per effetti termici.
Si raggiunge l’equilibrio quando la corrente di diffusione eguaglia quella di deriva.

Giunzione
Diffusione lacune Diffusione elettroni
Ioni Ioni
Lacune – – – – + + + + Elettroni liberi

– – – – + + + + Atomi donatori
Atomi accettori
– – – – – + + +
– – – – – + + +
a
Zona di svuotamento
p n
Andamento
della densità
di carica. Densità di carica

+
b
– Distanza dalla giunzione
Zona di carica spaziale

Barriera di potenziale

c V

Distanza dalla giunzione

Fig. 2

240
 Diodi e applicazioni Unità 12

Polarizzazione della giunzione

Applicando una batteria ai capi della giunzione, ovvero di un semiconduttore
drogato pn, il moto dei portatori e il flusso delle correnti vengono determinati # notabene
dalla polarità e dal valore della tensione applicata. Nella polarizzazione
inversa la zona di
Polarizzazione inversa. In Fig. 3a il morsetto positivo della batteria è colle- svuotamento si
gato alla zona n. Gli elettroni liberi sono attratti verso il morsetto positivo e le allarga e la corrente
lacune verso quello negativo, lontano dalla giunzione. In questo modo la regio- è debolissima e
ne di svuotamento si allarga e la barriera di potenziale aumenta. La giunzione è scorre dalla zona n
polarizzata inversamente: la corrente, detta corrente inversa di saturazione, alla zona p.
debolissima, è dovuta soltanto ai portatori minoritari e scorre dalla zona n alla
zona p.

Polarizzazione diretta. In Fig. 3b il morsetto positivo è collegato invece alla

zona p. Gli elettroni presenti nella zona p vengono attratti verso il morsetto # notabene
positivo, creando nuove lacune; inoltre dal terminale negativo della batteria Nella polarizzazione
entrano nella zona n del cristallo diffondendosi attraverso la giunzione. La re- diretta la zona di
gione di svuotamento si restringe e la barriera di potenziale diminuisce. La svuotamento si
giunzione è polarizzata direttamente; la corrente, detta corrente diretta, è restringe, la corrente,
dovuta ai portatori maggioritari e scorre dalla zona p alla zona n. detta corrente
diretta, scorre dalla
p n p n zona p alla zona n.

I Lacune I Lacune

Elettroni Elettroni

– + + –
V V
a b Fig. 3

2. Diodo a semiconduttore
Il cristallo con la giunzione pn schematizzato in Fig. 4a rappresenta un diodo
a semiconduttore, il cui simbolo circuitale è illustrato in Fig. 4b.
Si notano due terminali, anodo (A) e catodo (K), rispettivamente corrispon-
denti alle zone drogate con elementi p e n. # notabene
Nel diodo polarizzato
Caratteristica del diodo direttamente la
La funzionalità del diodo, già esaminata qualitativamente considerando la corrente diretta
giunzione, viene descritta dalla curva caratteristica illustrata in Fig. 4c. Questa scorre dall’anodo
esprime graficamente l’andamento della corrente (I ) al variare della tensione al catodo e assume
fra anodo e catodo (V) per un generico diodo al Si. valori apprezzabili
Per tensioni V positive la giunzione è polarizzata direttamente e la corrente di- per V 2 V .
retta fluisce dall’anodo al catodo. Per valori di V compresi fra 0 e Vc tuttavia la
corrente assume valori trascurabili; Vc, che rappresenta la tensione di soglia
oltre la quale la corrente diretta assume valori apprezzabili, vale circa 0,5 V per # notabene
diodi al Si e circa 0,1 V per diodi al Ge. Per valori di V superiori a Vc, la corrente
Nel diodo polarizzato
cresce esponenzialmente assumendo valori anche considerevoli.
inversamente una
Per tensioni V negative la giunzione è polarizzata inversamente: la corrente
debolissima corrente,
inversa di saturazione I 0 fluisce dal catodo all’anodo e presenta valori assai
detta corrente inversa
ridotti. Si noti che per le correnti inverse si è utilizzata una scala espansa (nA)
di saturazione, scorre
mentre per le tensioni inverse si è usata una scala compressa per poter rappre-
dal catodo all’anodo.
sentare sul grafico anche valori elevati della tensione inversa.

241
E Componenti a semiconduttore

I [mA]

12

p 8
a A n K

–100 –50
V
I
[V] 0 V [V]
b A K I 0,5 1
Anodo Catodo
V 0,1

0,2

[µA] c
Fig. 4

Per un dato valore di tensione negativa, di solito piuttosto elevato (decine o

# notabene centinaia di volt, - 100 V in Fig. 4), si verifica la rottura della giunzione. Il forte
campo elettrico generato dalla d.d.p. applicata ai capi del diodo libera molti
Nei diodi di ultima
elettroni dai legami covalenti.
generazione la
Gli elettroni, così accelerati, urtano atomi vicini fornendo energia ad altri elet-
corrente inversa è
di pochi nA, non troni, che a loro volta si liberano, causando una moltiplicazione a valanga di
misurabili con portatori liberi.
strumentazione di
La relazione fra la tensione applicata ai capi del diodo e la corrente circolante
tipo scolastico e la
è espressa dall’equazione:
V di breakdown
può raggiungere i
corrente inversa
- 800 V.
di saturazione
V
I = I 0 (e hV - 1) [12.1a]
equivalente in tensione
della temperatura,
V T = T/11 600

Alla temperatura ambiente (T = 298 K = 25 cC) risulta VT = 26 mV. Per diodi al

Si il parametro h vale circa 2 per normali valori di corrente mentre si avvicina
a 1 per correnti molto elevate.
V
Per tensioni V molto superiori a V T, risulta e hV 22 1 e l’equazione [12.1a] si
riduce all’espressione:

V
I = I 0 e hV [12.1b]

La corrente nel diodo varia con la temperatura anche a causa della varia-
zione di I 0. Infatti I 0, costituita da portatori minoritari che si generano per
effetti termici, cresce esponenzialmente con la temperatura. Si può conside-
rare approssimativamente che I 0 raddoppi per ogni 10 cC di aumento della
temperatura.
A sua volta la tensione V corrispondente a un certo valore I della corrente
diretta diminuisce al crescere della temperatura con un coefficiente termico
negativo DVYD% = - 2,5 mVY cC.

242
 Diodi e applicazioni Unità 12

3. Diodo come elemento circuitale

Il circuito illustrato in Fig. 5a, in cui il diodo è posto in serie a un carico R L,
rappresenta la più semplice e comune applicazione di questo dispositivo. Per
ricavare i valori istantanei della corrente i e della tensione v quando all’ingres-
so è applicato un dato segnale vi, si può utilizzare l’equazione alla maglia:
v = vi - iR L [12.2]

L’equazione [12.2] rappresenta una retta nel piano i, v, nota come retta di
carico, che interseca gli assi per v = 0 e per i = 0, con pendenza - 1YR L, dove
R L è la resistenza di carico.
Se la tensione di ingresso vi assume il valore costante V1, dall’equazione [12.2]
si ottiene la retta di carico rappresentata a tratto pieno in Fig. 5b. # notabene
Una seconda relazione fra i e v è espressa dalla caratteristica del diodo, ripro- L’intersezione della
dotta in Fig. 5b solo per la parte relativa alla polarizzazione diretta. Infatti quan- curva caratteristica
do il diodo è polarizzato inversamente, per qualsiasi valore della tensione ap- del diodo con
plicata, la corrente assume valori trascurabili e quindi si può considerare i = 0. la retta di carico
individua il punto
L’intersezione fra la caratteristica del diodo e la retta di carico individua il pun-
di lavoro statico del
to di funzionamento o di lavoro statico (corrispondente a Q 1 in Fig. 5b) ovve- diodo.
ro fornisce i valori di i e v per quel particolare diodo, in quel circuito, con quel
valore di R L e con una data tensione vi = V1.
Se vi varia, supponiamo dal valore V1 al valore V3, la retta di carico si sposta,
mantenendo la stessa pendenza dal momento che R L non è variata, e così si
sposta il punto di lavoro (Q 2 in Fig. 5b). Pertanto, al variare di vi, il punto di
lavoro si muove sulla caratteristica del diodo consentendo di individuare i cor-
rispondenti valori di corrente.

v
i V
Retta di carico
R
b Caratteristica statica
v R V
R Q

a Q

v
Fig. 5 v =V v =V

esempio 1

Ricava l’equazione della retta di carico del v

circuito in figura se vi = 5 V. Determina grafica-
mente il punto di lavoro statico Q 0 del diodo i
R
supponendo che la sua caratteristica sia quel- v
500 Ω
v
la riportata in Fig. 4c. Determina i valori della
corrente nel diodo e i valori della tensione di
uscita vo se vi vale rispettivamente 5 V, 6 V, 2 V.
Soluzione
L’equazione della retta di carico è semplicemente l’equazione alla maglia che si
ottiene applicando al circuito il 2c principio di Kirchhoff. Si ha quindi:
vi - v - vo = 0 ossia v =-iR L + vi

243
E Componenti a semiconduttore

Con i valori di v e R indicati si ha v =-500i + 5; la retta interseca gli assi i e v

rispettivamente per i = 10 mA e v = 5 V, come indicato in figura.

i [mA]

12 Q
10
Ω 8
Q
6
4 Q
2
0
V 1 2 3 4 5 6 v [V]

Riportando sullo stesso grafico la caratteristica del diodo, si individua il punto di

lavoro Q , per il quale si ha i - 8,5 mA. Per v = 6 V e per v = 2 V, si possono trac-
ciare due nuove rette di carico che individuano i punti di lavoro Q (i - 10,5 mA)
# notabene e Q (i - 2,5 mA).
Si ricava quindi che per v = 5 V, v = 4 V; per v = 6 V, v - 5,25 V; per v = 2 V,
Diodo come v - 1,25 V.
interruttore
In polarizzazione
inversa il diodo è Modelli approssimati del diodo
considerato come un
interruttore aperto e in L’uso della caratteristica del diodo per la soluzione di circuiti è poco pratico,
polarizzazione diretta anche perché non sono sempre disponibili le caratteristiche dei diodi reali.
come un interruttore Comunemente si ricorre quindi a modelli circuitali del diodo introducendo ap-
chiuso ovvero un prossimazioni più o meno drastiche a seconda del tipo di applicazione. In que-
cortocircuito. sto modo anche la curva caratteristica si riduce a una spezzata che interpola
la caratteristica reale. Si può osservare che queste semplificazioni in genere
non comportano errori sostanziali trattando segnali ampi ossia, riferendosi al
# notabene circuito di Fig. 5a, quando vi compie ampie escursioni.
Un’approssimazione valida nella quasi totalità dei casi è quella che considera il
Diodo come
diodo polarizzato inversamente come una resistenza Rr di valore infinito ossia
batteria
un circuito aperto.
In polarizzazione
inversa il diodo è Diodo come interruttore. Dovendo valutare qualitativamente il funzionamento
considerato come un di un circuito comprendente uno o più diodi, spesso si utilizza il modello più sem-
interruttore aperto plice, che considera il diodo in polarizzazione inversa come un interruttore aperto
e in polarizzazione
e il diodo in polarizzazione diretta come un interruttore chiuso ovvero un cortocir-
diretta come
cuito. In Fig. 6a sono illustrati i modelli rappresentativi e la corrispondente carat-
una batteria
teristica approssimata mentre la curva a tratteggio indica la caratteristica reale.
V = 0,7 ' 0,8 V.
Diodo come batteria VF . Mentre è lecito considerare il diodo in polarizza-
zione inversa come un circuito aperto, in molti casi è necessario tenere conto
# notabene della caduta di tensione non nulla sul diodo in polarizzazione diretta. Spesso è
Diodo come quindi utilizzato il modello illustrato in Fig. 6b insieme alla relativa caratteristi-
batteria V e ca diretta. Il diodo in conduzione è rappresentato da una batteria VF (forward:
resistenza R diretta) con i terminali positivo e negativo corrispondenti rispettivamente all’a-
Il diodo in nodo e al catodo. Il valore di VF viene assunto pari a 0,7 ' 0,8 V a seconda
polarizzazione diretta della minore o maggiore entità della corrente diretta.
è visto come una
Diodo come batteria Vc e resistenza Rf . Un modello più preciso, che con-
batteria V in serie a
sente di considerare anche la variazione della tensione ai capi del diodo al
una resistenza R .
variare della corrente circolante, è illustrato in Fig. 6c.

Il diodo in polarizzazione diretta è visto come una batteria Vc in serie a una

resistenza Rf .
# keywords
Forward current /
Considerando, per diodi al Si, Vc = 0,5 V a Rf viene assegnato un valore ridotto
corrente diretta (da pochi ohm a poche decine di ohm); su questa si avrà una caduta di tensio-
ne che dipenderà dalla corrente diretta.

244
 Diodi e applicazioni Unità 12

Fig. 6
i i i

1

R

v V v V v

V V R

v v v

a b c
Modello e caratteristica
Modello e caratteristica del Modello e caratteristica del del diodo come batteria
diodo come interruttore. diodo come batteria V . V in serie a R .

esempio 2

Disegna il circuito equivalente dello schema v

• Transcaratte-
in figura sostituendo al diodo una batteria ristica
Vc = 0,5 V e una resistenza Rf = 50 X. Ricava ana- i
R • Modello
liticamente i valori di vo per vi = 5 V, vi = 6 V, v
500 Ω
v del diodo per
vi = 2 V. piccoli segnali
Soluzione
Dal circuito equivalente in figura si ricava:
R V
vi - Vc +
vo = iR L = R i
R f + RL L R
v v
500 Ω
Per v = 5 V, 6 V, 2 V si ha rispettivamente:
v = 4,1 V; v = 5 V; v = 1,36 V

Parametri dei diodi reali

La scelta del modello con cui rappresentare il diodo dipende dal grado di pre- Parametri
cisione che si vuole raggiungere nell’analisi di un circuito, dagli elementi cir- dei diodi reali
cuitali presenti, dalle tensioni e dai segnali applicati. In fase di progettazione
è però necessario prendere in considerazione i parametri reali specificati dai
costruttori per il diodo che si utilizza.
Considerando infatti solo i diodi usati per la loro funzione raddrizzante, e
tralasciando per ora i tipi speciali che verranno trattati in seguito, si possono # keywords
comunque distinguere diverse categorie di prodotti, alcuni dei quali sono mo- General purpose
strati in Fig. 7: diode / diodo per
• diodi per usi generici (general purpose diode o small signal diode), adatti per uso generico
segnali di limitata entità e in applicazioni che non richiedono prestazioni Switching
particolari; diode / diodo
• diodi per commutazione (switching diode), impiegati in circuiti che richie- a commutazione
Rectifier diode /
dono commutazioni veloci fra gli stati ON e OFF;
diodo rettificatore
• diodi raddrizzatori (rectifier diode), specificamente adatti per il raddrizza-
o raddrizzatore
mento di tensioni anche di elevata entità e con vari livelli di potenza.

245
E Componenti a semiconduttore

Fig. 7

Fra i parametri forniti dai fogli tecnici, si possono citare i principali.

VF (F: forward, diretta). Valore tipico della tensione continua ai capi del
diodo in conduzione, specificata di solito per un dato valore di corrente
# keywords diretta IF.
Average / media IF(AV) (AV: average, media). Valore massimo della corrente media totale.
IFM (FM: forward maximum). Corrente diretta massima.
Maximum forward
V(BR) (BR: breakdown, rottura). Valore di tensione a cui si verifica il break-
current / corrente
diretta massima down.
Tj (J: junction, giunzione). Temperatura massima che può sopportare la
Junction / giunzione
giunzione, di solito da 100 cC a 150 cC.
t (reverse
P Potenza dissipabile massima, in genere specificata per una temperatura
recovery time) /
ambiente di 25 cC.
t (tempo di
recupero inverso)
trr Tempo impiegato dal diodo, sottoposto a una commutazione istantanea
del segnale applicato, per passare dallo stato ON allo stato OFF.

4. Circuiti raddrizzatori
I circuiti raddrizzatori convertono una tensione alternata con valore medio
nullo in una tensione unipolare con valore medio diverso da zero.
Essi trovano la loro principale applicazione nella realizzazione degli alimenta-
# notabene tori, di cui costituiscono un elemento fondamentale. In questo caso il segnale
applicato all’ingresso è la tensione alternata sinusoidale con frequenza 50 Hz
Si realizza un
(in Europa) o 60 Hz (in America) presente sul secondario di un trasformatore.
semplice alimentatore
La tensione pulsante unipolare fornita dal raddrizzatore viene poi livellata me-
non stabilizzato
diante un filtro. Si ottiene così una tensione di valore sostanzialmente costante,
usando un
che potrà essere ancora ulteriormente stabilizzata.
trasformatore seguito
Le diverse configurazioni circuitali sono illustrate in Fig. 8 accanto alle ri-
da un raddrizzatore e
un filtro capacitivo. spettive forme d’onda di uscita quando in ingresso sia applicato un segnale
sinusoidale di ampiezza VsM e valore efficace Vs. L’esame di ciascun tipo di
raddrizzatore consente di comprenderne il funzionamento e di calcolare
il valore medio Vodc del segnale di uscita. Al fine di semplificare l’analisi,
si considerano il trasformatore e il diodo come elementi ideali ossia si tra-
scurano la resistenza del secondario r s e la caduta di tensione sul diodo in
conduzione.

Raddrizzatore con un diodo. Il circuito è illustrato in Fig. 8a. Durante il se-

miciclo negativo di vs, il diodo è polarizzato inversamente e pertanto la tensio-
ne di uscita è nulla. La semionda positiva di vs viene invece trasferita all’uscita
poiché il diodo è in conduzione.
Per questo motivo il circuito è indicato anche come raddrizzatore a una se-
mionda. Si ricava per il segnale di uscita il valore medio:
VsM
Vodc = [12.3]
r

246
 Diodi e applicazioni Unità 12

i v
v R v
V
a π
t

i
A
D1 i
v i R v v

G 2V
v π
D2
b t
B

D1 D4 R v v
v 2V
π
D3 D2
c t Fig. 8

Raddrizzatore con due diodi. Il secondo circuito (vedi Fig. 8b) richiede
l’uso di un trasformatore con presa centrale in modo che la tensione ai capi
del secondario venga ripartita esattamente e risulti vAG = vGB ossia vAG = - vBG.
Si può pensare a questo circuito come all’insieme di due raddrizzatori a una
semionda. Il diodo D1 conduce solo durante la semionda positiva di vs e D2
conduce solo durante la semionda negativa di vs.
Le correnti i1 e i 2, che scorrono rispettivamente in D1 e D2, percorrono R L
nello stesso verso; pertanto la corrente nel carico risulta iL = i1 + i 2 .

Poiché nel segnale di uscita sono presenti sia la semionda positiva sia quella
negativa, il circuito è noto come raddrizzatore a doppia semionda.

Ricordando che, in questo caso, la tensione VsM rappresenta l’ampiezza della

sinusoide ai capi di un semi-avvolgimento, si può ricavare il valore medio della
tensione di uscita:
2 VsM
Vodc = [12.4]
r

Raddrizzatore con ponte di Graetz. Il circuito di Fig. 8c è anch’esso un

raddrizzatore a doppia semionda, che non necessita di trasformatore a presa
centrale, ma utilizza quattro diodi disposti secondo una particolare configura-
zione nota come ponte di Graetz. Durante il semiciclo positivo di vs, la cor-
rente scorre in D1, R L, D2, essendo questi due diodi polarizzati direttamente.
Durante il semiciclo negativo, la corrente scorre in D3, R L, D4 mentre D1 e D2
sono polarizzati inversamente. Il valore medio della tensione di uscita è ancora
espresso dalla relazione:

ampiezza della sinusoide

ai capi dell’intero
avvolgimento secondario
2VsM
Vodc = [12.5]
r

247
E Componenti a semiconduttore

Fig. 9

Questo circuito offre indubbiamente le prestazioni migliori e viene quasi

sempre preferito anche per il fatto che sono comunemente disponibili in
commercio ponti di diodi per diverse potenze realizzati in un unico conteni-
tore. In Fig. 9 sono riportati alcuni esempi.

esempio 3

Con riferimento a ciascuno dei tre circuiti illustrati in Fig. 8, consi-

derando R L = 100 X e supponendo di utilizzare un trasformatore da
220 : 6 + 6 V provvisto di presa centrale, calcola i rispettivi valori medi
della tensione di uscita Vodc.

Soluzione Il trasformatore fornisce alle estremità dell’avvolgimento secon-

dario una tensione efficace V = 12 V e quindi una sinusoide con ampiezza
VsM = 2 Vs = 17 V.
Fra ciascuna estremità dell’avvolgimento e la presa centrale fornisce invece una
tensione efficace V = 6 V e quindi una sinusoide con ampiezza V = 8,5 V.
Applicando per i tre circuiti le equazioni [12.3], [12.4] e [12.5], si ricavano i
seguenti valori.
VsM
• Raddrizzatore con un diodo: Vodc =
r
=
17
r
= 5,4 V

2VsM
• Raddrizzatore con due diodi: Vodc =
r
=
2 # 8,5
r
= 5,4 V

2VsM
• Raddrizzatore con ponte di Graetz: Vodc =
r
=
2 # 17
r
= 10,8 V

Si verifica che il valore medio della tensione di uscita più elevato si ottiene con il
circuito a ponte di Graetz. Per ottenere lo stesso valore di V con gli altri due
circuiti occorrerebbe utilizzare un trasformatore con un numero di spire doppio
al secondario.

Parametri principali
Per scegliere la configurazione circuitale più opportuna e dimensionare i
diodi o il ponte, è bene considerare, oltre al valore medio Vodc già indica-
to, altre grandezze significative. In particolare occorre valutare le correnti
massime I FM o I DM e le correnti medie I F(AV) o I Dm che vengono a scorrere
nei diodi in conduzione. Quest’ultimo parametro deve essere confrontato
con il corrispondente valore riportato sui fogli tecnici dei diodi raddrizza-
tori e dei ponti. È poi importante considerare le tensioni inverse massime
V RRM che vengono applicate in modo ripetitivo ai diodi polarizzati inversa-
mente per accertarsi che i valori non superino quelli consentiti. In Tab. 1
sono riportate sinteticamente le espressioni delle grandezze citate per cia-
scun circuito.

248
 Diodi e applicazioni Unità 12

i D1 i i
i
R
v R v
Parametri Simboli v R v ~
v
v + –
~

D2 i

Valore medio della V 2V 2V

V
tensione di uscita a vuoto r r r
Corrente massima in V V V
I
ciascun diodo R R R

Corrente media in ciascun V V V

I
diodo rR rR rR

Tensione inversa massima

V V 2V V
su ciascun diodo

Tab. 1

Raddrizzatore con filtro capacitivo

La tensione pulsante fornita dai raddrizzatori viene quasi sempre livellata me-
diante un filtro.
In Fig. 10a è illustrato un raddrizzatore a una semionda con filtro capacitivo
e carico R L. Come risulta evidente dalle forme d’onda di Fig. 10b, durante il
primo quarto di periodo, quando il diodo conduce, il condensatore si carica
seguendo vs fino al valore di picco VsM. Al diminuire di vs, il diodo si interdice
e C si scarica parzialmente su R L fino a che, nel successivo semiciclo positivo,
vs non raggiunge il valore della tensione sul condensatore. A questo punto il
diodo ricomincia a condurre e il condensatore si ricarica seguendo vs.
Si può osservare che l’ondulazione presente nel segnale di uscita è tanto mino-
re quanto maggiore è la costante di tempo di scarica del condensatore.

Pertanto, fissato il valore di R L, occorre scegliere un condensatore di capacità

sufficientemente elevata da garantire un buon livellamento.
In Fig. 10b sono rappresentati anche i picchi della corrente che scorre nel
diodo in conduzione. In particolare, durante la carica iniziale, la corrente che
scorre in C, limitata solo dalla resistenza del secondario del trasformatore,
dalla resistenza serie del condensatore e dalla bassissima Rf del diodo, può
assumere valori considerevoli. Occorre pertanto confrontare tale corrente con
i dati riportati dai fogli tecnici relativamente alla corrente IFSM, ovvero la mas-
sima corrente di picco non ripetitiva ammessa.
Il funzionamento descritto si applica anche ai raddrizzatori a doppia semionda. Es-
sendo minore il tempo di scarica del condensatore, si ha un miglior livellamento.

i v, i
i

v C R v
v
v
t
v
a

b Fig. 10

249
E Componenti a semiconduttore

Ripple. Per valutare l’ondulazione presente in un segnale unipolare si introdu-

ce un fattore indicato come fattore di ondulazione o ripple.
# keywords
Il fattore di ondulazione è definito come il rapporto percentuale fra il valore
Ripple / ondulazione,
efficace della tensione di ondulazione e il valore medio del segnale.
fluttuazione
Si ricava che il ripple r presente nel segnale di uscita di un raddrizzatore a una
semionda è pari al 121%, mentre per il raddrizzatore a doppia semionda il ripple
scende al 48%.
Inserendo un filtro capacitivo a valle di un raddrizzatore a doppia semionda si
ottiene un segnale di uscita sostanzialmente livellato con valore medio Vodc e
un’ondulazione DVo molto ridotta; questa dipende dalla frequenza f r del segna-
le ondulato (f r = 2f ovvero il doppio della frequenza della tensione sinusoidale
di ingresso), dalla capacità e dalla resistenza di carico.

Si calcola in questo caso che il fattore di ripple è espresso con buona approssi-
mazione dalla relazione:
1 DVo
r= = [12.6]
4 3 f CR L 2 3 Vodc

esempio 4

Il raddrizzatore a ponte di Graetz con filtro capacitivo illustrato in

figura fornisce in uscita una tensione con valore medio Vodc = 6,22 V.
Calcola il fattore di ripple r e l’ampiezza dell’ondulazione DVo. Dise-
gna la forma d’onda v*o che si ottiene scollegando la cella CR L e la
forma d’onda vo presente all’uscita del circuito completo.

v* 470 + C v R
µF 100 Ω
Vrete V
50 Hz 6V

Soluzione Sostituendo i valori dei componenti nell’equazione [12.6] si rica-

vano:
1
r= - 0,06 (6%) DVo = 2 3 r Vodc - 1,3 V
4 3 # 50 # 470 # 10- 6 # 100
e si disegnano le forme d’onda in figura.

v [V]

6,88
v
6,22 ∆V

v*
µ 100 Ω

t
T = 1/f

250
 Diodi e applicazioni Unità 12

5. Circuiti limitatori
I circuiti limitatori (clipper) vengono utilizzati quando si vuole selezionare,
di una certa forma d’onda, solo le parti che si trovano al di sopra o al di sotto
di una determinata tensione di riferimento o che sono comprese fra due deter-
minati valori di riferimento.
Da questo punto di vista, il semplice raddrizzatore a una semionda propo-
sto nel Paragrafo 4 può essere considerato un circuito limitatore; infatti,
della sinusoide di ingresso, trasferisce in uscita solo la parte superiore al # keywords
valore di riferimento, che, nel caso specifico, è zero. Invertendo il diodo, Clipper / limitatore
si avrebbe il funzionamento opposto e verrebbe trasferita in uscita solo la (lett. «che taglia»)
semionda negativa.

# notabene
Il diodo come limitatore è usato per selezionare solo i valori di una forma
d’onda che sono inferiori o superiori a una determinata tensione di riferimento
oppure compresi in un determinato intervallo.

Le configurazioni dei circuiti limitatori sono numerose e varie. Circuiti

In Fig. 11 sono riportati alcuni circuiti limitatori con le rispettive forme d’on- limitatori
da di ingresso (a linea tratteggiata) e di uscita (a tratto pieno) ottenute con-
siderando i diodi ideali. Questa semplificazione, sempre consigliabile in una
prima fase di analisi qualitativa di circuiti con diodi, porta spesso a risultati
sostanzialmente corretti. In particolare si può considerare Rf = 0 se R 22 R f ;
si può poi trascurare Vc se la tensione di ingresso vi raggiunge valori molto
superiori a Vc o se VR 22 Vc . In alternativa è consigliabile ricorrere al modello
che rappresenta il diodo in conduzione come una batteria VF prendendo per
VF il valore riportato fra i dati tecnici del diodo impiegato oppure scegliendo
un valore nominale di 0,7 V.
Considerando la Fig. 11, è interessante osservare che i circuiti a e c e i
circuiti b e d, strutturalmente diversi, presentano la stessa funzionalità. Ciò
è vero se i diodi sono considerati come elementi ideali. Se invece si tiene
conto delle caratteristiche reali del diodo occorre osservare che con se-
gnali di alta frequenza i tempi di commutazione dei diodi e la capacità as-
sociata alle giunzioni polarizzate inversamente introducono deformazioni
e disturbi nel segnale di uscita. Inoltre, in particolare per la configurazione
con diodo in parallelo, è necessario che la resistenza interna del genera-
tore V R , che viene a trovarsi in serie alla Rf del diodo in conduzione, sia
piccola.

R R

R R
v v v v v v v v
V V V V

v v v v
V

a b c d Fig. 11

251
E Componenti a semiconduttore

esempio 5

Dato il circuito limitatore in figura determina la forma d’onda del se-

gnale d’uscita, con Vc = 0,6 V.

D1

R
+ 560 Ω
V
10 Vpk +E
1 kHz 5V
0°

Soluzione
Se v 1 E + V v = E, quindi se v 1 5,6 V v =5 V
Se v 2 E + V v = v - V , quindi se v 2 5,6 V v = v - 0,6
In figura si nota in rosso la forma d’onda del segnale d’uscita, in arancio quella
del segnale d’ingresso.
v ,v

t
v

Limitatori a più livelli

Le strutture con diodi in serie e in parallelo possono essere variamente combi-
nate per tagliare la forma d’onda di ingresso a due livelli di tensione. In Fig. 12a,
per esempio, è illustrato un classico circuito slicer che consente il trasferimento
all’uscita di una porzione qualsiasi del segnale di ingresso. Il diodo D1 entra
in conduzione per tensioni vi inferiori a VR1, quando invece D2 è in stato OFF;
D1 fissa quindi a VR1 il valore minimo della tensione di uscita. Viceversa per
tensioni vi 2 VR2, mentre D1 è in stato OFF, entra in conduzione D2, fissando
il valore massimo della tensione di uscita a VR2 . Come si vede in Fig. 12b, del
segnale di ingresso, qui supposto sinusoidale, viene trasferita in uscita solo la
parte compresa fra VR1 e VR2, che non porta in conduzione alcun diodo.

R v ,v
v

V
D1 D2
v v v
a b V
V V >V t

Fig. 12

6. Applicazioni dei diodi

I diodi a semiconduttore vengono usati in applicazioni specifiche che ricorrono
piuttosto frequentemente nei sistemi elettronici. Si possono citare le più comu-
ni: circuiti fissatori, moltiplicatori di tensione, rivelatore di picco e di inviluppo,
soppressore di sovratensioni, porte logiche.

252
 Diodi e applicazioni Unità 12

Circuiti fissatori
I circuiti fissatori (clamper) consentono di fissare uno degli estremi di varia- # notabene
zione di un segnale a una determinata tensione di riferimento.
I circuiti fissatori
Tale operazione è richiesta, per esempio, quando un segnale che contiene una consentono di fissare
componente continua passa attraverso un condensatore o un trasformatore. a una data tensione
La componente continua viene eliminata e, se si desidera riavere un segnale di riferimento uno
asimmetrico, occorre reintrodurla. Per questo motivo i circuiti fissatori vengono degli estremi di
spesso indicati come inseritori di continua (DC inserter, DC restorer). variazione di un
In Fig. 13a è illustrata la struttura base di un circuito fissatore, in cui si consi- segnale; vengono
derano ideali sia il generatore di segnale sinusoidale sia il diodo. Come si vede anche chiamati DC
in Fig. 13b, la tensione di uscita risulta traslata verso il basso di una quantità inserter o restorer
ViM e presenta il massimo positivo fisso a 0. In altri termini è stata inserita una perché di fatto
componente continua pari a - ViM. inseriscono nel
Infatti il condensatore, inizialmente scarico, nel primo quarto di periodo si ca- segnale applicato
una tensione
rica, seguendo vi, fino al valore massimo ViM, essendo nulla la resistenza del
continua (offset).
diodo in conduzione. La tensione vo è pertanto nulla. Superato il picco positivo,
vi inizia a scendere, mentre la tensione su C rimane al valore massimo ViM, non
potendo scaricarsi sul diodo (si dovrebbe avere una corrente dal catodo all’a-
nodo). Successivamente la tensione sul condensatore si mantiene a vC = ViM e
il diodo rimane in interdizione, mentre la tensione di uscita vale: # keywords
vo = vi - vC Clamper / fissatore
Fig. 13
v, v
C
+
V v

v D v Applicazioni
t t dei diodi
–V
v
a –2V
b

esempio 6

Dato il circuito fissatore tipico in figura cui viene applicato un ingres-

so ad onda quadra, determina la forma d’onda del segnale d’uscita.
C

+ 10 nF
V D1
1 kHz
5V

Soluzione In figura si nota in rosso la forma d’onda del segnale d’uscita, in

arancio quella del segnale d’ingresso.
v ,v v

t
v

253
E Componenti a semiconduttore

Rivelatore di picco
Il circuito di Fig. 14 presenta gli stessi componenti del circuito fissatore di
Fig. 13; prelevando però la tensione ai capi del condensatore, si realizza un
rivelatore di picco. Infatti C, durante la conduzione del diodo, si carica fino
al valore massimo ViM e successivamente mantiene questa tensione, per cui
vo = ViM.
Questo schema viene comunemente usato nei radioricevitori AM (a modula-
zione di ampiezza) per rivelare il segnale audio cioè per estrarre il segnale au-
dio, che contiene l’informazione, dalla portante ad alta frequenza. Più precisa-
mente, la portante ad alta frequenza (455 ' 470 kHz) è un segnale sinusoidale
la cui ampiezza è modulata dal segnale audio (20 Hz ' 20 kHz), quindi il suo
inviluppo (linea tratteggiata di Fig. 14b) riproduce il segnale audio stesso. In-
viando il segnale modulato al circuito di Fig. 14a, C si carica durante la condu-
zione del diodo fino al valore di picco, per poi scaricarsi su R quando il diodo
non conduce. Se la costante di tempo x = RC è scelta opportunamente (per es.
C = 50 nF e R = 10 kX), l’uscita segue abbastanza fedelmente l’inviluppo della
portante e riproduce il segnale audio. Si osservi che in realtà la «seghettatura»
che appare nel disegno non è così marcata; in ogni caso può essere eliminata
con un filtro successivo.

Fig. 14
inviluppo segnale rivelato
v
D

+
v C R t
–
portante
ad alta frequenza
v
a b

7. Diodo Zener
I diodi Zener vengono costruiti con caratteristiche adatte al funziona-
# notabene mento nella regione di breakdown. Essi sono caratterizzati da una ten-
sione inversa di breakdown, detta tensione di Zener e indicata con V Z ,
I diodi Zener
particolarmente stabile e definita, in corrispondenza della quale la ca-
vengono usati in
ratteristica corrente-tensione diventa quasi verticale. Per questo motivo
polarizzazione
inversa sfruttando
vengono tipicamente impiegati come elementi di stabilizzazione della ten-
l’effetto stabilizzante sione al valore V Z .
che si manifesta
alla tensione V : Caratteristica I-V. In Fig. 15 è illustrata
tensione inversa di la caratteristica corrente-tensione di un I
breakdown, detta diodo Zener. Mentre la curva relativa alla
tensione di Zener. polarizzazione diretta è simile a quella di Breakdown
un normale diodo a semiconduttore e non
presenta aspetti interessanti, la zona di po-
larizzazione inversa assume un andamen-
to particolare. Per tensioni ; V ;1 VZ la V
corrente è ridottissima e raggiunge il valore I V
IZK (corrente di ginocchio) solo nell’intorno
di ; V ;= VZ, crescendo poi con andamen- ΔV
r
to quasi verticale. In quest’ultimo tratto ΔI
della caratteristica inversa la resistenza
dinamica rd - DVYDI è piccolissima e una
variazione sostanziale della corrente de-
termina una variazione molto contenuta
della tensione ai capi dello Zener. Fig. 15

254
 Diodi e applicazioni Unità 12

Tensione di Zener. Il valore di VZ dipende dalla resistività del materiale del-

le due zone p e n per cui, regolando opportunamente i drogaggi, è possibile
realizzare diodi Zener con VZ compreso fra qualche volt e il centinaio di volt.
La precisione con cui si ottiene il valore nominale di VZ è espressa dalla tolle-
ranza (1, 2, 5, 10, 20%); i valori nominali sono normalizzati in modo analogo
a quanto avviene per i resistori. Si può osservare che, benché esistano diodi
Zener con valori di VZ inferiori a 2 V, normalmente per stabilizzare tensioni di
questa entità si preferisce usare diodi normali in polarizzazione diretta, anche
ponendo più diodi in serie. Ciò a causa della più elevata resistenza dinamica
dei diodi Zener a bassa tensione.

Coefficiente termico. La tensione di Zener dipende anche dalla temperatu-

ra di lavoro. Per questo fra i dati caratteristici dei diodi Zener viene riportato
il coefficiente di temperatura, che esprime la variazione (o la variazione
percentuale) di VZ per ogni grado di variazione della temperatura. In partico-
lare risulta che, per tensioni di Zener inferiori a circa 5 V, il coefficiente termi-
co a = DVZ YDT è negativo; per VZ superiore a 6 V, il coefficiente è positivo.
Per valori intermedi, a può essere sia positivo sia negativo. Questo fenomeno
è dovuto a due differenti meccanismi fisici che determinano la conduzione
inversa.
Per VZ 1 5 V si ha un breakdown di tipo Zener propriamente detto. Il drogaggio
molto intenso comporta una giunzione molto stretta e quindi un campo elettri-
co assai forte, in grado di rompere numerosi legami covalenti e di determinare
una corrente considerevole anche con basse tensioni applicate; l’aumento del-
la temperatura facilita la rottura dei legami e di conseguenza VZ diminuisce al
crescere di T.
Per VZ 2 6 V, si ha un breakdown con effetto valanga. La tensione esterna appli-
cata accelera i portatori provocando collisioni con gli atomi circostanti e una
moltiplicazione a valanga di portatori liberi; l’aumento della temperatura fa di-
minuire la probabilità che le cariche libere acquistino energia a sufficienza per
innescare il processo a valanga e quindi VZ aumenta con T. Nonostante queste
differenze il termine Zener viene comunemente usato anche per indicare diodi
con VZ maggiore di 6 V.

Circuito stabilizzatore
In Fig. 16a è proposta una tipica struttura circuitale in cui lo Zener, polarizzato # notabene
inversamente, funziona come stabilizzatore della tensione Vo contro variazio-
ni della tensione Vi e del carico R L, ossia della corrente IL. Dovendo stabiliz- Per avere uno
zare l’uscita Vo a una certa tensione, si dovrà scegliere un diodo Zener con VZ stabilizzatore con
diodo Zener nel
pari a quella tensione. Occorrerà poi dimensionare la resistenza R in modo che
circuito occorre
il diodo sia portato a lavorare nel tratto quasi verticale della curva caratteristi-
inserire una
ca, dove ha luogo l’effetto stabilizzante.
resistenza limitatrice
Bisogna però osservare che lo stabilizzatore con diodo Zener presenta seri li-
che porti il diodo
miti quando la tensione di ingresso e la corrente IL assorbita dal carico sono Zener a lavorare nel
soggette a forti variazioni. tratto verticale della
caratteristica inversa
R I I R I dove la tensione è
costante al variare
I I I
della corrente.
r
V R V V R V
V

a b
Modello del
Fig. 16 diodo Zener.

255
E Componenti a semiconduttore

Dimensionamento di R. La resistenza limitatrice R deve essere dimensionata

tenendo conto delle possibili variazioni della corrente di carico IL (o di R L )
e della tensione di ingresso Vi, oltre che della tolleranza sul valore di VZ, in
modo che IZ non scenda al di sotto del valore IZK e non superi il valore massi-
mo IZ(max) imposto dalla massima dissipazione di potenza.
I valori di massima potenza dissipabile variano, a seconda dello Zener impie-
gato, fra qualche decimo e qualche decina di watt, a temperatura ambiente.
La resistenza R dovrà quindi assumere un valore compreso fra R max e R min cal-
colate ponendosi nelle condizioni più sfavorevoli. Se Vi può variare fra Vi(min) e
Vi(max), VZ fra VZ(min) e VZ(max), IL fra IL(min) e IL(max), si avrà:

Vi (min) - VZ (max) Vi (max) - VZ (min)

R max = R min = [12.7]
I Z (min) + I L (max) I Z (max) + I L (min)

Per la scelta del valore ottimale bisogna osservare che la variazione di Vo al

# notabene variare di Vi è tanto più limitata quanto più è elevato il valore di R. Il circuito
Il modello equivalente illustrato in Fig. 16a può infatti essere ridisegnato come in Fig. 16b. Lo Zener è
del diodo Zener sostituito dal suo modello equivalente formato da un generatore VZK (tensione
è formato da un di ginocchio) in serie alla resistenza dinamica rd. Si ricava quindi la tensione di
generatore V uscita come:
(tensione di ginocchio)
in serie alla resistenza
Vi - VZK Vi VZK
Vo = r + VZK da cui Vo = r - r + VZK [12.8]
dinamica r . R + rd d R + rd d R + rd d

Derivando, rispetto a Vi, l’equazione [12.8] e considerando incrementi finiti, si

ricava proprio la variazione di Vo al variare di Vi espressa dal fattore di stabiliz-
zazione DVo YDVi come:

DVo dVo rd
- = [12.9]
DVi dVi R + rd

Infine si può considerare che con un valore più elevato di R la zona di

lavoro si sposta nella parte più alta della caratteristica; con R più bassa, la
corrente che percorre lo Zener e quindi la potenza che esso deve dissipare
è maggiore.

esempio 7

Con riferimento al circuito di Fig. 16a, supponendo che Vi possa va-

riare fra 13 V e 15 V e IL fra 10 mA e 50 mA, dimensiona R e il diodo
Zener per ottenere in uscita una tensione stabile Vo - 10 V.

Soluzione Si sceglie un diodo Zener con V nominale pari a 10 V e tolle-

ranza 2%; si avrà V = 9,8 V e V = 10,2 V. La potenza deve essere
adeguata alle tensioni e correnti in gioco; con una potenza P = 1,5 W, si ha
I = 150 mA. Per I si può assumere il valore I = 1 mA indicato dai
fogli tecnici o, meglio, un valore leggermente superiore, per esempio dell’ordi-
ne del 5% della corrente massima. Scegliamo I = 7 mA. Sostituendo nelle
equazioni [12.7] si ottiene:
13 - 10,2
R max = = 49 X
7 # 10-3 + 50 # 10-3
15 - 9,8
R min = = 32,5 X
150 # 10-3 + 10 # 10-3
È meglio scegliere R = 47 X. Poiché la corrente I può raggiungere un valore mas-
simo pari a (15 - 9,8)Y47 = 110 mA, R dovrà essere in grado di dissipare con largo
margine almeno 600 mW.

256
 Diodi e applicazioni Unità 12

Un procedimento alternativo, che consente di determinare facilmente la potenza

richiesta per il diodo, è il seguente.
• Calcolare R con l’equazione [12.7] ottenendo 49 X.
• Scegliere il valore di resistenza normalizzato immediatamente inferiore, in
questo caso R = 47 X.
• Imponendo R = R, calcolare I con l’equazione [12.7]: in questo caso
si ottiene I = 100 mA.
• Calcolare la potenza minima richiesta per lo Zener (P = I V ), qui
pari a 1 W.
• Scegliere un diodo in grado di dissipare con buon margine il valore di poten-
za calcolato; in questo caso è adatto uno Zener da 1,3 W o meglio 1,5 W.

8. Altri tipi di diodi

Diodo Schottky. È costituito da una giunzione metallo-semiconduttore, per
esempio alluminio in giunzione con Si drogato di tipo n. Questo diodo, il cui
simbolo è illustrato in Fig. 17a, offre ottime prestazioni per quanto riguarda la
velocità di commutazione e trova pertanto largo impiego sia in forma discreta
sia nella realizzazione di circuiti integrati.
Il diodo Schottky presenta una caratteristica I-V analoga a quella dei diodi al sili-
cio, ma è caratterizzato da una tensione di soglia Vc minore, intorno a 0,35 V, e un
tempo di recupero inverso trr (nella commutazione ON-OFF) dell’ordine di 50 ps.

Diodo varicap. L’effetto capacitivo che si manifesta in prossimità di una giun-

zione, e in particolare la dipendenza di tale effetto dalla tensione di polarizza- # keywords
zione inversa, consentono di utilizzare i diodi come capacità variabili. Varicap-variable
Vengono realizzati diodi particolarmente adatti a questa funzione, che pren- capacitor /
dono il nome di varicap (o varactor: variable reactor). I valori capacitivi che si condensatore a
possono ottenere vanno da pochi pF a un centinaio di pF. In Fig. 17b è ripor- capacità variabile
tato il simbolo circuitale. LED – Light
I diodi varicap trovano applicazione in alta frequenza, per circuiti modulatori e Emitting Diode /
moltiplicatori di frequenza, amplificatori in radiofrequenza, miscelatori, oscillatori. diodo a emissione di
luce
Diodo emettitore di luce. Indicato comunemente come LED (light emitting
diode) e rappresentato dal simbolo circuitale di Fig. 17c, è un dispositivo a
giunzione realizzato con particolari materiali semiconduttori, che emette ra-
diazioni luminose quando è attraversato da corrente.
In un diodo polarizzato direttamente scorre una corrente diretta IF dovuta al
movimento contemporaneo di elettroni verso la zona p e di lacune verso la
zona n. In prossimità della giunzione è molto probabile la ricombinazione di
coppie elettrone-lacuna con conseguente decadimento dell’energia propria
dell’elettrone; ciò comporta l’emissione di energia, di tipo termico nei normali
diodi, di tipo luminoso nei LED. La lunghezza d’onda della luce generata, che
determina il colore del LED, dipende dal composto con cui esso è realizzato
(fosfuro di gallio, arseniuro di gallio ecc.) e dagli agenti droganti utilizzati; que-
sto dato viene fornito di solito dalle case costruttrici mediante diagrammi.

A K

a b

c d Fig. 17

257
E Componenti a semiconduttore

L’intensità dell’emissione aumenta all’aumentare della corrente IF e al dimi-

nuire della temperatura. Valori tipici della corrente diretta per una buona lumi-
nosità sono compresi fra 5 mA e 20 mA (con IF(max) = 50 mA) per tensioni diret-
te dell’ordine di 1,6 ' 2,2 V. La tensione inversa massima applicabile assume
valori piuttosto ridotti, dell’ordine di 3 ' 5 V (Fig. 18 e Tab. 2).
I LED vengono largamente impiegati come elementi visualizzatori e segnalatori
luminosi in virtù della loro lunga durata, del basso consumo di energia, della
velocità di commutazione e delle ridotte dimensioni. La possibilità di assembla-
re in un unico contenitore numerosi led, secondo configurazioni geometriche
Approfondi- opportune (display a 7-segmenti, a matrice ecc.), consente di realizzare visualiz-
menti sui LED zatori numerici e alfanumerici per strumentazione, pannelli indicatori, orologi.

arseniuro fosfuro arseniuro

di gallio di gallio
fosfuro di gallio
I [mA]
silicio
40

20 P carburo
di silicio

0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 V [V]

Fig. 18

Colore Tensione diretta [V]

Infrarosso 1,3
Rosso 1,8
Giallo 1,9
Arancione 2,0
Verde 2,0
Azzurro 3,0
Blu 3,5
Tab. 2 Ultravioletto 4,0 ' 4,5

esempio 8

Nel circuito in figura collega in serie due R 280 Ω

LED gialli, con Vc = 2,2 V e If = 20 mA e LED 1
VCC = 10 V. Dimensiona la resistenza R. +
V
10 V LED 2
Soluzione
VCC - 2Vc 10 - 2 # Vc
R= = = 280 X
If 0,02

Fotodiodo. È un diodo sensibile alle radiazioni luminose rappresentato dal

simbolo di Fig. 17d. L’energia luminosa incidente su un fotodiodo polarizzato
inversamente crea numerosi portatori liberi, che determinano una corrente in-
versa di valore sensibile. Tale corrente è proporzionale all’intensità dell’energia
luminosa e dipende dalla lunghezza d’onda della radiazione incidente.
I fotodiodi trovano applicazione nel campo dei controlli di luminosità, dei con-
trolli ottici di posizione, velocità, densità e nel campo delle telecomunicazioni,
come terminali di fibre ottiche.

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 Summary PERCORSO delle IDEE
1
Diodo: realizzato a partire da un cristallo
2b di materiale semiconduttore tetravalente,
V negativa: il diodo è interdetto drogato con elementi accettori trivalenti e
(OFF), la giunzione è polarizzata donatori pentavalenti. Il cristallo è formato
inversamente e la corrente inversa da due zone: di tipo p, dove i portatori
di saturazione I0 è ridottissima. Per maggioritari sono le lacune, e di tipo n, dove
un dato valore di tensione negativa, i portatori maggioritari sono gli elettroni. Fra
si verifica la rottura della giunzione. le due zone si crea una giunzione pn.

2c 2a
V positiva: il diodo è in conduzione Flusso di elettroni attraverso
(ON), la giunzione è polarizzata la giunzione pn: dipende dalla
direttamente e la corrente diretta tensione V applicata tra anodo
IF assume valori apprezzabili per (zona p) e catodo (zona n) del diodo.
V 2 Vc (tensione di soglia).

4
3 Raddrizzatori (negli alimentatori):
Modelli approssimati del diodo: il a semionda (un solo diodo), a doppia
diodo ON può essere visto come un semionda (due diodi), a ponte di
interruttore chiuso; come una batteria Graetz (quattro diodi). Il raddrizzatore
di valore VF - 0,7 V; oppure come una a diodi è seguito da un filtro che
batteria di valore Vc - 0,5 V in serie a livella la tensione pulsante limitando
una resistenza Rf di valore ridotto. l’ondulazione del segnale di uscita.

5b
Diodo come fissatore:
consente di fissare a una 5a
tensione di riferimento data Diodo come limitatore:
uno degli estremi di variazione usato per selezionare solo i
di un segnale. valori di una forma d’onda
5c che sono inferiori o superiori
a una tensione di riferimento
Diodo come rivelatore
data o compresi in un
di picco: usato nella
6 determinato intervallo.
modulazione AM per
estrarre il segnale Diodi Zener: caratterizzati da una
modulante a bassa tensione inversa di breakdown
frequenza, che contiene particolarmente stabile e definita,
l’informazione, dalla in corrispondenza della quale la
portante ad alta frequenza. caratteristica corrente-tensione
diventa quasi verticale. Una variazione
sostanziale della corrente determina
una variazione nulla o quasi della
tensione ai capi del diodo, viene usato
come stabilizzatore della tensione di
uscita contro variazioni della tensione
7b di ingresso e del carico applicato.
Fotodiodo: è un diodo 7a
sensibile alle radiazioni LED: è un dispositivo
luminose. L’energia luminosa a giunzione realizzato
incidente su un fotodiodo con particolari materiali
polarizzato inversamente semiconduttori, che emette
crea una corrente radiazioni luminose quando
proporzionale all’intensità è polarizzato direttamente.
dell’energia stessa.
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