CORSO DI LAUREA IN INGEGNERIA ELETTRONICA
PROVA SCRITTA DI ELETTRONICA I
09/02/2016
ORDINAMENTO: DM270 E DM509
ORDINAMENTO DELLO STUDENTE: □ DM270 □ DM509
Il sottoscritto ……………………………………….………………., consapevole che le dichiarazioni
mendaci sono punite ai sensi del codice penale e delle leggi speciali in materia,
DICHIARA, SOTTO LA PROPRIA RESPONSABILITA’, DI AVERE SUPERATO GLI ESAMI
DI ELETTROTECNICA E FISICA I.
FIRMA
…………………………………………
N.B. Per la brutta è possibile utilizzare il retro dei fogli
ELETTRONICA I - Prova scritta del 09/02/2016
Cognome ………….……….…………… Nome…………………………………… Matr…………………………
Si prega di utilizzare una scrittura chiara, ogni parola illeggibile sarà contata come
errore
La tensione di breakdown di una giunzione pn dipende:
A dai livelli di drogaggio
B dal tempo di vita dei portatori minoritari
C dal tempo di vita dei portatori maggioritari
D dal coefficiente di diffusione
l’electron-volt è un’unità di misura:
A della tensione
B dell’energia
C della potenza
D della carica elettrica
Una lampadina è alimentata da un generatore di tensione che fornisce la forma d’onda periodica
riportata in figura. Durante le fasi di on la lampadina assorbe 300 W. Determinare la potenza
media assorbita dalla lampadina in 10 secondi ed in un’ora. Inserire di seguito lo svolgimento. La
sola evidenziazione del risultato, senza svolgimento, non vale come risposta.
Aumentare il livello di drogaggio di un semiconduttore comporta:
A un aumento del tempo di vita dei portatori minoritari
B un aumento della lunghezza di diffusione dei portatori minoritari
C un aumento della conducibilità del semiconduttore
D un aumento della resistività del semiconduttore
La condizione di piccolo segnale del JFET è rispettata quando:
A il rapporto ID/IDSS è >>1
B il rapporto VDS/VGS è >>1
C il rapporto VP/vgs è >>1
D il rapporto IG/ID è >>1
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Cognome ………….……….…………… Nome…………………………………… Matr…………………………
Si prega di utilizzare una scrittura chiara, ogni parola illeggibile sarà contata come
errore
Determinare, con il metodo della retta di carico, la tensione V D ai capi del diodo, la caduta ai capi
della resistenza di carico R D e la corrente ID quando il diodo con le caratteristiche riportate nel
grafico è inserito nel circuito di figura ed i valori di V BB ed RD sono quelli di tabella.
V= +6
I= 6/60= 100 mA
V= -6
I= -6/3 109 = 2 nA
mA
nA
mA
mA
VBB RD
+6 60 Ω
-6 V 3 GΩ
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VBB VD ID VRD
+6 0,7 89 mA 5,3
-6 - 3,2 1 nA - 2,8
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VGS VDS ID VRD
-1
-3
-5
La famiglia delle caratteristiche d’uscita del JFET è descritta dal seguente grafico:
VGS=-1V
VGS=-2V
VGS=-3V
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Determinare l’espressione che descrive l’andamento del potenziale nella regione di svuotamento
di una giunzione PN all’equilibrio.
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Determinare la regione di funzionamento del JFET.
nella regione saturata la VDG deve essere ≥ Vp
VDS = VGS + VDG
VDG = VDS − VGS ≥ Vp
VGS 2 −V − RS I D 2
I D = I DSS (1 − ) = 1(1 − S ) 2 = (1 − )
VP −4 −4
8I D 2
I D = (1 − ) = (1 − 2 I D ) 2
4
2
I D − 5I D + 1 = 0
I D' = 0,25 I D'' = 1
10
I D MAX = = 0,62
16
I D' = 0,25
VGS = -R S * I D = −8 * 0,25 = −2 V
VD = +10 − 8 * 0,25 = 8V
VG = 0
VDG = 8 > 4 OK
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Per il circuito di figura calcolare tensioni e correnti sapendo che βF = 100. Suggerimento: ipotizzare
il funzionamento in regione attiva diretta.
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