Il 0% ha trovato utile questo documento (0 voti)
10 visualizzazioni13 pagine

Es 1

Il documento contiene una prova scritta di Elettronica I. La prova consiste in una serie di domande a scelta multipla e quesiti da risolvere su argomenti quali giunzioni PN, diodi, transistor JFET. Il documento fornisce anche istruzioni per lo svolgimento della prova.
Copyright
© © All Rights Reserved
Per noi i diritti sui contenuti sono una cosa seria. Se sospetti che questo contenuto sia tuo, rivendicalo qui.
Formati disponibili
Scarica in formato PDF, TXT o leggi online su Scribd
Il 0% ha trovato utile questo documento (0 voti)
10 visualizzazioni13 pagine

Es 1

Il documento contiene una prova scritta di Elettronica I. La prova consiste in una serie di domande a scelta multipla e quesiti da risolvere su argomenti quali giunzioni PN, diodi, transistor JFET. Il documento fornisce anche istruzioni per lo svolgimento della prova.
Copyright
© © All Rights Reserved
Per noi i diritti sui contenuti sono una cosa seria. Se sospetti che questo contenuto sia tuo, rivendicalo qui.
Formati disponibili
Scarica in formato PDF, TXT o leggi online su Scribd

CORSO DI LAUREA IN INGEGNERIA ELETTRONICA

PROVA SCRITTA DI ELETTRONICA I

09/02/2016

ORDINAMENTO: DM270 E DM509

ORDINAMENTO DELLO STUDENTE: □ DM270 □ DM509

Il sottoscritto ……………………………………….………………., consapevole che le dichiarazioni


mendaci sono punite ai sensi del codice penale e delle leggi speciali in materia,
DICHIARA, SOTTO LA PROPRIA RESPONSABILITA’, DI AVERE SUPERATO GLI ESAMI
DI ELETTROTECNICA E FISICA I.
FIRMA

…………………………………………

N.B. Per la brutta è possibile utilizzare il retro dei fogli


ELETTRONICA I - Prova scritta del 09/02/2016

Cognome ………….……….…………… Nome…………………………………… Matr…………………………

Si prega di utilizzare una scrittura chiara, ogni parola illeggibile sarà contata come
errore

La tensione di breakdown di una giunzione pn dipende:


A dai livelli di drogaggio
B dal tempo di vita dei portatori minoritari
C dal tempo di vita dei portatori maggioritari
D dal coefficiente di diffusione
l’electron-volt è un’unità di misura:
A della tensione
B dell’energia
C della potenza
D della carica elettrica
Una lampadina è alimentata da un generatore di tensione che fornisce la forma d’onda periodica
riportata in figura. Durante le fasi di on la lampadina assorbe 300 W. Determinare la potenza
media assorbita dalla lampadina in 10 secondi ed in un’ora. Inserire di seguito lo svolgimento. La
sola evidenziazione del risultato, senza svolgimento, non vale come risposta.

Aumentare il livello di drogaggio di un semiconduttore comporta:


A un aumento del tempo di vita dei portatori minoritari
B un aumento della lunghezza di diffusione dei portatori minoritari
C un aumento della conducibilità del semiconduttore
D un aumento della resistività del semiconduttore
La condizione di piccolo segnale del JFET è rispettata quando:
A il rapporto ID/IDSS è >>1
B il rapporto VDS/VGS è >>1
C il rapporto VP/vgs è >>1
D il rapporto IG/ID è >>1

Scrivere i dati personali all’inizio della prova. Non è consentita la consegna di fogli
aggiuntivi
2
ELETTRONICA I - Prova scritta del 09/02/2016

Cognome ………….……….…………… Nome…………………………………… Matr…………………………

Si prega di utilizzare una scrittura chiara, ogni parola illeggibile sarà contata come
errore

Determinare, con il metodo della retta di carico, la tensione V D ai capi del diodo, la caduta ai capi
della resistenza di carico R D e la corrente ID quando il diodo con le caratteristiche riportate nel
grafico è inserito nel circuito di figura ed i valori di V BB ed RD sono quelli di tabella.

V= +6
I= 6/60= 100 mA

V= -6
I= -6/3 109 = 2 nA
mA

nA

mA

mA
VBB RD
+6 60 Ω
-6 V 3 GΩ

Scrivere i dati personali all’inizio della prova. Non è consentita la consegna di fogli
aggiuntivi
3
ELETTRONICA I - Prova scritta del 09/02/2016

Cognome ………….……….…………… Nome…………………………………… Matr…………………………

Si prega di utilizzare una scrittura chiara, ogni parola illeggibile sarà contata come
errore

VBB VD ID VRD
+6 0,7 89 mA 5,3
-6 - 3,2 1 nA - 2,8

Scrivere i dati personali all’inizio della prova. Non è consentita la consegna di fogli
aggiuntivi
4
ELETTRONICA I - Prova scritta del 09/02/2016

Cognome ………….……….…………… Nome…………………………………… Matr…………………………

Si prega di utilizzare una scrittura chiara, ogni parola illeggibile sarà contata come
errore

VGS VDS ID VRD


-1
-3
-5

La famiglia delle caratteristiche d’uscita del JFET è descritta dal seguente grafico:

VGS=-1V

VGS=-2V

VGS=-3V

Scrivere i dati personali all’inizio della prova. Non è consentita la consegna di fogli
aggiuntivi
5
ELETTRONICA I - Prova scritta del 09/02/2016

Cognome ………….……….…………… Nome…………………………………… Matr…………………………

Si prega di utilizzare una scrittura chiara, ogni parola illeggibile sarà contata come
errore

Determinare l’espressione che descrive l’andamento del potenziale nella regione di svuotamento
di una giunzione PN all’equilibrio.

Scrivere i dati personali all’inizio della prova. Non è consentita la consegna di fogli
aggiuntivi
6
ELETTRONICA I - Prova scritta del 09/02/2016

Cognome ………….……….…………… Nome…………………………………… Matr…………………………

Si prega di utilizzare una scrittura chiara, ogni parola illeggibile sarà contata come
errore

Scrivere i dati personali all’inizio della prova. Non è consentita la consegna di fogli
aggiuntivi
7
ELETTRONICA I - Prova scritta del 09/02/2016

Cognome ………….……….…………… Nome…………………………………… Matr…………………………

Si prega di utilizzare una scrittura chiara, ogni parola illeggibile sarà contata come
errore

Scrivere i dati personali all’inizio della prova. Non è consentita la consegna di fogli
aggiuntivi
8
ELETTRONICA I - Prova scritta del 09/02/2016

Cognome ………….……….…………… Nome…………………………………… Matr…………………………

Si prega di utilizzare una scrittura chiara, ogni parola illeggibile sarà contata come
errore

Determinare la regione di funzionamento del JFET.

nella regione saturata la VDG deve essere ≥ Vp


VDS = VGS + VDG
VDG = VDS − VGS ≥ Vp

VGS 2 −V − RS I D 2
I D = I DSS (1 − ) = 1(1 − S ) 2 = (1 − )
VP −4 −4
8I D 2
I D = (1 − ) = (1 − 2 I D ) 2
4
2
I D − 5I D + 1 = 0
I D' = 0,25 I D'' = 1
10
I D MAX = = 0,62
16
I D' = 0,25
VGS = -R S * I D = −8 * 0,25 = −2 V

VD = +10 − 8 * 0,25 = 8V
VG = 0
VDG = 8 > 4 OK
Scrivere i dati personali all’inizio della prova. Non è consentita la consegna di fogli
aggiuntivi
9
ELETTRONICA I - Prova scritta del 09/02/2016

Cognome ………….……….…………… Nome…………………………………… Matr…………………………

Si prega di utilizzare una scrittura chiara, ogni parola illeggibile sarà contata come
errore

Per il circuito di figura calcolare tensioni e correnti sapendo che βF = 100. Suggerimento: ipotizzare
il funzionamento in regione attiva diretta.

Scrivere i dati personali all’inizio della prova. Non è consentita la consegna di fogli
aggiuntivi
10
ELETTRONICA I - Prova scritta del 09/02/2016

Cognome ………….……….…………… Nome…………………………………… Matr…………………………

Si prega di utilizzare una scrittura chiara, ogni parola illeggibile sarà contata come
errore

Scrivere i dati personali all’inizio della prova. Non è consentita la consegna di fogli
aggiuntivi
11
ELETTRONICA I - Prova scritta del 09/02/2016

Cognome ………….……….…………… Nome…………………………………… Matr…………………………

Si prega di utilizzare una scrittura chiara, ogni parola illeggibile sarà contata come
errore

Scrivere i dati personali all’inizio della prova. Non è consentita la consegna di fogli
aggiuntivi
12
ELETTRONICA I - Prova scritta del 09/02/2016

Cognome ………….……….…………… Nome…………………………………… Matr…………………………

Si prega di utilizzare una scrittura chiara, ogni parola illeggibile sarà contata come
errore

Scrivere i dati personali all’inizio della prova. Non è consentita la consegna di fogli
aggiuntivi
13

Potrebbero piacerti anche