Papers by محمد صالح بن لطرش
A new methodology of blood pressure measurement through the oscillometric method
Measurement Science and Technology
© The Author(s). This is an open-access article distributed under the terms of the Creative Commo... more © The Author(s). This is an open-access article distributed under the terms of the Creative Commons Attribution License (CC BY 4.0, https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/), which permits use, distribution, and reproduction in any medium, provided that the Article is properly cited. Abstract—This paper deals with the implementation of a DC and AC double-gate MOSFET compact model in the VerilogAMS language for the transient simulation and the configuration of ultra low-power analog circuits. The Verilog-AMS description of the proposed model is inserted in SMASH circuit simulator for the transient simulation and the configuration of the Colpitts oscillator, the common-source amplifier, and the inverter. The proposed model has the advantages of being simple and compact. It was validated using TCAD simulation results of the same transistor realized with Silvaco Software.
International Journal of Circuits, Systems and Signal Processing, 2021
In this paper, we propose an analytical drain-current model for long-channel junctionless (JL) cy... more In this paper, we propose an analytical drain-current model for long-channel junctionless (JL) cylindrical surrounding-gate MOSFET (SRG MOSFET). It is based on surface-potential solutions obtained from Poisson’s equation using some approximations and separate conditions. Furthermore, analytical compact expressions of the drain-current have been derived for deep depletion, partial depletion, and accumulation mode. The confrontation of the model with TCAD simulation results, performed with Silvaco Software, proves the validity and the accuracy of the developed model
Analyse des couches minces 75 3-2-5. Perte d'énergie et l'analyse en profondeur 76 3-2-6. Analyse... more Analyse des couches minces 75 3-2-5. Perte d'énergie et l'analyse en profondeur 76 3-2-6. Analyse des couches minces 77 4-.Référence 80 Chapitre IV : « La siliciurisation et processus de formation de siliciure » 1-Introduction 2-La formation de siliciure de Titane 2-1. processus de formation du siliciure de Titane 2-2. Température de formation 3-Cinétique de formation de siliciure de titane 3-1. Lesstructures Ti/Si 3-2. Les structures TiN/Ti/Si structure encapsulées 4-Comportement de l'Arsenic dans le siliciure de titane 4-1. Effet des doses de dopants sur la cinétique de siliciurisation 4-2. Les causes de cette redistribution 4-3. Mécanisme de la redistribution 4-Conclusion 5-Références Chapitre V « Mise en oeuvre du modèle EHF pour nos résultats expérimentaux » 1-Introduction 2-Modèles EHF en présence des impuretés 2-1. l'effet des impuretés 2-1-1. L'Influence des impuretés et des dopants sur la formation des siliciures 2-1-2. L'influence des dopants et des impuretés incorporés dans le substrat ou dans le film métallique sur la formation de siliciure de titane 2-2. principes du modèle EHF en présence des dopants et impuretés 3-Réaction des dopants avec Ti/Si 3-1. Séquence de cette réaction sur le modèle 3-2 La mise en équation du modèle EHF en présence des dopants 3-3. Les résultats 3-4. L'application du modèle de calcule de E.H.F pour nos résultats. 4-Conclusion 5-.Référence Chapitre VI « Caractérisation des régions source et drain dans les transistors MOS » 1-Introduction 2-L'effet du comportement des dopants sur le fonctionnement du MOS 2-1.Propriétés de l'interface Si-SiO2 2-2.Comportement électrique des défauts 3-Caractérisation fonctionnelles des dopants au niveau de source et drain 3-1.la technique de Pompage de charge 3-1-1.Définition 3-1-2. Développements de la technique 3-1-3 Etude des régions de source et de drain à partir du pompage de charges 3-2. technique de Tanner 'Equilibrium Voltage Step (EVS)' 3-2-1. Principe de la technique 3-2-2. Extraction de profil des piégés à l'interface Si-SiO2 en utilisant le EVS 4-Conclusion 5-Référence Conclusion générale.
Books by محمد صالح بن لطرش
Techniques de Caractérisation des Composants électroniques
Support de Cours avec travaux pratiq... more Techniques de Caractérisation des Composants électroniques
Support de Cours avec travaux pratique (Silvaco-TCAD).
Ce livre est le résultat d'un travail d'enseignement durant huit années de cours de Master en Infotronique à l'Université de Boumerdès, Algérie.
J'espère qu'il sera considéré comme une aide à la compréhension du module Techniques de caractérisation et les procédé de fabrication des composants électroniques et non comme une source de recherche (référence).
Et quiconque trouvera une erreur, qu'il me contacte afin de la corriger je lui en serai très reconnaissant.
J'espère que ce livre sera utile aux étudiants et aux chercheurs.
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Support de Cours avec travaux pratique (Silvaco-TCAD).
Ce livre est le résultat d'un travail d'enseignement durant huit années de cours de Master en Infotronique à l'Université de Boumerdès, Algérie.
J'espère qu'il sera considéré comme une aide à la compréhension du module Techniques de caractérisation et les procédé de fabrication des composants électroniques et non comme une source de recherche (référence).
Et quiconque trouvera une erreur, qu'il me contacte afin de la corriger je lui en serai très reconnaissant.
J'espère que ce livre sera utile aux étudiants et aux chercheurs.
Support de Cours avec travaux pratique (Silvaco-TCAD).
Ce livre est le résultat d'un travail d'enseignement durant huit années de cours de Master en Infotronique à l'Université de Boumerdès, Algérie.
J'espère qu'il sera considéré comme une aide à la compréhension du module Techniques de caractérisation et les procédé de fabrication des composants électroniques et non comme une source de recherche (référence).
Et quiconque trouvera une erreur, qu'il me contacte afin de la corriger je lui en serai très reconnaissant.
J'espère que ce livre sera utile aux étudiants et aux chercheurs.