Herbert Kroemer

Herbert Kroemer
Kroemer pada 2008
Lahir	(1928-08-25)25 Agustus 1928 Weimar, Thuringia, Jerman
Meninggal	8 Maret 2024(2024-03-08) (umur 95)
Almamater	Universitas Jena Universitas Göttingen
Dikenal karena	Transistor medan drift Heterostruktur ganda laser Transistor bipolar heterojungsi
Karier ilmiah
Bidang	Teknik Elektro, Fisika Terapan
Tempat kerja	Fernmeldetechnisches Zentralamt Laboratorium RCA Varian Associates University of Colorado University of California, Santa Barbara
Disertasi	Zur Theorie des Germaniumgleichrichters und des Transistors : Ausz. Mit 10 Fig. im Text (1953)
Pembimbing doktoral	Fritz Sauter

Herbert Kroemer (pelafalan dalam bahasa Jerman: [ˈhɛʁbɛʁt ˈkʁøːmɐ] ^ⓘ; 25 Agustus 1928 – 8 Maret 2024) adalah seorang fisikawan Jerman-Amerika yang, bersama dengan Zhores Alferov, menerima Hadiah Nobel Fisika pada tahun 2000 untuk "mengembangkan heterostruktur semikonduktor yang digunakan dalam elektronik berkecepatan tinggi dan opto-elektronik". Kroemer adalah profesor emeritus teknik elektro dan komputer di Universitas California, Santa Barbara, setelah menerima gelar Ph.D. dalam fisika teoretis pada tahun 1952 dari Universitas Göttingen, Jerman, dengan disertasi tentang efek elektron panas pada transistor yang baru. Penelitiannya terhadap transistor merupakan batu loncatan menuju perkembangan teknologi ponsel selanjutnya.

Pranala luar

• Kutipan tentang Herbert Kroemer di Wikikutip
• Not Just Blue Sky
• Herbert Kroemer pada situs Nobelprize.org including the Nobel Lecture 8 December 2000 Quasi-Electric Fields and Band Offsets: Teaching Electrons New Tricks
• Personal Homepage UCSB Diarsipkan 2014-02-02 di Wayback Machine.
• Freeview video Interview with Herbert Kroemer by the Vega Science Trust
• U.S. Patent 5067828 Transferred electron effective mass modulator (Herbert Kroemer)
• U.S. Patent 5013683 Method for growing tilted superlattices (Herbert Kroemer)
• Herb’s Bipolar Transistors IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 48, NO. 11, NOVEMBER 2001 PDF
• Influence of Mobility and Lifetime Variations on Drift-Field Effects in Silicon-Junction Devices PDF
• Heterostructure Bipolar Transistors and Integrated Circuits PDF