Chapitre VII

Jonction Abrupte
ou
Jonction idéale
 La jonction pn
C’est la jonction la plus simple et la
plus importante.
La jonction p-n est le premier
composant à semiconducteur découvert
« par hasard » (Russel Ohl, 1940)
…un pas crucial vers le transistor
Russel Ohl fabriqua en
1939 du silicium pur à
99,8% et le hasard
Type d’applications: permit qu'une
Diodes, redresseurs, LED, Laser craquelure dans le
matériau induise une
contrainte avec
apparition d'une zone
très
Constituants: riche en électrons et une
- Transistors bipolaires, pnp ou zone très riche en trous.
La première diode à
npn jonction PN était née.
-Transistors EFFET, FET ou MOSFET
- les mémoires
- Si la jonction est réalisée dans un
même semiconducteur. On l’appelle
Homojonction

-Si la jonction est réalisée dans différents

matériaux, c.a.d. la région n et la région
p sont constitués de semiconducteurs
différents: On l’appelle Heterojonction

Le dopage de la jonction est réalisé par

diffusion ou Implantation ionique
 Diagramme de bandes
d’énergie
Niveau du vide
E0

Affinité électronique
q
énergie

EC
Travail de sortie
qp
Ei
EFp
qSi = qGaAs = 4.05 eV
EV
type-p
 Jonction abrupt

p- n-
type type
N
(Charge
A N
(Charge
D
neutre) neutre)

Qu’arrive-t-il lorsqu’on fusionne un

monocristal de silicium de type P avec
un autre de type N ?
 Avant connexion
q p q  E g  E Fpo  EV  q n q  E g  EC  E Fno 
E0 E0

qp q qn q
énergie

EC EC
Eg EFno
Ei Ei
EFpo
EV EV
p-type n-type
 jonction abrupt
connexion

p-type n-type
NA ND

Une grande quantité de trous se retrouve à coté d’une

grande quantité d’électrons, il y a diffusion des porteurs
majoritaires:
- électrons de n vers p et
- trous de p vers n
Les porteurs diffusés se recombinent
 connexion

E0 E0

qp q qn q
energie

EC EC
EFno
Ei Ei
EFp0
EV EV
type-p Type-n
 Il y a diffusion des porteurs
majoritaires
dn
Fdn Dn Flux de diffusion des électrons
dx
dp
Fdp D p Flux de diffusion des trous
dx
Fdp
Fdn

Une fois la jonction traversée les porteurs

diffusés se recombinent.
Cette interdiffusion crée une zone de charge
d’espace
Dans la zone de charge d’espace
apparaît un champ électrique E
Le champs E entraînés un flux inverse Fi des
porteurs minoritaires
 
Fin  μn nE Fip  μ p pE

Fdp E Fip

O- O
+
type-p O- O
+ type-n
O- O
+
Fin Fdn
A l’équilibre thermodynamique , E est telle que le flux
de porteurs majoritaires (Diffusion) Fd est égale au flux
inverse Fi des porteurs minoritaires entraînés par E.

Fin Fdn Fip Fdp

Coté n Coté p

La diffusion s’arrête donc lorsque E, devient assez fort

pour repousser toute particule libre hors de la zone
désertée
Zone de charge d’espace= Zone désertée :
c’est la région de la jonction où il n’y a plus de
porteurs libres.
 Nécessité d’un équilibre
thermodynamique

dE F
Pour l’équilibre 0
thermodynamique
dx
conséquence:
Les niveaux de Fermi des
semiconducteurs type-n et -p doivent
être égaux
EFn= EFp = EF
 Après connexion
E0 Barrière de potentiel
qVbi (potentiel de diffusion)
Built-in potential
qp q E0

EC qn q
énergie

Ei EC
EFp EFn
EV Ei

qVbi q p  q n E Fno  E Fpo

EV
 Champ électrique induit
dans la région de
Contact- déplétion
Ex Contact-
P N
type-p O- O
+ type-n
O- O
+
région neutre O- O
+ région neutre
Ions
accepteurs région de Ions
déplétion Donneurs
W
x
-xpc -xp 0 xn xnc
 région de déplétion
qN D
densité de
charge

 qN A
EC

Ei EC
énergie

EF EF
EV Ei

EV
 région de déplétion
jonction métallurgique

qN D
Densité de
charge

 qN A

région neutre région neutre

région de déplétion
 région de déplétion
qN D
Densité de
charge

 qN A
champs
potentiel

Vbi
x=-xp x=xn
x=0
 Condition d’équilibre
thermodynamique
A l’équilibre courant de dérive due au champ électriqu
doit exactement annuler le courant de diffusion due au
Gradient de concentration

 dn
J n qμn nE  qDn 0
dx
 dp
J p qμ p pE  qD p 0
dx
 Equation de Poisson
Le champs électrique au point (x,y,z) est relié
à la densité de charge :
=q(ND-NA-p-n)
par l’équation de Poisson:

    E
 E  , ou ,  E  
   x x
 est la permitivité   o r ,
avec  o 8.85 E  14, Fd/cm, et
 r 11.7 pour le silicium
Equation de Poisson à 1D :
2
d ψ ( x) dE ( x ) ρs ( x )
2
  
dx dx ε
q
  N D ( x)  N A ( x)  p ( x)  n( x)
ε
ψ - Potentiel électrostatique
ρ - Densité de charge d’espace
εs- Permittivité du semiconducteur
Equation de Poisson pour une
jonction abrupt
2
d ψ ( x) dE( x) qN A
2
  pour  x p x  0
dx dx ε
2
d ψ ( x) dE( x) qN D
2
  pour 0  x  xn
dx dx ε
2
d ψ ( x) dE ( x ) x   x p et x  xn
2
 0 pour
dx dx
Potentiel de la jonction

 xp qN D

xn x
 qN A
E
x dE( x)
0
dx

Vbi
x
Distribution du champ
 électrique
 xp qN D dE( x)  qN A

xn x dx 
 qN A qN A
E E( x)  x  E1
x 
qN A
E1  xp
 
qN A
Vbi E( x)  x  x 
p

x
Distribution du champ
 électrique
qN D dE( x) qN D

x dx 
 qN A qN D
 xp E xn E( x )  x  E2
x 
qN D
E 2  xn
 
qN D
Vbi E( x )  x  xn 

x
Champ électrique maximum
 xp xn
x

qN A qN D
E max E(0)  x p  xn
 

consequence: N A x p N D x p
Distribution du potentiel
 1 1 1
E    EC  EV  Ei
q q q
Ei  q

d ( s )
E( x) 
dx

 ( s )  E( x)dx
Distribution du potentiel
 qN A
 xp qN D  ( x )  x  x dx
p

x
xn qN A  x 2

 qN A    x p x   1
E   2 
x
avec  ( x p ) 0
2
qN A x p
 1 
 2
Vbi qN A
x  ( x)  x p  x 2
2
 Distribution du potentiel

qN D
qN D  ( x )  xn  x dx

x qN D  x2 
  xn x    2
 qN A   2
 xp E xn
x avec  ( xn ) Vbi
2
qN D xn
 2 Vbi 
  2
qN D
Vbi  ( x) Vbi  xn  x 2
2
x
 Barrière de potentiel
Pour x 0 Les deux expressions

qN D qN A
 ( x) Vbi  xn  x 2  ( x)  x p  x 2
2 2
Doivent donné la même
valeur: qN D 2 qN A 2
 (0) Vbi  xn  xp
2 2

Vbi 
q
2
 2
N D xn  N A x p
2

 Largeur de déplétion
W  xn  x p
Vbi 
q
2
 2
N D xn  N A x p
2
 N A x p  N D xn
q   N x 
2
 q  N
2

Vbi 
2
 N D xn  N A  D n
   xn 2
 ND  D 
2 
2  N A 
  N A  

q   N Axp 2  q  N
2

Vbi   N D 
2
  N A xn   x p 2
 A
 N 
2  N D 
A
2   N D   

2 NA 2 ND
xn  V
2 bi xp  V
q ND N A  ND q ND N A  N A 2 bi
 Largeur de déplétion
2 NA 2 ND
xn  V
2 bi xp  V
q ND N A  ND q ND N A  N A 2 bi

2 NA 2 ND
W  xn  x p 
2 2
 V 
2 bi
V
2 bi
q ND N A  ND q N AND  N A
2 NA 2 ND
2  V
2 bi
 V 
2 bi
q ND N A  ND q N AND  N A
2  N A  N D 
2 2
2 N A  2ND N A  ND
Vbi  Vbi
q N A  N D  N D N A q ND N A

2  N A  N D 
W Vbi
q ND N A
Jonction abrupt
2  N A  N D 
W Vbi
q ND N A

si x p  xn

2εVbi
W  xn 
qN D
- La partie la moins dopée
s’appelle base
- La partie la plus dopée
s’appelle émetteur
Potentiel vs. concentration des porteur

 2  ( xn ) E F  Ei
q 2  ( x) 
n2 ni exp( ) q
kT
q 2
p2 ni exp( ) 
kT
Vbi
 1  ( x p ) x
q 1 kT  n2  kT  p1 
Vbi  2   1  ln   ln 
n1 ni exp( ) q  ni  q  ni 
kT
q 1 kT  N D N A 
p1 ni exp( ) Vbi  ln 
kT q  ni 
2
 Barrière de potentiel
(Potentiel de diffusion):

kT  N D N A 
Vbi ψ n  ψ p  ln 2


q  ni 
 Jonction polarisée

Région de N-Type
P-Type Déplétion

pn np=0
np=0 np
Potentiel
nul
Excès d’électrons np pn
Excès de trous
Polarisation
directe

np pn

Polarisation
inverse
 Jonction non
polarisée
Voltage = 0 p W n

Drift Diffusion

Diffusion Drift
 Jonction en polarisation
directe
 La tension abaisse la barrière de potentiel.
 Le courant inverse lié à l’action du champ électrique sur les
minoritaires existe toujours, créant un courant dans le
circuit extérieur, car la tension est fixée aux bornes de la
jonction.
 Les électrons et trous en provenance des dopages
(majoritaires) traversent la barrière par diffusion et se
+
recombinent, créant un courant beaucoup plus important. Forward Bias -
Drift IF
Diffusion p W n

Zone déplétée
réduite

Diffusion

Drift
Jonction en polarisation
inverse
Drift
- Reverse Bias +
IR
p W n

Diffusion Zone déplétée élargie

 La tension élève
la barrière de
potentiel

 Seuls les porteurs

minoritaires
Diffusion (d’origine
thermique)
traversent la
barrière
Drift
 Faible courant
 Largeur de la zone de
déplétion
2  N A  N D  N AND
W (Vbi  V ) ; Posons N B 
q ND N A ND  N A

2ε Vbi  V 
W
qN B
NB – concentration volumique Légèrement dopé

V- positive pour polarisation directe,

négative pour polarisation inverse
 Distribution des impuretés

Distribution du champs électrique

Distribution du Potentiel

Diagramme de bandes d’énergie

d ψ  dE   S  q
2

2
   ax
dx dx ε ε

W W Où:
 x  a - le gradient d’impureté (in cm-4),
2 2 W – largeur de la couche de déplétion

1/ 3 3
 12εVbi  qaW
W   Vbi 
 qa  12ε
 Capacité de déplétion

définition:

C j dQ/dV
Où dQ est la variation charge dans la couche de déplétion
par unité de surface pour un variation du potentiel appliqué dV.
 Example 1
An abrupt Si p-n junction has Na = 1017 cm-3 on the p side and Nd = 1016
cm-3 on the n side. At 300K, (a) calculate the Fermi levels with respect to
Ei on each side, draw an equilibrium band diagram and find V0 from the
diagram; (b) compare the result from (a) with V0. Assume that for Si ni =
1.5x1010 cm-3.
Solution:
(a) Ecp
pp 1017
E ip  E F kT ln 0.0259 ln 0.407eV 0.754 eV
ni (1.5 1010 ) Eip Ecn
0.407 eV
EF EF
Evp 0.347 eV
nn 1016 Ein
E F  Ein kT ln 0.0259 ln 0.347eV
ni (1.5 1010 )
Evn

qV 00.407  0.347 0.754eV

(b)

Na Nd 1033
qV0 kT ln  0 .0259 ln 0.754eV
ni2 2.25 10 20
 Example 2
Boron is implanted into an n-type Si sample (Nd = 1016 cm-3), forming an abrupt junction of square
section, with area = 2x10-3 cm2. Assume that the acceptor concentration in the p-type region is Na
= 4x1018 cm-3. Calculate V0, xn0, xp0, Q+, and E 0 for this junction at equilibrium (300K). Sketch E (x)
and charge density to scale.

Solution:
kT N N 4 10 34
V0  ln a 2 d 0.0259 ln 0.85V
q ni 2.25 10 20
1/ 2
 2V0  1 1 
W     
 q N
 a N d 
1/ 2
 2(11.8 8.85 10  14 ) 0.85 
  19
(0.25 10  18  10  16 ) 3.34 10  5 cm 0.334 m
 1.6 10 
W 0.334 m
xn0   0.333m
1  N d / N a 1  0.0025
W 0.334 m o
x p0   8.3 10  4 m 8.3 A .
1 Na / Nd 1  400
Q  Q qAx n 0 N d 1.07 10  10 C
 qN d x n 0  (1.6 10  19 )(1016 )(3.3 10  5 )
E0    14
 5.1 10 4 V / cm
 (11.8)(8.85 10 )
 Example 3
Find an expression for the electron current in the n-type material of a forward-biased
p-n junction.

Solution:
The total current is
 Dp D 
I qA pn  n n p [exp( qV / kT )  1]
L Ln 
 p
The hole current on the n side is
Dp
I p ( xn ) qA pn exp( xn / L p )[exp( qV / kT )  1]
Lp

Then the electron current in the n material

 Dp Dn 
I n ( x) I  I p ( xn ) qA [1  exp( xn / L p )] pn  n p  [exp( qV / kT )  1]
L
 p Ln 

This expression includes the supply of electrons for recombination with the injected holes, and
the injection of electrons across the junction into the p side.
 Example 4
Consider a Si p-n diode at T = 300 K.
Design the diode such that Jn = (a)
20A/cm-2, and Jp = 5A/cm-2 at Va =
0.65 V. The semiconductor
parameters given are:
Na = Nd = 1016 cm-3, ni = 1.5x1010 cm-3,
Dn = 25 cm2/s,
Dp = 10 cm2/s, r = 11.7,
p0 = n0 = 5x10-7 s

(a) Calculate the p and n type doping of

the p-n diode
(b) What can you do to change the Jn
and Jp ?

(b) The ratio of hole and electron currents can be

changed by changing the doping in the two sides
 Example 5
Drift current in the quasi-
Calculate the electricneutral
field required to produceregion
the majority carrier drift current on the n-
side corresponding to the total diffusion current. The forward bias voltage is V = 0.65 V.
a
J0 = 4.15x10-11 A/cm-2. Nd = 1016 cm-3. n = 1350 cm2/Vs

Solution:

 11   0.65   2
J 4.15 10  exp   1 3.29 Acm
  0.0259  
The total current far from the junction in totally majority carrier drift
current and given as

J  J n q n N d E
3.29
 E  J n / q n N d    19 16
1.52V / cm
1.6 10 1350 10
Note: If you know the length of the n-type region, you can calculate the
total voltage drop across the n-type region.