PRESENTATION:TRANSISTO
R
Partie (TOUAHRIA Ibrahim)
Chapitre 3: STRUCTURE DU
TRANSISTOR
Structure du BJT:
Un transistor bipolaire à jonction (BJT) est un dispositif semi-
conducteur à trois couches formé de deux jonctions PN
(transistor NPN) ou NP (transistor PNP). Il se compose de trois
régions :
Émetteur (E) : Fortement dopé, il injecte des porteurs de
charge (électrons pour un NPN, trous pour un PNP).
Base (B) : Faiblement dopée et mince, elle contrôle le flux
de porteurs entre l'émetteur et le collecteur.
Collecteur (C) : Moins dopé que l’émetteur, il collecte les
porteurs de charge injectés.
Le BJT fonctionne en mode actif lorsque l’émetteur-base est
polarisé en direct et la base-collecteur en inverse, permettant
Chapitre 3: STRUCTURE DU
TRANSISTOR
Structure du MOFSET:
Le MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor) est un transistor commandé par une tension
appliquée à sa grille.
Substrat (B) : Semi-conducteur (Silicium)
Source (S) : Fournit les porteurs de charge
Drain (D) : Collecte les porteurs
Grille (G) : Contrôle la conduction
Oxyde de grille : Isolant (SiO₂) entre grille et substrat
Il existe deux types du MOSFET:
Mode enrichissement : Canal formé sous l'effet de la tension
Mode appauvrissement : Canal existant, contrôlé par la
tension
Chapitre 4: PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT
Principe de fonctionnement du BJT:
1 Mode actif (amplification)
L’émetteur-base est polarisé en direct, base-collecteur en
inverse.
Un petit courant de base contrôle un grand courant collecteur.
2 Mode de saturation (interrupteur fermé)
Les deux jonctions sont polarisées en direct.
Le transistor laisse passer un fort courant.
3 Mode de coupure (interrupteur ouvert)
Les deux jonctions sont polarisées en inverse.
Aucun courant ne circule.
Le BJT amplifie le courant ou fonctionne comme un
interrupteur.
Chapitre 4: PRINCIPE DE
FONCTIONNEMENT
Principe de fonctionnement du MOSFET:
Le MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
est un transistor à effet de champ commandé par une tension
appliquée à la grille.
1 Région de coupure :
Tension grille inférieure au seuil → Pas de conduction.
2 Région linéaire (Ohmique) :
Tension grille suffisante → Canal formé entre source et drain.
Courant proportionnel à la tension drain-source.
3 Région de saturation :
Canal complètement formé → Courant drain stable.
Utilisé pour l’amplification.
Le MOSFET est utilisé pour la commutation et
l’amplification avec un contrôle par tension
Chapitre 5: CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES
Caractéristiques électriques du BJT
1. Gain en courant (β ou h_FE) : 4. Impédance d’entrée et de sortie :
1. β= (rapport du courant collecteur au courant base). 1. Faible impédance d’entrée (quelques kΩ, dépend de β).
2. Généralement entre 20 et 1000.
2. Impédance de sortie moyenne.
2. Tensions de seuil :
5. Régions de fonctionnement :
Coupure : 𝐼𝐶≈0
1. (polarisation directe) ≈ 0.7V pour un BJT en silicium.
3.
Actif : 𝐼𝐶=𝛽𝐼𝐵.
2. (saturation) ≈ 0.2V - 0.3V.
4.
Saturation : 𝑉𝐶𝐸 faible, 𝐼𝐶 limité
3. Courants :
5.
1. (collecteur), (base), (émetteur).
2. =+
Chapitre 5: CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES
Caractéristiques électriques du MOSFET
1. Tension de seuil () :
1. Minimum de pour former un canal conducteur.
2. Typiquement 1V - 5V selon le type de MOSFET.
2. Courants :
1. Courant de drain () contrôlé par S.
2. Pas de courant de grille idéalement (très haute impédance d’entrée).
3. Impédance d’entrée et de sortie :
1. Très haute impédance d’entrée (> MΩ).
2. Faible impédance de sortie en saturation.
4. Modes de fonctionnement :
1. Coupure : < , pas de conduction.
2. Région linéaire : faible, proportionnel à .
3. Région de saturation : contrôlé par , utilisé en amplification.
5. Résistance à l’état passant () :
