LOW TEMPERATURE PLASMA
TREATMENT OF TiO2
SUPERVISORS: JAN NEUMAN AND ZDENEK
NOVACEK
TUTOR: EVA KOVACEVIC
LE TROQUER CÉLIA 1
R&D Centre for Low-Cost Plasma and Nanotechnology Surface Modifications
Context
Flexible electronic manufacture
Fabrication of organic solar cells (plastic solar cells)
2
3
I. Objectifs
II. Principe théorique
III. Dispositif expérimental
IV. Résultats
V. Problèmes rencontrés
VI. Améliorations et d'innovations
4
Objectifs Principe théorique Dispositif expérimental Résultats Problèmes rencontrés Améliorations/Innovations
Composants microélectronique
silicium
MEMS gyroscope – silicon sensing
Gravure profonde silicium
++ Réalisation de blocs MEMS
5
Objectifs Principe théorique Dispositif expérimental Résultats Problèmes rencontrés Améliorations/Innovations
Composants microélectronique Réacteur RIE
silicium (reactive ion etching)
MEMS gyroscope – silicon sensing
v
Gravure profonde silicium
++ Réalisation de blocs MEMS
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Objectifs Principe théorique Dispositif expérimental Résultats Problèmes rencontrés Améliorations/Innovations
Composants microélectronique Réacteur RIE
silicium (reactive ion etching) Différents échantillons
MEMS gyroscope – silicon sensing
v v
Gravure profonde silicium
++ Réalisation de blocs MEMS
Anisotrope Isotrope
o Vitesse de gravure
o Rapport d’aspect
o Anisotropie
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Objectifs Principe théorique Dispositif expérimental Résultats Problèmes rencontrés Améliorations/Innovations
Mécanismes de gravure
Réacteur RIE (GIR)
- Décharge capacitive RF 13,56 MHz -
8
Objectifs Principe théorique Dispositif expérimental Résultats Problèmes rencontrés Améliorations/Innovations
Mécanismes de gravure
• Dissociation gaz dans le plasma
Réacteur RIE (GIR)
- Décharge capacitive RF 13,56 MHz -
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Objectifs Principe théorique Dispositif expérimental Résultats Problèmes rencontrés Améliorations/Innovations
Mécanismes de gravure
• Dissociation gaz dans le plasma
• Réacteur RIE (GIR)
Réaction radicaux F en surface avec Si
- Décharge capacitive RF 13,56 MHz -
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Objectifs Principe théorique Dispositif expérimental Résultats Problèmes rencontrés Améliorations/Innovations
11
Objectifs Principe théorique Dispositif expérimental Résultats Problèmes rencontrés Améliorations/Innovations
Réflectométrie
12
Objectifs Principe théorique Dispositif expérimental Résultats Problèmes rencontrés Améliorations/Innovations
Plasma SF6
Echantillon Si : masquage tranchées 2,4,6,8 et 10
µm en SiO2 (1µm)
Influence puissance RF
D = 20 sccm, P = 30 mtorr
T = 3 min
N° Ech PRF
Ech 1 50 W
Ech 2 100 W
Ech 3 150 W
Ech 4 200 W
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Objectifs Principe théorique Dispositif expérimental Résultats Problèmes rencontrés Améliorations/Innovations
Plasma SF6 Observation MEB avant/après gravure
Echantillon Si : masquage tranchées 2,4,6,8 et 10
µm en SiO2 (1µm)
Influence puissance RF
Echantillon N°1
D = 20 sccm, P = 30 mtorr
T = 3 min
N° Ech PRF
Ech 1 50 W
Ech 2 100 W
Ech 3 150 W
Ech 4 200 W
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Objectifs Principe théorique Dispositif expérimental Résultats Problèmes rencontrés Améliorations/Innovations
Plasma SF6 Observation MEB avant/après gravure
Rinçage + bain ultrasons
(2min acetone + 2min isopropanol + eau)
Echantillon Si : masquage tranchées 2,4,6,8 et 10
µm en SiO2 (1µm)
Influence puissance RF
o Elargissements importants
o Undercuts (2µm)
Echantillon N°1
o Gravure du masque :
D = 20 sccm , P = 30 mtorr
T = 3 min
Résultats sur tranchées de 10 µm 600
Vitesse gravure = f(PRF) 500
Gravure masque (µm)
N° Ech PRF
Vitesse gravure (µm/min) 2 400
Ech 1 50 W
1.8 300
Ech 2 100 W
1.6 200
Ech 3 150 W
1.4 100
Ech 4 200 W
1.2 0
40 60 80 100 120 140 160 180 200 220
1 PRF (W)
1 51 101 151 201 251
PRF (W) 15
Objectifs Principe théorique Dispositif expérimental Résultats Problèmes rencontrés Améliorations/Innovations
Plasma SF6 /O2
Echantillon Si : masquage tranchées 2,4,6,8 et 10
µm en SiO2 (1µm)
Influence temps de gravure
D(SF6) = 10 sccm
D(O2) = 10 sccm
PRF = 50 W , P = 30 mtorr
N° Ech T (min)
Ech 1 5
Ech 2 10
Ech 3 20
16
Objectifs Principe théorique Dispositif expérimental Résultats Problèmes rencontrés Améliorations/Innovations
Plasma SF6 /O2 Observation MEB et profilomètre
Echantillon Si : masquage tranchées 2,4,6,8 et 10
µm en SiO2 (1µm)
Influence temps de gravure
Echantillon N°3
D(SF6) = 10 sccm
D(O2) = 10 sccm Vitesse gravure = f(T)
PRF = 50 W , P = 30 mtorr 0.205
0.2
N° Ech T (min)
0.195
Ech 1 5 0.19
V (µm/min)
Ech 2 10 0.185
0.18
Ech 3 20
0.175
0.17
0.165
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
T (min)
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Objectifs Principe théorique Dispositif expérimental Résultats Problèmes rencontrés Améliorations/Innovations
Plasma SF6 /O2 Observation MEB et profilomètre
Rinçage + bain ultrasons
(2min acetone + 2min isopropanol + eau)
Echantillon Si : masquage tranchées 2,4,6,8 et 10
µm en SiO2 (1µm)
Influence temps de gravure
o Rapport aspect
o Anisotropie ( ou semi)
o Undercuts 0 et 0,08 µm pour 1&2
Echantillon N°3
o Gravure du masque :
D(SF6) = 10 sccm
D(O2) = 10 sccm Vitesse gravure = f(T)
0.8
PRF = 50 W , P = 30 mtorr 0.205 0.7
Gravure masque (µm)
0.2 0.6
N° Ech T (min) 0.5
0.195
Ech 1 5 0.19 0.4
V (µm/min)
0.3
Ech 2 10 0.185
0.2
0.18
Ech 3 20 0.1
0.175 0
0.17 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
0.165 T (min)
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
T (min)
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Objectifs Principe théorique Dispositif expérimental Résultats Problèmes rencontrés Améliorations/Innovations
Sélectivité Plasma SF6 Sélectivité Plasma SF6 /O2
Sélectivité Si/Sio2
Sélectivité Si/SiO2
6
19
17
5.5
15
Sélectivité
Sélectivité
13 5 Sélectivité Si/Sio2
Sélectivité Si/SiO2
11
9 4.5
7
5 4
40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
Prf (W) Prf (W)
Réduction de la sélectivité en fonction Sélectivité globalement stable car
de la puissance RF puissance RF constante
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Objectifs Principe théorique Dispositif expérimental Résultats Problèmes rencontrés Améliorations/Innovations
o Mesures réflectométrie
• Positionnement échantillon /t laser
• Oscilloscope
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Objectifs Principe théorique Dispositif expérimental Résultats Problèmes rencontrés Améliorations/Innovations
o Mesures réflectométrie
• Positionnement échantillon /t laser o Temps pompage
• Oscilloscope
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Objectifs Principe théorique Dispositif expérimental Résultats Problèmes rencontrés Améliorations/Innovations
o Mesures réflectométrie
• Positionnement échantillon /t laser o Temps pompage
• Oscilloscope
o Mesures profilométriques impossibles
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Objectifs Principe théorique Dispositif expérimental Résultats Problèmes rencontrés Améliorations/Innovations
Améliorations possibles à apporter
o Délimiter emplacement échantillon pour laser
o Changer oscilloscope
o Turbopompe pour vide secondaire
o Gravures plus longues sur des tranchées plus minces pour évaluer le rapport d’aspect
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Merci de votre attention
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