Homo-jonction à semi-conducteur
1
Homojonction PN
Composant à réponse non linéaire
Dispositifs redresseur ou « rectifier
devices »
2 types pour arriver au « même » résultat:
Jonction PN (notre propos)
Jonction à contact Schottky (chapitre suivant)
2
Mécanisme de formation de la jonction PN
•Processus de mise à l’équilibre
1° phase : processus de diffusion
2° phase : Apparition d’un E interne:
équilibre la diffusion
Recombinaison de
paires e-h
Niveau de Fermi aligné:
équilibre thermodynamique
E int
3
•Tension de diffusion VD ou
« built in potential VB i »
• Définition : différence de potentiel entre la région N et la région P
VD Vbi V N VP
dp( x)
Equation du courant de trous: J P ( x) e P p ( x) E ( x) D p 0
dx
p 1 dp( x) e dV ( x) 1 dp( x)
Soit encore E ( x) ou
Dp p( x) dx kT dx p( x) dx
kT pp
En intégrant de la région P à la région N: VD ln( )
e pn
kT N N
Soit finalement: VD ln ( A 2 D )
e ni
4
•Champ, potentiel et largeur de zone d’espace (1)
Equation de Poisson:
d 2V ( x) ( x)
2
dx sc
Dans la région N et P:
d 2V ( x) e
2
ND 0 x WN
dx sc
d 2V ( x) e
2
NA WP x 0
dx sc
-WP -WN
5
•Champ, potentiel et largeur de zone d’espace (2)
Champ électrique E(x)
eN D eN A
En ( x ) ( x W N) EP ( x) ( x W P)
sc sc
Continuité du champ en x=0:
N DW N N AWP
eN DW N eN AW P
EM
sc sc
-WP -WN
6
•Champ, potentiel et largeur de zone d’espace (3)
Potentiel électrique E(x)
eN
Vn ( x) D ( x W N) 2 Vn
sc
eN A
V p ( x) ( x W P) 2 V p
sc
Zone de charge d’espace (ZCE)
2
eN DWn2 eN AW p
V (Wn ) V (W p ) Vd
2 sc 2 sc
2 sc ND
W p (Vd ) Vd
e N A (N A N D )
2 sc NA
Wn (Vd ) Vd
e ND (N A ND )
2 sc N D N A
W (Vd ) Vd -WP -WN
e NAND
7
Attention: tout ce que l’on vient de voir
était pour V=0. Lorsque la diode est
alimentée par une tension V sur P, Vd
doit être remplacée par Vd - V
8
Jonction PN sous polarisation
Cette polarisation va rompre l’équilibre entre les
forces de diffusion et de conduction: =>
apparition d’un courant ?
Hypothèses simplificatrices:
ZCE vide de porteurs
Faible injection
Approximation de Boltzmann
Toute la tension VA appliquée sur la jonction
Pas de phénomènes de Génération - Recombinaison
9
Jonction PN sous polarisation
Polarisation directe
Tension positive sur P
Diminution de la
tension de diffusion
Processus de diffusion
prédomine
Fort courant
10
Jonction PN sous polarisation
Fdiff e-
Polarisation directe
Diminution du champ interne
par E externe opposé
Injection d’électrons de N
vers P et Injection de trous
de P vers N, donc des
minoritaires
Fort courant car « réservoir »
plein
Fdiff h+
11
Polarisation directe
Eext
12
Jonction PN sous polarisation
Fconde-
Polarisation Inverse
Augmentation du champ
interne par E externe dans
le même sens
Injection d’électrons de P
vers N et Injection de trous
de N vers P , donc des
majoritaires
Faible courant car
« réservoir » presque vide
Fcond h+
13
Jonction PN sous polarisation
À l’équilibre, courant nul deux composantes (diff et cond)
s’opposent. Pris à part , l’ordre de grandeur de ces composantes
104 A/cm2 (soit 1A pour diode typique) or en faible injection I
est de l’ordre de qq mA à qq 10 mA
•Approximation de Boltzmann: L’approximation de Boltzmann
consiste à dire que la résultante des courants étant faible devant les
composantes de ce courant, on considère que l’on est encore en
quasi-équilibre et donc que l’équation du courant est encore valide
en remplaçant Vd par Vd -Va:
e dV ( x) 1 dp( x)
kT dx p( x) dx
14
Densité de porteurs injectés à la frontière de la
ZCE
Si Va=0 p (W N ) eV
exp( d )
pp kT
Si Va p' (W N ) e(Vd Va )
0 exp( )
pp kT
eV A ni2 eV A eV A ni2 eV A
p' n p n exp( ) exp( ) n' p n p exp( ) exp( )
kT ND kT kT NA kT
' ' eVa 2
n * p p p * nn n exp(
p n ) i
kT
15
Variation de la densité de trous injectés en
fonction de Va
1017
1016
Na= 1E17 cm-3
1015 Vd=0.7 V
1014
1013
1012
P'(Wn) (cm-3)
1011
1010
109
108
107
106
105
104
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
Va (V)
16
Distribution des porteurs dans les régions
neutres
Une fois les porteurs injectés,
ils vont diffuser dans la région
neutre et se recombiner avec
les porteurs majoritaires
La distribution va être fonction
de la géométrie de la région
Les paramètres
discriminatoires : la longueur
de diffusion LDn,p des électrons
et des trous et la largeur des
régions neutres dn,p -WP 0 WN
17
Distribution des porteurs dans les régions
neutres
Régions longues ( d n , p L p ,n ) Régions courtes ( d n , p L p ,n )
eV
eVa p n kTa
p ' ( x ) p n p n (e kT
1)e
(WN x ) / L p p' ( x) p n (e 1)( xc x)
dn
eVa
( x Wp ) / Ln n p eVkT
a
n' ( x ) n p n p (e kT
1)e n' ( x ) n p (e 1)( x'c x)
dp
Régions qcq pn
eVa
x c x
p' ( x) p n (e 1) sh
kT
dn L
sh( ) p
Lp
np eVa
x xc'
n' ( x ) n p (e kT 1) sh
dp Ln
sh( )
Ln
18
Courant de porteurs minoritaires dans les
régions neutres
La distribution connue, on peut facilement calculer le
courant qui est un courant de diffusion:
dp ( x) dn( x)
J p ( x) eD p J n ( x ) eD n
dx dx
Hypothèse : pas de Phénomènes de G-R dans la ZCE
J (V ) J p (W p ) J n (W p ) J p (Wn ) J n (W p )
On obtient la formule classique:
J (V ) J S (e eV / kT 1)
JS est le courant de saturation de la diode,
ou courant inverse théorique 19
Courant de porteurs minoritaires dans les
régions neutres
Régions courtes
eni2 DP eni2 Dn
JS
NDdn N Ad p
Régions longues
eni2 DP eni2 Dn
JS
N D LP N A Ln
Régions qcq -WP 0 WN
2 2
en DP
i en Dn i
JS
dn dp
N D LP th( ) N A Ln th( )
LP Ln
20
La diode réelle : Phénomènes de génération-
recombinaison dans la ZCE
On affine le modèle on tient compte de la G-R dans la
ZCE
Mécanisme connu (Shokley-Read)
1 pn ni2
r
2 ni p n
eVa
On sait également que p(WN )n(WN ) p(WP )n(WP ) ni2 exp( )
2 kT
Si on suppose np constant dans la ZCE et >> ni (en
polarisation directe) , le taux r est max pour n=p, soit
encore
ni eVa
rmax exp
2kT
21
La diode réelle : Phénomènes de génération-
recombinaison dans la ZCE
Le courant de génération recombinaison dans la
ZCE s’écrit alors:
WN
J GR e rdx
WP
En polarisationni
inverse ( pn ni2 ), le taux est
négatif ( r 0 ) et devient un taux net de
2
génération
En polarisation directe , le taux est rmax=cte et le
courant est un courant de recombinaisons.
22
La diode réelle : Phénomènes de génération-
recombinaison dans la ZCE
Le courant de génération recombinaison dans la
ZCE s’écrit alors:
0 eVa eni
J GR JGR exp( ) 1 J GR WT
0
2kT 2
Le courant global en intégrant cet effet s’écrit:
eVa 0 eVa
J (Va ) J S exp( ) 1 J GR exp( ) 1
kT 2kT
Facteur d’idéalité:
eVa
J (V ) J 0 exp( ) 1
nkT
23
Diode en polarisation inverse:
claquage de la jonction
Effet thermique
Effet Zener:
Passage direct de la BV à la BC
par effet tunnel (0) si champ
électrique supérieur à Ecritique
Effet Avalanche:
Avant le « tunneling »,
accélération des électrons qui
excitent par impact des électrons
de BV vers BC (1,2,3) etc….
Perçage ou « punchtrough »
.EC2
VBD
2eN B
24
Jonction en régime dynamique: capacités de
la jonction
Capacité associée à charges
2 types de charges dans la jonction
Fixes (les dopants ionisés) dans la ZCE
Mobiles (les e- et h+) injectés en direct
2 types de capacités
Capacité de transition ou de la jonction
Capacité de diffusion ou stockage
25
Capacité de transition ou de jonction
Elle est simplement associée à la charge Q contenue dans la ZCE
Q eAN AWP eAN DW N
dQ
CT
dV 2 sc ND
W p (Vd V ) (Vd V )
e N A (N A ND )
Soit:
A 2e NAND A
CT
2 (V D V A ) ( N A N D ) WT
26
Capacité de diffusion ou de stockage
Traduit le retard entre X
QSp A e( p ' ( x) p n )dx
C
la tension et le W N
courant
Densité de trous excédentaires
Associée aux charges dans la région neutre N
injectées dans les
régions neutres:
QSp P J P
dn 1
QSp e( p ' (0) p n ) LP coth( )
QSn n J n LP dn
sh( )
LP
27
Capacité de diffusion ou de stockage
L’expression précédente peut se mettre sous la
forme:
1
QSp J P (WN ) avec P 1
dn
ch( )
LP
L’expression du temps peut être simplifiée en
fonction de la « géométrie » de la diode:
d n2
courte t
Diode courte: temps de transit
2 DP
Diode longue : P durée de vie
28
Capacité de diffusion ou de stockage
Cette étude dans la région N est valable dans la
région P, et en final on obtient:
QS QSn QSp ( n ) J n (WP ) ( p ) J p (W N )
dQS
Soit à partir de : CS
dV
e
CS CSn CSp K ( ( n ) J n ( p ) J p )
kT
Facteur qui dépend de la géométrie
(2/3 courte)
(1/2 longue) 29
Jonction PN en commutation
Wn
Tant que l’excédent de trous en Wn est
positif
Diode polarisée en eVdirect
a
p ' n p n p n (e kT
1)
sd Temps de stockage ie p' (WN ) pn
30
Jonction PN en commutation
Problème majeur dans les composants à
porteurs minoritaires:
Expression du temps de stockage:
If If
sd p ln(1 ) ln(1 )
Im I f I m
Expression du temps de descente
F RC j If
f 2.3 avec
1 I f Im
31
Diode Tunnel – diode Backward
(a)
(b)
V
I t I pe a exp1 Va
V V (c)
pe pe
4a 2m * e (d)
Tt exp b
3
(e)
32
