Chapitre 2

TRANSISTORS BIPOLAIRES
FONCTIONNEMENT ET POLARISATION
 TRANSISTOR BIPOLAIRE

• Construction : Jonctions P-N-P, N-P-N

• Fonctionnement : IE = IB + IC
• Montage en base commune ( “Common base CB” )
– Courbes caractéristiques
• Entrée, Sortie
• Facteur d’amplification DC et polarisation
• Amplification
• Montage en émetteur commun ( “Common emitter CE” )
– Courbes caractéristiques
• Entrée, Sortie
• Gain de courant DC et polarisation
 Transistor bipolaire
• Définition du point d’opération et régions de
fonctionnement
• Polarisation fixe et droite de charge
• Circuits de polarisation
– Contre-réaction émetteur ( I-V )
– Diviseur de tension
– Contre-réaction collecteur ( V – I )
• Calcul du point de polarisation : Méthode
simplifiée
• Conception de circuits simples de polarisation
2.1 Fonctionnement
 Transistors bipolaires (BJT)
Les transistors sont bipolaires parce qu’ils
utilisent les deux sortes de porteurs majoritaires :
trous (P) et électrons (N).

NPN/PNP E B C
DOPAGE élevé faible faible
minc
LARGEUR large large
e
Le rapport de largeur ≈ 150 : 1
Le rapport de dopage ≈ 10 : 1
Contribue à rendre la base plus résistive et à
diminuer la recombinaison produisant une
meilleure amplification
Transistor bipolaire (Jonction E-B)
Considérons une jonction à la fois,
d’abord la JONCTION E-B

La JONCTION E-B est

polarisée comme une
diode en mode
DIRECT injectant des
porteurs majoritaires
dans la base

FIGURE 3-3
Forward-biased junction of a pnp transistor.
Transistor bipolaire ( Jonction B-C)
Considérons ensuite l’autre
jonction, la JONCTION B-C

La JONCTION B-C est

polarisée comme une
diode en mode
INVERSE avec un
faible courant de
porteurs minoritaires.

FIGURE 3-4
Reverse-biased junction of a pnp transistor.
Transistor bipolaire NPN

C B E

++ –- –- ++
+ –- –- ++
++ –- –- ++
 Transistor bipolaire PNP
Considérons finalement les deux
jonctions, E-B et B-C ensemble

Une faible portion des porteurs

majoritaires de E-B sont déviés
dans la base pour former le
courant IB mais le reste des
porteurs majoritaires de E-B et
minoritaires de B-C se
combinent dans le collecteur C
pour former le courant IC.

FIGURE 3-5 IB est faible par rapport à IE et IC à cause des

Majority and minority carrier flow
différences de dopage et de la minceur de la
of a pnp transistor. base.
Transistor bipolaire PNP

Relation importante entre les

courants du transistor bipolaire

Le courant ICmaj dû aux porteurs majoritaires

dans le collecteur se mesure en mA alors que
le courant ICmin dû aux porteurs minoritaires est
faible, de l’ordre du μA ou nA.

Le courant ICmin augmente avec la température mais il est assez faible

qu’on puisse habituellement négliger sa contribution au courant IC.
Transistor PNP et NPN

Le transistor possède
3 terminaux :
l’émetteur, la base et
le collecteur.

Contrairement à la
diode qui ne peut
qu’être en série ou en
parallèle, le transistor
est un quadripôle
avec une entrée et
une sortie par rapport
à une référence
•Résumé sur le transistor
Composant à 3 broches :
émetteur (E):
*** dopé
injecte des é dans la base
base (B):
* dopé
laisse passer les é de E  C
collecteur (C):
** dopé
collecte les é provenant de B
 2.2 Sens du courant
• Dans tous les circuits, nous utilisons le sens dit
« CONVENTIONNEL », c’est le sens de circulation des charges +
soit du potentiel élevé au potentiel bas.

• En réalité, ce sont les électrons qui circulent et produisent le vrai

courant. Peu importe, nous utiliserons toujours le sens
CONVENTIONNEL du courant.

• Dans tous les circuits, nous utilisons le sens dit

« CONVENTIONNEL », c’est le sens de circulation des
charges + ( du potentiel élevé au potentiel bas.
 Sens du courant
Pour le PNP, le sens conventionnel correspond directement à la circulation
des trous. Nous voyons que le courant IE se divise bien entre IB et IC. Le
collecteur « collecte » les trous que l’émetteur « émet ».

Pour le NPN, le sens conventionnel pourrait nous donner l’impression qu’il y a

une inversion entre l’émetteur et le collecteur. En réalité, il n’en est rien, le
fonctionnement du NPN est identique au PNP si on considère le vrai sens du
courant, celui des électrons.
 2.3 Transistor en quadripôle
• La pratique consiste à prendre un des 3 terminaux ( E, B ou C )
comme terminal de référence. Le montage porte alors le nom du
terminal commun. Le terminal commun, comme son nom
l’indique, est alors commun à l’entrée et à la sortie.

• Il y a 3 types de montage :
– Base commune
– Émetteur commun
– Collecteur commun

• On établira 2 courbes I vs V que l’on nomme courbes

caractéristiques d’entrée et de sortie.
Montage en base commune
CARACTÉRISTIQUES D’ENTRÉE

FIGURE 3-7
Input or driving point
characteristics for a common-
base silicon transistor amplifier.
Montage en base commune
CARACTÉRISTIQUE DE SORTIE
Régions de fonctionnement
RÉGIONS DE FONCTIONNEMENT D’UN TRANSISTOR BIPOLAIRE

JONCTION
BASE-COLLECTEUR

JONCTION DIRECT INVERSE

BASE-ÉMETTEUR VBC > 0 VBC < 0

Région active directe

DIRECT SATURATION
AMPLIFICATION
VBE > 0 ( Interrupteur fermé )
Gain normal

Région active inverse

INVERSE ( Mode d’amplification BLOCAGE
VBE < 0 presque jamais utilisé sauf en ( Interrupteur ouvert )
circuits TTL)
Point d’opération
• Comme pour la diode, il faut pouvoir
calculer le point d’opération.
• Dans le cas du transistor, il s’agit de
trouver le point d’opération sur les deux
courbes en même temps : la courbe
d’entrée et la courbe de sortie.
• En pratique on n’utilise pas la droite de
charge sur la courbe d’entrée.
Point d’opération : Courbe d’entrée
Montage en base commune
CARACTÉRISTIQUE DE SORTIE
Montage en base commune
Comment peut-on avoir une amplification avec un gain de courant de 1 ?

Le gain provient de la différence d’impédance. L’entrée a une faible

résistance ( polarisation directe ) alors que la sortie possède une
résistance élevée ( polarisation inverse ). Le rapport entre l’impédance de
sortie et de l’impédance d’entré produit un gain de tension.
 Montage en émetteur commun

C-B inverse

B-E direct

Transistor NPN en région active ou linéaire

Se comporte comme un
AMPLIFICATEUR
 Montage en émetteur commun

C-B direct

VCE ≈ 0,4 V
B-E direct VBE ≈ 0,8 V

Transistor NPN en région de saturation

Se comporte comme un
interrupteur FERMÉ
 Montage en émetteur commun

IB ≤ 0
C-B inverse
IC ≈ ICBO

B-E inverse

Transistor NPN en région de blocage ou « cutoff »

Se comporte comme un
interrupteur OUVERT
Montage en émetteur commun

Variation de VCE a
peu d’influence sur
Mode direct
la caractéristique
d’entrée

Transistor NPN
 Montage en émetteur commun
Transistor NPN

Cette approximation
rendra les calculs
plus faciles sans
trop perdre de
précision

Nous assumerons
donc VBE = 0.7
Mode direct
lorsque la jonction
B-E est en mode
direct peu importe
VCE
Montage en émetteur commun
Il y a une différence entre
DC et AC

Lorsque non spécifié, nous

assumerons que DC = AC
Montage en émetteur commun
Nous avons aussi les relations suivantes qu’il est
intéressant de connaître
VALEURS LIMITES
IC max
• ICmax : Courant collecteur maximum
PC max • PCmax : Puissance maximale
• VCEmax : Tension C-E maximale

PC max

Nous sommes maintenant prêts à

polariser le transistor pour l’utiliser
comme amplificateur
BJT AUDIO
BJT PUISSANCE
 2.4 POLARISATION
Pourquoi polarise-t-on le transistor ?

Rép. Pour qu’il puisse fonctionner dans la région qui nous

intéresse

Le point de polarisation ou point de fonctionnement se nomme

fréquemment Q

Le point Q a des coordonnées sur les 2 courbes

caractéristiques : ENTRÉE et SORTIE
POLARISATION
Les point QA, QB et QC sont 3 points d’opération valables
 POLARISATION
• Les coordonnées de Q sur la courbe d’entrée seront IBQ,
VBEQ (émetteur commun)

• Les coordonnées de Q sur la courbe de sortie ICQ, VCEQ

(émetteur commun)

Jusqu’à maintenant nous avons toujours montré 2 sources

de tension : la première dans la boucle d’entrée et la
deuxième dans la boucle de sortie. En pratique, on utilise
une seule source que l’on partage entre les 2 boucles.
 POLARISATION
• Nous verrons principalement 3 types de polarisation
– Fixe
– Réaction d’émetteur
– Réaction de collecteur/émetteur

Pour chacun de ces 3 types, nous verrons comment calculer

IBQ, ICQ, IEQ et VCEQ. Une fois que nous avons ces 4 valeurs,
nous pouvons toujours résoudre le reste du circuit. Les 2
équations de boucle combinées avec les 2 équations
suivantes : IE = IB + IC et IC=IB nous permettront de calculer
le point Q d’opération. On suppose que VBE = 0,7 V
POLARISATION FIXE

Boucle 2

Boucle 1
 Polarisation fixe

• c’est la forme de
polarisation la moins
bonne
• IC dépend directement de
CC qui peut varier avec
la température.
• Si IC augmente avec la
température, le point Q
se déplace vers la zone
de saturation.
POLARISATION FIXE

Exemple 4.1
MODE SATURATION
On peut donc faire
l’approximation :

Pour être en mode

En saturation, VCEsat ≈ 0
SATURATION il faut
avoir ICsat tel que :
DROITE DE
CHARGE
Lorsque nous possédons la
courbe de sortie, on peut
tracer la droite de charge
qui résulte de l’équation de
la boucle de sortie
DROITE DE CHARGE
On peut varier la position du point Q en variant : RB(IB), RC(IC) et VCC

Diminution de RB
DROITE DE
CHARGE
Augmentation de RC
Exemple 4.3
 POLARISATION
RÉACTION D’ÉMETTEUR
• On augmente la
stabilité puisque RE
tend à limiter les
variations de IC dues
aux variations de  et
de VBE.
• En effet, si IC
augmente, alors IE et
Figure 4.17 Polarisation d’un transistor VE augmentent, ce qui
bipolaire avec réaction d’émetteur
contribue à diminuer IB.
 POLARISATION
RÉACTION D’ÉMETTEUR

RE dans l’émetteur est réflétée comme

une résistance Ri dans la base. La valeur
FigureBoucle
4.17 Polarisation d’un transistor de Ri est :
1 B-E
bipolaire avec réaction d’émetteur
 POLARISATION
RÉACTION D’ÉMETTEUR
RE dans l’émetteur est réflétée comme une
résistance Ri dans la base. La valeur de Ri est :

Boucle 1 B-E
 POLARISATION
RÉACTION D’ÉMETTEUR

Si on assume que IE ≈ IC, alors on

aura VCE tel que :

Boucle 2 C-E
Montrez que si on utilise l’équation
IE = IB + IC, alors on aura la valeur
exacte de VCE soit :
1   
VCE  VCC  I C  RE  RC 
   
Exemple 4.4
Exemple 4.5
Regardons la variation de VCE lorsque le gain  varie de 100 % ( 50 à 100)
lorsqu’on a une polarisation fixe ( Ex. 4.1 ) vs une polarisation réaction
d’émetteur ( Ex. 4.4 ).
Lequel des 2 circuits de polarisation est meilleur ou plus stable ?
DROITE DE
CHARGE
Pour l’exemple 4.4, IB = 40 uA et IC = 2.10 mA.
Dans quelle région de fonctionnement se trouve
le point Q ?
VC = 15.98 V, VB = 2.71 V et VE = 2.01 V
Alors VBC = -13.27 V et VBE = 0.7V

Q dans la région linéaire ou amplification

DROITE DE
CHARGE
Modifiez RB pour que le transistor soit dans la
région de saturation. Les autres paramètres sont
constants.
RE = 1K, RC = 2 K et  = 50

Lorsque le transistor est saturé, on a

Rép. : RB = 93.7 K
 POLARISATION
DIVISEUR RÉSISTIF

• On veut éliminer l’influence des

variations de  en fixant IE ( ou IC)
plutôt que IB.

• Le diviseur fixe la tension VE et IB

s’ajustera en fonction des
variations de  et de VBE pour
maintenir IC constant. Le circuit de
polarisation fonctionne comme
une source de courant.
Figure 4.17 Polarisation d’un transistor
bipolaire avec diviseur résistif
 POLARISATION
DIVISEUR RÉSISTIF (exact)

• La méthode exacte nécessite de

produire le circuit équivalent
Thévenin vu de la base et de
résoudre pour trouver IB.

Polarisation avec diviseur résistif

(méthode exacte)
 POLARISATION
DIVISEUR RÉSISTIF (exacte)
 POLARISATION
DIVISEUR RÉSISTIF (exacte)
Exemple 4.7 ( exacte )
 POLARISATION
DIVISEUR RÉSISTIF
• La méthode approximative néglige
la valeur du courant IB par rapport
au courant qui circule dans R2.

• Pour utiliser la méthode

approximative, il faut que la relation
suivante soit satisfaite :

Figure 4.17 Polarisation avec diviseur

résistif ( méthode approximative )
 POLARISATION
DIVISEUR RÉSISTIF ( approx. )

Figure 4.17 Polarisation avec diviseur

résistif (méthode approximative)
Exemple 4.8 ( approx. )

Le reste de la solution se fait comme

pour l’exemple 4.7. Avec cette
méthode, on note que l’on ne tient pas
compte de IB et de . Le point Q est
donc indépendant de la valeur de 
Exemple 4.9 ( approx. )
Lorsque la méthode
approximative s’applique, la
dépendance de VCEQ ou de
ICQ par rapport aux variations
de  est négligeable. Refaire
l’exemple 4.7 en assumant 
= 70 au lieu de 140
Exemple 4.10
(exacte )
 Exemple 4.10
(approx. )

R1

R2
Ri
Comparaison des 2 méthodes

Même lorsque Ri/R2 ≈ 3 au lieu de

10, le résultat est acceptable
 POLARISATION
RÉACTION DE COLLECTEUR
Plus stable que les méthode
de polarisation fixe et
réaction d’émetteur mais
même s’il existe toujours
une dépendance vis-à-vis
les variations de .

Polarisation d’un transistor bipolaire

avec réaction de collecteur
 POLARISATION
RÉACTION DE COLLECTEUR

I C  I E I E  IC   I B

Boucle 1 B-E

Polarisation d’un transistor bipolaire

avec réaction de collecteur
 POLARISATION
RÉACTION DE COLLECTEUR

Boucle 2 C-E
I C  I E
Exemple 4.11