Notion de dopage

Le dopage permet d’améliorer la conductivité du matériau

en lui apportant artificiellement et de façon contrôlée
des charges libres.

Un semiconducteur non dopé est dit intrinsèque

Un semiconducteur dopé est dit extrinsèque
Semiconducteur dopé N

Semiconducteur dopé P
 La jonction PN

Que se passe t-il si l’on met en contact du Silicium dopé N

et du Silicium dopé P ?

Matériau N Matériau P

+ + + - - -
+ + + - - -

Création d’une jonction PN

 La jonction PN au niveau atomique

UIZ Z Que se passe t'il au niveau de la jonction ?

Q

+ + - -
Diffusion simultanée :
+ + - -
•des e- de N vers P
+ + - - •des trous de P vers N

+ + - -

Création d’une Zone de Charge d’Espace

 La jonction PN au niveau atomique

2
UIZ Z La ZCE grandit elle sur toute la jonction ?
Q

+ + - -
Création d'un champ E
+ + - - et d'une barrière de
F=-qE F=qE potentiel définie par
+ + E - - la relation E=-dV/dx

+ + V - -

La taille de la ZCE devient stable

 La jonction PN au niveau atomique

On polarise la jonction en direct et on fait varier la tension

Pour une tension

+ + - - faible (< 0.5 V), rien
ne se passe
+ + - -
+ + - -
Pour Vpol > 0.6v,
+ + - - il y a conduction
Pourquoi ?
- + Polarisation
0 V – 0.5 V directe
 La jonction PN au niveau atomique

Pour une tension de polarisation inférieure à 0.6 V

La barrière de
+ + - - potentiel ( V + ddp )
diminue sous l’action
+ + - - de la polarisation
directe.
+ + - - A V = 0.6 Volts, elle
V+ddp
+ + - - s’annule

- + Polarisation
0 V – 0.5 V directe
 La jonction PN au niveau atomique

Pour une tension de polarisation supérieure à 0.6 V

La barrière de
+ + - - potentiel est vaincue,
il y a redémarrage de
+ + - - la diffusion et donc
de la conduction
+ + - -
+ + - -

- + Polarisation
> = 0.6 V directe
 La jonction PN au niveau atomique

On polarise la jonction en inverse

La barrière de
+ + - - potentiel augmente

+ + - -
+ + - - Elargissement de la
V+ddp Zone de Charge
- - d’Espace
+ +

- + Polarisation
inverse
 La jonction PN au niveau atomique

On augmente encore la tension de polarisation inverse

1 - Libération des
+ + - - porteurs minoritaires :
effet zener
+ + - - 2 - Les porteurs
libèrent par choc
+ + - - d’autres porteurs :
+ + - - effet d’avalanche
3 - Rupture des
+ - Polarisation
liaisons covalentes

inverse
Caractéristique de la jonction PN

Conduction

Bloquée V

Claquage: Seuil 0,6 v

Zéner, avalanche
 Transistor bipolaire

Un transistor bipolaire comporte 3 couches de silicium

disposées en sandwich dans l’ordre PNP ou NPN

Matériau N Matériau P Matériau N

+ + + - - + + +
+ + + - - + + +

Création de 2 jonctions PN
 Le Transistor bipolaire

Transistor bipolaire NPN au niveau atomique

Collecteur
+ + + - - - - + + +
Emetteur

+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +
ZCE ZCE
Base

Surprise : La jonction BC polarisée en

inverse conduit le courant !!!
 Fonctionnement du bipolaire

On polarise la jonction BE en direct et BC en inverse

Emetteur Base Collecteur

+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +
Plusieurs
 0,6v volts
 Effet transistor

Les électrons injectés traversent la jonction BC

Emetteur Base Collecteur

+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +

Ie Ic
 Au niveau de la base

Recombinaison de certaines paires électrons - trous

Emetteur Base Collecteur

+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +

Ib
 Au niveau de la base

Courant de trous de la base vers l’émetteur

Emetteur Base Collecteur

+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +

Ib
En résumé

e- injectés e- diffusants e- collectés

e- se recombinant
dans la base
Émetteur

Collecteur
trous injectés

Base
 Caractéristique du bipolaire
Ic (mA)

Vcb constant Ib constant

Ib (µA) Vce (V)

Vce constant Ib constant

Vbe (V)
 Propriétés technologiques

Base fine pour éviter les recombinaisons

Base faiblement dopée pour limiter le courant de trous

Emetteur fortement dopé pour favoriser l’effet

transistor
 Propriétés électriques

Composant contrôlé par le courant de base : Ic = f(Ib)

Composant utilisant les porteurs majoritaires et

minoritaires

Composant utilisant la jonction BC en inverse pour

accélérer les électrons majoritaires de l’emetteur
 Le transistor à effet de champ

Principe : Contrôle du courant dans un semiconducteur à

l’aide de 2 tensions

Modifier la section: JFET

1 S
G   [Link] µe
R L Modifier la densité
de porteurs: MOSFET

L’effet de champ se manifeste par le pincement du

canal conducteur et la limitation de la vitesse des porteurs
 Le transistor à effet de champ

Structure d’un jfet (Junction Field Effet Transistor)

Électrode de commande
Grille du courant Id

P Drain
Source
N P
Électrode par laquelle
Électrode par laquelle les porteurs
les porteurs majoritaires quittent le
majoritaires entrent
dans le canal
Jfet à Canal N canal
 Le transistor à effet de champ

Composant contrôlé par la tension de grille

Composant utilisant uniquement les porteurs majoritaires

Les porteurs majoritaires ne traversent aucune jonction

 Fonctionnement

Conditions normales de fonctionnement : Vgs < 0 et Vds > 0

Drain
Source P

N P N
Grille

Vgs < 0

Vds > 0
 Cas n°0 : Vgs = 0 et Vds = 0

En l’absence de polarisation, création des 2 ZCE

Grille

P
Vgs = 0
Zce V V
Source Drain

Vds = 0 Zce V V
N P Faisons
varier Vds
 Cas n°1 : Vgs = 0 et Vds > 0

Polarisation inverse plus forte du côté drain

Grille Rajout de Vdg

P
Vgs = 0
Zce V V
Source Drain
Vdg

Vds > 0 Zce V V

N P
 Cas n°1 : Vgs = 0 et Vds > 0

Polarisation inverse plus forte du côté drain

Grille Rajout de Vdg

P
Vgs = 0
Zce V V Elargissement
de la ZCE du
Source Drain
côté du drain

Vds > 0 Zce V V

N P
 Cas n°1 : Vgs = 0 et Vds > 0

Polarisation inverse plus forte du côté drain

Grille Rajout de Vdg

P
Vgs = 0
Zce V V Elargissement
de la ZCE du
Source Drain
côté du drain

Vds > 0 Zce V V Fonctionnement

N P en zone ohmique
Id
Id = f(Vds)
 Cas n°1 : Vgs = 0 et Vds > 0

Fonctionnement en zone ohmique

Id (mA)
La pente de la courbe dépend :
Vgs = 0
•du dopage du canal,
•de la longueur du canal,
•de la section du canal.

Vds (V) Que se passe t’il si on

UI ZZ
Q augmente Vds ?
 Cas n°2 : Vgs = 0 et Vds = Vp

Pincement du canal au niveau du drain

Grille Fonctionnement
en Zone de
P
Vgs = 0 pincement
Zce

Source Drain Id tend à se

stabiliser
Zce
Vds = Vp

N P
Id
 Cas n°2 : Vgs = 0 et Vds = Vp

Fonctionnement en zone de pincement

Id tend :
Id (mA)
•à augmenter car Vds est
grand,
•à diminuer à cause de
Vgs = 0
l’étranglement qui freine le
passage des électrons.

Vds (V) Que se passe t’il si on

UI ZZ
Q augmente encore Vds ?
 Cas n°3 : Vgs = 0 et Vds > Vp

Etranglement du canal au niveau du drain

Grille Fonctionnement
en Zone de
P
Vgs = 0 saturation
Zce

Source Drain Id devient

constant
Zce
Vds > Vp

N P
Id
 Cas n°3 : Vgs = 0 et Vds > Vp

Fonctionnement en zone de saturation

Id (mA)
Id est constant car il existe un
canal minimal laissant passer
Vgs = 0 les porteurs

Vds (V) Que se passe t’il si on

UI ZZ
Q fait varier Vgs ?
 Cas n°4 : Vgs < 0 et Vds >= 0

Vgs influence la taille du canal indépendamment de Vds

Grille
Vgs = 0 V
P
Vgs < 0
Zce

Source Drain Vgs = -0.5 V

Zce
Vds > 0

N P
 Cas n°4 : Vgs < 0 et Vds >= 0

Vgs influence la taille du canal indépendamment de Vds

Grille
Vgs = 0 V
P
Vgs < 0
Zce

Source Drain Vgs = -0.5 V

Zce
Vds > 0
Vgs = -1 V
N P
 Cas n°4 : Vgs < 0 et Vds > 0

Accentuation de l’effet de pincement

Id (mA)
Vgs = 0 V La valeur de Vgs < 0 influence
directement le pincement du
Vgs = -0.5 V
canal et le phénomène de
Vgs = -1 V saturation de Id

Vds (V)
 Le transistor MOS

Le Transistor MOS (Metal Oxyde Semiconductor) est un

transistor à effet de Champ :
Composant contrôlé par la tension de grille,
Composant utilisant les porteurs majoritaires.

La variation du courant Id s’effectue en faisant varier le

nombre de porteurs dans le canal et non la surface

On distingue 2 grandes familles :

MOS à enrichissement,
MOS à appauvrissement.
 Le MOS à enrichissement

Structure d’un MOS à enrichissement à canal N

Grille
Source Drain

Isolant

N+ N+
P
 Le MOS à appauvrissement

Structure d’un MOS à appauvrissement à canal N

Grille
Source Drain

Isolant

N
N+ N+
P
 Fonctionnement d’un NMOS

Conditions normales de fonctionnement : Vgs > 0 et Vds > 0

Vgs > 0 Grille Vds > 0

Drain
Source
Isolant

N+ N+
P
 Fonctionnement d’un NMOS

Accumulation de charges positives sur la grille

Vgs > 0 Grille Vds > 0

Drain
Source
Isolant

N+ N+
P
 Fonctionnement d’un NMOS

Création d’un champ électrique E sur la capacité MOS

Vgs > 0 Grille Vds > 0

Drain
Source
Isolant
E
N+ N+
P
 Fonctionnement d’un NMOS

Trous majoritaires du substrat repoussés

Vgs > 0 Grille Vds > 0

Drain
Source
Isolant
E
N+ N+
P
 Fonctionnement d’un NMOS

Electrons minoritaires du substrat attirés vers la grille

Vgs > 0 Grille Vds > 0

Drain
Source
Isolant
E
N+ N+
P
 Fonctionnement d’un NMOS

Création d’un canal de type N sous l’isolant (couche

d’inversion)

Vgs > 0 Grille Vds > 0

Drain
Source
Isolant Id
E
N+ N+
P
 Caractéristiques

Caractéristiques similaires à celle d’un transistor JFET

Id (mA)
Vgs = 8 V La valeur de Vgs > 0 influence
directement la densité de porteurs
Vgs = 6 V
minoritaires attirés sous la capacité
MOS
Vgs = 2 V

La valeur de Vds > 0 influence

Vds (V) directement la valeur du champ E
et donc de la saturation de Id
 Cas du MOS à appauvrissement

Pour Vgs = 0, existence du canal N entre la source et le

drain

Id (mA)
Vgs = 4 V

Vgs = 2 V L’existence du canal garantit une

Vgs = 0 V conduction du transistor pour des
Vgs = -2 V valeurs négatives et positives
Vgs = -4 V
de Vgs

Vds (V)