Chapitre 1
Rappel sur l’Amplification à base de transistors
Présenté par Mme Melouk
1. Transistor bipolaire
1.1 Introduction
le Transistor = l’élément “clef” de l’électronique
il peut :
amplifier un signal
amplificateur de tension, de courant, de puissance,...
être utilisé comme une source de courant
agir comme un interrupteur commandé ( = mémoire binaire)
essentiel pour l’électronique numérique
...
il existe :
soit comme composant discret
soit sous forme de circuit intégré, i.e. faisant partie d’un circuit plus
complexe, allant de quelques unités (ex: AO) à quelques millions de
transistors par circuit (microprocesseurs)
1.6 Symbole
Figure 1.2 : Symboles des transistors NPN et PNP
La flèche indique :
L’ émetteur
Le type de transistor
Le sens de courant de l’émetteur et les autres sens des courants du
collecteur et de la base.
On a IE = IB + IC et VCE = VCB + VBE
1.7 Relations fondamentales en courant
Avec est le gain en courant, il est très grand
Avec est un coefficient presque égale à l’unité on aura donc
Figure 1.3 : Réseau caractéristiques du transistor.
1.8 Montages universels du transistor
trois montages fondamentaux :
Montage Emetteur Commun (EC) : c’est le montage le plus utilisé en
amplification
Montage Base Commun (BC) : utilisé en haute fréquence
Montage collecteur Commun (CC) : utilisé en adaptation
d’impédance.
Figure 1.5 : Montage Figure 1.6 : Montage
Figure 1.4 : Montage base Commune (BC). collecteur Commun (CC).
Emetteur Commun (EC).
Etude statique
1.9 Polarisation du transistor
1.9.1 Polarisation par résistance de base :
a) Sans résistance d’émetteur RE :
Figure 1.7 : Polarisation d’un transistor.
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐵 ∙ 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 (1.1)
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 ∙ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 (1.2)
L’équation (4.1) nous donne : 𝐼𝐵 = (𝑉 𝐵𝐵 −𝑉 𝐵𝐸) /𝑅𝐵 (1.3)
L’équation (4.2) nous donne : 𝐼𝐶 = (𝑉 𝐶𝐶 −𝑉 𝐶𝐸)/𝑅𝐶 (1.4)
Avec 𝐼𝐵 = ( V𝐵𝐸 )= 𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸/𝑅𝐵 est appelée : Droite d’attaque statique.
I𝐶 = 𝑓 (𝑉 𝐶𝐸 )= 𝑉 𝐶𝐶 −𝑉 𝐶𝐸 /𝑅𝐶 est appelée : Droite de charge statique.
Figure 1.8 : La droite d’attaque et la droite de charge statique
b) Polarisation par résistance de base avec RE
Figure 1.9 : (a) Polarisation par
résistance de base avec RE, (b)
lorsque VBB=VCC=E
V𝐵𝐵 = 𝑅𝐵 ∙ I𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 ∙ 𝐼𝐸 (1.5) 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝐼𝐸 = IC= 𝛽 𝐼𝐵
IB = (VBB-VBE)/RB+ 𝛽RE (1.6)
VC = RC . IC + VCE + RE . IE = RC . IC + VCE + RE . Ic
VCE = VCC-(RC + RE) . IC
1.9.2 Polarisation par pont diviseur :
Figure 1.10 :(a) Polarisation par pont de base,
(b) circuit équivalent par Thévenin.
1.10 Transistor en régime dynamique :
L’étude d’un circuit amplificateur se subdivise en deux : étude statique
et étude dynamique. :
Etude statique = polarisation du transistor, droite de charge statique et
calcul du point de fonctionnement.
Etude dynamique = Calcul du gain en tension, gain en courant,
impédance d’entrée, impédance de sortie.
1.10.1 Schéma équivalent d’un transistor en alternatif et paramètres
hybrides :
Exercices
