Cours dElectronique Analogique

ENSPS - 1ire anne. Anne universitaire : 2004/2005

Thomas Heiser
Laboratoire PHASE-CNRS
(Physique et Applications des Semiconducteurs)
Campus Cronenbourg
tel: 03 88 10 62 33
mail: [email protected]
(http://www-phase.c-strasbourg.fr/~heiser/EA2004/)
http://www-phase.c-strasbourg.fr/~heiser/EA/

Introduction
Quest-ce que llectronique ?

Domaine de la physique applique qui

exploite les variations de grandeurs lectriques pour
capter, transmettre ou analyser des informations.

Le traitement de linformation est gnralement assur par des

circuits lectroniques.

 Quest-ce quun circuit lectronique ?

Un ensemble de composants (rsistances, condensateurs, diodes,
transistors, circuits intgrs: AOP, microprocesseurs, )
qui agissent sur les courants et tensions lctriques

ils engendrent, modifient et utilisent des signaux lectriques.

stockage et traitement de
linformation, commande et
contrle dappareillage,...
amplificateur, redressement, modulateur ,
gnrateur, capteur, compteur,.

 Lhierarchie de lElectronique
Technologie des composants semiconducteurs
- Conception et modlisation des composants
physique des semiconducteurs (transport de charge, interfaces,)
- Fabrication des composants
physique de la matire condense (croissance cristalline, dopage, )

Conception de circuits lectroniques et microlectroniques

- Conception de circuits fonctionnels
- Conception assiste par ordinateur
Traitement du signal, algbre de Boole

Ralisation de systmes complets

- Architecture des systmes
- Interfaces avec lenvironnement
- Systmes asservis

 Electronique Analogique ou Numrique

Electronique analogique
- Variation continue des grandeurs lectriques
Information valeurs instantanes I(t) et V(t)
Electronique numrique
- Variation binaire des grandeurs lectriques
Codage de lInformation Niveau dabstraction supplmentaire

 Pourquoi quelles applications ?

Instrumentation
Robotique
Communications
Multimdia
Systmes informatiques
Cartes mmoires

 Pourquoi quels mtiers ?

R&D sur les composants lectroniques
rduction des dimensions, introduction de nouveaux matriaux,
nouveaux types de composants: optolectronique, de puissance,
mmoires, ...
Simulation et programmation
R&D sur la simulation de la fabrication et du fonctionnement des C.I.
Conception de circuits lectroniques
conception, simulation et ralisation de circuits pour toute application

 Llectronique : Un domaine en volution exponentielle

En 1947 : le premier transistor

En 1957 : le premier CI (Texas / Kilby)

En 1971 : le premier Processeur

4004 dINTEL : 15/11/1971

(2250 Transistors Bipolaires,
108 KHz, 4bits, 604 mots ad.)

Hier : le Pentium IV

42.106 TMOS
(taille dun transistor: ~0,18m)

10

La loi empirique de Moore

Taille des transistor Taux dintgration Vitesse de calcul

11

et demain
La nano-lectronique

Transistor
25nm
(10nm possible)

Couplage avec la micro-mcanique et loptique (MEMS, MOEMS)

12

Les technologies mergentes

Electronique sur plastique

Electronique molculaire
Une molcule comme composant

13

Mais a ne se fait pas tout seul...

14

 L Electronique lENSPS
1A: Les bases :
- Electronique Analogique
- Electronique Numrique
- Complment dlectronique
2A: Notions avances :
- Electronique Numrique et Analogique II
- Simulation et modlisation en microlectronique
- Microcontrleurs
En option :
- Physique des dispositifs semiconducteurs
- Technologie des composants numriques
3A: La spcialisation :
- ENSPS: OPTION ELEC
- MASTER Micro- et Nano- Electronique: Composants et Systmes

15

 Le lien avec les autres enseignements (1A) :

Physique de la matire
semiconducteurs, thorie des bandes, transport de charges
Emetteurs capteurs
physique des composants semiconducteurs
Systmes asservis
systmes linaires, circuits contre-raction
Traitement du signal
filtrage, systmes linaires, modulation...

16

Contenu du cours d lectronique analogique

1.

Quelques rappels utiles

2.

Les Diodes

3.

Applications des diodes

4.

Le Transistor bipolaire

5.

Les Transistors effet de champ

6.

Rtroaction et amplificateur oprationnel

Bibliographie
Trait de l lectronique analogique et numrique (Vol.1), Paul Horowitz & Winfield Hill, Elektor,1996
Principes dlectronique, Alberto P. Malvino, McGraw-Hill, 1991
Electronique: composants et systmes d'application, Thomas L. Floyd, Dunod, 2000
Microlectronique, Jacob Millman, Arvin Grabel, Ediscience International, 1994

17

1. Les bases
1.1 Composants linaires et loi dOhm :

I
I

Rsistance lectrique = composant linaire :

V=RI

loi dOhm

Le modle linaire ne dcrit le comportement rel du composant que dans un domaine de

fonctionnement (linaire) fini.

Gnralisation aux circuits en rgime harmonique (variation sinusodale des tensions et courants) :
V Z I

C
composant linaire :
impdance :

1
jC

Z jL

18

1.2 Source de tension, source de courant :

1.2.1 Sources idales :
I

I
source de courant
idale :

Io

Io

charge

V
le courant fourni par la source est indpendant de la charge

source de
tension idale :

V
Vo

Vo

charge

I
la tension aux bornes de la source est indpendante de la charge

19

1.2.2 Sources relles :

domaine de fonctionnement linaire

ou domaine de linarit
I
Io

source de courant
relle :

schma
quivalent
V

Le domaine de linarit dfini la plage de fonctionnement du composant en tant que source de

courant
Schma quivalent:

hyp : Vdomaine de linarit

I
I Io

Io

Ri

charge

Ri = rsistance interne
(Gi = 1/Ri = conductance interne)

V
Ri

I cst I o
V

tant que I >> courant dans la rsistance interne

Ri

source de courant Ri >> V/I = Ze = impdance dentre de la charge.

20

domaine de linarit
source de tension
relle :

V
Vo

schma
quivalent

Vo

charge

Schma quivalent:
hyp : Vdomaine de linarit
I
Ri
Vo

V Vo Ri I
V

charge

V cst Vo
tant que la chute de potentiel aux bornes de Ri est faible
devant V Ri I V

source de tension Ri << Ze

21

Transformation de schma :
Ri

en fait...

avec
Io
Ri

V Vo V

V Vo Ri I
Ri Ri Ri

charge

I Io

charge

Vo

puisque

vu de
la
charge

V
I o o = courant de court-circuit
Ri
(charge remplace par un
court-circuit)
[Vo = tension en circuit ouvert du diple]

selon la valeur de Ze/Ri on parle de source de tension (Ze>>Ri) ou source de courant (Ze<<Ri)

Sources lies

Lorsque la tension (ou le courant) dlivre par une source dpend de la

tension aux bornes dun des composants du circuit ou du courant le
parcourant, la source est dite lie. Vous verrez des exemples de sources
lies dans le cas des transistors.

22

1.3 Thorme de Thvenin :

Tout circuit deux bornes (ou diple) linaire, constitu de rsistances, de sources de tension et
de sources de courant est quivalent une rsistance unique RTh en srie avec une source de tension
idale Vth.
A

Rth

I
V

ou

= gnrateur de Thvenin

Vth V circuit ouvert

!

Calcul de Rth:

Vth

B
Calcul de Vth:

I A

Rth

Vth
V circuit ouvert

I court - circuit I court - circuit

Rth R AB en absence des tensions et courants fournies par les sources non-lies.
[remplacement des sources de tension non-lies par un fil (Vo=0), et
des sources de courant non-lies par un circuit ouvert (Io=0)]

23

Mesure de Rth :
Au multimtre : exceptionnel puisquil faut remplacer toutes sources non-lies par des courtcircuits ou des circuits ouverts tout en sassurant que le domaine de linarit stend jusqu V=0V.

A partir de la mesure de V(I) :

V
Vth
pente = - Rth

mesures

Vth
2

gnrateur quivalent de Thvenin

I
!
V
Rcharge Rth
I V Vth

mthode de division moiti

En rgime harmonique le thorme de Thvenin se gnralise aux impdances complexes.

Gnrateur de Norton = source de courant quivalente au gnrateur de Thvenin
Rth= impdance de sortie du montage.

24

2. Les Diodes
2.1 Dfinition

Id

Id

Caractristique couranttension dune diode idale :

Vd

sous polarisation directe

(Vd0), la diode = court-circuit
(i.e. conducteur parfait)

Vd
sous polarisation inverse (Vd<0)
la diode = circuit ouvert

Ce type de composant est utile pour raliser des fonctions lectroniques telles que le
redressement dune tension, la mise en forme des signaux (crtage, ).
La diode (mme idale) est un composant non-linaire
Aujourdhui la majorit des diodes sont faites partir de matriaux semiconducteurs
(jonction PN ou diode Schottky, cf cours Capteurs 1A et Option: Physique des dispositifs
lectrique 2A)

25

2.2 Caractristiques dune diode relle base de Silicium

hyp: rgime statique
(tension et courant
indpendants du
temps)

Id
140

comportement linaire

100
60

Is

20
-2

-1.5

-1

-0.5

0.5

Vo

Vd

Pour Vd <0, la diode se comporte comme un bon isolant : Is ~ 1 pA - 1A ,

la diode est dite bloque
dans ce domaine son comportement est approximativement linaire
le courant inverse, Is , augmente avec la temprature
Pour Vd >> ~0.7, le courant augmente rapidement avec une variation peu prs linaire
la diode est dite passante
mais Id nest pas proportionnel Vd (il existe une tension seuil~ Vo)

26

Id
140
100
60
20
-2

-1.5

-1

-0.5

0.5

Vo

Vd

Zone du coude : Vd [0,~ Vo] : augmentation exponentielle du courant

V
I d I s exp d
VT

avec 1 2 (facteur didalit)

VT = k T/e
k = 1,38 10-23 J/K= constante de Boltzmann
e= 1.6 10-19Coulomb, T la temprature en Kelvin
Is = courant inverse

le comportement est fortement non-linaire

forte variation avec la temprature
VT (300K) = 26 mV

27

Limites de fonctionnement :
Id

Zone de claquage inverse

Ordre de grandeur :
Vmax = quelques dizaines de Volts

VdId=Pmax

Vmax

peut conduire la destruction pour une

diode non conue pour fonctionner dans
cette zone.

Vo

Vd

Vmax = P.I. V (Peak Inverse Voltage) ou claquage par effet Zener

P.R.V (Peak Reverse Voltage)
ou Avalanche
Limitation en puissance
Il faut que VdId=Pmax
Influence de T :

diode bloque : Id = IS double tous les 10C (diode en Si)

diode passante : Vd ( Id constant) diminue de ~2mV/C

28

2.3 Diode dans un circuit et droite de charge

2.3.1 Point de fonctionnement
Comment dterminer la tension aux bornes dune diode insre dans un circuit et le
courant qui la traverse?

Id
Val

Vd

R L VR

Id , Vd, ?

Id et Vd respectent les Lois de Kirchhoff

Id et Vd sont sur la caractristique I(V) du composant

Au point de fonctionnement de la diode, (Id,Vd) remplissent ces deux conditions

29

2.3.2 Droite de charge

V Vd
Loi de Kirchoff : I d al
RL

= Droite de charge de la diode dans le circuit

Caractristique I(V)

Id
Val/RL

IQ

Q= Point de fonctionnement

Droite de charge

Vd
VQ

Val

Connaissant Id(Vd) on peut dterminer graphiquement le point de fonctionnement

procdure valable quelque soit la caractristique I(V) du composant !
On peut calculer le point de fonctionnement en dcrivant la diode par un modle simplifi.

30

 hyp: Id, Vd constants

2.4 Modles Statiques segments linaires

2.4.1. Premire approximation: Diode idale

On nglige lcart entre les caractristiques relle et idale

Id
pas de tension seuil
conducteur parfait sous polarisation directe
V <0: circuit ouvert
d

Id

Vd

Vd

Schmas quivalents :

Id

pente=1/Ri

Ri
Val

Vd

Val >0
Ri

V
I d al , Vd 0
Ri

Val

Id

Val

Ri

Vd

Val< 0
Val

diode passante
Id 0

Val

diode bloque
Vd 0
I d 0, Vd Val

31

2.4.2 Seconde approximation

tension seuil Vo non nulle
caractristique directe verticale
(pas de rsistance srie)
V <0: circuit ouvert
d

Id

Id

Vd

Vd
Vo

Pour une diode en Si: Vo 0,6-0,7 V

schmas quivalents :
Schmas quivalents

Id

Ri
pente=1/Ri

Val

Vd

Val >Vo
Ri

V Vo
I d al
, Vd Vo
Ri

Vo Val

Id

Val

Ri

Vd

Val<Vo
Val

diode passante
V Id 0

Val

diode bloque
Vd Vo
I d 0, Vd Val

32

2.4.3 3ime Approximation

tension seuil Vo non nulle
rsistance directe R non nulle
f
V <0: rsistance R finie
d
r

Caractristique relle
pente = 1/Rf

Id

Vd

pente = 1/Rr~0

Pour une diode en silicium,

Vo = 0,6-0.7V, Rf ~ q.q. 10 Rr
>> M

Modlisation
Vd

-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1

Vo

Schmas quivalents
schmas quivalents :

Id

Val >Vo :

pente=1/Ri

Vd
Vo Val

Ri
Val

Vo
Vd

Id

diode passante
I d 0 et Vd Vo

Rf

Vd Vo R f I d

Id
Ri

Val <Vo :

Vd
Val

Val

diode bloque
Rr

Vd Vo

33

Remarques :

V
Rf d
Id

Le choix du modle dpend de la prcision requise.

Les effets secondaires (influence de la temprature, non-linarit de la

caractristique inverse, .) sont pris en compte par des modles plus volus
(modles utiliss dans les simulateurs de circuit de type SPICE).

34

2.4.4 Calcul du point de fonctionnement via lutilisation des schmas quivalents :

Problme: le schma dpend de ltat (passante ou bloque) de la diode.
Dmarche (pour dbutant...):
a) choisir un schma (ou tat) en vous aidant de la droite de charge
b) trouver le point de fonctionnement Q de la diode
c) vrifier la cohrence du rsultat avec lhypothse de dpart
Sil y a contradiction, il y a eu erreur sur ltat suppos de la diode.
Recommencer le calcul avec lautre schma.

Dmarche pour tudiants confirms...

Un coup dil attentif suffit pour trouver ltat (passant/bloqu) de la diode !
Le calcul de Q se fait tout de suite avec le bon schma quivalent...

35

Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en utilisant la 3ime approximation pour la diode.

hypothse initiale : diode passante
Val = 5V

>

RL=
1k
Id

Informations sur la diode:

Vo = 0.6V ( Si)
Rf = 15
Rr =1M

5V

>

[Vd >Vo , (Id>0)]

Vd

OK!

Vo Rf

V Vo
I d al
4,33mA
R f RL
1k

et Vd Vo R f I d 0,66V

En partant de lhypothse dune diode bloque: Vd 5V Vo

En utilisant la 2ime approximation: (Rf = 0, Rr = ) I d 4,4mA et Vd 0,6V
La 2ime approx. est souvent suffisante pour une tude qualitative du fonctionnement dun circuit

36

Autres exemples :
Caractristiques des diodes :
Rf = 30, Vo=0.6V, Is=0 et RR infinie

1)
50

Calcul de Id et Vd
1M

Val

pour :
a)Val = -5V
b) Val = 5V

Conseil: simplifier le circuit dabord avant de vous lancer dans des calculs

2)

Etude du signal de sortie en fonction de lamplitude du signal dentre :

R1 = 1k

frquence nulle :
vsortie

ventre
Vref=2V

ventre = Ve (constant)

avec ventre signal basse frquence telque le modle statique reste

valable (priode du signal < temps de rponse de la diode pas
deffet capacitif ou )

37

3)

D1

D2
Diodes au Si

2V

100

50

4)
1V

Diodes au Si

38

2.5 Comportement dynamique d une diode

2.5.1 Prambule : Analyse statique / dynamique dun circuit
L Analyse statique
se limite au calcul des valeurs moyennes des grandeurs lectriques
(ou composantes continues, ou encore composantes statiques)
= Analyse complte du circuit si seules des sources statiques sont prsentes
L Analyse dynamique
ne concerne que les composantes variables des tensions et courants (ou signaux lectriques, ou
encore composantes alternatives (AC) )
na dintrt que sil y a des sources variables!

Notation :

lettres majuscules pour les composantes continues

lettres minuscules pour les composantes variables

39

Illustration : Etude la tension aux bornes dun composant insr dans un circuit.
R1
ve
R2

hypothses: ve = signal sinusodal, valeur moyenne nulle

VE = source statique
V(t)=V+v(t)

VE

Calcul complet

V t

R2
VE ve t R2 VE R2 ve t
R1 R2
R1 R2
R1 R2
V

v(t)

Principe de superposition :
Comme tous les composants sont linaires, le principe de superposition sapplique
la source statique VE est lorigine de V , et ve est lorigine de v

40

R1

Analyse statique :

ve 0

VE

R2

R2
VE
R1 R2

schma statique du circuit

En statique, une source de tension variable valeur moyenne nulle correspond un court-circuit
R1

Analyse dynamique : VE = 0
ve

R2

v t

R2
ve t
R1 R2

schma dynamique

Une source de tension statique correspond un court-circuit dynamique

41

Autres exemples:
R1

R2

1)
ve

R1

Schma statique

Io

R3

V(t)=V+v(t)

R2
Io R3

R1R3
Io
R1 R2 R3

Schma dynamique
R1
ve

R2
R3

v t

R3ve t
R1 R2 R3

Une source de courant statique est quivalent en rgime dynamique un circuit ouvert.
[puisque i(t)=0!]

42

2)

C = composant linaire caractris par une impdance qui

dpend de la frquence du signal

Val
C
vg

Rg

R1

R2

Schma statique :

Val

V (t)

frquence nulle C = circuit ouvert

R1

R2

R2
Val
R1 R2

43

Schma dynamique :

Zc

ZC
vg

Rg

R2

R1

1
iC

R2 // R1
vg avec Z g Rg 1
R2 // R1 Z g
iC

schma quivalent dynamique

pour suffisamment leve :

Z g Rg

et

R2 // R1
vg
R2 // R1 Rg

A trs hautes frquences ( prciser suivant le cas), le condensateur peut tre remplac par
un court-circuit.

44

 Le principe de superposition nest plus valable en prsence de composants non-linaires !

Extrapolations possibles:

le point de fonctionnement reste dans un des domaines de linarit du composant nonlinaire

lamplitude du signal est suffisamment faible pour que le comportement du composant reste
approximativement linaire.
modle linaire petits signaux de la diode

45

2.5.2 Modle petits signaux (basses frquences)

hypothse: variation suffisamment lente (basse frquence) pour que la caractristique statique reste
valable.
Variation de faible amplitude autour du point de fonctionnement statique Q :
la caractristique Id(Vd) peut tre approxime par la tangente en Q
pente :
dI d
dVd Q

Id

I dQ

2|id|

id

schma quivalent dynamique

correspondant au point Q :

Q
Vd
Vo

dI d
vd
dVd Q

dI d
dVd Q

= rsistance dynamique
de la diode

v|

VdQ
Ce schma ne peut tre utilis QUE pour une analyse dynamique du circuit !

46

 Notation :

rf =

dI d
dVd V 0
d

rr =

dI d
dVd V 0
d

= rsistance dynamique pour VdQ> 0

= rsistance dynamique pour VdQ < 0

Pour Vd >> Vo, rf Rf

Pour Vd [0, ~Vo] , r f

dI d
dVd

1
Vd

d
dVd

Vd
VT

I se

Is

VT
Id

Pour Vd < 0 , rr Rr
temprature ambiante : r f

25
I d mA

proche de Vo la caractristique I(V) scarte de la loi exponentielle

rf ne devient jamais infrieure Rf (voir courbe exprimentale, p27)

47

Exemple :
1k

5V

Rb
2k

diode: Si, Rf = 10, Vo = 0,6V ,

Temprature : 300K

ve 0,1 sin 103 2 t

Ra 10F

Ve

Vd(t)

ve

ID

Analyse statique :

rf

Analyse dynamique :

5 0,6
2,2mA, VD 0,62V
2000

26
12, Z c 16 Ra
2,2

Schma dynamique :

1k

ve

2k

vd 1,2 103 sin 103 2 t

Amplitude des ondulations rsiduelles : 1,2 mV

vd
~ 12

48

2.5.3 Rponse frquentielle des diodes

Limitation haute frquence :

Pour des raisons physiques, le courant Id ne peut suivre les variations instantanes de Vd
au del dune certaine frquence.
apparition dun dphasage entre Id et Vd
le modle dynamique basse frquence nest plus valable

Le temps de rponse de la diode dpend :

du sens de variation (passant bloqu, bloqu passant) (signaux de grande amplitude)
du point de fonctionnement statique (pour des petites variations)

49

 Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation directe (VdQ >0)

une petite variation de Vd induit une grande variation Id, cest --dire des charges qui
traversent la diode
A haute frquence, des charges restent stockes dans la diode (elle narrivent pas suivre
les variations de Vd)
~ Comportement dun condensateur, dont la valeur augmente avec Id
(cf physique des dispositifs semiconducteurs)
Modle petits signaux haute frquence (Vd >0) :
rc

rsc

Cd

I dQ

Ordre de grandeur : Cd ~ 40 nF 1mA, 300K.

T
= capacit de diffusion

basse frquence : rc + rs = rf
la sparation en deux rsistances tient mieux compte des phnomnes physiques en jeu.

50

A quelle frquence la capacit dynamique commence-t-elle

influencer la tension vd ?

suite de lexemple prcdent:

5V
1k

Rb
2k

Id = 2,2mA Cdiff ~100nF

Ra 10F

Vd(t)

ve

Schma dynamique en tenant compte de Cdiff :

1k
~ 12
ve

(hyp simplificatrice: rc ~0)

rth ~11

v
Cdiff

vth

v
th

log

v
Cdiff

= filtre passe-bas

-3dB
log f
f 1

2rthCdiff

130kHz

51

 Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation inverse (VdQ < 0) :

une variation de Vd entrane une variation du champ lectrique au sein de la diode, qui son
tour dplace les charges lectriques.
haute frquence, ce dplacement donne lieu un courant mesurable, bien suprieur Is.
Ce comportement peut encore tre modlis par une capacit lectrique :
Modle petits signaux haute frquence (Vd < 0) :

rr

Ct

1
Vd Vo

= capacit de transition ou dpltion

Ordre de grandeur : ~pF

52

 Diode en commutation : Temps de recouvrement direct et inverse

Le temps de rponse fini de la diode sobserve aussi en mode impulsionnel , lorsque la diode
bascule dun tat passant vers un tat bloqu et vice-versa.
VQ

Vg

Vo
R

t
-VR
Vo Vd

Vg

Vd
-VR
Id

temps de rponse

(VQ-Vo)/R
-VR/R

le temps de rponse dpend du courant avant commutation.

ordre de grandeur : ps ns

53

2.6 Quelques diodes spciales

2.6.1 Diode Zener
Diode conue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractrise par une
tension seuil ngative ou tension Zener (VZ)
Caractristiques
VZ : tension Zener (par dfinition: VZ >0)

Id
-Vz

Vd

Imin : courant minimal (en valeur absolue) au del

duquel commence le domaine linaire Zener

-Imin
Imax : courant max. support par la diode
(puissance max:Pmax ~VZImax)

-Imax

Ordre de grandeur : VZ ~1-100 V , Imin ~0,01- 0,1mA, Pmax rgime de fonctionnement

54

 schmas quivalents

Modle statique :

hyp : Q domaine Zener

Vd
Id
-Vz

Id

Rz

Vd

Vz

-Imin
Modle dynamique, basses frquences, faibles
signaux :

Q
pente
1/Rz
-Imax

dI

rz
dV

d Q

Rz

pour |Id| >Imin

55

2.6.2 Diode lectroluminescente (ou LED)

Principe : La circulation du courant provoque la luminescence

Fonctionnement sous polarisation directe (V > Vo)

Lintensit lumineuse courant lectriqueId
Ne marche pas avec le Si (cf. cours Capteurs)
Vo 0.7V ! (AsGa: ~1.3V)

56

3. Applications des Diodes

Un aperu qui sera complt en TD et TP.

3.1 Limiteur de crte (clipping)

Fonction : Protger les circuits sensibles (circuits intgrs, amplificateur grand gain) contre
une tension dentre trop leve ou dune polarit donne.
Clipping parallle
droite de charge

(diode // charge)

Id

Vg

Rg

Ve

Vg

Ze

circuit
protger

Rg // Z e

Vd=Ve
Vo

Vg

Limite dutilisation : Puissance maximale tolre par la diode.

Clipping srie :
Rg
Vg

Ve(t)

circuit
Ze protger

57

Protection contre une surtension inductive (ex: ouverture/ fermeture dun relais)

+20V
V

ouverture de linterrupteur :
L
I

V L

dI

dt

VA +
risque de dcharge lectrique
travers linterrupteur ouvert
Linterrupteur pourrait tre un
transistor...

+20V

Protection par diode :

Vmax<0 ~ - 0.7V

VA ~20,7V
I
la conduction de la
diode engendre un courant
transitoire et diminue la
tension inductive.

58

3.2 Alimentation
Objectif: Transformer un signal alternatif en tension continue stable
(ex: pour lalimentation dun appareil en tension continue partir du secteur)

Les fonctions effectue par une alimentation :

Redressement

Filtrage passe-bas

Rgulation

V>0

V<0

59

Redressement simple alternance

Vs
220V
50Hz

Vs

Rc

Vm 0.7

(cf avant)
t
Ri =rsistance de sortie du transformateur
Vm =amplitude du signal du secondaire

Redressement double alternance (pont de Graetz)

R
D1

Vs ,Vi

D2

Vi

Vs
D3

D4

Rc

~1.4V
t
Vi 1.4V

60

50

avec filtrage :

R
D2
200F

D3

D4

Rc=10k

Vi

D1

Vs

ondulation rsiduelle
Charge du condensateur travers R
et dcharge travers Rc
RC << RcC
sans condensateur
avec condensateur
Rgulation: utilisation dune diode Zener (cf TD, TP et chapitre sur les transistors)

61

Autres configurations possibles :

Utilisation dun transformateur point milieu :

secteur
~

mauvais rendement, puisqu

chaque instant seule la moiti du
bobinage secondaire est utilis

transformateur
point milieu
Alimentation symtrique :
+Val
secteur
~

masse

-Val

62

3.3 Restitution dune composante continue (clamping) ou circuit lvateur de tension

Fonction : Dcaler le signal vers les tensions positives (ou ngatives)
reconstitution dune composante continue (valeur moyenne) non nulle
Rg

Exemple :

Vc

Vg(t)

Vd

Fonctionnement : (hyp: diode au silicium)

Lorsque Vg - Vc > ~0.7V , la diode est passante
Rg
Vg

Lorsque Vg - Vc < 0.7, la diode est bloque

C
Vc

Rg
Vd ~0.7V

Vg

C
Vc

Vd

C se charge et Vc tend vers Vg 0.7

Vc = constant (C ne peut se dcharger!)

Vd ~ 0.7

Vd = Vg +V
c
~ composante continue

63

 Cas particulier :
Vg Vm sin t pour t 0

Vc 0 pour t 0

(C dcharg)

Rg

Vc

Vg(t)

Vd

Phase transitoire au cours de laquelle le condensateur se charge

Simulation
Vg
charge du condensateur

Vc

C=1F
Rg =1k
f= 100hz
Vm =5V

Vd 0.7V

Vd
t (s)

64

Charge de C avec une constante de temps de RgC chaque fois que la diode est passante
Dcharge de C avec une constante de temps RrC
le circuit remplit ses fonctions, si pour f >>1/RrC (105hz dans lexemple) :
en rgime permanent: Vd Vg - Vm
composante continue

Exercice : Modifier le circuit pour obtenir une composante continue positive.

65

3.4 Multiplieur de tension

Fonction : Produire une tension de sortie continue partir dun signal dentre variable. La
tension continue est gnralement un multiple de lamplitude du signal dentre.
Exemple : doubleur de tension
Rg
Vg ~

Vg Vm sin 2f t pour t 0

C
VD1

VRc

Cl

Rc>> Rg

Vm=10V, f=50Hz, C=10F

Rc=100k.

clamping

redresseur monoalternance avec filtre RC

VD1 ,VRc

En rgime tabli, le courant dentre du

redresseur est faible (~ impdance dentre
leve)
VRc 2 Vm 1,4 2 Vm

rgime transitoire

permanent

Il ne sagit pas dune bonne source de

tension, puisque le courant de sortie (dans Rc)
doit rester faible (~ rsistance interne leve)

66

Autre exemples :

Doubleur de tension

source
AC
charge

limpdance dentre de la charge doit tre >> Rf + Rtransformateur+Rprotection

source flottante ncessit du transformateur

67

4. Transistor bipolaire
4.1 Introduction
le Transistor = llment clef de llectronique
il peut :
amplifier un signal
amplificateur de tension, de courant, de puissance,...
tre utilis comme une source de courant
agir comme un interrupteur command ( = mmoire binaire)
essentiel pour llectronique numrique
...
il existe :
soit comme composant discret
soit sous forme de circuit intgr, i.e. faisant partie dun circuit plus
complexe, allant de quelques units (ex: AO) quelques millions de
transistors par circuit (microprocesseurs)

68

 on distingue le transisor bipolaire du transistor effet de champ

diffrents mcanismes physiques
Ils agissent, en 1ire approx., comme une source de courant command
transistor bipolaire : command par un courant
transistor effet de champ: command par une tension

Icontrle

I command G Vcontrle

I command A I contrle
Vcontrle

source de courant
commande par un
courant

source de courant
commande par une
tension

A = gain en courant

G = transconductance.

Idalement : ltage dentre ne dpend pas de ltage de sortie.

69

4.2 Structure et fonctionnement dun transistor bipolaire

Structure simplifie

Transistor NPN

Transistor PNP
E

diode EB

couplage
entre les
diodes

diode BC

P+
N

E
metteur
base

collecteur
C

N+

diode EB

P
N
C

diode BC

Deux jonctions PN ou diodes couples effet transistor

Symtrie NPN/PNP

70

 Effet transistor

Conditions de polarisation :

Exemple: Transisor NPN

RE

VEE

E
IE

N+

IB

C
IC

Jonction EB : directe
Jonction BC: inverse
= MODE ACTIF du transistor

RC

VCC

si VEE > ~ 0.7V , jonction EB passante VBE ~ 0.7V, IE >> 0

La jonction EB est dissymtrique (dopage plus lev ct E)
courant port essentiellement par les lectrons (peu de trous circulent de B vers E)
VCC > 0, jonction BC bloque => champ lectrique intense linterface Base/Collecteur
La majorit des lectrons injects par lmetteur dans la base sont collects par le champ
IC ~IE et IB = IE -IC << IE
En mode actif, IC est contrl par IE , et non vice versa

71

 Premires diffrences entre le transistor bipolaire et la source commande idale...

Contraintes de polarisation : VBE > ~ 0.7V, VCB > - 0.5V
.

Symboles

C
B

IE >0 en mode actif

B
E

PNP

NPN

Conventions des courants :

IB

IC
IE

NPN
IE = IB+IC

IB

IC
IE
PNP

72

4.3 Caractristiques du transistor NPN

VCE

Choix des paramtres :

Les diffrentes grandeurs lectriques (IE, IB,
VBE,VCE,) sont lies:

RE
VEE

IE
VBE

RC

IC
IB

VCC

VCB

diffrentes repsentations quivalentes des

caractristiques lectriques existent
Configuration Base Commune
( base = lectrode commune)
Caractristiques : IE (VBE,VBC), IC (VBC ,IE)
Configuration Emetteur Commun
(metteur= lectrode commune)
Caractristiques : IB (VBE , VCE), IC (VCE, IB)

La reprsentation des caractristiques en configuration collecteur commun est plus rare.

73

Caractristiques en configuration BC : CAS DU TRANSISTOR NPN

IE (VBE, VCB) :

caractristique dentre
hypothse: diode BC bloque (mode usuel)

~ caractristique dune jonction PN

IE (mA)

V
I E I s exp BE 1
VT

VCB=0 , -15
2

trs peu dinfluence de IC (resp. VCB)

1
VBE (V)
0.1

0.5

Jonction BE bloqu
IE ~ 0, VBE < 0.5 V

Jonction BE passante
IE >0, VBE 0.6-0.7V= Vo

74

mode actif
IC (VCB, IE) :

IE (mA) VBE

Ic (mA)

2.0
1.5

1.5

1.0

0.5

0.5
0

-0.5

IC I E

VCB (V)

jonction PN polarise en inverse

tension seuil de la jonction BC

pour VCB > ~-0.5V, on a IC = FIE , avec Fproche de 1.
En mode actif, I B I E I C I E 1 F

pour IE = 0, on a IC = courant de saturation inverse de la jonction BC ~ 0

Transistor en mode bloqu
pour VCB -0.7, la jonction BC est passante, IC nest plus controle par IE
Transistor en mode satur
Ordre de grandeur : F ~0.95 - 0.99

F = gain en courant continue en BC

75

Caractristiques en configuration EC :
IB (VBE, VCE) :

caractristique dentre
hypothse: diode BC bloque (mode usuel)
IB (A)

VCE= 0.1V

IB

1.5
0.5
0

IC

IE

> 1V
0.1 0.2 0.3

VBE (V)

VBE > 0.6V, jonction PN passante

IB <<IE charges non collectes par le champ lectrique de la jonction BC

I B 1 F I E

Influence non-ngligeable de VCE sur F Effet Early

76

IC (VCE, IB) :

Ic(mA)

Ib= 20 A
15A

10A

5A
VCE (V)

1
Transistor satur

Transistor bloqu
IC = ICO

3
5
Mode actif

Mode actif : BE passant, BC bloque VBE 0.7V et VCB >~ -0.5 V

VCE = VCB +VBE > -0.5 + 0.7 ~0.2 V
IC F I E F IC I B IC

F
I B " hFE " I B
1F

ordre de grandeur : hFE ~ 50 - 250

hFE = gain en courant

continue en EC = F

Grande dispersion de fabrication sur hFE.

Effet Early : F tend vers 1 lorsque VCE augmente hFE augmente avec VCE
Mode satur : Diode BC passante -> IC ~ indpendant de IB
hFE diminue lorsque VCE 0

77

 Modes actif / bloqu / satur

Transistor NPN
Configuration EC :
Mode actif :

VBE 0.7V

Mode bloqu :

IB 0

~ 0.3V VCE VCC

Mode satur : VBE 0.8V

B IB

VCE VCC

IC 0

VCE 0.2V

I c hFE I B

hFE IB

~0.7V

E
Mode actif

I c hFE I B

C
~0.2V

~0.8V
E

E
Mode bloqu

Mode satur

VCC = source de tension externe alimentant la maille contenant C et E (cf plus loin)
VCE ne peut pas dpasser cette valeur!

78

Transistor PNP
Configuration EC :
Mode actif : VBE 0.7V ~ 0.3V VCE VCC
Mode bloqu :

IB 0

Mode satur :VBE 0.8V

B IB

I c hFE I B

( 0)

VCE VCC

IC 0

VCE 0.2V

I c hFE I B

hFE IB

~0.7V

~0.2V
~0.8V

E
Mode actif

E
Mode bloqu

E
Mode satur

79

 Valeurs limites des transistors

Tensions inverses de claquage des jonctions PN (EB, BC)
Puissance maximale dissipe : Pmax =VCE IC
Courants de saturations inverses :
IC , IB et IE 0 en mode bloqu

ICVCE =Pmax

fiches techniques :

80

 Influence de la temprature
La caractristique dune jonction PN dpend de la temprature
les courants inverses (mode bloqu) augmentent avec T
VBE, IB,E constant, diminue avec T
ou rciproquement : pour VBE maintenue fixe, IE (et donc IC) augmente avec T
Risque demballement thermique : T I C Puissance dissipe T

81

4.4 Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit Point de fonctionnement

Droites de charges :
Le point de fonctionnement est dtermin par les caractristiques du transistor et par les lois de
Kirchhoff appliques au circuit.
Exemple :

Comment dterminer IB, IC, VBE, VCE ?

+VCC
Rc

Droites de charges :
V VBE
Vth Rth I B VBE I B th
Rth

Rth
Vth

V VCE
VCC RC I C VCE I C CC
RC

82

 Point de fonctionnement
IB

VBEQ 0.6-0.7V, ds que Vth> 0.7V

(diode passante
transistor actif ou satur)

V VBE
I B th
Rth
Q

IBQ

0.1 0.2 0.3

VBE (V)

VBEQ

Ic(mA)

VCE sat VCEQ VCC

Q

ICQ

IBQ
V VCE
I C CC
RC
ICO

VCEsat

VCEQ

I CO I c

VCC VCE sat VCC

Rc
Rc

Q fixe le mode de fonctionnement du transistor

VCE (V)

83

Exemple : Calcul du point de fonctionnement

+VCC=10V
Rc=3k
Rth IB

Rth=30k
hFE =100

Vth =1V

Vth

Rc

0.7V

Vcc

hFE IB

I BQ 10 A
I C Q 1mA

VCE Q 7V

On a bien : ~0,3 <VCEQ < VCC

Rsultat cohrent avec le mode actif du transistor.

84

+VCC=10V

Remplacement de Rth par 3k

Rc=3k

I BQ 100A

Rth=3k

I C Q 10mA

hFE =100

VCE Q 20V !!

Vth =1V

Rsultat incompatible avec le mode actif

le modle donne des valeurs erronnes

Cause :
En ayant augment IBQ,(rduction de Rth)
Q a atteint la limite de la zone
correspondant au mode actif
VCE Q ~ 0.3V

Ic(mA)
Q

IBQ

et I CQ 3.2mA

VCEQ

VCE (V)

85

 Quelques circuits lmentaires :

t<0 :

Transistor interrupteur:
+VCC

RB

Interrupteur
ouvert
I RC 0

RB
t>0 :

IC

Vcc
Rc

RC

Rc

VBB
0.7V

VBE < 0.7V Mode bloqu

+VCC

VBE > ~0.8V, telque RcIc ~VCC

VCE ~qq. 100mV

Interrupteur ferm

VCC
RB
Interrupteur ouvert
VCE

VCC

I Bmin

( interrupteur ferm)

~0.8V

VBEmin 0.7
Vcc

Rc hFE
RB

RC

Interrupteur
ferm

~0.2V <<VCC
V 0.2 VCC
I RC CC

RC
RC

86

Transistor source de courant :

VCC
charge
Rc
I

V 0.7V
I BB
RE
quelque soit Rc
tant que le transistor est en mode actif

E
VBB

RE

Source de courant

Domaine de fonctionnement :

VBB 0.7V

0 VCE VCC RC RE I C VCC

V
Rcmax cc RE
I
pour Rc suprieure Rcmax transitor satur
Rcmin 0

87

Exercices : Calculer le courant dans la charge, la plage de tension

10V

15V

560

charge
10k

Vz =5,6V
10k

4,7k

I
charge

88

hypothses :

Transistor, amplificateur de tension :

Point de fonctionnement au repos :

Transistor en mode actif lorsque vB = 0
(amplificateur classe A)

+VCC
RC
B

vB
VBB

Enfin :
et

Amplitude du signal vB suffisamment faible

pourque le transistor soit chaque instant actif

IC

En 1ire approximation :

IE

VSortie
RE

(IB <<IC)

v
En ngligeant la variation de VBE : ic B
RE

VSortie Vcc Rc I C VS vs
R
vs Rcic c vb
RE

VB 0.7
I C I C ic
RE

avec V
: S Vcc R I C

Le signalvB est amplifi par le facteur

Av = pour RE =0 ?? voir plus loin pour la rponse...

Comment fixer le point de fonctionnement au repos de manire optimale?

R
Av c
RE

89

4.5 Circuits de polarisation du transistor

Le circuit de polarisation fixe le point de repos (ou point de fonctionnement statique) du transistor
Le choix du point de repos dpend de lapplication du circuit.
Il doit tre lintrieur du domaine de fonctionnement du transisor (IC(B) < Imax,, VCE (BE) <Vmax,....)
Les principales caractristiques dun circuit de polarisation sont :
sensibilit par rapport la dispersion de fabrication du transistor (incertitude sur hFE , )
stabilit thermique.
(coefficient de temprature des diffrents paramtres du transistor :VBE, hFE,).

90

 Circuit de polarisation de base ( courant IB constant)

IC

RC
VCC

IC1

RB

Q1
Q2

IC2

V VBE Vcc 0.7

I B cc

RB
RB
Q : I c hFE I B

Dispersion de fabrication:
hFE mal dfini

Vcc
Rc

VCE1

mme IB

VCE2

Vcc

2 transistors
diffrents

VCE

et VCE Vcc Rc I c

Consquence : hFE Ic VCE

Le point de repos dpend fortement de hFE = inconvnient majeur
Circuit de polarisation peu utilis.
Exemple : Transistor en mode satur RB tel que

I B I Bsat

Vcc
Rc hFE

en prenant pour hFE la valeur minimale garantie par le constructeur.

91

 Polarisation par raction de collecteur

+VCC
RB

RC

IC

VCC 0.7
RC RB
hFE

Le point de fonctionnement reste sensible hFE

Proprit intressante du montage :
Le transistor ne peut rentrer en saturation puisque VCE
ne peut tre infrieur 0.7V

Cas particulier : RB=0

V 0.7
I C CC
RC

VCE 0.7V

Le transistor se comporte comme un diode.

92

 Polarisation par diviseur de tension - polarisation courant (metteur) constant

+VCC
R1

+VCC
RC

Rc

avec Vth

Vth
RE

Peu sensible hFE : si

Vth Vo
RE Rth / hFE

(Vo~0.7V)

VCE VCC RC RE I C

Rth
R2

IC I E

R2
VCC
R1 R2

et

Rth R1 // R2

Rth
V Vo
RE I C th
hFE
RE

Bonne stabilit thermique de IC condition que Vth >>Vo <~> VB >>Vo

Rgles dor pour la conception du montage :
Rth/RE 0.1 hFEmin ou encore R2 < 0.1 hFEmin RE IR2 10 Ib
VE ~VCC/3
Diminuer Rth augmente le courant de polarisation IR1

93

+VCC

Une faon de comprendre la stabilit du montage :

R1

RC

RE introduit une contre-raction

R2

Augmentation de T

VBE I diminue de 2mV/C

E

IE augmente

RE

VBE et IE diminuent

VE augmente

contre-raction
VB ~Vth

94

4.6 Modle dynamique

Variation de faibles amplitudes autour dun point de fonctionnement statique
Comportement approximativement linaire
Modles quivalents
Caractristique dentre :
+VCC

IB

dr
oit
e

RC
B

vB
VBB

V
I B I s exp BE 1
VT

IC

de

ch
ar

ge

IBQ

E
VSortie

RE

iB
Q

vB

VBEQ

VBE

0.2 0.4 0.6

vBE
t
Pour vB petit:
I B
IE
v
ib
vbe
vbe be
VBE Q
hFE VT
" hie "

hie = rsistance dentre dynamique du

transistor en EC

95

hFE

Notation :

h V
" hie " FE T
IE

= rsistance dentre dynamique du transistor en EC

B
vbe

ib

hie
E

hie i pour input, e pour EC, h pour paramtre hybride (cf quadriple linaire)
Ne pas confondre hie avec limpdance dentre du circuit complet. (voir plus loin).
A temprature ambiante (300K) on a :

hie

26 hFE
I E mA

96

droite de charge

Caractristique de sortie en mode actif :

Ic

ic=hfe ib

En premire approximation :

ic " h fe "ib
B

ib

IBQ+ib

IBQ

ic C
VCE

hie

hfeib

VCEQ

hfe = gain en courant dynamique

hFE en Q (*)

En tenant compte de leffet Early: ic h feib hoevce

ic C

B ib
hie

hfeib
hoe-1

hoe

vce

I c
VCE Q

hoe 1 = impdance de sortie du transistor en EC

Ordre de grandeur : 100k - 1M

E
Le modle dynamique ne dpend pas du type (NPN ou PNP) du transistor

97

Note sur hFE et hfe :

droite de charge
Ic

Ic

IB (A)

tangente en Q

ic h feib

20
Q

15
10
5

droite passant par lorigine

IC hFE I B

VCE

IB (A)
on a gnralement :

h fe hFE
sauf proximit du domaine satur

98

 Analyse statique / analyse dynamique

Exemple: Amplificateur de tension
VCC
A.N.:
Vcc=15V
R1=47k
R2=27k
Rc=2.4k
RE=2.2k
hFE=100

VCC
R1

Rc

Rc

R1
statique

vg

Vs=VS+vs
R2

RE

VS
signal

R2

RE

composante
continue
Analyse statique : on ne considre que la composante continue des courants et tensions
C = circuit ouvert (aucun courant moyen circule travers C).
Point de fonctionnement statique Q (cf avant)

R2
VCC VBE
R R2

I EQ 1
RE

A.N

mode actif

VS VCC Rc ICQ 10V

A.N

ICQ 2.2mA

99

Analyse dynamique :
Hypothses : transistor en mode actif schma quivalent du transistor
Schma dynamique du circuit :
R1
1
iC

R2

vg

Rc

ib

(circuit ouvert)

hie

hoe-1

hfeib

transistor

vs

RE
en ngligeant hoe...
ib
1
iC
vg

hie
R1 // R2

hfeib

Rc

vs

RE

100

 Pour C suffisamment leve on peut ngliger son impdance devant les rsistances :
ib
hie
R1 // R2

vg

hfeib
i RE

Rc

vs

RE

Calcul de la fonction de transfert vs/vg :

v g hieib RE iRE hie h fe RE ib

vs Rc h fe ib

Rc h fe
vs
Rc

h
vg
hie RE h fe
RE ie
h fe

Pour RE >> hie/hfe on retrouve le rsultat de la page 94.

101

Autre exemple :

R1=10

Rgulateur de tension

IDz

Transistor de puissance
hFE h fe 50
hoe

DZ

Ve =
15 2V

DZ = diode Zener avec |VZ|=9,4V

Imin = 1 mA

IR2

IC
T

RL

charge: RL 25
Vs =VS + vs

R2
= 500

ondulation rsiduelle
composante
continue

En statique : Ve = 15V
VD VZ et VBE 0.6V VS 10 V
V VS
I R1 e
0.5 A
R1

I R2

0.6
1,2mA
500

10
I RL
0.4 A
RL

I C I R1 I DZ I RL 0.1 I Dz
et
I
I Dz I R2 I B 0.0012 C
h fe

I
I DZ 3mA , IC 97 mA et I B C 2mA
hFE

102

Efficacit de rgulation ondulation rsiduelle : Ve varie de 2V, quelle est la variation rsultante de Vs ?
Etude dynamique du montage :

I c 100mA hie

R1

C
Rz

ve
R2

ib
hie

I E mA

13

vs

RL

hfeib

R1

Rz

vs Rz hie ib

ib
hie

i h fe 1 ib

hie <<R2
ve

h fe 25mV

RL

vs Rz hie Rz hie

0.4
i
h fe 1
h fe

vs

hfeib

103

R1

ve

0.4

RL

vs

Rz hie
h fe
v
Rz hie
s

0,03 1
ve Rz hie R
Rz hie h fe R1
1
h fe

Le mme montage sans transistor aurait donne une ondulation rsiduelle de

vs
Rz R2 // RL 0.7

ve Rz R2 // RL R1

104

 Modle dynamique hautes frquences

Aux frquences leves on ne peut pas ngliger les capacits internes des jonctions EB et BC.
En mode actif :
la jonction EB introduit une capacit de diffusion Cd
la jonction BC introduit une capacit de transition Ct .

Schma quivalent dynamique hautes frquences

B

Ct

rce
iB
Cd

hFE rse

iC C
hfe iB

ro

E
Ces capacits influencent le fonctionnement du transistor aux frquences leves et sont
responsable d une bande passante limite des amplificateurs transistor bipolaire (cf plus loin).

105

4.7 Amplificateurs transistors bipolaires

4.7.1 Caractristiques dun amplificateur
Rg

amplificateur
+VCC

ie
ve

vg
source

Ze
vs

Zs
-VEE

il

RL
charge

vL

Fonction: amplifier la puissance du signal

tout amplificateur est alimente par une source denergie externe (ici: VCC et (ou) VEE)
v
Lentre de lamplificateur est caractrise par son impdance dentre Z e e
ie
La sortie agit comme une source de tension vs caractrise par son impdance de sortie Zs
Zs = rsistance de Thvenin quivalent au circuit vu par RL

106

 Gain en tension :

Rg

Comme Zs 0 le gain en tension dpend de la charge

Dfinitions
Gain en circuit ouvert :

v
Gain sur charge : AvL L
ve

Gain composite:
(tient compte de la
rsistance de sortie
de la source)

ie
ve

vg

v
v
Av L
s
ve R ve
L

+VCC

source

Ze
vs

Zs
-VEE

iL

RL
charge

RL
Av
RL Z s

Ze
v
Avc L
AvL
v g Ri Z e

Gain en courant :

A Z
i
Ai L vL e
ie
RL

Gain en puissance :

v i
A p L L Avc Ai
v g ie

Comme Ze , Avc diffre de AvL

107

vL

 Lamplificateur idal :
Gains indpendants de lamplitude et de la frquence (forme) du signal dentre
Impdance dentre leve peu de perturbation sur la source
Impdance de sortie faible peu dinfluence de la charge

La ralit...
Domaine de linarit : distorsion du signal pour des amplitudes trop leves
Nonlinarit des caractristiques lectriques des composants
la tension de sortie ne peut dpasser les tensions dalimentation
Bande passante limite : le gain est fonction de la frquence du signal
capacits internes des composants
condensateurs de liaison
Impdances dentre (sortie) dpendent de la frquence

108

4.7.2 Amplificateur metteur commun (EC)

Particularits des amplificateurs EC :
Le transistor en mode actif
Le signal dentre est appliqu (inject) la base du transisor
La sortie est prise sur le collecteur
La borne de lmetteur est commune lentre et la sortie Emetteur commun

Les diffrences dun amplificateur EC lautre sont :

Le circuit de polarisation
Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.
La prsence ventuelle de condensateurs de dcouplage (cf plus loin).

109

Exemple :

VCC
RC

R1
CB

Polarisation par diviseur de tension

Couplage capacitif avec la source, vg, et la charge RL.

CC
RL

vg
R2

vs
hypothses :

RE

Point de repos du transistor: mode actif

( choix des rsistances)

A la frquence du signal les impdances condensateurs de liaison sont ngligeables :

1
1
R1 // R2 ;
RL
C B
CC

CB est ncessaire pour que le point de fonctionnement statique (vg=0) ne soit pas modifi par
la prsence du gnrateur de signaux.
Cc vite que la charge voit la composante continue de VC, et quelle influence le point de
repos du transistor.

110

 Analyse statique : Les condensateurs agissent comme des circuits ouverts

circuit de polarisation pont diviseur

Analyse dynamique :

R1

rB R1 // R2
rc RL // RC

ie

RC
vg

C
RL

vg
R2

vL

RE

rc h fe
Gain en tension (sur charge): A v L
vL
ve
hie RE h fe

ib
rB

ve

hie
RE

iRE

hfeib

rc

vL

iRE h fe 1 ib

Gain en circuit ouvert :

Remplacer rc par Rc

111

ie

Impdance dentre :
Ze dpend de lendroit do vous regardez
lentre de lamplificateur.

rB

ve

Impdance dentre vue de la source :

v
Z e e rB // hie h fe 1 RE rB // h fe RE
ie

Ze

h feib

hie

RE h fe 1

Ze '

schma quivalent vu de la source :

VRE RE h fe 1 ib

Impdance dentre vue aprs les rsistances de polarisation :

Z e ' hie h fe 1 RE h fe RE

(hie ~qq. 100 qq. 1k Ohms)

ie

Gain en courant :
i
Ai L
ie

h fe
hie h fe 1 RE

rB

vg

iL
rB

ve

hie

hfeib

rc

RE

112

 Impdance de sortie :
Zs dpend de lendroit do vous regardez la sortie.

hfeib

Rc

RL

Impdance de sortie vue de la charge (RL): Z s Rc

Zs

Zs

Zs de lordre de quelques k loin dune source de tension idale

AvL diminue lorsque RL < ~Rc
Parfois RC constitue aussi la charge de lamplificateur (tout en permettant la polarisation du
transistor)

'
Impdance de sortie vue de Rc : Z s " "

ne tient pas compte de leffet Early (hoe)

approximativement vraie tant que le transistor est en mode actif

113

ie

Avec leffet Early :

vg

iL
rB

ve

hie

1
hfeib hoe

Rc

vsortie

RE

Zs
Mthode de calcul possible (en fait la plus simple ici) :
Zs = RThAB = rsistance entre A et B, avec vg court-circuit
= vs / i s !
A

rB

ib

hie

1
hfeib hoe

RE

is

vs

1 :

vs hoe 1 is h feib RE is ib

2 :

0 hieib RE is ib

h fe RE

vs
RE hie

1
Z s hoe 1

is
hie RE hie RE

114

 Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :

Ic

vce vL RE ic rc RE ic
vce
ic
rC RE

droite de charge dynamique: pente 1/(rc+RE), passe par Qrepos

vce
ic

IBQ

droite de charge statique

Q(repos)

V VCE
I C CC
RC RE

VCE

vce
t

le point de fonctionnement reste sur une droite de charge dite dynamique

115

La forme du signal de sortie change lorsque le point de fonctionnement touche les limites,
bloque ou sature, du domaine linaire.

vs rcic

rc
vce vs vce
rc RE
VCEQ

Ic

droite de charge

Q(repos)

ICQ

Ic

IBQ

IBQ

Q(repos)

VCE

VCEQ

VCE

rc RE ICQ
vce

Point de repos optimale pour une dynamique maximale : VCEQ rc RE I CQ

116

 Amplificateur EC avec metteur la masse :

RE est ncessaire pour la stabilit du point de fonctionnement statique.
RE diminue considrablement le gain...
Remde : dcoupler (shunter) RE par un condensateur en parallle
seul le schma dynamique est modifi.
VCC
RC

R1

pour CE ou f suffisamment* lev :

ie

CB

CC
RL

vg
R2

*:

RE

h
RE // CE ie
h fe

vs

vg

ib
rB

ve

hie

hfeib

rc

CE

117

 Gain en tension (sur charge):

Av L

or

rc h fe
hie

r
c >> gain avec RE
rf

kT
rf
IC

le gain dpend fortement de rf

(rsistance interne de la fonction BE)
(la contre-raction nagit plus en dynamique)

rI
AvL c C
kT

Le gain dpend de IC distorsion du signal aux amplitudes leves

Impdance dentre de la base :

v
Z e e hie
ib

Impdance de sortie : Z s hoe 1 // Rc

significativement rduit...

(vue de la charge RL)

118

 Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :

vce ic rc droite de charge dynamique

Ic

vce
ic

ICQ

Q
droite de charge statique

VCE

VCEQ
rc I CQ

Il y a dformation du signal ds que : vs min VCEQ , rc I CQ

Le point de repos optimal correspond

VCEQ rc I CQ

119

 Lamplicateur EC en rsum :
Emetteur la masse :

R
R
Gain en circuit ouvert : Av C h fe C 1 en valeur absolue
hie
rf
Impdance de sortie :

Z s RC

(de q.q. k )

Impdance dentre de la
base du transistor:

Z e hie

(de q.q. k )

Avec rsistance dmetteur (amplificateur stabilis ):

Gain en circuit ouvert :

Impdance de sortie :
Impdance dentre de la base:

Av

RC
R
C
r f RE RE

Z s RC

Z e hie h fe 1 RE

(leve, hfe ~100-200)

Linconvnient du faible gain peut tre contourn en mettant plusieurs tages

amplificateur EC en cascade (cf. plus loin).

120

4.7.3 Amplificateur collecteur commun (CC) ou encore montage metteur suiveur

Particularits des amplificateurs CC :
Le transistor en mode actif
Le signal dentre est appliqu (inject) la base du transisor
La sortie est prise sur lmetteur
La borne du collecteur est commune lentre et la sortie Collecteur commun

Les diffrences dun amplificateur CC lautre sont :

Le circuit de polarisation
Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.
La prsence ventuelle de condensateurs de dcouplage.

121

Exemple:

VCC

R1
C

Polarisation par diviseur de tension

C

vg
R2

Couplage capacitif avec la source, vg, et la charge RL.

isortie

E
RE

RL

hypothse: Mode actif

vs

Ze

Analyse simplifie ( 1ire approximation ) :

Mode actif VBE 0.7V

v
Av s 1
vg

VE VB 0.7V vs vE v B v g

Lmetteur suit la base.

122

 Analyse dynamique :
ientre

vg

transistor

ib

R1//R2

hfeib

hie

iL

RE

vs

RL

RE
1
RE r f

Ze
RE

Gain en tension en circuit ouvert :

Av

Gain en tension sur charge : Av

L

rE
1 avec rE RE // RL
rE r f

RE

hie
h fe 1

RE r f

kT

I E

Impdance dentre : Z e rB // hie h fe 1 rE 1

Gain en courant :

Ai

iL
ientre

vs

vg

RL
Ze

Z
AvL e
RL

Ze
1
RL

123

 Impdance de sortie
ib

hie
is
hfeib

RE

rB

vs
vs

vs RE is h fe 1 ib

s
E is h fe 1
vs hie ib

RE hie
Zs

hie RE h fe 1

RE

hie
h fe 1

hie
h fe 1

v
Zs s
is v 0
g

hvs
ie

hie !
RE //

rf
h fe 1 h fe
RE
hie

124

 Dynamique de sortie
VCC

droite de charge dynamique : pente 1/rE

Ic

R1
C

vg
R2

droite de charge statique

V VCE
I C CC
RE

Q(repos)

isortie

VE VCC VCE
RE

RL

vs

rE I CQ

VEmax VCC -0.2V

VCE
VEmin 0 V

Point de repos optimal : VCEQ rE I CQ

Le point optimal dpend de la charge.

125

Lamplicateur CC en rsum :
Av 1

Z e R1 // R2 //( hie h fe rE ) h fe RE
Rg hie Rg hie
Z s RE //

h fe 1
h fe
Av L Av

RL
Av
RL Z s

peut tre de lordre de quelques 100k

infrieure quelques dizaines d Ohms

Z
i
Ai L Av L e 1 hfe si RE constitue la charge
ie
RL
(iL = ic et ie ib )

Intrts du montage :
Faible impdance de sortie

Impdance d entre leve

Applications :
Etage - tampon Isolement d une source haute impdance de sortie d une charge basse
impdance.
exemple :
1

Amplificateur de puissance (cf plus loin)

126

4.7.4 Amplificateur base commune (BC)

Particularits des amplificateurs BC :
Le transistor en mode actif
Le signal dentre est appliqu (inject) lmetteur du transisor
La sortie est prise sur le collecteur
La borne de la base est commune lentre et la sortie Base commune
VCC

RC

hfeib
E

R1
RL

RE

C
hie

rc

ib B
R2

RE

vg

127

hfeib

Proprits :

Gain en tension :

Av L

ve

h fe rc

RE

ib B

hie
Ze

Gain en courant :

Ai

h fe
hie
h fe 1
RE

Impdance dentre : Z e RE //

rc

hie

Zs

hie
h
kT
ie r f
h fe 1 h fe 1
I CQ

Impdance de sortie : Z s "" (hoe = 0)

sinon

quelques .

1
Z s hoe

comportement en source
de courant

128

Exemple dapplication : convertisseur courant - tension

quadriple quivalent ltage BC

R
is

ie
vg

ie

Ze Ai ie

vg
R Ze

vg
R

~indpendant de Ze

RL
Zs

vs RL is RL Ai ie

tant que RL <<Zs.

tension de sortie courant dentre

Lorsque vg = 0, (ie=0), la sortie est vue par la charge comme une rsistance trs grande (hoe-1)
(cf. charge active)

129

4.7.5 Influence de la frquence du signal

On se limitera au montage EC pour illustrer linfluence de la frquence du signal sur les
performances dun amplificateur transistor bipolaire.
Limitation basse frquence condensateurs de liaison et de dcouplage
Limitation haute frquence capacits internes au transistor
Basse frquence

C et Ce court circuit

filtres passe-haut

+VCC
R1

Rg

RC

dynamique

RG
RL

vg

R1 // R2

ib
hie

hfeib

RE

R2 RE

RC

RL

CE

Z E RE // C E 0
ZE diminue le gain
(voir ampli stabilis)

1
, avec r R1 // R2 // Z e Rg
2 rC
Ze = impdance
d entre de l tage
Frquence de coupure infrieure du
montage = max f ci , f co
f ci

f co

1
2 RL RC C

130

Hautes frquences
ib
hie

Rg

Cbc

R1 // R2

Rc // RL

hfeib

Cbe

qualitativement: aux frquences leves, Cbe court-circuite la jonction base-metteur

ib diminue

Cbc cre une contre-raction.

On montre que :

Comportement en filtre passe-bas, avec

f ch

h fe

2 Cbe Cbc 1
RL hie // Rg // R1 / 2
hie

131

4.7.6 Couplage entre tages

Objectif
Coupler plusieurs tages pour amliorer les proprits du circuit...
Exemple : Amplificateur avec
- gain en tension lev
- faible distorsion
- bonne stabilit (thermique, dispersion)
- impdance dentre leve
- impdance de sortie faible
Solution possible :

stabilit et faible distorsion EC stabilis (RE)

gain lev plusieurs tages en cascades
Ze leve tage C.C en entre
Zs faible tage C.C en sortie

Difficults du couplage : Polarisation de chaque tage

Gain sur charge : chaque tage charge ltage prcdent
Rponse en frquence de lensemble (cf. couplage capacitif)

132

 Couplage capacitif
Utilisation de condensateurs de liaison, CL
Exemple: amplificateur trois tages CC - EC - CC
+VCC
RC

R1

R1

R1

CL

CL
CL

ventre

RE
R2

C.C.

CL
R2
RE

E.C.

CE

R2

charge

RE

C.C.

Les points de fonctionnement des 3 tages sont indpendants (en statique CL = circuit ouvert)
(dans lhypothse o la rsistance interne de Vcc ngligeable)
Les paramtres dynamiques (gains, impdances) ne sont pas indpendants
ex: limpdance dentre du 3ime tage (= charge de ltage E.C.) dtermine le
gain sur charge du 2ime tage, etc.

133

+VCC
RC

R1

R1

R1

CL

T1

ventre

RE
R2

C.C.

CL

T2

CL
R2
RE

E.C.

CE

T3

R2

CL

charge

RE

C.C.

ier
ier
ier
AvL montage AvL 1 t. AvL 2 t. AvL 3 t.

comme

Z e E.C Z sCC et Z eC .C Z s EC

AvCC 1 AvL montage Av E.C

AvL tages Av

Rc h feT2
hieT2

Inconvnient: les condensateurs imposent une frquence de coupure basse au montage (cf.134
plus loin)

Couplage direct
Pas de frquence de coupure basse
Les circuits de polarisation des diffrents tages ne sont pas indpendants.

30V

Un exemple :

24k

hfe ~100

5k

27k
T4
T3

T2

T1 ,T2=PNP!!
vg
AvL ~1

2.4k

vs

680

T1

Av -10
E.C.
E.C.
AvL -40 = gain en circuit ouvert
(2.4k x hfe>> 27k)

2 suiveurs
Darlington

Amplificateur de tension stabilis :

Av AvEC #1 AvEC #2 AvEC #1 AvEC #2

L
L

T T
T T
Ze leve : Z e h fe1 Z e 2 h fe1 h fe2 5000 50 M

Zs 24 k

135

 Analyse statique :

VCC= 30V
24k

VCC polarise en directe les deux

jonctions EB de T1 et T2
(transistors PNP)

5k

27k
3V

En statique, vg = 0

0.7V

T1
VCE
0.7V

0.7V

T1 en mode actif

T4
T3
T
I E3

T2

2.4k

vs

680

T1

VCE2 1.4V
T2 en mode actif
T

VE 3 0.7V I C3 I E3 1mA
VE 4 2.3V I C4 I E4 1mA

VC 4 6V

3 2.3V T en mode actif

VCE
3

VCE4 3.6V T4 en mode actif

I E 2 5.7 mA et I E1

I E2

hFE T2

136

 Mais attention.

VCC= 30V
24k

refaisons le calcul avec VBE=0.6V :

5k
T2
VCE
1.2V

3V

VET3 0.6V

0.6V
0.6V

I CT3 I ET3 0,88mA 0,9mA

T3
VCE
5.7V

27k

au lieu de 3V

vg

T4
T3

T2
T1

T
I E3

2.4k

vs

680

VET4 5.1V I CT4 I ET4 2,1mA 2mA

T4
VCE
18V

T4 en mode satur !!

Amplification des drives des composantes statiques

137

 Couplage par transformateur :

tage EC

condensateur d accord:
le circuit rsonnant, LC, limite la
transmission aux frquences
proches de la frquence de
rsonnace

Av Z c

r f

condensateur de dcouplage
(masse en alternatif) (EC)

polarisation par
diviseur de
tension
transmission du signal dun tage l autre par le transformateur
Application majeure: essentiellement en radiofrquences (>500kHz)
exemple: syntonisation d une station radiophonique ou d un canal de tlvision

138

4.7.7 Amplificateurs de puissance

Impdance de sortie et amplicateur de puissance
Puissance moyenne fournie par lamplificateur :

Zs
iL
vs

RL
charge

vL

2
v
P v L t iL t L
2 RL

RL
vs
RL Z s
2 RL

RL vs 2

2 RL Z s 2

1
cos 2 t , v L amplitude du signal
2
tage de sortie
dun amplificateur

2
dP
v
0 RL Z s
Puissance maximale:
Pmax s
dRL
8 Zs
(adaptation dimpdance)

Pour vs constant, Pmax augmente quand Zs diminue

A.N. vs=1V : Zs=10kPmax=0.012mW | Zs=10Pmax=12mW
Rg
vg

Etage CC
Ze

Zs
vg

charge

gain en puissance en conditions

dadaptation dimpdance avec et
sans tage amplificateur = Zs /Rg

139

 Amplificateur de Darlington
Amplificateur comprenant deux tages metteur-suiveur monts en cascade
Vcc
Darlington

Gain en tension :
Limpdance dentre de T1 est trs leve et ne
charge pas beaucoup T2

R1

Av 1

T2
vg

R2

Impdance dentre du Darlington :

(aprs les rsistances du pont diviseur)

T1
vs

Limpdance dentre leve de T1 constitue la

rsistance dmetteur (RE) de T2

RE

Z e h fe2 Z eT1 h fe2 h fe1 RE 1

Ze
T1: hfe1 T2:hfe2

Ib (T2) trs faible choix de R1 et R2

Gain en courant :
T

iE1

T
iE1 ib1

T T

iE1 iE2
Ai

h fe1 h fe2
T2
T1 T2
T1 T2
ib
ib ib
ib ib

140

 Impdance de sortie du Darlington :

Z sT2 hieT1
Zs

h fe

Vcc

hieT2
hieT1
h fe
2

h fe1

hieT2
2
h fe1 h fe2

R1
T2
vg

R2

I E2

puisque
T1

I E1

T2
kT h fe1
kT
h
T
ie
hie 1

e I E1
e I E2 h fe2

vs
RE

I E2 I B1

I E1
h fe1

h fe hFE

h
Etage CC unique : Z s ie
h fe

Pmax tage CC avec Darlington Pmax simple tage CC

141

 Darlington = supertransistor bipolaire.

Existe sous forme de composant discret trois bornes, nomm transistor Darlington. Il se
comporte comme un seul transistor gain en courant extrmement lev.
(ex: 2N2785: hfe=2000-20000.)
Existe aussi avec des transistors PNP.

Utilis frquemment pour les applications d isolement entre tages (Ze trs leve, Zs trs faible)

Utilis frquemment comme tage de sortie des amplificateurs de puissance (Z s trs faible)

142

 Amplificateur Push-Pull
Amplificateur classe A / classe B
Dans les montages amplificateur vus prcdemment, les transistors sont chaque
instant en mode actif
Amplificateur de classe A
Avantages:
faible distorsion (en cas damplificateur stabilis)
simplicit
Inconvnients :
Amplitude de sortie limite (typ: 0.2<VCE<Vcc vCEmax~Vcc/2)
Importante consommation en absence du signal : courants de polarisation non nuls
+VCC
R1
Ip

I CQ

RC

Palimentation Vcc I CQ I p

ex: Vcc = 15V, IC=1mA, Ip = 0.1mA => P ~ 15mW

R2
RE

en absence de signal

Amplificateur classe B: transistor bloqu en absence de signal dentre. (ex: Push-Pull)

Avantages:
faible consommation, dynamique de sortie leve

Inconvnients :
Distorsion du signal

143

 Push Pull

Principe de fonctionnement

Exemple :

Transistors bloqus au point de repos

(amplificateur classe B ).
R1 et R2 sont telles que (lorsque vg=0) on a

+Vcc
ICNPN

R1
B

VBE NPN ~ 0.6 et VEB PNP ~ 0.6V

NPN

Transistors bloqus (de justesse): IB~0 =>IC~0

R2

NPN
PNP
VCE
VEC
VCC

vg

~1.2V

R2

RL
B

R1

PNP

ICNPN ICPNP
vsortie

NPN VCC
PNP
VCE

VEC
Q
Q
2

ICNPN

ICPNP
VP

ICPNP

IB~0

IB~0

IC
0
-VCC

NPN
VCE
Q

PNP
VCE
Q

VCENPN
VCC
0

VCEPNP

144

metteur suiveur
+Vcc

En prsence dun signal dentre chaque transistor

est alternativement actif ou bloqu ( Push-Pull )
Si v g>0 NPN actif, PNP bloqu

R1
B

V p VB 0.7V
V p VB v g

NPN

R2
P

vg

~1.2V

R2

RL
B

R1

PNP

vsortie

Droite de charge dynamique

IC

v
ic CE
RL

droite de charge statique

VCEQ ~VCC/2
Amplitude max : VCC/2
IB=0

VCC/2

VCE

si vg<0 NPN bloqu, PNP actif

145

Formation du signal de sortie

ib NPN

IC

IC

vg

NPN

h fe RL

VCE
t

PNP
VEC

ibPNP
Signal de sortie:
vsortie
NPN actif

t
PNP actif

Plus grand domaine de fonctionnement

146

Difficults de cet exemple

positionnement du point de repos
VBEQ trop faible

IC
ICsat

t
t

VCE

transistors bloqus

Distorsion de croisement : Si VBE trop faible au repos, les deux transistors seront bloques
pendant une fraction du cycle.

Risque demballement thermique (pas de contre-raction)

147

Polarisation par diodes

Point de repos
+Vcc
R1
NPN

Idalement D1, D2 = diodes de caractristiques

apparis aux transistors

D1
ID 2 VBE
vg

choix de R1 : ID ~0
comme VD =Vbe IE ~ID ~0

RL

D2
PNP

vsortie

R1

Remarques:
L amplificateur Push-Pull existe aussi avec des paires de Darlington
Zs plus faible puissance maximale suprieure

148

4.7.8 Amplificateur diffrentiel

Deux signaux dentre, V+, V Sortie = collecteur d un transistor

+Vcc
Rc

Rc
Vs

hypothse : T1 et T2 apparis (circuit intgr)

RB
Rgime statique : V V 0
Par symtrie : IE1=IE2=IE

T1
IE
RE

T2
IE

RB

2IE
-VEE

Pour RB <<hfeRE : VR RB I B 2 RE I E VEE 0.7 2 RE I E

B
V 0.7
I E EE
2 RE
Tension continue en sortie : Vs VCC Rc I E

149

 Rgime dynamique:

+Vcc

Mode diffrentiel:

Rc

hyp: V V " ve "

I E1 I E ie 1

et

Rc
Vs

I E2 I E ie
2

RB

avec IE la composante continue du courant metteur.

Pour de signaux dentre de faible amplitude : ie ie

2
1
Par consquent : I RE I E1 I E2 2 I E

T1

T2

RB

RE
-VEE

Le courant dans RE na pas chang, et la tension en E reste constante.

E constitue une masse dynamique !
d o le gain en mode diffrentiel :

Rc

Rc

Rc h fe
v
Ad s
1
ve
hie

vs
RB

RB

V+ = entre non-inverseuse
V- = entre inverseuse

ve

ve

tage EC
vs

Rc h fe
hie

ve

Rc h fe
hie

ve

150

 Mode commun:
hyp:

V V ve

+Vcc

I E1 I E ie
et I E2 I E ie

Rc

Vs

I RE I E1 I E2 2 I E ie

RB

VE 2 RE I E ie 2 RE I E 2 RE ie

T2

RB

Rc

RB

RB

E
ve

ve
2RE

-VEE

vs
E

T1

RE

La tension en E quivaut celle dun tage unique

ayant une rsistance d metteur double. D o le
schma quivalent :
Rc

Rc

2RE

2 tages EC stabiliss indpendants

vs

Rc
ve
2 RE

do le gain en mode commun :

Ac

Rc
1 pour RE RC
2 RE

151

 Signaux dentre quelconques :

On peut toujours crire :

V V V V
V

Vmc Vmd
2
2
V V V V
V

Vmc Vmd
2
2

avec

V V
V V
Vmc
et Vmd
2
2

Do, par le principe de superposition :

CMMR

Ad 2h fe RE

Ac
hie

vs Ad vmd Ac vmc Ad vmd mc

CMRR

= taux de rjection en mode commun

(common mode rejection ratio)

Intrts de lamplificateur diffrentiel : Entres en couplage direct (seule vmd est amplifie)
Ampli. diffrentielle = tage dentre des Amplificateur oprationnel.
Impdance dentre et CMRR trs levs

152

 Polarisation par miroir de courant

Il faut

CMRR

2h fe RE
hie

1
+Vcc

Choisir RE trs leve pose plusieurs problmes:

ncessite une augmentation de lalimentation
pour maintenir Ic (donc le gain) constant

Vs

incompatible avec la technologie des circuits

intgrs.

il suffit que RE soit leve en rgime dynamique !

RB

T1

T2

RB

IEE
R

Solution = source de courant ( R,D,T3)

T3
D

hyp: D et T3 = apparis

Rc

Rc

IE3

-VEE

V VEE 0.7
I EE I E3 cc
R

153

 Miroir de courant
Hyp: la caractristique I(V) de la diode est identique (apparie) celle de la jonction PN du transistor
V 0.7
I D al
R

Val

comme VBE = VD

IC = ID
ID

VD

IC est le miroir de ID
IC

I ne dpend pas du circuit en pointill

vu de A, le circuit se comporte comme une source de
courant idal (tant que le transistor est actif)
en tenant compte de leffet Early, IC dpend
lgrement de VCE

154

Schmas quivalents du circuit vu de A :

schma dynamique
petits signaux

schma statique
grands signaux

Val

R
IC=ID +VCE . hoe
ID

iC=vCE . hoe

IC
ID

R ~hoe-1

R ~hoe-1

VD
R > 100 k

155

Schma quivalent de lampli diffrentiel:

en dynamique
+Vcc

vs

Vs

IEE

hoe-1

hoe-1

-VEE
hoe-1 (effet Early de T3) est de lordre de quelques 100k
En dynamique, hoe-1 joue le mme rle que RE et augmente considrablement CMRR.

156

Exemple dapplication
Thermostat

157

Exemple dapplication
Thermostat
charge active

R
0.5mA

A
Figure 2.76

paire diffrentielle

source de courant

158

Exemple dapplication
Thermostat
Si VA> VB

R
0.5mA

A
Figure 2.76

paire diffrentielle

source de courant

159

Exemple dapplication
Thermostat
Si VA> VB

0.6V

0.6
6A
0.1

R
0.5mA

A
Figure 2.76

paire diffrentielle

source de courant

160

Exemple dapplication
Thermostat
Si VA< VB

0V

I 0A

R
0.5mA

A
Figure 2.76

paire diffrentielle

source de courant

161

5. Transistors effet de champ ou FET (field effect transistor)

5.1 Introduction
Caractristiques de base
Composant trois bornes : S, D et G, (parfois quatre: substrat)
Un courant (ID) peut circuler de
la source S au drain D via le
canal (zone dans le
semiconducteur, proche de
linterface avec la grille):
Le courant circulant dans la grille (IG) est ngligeable.
=> IS = ID !

VGS
S

VDS
D

ID
substrat (Si)

canal

ID , VDS constant, est command par la tension

de grille source (VGS) effet du champ
lectrique
FET canal N : courant port par les lectrons, de S vers D
(sens positif de ID: de D vers S)
FET canal P : courant port par les trous, de S vers D
(sens positif de ID: de S vers D)

162

 Allure gnrale des caractristiques de sortie : I D VDS V

DS

ID

Rgime
linaire

Mode actif
VGS = cst

~rsistance
module par
VGS

~ source de
courant
commande par
VGS

VDS
limite de zones

163

 Diffrences entre FET et transistor bipolaire :

IG << IB
Impdance dentre trs grande (parfois > 1014)
Montages de polarisation plus simples
Rgime linaire
pente = f(VGS) rsistance variable (pas dquivalent pour le bipolaire)
VDSsat > VCEsat : tension rsiduelle du transistor en mode satur plus leve.
Rgime de saturation (mode actif)
ID command par une tension
dI d
(au lieu de hfe)
transconductance g m
dVgs
Dispersion de fabrication plus leve sur gm que sur hfe
Caractristiques transverses en mode actif :
Bipolaire : VCE cst, IC =IB ou IC = IE
FET: VDS cst, ID = f(VGS) = relation non-linaire
dpend du type de FET.

164

 Diffrences entre FET et transistor bipolaire :

figure 3.2 p 115

165

 Diffrents types de FET

JFET : FET jonction : La grille et le canal forme une jonction PN
S

D
G
JFET canal P

D
G

JFET canal N

Transistor normalement passant

ID est maximal pour VGS = 0, et diminue lorsquon augmente VGS (en valeur absolue).
ID est nulle lorsque VGS dpasse une valeur limite VGSoff.
Canal P : VGS > 0 la charge positive sur la grille repousse les trous
Canal N : VGS < 0 la charge ngative sur la grille repousse les lectrons

166

 MOSFET (Mtal Oxyde Semiconducteur FET) enrichissement :

La grille et le canal forment un condensateur plaques //, lisolant tant loxyde du silicium.

substrat

G
S

MOSFET : canal N

substrat

G
S

canal P

transistor normalement bloqu .

ID est nul lorsque VGS = 0 et augmente ds que VGS dpasse une valeur seuil Vs
Canal P : Vs < 0 la charge ngative sur la grille attire les trous
Canal N: Vs > 0 la charge positive sur la grille attire les lectrons

167

 La ligne pointille indique que le canal est inexistant tant que VGS < Vseuil

Le substrat est gnralement reli la source.

Les transistors MOSFET appauvrissement :

comportement similaire au JFET, mais VGS >0 (canal N) autoris
trs peu utiliss
non traits en cours.
Dautres symboles sont parfois utiliss pour les mmes composants
Exemples:

168

 Caractristiques dun JFET canal N :

Conditions de fonctionnement : VGS 0 , VDS 0

VDS sat VGS VP

ID (mA)
VDS VDS sat

16 I DSS

VGS=0

12
8

transistor
bloqu
VGS(V)

VGS=-1V

4
-2 -1.5 -1 -0.5

VGSoff

Rgime de saturation

Pour VDS VDS sat :

Rgime linaire

Pour VDS VDS sat :

2V

V
I D I DSS 1 GS

VGS off

VDS (V)

k VGS VGS off

I DSS

VGS off 2

I D 2k VGS VGSoff DS VDS

2

pour VGS < VGSoff, ID 0, transistor bloqu.

pour VGS >0, le courant IG augmente rapidement (zone non utilise).
tension de pincement VP ~ - VGSoff

169

 Caractristiques dun MOSFET canal N :

VDS sat VGS VS

VDS VDS sat

ID

ID
transistor
bloqu
VGS(V)
Vs

VDS (V)

I D k VGS Vs 2

Rgime de saturation

Pour VDS VDS sat :

Rgime linaire

V
Pour VDS VDS sat : I D 2k VGS Vs DS VDS
2

pour VGS < VS, ID 0, transistor bloqu

VGS-VS = tension dattaque de grille .

170

En rsum :

VDS VDS sat

VGSoff

Vs

Vs

VGSoff

171

5.2 Schmas quivalents petits signaux

VDS VGS VP

Rgime linaire :
ID
Q

VDS
G

RDS
S

Pour VGS > VP , et VDS <VGS +VP : RDS

rsistance fonction de VGS

V
k VGS VP DS
2

avec k = constante
dpendant du composant

Condition: VDS suffisamment faible (<VGS+VP ), souvent infrieure 0.5V.

Dans ces conditions, Source et Drain peuvent tre inverss.
JFET: RDS(on) = RDS pour VGS 0
ordre de grandeur:

MOSFET enrichissement: RDS(on) = RDS pour VGS leve (~10V).

RDS on 0.05 10k

RDS off RDS VGS VGS off (canal N) M

172

 Rgime de saturation :

ID

Pour VDS VDS sat , ID est commande par VGS

VGS

I D k VGS VS 2

VDS
ID est command par VGS
id g m v gs avec g m I D
=transconductance
VGS V
DS

ID (mA)
16
12

schma linaire quivalent:

id D

G
v gs

g m v gs

vds

VGS(V)

-2 -1.5 -1 -0.5

VGSoff

tient compte de laugmentation de vds avec id

(quivalent de leffet Early)
caractristique ID(VGS) non-linaire : gm (VDS)

173

JFET

V
g m g mo 1 GS

VGS off

, avec g 2 I DSS
= pente pour VGS=0
mo

V
GS off

gm varie linairement avec VGS .

MOSFET enrichissement
g m 2k VGS Vs

Ordre de grandeur : gm=1 - 10 mA/V (mS ou mmho) g m 1 0.1 1k

174

5.3 Quelques circuits de polarisation

Objectif : fixer le point de fonctionnement au repos

Polarisation automatique par rsistance de source dun JFET:

+VDD
RD
ID
IG 0 G

ID

D
S

ID

RG

ID

1
VGS
RS

VGS

VP
VGSQ
Dipersion de fabrication
VGS

I D I DSS 1

VGS off

V
I D GS
RS

V
VDS
I D DD
RD RS

VGS

Q
Q

RS

ID

VDS

VDSQ

ID , VGS , VDS .

175

 Polarisation par raction de drain (MOSFET enrichissement)

+VDD

V
VDS
I D DD
RD

RD
RG

ID

ID
D

I G 0 VGS VDS

Q
VGS

S
VGS(V)

VDS (V)
VDD

I G 0 VGS VDS

176

5.4 Applications des FET

Sources de courant JFET
+VDD
charge

VGS 0

I D I DSS

Avantage du JFET: polarisation de la grille inutile.

Inconvnient : dispersion de fabrication sur IDSS.
IDSS= augmente avec VDS rsistance de sortie non infinie

Source de courant ajustable par la rsistance variable.

V
I D I DSS 1 GS

VGS off I D

V
I D GS

177

Source de courant plus grande impdance de sortie

+VDD

T2 et T1 tel que IDSS(T2) > IDSS(T1)

charge
I
T2

T1

T1 I = IDSS (T1 )
VGS (T2) est telle que ID(T2) = IDSS(T1)
VDS(T1) =VGS(T2)
influence de le charge sur VDS(T1) attnue

source de courant ordinaire

I varie moins avec la charge

impdance de sortie plus grande.

178

 Amplificateur source commune

Exemple :

VCC

hypothse: Mode actif , C trs leves

RD
C
D
S

C
vg

JFET

RG
RS

vs
C

Gain en tension (circuit ouvert) :

Impdance dentre : Z e RG

vg

vgs
RG
Ze

gmvgs

RD vs

Zs

Av g m RD
(RG peut tre prise trs grande, de lordre du Mou plus)

Impdance de sortie : Z S RD
gm = fonction de VGS distorsion quadratique

179

Stabilisation par une rsistance de source :

VCC

JFET

RD

vg

D
S
RG

vg
vs

RG

vgs

gmvgs

RD

vs

rS

rS

RS

Gain en tension : v g v gs rs g m v gs

et vs g m v gs RD

v
g R
RD
do : Av s m D
1
vg
1 rs g m
rs
gm
Linfluence de gm sur le gain est rduite si rs>>1/gm. Le gain en tension est plus faible.
rs introduit une contre-raction: v gs v g rs vs
(vs et vg en opposition de phase, Av <0)

180

 Amplificateur drain commun (ou source suiveuse )

ve

VCC
vg

vg

D
S
RG

RS

RG

G JFET D
vGS

gmvGS
S

RS

vs

Ze

vs
Zs

Gain en tension (circuit ouvert) : Av

g m RS
RS

1
1 g m RS g m 1 RS

Impdance dentre :

Z e RG

Impdance de sortie :

vsc.o.

Zs

isc.c

Rs
Rs g m 1

Rs // g m 1
g m Rs 1 Rs g m 1

181

 Rsistance commande
Pour VGS > VGSoff et VDS <VGS +VP :

RDS

k VGS VP DS
2

ex:
R
ventre

vsortie

vsortie

RDS
ventre
RDS R

= attnuateur variable, command par Vcom

Vcom

En choississant R RDS on , vsortie varie entre ~0 et ventre

Imperfection:
RDS dpend de VDS rponse non-linaire

182

Amlioration possible:

RDS

k VGS VP DS
2

R
vsortie
ventre
R1

Vcom

R1

VGS
RDS

VDS Vcom

2
2

I G 0

k Vcom VP

Linarit presque parfaite

183

Application: Commande lectronique de gain

exemple:

Etage EC avec rE =RDS (//200k)

15V
5k
75k

signal
dentre

signal de sortie

1F

50k

5.6k

100k

1F

R
5k
Av c
rE
RDS Vcom // 5,6k
Av

5k
Vcom V p
RDS Vcom

Vcom
100k

il faut RDS< 5.6k

amlioration possible: charge active pour RE.

184

 Interrupteur FET

Exemple dapplication:

185

 Inverseur logique
CMOS= Complementary MOS)

aucun courant drain circule,

quelque soit le niveau de sortie

186

6. Contre-raction et amplificateur oprationnel

Circuit boucl et rtroaction
Circuit boucl :

ve

vs

La sortie agit sur lentre

vs A e A ve B vs
?

vs

B.vs

A
ve
1 AB

Rtroaction positive : laction de la sortie sur lentre renforce la variation du signal de sortie
ex: A>0, B < 0
(sans dphasage)

vs Bvs e vs
la sortie diverge les composants sortent du domaine linaire
par exemple : transistor sature
vs

A
ve
1 AB

comportement non-linaire A,B modifis

Montage transistor avec rtroaction positive: transistor en satur/bloqu

187

Rtroaction ngative ou contre-raction :

ve

vs

Laction de la sortie sur lentre attnue la

variation du signal de sortie
B.vs

ex: A>0, B >0 (sans dphasage)

vs Bvs e vs

la sortie converge vers :

vs

A
ve G ve
1 AB

G = gain en boucle ferme :

G<A

Si AB >>1 , G

1
B

la variation ou toute incertitude sur A naffecte pas G.

Amlioration de la linarit

B = taux de rinjection

188

Exemple:

VCC

ic

RC

R1

CB

CC

ve

RL

vg

vs

hie
E
RE

hfeib
ie

i
Rc vs

R2R

vs i

ic ie vE RE ie e ib ic vs

RE contre-raction

v
R
v E RE ie RE s E vs B vs
Rc
Rc
e v g B vs

Rc ! 1
Av

RE B
indpendant de hie et hfe!

189

 Montage Srie - parallle (contre raction en tension):

ie

ve

vi

Av.vi

Ri

Ze

vs

Ampli.

vr

RL

Entre en srie avec le circuit de

rtroaction
Sortie en parallle avec B
Gain en boucle ferm:
G

retour:
B Ze B
vr B v s

vs
A

ve 1 AB

A= Gain en boucle ouverte :

= vs/vi avec boucle de raction ouverte, et
mme charge RL // ZeB
rL
A
Av Av si Ri rL RL // Z eB
rL Ri

Court-circuit virtuel :
vi

vs
ve

ve
A 1 AB

vi 0 pour A

pour AB>>1

v
avec ie i 0
Ze

= court-circuit virtuel, puisque i~0

Explication qualitative :
si vi tentait daugmenter, laugmentation importante de vs (A fois plus leve ) sopposera, via B,
cette variation.
190

ie

Impdance dentre
v
v B vs vi 1 AB
Z e B.F . e i

Z e 1 A B Z e
ie
ie
ie

ve

vi

Ze

Av.vi

vr

Ri

vs

RL

B.F.=boucle ferme
Limpdance dentre est augmente par la rtroaction :
Qualitativement : la contre-raction maintient vi proche de 0 ie0 ZeB.F.

Impdance de sortie
Qualitativement :

En prsence de limpdance de sortie ZsB.F., une diminution

de RL fera chuter la tension vs.
la diminution de vs induit, via la contre-raction, une
augmentation de vi , laquelle soppose la diminution de vs

limpdance de sortie est rduite (0 si A)

Limpdance de sortie est diminue par la rtroaction

191

Calcul de ZsB.F:

ve

v R
Lorsque RL Z s B.F on a vs RL s L
2

v s RL

A RL
ve
1 A RL B

vs

avec

A RL

vi

Av.vi

vr

Ri

vs

Ze B

RL

Zs

RL
B
B
Av et ri Ri // Z E Ri si Z E Ri
RL ri

Av

ve
ri
1 Av B
RL
v R
ri
vs s L
RL
Z s B.F . Ri
2
1 Av B

Conclusion
Si A : Gain stable, linarit parfaite, Ze infinie, Zs nulle !!
utilisation dun amplificateur oprationnel (A~104 - 106, Ri trs faible, Ze trs leve)

192

 Amplificateur oprationnel
Architecture dun amplificateur oprationnel:
+ Amplificateur
- diffrentiel

Etage
amplificateur
(EC, Darlington)

Ajustement
composante
continue

Emetteur
suiveur

sortie

Amplificateur
diffrentiel

amplification de v+-v(gain lev en mode diffrentiel )

attnuation de v v (gain <<1 en mode commun )
2
Ze leve Darlington, MOSFET,...

Etage amplificateur

augmente le gain total (Av>>1)

ex: montage metteur commun avec transistor composite
(Darlington, hfe >>1) et RC leve charge active

Ajustement DC

pas de composante continue en sortie

Emetteur suiveur

impdance de sortie faible

Configuration Push-Pull : domaine de linarit

193

 Le schma simplifi (!) du LM741 :

1.12V

Paire diffrentielle
avec Darlington

sources (mirroirs) de courant

EC Darlington

Push-Pull

194

 Exemples de circuits avec rtroaction ngative :

Sources de courant
VCC

Par contre-raction : vi0

R

R1

Ve

VCC
vi

R2

A.O.
VEE

Isortie
charge

I sortie

Isortie indpendant de la charge,

( leffet Early prs)
tension de commande = Vcc-Ve

Vcc

Version avec tensionde commande

refrence par rapport la masse :

R1
Ve

I sortie

R1
Ve
R2 R3

Vcc Ve
(hyp: hFE lev , AO parfait)
R

R3

Isortie

R2

195

Rgulateur
Contre raction :

transistor
de puissance (ex: 2N3055),
avec radiateur

entre
12V 30V
(non rgule)

V V

sortie : 10V
(rgul) 0 10 A

V A 5.6V

I1 1mA Vsortie 10V

Si VA diminuait V+>V-

Darlington

VB augmenterait
4.3k

10k

A
B

741

I1

Vs= VB -1.4 augmenterait

VA augmenterait
max
I sortie

5.6k

10
Z s Darlington

DZ:5.6V

196

197

198