Electronique Transistors bipolaires
TD : Transistors bipolaires
Exercice 1 :
Soit les montages de polarisation d'un transistor représentés ci-dessous. On donne : 𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉,
𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉, 𝑅𝐶 = 1 𝑘Ω, 𝑅𝐵 = 220 𝑘Ω , 𝑅𝐸 = 110 Ω.
1. Pour chacun des trois montages, calculer le courant 𝐼𝐶 pour 𝛽 = 100 puis pour 𝛽 = 300.
2. Quel est le montage le moins sensible aux variations de 𝛽 ?
Exercice 2 :
La figure ci-dessous représente un circuit de polarisation du transistor NPN par deux résistances
de base. On donne : 𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉, 𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉, 𝑅𝐵1 = 6.8 𝑘Ω , 𝑅𝐵2 = 2.2 𝑘Ω, 𝑅𝐶 = 3 𝑘Ω
et 𝑅𝐸 = 2 𝑘Ω.
1. Faire la transformation du circuit de polarisation vu de la base du transistor en son
équivalent de Thévenin et calculer 𝐸𝑡ℎ et 𝑅𝑡ℎ .
2. Calculer le courant 𝐼𝐶 pour 𝛽 = 100 et 𝛽 = 300. Conclure.
Electronique Transistors bipolaires
Exercice 3 :
Soit le montage ci-dessous. 𝑉𝐸 est un signal rectangulaire périodique d’amplitude 0/+5V. On
donne : 𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉, 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.6 𝑉, 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.1 𝑉, 𝑅𝐶 = 1 𝑘Ω , et 𝛽𝑚𝑖𝑛 = 100.
1. Calculer la valeur maximale de 𝑅𝐵 (𝑅𝐵𝑚𝑎𝑥 ) qui permet de saturer le transistor lorsque
𝑉𝐸 = 5 𝑉.
2. Pour garantir la saturation du transistor, on applique à 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ,𝑚𝑖𝑛 un coefficient de
sursaturation 𝑘 = 2. En déduire la valeur de 𝑅𝐵 dans ce cas. Choisir une valeur
normalisée pour 𝑅𝐵 parmi les valeurs de la série 𝐸24.
IC
RC
RB C
IB B VCC
VE E
Exercice 4 :
On considère le montage ci-dessous : 𝜌 → ∞
I. Etude statique
1. Donner le schéma équivalent du montage en régime statique.
2. On néglige 𝐼𝐵 devant 𝐼𝐶 . Donner l’équation de la droite de charge statique. Tracer cette
droite.
II. Etude dynamique
1. De quel montage s’agit-il ? Justifier.
2. Donner le schéma équivalent de ce montage dans le domaine des petits signaux aux
fréquences moyennes.
3. Déterminer l’expression du gain en tension (𝐴𝑣 ). En déduire l’expression du gain en
tension à vide (𝐴𝑣0 ).
4. Déterminer les expressions de la résistance d’entrée (𝑅𝑒 ) et la résistance de sortie (𝑅𝑠 ) du
montage.
5. Donner un schéma équivalent du montage comprenant 𝐴𝑣0 , 𝑅𝑒 , et 𝑅𝑠 .
6. En utilisant le schéma de la question 5 :
a) Déterminer l’expression de 𝑣𝑒 en fonction de 𝑒𝑔 , 𝑅𝑔 et 𝑅𝑒 . On cherche à minimiser
l’influence de 𝑅𝑔 sur 𝑣𝑠 , quelle condition doit satisfaire 𝑅𝑒 ?
b) Déterminer l’expression du gain en courant (𝐴𝑖 ) en fonction de 𝑅𝑒 , 𝑅𝐿 et 𝐴𝑣 .
7. On enlève le condensateur 𝐶𝐸 :
a) Donner le schéma équivalent du montage dans le domaine des petits signaux aux
fréquences moyennes.
b) Déterminer le gain en tension 𝐴𝑣2 ainsi que les impédances d’entrée 𝑅𝑒2 et de sortie
𝑅𝑠2 .
c) Conclure.
Exercice 5 :
On considère l’amplificateur de la figure suivante. On donne : 𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉, 𝑉𝐵𝐸 = 0.6 𝑉, et
𝛽 = 300.
I. Etude statique
On désire avoir un point de fonctionnement : (𝑉𝐶𝐸0 = 6 𝑉, 𝐼𝐶0 = 3 𝑚𝐴).
1. Donner le schéma équivalent du montage en régime statique.
2. Calculer les valeurs des résistances 𝑅𝐸 et 𝑅𝐵 .
Electronique Transistors bipolaires
II. Etude dynamique
1. De quel montage s’agit-il ? Justifier.
2. Donner le schéma équivalent du montage dans le domaine des petits signaux aux
fréquences moyennes.
3. Déterminer l’expression du gain en tension 𝐴𝑣 .
4. Déterminer l’expression de la résistance d’entrée 𝑅𝑒 du montage vue par le générateur
(𝑒𝑔 , 𝑅𝑔 ).
5. Déterminer l’expression de la résistance de sortie 𝑅𝑠 du montage vue par la résistance 𝑅𝐿 .
Exercice 6 :
Considérons le montage amplificateur suivant. Les condensateurs se comportent comme
des courts-circuits à la fréquence de travail considérée.
1. Dessiner le schéma équivalent aux petites variations du montage.
2. Donner l’expression de la résistance d’entrée 𝑅𝑒2 de l’étage T2 ainsi que son gain en
tension 𝐴𝑣2 .
3. Donner l’expression de la résistance d’entrée 𝑅𝑒1 de l’étage T1 ainsi que son gain en
tension 𝐴𝑣1 .
4. Donner l’expression de la résistance d’entrée 𝑅𝑒 du montage complet ainsi que son gain
en tension 𝐴𝑣 .
5. Donner l’expression de la résistance de sortie 𝑅𝑠1 de l’étage T1.
6. Donner l’expression de la résistance de sortie 𝑅𝑠 du montage complet.
Electronique Corrigé TD
Corrigé TD
Exercice 1 :
𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉, 𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉, 𝑅𝐶 = 1 𝑘Ω, 𝑅𝐸 = 110 Ω , 𝑅𝐵 = 220 𝑘Ω .
Montage (a)
Le circuit d’entrée donne :
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 → 𝐼𝐵 =
𝛽
𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 → 𝐼𝐶 = 𝛽
𝛽 𝑅𝐵
15 − 0.7
𝛽 = 100 → 𝐼𝐶1 = 100 → 𝐼𝐶1 = 6.5 𝑚𝐴
220 × 103
15 − 0.7
𝛽 = 300 → 𝐼𝐶2 = 300 → 𝐼𝐶2 = 19.5 𝑚𝐴
220 × 103
Rapport :
𝐼𝐶2
=3
𝐼𝐶1
Montage (b)
Le circuit d’entrée donne :
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 + 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝑅𝐶 + 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 𝐼𝐶
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 → 𝐼𝐵 = → 𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝑅𝐶 + 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
𝛽 𝛽
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 =
𝑅 + 𝑅𝐵
𝑅𝐶 + 𝐶
𝛽
15 − 0.7
𝛽 = 100 → 𝐼𝐶1 = → 𝐼𝐶1 = 4.45 𝑚𝐴
3 221 × 103
10 + 100
15 − 0.7
𝛽 = 300 → 𝐼𝐶2 = → 𝐼𝐶2 = 8.23 𝑚𝐴
221 × 103
103 + 300
Rapport :
𝐼𝐶2
= 1.85
𝐼𝐶1
Electronique Corrigé TD
Montage (c)
Le circuit d’entrée donne :
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸
𝐼𝐶 1
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 𝑒𝑡 𝐼𝐵 = → 𝐼𝐸 = 1 + 𝐼
𝛽 𝛽 𝐶
𝐼𝐶 1
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 1 + 𝐼
𝛽 𝛽 𝐶
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 =
𝑅 + 𝑅𝐵
𝑅𝐸 + 𝐸
𝛽
15 − 0.7
𝛽 = 100 → 𝐼𝐶1 = → 𝐼𝐶1 = 6.19 𝑚𝐴
110 + 220 × 103
110 + 100
15 − 0.7
𝛽 = 300 → 𝐼𝐶2 = → 𝐼𝐶2 = 16.95 𝑚𝐴
110 + 220 × 103
110 + 300
Rapport :
𝐼𝐶2
= 2.74
𝐼𝐶1
Conclusion :
Le montage le moins sensible aux variations de 𝛽 : Montage (b).
Exercice 2:
𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉, 𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉, 𝑅𝐵1 = 6.8 𝑘Ω , 𝑅𝐵2 = 2.2 𝑘Ω , 𝑅𝐶 = 3 𝑘Ω , 𝑅𝐸 = 2 𝑘Ω.
1. Transformation du circuit de polarisation vu de la base du transistor en son équivalent de
Thévenin et calcule de 𝐸𝑇ℎ et 𝑅𝑡ℎ .
Electronique Corrigé TD
𝐸𝑡ℎ :
En appliquant le diviseur de tension :
𝑅𝐵2
𝐸𝑇ℎ = 𝑉
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 𝐶𝐶
2.2 × 103
𝐸𝑇ℎ = 15 → 𝐸𝑇ℎ = 3.66 𝑉
6.8 × 103 + 2.2 × 103
𝑅𝑡ℎ :
𝑅𝐵1 . 𝑅𝐵2
𝑅𝑇ℎ =
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2
6.8 × 103 . 2.2 × 103
𝑅𝑇ℎ = → 𝑅𝑇ℎ = 1.66𝑘 Ω
6.8 × 103 + 2.2 × 103
2. Calcul du courant 𝐼𝐶 pour 𝛽 = 100 et 𝛽 = 300. Conclusion.
𝐸𝑇ℎ = 𝑅𝑇ℎ 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸
𝐼𝐶 1
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 𝑒𝑡 𝐼𝐵 = → 𝐼𝐸 = 1 + 𝐼
𝛽 𝛽 𝐶
𝐼𝐶 1
𝐸𝑇ℎ = 𝑅𝑇ℎ + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 1 + 𝐼
𝛽 𝛽 𝐶
Electronique Corrigé TD
𝐸𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 =
𝑅 + 𝑅𝑇ℎ
𝑅𝐸 + 𝐸
𝛽
3.66 − 0.7
𝛽 = 100 → 𝐼𝐶1 = → 𝐼𝐶1 = 1.45 𝑚𝐴
3 2.103 + 1.66 × 103
2.10 + 100
3.66 − 0.7
𝛽 = 300 → 𝐼𝐶2 = → 𝐼𝐶2 = 1.47 𝑚𝐴
2.103 + 1.66 × 103
2.103 + 300
Rapport :
𝐼𝐶2
= 1.01
𝐼𝐶1
Conclusion :
Montage très stable.
Exercice 3 :
IC
RC
RB C
IB B VCC
VE E
𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉, 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.6 𝑉, 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.1 𝑉, 𝑅𝐶 = 1 𝑘Ω , 𝛽𝑚𝑖𝑛 = 100.
1. 𝑅𝐵𝑚𝑎𝑥 qui permet de saturer le transistor lorsque 𝑉𝐸 = 5 𝑉:
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 + 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 → 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 =
𝑅𝐶
15 − 0.1
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = → 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 14.9 𝑚𝐴
103
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡
𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ,𝑚𝑖𝑛 =
𝛽𝑚𝑖𝑛
Electronique Corrigé TD
14.9 . 10−3
𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ,𝑚𝑖𝑛 = → 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ,𝑚𝑖𝑛 = 0.149 𝑚𝐴
100
𝑉𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐸 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 → 𝑅𝐵 =
𝐼𝐵
𝑉𝐸 − 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡
𝑅𝐵𝑚𝑎𝑥 =
𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ,𝑚𝑖𝑛
5 − 0.6
𝑅𝐵𝑚𝑎𝑥 = → 𝑅𝐵𝑚𝑎𝑥 = 29.53 𝑘Ω
0.149. 10−3
2. Valeur de 𝑅𝐵 si on applique à 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ,𝑚𝑖𝑛 un coefficient de sursaturation 𝑘 = 2 :
𝐼𝐵 = 𝑘. 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ,𝑚𝑖𝑛
𝐼𝐵 = 2 × 0.149 × 10−3 = 0.298 𝑚𝐴
𝑉𝐸 − 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡
𝑅𝐵 =
𝐼𝐵
5 − 0.6
𝑅𝐵 = → 𝑅𝐵 = 14.76𝑘Ω
0.298. 10−3
Valeur normalisée pour 𝑅𝐵 parmi les valeurs de la série 𝐸24:
E24 1.0, 1.1, 1.2, 1.3, 1.5, 1.6, 1.8, 2.0, 2.2, 2.4, 2.7, 3.0, 3.3, 3.6, 3.9, 4.3, 4.7, 5.1, 5.6,
(± 5 %) 6.2, 6.8, 7.5, 8.2, 9.1
𝑅𝐵 = 15𝑘Ω
Exercice 4 :
Electronique fondamentale1 Corrigé TD4
I. Etude statique
1. Schéma équivalent du montage en régime statique.
2. Equation de la droite de charge statique.
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸
On néglige 𝐼𝐵 devant 𝐼𝐶 : 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ≈ 𝐼𝐶
𝑉𝐶𝐶 = (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐶 =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
Graphe de la droite de charge statique :
IC
𝑉𝐶𝐶
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
VCE
𝑉𝐶𝐶
II. Etude dynamique
1. Type du montage ? Justification.
Montage émetteur-commun.
Justification : Entrée →Base, Sorite →Collecteur
Electronique Corrigé TD
2. Schéma équivalent du montage dans le domaine des petits signaux aux fréquences
moyennes : (𝜌 → ∞)
3. Expression du gain en tension (𝐴𝑣 ). Expression du gain en tension à vide (𝐴𝑣0 ).
𝐴𝑣 :
𝑣𝑒 = 𝑟. 𝑖𝑏
𝑣𝑠 = −(𝑅𝐶 ⁄⁄ 𝑅𝐿 ). 𝛽𝑖𝑏
𝑣𝑠
𝐴𝑣 =
𝑣𝑒
𝛽. (𝑅𝐶 ⁄⁄ 𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 = −
𝑟
𝐴𝑣0 :
𝛽. 𝑅𝐶
𝑅𝐿 → ∞: 𝐴𝑣0 = −
𝑟
Electronique Corrigé TD
4. Expressions de la résistance d’entrée (𝑅𝑒 ) et de la résistance de sortie (𝑅𝑠 ).
𝑅𝑒 :
𝑣𝑒
𝑅𝑒 =
𝑖𝑒
𝑣𝑒 = (𝑅1 ⁄⁄ 𝑅2 //𝑟). 𝑖𝑒
𝑅𝑒1 = 𝑅1 ⁄⁄ 𝑅2 //𝑟
𝑅𝑠 :
𝑣𝑠
𝑅𝑠 =
𝑖𝑠 𝑒𝑔 =0,𝑅𝐿 𝑑 é𝑐𝑜𝑛𝑛𝑒𝑐𝑡 é𝑒
Le circuit d’entrée ne comporte plus de générateur (𝑒𝑔 = 0), et le courant d’excitation 𝑖𝑠 ne peut
pas l’atteindre, donc :
𝑖𝑏 = 0 → 𝛽𝑖𝑏 = 0
𝑣𝑠 = 𝑅𝐶 . 𝑖𝑠 → 𝑅𝑠 = 𝑅𝐶
5. Schéma équivalent du montage comprenant 𝐴𝑣0 , 𝑅𝑒 , et 𝑅𝑠 .
Electronique Corrigé TD
6. En utilisant le schéma de la question 5 :
a) Expression de 𝑣𝑒 en fonction de 𝑒𝑔 , 𝑅𝑔 et 𝑅𝑒 . Condition que doit satisfaire 𝑅𝑒 pour
minimiser l’influence de 𝑅𝑔 sur 𝑣𝑠 .
𝑅𝑒
𝑣𝑒 = 𝑒
𝑅𝑒 + 𝑅𝑔 𝑔
Condition sur 𝑅𝑒 :
𝑅𝑒 ≫ 𝑅𝑔
b) Expression du gain en courant (𝐴𝑖 ) en fonction de 𝑅𝑒 , 𝑅𝐿 et 𝐴𝑣 .
𝑖𝑠
𝐴𝑖 =
𝑖𝑒
𝑣𝑒 = 𝑅𝑒 𝑖𝑒
𝑣𝑠 = 𝑅𝐿 𝑖𝑠
𝑣𝑠 𝑅𝐿 𝑖𝑠 𝑅𝐿
𝐴𝑣 = → 𝐴𝑣 = → 𝐴𝑣 = 𝐴
𝑣𝑒 𝑅𝑒 𝑖𝑒 𝑅𝑒 𝑖
𝑅𝑒
𝐴𝑖 = 𝐴
𝑅𝐿 𝑣
7. On enlève le condensateur 𝐶𝐸 :
a) Schéma équivalent du montage dans le domaine des petits signaux aux fréquences
moyennes.
Electronique Corrigé TD
b) Gain en tension 𝐴𝑣2 ainsi que les impédances d’entrée 𝑅𝑒2 et de sortie 𝑅𝑠2 .
𝐴𝑣2 :
𝑣𝑒 = 𝑟. 𝑖𝑏 + 𝑅𝐸 𝛽 + 1 . 𝑖𝑏 = (𝑟 + 𝑅𝐸 𝛽 + 1 ). 𝑖𝑏
𝑣𝑠 = −(𝑅𝐶 ⁄⁄ 𝑅𝐿 ). 𝛽𝑖𝑏
𝑣𝑠
𝐴𝑣2 =
𝑣𝑒
𝛽. (𝑅𝐶 ⁄⁄ 𝑅𝐿 )
𝐴𝑣2 = −
𝑟 + 𝑅𝐸 𝛽 + 1
𝑅𝑒2 :
𝑣𝑒
𝑅𝑒2 =
𝑖𝑒
𝑣𝑒 𝑣𝑒
𝑖𝑒 = 𝑖𝑝 + 𝑖𝑏 → 𝑖𝑒 = +
𝑅1 ⁄⁄ 𝑅2 𝑟 + 𝑅𝐸 𝛽 + 1
𝑅𝑒2 = 𝑅1 ⁄⁄ 𝑅2 //( 𝑟 + 𝑅𝐸 𝛽 + 1 )
𝑅𝑠2 :
𝑣𝑠
𝑅𝑠 =
𝑖𝑠 𝑒𝑔 =0,𝑅𝐿 𝑑 é𝑐𝑜𝑛𝑛𝑒𝑐𝑡 é𝑒
Electronique Corrigé TD
Le circuit d’entrée ne comporte plus de générateur (𝑒𝑔 = 0), et le courant d’excitation 𝑖𝑠 ne peut
pas l’atteindre à cause de la de résistance infinie que représente la source 𝛽𝑖𝑏 , donc :
𝑖𝑏 = 0 → 𝛽𝑖𝑏 = 0
𝑣𝑠 = 𝑅𝐶 . 𝑖𝑠
𝑅𝑠2 = 𝑅𝐶
c) Conclusion :
Le montage émetteur-commun non découplé (𝐶𝐸 déconnecté) possède par rapport au montage où
la résistance RE est découplée par 𝐶𝐸 :
- Un gain en tension plus faible ( 𝐴𝑣2 < 𝐴𝑣1 ) (inconvénient).
- Une résistance d’entrée plus grande (𝑅𝑒2 > 𝑅𝑒1 ) (avantage).
- Une résistance de sortie pratiquement identique.
Exercice 5 :
𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉, 𝑉𝐵𝐸 = 0.6 𝑉, 𝛽 = 300.
Electronique Corrigé TD
I. Etude statique
I.1. Schéma équivalent du montage en régime statique.
I.2. Valeurs des résistances 𝑅𝐸 et 𝑅𝐵 .
Valeur de 𝑅𝐸 :
𝑉𝐶𝐸0 = 6 𝑉 , 𝐼𝐶0 = 3 𝑚𝐴.
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐸 𝐼𝐸 + 𝑉𝐶𝐸
=300, on néglige IB devant IC : 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ≈ 𝐼𝐶
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸0
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐸 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 → 𝑅𝐸 = → 𝑅𝐸 =
𝐼𝐶 𝐼𝐶0
15 − 6
𝑅𝐸 = → 𝑅𝐸 = 3𝑘Ω
3. 10−3
Valeur de 𝑅𝐵 :
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐵 × 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 × 𝐼𝐶
𝐼𝐶
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 → 𝐼𝐵 =
𝛽
𝐼𝐶
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐵 × + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 × 𝐼𝐶
𝛽
𝛽 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑅𝐸 × 𝐼𝐶 𝛽 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸0 − 𝑅𝐸 × 𝐼𝐶0
𝑅𝐵 = → 𝑅𝐵 =
𝐼𝐶 𝐼𝐶0
300 15 − 0.6 − 3. 10+3 × 3. 10−3
𝑅𝐵 = → 𝑅𝐵 = 540𝑘Ω
3. 10−3
Electronique Corrigé TD
II. Etude dynamique
II.1. Type du montage ? Justification.
Montage Collecteur -commun.
Justification : Entrée →Base, Sorite → émetteur.
II.2. Schéma équivalent du montage dans le domaine des petits signaux aux fréquences
moyennes.
II.3. Expression du gain en tension 𝐴𝑣 .
𝑣𝑒 = 𝑟 + 𝛽 + 1 𝜌//𝑅𝐸 //𝑅𝐿 𝑖𝑏
𝑣𝑠 = 𝜌//𝑅𝐸 //𝑅𝐿 . 𝛽 + 1 𝑖𝑏
𝑣𝑠
𝐴𝑣 =
𝑣𝑒
Electronique Corrigé TD
𝛽 + 1 𝜌//𝑅𝐸 //𝑅𝐿
𝐴𝑣 =
𝑟 + 𝛽 + 1 𝜌//𝑅𝐸 //𝑅𝐿
II.4. Expression de la résistance d’entrée 𝑅𝑒 du montage vue par le générateur (𝑒𝑔 , 𝑅𝑔 ).
𝑣𝑒
𝑅𝑒 =
𝑖𝑒
𝑖𝑒 = 𝑖𝑏 + 𝑖𝑅 𝐵
𝑣𝑒 = 𝑟 + 𝛽 + 1 𝜌//𝑅𝐸 //𝑅𝐿 𝑖𝑏
𝑣𝑒
𝑖𝑒 = 𝑖𝑏 +
𝑅𝐵
𝑣𝑒
𝑖𝑏 =
𝑟 + 𝛽 + 1 𝜌//𝑅𝐸 //𝑅𝐿
𝑣𝑒 𝑣𝑒 𝑖𝑒 1 1
𝑖𝑒 = + → = +
𝑟 + 𝛽 + 1 𝜌//𝑅𝐸 //𝑅𝐿 𝑅𝐵 𝑣𝑒 𝑟 + 𝛽 + 1 𝜌//𝑅𝐸 //𝑅𝐿 𝑅𝐵
1 1 1
= + → 𝑅𝑒 = 𝑅𝐵 ⁄⁄ 𝑟 + 𝛽 + 1 𝜌//𝑅𝐸 //𝑅𝐿
𝑅𝑒 𝑟 + 𝛽 + 1 𝜌//𝑅𝐸 //𝑅𝐿 𝑅𝐵
II.5. Expression de la résistance de sortie 𝑅𝑠 du montage vue par la résistance 𝑅𝐿 .
𝑣𝑠
𝑅𝑠 =
𝑖𝑠 𝑒𝑔 =0,𝑅𝐿 𝑑 é𝑐𝑜𝑛𝑛𝑒𝑐𝑡 é𝑒
𝑅𝑔𝐵𝑟 = 𝑅𝑔 ⁄⁄ 𝑅𝐵 + 𝑟 𝑅𝜌𝐸 = 𝜌 ⁄⁄ 𝑅𝐸
Electronique Corrigé TD
Le courant d’excitation 𝑖𝑠 peut atteindre la branche qui contient 𝑟 et la fraction de courant 𝑖𝑏
commande la source 𝛽𝑖𝑏 .
𝑖𝑠 + 𝛽 + 1 𝑖𝑏 = 𝑖𝜌𝐸 → 𝑖𝑠 = 𝑖𝜌𝐸 − 𝛽 + 1 𝑖𝑏
𝑣𝑠
𝑖𝜌𝐸 =
𝑅𝜌𝐸
𝑣𝑠
𝑣𝑠 + 𝑅𝑔𝐵𝑟 𝑖𝑏 = 0 → 𝑖𝑏 = −
𝑅𝑔𝐵𝑟
𝑣𝑠 𝑣𝑠
𝑖𝑠 = 𝑖𝜌𝐸 − 𝛽 + 1 𝑖𝑏 → 𝑖𝑠 = + 𝛽+1
𝑅𝜌𝐸 𝑅𝑔𝐵𝑟
𝑖𝑠 1 𝛽 + 1 𝑖𝑠 1 1 1 1 1
= + → = + → = +
𝑣𝑠 𝑅𝜌𝐸 𝑅𝑔𝐵𝑟 𝑣𝑠 𝑅𝜌𝐸 𝑅𝑔𝐵𝑟 𝑅𝑠 𝑅𝜌𝐸 𝑅𝑔𝐵𝑟
𝛽+1 𝛽+1
𝑅𝑔𝐵𝑟
𝑅𝑠 = 𝑅𝜌𝐸 //
𝛽+1
𝑅𝑔 ⁄⁄ 𝑅𝐵 + 𝑟
𝑅𝑠 = 𝜌 ⁄⁄ 𝑅𝐸 //
𝛽+1
Exercice 6 :
Les condensateurs se comportent comme des courts-circuits à la fréquence de travail considérée.
Electronique Corrigé TD
1. Le schéma équivalent aux petites variations du montage.
𝑅𝐵1 = 𝑅1 ⁄⁄ 𝑅2 𝑅𝐵2 = 𝑅3 ⁄⁄ 𝑅4
2. Expression de la résistance d’entrée 𝑅𝑒2 de l’étage T2 ainsi que son gain 𝐴𝑣2 .
𝑅𝑒2 ?
𝑣
𝑅𝑒2 =
𝑖𝑒2
𝑖𝑒2 = 𝑖𝑏2 + 𝑖𝑅𝐵 2
𝑣 = 𝑟2 + 𝛽2 + 1 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿 𝑖𝑏2
𝑣
𝑖𝑒2 = 𝑖𝑏2 +
𝑅𝐵2
𝑣
𝑖𝑏2 =
𝑟2 + 𝛽2 + 1 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿
𝑣 𝑣 𝑖𝑒2 1 1
𝑖𝑒2 = + → = +
𝑟2 + 𝛽2 + 1 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿 𝑅𝐵2 𝑣 𝑟2 + 𝛽2 + 1 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿 𝑅𝐵2
𝑅𝑒2 = 𝑅𝐵2 ⁄⁄ 𝑟2 + 𝛽2 + 1 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿
𝐴𝑣2 ?
𝑣 = 𝑟2 + 𝛽2 + 1 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿 𝑖𝑏2
𝑣𝑠 = 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿 . 𝛽2 + 1 𝑖𝑏2
𝑣𝑠
𝐴𝑣 =
𝑣
𝛽2 + 1 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿
𝐴𝑣2 =
𝑟2 + 𝛽2 + 1 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿
Electronique Corrigé TD
3. Expression de la résistance d’entrée 𝑅𝑒1 de l’étage T1 ainsi que son gain 𝐴𝑣1 .
𝑅𝑒1 ?
𝑣𝑒
𝑅𝑒1 =
𝑖𝑒
𝑣𝑒 = (𝑅𝐵1 //𝑟1 ). 𝑖𝑒
𝑅𝑒1 = 𝑅𝐵1 //𝑟1 → 𝑅𝑒1 = 𝑅1 ⁄⁄ 𝑅2 //𝑟1
𝐴𝑣1 ?
𝑣𝑒 = 𝑟1 . 𝑖𝑏1
𝑣 = −(𝜌1 ⁄⁄ 𝑅𝐶1 ⁄⁄ 𝑅𝑒2 ). 𝛽1 𝑖𝑏1
𝑣
𝐴𝑣1 =
𝑣𝑒
𝛽1 . (𝜌1 ⁄⁄ 𝑅𝐶1 ⁄⁄ 𝑅𝑒2 )
𝐴𝑣1 = −
𝑟1
4. Expression de la résistance d’entrée 𝑅𝑒 du montage complet ainsi que son gain 𝐴𝑣 .
𝑅𝑒 ?
𝑅𝑒 = 𝑅𝑒1 = 𝑅1 ⁄⁄ 𝑅2 //𝑟1
𝐴𝑣 ?
𝛽1 . (𝜌1 ⁄⁄ 𝑅𝐶1 ⁄⁄ 𝑅𝑒2 ) 𝛽2 + 1 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿
𝐴𝑣 = 𝐴𝑣1 . 𝐴𝑣2 → 𝐴𝑣 = − .
𝑟1 𝑟2 + 𝛽2 + 1 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿
Electronique Corrigé TD
5. Expression de la résistance de sortie 𝑅𝑠1 de l’étage T1.
𝑅𝑠1 ?
𝑣
𝑅𝑠1 =
𝑖𝑠1 𝑒𝑔 =0,𝑅𝑒2 𝑑é𝑐𝑜𝑛𝑛𝑒𝑐𝑡 é𝑒
Le circuit d’entrée ne comporte plus de générateur (𝑒𝑔 = 0), et le courant d’excitation 𝑖𝑠1 ne
peut pas l’atteindre, donc :
𝑖𝑏1 = 0 → 𝛽1 𝑖𝑏1 = 0
𝑣 = 𝜌1 ⁄⁄ 𝑅𝐶1 . 𝑖𝑠1
𝑅𝑠1 = 𝜌1 ⁄⁄ 𝑅𝐶1
6. Expression de la résistance de sortie 𝑅𝑠 du montage complet.
𝑅 = 𝑅𝑠1 ⁄⁄ 𝑅𝐵2 + 𝑟2 𝑅𝜌𝐸2 = 𝜌2 ⁄⁄ 𝑅𝐸 2
Le courant d’excitation 𝑖𝑠 peut atteindre la branche qui contient 𝑟2 et la fraction de courant 𝑖𝑏2
commande la source 𝛽2 𝑖𝑏2 .
𝑖𝑠 + 𝛽2 + 1 𝑖𝑏2 = 𝑖2 → 𝑖𝑠 = 𝑖2 − 𝛽2 + 1 𝑖𝑏2 (1)
Electronique Corrigé TD
𝑣𝑠
𝑖2 = (2)
𝑅𝜌𝐸2
𝑣𝑠
𝑣𝑠 + 𝑅𝑖𝑏2 = 0 → 𝑖𝑏2 = − (3)
𝑅
On remplace (2) et (3) dans (1) on trouve :
𝑣𝑠 𝑣𝑠
𝑖𝑠 = + 𝛽2 + 1
𝑅𝜌𝐸2 𝑅
𝑖𝑠 1 𝛽2 + 1 𝑖𝑠 1 1 1 1 1
= + → = + → = +
𝑣𝑠 𝑅𝜌𝐸2 𝑅 𝑣𝑠 𝑅𝜌𝐸2 𝑅 𝑅𝑠 𝑅𝜌𝐸 𝑅
𝛽2 + 1 𝛽2 + 1
𝑅
𝑅𝑠 = 𝑅𝜌𝐸2 //
𝛽2 + 1
𝑅𝑠1 ⁄⁄ 𝑅𝐵2 + 𝑟2
𝑅𝑠 = 𝜌2 ⁄⁄ 𝑅𝐸 2 //
𝛽2 + 1
𝜌1 ⁄⁄ 𝑅𝐶1 ⁄⁄ 𝑅𝐵2 + 𝑟2
𝑅𝑠 = 𝜌2 ⁄⁄ 𝑅𝐸 2 //
𝛽2 + 1
