Introduction
La diode est un composant électronique. C'est un dipôle non linéaire et polarisé (ou non
symétrique). Le sens de branchement d'une diode détermine le fonctionnement du circuit
électronique dans lequel elle est placée.
Définition
Sans précision ce mot désigne un dipôle qui ne laisse passer le courant électrique que dans un
sens. Ce dipôle est appelé diode de redressement lorsqu'il est utilisé pour réaliser les redresseurs
qui permettent de transformer le courant alternatif en courant continu.
Schéma électrique
Le symbole électrique d'une diode sur un schéma électrique peut être représenté de plusieurs
façons selon le type de diode. L'affichage le plus simple et le plus courant est celui-ci représenté
ci-dessous :
Caractéristiques
électriques
Pour comprendre facilement la caractéristique principale des diodes, il suffit de créer un simple
circuit fermé contenant une alimentation, une diode, et une ampoule. Si la diode est placée dans
le même sens que le courant, la lampe s'allumera. En revanche, si la diode est placée dans l'autre
sens, en opposition au courant, la diode empêchera le courant de passer et coupera donc le
circuit fermé, empêchant la lampe de s'allumer.
Ça y est, vous venez de comprendre la chose la plus essentielle concernant ce composant.
Cependant, il s'agit d'une utilisation très simplifié et idéale. Concrètement, la différence de
potentiel entre les 2 bornes de ce dipôle doit dépasser une tension de seuil pour laisser passer le
courant. C'est-à-dire qu'une diode ayant une tension de seuil de 0.6V ne laissera pas passer le
courant si l'alimentation en circuit fermé présenté précédemment ne dépasse pas les 0.6V. Et
même une fois que la différence de potentielle a dépassé ce seuil, le courant va croitre
progressivement au fur et à mesure que la tension augmente. Cette tension de seuil se visualise
sur la capture ci-dessous.
Lorsque le courant est dans le sens bloquant, c'est-à-dire lorsqu'il y a une polarisation inverse,
la diode empêche donc le courant de passer. Il est important de noter que si la tension inverse
est trop importante, la diode peut tout simplement griller.
Utilisation
Lorsque la diode est présente dans un circuit fermé parcouru par une alimentation alternative,
ce composant permet de redresser le courant.
Le courant en sortie du montage ne passe pas dans le négatif et à une tension maximum
légèrement inférieur à cause de la tension de seuil. L'image ci-dessous représente la tension de
sortie d'un tel montage.
Autres Diodes
o Diode à jonction PN
o Diode Électro-Luminescente (LED)
o Diode Zener
o Diode Schottky
o Diode Transil
o Diode laser
o Photodiode
o Diode Gunn
o Diode PIN
o Diode à effet tunnel
o Diode à vide
Diode à jonction PN
En physique des semi-conducteurs, une jonction p-n désigne une zone du cristal où le dopage
varie brusquement, passant d'un dopage p à un dopage n. Lorsque la région dopée p est mise en
contact avec la région n, les électrons et les trous diffusent spontanément de part et d'autre de
la jonction, créant ainsi une zone de déplétion, ou zone de charge d'espace (ZCE), où la
concentration en porteurs libres est quasiment nulle.
La caractéristique courant-tension I(V) de la jonction est fortement non linéaire : c'est celle
d'une diode.
L’application d’une diode à jonction PN comme redresseur est cruciale pour convertir le
courant alternatif en courant continu dans les circuits électroniques. Lorsqu’une diode à
jonction PN est connectée dans un circuit avec une entrée CA, elle permet au courant de circuler
dans une direction pendant le demi-cycle positif de la forme d’onde CA (polarisation directe)
et bloque le flux de courant pendant le demi-cycle négatif (polarisation inverse). Ce processus
garantit que seule la moitié de la forme d’onde CA passe à travers, ce qui entraîne une sortie
CC pulsée. Cette tension continue redressée peut ensuite être lissée et régulée davantage pour
fournir une alimentation continue stable aux appareils électroniques, allant des petits appareils
électroniques aux alimentations électriques à grande échelle.
Diode Électro-
Luminescente (LED)
Une diode électroluminescente, aussi appelée LED pour "Light-Emitting Diode", est un
composant électronique qui a la particularité d'émettre une lumière lorsqu'il est parcouru par un
courant électrique. La seconde particularité étant que le courant ne traverse ce composant que
par un seul côté, lorsque le courant passe de l'autre côté, il est bloqué et la LED ne s'illume pas.
▪ Sur le composant, l'anode est le côté où la patte du composant est la plus longue. La
cathode est donc la patte la plus courte.
▪ Vu du dessus, la LED n'est pas totalement circulaire, il y a toujours un côté plat. Ce
côté plat représente la cathode. Cette astuce est indispensable pour reconnaitre la
cathode lorsque les pattes sont coupées.
▪ Sur un schéma électrique, la cathode est représentée par le côté où il y a le bord plat à
droite du triangle.
Il convient de la brancher dans le bon sens avec un système qui permet de réguler la tension.
Souvent c'est une résistance électrique qui effectue ce rôle.
Pour utiliser une LED dans un montage électrique,
Ce composant est très courant en électronique. Dès lors il est composé en plusieurs familles
définies selon la puissance ou selon le spectre d'émission de lumière.
Puissance
Il y a des LED qui émettent plus ou moins de lumière. Les petites LED de faible voltage sont
connus du grand public car elles servent de voyant de veille des appareils électriques. Les
LED puissantes sont quant à elles de plus en plus connues du grand public pour servir
d'ampoules, de lampe de poche ou encore de phares de voiture.
Couleur de la lumière
Les LED peuvent être d'une couleur bien définie par exemple être rouge, verte, bleu ou
blanche. Mais il y a des LED qui spéciales qui peuvent changer de couleur selon le courant
qui les traverses. Il existe également des LED infrarouges qui permettent d'émettre une
lumière qui ne sera pas vue par un humain. Ces LED infrarouges sont par exemple utilisées
dans les télécommandes.
Diode Zener
La diode Zener est un composant électrique dont les propriétés sont semblables à une diode
conventionnelle, à la différence que la diode Zener laisse passer le courant inverse lorsque celui-
ci dépasse le seuil de l'effet d'avalanche.
Une diode Zener est un assemblage de deux semi-conducteurs dont les propriétés électriques
ont été découvertes par le physicien américain Clarence Zener. Contrairement à une diode
conventionnelle qui ne laisse passer le courant électrique que dans un seul sens, le sens direct,
les diodes Zener sont conçues de façon à laisser également passer le courant inverse, mais
ceci uniquement si la tension à ses bornes est plus élevée que le seuil de l'effet d'avalanche.
Une diode conventionnelle classique possède généralement une tension de seuil vers 0.6V. La
diode Zener possède également cette tension de seuil, mais possède également un seuil
lorsque le courant inverse dépasse l'effet d'avalanche. Cet effet d'avalanche peut aller de 1.2V
jusqu'à plusieurs centaines de Volts. Certaines diode Zener possède même une troisième
broche qui sert de régulateur pour modifier manuellement la valeur de l'effet d'avalanche.
▪ La diode Zener, nommée d'après son inventeur, est un composant semi-conducteur
utilisé en électronique pour la régulation de tension ;
▪ Elle se distingue des diodes classiques par sa capacité à conduire le courant dans les
deux sens lorsqu'une tension de seuil, la tension Zener, est appliquée ;
▪ Utilisées dans divers circuits, les diodes Zener sont essentielles pour maintenir une
tension stable, servant de référence de tension dans les surtensions convertisseurs et
pour protéger les composants sensibles contre les surtensions ;
▪ Leur sélection dépend de paramètres clés comme la tension Zener, la dissipation de
puissance, le courant inversé et le coefficient de température.
Diode Schottky
Une diode Schottky (nommée d'après le physicien allemand Walter H. Schottky) est une diode
qui a un seuil de tension directe très bas et un temps de commutation très court. Ceci permet la
détection des signaux HF faibles et hyperfréquences, la rendant utile par exemple en
radioastronomie.
On l'utilise aussi pour sa capacité à laisser transiter de relativement fortes intensités pour le
redressement de puissance avec des pertes par effet Joule réduites du fait de sa faible chute de
tension.
L'ancêtre de la diode Schottky utilisait deux matériaux « naturels » (une pointe d'acier et un
cristal de galène), dans le poste à galène.
Parmi les diodes Schottky les plus courantes, on trouve la 1N5817, et des jonctions métal-
semiconducteur Schottky sont présentes dans les composants logiques des familles 74S,
74LS, 74F et 74AF pour leur vitesse de commutation élevée et leur faible chute de tension.
Dans une diode Schottky, un petit morceau de métal est attaché à un seul semi-conducteur
pour former une barrière Schottky, et c’est au-dessus de cette barrière que le courant circule.
Le point de contact à travers lequel le courant peut circuler est plus grand dans la barrière
Schottky que dans une jonction PN. L’avantage de cette conception est une résistance vers
l’avant plus faible. Il faut moins d’énergie pour que le courant traverse la diode, ce qui
signifie que la chute de tension directe est plus petite.
La chute de tension directe est le changement qui se produit chaque fois qu’un courant
électrique traverse une diode. Une diode au silicium standard a une chute de tension directe
(Vf) de 0.7 à 1.7, tandis qu’une diode Schottky à une Vf ne dépassant pas 0.5.
Pour mieux comprendre cela, connectons une diode Schottky et une diode générique à un
circuit identique et vérifions son fonctionnement.
Dans les images ci-dessus, nous avons deux circuits, l'un pour la diode Schottky et l'autre
pour la diode à jonction PN typique. Ces circuits seront utilisés pour différencier les chutes de
tension dans les deux diodes. Le circuit de gauche est donc pour la diode Schottky, et le bon
pour une diode à jonction PN typique. Les deux diodes sont alimentées en 5V. Lorsque le
courant est transmis par les deux diodes, la diode Schottky n'a qu'une chute de tension de
0,3 volts et laisse 4,7 volts pour la charge, d'autre part, une diode à jonction PN typique a une
chute de tension de 0,7 volts et laisse 4,3 volts pour la charge. La diode Schottky a donc
une chute de tension plus faible qu'une diode à jonction PN classique. À l'exception de la
chute de tension, la diode Schottky présente également d'autres avantages sur une diode à
jonction PN typique comme la diode Schottky. Taux de commutation plus rapide, moins de
bruit et de meilleures performances qu'une diode à jonction PN typique.
Diode Transil
La microélectronique moderne est fort sensible, à côté des systèmes de protection contre les
surtensions traditionnels (tels que les éclateurs et les varistances), elle a besoin de nouveaux
composants comme les suppresseurs de transitoire, qui se distinguent par leur haute vitesse de
réponse, une très petite taille et surtout une limitation dès les plus basses tensions.
La diode Transil (Le suppresseur de transitoire) est un composant bipolaire qui profite des
propriétés des diodes Zener pour remplir ce rôle. Ces diodes de protection réagissent en
quelques picosecondes et limitent les surtensions à de très faibles valeurs. Elles peuvent
absorber plusieurs kilowatts en peu de temps, ce qui les rend très utiles pour la protection des
appareils électroniques très sensibles. Ces diodes de protection doivent probablement leur
appellation au fait qu'elles étouffent les surtensions à des valeurs très basses. Parmi la classe
des diodes Z. on trouve la diode TAZ (Trans Absorbtion Zener), la diode TransZorb ainsi que
la diode TVS (Transient Voltage Suppressor). Les diodes de protection contre les surtensions
ont été spécialement développées pour protéger efficacement les montages électroniques.
On les utilise dans les installations de transfert de données et de télécommunications, dans les
réseaux embarqués et les appareils médicaux ainsi que dans tous les commutateurs
électroniques dont les composants sensibles sont particulièrement fragiles aux pointes de
tension.
Il existe des versions :
« Unidirectionnelles » (passante dans un sens, écrêteuse dans l'autre), qui ont rigoureusement
le comportement d'une Zener surdimensionnée, offrant une protection maximale aux signaux
unipolaires ;
« Bidirectionnelles » (écrêteuse dans les deux sens) équivalentes à deux Zener en opposition
montées en série, mieux adaptées à la protection de signaux alternatifs, et à la capacité parasite
moindre.
Une Transil, lors d'une surtension, absorbe le courant excédentaire pour écrêter la tension et
doit donc dissiper l'énergie à travers son boitier. Elle sera éventuellement détruite si la
surtension dure trop longtemps.
Diode laser
Le LASER est un procédé d’amplification de la lumière, défini en anglais par Light
Amplification by Stimulated Emission of Radiation. L’amplification de la lumière par
émission stimulée de photons produit une lumière qui est monochromatique, directionnelle,
cohérente et de haute intensité. Différentes sortes de lasers existent. Ils comprennent tous trois
éléments nécessaires qui sont : le milieu émetteur, l’excitation et l’amplification. Parmi ces
lasers nous distinguons le laser à semi-conducteur ou la diode laser.
Une diode laser est un composant opto-électronique à base de matériaux semi-conducteurs.
Elle émet de la lumière monochromatique cohérente (une puissance optique) destinée, entre
autres, à transporter un signal contenant des informations sur de longues distances (dans le cas
d'un système de télécommunications) ou à apporter de l'énergie lumineuse pour le pompage
de certains lasers (lasers à fibre, laser DPSS) et amplificateurs optiques (OFA, Optical Fiber
Amplifier).
La diode laser est un composant similaire à la diode électroluminescente, car elle est
constituée d'une jonction p-n réalisée sur des matériaux à gap direct avec une région active où
les porteurs injectés, par forte polarisation directe de la diode, se recombinent de façon
radiative, produisant une lumière cohérente issue d’émissions stimulées de photons.
Les diodes laser trouvent leur utilisation dans de nombreux domaines. En communication,
elles sont essentielles dans les systèmes de transmission par fibre optique, permettant la
transmission rapide et fiable de grandes quantités de données. En médecine, les diodes laser
sont utilisées dans divers traitements, tels que la chirurgie oculaire et l’élimination des
tumeurs. Elles jouent également un rôle important dans le domaine de l’industrie pour le
découpage et la gravure de précision.
Photodiode
Une photodiode est un type de diode semi-conductrice qui réagit à la lumière. Le principe de
base repose sur l’effet photovoltaïque, où la lumière incidente crée des paires électron-trou
dans le matériau semi-conducteur. Ces paires sont séparées par un champ électrique interne à
la diode, créant un courant électrique proportionnel à l’intensité de la lumière incidente.
Les photodiodes se distinguent par leur sensibilité spectrale, leur rapidité de réponse et leur
niveau de bruit. Les types les plus courants incluent les photodiodes PIN, les photodiodes
avalanche, et les photodiodes à effet Schottky. Chaque type a des caractéristiques spécifiques
adaptées à des applications différentes.
Photodiodes PIN : Elles offrent une bonne linéarité et sont utilisées dans des applications
nécessitant une large bande passante et une faible capacité.
Photodiodes Avalanche : Caractérisées par leur capacité d’amplification interne, elles sont
idéales pour les applications nécessitant une haute sensibilité.
Photodiodes à Effet Schottky : Connues pour leur rapidité de réponse, elles sont utilisées dans
les circuits haute fréquence.
Les photodiodes sont omniprésentes dans notre quotidien et dans divers secteurs industriels.
Voici quelques exemples d’applications :
Communication Optique : Dans les systèmes de transmission de données par fibre optique, les
photodiodes convertissent les signaux lumineux en signaux électriques.
Systèmes de Détection : Utilisées dans les détecteurs de fumée, les systèmes de sécurité, et les
appareils de mesure environnementale.
Imagerie Médicale : Dans les équipements de radiographie et de tomographie, elles détectent
les rayons X ou gamma.
La capacité des photodiodes à détecter avec précision et rapidité des signaux lumineux les
rend indispensables dans ces technologies avancées.
Plusieurs facteurs affectent la performance des photodiodes. La température, par exemple,
peut influencer la sensibilité et la rapidité de réponse. De même, le choix du matériau semi-
conducteur impacte la sensibilité spectrale de la photodiode. Les matériaux comme le
silicium, l’arséniure de gallium et l’indium gallium arsenide sont fréquemment utilisés,
chacun ayant ses avantages spécifiques en fonction de l’application visée.
L’intégration des photodiodes dans les systèmes électroniques nécessite une conception
soignée. Elles doivent être couplées avec des circuits électroniques appropriés pour le
traitement du signal, comme les amplificateurs et les convertisseurs analogique-numérique.
Cette intégration permet d’optimiser la réponse de la photodiode en fonction des besoins
spécifiques de l’application.
Le domaine des photodiodes continue d’évoluer avec la recherche et le développement de
nouvelles technologies. Par exemple, les photodiodes organiques offrent une flexibilité et une
facilité de fabrication supérieures. De même, l’avancement dans les matériaux à base de
nanotechnologie promet des photodiodes avec des propriétés améliorées, comme une
meilleure sensibilité et une plus grande efficacité.
Diode Gunn
Le diode Gunn, du nom de son inventeur John Battiscombe Gunn, est un type de diode utilisé
dans l’électronique à haute fréquence. Contrairement aux diodes traditionnelles, le diode
Gunn n’est pas utilisé pour redresser le courant, mais plutôt pour générer des fréquences
micro-ondes. Cette particularité lui confère une place de choix dans les domaines de la
radarisation, la communication sans fil et les capteurs.
La caractéristique la plus remarquable du diode Gunn est son fonctionnement basé sur l’effet
Gunn, un phénomène de transport d’électrons dans certains matériaux semiconducteurs.
Lorsqu’une tension suffisamment élevée est appliquée à un matériau semiconducteur
présentant l’effet Gunn, comme le nitrure de gallium (GaN) ou l’arséniure de gallium (GaAs),
cela entraîne la formation d’une zone de forte densité électronique appelée « domaine de
Gunn ».
Maille cristalline de l'arséniure de gallium Cristal d'arséniure de gallium
Dans une diode Gunn, trois régions existent, deux d'entre elles, proches des connexions, sont
fortement dopées (N++), la fine partie centrale est quant à elle faiblement dopée (N-).
L'effet Gunn est le nom donné à la production de micro-ondes dans un semi-conducteur solide
lorsque la tension électrique de celui-ci a dépassé une valeur critique. Ce phénomène est utilisé
dans les diodes Gunn.
Cet effet a été découvert par John Battiscombe Gunn en 1963, physicien étant aussi à
l'origine de la diode du même nom.
Le fonctionnement du diode Gunn est intrinsèquement lié à l’effet Gunn. Lorsqu’on applique
une tension continue à la diode, le courant augmente initialement avec l’augmentation de la
tension. Cependant, une fois un certain seuil atteint, le courant diminue brusquement, malgré
l’augmentation continue de la tension. Cette propriété est exploitée pour générer des
oscillations à haute fréquence.
Le domaine de Gunn, une fois formé, se déplace à travers le matériau semiconducteur. Ce
mouvement périodique de déplacement crée une oscillation de la tension aux bornes de la
diode, qui peut ensuite être utilisée pour générer des signaux à micro-ondes. La fréquence de
ces signaux dépend de plusieurs facteurs, notamment la longueur du matériau semiconducteur
et ses propriétés électriques.
Les diodes Gunn sont largement utilisées dans diverses applications en raison de leur capacité
à générer des fréquences élevées. Dans les Radars, par exemple, elles sont utilisées pour
produire la fréquence porteuse nécessaire à la détection d’objets.
En communication sans fil, elles servent à générer les signaux haute fréquence nécessaires
pour la transmission de données.
En outre, dans les capteurs, les diodes Gunn peuvent être utilisées pour détecter des
mouvements ou des changements de fréquence dus à des objets en mouvement.
Diode PIN
Une diode PIN se compose de trois couches principales : P (positive), I (intrinsèque ou non
dopée) et N (négative). Cette structure trilaminaire est différente de celle des diodes PN
standard. La couche intrinsèque, non dopée, située entre les régions P et N, est cruciale pour
les performances de la diode PIN.
Lorsqu’une tension est appliquée à une diode PIN, la couche intrinsèque joue un rôle
significatif. En absence de tension, il y a très peu de porteurs de charge dans la région
intrinsèque, ce qui conduit à une faible conductivité. Cependant, sous tension directe (lorsque
l’anode est positive par rapport à la cathode), les porteurs de charge sont injectés dans la
région intrinsèque, permettant ainsi le passage du courant.
Les diodes PIN se distinguent par plusieurs caractéristiques clés :
▪ Faible Capacité de Jonction : La couche intrinsèque réduit la capacité de la jonction,
ce qui permet à la diode de fonctionner efficacement à des fréquences élevées.
▪ Haute Tension de Rupture : La région intrinsèque étendue permet à la diode de
supporter des tensions plus élevées sans être endommagée.
▪ Temps de Réponse Rapide : La diode PIN peut commuter rapidement entre les états
conducteurs et non conducteurs, ce qui est essentiel dans les applications de
commutation rapide.
Les diodes PIN trouvent leur utilité dans plusieurs domaines :
▪ Communication Radio : Elles sont utilisées dans les circuits de commutation RF
pour leur capacité à gérer des signaux de haute fréquence.
▪ Détecteurs de Photons : Dans les photodiodes PIN, la couche intrinsèque joue un rôle
clé dans la détection des photons et la conversion en courant électrique.
▪ Redresseurs de Puissance : Leur capacité à supporter des tensions élevées les rend
adaptées pour les applications de redressement dans les systèmes d’alimentation.
Diode à effet tunnel
Une diode à effet tunnel, ou diode Esaki1 est un dipôle électrique semi-conducteur qui
présente une région de résistance négative dans sa courbe caractéristique, causé par un effet
tunnel à travers sa jonction PN.
Cet effet se produit lorsque des particules, comme les électrons, traversent une barrière
d’énergie, normalement insurmontable dans la mécanique classique, grâce aux principes de la
mécanique quantique.
La diode à effet tunnel est composée de deux matériaux semi-conducteurs de types différents,
P et N, séparés par une très fine barrière. Lorsque la tension est appliquée à la diode, les
électrons dans la région N acquièrent suffisamment d’énergie pour « tunneler » à travers la
barrière et atteindre la région P. Ce phénomène est très rapide et permet à la diode d’opérer à
des fréquences très élevées.
Lors de sa découverte, la diode tunnel offrait de grandes perspectives dans le domaine des
oscillateurs UHF / SHF (Ultra / Super Hautes Fréquences), par exemple dans les fours à
micro-ondes ; cependant, depuis, les progrès des semi-conducteurs classiques permettent à
ceux-ci de dépasser la diode tunnel avec les techniques conventionnelles.
L'intégration d'une diode à effet tunnel dans une diode laser peut améliorer les performances
du laser. On parle alors de jonction tunnel.
