Chapitre II
La Diode de Puissance
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,
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Défini par la diode
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U
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A l’aide des deux courbes précédentes il est possible, en première approximation,
de définir la charge de recouvrement Qrr et par conséquent les pertes de commutation
lors de l'ouverture spontanée de la diode.
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le temps ta dépend directement de la décroissance du courant dans la diode, cette
décroissance pouvant être contrôlée par le circuit extérieur
La température de jonction TJ a un effet important sur la
densité des porteurs de même que sur la durée de vie
avant recombinaison. La sensibilité relative du facteur de
douceur s et le courant inverse de recouvrement
maximum IRM à la température de jonction sont donnés
par la figure suivante
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Pour les composants en Si )
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Threshold voltage for Schottky diodes based on Si and SiC Unipolar resistance for Si and SiC as a function of the breakdown voltage
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