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DM 1ème Année GEA

A rendre pour le 18/12/2009

Caractérisation et modélisation d’IGBT (1 rapport par groupe de TP)


Recherchez les données constructeur de l’IGBT IRGP30B60KD-EP sur le site :
[Link]

1- Rappelez la structure silicium d’un IGBT et justifiez le modèle circuit présenté ci-
après :

C
rd+RDSon
E0

G
GMOS
α.iC

VTH

E
2- En supposant que dans la zone linéaire (VCE> 5 V) l’effet MOS contribue à
hauteur de 60% du courant IC, identifiez les paramètres du modèle circuit de ce composant.

3- Ce composant comporte une diode rapide. Identifiez à l'aide des données


constructeur les paramètres du « modèle circuit » de cette diode.

4- La valeur VCEon est donnée à 1,95V. En comparant aux autres composants proposés
par le fabricant dans la même gamme de tension, que vous inspire cette valeur ?

5- Expliquez pourquoi les IGBT sont réservés à des tensions supérieures à 600 V, les
MOSFET étant réservés aux tensions inférieures.

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