Université Ferhat Abbas - Sétif 1 Nom: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Niveau: L2 Electronique
Faculté de Technologie Prénom: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29 Novembre 2020
Département d’Electronique Groupe: . . . . . . Durée: 60 minutes
Corrigé de l’examen - EPCE
• Le sujet contient deux pages (recto verso).
• Chaque partie est un ensemble de questionnaires à choix multiples (QCM).
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Cocher la (ou les) bonne(s) réponse(s). Chaque case est évaluée par 0,25 point.
• SC : Semi-conducteur
Partie 1. (4 points)
— Le volume V de l’espace limité par des vecteurs de translation (~a1 , ~a2 , ~a3 ) d’un réseau cristallin est :
X V ≥ volume de la maille primitive V = volume de la maille primitive X V = volume de la maille
X V ≥ volume de la maille de Wigner-Seitz X V = ~a1 · |~a2 ∧ ~a3 | V ≥ ~a1 · |~a2 ∧ ~a3 |
— Un semi-conducteur intrinsèque est :
isolant si kB T ≤ Eg X isolant à T → 0K isolant à 300K X conducteur à T > 300K
— Le niveau de Fermi (EF ) est :
X différent du potentiel chimique en général X l’énergie la plus élevée des électrons à 0K
une constante caractéristique des matériaux X situé dans la bande interdite pour un SC non-dégénéré
Partie 2. (5 points)
On considère un SC extrinsèque contenant des donneurs et des accepteurs de densités égales (Nd = Na) où les
énergies de liaison vérifient la condition Ela < Eld . En se basant sur le diagramme de bandes, cocher la (ou les)
bonne(s) réponse(s) pour chacune des conditions suivantes :
• Si kB T < Ela :
X n = p = ni = 0 X Nd + = Na – = 0 X n + Na – = p + Nd + n + Na 6= p + Nd
• Si Ela ≤ kB T < Eld :
X p≥n X p 6= 0, n = 0 et Na – ≤ Na X Na – = p et Nd + = 0 X n + Na – = p + Nd +
• Si Eld ≤ kB T < Eg :
X Nd + = Na – X n – p = Nd + – Na – X p 6= 0, n 6= 0 n + Na + = p + Nd –
• Si kB T ≥ Eg :
X n ≥ ni et p ≥ ni X n 6= 0, p 6= 0 et ni 6= 0 X p – n = Na – – Nd + X n > Nd + et p > Na –
• Si kB T Eg :
n ni et p ni X Nd + = Nd et Na – = Na n ni et p ni X n + Na = p + Nd
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Partie 3. (4 points)
— Le silicium intrinsèque peut devenir extrinsèque de type n par :
X dopage dopage par des accepteurs X dopage par l’arsenic
X ajout de donneurs ajout d’impuretés trivalentes dopage par des atomes quadrivalents
X insertion des impuretés pentavalentes dopage par le bore
— Le silicium intrinsèque peut devenir extrinsèque de type p par :
X ajout d’impuretés trivalentes dopage par des atomes quadrivalents X dopage
dopage par l’arsenic X dopage par le bore ajout d’impuretés pentavalentes
ajout de donneurs X dopage par des accepteurs
Partie 4. (7 points)
— A la température ambiante, un courant électrique est créé dans un SC extrinsèque si :
~ 6= ~0
X le gradient de la tension ∇V ~ 6= ~0
X le champ électrique E on augmente la température
~ + ∇p
X ∇n ~ = ~0 et ∇V
~ 6= ~0 ~ 6= ~0 et E
X ∇n ~ = ~0 ~ 6= ~0 ou ∇p
X ∇n ~ 6= ~0
X la distribution des porteurs libres est inhomogène ~ = ~0
p = 0 et ∇n ~ 6= ~0
X n = 0 et ∇p
— Dans le cas d’un matériau contenant un seul type de porteurs libres de charge unitaire q et de densité n,
~ et
les densités des courants, de diffusion et de conduction, sont données respectivement par ~jd = –qD∇n
~ = nq~vd où ~vd = ±µE
~jc = σ E ~ est la vitesse de dérive.
— Identifier, ci-dessous, les grandeurs σ, µ et D :
• σ est : la résistance la mobilité la permittivité la résistivité X la conductivité
• µ est : conductivité la viscosité X la mobilité le potentiel chimique la perméabilité
• D est : la diffusion la densité X la constante de diffusion conductivité le déplacement
— Dans un SC extrinsèque, les densités des courants de conduction ~jc et de diffusion ~jd dus simultanément aux
électrons (n) et aux trous (p) peuvent être écrites comme suit :
~
X ~jc = e(nµn + pµp )E X ~jc = pe~vp – ne~vn ~ – Dp ∇p)
X ~jd = e(Dn ∇n ~ ~
~jc = e(–nµn + pµp )E
~ – Dn ∇n)
~jd = e(Dp ∇p ~ ~
X ~jc = (σn + σp )E ~ – ∇p)
~jd = eD(∇n ~
Bon Courage
