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IFIPS 2ème année - Département Matériaux

Physique des Dispositifs

électroniques

Cédric KOENIGUER
http ://koeniguer.perso.cegetel.net/ifips/ifips.html

Octobre 2006
Page 2
Table des matières

I Hétérostructures 9

1 Le contact Métal-Semiconducteur 13
1.1 Etude à l’équilibre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.1.1 Approche qualitative . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.1.2 Modélisation du diagramme des bandes . . . . . . . . . . . . . 16
1.1.3 Etude des courants à l’équilibre. . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.2 Etude hors équilibre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.2.1 Contact ohmique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
1.2.2 Contact redresseur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
1.3 Amélioration des modèles précédents . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
1.3.1 Ancrage du niveau de Fermi : le modèle de Baarden . . . . . . 27
1.3.2 Effet schottky . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
1.4 Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

2 Jonction composée de deux semiconducteurs 33

2.1 Etude d’une jonction à l’équilibre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.1.1 Allure du diagramme des bandes . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.1.2 Modélisation du diagramme des bandes . . . . . . . . . . . . . 37
2.1.3 Répartition du champ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
2.1.4 Etude de la continuité du champ . . . . . . . . . . . . . . . . 41
2.2 Etude hors équilibre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
2.2.1 Répartition du potentiel appliqué. . . . . . . . . . . . . . . . . 41
2.2.2 Les différents courants . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

3 Structure MIS 45
3.1 Les différents régimes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.1.1 Conventions et rappels . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.1.2 Polarisation négative . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
3.1.3 Polarisation positive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
3.2 Modélisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
3.2.1 Régime de désertion et de faible inversion . . . . . . . . . . . 52
3.2.2 Régime de forte inversion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

3
TABLE DES MATIÈRES

II Etude des capteurs CCD 55

4 Principe de la détection 59
4.1 Constante diélectrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
4.2 Temps de stockage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
4.3 Synthèse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61

5 Etude du transfert de charge 63

5.1 Etude d’un transfert à deux phases . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
5.1.1 Conditions de l’étude . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
5.1.2 Transfert de charge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
5.2 Transfert à 3 phases. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
5.2.1 Nécéssité du transfert à 3 phases . . . . . . . . . . . . . . . . 67
5.2.2 Etude du transfert à 3 phases . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
5.3 Réalisation de la couleur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69

III Introduction à l’optoélectronique 71

6 Généralités 73
6.1 Interaction rayonnement-matière . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
6.1.1 Quelques rappels sur le photon . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
6.1.2 Quelques rappels sur l’électron. . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
6.1.3 Interaction électron/photon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
6.1.4 Les différentes transitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
6.2 Etude des différents spectres d’absorption . . . . . . . . . . . . . . . 79
6.2.1 Sensibilité de l’oeil . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
6.2.2 Transmission dans l’atmosphère . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
6.2.3 Transmission d’une fibre optique . . . . . . . . . . . . . . . . 81
6.3 Quelques grandeurs utiles ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
6.3.1 Coefficient de réflexion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
6.3.2 Coefficient d’absorption . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
6.3.3 Notion de rendement quantique. . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
6.3.4 Réponse spectrale. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
6.3.5 Autres grandeurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85

7 Les photodétecteurs à semiconducteurs 87

7.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
7.2 Dispositifs photoconducteurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
7.3 Etude d’une photodiode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
7.3.1 Photodiode à jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
7.3.2 Les autres types de photodiode . . . . . . . . . . . . . . . . . 91

8 Photoémetteurs à semiconducteurs 93
8.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
8.2 Diodes électroluminescentes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
8.2.1 Principe de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93

Page 4
TABLE DES MATIÈRES

8.2.2 Détermination du rendement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94

8.2.3 Amélioration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
8.3 Laser à semiconducteurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
8.3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
8.3.2 Rappels sur la physique du laser . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
8.3.3 Diode laser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100

Page 5
TABLE DES MATIÈRES

Page 6
Introduction

Ce polycopié rassemble quelques notions de base sur le fonctionnement des dispo-

sitifs à semiconducteurs les plus courants, exceptés la jonction PN (à homojoncion)
et les transistors qui ont été vu en première année. Il constitue donc un complément
au cours de Physique des composants de la première année de l’IFIPS.
Ce document donne une première approche, bien souvent qualitative, pour com-
prendre dans les grandes lignes les principes physiques essentiels permettant d’ex-
pliquer le fonctionnement de ces dispositifs. Nous laissons le soin au lecteur, désireux
d’en savoir plus, de consulter les ouvrages mentionnés en annexe. Ces ouvrages sont
dans l’ensemble très complets et permettront de répondre à un grand nombre de
questions qui n’ont pas été abordées ici.
En effet, le but de ce cours n’est pas de faire un état de l’art des composants ni de
donner une approche technologique. Il s’agit juste de donner un aperçu des compo-
sants à semiconducteur que l’on peut rencontrer dans l’industrie de l’électronique
(au sens large) et de justifier leur fonctionnement. Ainsi, la modélisation la plus
simple de chaque composant a été choisie et les performances actuelles ne sont pas
fournies.
Nous nous sommes efforcé de rendre ce cours le plus accessible possible, en donnant
le maximum d’explications qualitatives et en essayant de ne pas trop rentrer dans
la physique du solide.

Les composants abordés sont des composants issus de la microélectronique : les

dimensions sont relativement importantes (composants qu’on pourrait qualifier de
”micro”). Nous avons laissé de côté les composants issus des filières des nanotechno-
logies, ces derniers faisant appel à des notions de mécanique quantique plus poussées.

Ce polycopié s’articule autour de trois parties. Dans un premier temps, nous

abordons les hétérostructures. Trois familles de composants sont étudiées : les jonc-
tions métal/semiconducteur, qui sont présentes au niveau des contacts dans tout
dispositif à semiconducteur ; les hétérojonctions à semiconducteurs, qui constituent
une généralisation des jonctions PN classiques ; la capacité MOS, qui est la brique
de base de l’électronique actuelle (et encore pour quelques années).
La seconde partie constitue une transition entre la première et la dernière partie :
elle concerne l’étude des capteurs CCD. La structur MOS est mise à profit pour la
détection dans le visible et pour le transfert de charge.
Enfin, la dernière partie est une introduction à l’optoélectronique : les concepts de
base sont donnés puis appliqués à la détection, au travers des photoconducteurs et
des photodiodes, et à l’émission de lumière (LED et diodes laser).

7
TABLE DES MATIÈRES

Page 8
Première partie

Hétérostructures

9
Introduction

La jonction PN et le transistor bipolaire étudiés en première année dans le cours

de physique statistique et physique du composant sont des composants constitués
de semiconducteurs de dopages différents mais de même composition chimique (par
exemple de Silicium). De tels composants sont qualifiés d’homojonction.
Si on assemble des matériaux de composition chimique différentes, on forme des
hétérojonctions (ou encore hétérostructures).
On distingue deux grands types d’hétérostructures constituées de deux matériaux
différents, qui seront étudiés cette année : le contact métal-semiconducteur et la
jonction formée par deux semiconducteurs différents.
La structure Métal-Oxyde-Semiconducteur (également appelée capacité MOS ou
structure MIS) est un autre exemple d’hétérostructure. Nous reviendrons sur les
caractéristiques essentielles d’une telle structure, permettant de justifier leur impor-
tance dans les capteurs CCD aussi bien au niveau de l’acquisition que du traitement
de l’information.

Notions essentielles liées aux hétérostructures

L’étude d’une hétérostructure sera identique à celle des homojonctions : nous
partirons des deux jonctions isolées et nous les rapprocherons pour comprendre la
structure à l’équilibre. Après cette étude qualitative, nous essayerons de quantifier
les paramètres de l’équilibre, puis nous tenterons de voir ce qu’il se passe pour la
structure hors équilibre.

Lorsqu’on étudie une jonction PN classique (jonction abrupte à homojonction), on

associe deux quasi niveaux de Fermi aux deux semiconducteurs : chaque pseudo-
niveau de Fermi est référencé par rapport à la bande de conduction et à la bande
de valence. Lors de l’étude d’un contact métal-semiconducteur, il est difficile de
référencer le niveau de Fermi du métal 1 . Lors de l’étude de l’association de deux
semiconducteurs différents, les gap sont différents : il est donc peu commode de se
référencer par rapport aux bandes de conduction et de valence.
Il est donc courant de référencer les bandes d’énergie par rapport au niveau du vide
(noté NV). L’écart d’énergie entre le niveau du vide (correspondant à une énergie
nulle) et un niveau d’énergie donné (par exemple le niveau de Fermi) est l’énergie
qu’il faut fournir à un éléctron du réseau cristallin pour l’extraire de ce réseau, sans
1
n’oublions pas qu’un métal se comporte comme un semiconducteur fortement dégénéré, c’est
à dire que le niveau de Fermi du métal est bien au dessus de la bande de conduction

11
vitesse finale.
On appelle :
– travail de sortie : énergie séparant le niveau du vide du niveau de Fermi (noté
q φ)
– affinité électronique : écart d’énergie entre le niveau du vide et la bande de
conduction (noté q χ)
Pour un métal : seul le travail de sortie est un paramètre utile. C’est une constante
du matériau.
Pour un semiconducteur : le travail de sortie est fonction du matériau et du do-
page (puisque le niveau de Fermi est fonction du dopage). En revanche, l’affinité
électronique ne dépend pas du dopage : c’est une constante du matériau.

NV
qχ
qφ
EC

Fig. 1 – Définition du travail de sortie et de l’affinité électronique dans un semicon-

ducteur.

Page 12
Chapitre 1

Le contact Métal-Semiconducteur

Importance de l’étude
Ce contact est aussi appelé jonction (ou contact) schottky. Tout d’abord, suppo-
sons que nous souhaitions étudier un semiconducteur massif. Comme tout compo-
sant électronique, il va falloir réaliser deux contacts pour relier notre dispositif à un
générateur (de tension ou de courant) ou pour l’insérer dans un circuit. Le contact
est tout simplement réalisé par une soudure entre un métal (le fil électrique) et le
semiconducteur considéré : c’est donc un contact schottky. Comment se comporte-
t-il ? Est-ce qu’il joue bien son rôle de contact, c’est à dire permet-il la circula-
tion des électrons du circuit externe vers le semiconducteur et réciproquement sans
contrainte ? Est-il faiblement résistif ? Comment réaliser un bon contact ?
En outre, nous verrons que sous certaines conditions, la jonction schottky peut être
redresseuse, c’est à dire qu’elle peut jouer le rôle de diode. De telles diodes ont
des propriétés intéressantes, notamment vis à vis des fréquences d’utilisation. Par
ailleurs, elles sont largement utilisées dans l’optoélectronique en tant que capteur.

1.1 Etude à l’équilibre

1.1.1 Approche qualitative
Soit φm le travail de sortie du métal, φS le travail de sortie du semiconducteur
et χ l’affinité électronique du semiconducteur.
Nous allons étudier plus en détail le cas où φm > φS . Nous pourrons alors adopter
un raisonnement analogue pour le cas φm < φS .
La figure 1.1 expose une méthode rapide pour retrouver l’allure du diagramme des
bandes d’énergie et comprendre le fonctionnement qualitatif de l’établissement de
l’équilibre d’une jonction schottky. Il faut remarquer que le type de semiconducteur
n’est précisé que dans le dernier schéma. Il n’est pas nécessaire de connaı̂tre le type
du semiconducteur pour déterminer l’allure des bandes d’énergie. En revanche, le
type du dopage permet de déterminer la nature de la Zone de charge d’espace (ZCE)
de la jonction (accumulation ou zone de désertion).

13
CHAPITRE 1. LE CONTACT MÉTAL-SEMICONDUCTEUR

Semiconducteur
Métal
NVm= NV = NVSC
qΦSC qχ
(a) qΦm Ec
e- EFSC
EFm

(b) qΦm qΦSC qχ

Ec
EF

NV
(c) qΦm qΦSC
Ec
EF

type N type P

NV
(d) Ec Ec
EF
EV
EV
zone de zone
désertion d'accumulation

Fig. 1.1 – Etablissement de l’équilibre thermodynamique d’une jonction schottky

dont φm > φS (a) deux matériaux isolés ;(b) diagramme loin de la jonction ; (c)
diagramme complet ;(d) étude des deux cas : semiconducteur de type N et P

Page 14
1.1. ETUDE À L’ÉQUILIBRE

– Considérons un barreau de métal et un barreau de semiconducteur isolés l’un

de l’autre (cas (a)). Chaque système est caractérisé par son propre niveau
de Fermi. Les deux niveaux du vide sont alignés. Les deux quasi-niveaux de
Fermi ne sont pas alignés, puisque les travaux de sortie des deux matériaux
sont différents. Rapprochons ces deux morceaux (par la pensée : une telle
manipulation n’est pas réalisable). Lorsque les deux barreaux sont accolés, ils
peuvent échanger des électrons pour atteindre une situation d’équilibre, afin
que les deux quasi-niveaux de Fermi s’alignent. Loin de la jonction, l’équilibre
initial est maintenu. Côté métal, le niveau du vide et le niveau de Fermi sont
séparés d’un écart d’énergie qφm (loin de la jonction). Côté semiconducteur,
loin de la jonction, la bande de conduction et le niveau du vide sont séparés
du niveau de Fermi par qφS et qχ (cas (b)).
– Proche de la jonction, la situation est différente. Sur la figure (a), nous pou-
vons constater que le quasi-niveau de Fermi du semiconducteur est au des-
sus du quasi-niveau de Fermi du métal : il va donc y avoir une diffusion des
électrons du semiconducteur vers le métal. Cette diffusion va permettre un ali-
gnement des deux quasi-niveaux de Fermi pour permettre d’atteindre un état
d’équilibre. La densité d’état étant beaucoup plus élevée dans le métal que dans
un semiconducteur (de plusieurs ordre de grandeur), les électrons diffusés vont
se trouver localisés dans le métal en surface uniquement. Les bandes d’énergie,
côté métal, resteront identiques à l’équilibre initial 1 . Le départ des électrons
provenant du semiconducteur va en revanche provoquer une modification des
bandes d’énergie sur une certaine distance 2 , côté semiconducteur. Ceci est
représenté sur la figure (c). Deux cas sont à envisager : le semiconducteur est
soit de type N, soit de type P.
– Si le semiconducteur est de type N (figure (d) à gauche), le départ des électrons,
proche de la jonction, va définir une zone de désertion (les atomes donneurs ne
sont plus compensés par des électrons). Cette zone est chargée positivement 3 .
– Si le semiconducteur est de type P, les électrons vont diffuser également vers le
métal. Ces porteurs étant minoritaires, le semiconducteur va générer des paires
électrons/trous pour compenser ce départ et tenter de restaurer l’équilibre
initial. Les électrons générés sont diffusés vers le métal. On a donc un ”surplus”
de trous : une zone d’accumulation (de trous) apparait en surface. Cette zone,
est chargée positivement 4 .
Une zone de désertion est une zone chargée dépourvue de porteurs libres. La charge
provient des atomes donneurs ou accepteurs (selon le type de semiconducteur). C’est

1
cette forte densité d’état côté métal a pour conséquence de ne pas modifier les bandes d’énergie.
2
la densité d’état du semiconducteur ou la densité d’atomes dopants est beaucoup plus faible :
la diffusion des électrons se fera sur une certaine distance dans le semiconducteur.
3
plus on se rapproche de la jonction et plus le champ électrique est intense (en valeur absolue).
La bande de conduction ”s’éloigne” du niveau de Fermi et la bande de valence s’en ”rapproche”.
Le semiconducteur devient de moins en moins de type N, ce qui est bien cohérent avec le défaut
d’électrons que l’on a dans la ZCE.
4
un raisonnement analogue peut être appliqué : la bande de conduction s’éloigne du niveau de
Fermi et la bande de valence s’en rapproche. Le semiconducteur devient de plus en plus de type P,
ce qui est bien cohérent avec l’accumulation de trous que l’on a au niveau de cette jonction.

Page 15
CHAPITRE 1. LE CONTACT MÉTAL-SEMICONDUCTEUR

donc une zone fortement résistive 5 .

Une zone d’accumulation est également une zone chargée, mais elle comporte un très
grand nombre de porteurs (supérieur à la densité de porteurs majoritaire définit à
l’équilibre). Cette zone est donc faiblement résistive.
Nous ne pouvons pas donner le type de la courbure pour le moment : il faut faire une
étude plus quantitative pour connaı̂tre plus précisemment la forme de la courbure
des bandes d’énergie.
La figure 1.2 montre le même raisonnement avec φm < φS .

1.1.2 Modélisation du diagramme des bandes

Nous allons donner une approche plus quantitative dans le cas où il y a établissement
d’une zone de désertion. Prenons par exemple un métal dont le travail de sortie est
plus grand que celui du semiconducteur et considérons un semiconducteur de type
N.
Le modèle que nous allons donner (et qui est tout à fait analogue à celui d’une
jonction PN abrupte) repose sur deux hypothèses (cf figure 1.3) :

1. la zone d’accumulation d’électrons dans le métal résultant de la diffusion des

électrons est localisée en surface. La densité de charge est un Dirac, côté métal.
Cette accumulation permet de conserver la neutralité globale de la structure,
mais n’aura pas d’incidence sur les bandes d’énergie.

2. la zone de charge d’espace a une densité de charge de type ”rectangulaire”.

La première hypothèse est bien sûr justifiée par la densité d’état qui est bien plus
élevée dans le métal que dans le semiconducteur.
L’intégration de l’équation de Maxwell-Gauss : div E ~ = ρ/ donne le champ électrique.
Etant donné la présence du Dirac (côté métal), le champ sera discontinu à l’inter-
face 6 . Par intégration du champ électrique, on obtient le potentiel, qui au signe près
fournit les variations des bandes d’énergie. L’intégration de l’équation de Poisson
permet d’obtenir le résultat plus rapidement.
La figure 1.4 illustre le raisonnement permettant de modéliser la courbure des bandes.
Prenons l’exemple d’une jonction schottky de type N, avec φm > φS . Soit Nd la den-
sité d’atome donneur (qui correspond à la densité de porteurs 7 ). Prenons comme
origine l’interface entre les deux matériaux. La figure 1.4 (a) montre la répartition
de la densité de charges.
Pour x > 0, l’équation de Maxwell-Gauss s’écrit :
dE qNd
=
dx
5
Rappelons que conductivité σ (l’inverse de la résistivité) est donnée par : σ = qnµ, où µ est la
mobilité des porteurs et n la densité des porteurs considérés. Donc, moins il y a de porteurs, plus
faible sera la conductivité et donc plus élevée sera la résistivité.
6
cette discontinuité n’est pas présente dans une homojonction PN.
7
on suppose que tous les atomes donneurs sont ionisés : chaque atome donneur fournit un
électron.

Page 16
1.1. ETUDE À L’ÉQUILIBRE

Semiconducteur
Métal
NVm= NV = NVSC
qχ
(a) qΦm Ec
e-
qΦSC
EFm
EFSC

qχ

qΦm qΦSC
(b)
Ec
EF

NV
(c) qΦm qΦSC
Ec
EF

type N type P

NV Ec NV Ec

(d) qΦm qΦSC qΦm qΦSC

EF EF

EV
zone zone de
d'accumulation désertion
EV

Fig. 1.2 – Etablissement de l’équilibre thermodynamique d’une jonction schottky

dont φm < φS (a) deux matériaux isolés ;(b) diagramme loin de la jonction ; (c)
diagramme complet ;(d) étude des deux cas : semiconducteur de type N et P

d’où, d ans la ZCE :

qNd
E(x) = x + cte

Page 17
CHAPITRE 1. LE CONTACT MÉTAL-SEMICONDUCTEUR

Métal Semiconducteur
(type N)
ρ
QSC
q Nd
0
x
W

Fig. 1.3 – Densité de charge dans une diode schottky.

Le champ doit être nul dans la zone quasi neutre (pas de chute de potentiel dans
cette zone puisqu’il s’agit d’une zone faiblement résisitive). Si W est la largeur de
la zone de charge d’espace :
qNd
E(x) = (x − W )

Côté métal (x < 0) : E(x) = 0
D’où la figure 1.4 (b). On peut donc en déduire le potentiel :
Pour x < 0 : V (x) = cte. Prenons cette constante nulle.
Pour 0 < x < W : dV dx
= − qN d (x − W ) et donc :

Z
qNd x
V (x) − V (0) = − (u − W )du
0
!
qNd x2
V (x) = − − Wx
2

8
On en déduit la hauteur de barrière de potentiel :

Vd = V (W )
qNd 2
= W (1.1)
2
On obtient donc au signe près (et à une constante additive près) les variations des
bandes d’énergie : !
q 2 N d x2
Ei (x) = − Wx
2
D’où la figure 1.4 (d).
Remarque : le cas de la zone d’accumulation est beaucoup plus délicat à traiter :

8
Cette expression est à rapprocher de celle concernant une jonction PN : W 2 = 2 q
1
Nd + 1
Na V .
A partir de l’expression dans le cas d’une jonction PN, il suffit de faire tendre le dopage Na , côté P,
vers l’infini pour retrouver la largeur de la ZCE dans une jonction schottky. Une jonction schottky
est en quelque sorte un cas particulier d’une jonction PN, ce qui se retrouve bien sur le diagramme
des bandes

Page 18
1.1. ETUDE À L’ÉQUILIBRE

Métal Semiconducteur
(type N)
ρ
q Nd
(a) x
0 W

E
(b) x

Vd
(c)
x

Energie

(d) NV

EC
EF

EV
x

Fig. 1.4 – Intégrations successives de la densité de charge dans une diode schottky
de type N.

la densité de porteurs est plus importante qu’à l’équilibre et ces porteurs sont mo-
biles. L’apparition de ces porteurs crée un champ qui modifie leur répartition. Il faut
résoudre de manière auto-cohérente l’équation de Poisson, ce qui nécessite des outils
numériques.

Comme dans le cas de la jonction PN, l’établissement de l’équilibre résulte d’une

diffusion de porteurs et donc d’un courant de diffusion associé. Ce dernier est contré
par un courant inverse. A l’équilibre, deux courants inverses se compensent à chaque
instant. Nous allons étudier quels sont les courants existants à l’équilibre.

1.1.3 Etude des courants à l’équilibre.

Par définition de l’équilibre, il n’y a pas de courant macroscopique global. Il y a
un équilibre entre différents courants locaux. On distingue 3 grands types de courant
dans une jonction schottky :

– le courant thermo-électronique (cf figure 1.5 (b)). Il provient des électrons (ou
des trous) de la zone quasi neutre et du métal, ayant une énergie suffisante pour
franchir la barrière de potentiel. C’est par agitation thermique que certains
électrons (ou certains trous) peuvent ”passer” au dessus de cette barrière et se

Page 19
CHAPITRE 1. LE CONTACT MÉTAL-SEMICONDUCTEUR

Energie Energie

Vd
NV NV

Eb Vd
EC EC

EF EF

(a) (b)

Energie Energie

NV NV

EC EC

EF EF

Fig. 1.5 – Les trois grands types de courant dans une diode schottky : (a) définition
des barrières de potentiel ; (b) courants thermoélectroniques ;(c) courant tunnel (un
seul sens a été représenté afin que la figure soit plus lisible) ; (d) courant tunnel
assisté par agitation thermique (un seul sens représenté)

retrouver dans l’autre matériau de la jonction. C’est le courant principal d’une

diode schottky.
– le courant tunnel (cf figure 1.5 (c)). Certains électrons peuvent franchir la
barrière par effet tunnel et participer à un courant. Ce courant sera important
dans certains cas. Nous le négligerons dans un premier temps, par soucis de
simplicité.
– un courant mixte : thermoélectronique et tunnel (cf figure 1.5 (d)). Certains
électrons peuvent avoir une énergie inférieure à celle de la barrière de potentiel
et passer à travers par effet tunnel. Ce courant, plus difficile à évaluer, sera
négligé dans notre étude.
Il faut aussi mentionner un dernier courant qui existe dans la zone de charge d’es-
pace : il s’agit d’un courant de diffusion (car en réalité la zone de charge d’espace
n’est pas entièrement dépeuplée). Ces porteurs (même si ils sont peu nombreux) dif-
fusent. Le courant global étant conservatif, certains modèles physiques permettent,
par continuité, de rendre compatible les courants de diffusion et thermoélectronique.

Courant thermoélectronique
Notation : on note Eb la hauteur de la barrière de potentiel vue par les électrons
du métal et Vd la barrière de potentiel vue par les électrons du semiconducteur (cf
figure 1.5 (a)).

Page 20
1.2. ETUDE HORS ÉQUILIBRE

Pour calculer ce courant, il faut évaluer la proportion d’électrons ayant une énergie
supérieure à Eb et une vitesse orientée dans le bon sens (vers la droite si on est dans
le métal). On peut montrer que ce courant se met sous la forme 9 :

| Jm→sc |= A∗ T 2 e−Eb /kb T (1.2)

avec :

4πqm∗ kb2
A∗ = : constante de Richardson (1.3)
h̄3
m∗ = masse effective du porteur considéré (1.4)

La constante de Richardson vaut, pour m? = m0 (masse de l’électron) : A? =

120 A.cm−2 K−2 .
Ce courant est orienté du semiconducteur vers le métal (sens opposé au sens des
électrons) et est donc négatif pour la convention de la figure 1.6.
A l’équilibre, les courants thermoélectronique ”métal → semiconducteur”, noté Jm→sc ,
et ”semiconducteur → métal”, noté Jsc→m se compensent 10 : | Jm→sc |=| Jsc→m |.
On peut écrire différemment la dernière équation en remplaçant l’expression de la
barrière Eb en fonction de Vd :

Eb = qVd + φF , avec : (1.5)

φF = Ec∞ − EF (1.6)

où Ec∞ désigne la bande de conduction loin de la jonction. Le courant peut alors se
réécrire comme suit :
∞
| Jsc→m |= A∗ T 2 e−qVd /kb T |e−(Ec −E
{z
F )/kb T
} (1.7)
n
Nc

On dispose donc de deux expressions : l’une fonction de la hauteur de la barrière

vue par les électrons du métal, et l’autre, fonction de la hauteur de la barrière vue
par les électrons du semiconducteur. Ces deux expressions vont nous être utile pour
l’étude des courans hors équilibre.

1.2 Etude hors équilibre

Durant cette étude, nous adopterons les conventions de la figure 1.6. La tension
V correspond donc à la différence de potentiel suivante : V = Vm − Vsc .
9
attention : le symbole m → sc désigne le sens de parcours des électrons et non le sens du
courant qui est opposé !
10
la barrière côté métal est plus importante que la barrière côté semiconducteur. On pourrait
donc penser à priori que le courant Jsc→m est plus important que le courant Jm→sc . Il ne faut
pas oublier qu’il y a plus de porteurs libres dans le métal que dans le semiconducteur : la barrière
est certes plus importante côté métal mais la densité de porteurs aussi. Côté semiconducteur, la
barrière est plus petite mais la densité de porteurs est plus faible. Au final il y a équilibre : on a
autant de porteurs ayant une énergie plus grande que la barrière des deux côtés.

Page 21
CHAPITRE 1. LE CONTACT MÉTAL-SEMICONDUCTEUR

I métal SC

Fig. 1.6 – Définition de la convention relative au courant et à la tension.

1.2.1 Contact ohmique

Considérons une jonction schottky ayant une zone d’accumulation (par exemple
de type P, φm > φs ). Contrairement à une jonction ayant une zone de désertion
(qu’elle soit de type PN ou schottky), il n’y a pas de zone fortement résistive lo-
calisée dans le semiconducteur : on a une accumulation de porteurs au moment de
l’instauration de l’équilibre et donc une conductance élevée dans le semiconducteur.
Si on applique un champ externe, celui-ci s’appliquera uniformément sur tout le se-
miconducteur (et naturellement pas sur le métal, en raison de la forte conductivité
de ce dernier). Celui-ci se comporte donc comme une résistance, exepté dans la zone
d’accumulation où la barrière de potentiel reste fixée à l’interface par les matériaux
et où un léger effet schottky (décrit plus loin) a tendance à conserver la courbure
des bandes. Dans la zone quasi-neutre, les bandes d’énergie et le niveau de Fermi
associé ont donc une variation linéaire.
Le métal se comporte comme une résistance de très faible valeur car possédant
un grand nombre de porteurs : en première approximation, on peut donc négliger
l’influence du champ électrique sur le métal. Le niveau de Fermi associé au métal
reste constant, ainsi que le niveau du vide. La jonction ainsi formée est ohmique.
La figure 1.7 montre l’allure du diagramme des bandes à l’équilibre et hors équilibre.
Si V > 0 (cas (a)), le champ crée est orienté de la gauche vers la droite : les trous
subissent une force qui a tendance à les pousser vers la droite (loin de la jonction, à
droite, le semiconducteur est plus de type P). La situation est inversée si on inverse
le signe de la tension (cas (b).
La modélisation du transport électronique dans une telle structure n’est pas facile à
déterminer : la répartition des charges est fonction de l’effet schottky et du potentiel
appliqué. Une résolution numérique doit être appliquée. Nous ne détaillerons donc
pas le calcul permettant de connaı̂tre la caractéristique courant-tension.

1.2.2 Contact redresseur

Approche qualitative
Considérons par exemple une jonction métal-semiconducteur ayant les carac-
téristiques suivantes : φm > φs et de type N. Appliquons une tension : un champ
externe est donc appliqué à la structure. Ce champ va se superposer au champ interne
crée par la zone de charge d’espace. A priori, le champ s’applique tout le long de la
structure. Mais une zone de désertion est une zone dépourvue de porteurs libres :

Page 22
1.2. ETUDE HORS ÉQUILIBRE

Ec
EFSC
EFm qV

EV
(a)

EFm Ec

qV EFSC

(b)

Fig. 1.7 – Diagramme des bandes d’énergie en fonction du potentiel appliqué. Cas
(a) : Vm > Vsc (V > 0) ; Cas (b) :Vsc > Vm (V < 0).

c’est donc une zone fortement résistive, à la différence des zones quasi neutres et du
métal. Il est donc naturel de considérer que le champ externe ne s’applique que sur
la zone de charge d’espace, comme c’est généralement le cas dans une jonction PN.
On peut adopter deux raisonnements pour comprendre la situation hors équilibre :

1. Raisonnons sur les signes des tensions et des énergies.

Si V > 0, alors Vm > Vs et donc 11 : EF m < EF s . Le quasi-niveau de Fermi
du semiconducteur augmente d’un facteur qV par rapport au quasi-niveau de
Fermi du métal. Loin de la zone de charge d’espace, il n’y a pas de modification
de la répartition des porteurs de charge, puisque le champ ne s’y applique pas.
Les bandes d’énergie vont donc se translater d’un même facteur qV (en dehors
de la ZCE) pour conserver localement l’équilibre. La bande de conduction et
le niveau du vide étant fixes au niveau de la jonction, cette barrière globale est
donc plus faible qu’à l’équilibre (pour les électrons de la zone quasi neutre).
Elle vaut : Vd0 = Vd − V .
En revanche, si V < 0, les bandes d’énergies dans la zone quasi-neutre et
le quasi niveau de Fermi du semiconducteur sont translatés vers le bas : la
barrière de potentiel augmente et vaut : Vd0 = Vd + | V |= Vd − V .
Finalement, côté métal, rien ne change : les électrons du métal voient toujours
une barrière Eb . Il existe toujours le même courant Jm→sc thermoélectronique
11
n’oublions pas que les tensions et les énergies sont équivalentes au signe près.

Page 23
CHAPITRE 1. LE CONTACT MÉTAL-SEMICONDUCTEUR

q Vd'
Ec

qV EFSC
EFm

EV
(a)

q Vd'

EFm Ec

qV EFSC

(b)

Fig. 1.8 – Raisonnement sur la tension : les bandes d’énergie et le niveau de Fermi
se translattent. Cas (a) : Vm > Vsc ; Cas (b) : Vsc < Vm

dans ce sens. Côté semiconducteur, les électrons voient une barrière de po-
tentiel qui augmente ou diminue selon le signe de la tension appliquée : le
courant thermoélectronique Jsc→m va diminuer ou augmenter par rapport à
l’équilibre (selon le signe de la tension). Un courant global va donc apparaı̂tre.
La situation est résumée sur la figure 1.8.
2. Raisonnons sur le champ appliqué.
A l’équilibre, la zone de charge d’espace crée un champ orienté vers la gauche
(vers le métal chargé localement négativement) 12 . Appliquons une tension po-
sitive. Nous avons vu que cette tension créait un champ supplémentaire orienté
vers la droite (vers le semiconducteur). Le champ global (qui est la somme du
champ interne et du champ externe) sera plus faible que le champ de la ZCE
à l’équilibre : les électrons vont donc pouvoir diffuser plus facilement du se-
miconducteur vers le métal. La diminution du champ entraine la diminution
de la ZCE et la diminuation de la barrière de potentiel. Un courant apparait,
orienté de la gauche vers la droite : l’équilibre est rompu. D’après la convention
choisie, ce courant est négatif 13 .
12
Ce champ permet ainsi de contrer la diffusion des électrons du semiconducteur vers le métal et
permet d’atteindre un état d’équilibre résultant de la compétition entre la diffusion des électrons
vers le métal (afin dégaliser les niveaux de Fermi) et la conduction dûe à ce champ (comme dans
le cas de la jonction PN)
13
ce raisonnement est basé sur les courants de diffusion. Il n’est donc pas question ici de courant
thermoélectronique. En réalité, on peut montrer que ce courant de diffusion est lié au courant
thermoélectronique et que les deux modèles sont liés. Mais une telle démonstration dépasse la
cadre de ce cours ...l’idée principale de ce raisonnement est bien la suivante : la diminution du

Page 24
1.2. ETUDE HORS ÉQUILIBRE

Appliquons une tension négative : le champ global va maintenant augmenter.

On aura une diminution de la diffusion des électrons du semiconducteur vers
le métal (par rapport à l’équilibre) ; en revanche, les électrons vont toujours
passer du métal vers le semiconducteur. Un courant (faible) apparait et il est
orienté vers la droite : l’équilibre est à nouveau rompu. La figure 1.9, illustre
ce raisonnement.

I métal SC I métal SC

V>0 V<0

Eapp Eapp
ρ ρ
q Nd q Nd

0 W x 0 W x

Eequilibre Eequilibre
Eapp Eapp

Eglobal Eglobal

(a) (b)

Fig. 1.9 – Raisonnement sur le champ. Cas (a) : Vm > Vsc ; Cas (b) : Vsc < Vm

Finallement, lorsque la tension est positive, le courant (orienté vers la droite :

I > 0) est important (car la barrière est faible côté semiconducteur) 14 . Lorsque
la tension est négative, le courant (orienté vers la gauche : I < 0) est faible (car
les barrières sont importantes). On a donc une allure courant-tension redresseuse,
représentée sur la figure 1.10. Mais ces raisonnements ne permettent pas de conclure
sur l’importance des courants entre eux : une étude quantitative est donc nécessaire.

Approche quantitative
Nous avons vu que la barrière vue par les électrons du métal était une constante
du matériau. A cette barrière était associée un courant thermoélectronique dont
l’expression est donnée par l’équation 1.2, page 21. Ce courant existe quelque soit
la perturbation externe.
La barrière de potentiel, vue par les électrons du semiconducteur, est Vd à l’équilibre.
Nous avons vu que cette barrière varie en fonction de la tension externe appliquée.
D’après l’équation 1.7, le courant d’électrons du semiconducteur vers le métal (avec

champ interne est associée à une diminution de la barrière de potentiel. Un raisonnement sur tout
type de courant peut ensuite être appliqué
14
en se rappelant l’expression de la statistique de Boltzman dans une jonction PN, on peut avoir
l’intuition d’un courant évoluant suivant une loi exponentielle ...

Page 25
CHAPITRE 1. LE CONTACT MÉTAL-SEMICONDUCTEUR

Fig. 1.10 – Allure de la caractéristique courant-tension pour une diode schottky

une barrière de potentiel Vd0 ) vaut donc :

n −qV 0 /kb T
Jsc→m = A∗ T 2 e d (1.8)
Nc
Sachant que Vd0 = Vd − V , le courant global vaut donc :

Jglobal = Jsc→m − Jm→sc (cf convention choisie) (1.9)

n n
= A∗ T 2 e−q(Vd −V )/kb T − A∗ T 2 e−qVd /kb T (1.10)
Nc Nc
n
= A∗ T 2 e−qVd /kb T eqV /kb T − 1 (1.11)
Nc

∗ 2 −qEb /kb T qV /kb T
= A
| T e{z } e − 1 (1.12)
Jsat

On retrouve l’expression d’une caractéristique courant tension d’une diode classique.

En outre, cette caractéristique est bien compatible avec la convention choisie et les
deux raisonnements qualitatifs réalisés.

Capacité
L’équation 1.1 permet de relier la largeur de la zone de charge d’espace W avec
la barrière de potentiel Vd . Lorsqu’on polarise la structure, la barrière de potentiel
est modifiée, modifiant ainsi la largeur de la zone de charge d’espace :
s
2
W = (Vd − V ) (1.13)
qNd
Si on applique une tension alternative, on va donc avoir une modulation de cette
zone de charge d’espace. On a donc une modulation de charge en fonction de la
tension appliquée : il y a donc un effet de capacité 15 .
15
ce phénomène est tout à fait analogue à celui responsable de la capacité de transition d’une
jonction PN

Page 26
1.3. AMÉLIORATION DES MODÈLES PRÉCÉDENTS

La charge présente dans la ZCE vaut :

Qsc (V ) = qNd W (V ) (1.14)
Une modulation de dV de la tension provoque donc une modification dQ de la
charge :
δQ = qNd δW (1.15)
s
2 − δW
= qNd √ (1.16)
qNd 2 Vd − V
s
qNd
= − δV (1.17)
2(Vd − V )
D’où une capacité C :
dQ
C = (1.18)
dV
s
qNd
= (1.19)
2(Vd − V )

= (1.20)
W
La mesure de la capacité en fonction de la tension appliquée 16 permet donc de
déduire le dopage et la hauteur de la barrière Vd . Il faut aussi remarquer qu’il n’existe
pas de capacité de diffusion dans une jonction schottky : il n’y a pas de diffusion de
porteurs minoritaires.
En outre, nous avons supposé qu’il n’y a pas d’états d’interface (pour approcher la
structure réelle, il faudrait tenir compte de la charge apportée par les états d’inter-
face). La capacité réelle (tenant compte de ces états) est différente.
Cette propriété (ie variation de la capacité en fonction de la tension) est mise à profit
dans les oscillateurs haute fréquence. Une tension continue permet en effet de choisir
une valeur de capacité compatible avec la fréquence d’oscillation voulue lorsqu’on
insère une telle diode dans un montage oscillateur. Les fréquences d’utilisation des
ces diodes étant élevées (plusieurs GHz, cf infra), ceci permet de réaliser des oscilla-
teurs pour la transmission d’information dans le domaine des hyperfréquences. De
telles diodes portent le nom de ”Varactor” (ou éventuellement ”diode Varicap”).

1.3 Amélioration des modèles précédents

Nous allons voir dans cette partie deux améliorations possibles au modèle décrit
précédemment.

1.3.1 Ancrage du niveau de Fermi : le modèle de Baarden

La méthode qui consiste à rapprocher par la pensée deux matériaux afin de mieux
comprendre ce qui se passe conduit, si on ne prend pas de précautions, au modèle
16
en pratique, on effectue la mesure de l’inverse du carré de la capacité.

Page 27
CHAPITRE 1. LE CONTACT MÉTAL-SEMICONDUCTEUR

de schottky. C’est le modèle qui a été développé. En particulier, ce modèle propose

l’existence de deux barrières :
1. une barrière de potentiel pour les électrons du métal, notée Eb . Cette barrière,
dans le modèle de schottky, n’est fonction que des matériaux : elle ne dépend
que du travail de sortie du métal et de l’affinité électronique du semiconducteur
(puisque Eb = q(φm −χ)). Elle ne dépend pas du dopage ni d’autres paramètres.
2. une barrière de potentiel Vd qui dépend du métal, du semiconducteur et du
dopage.
Ce modèle est en réalité inexact. Il est en effet difficile de comprendre ce qui se
passe à l’interface semiconducteur/métal. D’un point de vue de la physique des se-
miconducteurs, nous avons appliqué les lois comme si la structure cristalline était
périodique et infinie ... A l’interface, le théorème de Bloch (entre autre) n’est plus
valable. De nombreux écarts par rapport à la théorie des semiconducteurs existent :

– il y a tout d’abord rupture de la périodicité du cristal. Cette rupture, qui

laisse des atomes ayant des liaisons électroniques non saturées (appelées liai-
sons pendantes), autorise des réargements électroniques qui n’ont pas été pris
en compte (états possibles dans le gap). Ces états, appelés états de surface,
influencent de manière importante le niveau de Fermi du semiconducteur(cf
figure 1.11).
– l’interface n’est pas plane : une certaine rugosité existe étant responsable d’in-
teractions avec les électrons du réseau cristallin

Energie

Vd
NV
Eb=(2/3) Eg
EF

Fig. 1.11 – Modèle de Baarden : le niveau de Fermi est ancré au tiers du gap, en
raison des états de surfaces (représentés par les traits dans le gap à l’interface).

Ces phénomènes aboutissent à un piégeage (ou ancrage) du niveau de Fermi :

le niveau de Fermi est fixé à une certaine hauteur de la barrière de potentiel,
indépendemment du métal utilisé. On constate que le quasi-niveau de Fermi peut
être situé environ au tiers du gap au dessus de la bande de valence. La barrière de
potentiel vue par les électrons du métal vaut donc : Eb = 32 Eg . Ce modèle est le
modèle de Baarden. Nous ne développerons pas ce modèle, mais il est utile d’avoir
à l’esprit les limites du modèle de schottky.

Page 28
1.3. AMÉLIORATION DES MODÈLES PRÉCÉDENTS

1.3.2 Effet schottky

A l’interface métal/semiconducteur, il existe un phénomène d’influence qui n’a
pas été pris en compte : c’est l’effet schottky.

Origine
Considérons une interface métal-vide (on pourra aisément transposer le raison-
nement qui suit à une interface métal-semiconducteur). Prenons comme origine :
l’interface, et l’axe des abcisses orienté vers le vide. Nous avons défini le niveau du
vide par l’énergie que possède l’électron isolé du réseau cristallin sans aucune inter-
action avec ce réseau et sans vitesse. Nous avons pris comme référence des énergies
ce niveau du vide. D’après cette défintion du niveau du vide, si on extrait un électron
du métal à une distance x de l’interface, il a une énergie potentielle E nulle . Ainsi :

pour x < 0 : E(x) = −qφ

pour x > 0 : E(x) = 0

En réalité, ce résultat est faux : en extrayant un électron du réseau cristallin, on

enlève une charge négative. Une charge postive reste au niveau du métal (l’électron
libère un trou). La présence de ce trou signifie que cet électron extrait interagit avec
le réseau cristallin qui lui est proche. On peut montrer que le réseau agit comme une
charge +q située à une distance −x de la surface : cette charge est appelée charge
image. Il se crée donc un dipole électrostatique : un champ orienté de la charge image
vers la charge extraite est crée. La charge extraite est donc soumise à une force di-
rigée vers le réseau cristallin et a donc tendance à ramener l’électron extrait vers le
réseau : c’est l’effet schottky. Ce champ a tendance à diminuer l’énergie potentielle
de l’électron extrait : à une distance x > 0 de l’interface son énergie potentielle
est non nulle : −qφ < E(x) < 0. L’énergie potentielle de l’électron n’est nulle qu’à
l’infini.

Modélisation
L’électron extrait subit la force f~ = 4π −q 1
0 (2x)
2 , puisque les deux charges sont

séparées de la distance 2x. Il n’y a qu’à l’infini que l’électron ne subit plus de forces
exercées par le réseau. Pour que cet électron soit isolé, il faut donc fournir l’énergie
suivante :
Z ∞
Ef ournie (x) = f (r)dr
x
−q Z ∞ dr
=
16π0 x r 2
q
=
16π0 x
Il faut remarquer un problème de divergence de cette énergie à proximité du matériau.
Le modèle devient en effet inexact à mesure qu’on se rapproche du matériau. En

Page 29
CHAPITRE 1. LE CONTACT MÉTAL-SEMICONDUCTEUR

outre, le potentiel doit être continu. La figure 1.12 montre l’allure de l’énergie po-
tentielle. Cet effet se produit également à l’interface métal/semiconducteur. Dans
certains cas particuliers, cet effet peut réduire la hauteur de barrière d’une jonction
schottky (cas du contact ohmique par exemple). Nous l’avons négligé, d’une part
par soucis de simplicité mais aussi parceque cet effet est mineur comparé à l’effet de
la charge de la ZCE.

Energie

0
x
qφ
EF

métal vide
Fig. 1.12 – Allure de l’énergie potentielle à l’interface métal/vide.

1.4 Applications
Les applications des jonctions schottky sont nombreuses : diode (utilisation de la
jonction redresseuse), diode varicap, contact ohmique (utilisation de la jonction oh-
mique et redresseuse), photodétecteur (utilisation de la jonction redresseuse). Nous
étudierons en détail dans ce chapitre les deux premières application, la dernière sera
vue dans un chapitre ultérieur concernant l’optélectronique.

Diode schottky
De telles diodes ont des avantages vis à vis de la fréquence d’utilisation :
– à la différence d’une diode PN classique, une diode schottky est un composant
unipolaire : un seul type de porteur est responsable du courant. Or les électrons
sont des porteurs ayant une mobilité plus grande que celle des trous. Ils se
déplacent ”plus rapidement” dans le réseau cristallin que les trous (la masse
effective associée à un électron est en effet plus élevée que la masse effective
associée à un trou) 17 . La fréquence d’utilisation d’un composant unipolaire
de type N sera donc plus élevée que celle d’un composant de type P (et donc
qu’une jonction faisant intervenir les deux types de porteurs, comme c’est le
cas dans une jonction PN). Contrairement à une jonction PN, le courant n’est
pas lié à deux types de porteurs.
– en outre, le courant principal n’est pas un courant de diffusion de porteurs
minoritaires ; or, il ne faut pas oublier qu’un mécanisme de diffusion est un
17
Rappelons l’expression de la mobilité : µ = qτ /m? , où τ est la durée de vie des porteurs. La
mobilité intervient dans le courant de conduction et dans le coefficient de diffusion via la relation
d’Einstein.

Page 30
1.4. APPLICATIONS

mécanisme ”lent” (dû au caractère minoritaire des porteurs qui diffusent : cf

temps de transit ...), les porteurs minoritaires subissant des recombinaisons.
– enfin, une autre vision de cette utilisation en haute fréquence est la capacité
interne : une diode schottky ne possède pas de capacité de diffusion (puisqu’il
n’y a pas de courants de diffusion de porteurs minoritaires). La capacité globale
est donc plus faible, c’est à dire que la fréquence de coupure est plus élevée.
Mais les diodes schottky ont d’autres caractéristiques : un fort courant inverse
de saturation et une tension de seuil généralement plus faible qu’une diode à homo-
jonction classique. Leur utilisation en basse fréquence n’est pas avantageuse.

Contact ohmique

On a deux solutions pour réaliser un contact ohmique : soit utiliser une jonction
type ”redresseuse”, soit de type ”ohmique”.

jonction de type ohmique Nous avons vu précedemment que les contact métal-
semiconducteur pouvait être de type ohmique. Pour réaliser une connexion entre le
circuit externe et un semiconducteur, la première idée consiste à souder un métal tel
que l’on soit dans les condition d’une zone d’accumulation à l’équilibre, proche du
semiconducteur. L’étude précédente montre en effet qu’une telle jonction soumise à
un champ électrique se comporte comme une résistance.

jonction de type redresseuse Ce type de jonction est à priori peu adapté à la

réalisation d’un contact. Suppposons en effet que l’on souhaite faire une diode PN
avec des contacts, si on obtient de part et d’autre de la jonction PN deux jonctions
schottky redresseuse, on se retrouvera avec trois diodes mises en série !
La première idée consiste à choisir un métal tel que la barrière soit la plus faible
possible. Mais cela revient à avoir un métal à très faible travail de sortie ... ce qui
est rare, mais tout à fait possible dans certains cas.
Cependant, même avec un travail de sortie élevé, sous certaines conditions, le contact
redresseur est très performant. En effet, si on surdope les matériaux au niveau des
contacts, les zones de charges d’espace peuvent devenir très faibles (typiquement
inférieures à 10 nm). La barrière de potentiel est alors très fine (bien que haute)
et une majorité de porteurs peuvent passer par effet tunnel. Ce fort courant tunnel
permet d’avoir une faible résistance et donc un bon contact. La condition est donc
d’avoir une zone de charge d’espace très faible et donc un dopage élevé. Ce type
d’injection électrique est très utilisé car facile à réaliser et efficace.
La figure 1.13 illustre le diagramme des bandes d’un tel contact (sur un semicon-
ducteur de type N et P). Exemple d’application :
Considérons une diode AlGaAs dopée N, dont le dopage vaut 1015 cm−3 . Supposons
que l’on place une couche plus dopée au niveau du contact. On notera Nd ce dopage.
La largeur de la ZCE vaut :
2sc 0
W2 = Vd
qNd

Page 31
CHAPITRE 1. LE CONTACT MÉTAL-SEMICONDUCTEUR

Métal N++ N

EC
EF

(a)

Métal P++ P
EF
EV

(b)

Fig. 1.13 – Contact ohmique réalisé à partir d’une zone surdopée : il y a échanges
électroniques par effet tunnel entre le métal (le circuit) et le semiconducteur. (a) :
type N ;(b) : type P.

kb T
Or la barrière de potentiel Vd est donnée par la relation : Vd = q(φm − χ) + − ln(Nd /NC ).
| {z } q
Eb | {z }
Ec∞ −EF sc
Il suffit donc de résoudre l’équation :
!
2sc 0 kb T
W2 = q(φm − χ) − ln(Nd /NC )
qNd q

Une résolution numérique donne pour une largeur de la ZCE de 90 Å : Nd =

4.7 1018 cm−3 .

Page 32
Chapitre 2

Jonction composée de deux

semiconducteurs

Introduction
L’étude des structures composées de deux semiconducteurs constituent un élar-
gissement de l’étude des jonctions PN à homojonction. Ces dispositifs sont es-
sentiellement utilisés en tant que diode. Un empilement d’un plus grand nombre
de couches est possible et permet la réalisation d’un grand nombre de dispositifs.
Nous n’étudierons que l’empilement de deux couches de ”grandes dimensions” (avec
comme application les diodes !). Les structures plus récentes sont constituées de
couches de très fines épaisseurs (quelques couches atomiques). La physique de ces
structures est bien différente de la physique des semiconducteurs de plus grande di-
mension ; ces structures ne seront pas étudiées ici.

L’étude se fera de manière plus qualitative que l’étude des contacts métal -semi-
conducteurs. En particulier, nous ne chercherons pas à déterminer les caractéristiques
courant-tension de manière quantitative : seule l’allure de ces caractéristique sera
vue.
Convention : dans tout ce chapitre, nous désignerons par l’indice ”1” le semiconduc-
teur de gauche, et par l’indice ”2” le semiconducteur de droite.

2.1 Etude d’une jonction à l’équilibre

2.1.1 Allure du diagramme des bandes
L’étude de l’équilibre d’une hétérojonction composée de deux semiconducteurs
se fera comme pour une homojonction ou une diode schottky : on isole les deux
matériaux et on les rapproche ”par la pensée”. En fonction de la position initiale
des deux quasi niveaux de Fermi et du type de semiconducteur considéré, on pourra
en déduire la nature de la réorganisation électronique : soit il s’agira d’une zone de
désertion, soit d’une zone d’accumulation (nous ne reviendrons pas sur la méthode :
cf chapitre précédent).
La présence de deux semiconducteurs rend la situation du diagramme des bandes

33
CHAPITRE 2. JONCTION COMPOSÉE DE DEUX SEMICONDUCTEURS

plus complexe. On effectue l’étude du diagramme des bandes en deux parties : une
étude ”loin de la jonction” et une étude ”proche de la jonction”.
Rappelons que dans les semiconducteurs, les deux travaux de sortie dépendent à
la fois du semiconducteur (via l’affinité électronique) et de la densité de porteurs
au point considéré. Ils sont donc fonction de la zone de charge d’espace liée à
l’établissement de l’équilibre. En particulier, ils seront différents loin de la jonc-
tion et proche de la jonction, à l’équilibre.
Dans toute l’étude, nous supposerons que φ1 ≥ φ2 . Le cas d’égalité est un cas par-
ticulier 1 : il ne sera pas traité dans ce polycopié. Le cas φ1 ≤ φ2 sera déduit par
analogie.

Diagramme loin de la jonction

Loin de la jonction, les positions relatives des niveaux par rapport au niveau
de Fermi sont inchangées. Voici la démarche à suivre pour trouver l’allure du dia-
gramme des bandes d’énergie loin de la jonction (nous caractériserons ces grandeurs
par un exposant ”∞ ”) :

– A l’équilibre, les deux quasi-niveaux de Fermi s’égalisent.

– On peut donc en déduire l’écart des deux niveaux du vide : ∆N V ∞ = N V2 −
N V1 = qφ2 − qφ1 . Cette différence fait apparaı̂tre une barrière de potentiel
notée Vd∞ : ∆N V = −qVd∞ . Nous avons choisi d’illustrer le cas φ1 ≥ φ2 : il en
découle que ∆N V ∞ < 0. Le niveau du vide du premier semiconducteur est au
dessus du second.
– De la même manière, on peut définir un écart d’énergie pour les bandes de
conduction, toujours loin de la jonction : ∆Ec∞ = Ec2 − Ec1 = (Ec2 − EF ) +
(EF − Ec1 ) = qφF 2 − qφF 1
– On peut aussi définir un écart de gap 2 : ∆Eg = Eg2 − Eg1
– Cet écart de gap permet d’exprimer l’écart d’énrgie entre les deux bandes de
valence : ∆Eg∞ = (Ec2 − Ev2 ) − (Ec1 − Ev1 ) = (Ec2 − Ec1 ) − (Ev2 − Ev1 ) =
∆Ec∞ − ∆Ev∞
Les signes des écarts d’énergies ∆Ec∞ et ∆Ev∞ définissent donc 4 cas représentés sur
la figure 2.1.
Remarque : l’écart de la bande de conduction des deux côtés de la jonction peut
s’exprimer en fonction des affinités électroniques de chaque semiconducteur et ce
quel que soit l’endroit considéré :

∆Ec = Ec2 − Ec1

= Ec2 − N V2 + N V2 − N V1 + N V1 − Ec1
= −qχ2 + ∆N V + qχ1
1
pour ce cas particulier, il n’y a pas de changements entre le diagramme loin de la jonction et
près de la jonction, puisqu’il n’y a pas de ré-arragements électroniques, c’est à dire pas de zone de
charge d’espace.
2
cet écart est constant tout au long de la jonction : le gap est une constante du matériau et ne
dépend pas du dopage

Page 34
2.1. ETUDE D’UNE JONCTION À L’ÉQUILIBRE

Energie

NV1 NV1
∆ NV ∆ NV
NV2 NV2

EC2
EC1 EC1 ∆ EC
∆ EC EC2
EV2
∆ EV
EV1 EV1
∆ EV EV2

Cas (a) Cas (b)

Energie

NV1 NV1
∆ NV ∆ NV
NV2 NV2

EC2
∆ EC
EC1 EC1
∆ EC
EC2
EV2
∆ EV
EV1 EV1
∆ EV
EV2

Cas (c) Cas (d)

Fig. 2.1 – Les 4 diagrammes des bandes d’énergie loin de la jonction : cas (a) :
∆EC < 0 et ∆Ev > 0 ; cas (b) : ∆EC > 0 et ∆Ev < 0 ; cas (c) : ∆EC > 0 et
∆Ev > 0 ; cas (d) : ∆EC < 0 et ∆Ev < 0. Les exposants ”∞ ” n’ont pas été reportés
afin d’alléger la figure

= q(χ1 − χ2 ) −qVd (2.1)

| {z }
−q∆χ

– le premier terme ∆χ est une constante liée aux matériaux. Ce terme ne dépend
pas du dopage ni de la densité de porteurs : il est constant dans toute la
jonction.
– le second terme Vd dépend de la densité de porteurs au point considéré : il
varie donc selon que l’on est dans les zones quasi-neutres (loin de la jonction)
ou dans une zone de charge d’espace.
Exemple
Considérons l’hétérojonction constituée de GaAs, dopé P : Na = 1014 cm−3 , et de
Ge, dopé N : Nd = 1016 cm−3 : On peut donc en déduire les écarts entre les niveaux
de Fermi et les bandes de conduction :
1. Pour le GaAs :

kb T Na
EV − E F = ln
q Nv
= −0.29 eV

Page 35
CHAPITRE 2. JONCTION COMPOSÉE DE DEUX SEMICONDUCTEURS

qφF 1 = (EC − EV ) + (EV − EF )

= 1.42 − 0.29
= 1.13 eV

2. Pour le Ge :

kb T Nd
qφF 2 = − ln
q Nc
= 0.17 eV

D’où :
φ1 = φGaAs = qχ1 + EC − EF = 4.07 + 1.13 = 5.2 eV
et
φ2 = φGe = qχ2 + EC − EF = 4.13 + 0.17 = 4.3 eV < φ1
Donc ∆N V < 0. Puis : :∆Ec∞ = qφF 2 − qφF 1 = 0.17 − 1.13 = −0.96eV < 0 et
∆Ev = ∆EC − ∆Eg∞ = −0.96 − (0.66 − 1.42) = −0.2eV Il s’agit donc du cas (d)
de la figure 2.1

Diagramme proche de la jonction

On notera avec un indice ”i” les grandeurs évaluées au niveau de l’interface.
Au voisinage de la jonction, des disontinuités des bandes d’énergies apparaı̂ssent.
Seul le niveau du vide est continu. Le potentiel de diffusion Vd (qui vaut Vd∞ loin
de la jonction) s’annule à l’interface 3 : les porteurs diffusent sans contrainte pour
assurer l’équilibre (égalité des niveaux de Fermi). Les travaux de sortie des deux
semiconducteurs sont donc identiques.
Pour connaı̂tre les discontinuités des différents niveaux d’énergie, il suffit de faire
tendre le potentiel de diffusion Vd vers 0 dans les expressions précédentes. D’où :
– ∆N Vi = 0
– ∆Eci = −q(χ2 − χ1 )
– ∆Evi = ∆Eci − ∆Eg
On en déduit que le type de discontinuité de la bande de conduction est donné par
le signe de (χ2 − χ1 ) et celui de la bande de valence par le signe de q(χ2 − χ1 ) − ∆Eg .
La figure 2.2 donne une illustration des 4 allures possibles au voisinage de la jonction
(il faut noter que ces 4 allures possibles peuvent exister avec d’autres allures loin
de la jonction, en vérifiant bien à chaque fois que le gap est constant pour chaque
matériau).
Ces figures font apparaı̂tre deux types de discontinuité au voisinage de l’interface.
La première est caractérisée par une variation monotone de la bande d’énergie
considérée, comme c’est le cas pour la bande de valence de la figure 2.2 (b). Une telle
dicontinuité, pour laquelle la différence d’énergie s’ajoute au potentiel de diffusion,
est appelée ”pseudo-discontinuité”. Ce type de variation ressemble fortement à la
3
il est logique que ce potentiel de diffusion s’annule à l’interface : c’est l’endroit de la jonction
où les porteurs diffusent le plus pour atteindre l’équilibre. Quand on rapproche les deux barreaux,
c’est le premier endroit qui subit cette diffusion. Il n’y a donc pas de barrière de diffusion.

Page 36
2.1. ETUDE D’UNE JONCTION À L’ÉQUILIBRE

Energie

NV1 NV1
NV2 NV2

∆ EC>0 EC2 ∆ EC >0 EC2

EC1 EC1

EV2 EV1
EV1 ∆ EV >0
∆ EV <0

EV2
Cas (a) Cas (b)
Energie
NV1
NV2 NV1
EC1
NV2
∆ EC < 0 EC1
EC2 ∆ EC < 0

EC2
EV1

∆ EV < 0
∆ EV >0 EV2
EV1
EV2

Cas (c) Cas (d)

Fig. 2.2 – Les 4 diagrammes des bandes d’énergie proche de la jonction : cas (a) :
∆Eci > 0 et ∆Evi > 0 ; cas (b) : ∆Eci > 0 et ∆Evi < 0 ; cas (c) : ∆Eci < 0 et
∆Evi < 0 ; cas (d) : ∆Eci < 0 et ∆Evi > 0 . Les indices ”i” n’ont pas été reportés
afin d’alléger la figure.

variation des bandes d’énergie d’une jonction PN ”classique” (à homojonction). Le

second type de discontinuité est illustré par la bande de conduction de la figure 2.2
(b). Il y a une rupture importante entre les deux bandes de conduction. Ce type de
discontinuité est appelé une ”forte discontinuité”.
Exemple précédent :
∆Eci = 4.13 − 5.65 = −1.52 < 0
∆Evi = ∆Eci − ∆Eg = −1.52 − (0.664 − 1.42) = −1.52 + 0.756 = −0.764 < 0 On est
donc dans le cas (c) (qui est bien compatible au niveau du gap avec le diagramme
loin de la jonction).

2.1.2 Modélisation du diagramme des bandes

Nous ne modéliserons le diagramme des bandes d’énergie que dans le cas où deux
zones de désertion se sont formées. Il est en effet plus difficle de résoudre l’équation
de Poisson en présence d’une zone d’accumulation (comme dans le cas d’une jonction
Schottky 4 ). La méthode est analogue à celle utilisée lors de la jonction PN ou lors
4
on rappelle que dans le cas d’une zone d’accumulation, la répartition des porteurs dépend du
champ qui dépend de la répartition des porteurs ... il faut résoudre de manière autocohérente ce

Page 37
CHAPITRE 2. JONCTION COMPOSÉE DE DEUX SEMICONDUCTEURS

de l’étude des contacts métal-semiconducteur.

Nous développerons la méthode sur un exemple illustré par la figure 2.3. L’hétéro-

Semiconducteur Semiconducteur
(type P) (type N)

ρ
q Nd
- W1
(a) x
0 W2
q Na
W

E
(b) x

Fig. 2.3 – Détermination du potentiel. Cas (a) : profil de la densité de charge ; Cas
(b) : profil du champ électrique ; Cas (c) : profil du potentiel électrostatique.

jonction considérée est de type PN, la région P ayant une densité de porteurs N a et
la région N une densité Nd . Prenons l’origine au niveau de l’interface. Soient :

W1 et W2 : les largeurs des deux zones de charge d’espace

W : la largeur totale de la zone de charge d’espace
Na et Nd : les densités d’atomes accepteurs et donneurs
L’intégration de la densité de charge fournit le champ électrique (figure 2.3(b)) :

Pour x < −W1 : E(x) = 0 (2.2)

dE qNa
Pour − W1 < x < 0 : =− (2.3)
dx r1 0
qNa
E(x) = − x + cte (2.4)
r1 0
La continuité du champ en x = −W1 (le champ est ici continu, puisqu’on reste dans
le même matériau) permet d’écrire :
qNa
E(x) = − (x + W1 ) (2.5)
r1 0
problème, nécessitant une résolution numérique !

Page 38
2.1. ETUDE D’UNE JONCTION À L’ÉQUILIBRE

dE qNd
Pour 0 < x < W2 : = (2.6)
dx r2 0
qNd
E(x) = x + cte (2.7)
r2 0
Pour x > W2 : E(x) = 0 (2.8)

La continuité du champ en x = W2 permet d’écrire :

qNd
E(x) = (x − W2 ) (2.9)
r2 0
L’intégration du champ donne au signe près le potentiel dans chaque matériau :
Pour 5 x < −W1 : V (x) = 0
Pour −W1 < x < 0 :

Z x
Vd1 (x) − V (−W1 ) = − E(t)dt
−W1
qNa Z x
= (t + W1 ) dt
r1 0 −W1
!
qNa x2 W12
= − + W1 (x + W1 ) (2.10)
r1 0 2 2

On a donc la chute de potentiel Vd1 dans le semiconducteur 1 (V (−W1 ) = 0) :

Vd1 = Vd1 (0)

qNa W12
= (2.11)
2r1 0
Pour 0 < x < W2 :

Z x
Vd2 (x) − V (0) = − E(t)dt
0
Z
qNd x
= − (t − W2 ) dt
r2 0 0
!
qNd x2
= − − xW2 (2.12)
r2 0 2
On peut donc en déduire la hauteur de barrière Vd2 dans le semiconducteur 2 :

Vd2 = Vd2 (W2 ) − Vd2 (0)

qNd W22
= (2.13)
2r2 0
Les deux barrières de potentiel sont donc les barrières présentes dans chaque
semiconducteur, au niveau de chaque bande d’énergie. Ces deux potentiels donnent
5
en prenant la constante nulle

Page 39
CHAPITRE 2. JONCTION COMPOSÉE DE DEUX SEMICONDUCTEURS

(au facteur - q près) les variations des bandes de conduction et de valence. N’oublions
pas que ces énergies potentielles sont discontinues (conduction et valence), excepté
pour le niveau du vide. On peut donc en déduire la barrière globale du niveau du
vide, notée Vd , en considérant que le seul le niveau du vide est continu (cf figure 2.4) :

SC 1 (Na1) SC 2 (Nd2)

NV
q Vd1
q Vd
q Vd2

Fig. 2.4 – Répartition de la chute de potentiel au niveau de la jonction.

Vd = Vd1 + Vd2
qNa W12 qNd W22
= + (2.14)
r1 0 2 r2 0 2
Par ailleurs, la neutralité électrique du dispositif s’écrit :
W1 N a = W 2 N d (2.15)
On en déduit alors les épaisseurs de chaque zone de charge d’espace et la largeur
totale de la zone de charge d’espace en fonction de la barrière de potentiel globale V d :
s
20 Nd r1 r2
W1 = Vd (2.16)
q Na r2 Nd + r1 Na
s
20 Na r1 r2
W2 = Vd (2.17)
q Nd r2 Nd + r1 Na
s s !s
Na Nd 20 r1 r2
W = + Vd
Nd Na q r2 Nd + r1 Na
Cette dernière équation peut se mettre sous la forme :
v
u
u 20 r1 r2 (Na + Nd )2
W = t
Vd (2.18)
qNa Nd r2 Nd + r1 Na
Remarque : dans le cas d’une homojonction, on a : r1 = r2 = r . L’équation 2.18
devient : s
20 r Na + Nd
W = Vd (2.19)
q Na Nd
On retrouve bien l’expression classique de la largeur de la zone de charge d’espace
d’une homojonction.

Page 40
2.2. ETUDE HORS ÉQUILIBRE

2.1.3 Répartition du champ

Les équations 2.11, 2.13 et 2.15 permettent d’en déduire le rapport suivant :
Vd1 r2 Nd2
= (2.20)
Vd2 r1 Na1
Cette équation permet de constater que la répartition de la chute de potentiel est
fonction des dopages des semiconducteurs (à l’équilibre).
Par exemple, si Na Nd , on aura : Vd1 Vd2 . La zone de charge d’espace s’étend
plus dans le semiconducteur 1 que dans le semiconducteur 2. On retrouve un résultat
bien connu dans une jonction PN : la zone de charge d’espace s’étend dans le semi-
conducteur le moins dopé. Les équations 2.16 et 2.17 s’écrivent en effet :
s
20 r1
W1 = Vd
Na q
s
20 Na
W2 ∼ r1 Vd
q Nd2
→ 0
Ce qui est bien cohérent avec le fait que le potentiel de diffusion ne s’applique que
sur le semiconducteur 1.

2.1.4 Etude de la continuité du champ

En outre, les équations 2.5 et 2.9 permettent de déduire la discontinuité du champ
électrique à l’interface :

+ − q N d W2 N a W1
E(0 ) − E(0 ) = − + (2.21)
0 r2 r1
Pour une hétérojonction, le champ électrique est bien discontinu (tout comme dans
le cas d’une jonction schottky). Pour une homojonction, cette dernière équation est
nulle : le champ est continu.
Calculons la différence des vecteurs déplacement (excitation électrique) à l’interface :

D(0+ ) − D(0− ) = 0 r2 E(0+ ) − r1 E(0− )
= q (−Nd W2 + Na W1 )
= 0 d’apres la conservation de la charge
Cette relation est bien cohérente puisque l’on doit avoir continuité du vecteur déplacement
(cf équation de Maxwell-Gauss).

2.2 Etude hors équilibre

2.2.1 Répartition du potentiel appliqué.
Si on applique une tension V (en prenant comme référence le semiconducteur
1), cette tension va créer un champ qui ne s’appliquera que proche de la jonction.

Page 41
CHAPITRE 2. JONCTION COMPOSÉE DE DEUX SEMICONDUCTEURS

Elle se répartira de part et d’autre de l’interface. Notons V1 la chute de potentiel

appliquée au semiconducteur 1 et V2 celle appliquée au semiconducteur 2. On peut
donc poser : V1 = αV et V2 = (1 − α)V . Le coefficient α est fonction du rapport des
résistances des deux zones.
Par exemple, si la jonction est telle que l’on ait une zone d’accumulation dans le
semiconducteur 1 et une zone de désertion dans le semiconducteur 2, alors : α ≈ 0,
c’est à dire que l’essentiel du champ s’appliquera sur la zone de désertion (semicon-
ducteur 2), qui est rappellons-le, une zone beaucoup plus résistive.
La barrière de potentiel appliquée au semiconducteur 1 devient ∆V1 = Vd1 + V1 , et
celle appliquée au semiconducteur 2 vaut : ∆V2 = Vd2 + V2 .
La barrière de potentiel globale vaut bien : ∆V = ∆V1 + ∆V2 , c’est à dire :
∆V = V + Vd .

2.2.2 Les différents courants

Déterminer les courants dans une telle hétérostructure est assez complexe. Il y
a, comme dans le cas d’une hétérostructure métal-semiconducteur, plusieurs sortes
de courants :

– un courant thermoélectronique concernant chaque type de porteurs (dans une

jonction schottky, nous n’avions qu’un seul type de porteur)
– un courant tunnel (inter ou intra-bandes)
– un courant tunnel assisté par agitation thermique
– un courant de recombinaison (essentiellement localisé à l’interface)
Comme dans le cas de la jonction schottky, nous négligerons les courants tunnel et
de recombinaison. Il faut juste avoir à l’esprit qu’une jonction ayant une barrière
étroite sera traversée par un courant tunnel important. En ce qui concerne le premier
type de courant, nous ne donnerons que des arguments qualitatifs, contrairement à
l’étude des contacts Schottky.
Afin de prévoir l’importance des nombreux courants existants, nous allons donner
les paramètres qui influencent le courant thermoélectronique. Un tel courant est en
effet fonction :

– du type de barrière considéré : pseudo-discontinuité ou discontinuité forte.

– du type de jonction : zone de désertion ou zone d’accumulation.
– des dopages.
Les courants thermoélectroniques sont plus importants dans le cas d’une forte dis-
continuité. Dans le cas d’une pseudo-discontinuité, la barrière de potentiel est très
importante et les porteurs auront plus de difficulté (dans un sens) à la franchir. On
se retrouve dans le cas d’une jonction PN classique (homojonction) avec une forte
barrière de potentiel et donc un courant plus faible que dans le cas d’une homojonc-
tion classique.
Nous nous focaliserons donc essentiellement sur les fortes discontinuités. Voici donc
la méthode permettant de repérer les courants majoritaires dans une hétérojonction.

Page 42
2.2. ETUDE HORS ÉQUILIBRE

1. il faut tout d’abord repérer les fortes discontinuités qui vont définir un fort
courant (de trous et/ou d’électrons)
2. il faut ensuite déterminer quelle type de jonction on a : zone d’accumulation
ou zone de désertion. Ceci permet en effet de déterminer la zone de la mo-
dification du diagramme des bandes suite à l’application d’une tension. Nous
allons détailler l’étude uniquement pour la bande de conduction. Nous laissons
le soin au lecteur d’adapter le raisonnement pour la bande de valence. Nous
allons donner quelques exemples de détermination des allures des courants.

I I
SC1 : type N SC2 : type N SC1 : type P SC2 : type N

V V
NV

NV
⊕
⊕
⊕
⊕

EC ⊕ EC
⊕ V<0
⊕ ⊕
V>0
⊕ ⊕ V<0
⊕ ⊕
V>0
⊕ ⊕
Légende ⊕
⊕
ZCE V>0
zone V=0
ZCE ZCE
d'accumulation V<0

(a)
(b)

Fig. 2.5 – Modification de la bande de conduction d’une hétérostructure à forte

discontinuité sous champ. Cas (a) : jonction isotype N-N ; Cas (b) : jonction P-N.

Supposons tout d’abord que nous soyons en présence d’une jonction isotype
(N-N). Il y aura une zone de désertion dans le semiconducteur possédant un
travail de sortie plus faible (par exemple le semiconducteur 2) et une zone d’ac-
cumulation dans le semiconducteur ayant le travail de sortie le plus élevé (par
exemple le semiconducteur 1), comme cela est représenté sur la figure 2.5(a). Le
champ (ie la tension) va donc s’appliquer uniquement sur la zone de désertion,
modifiant uniquement dans cette zone les bandes d’énergie. En fonction de la
polarisation, il y a bien une modification de la barrière de potentiel : pour
V > 0, la barrière augmente (translation des bandes vers le bas) tandis que

Page 43
CHAPITRE 2. JONCTION COMPOSÉE DE DEUX SEMICONDUCTEURS

pour V < 0 elle diminue (translation des bandes vers le haut). Un fort courant
d’électrons du SC2 vers le SC1 (associé à un courant I > 0) existera pour
V < 0 (car la barrière diminue, facilitant le passage des électrons), tandis que
pour V > 0, seul le faible courant SC1 vers SC2 existera (I < 0). D’où l’allure
du courant d’électrons associé.
Si nous avons une jonction de types différents, (P-N) par exemple, deux cas
de figures se présentent (suivant les travaux de sortie). Soit une zone de
désertion est créee dans chaque semiconducteur, soit une zone d’accumula-
tion est présente dans les deux matériaux.
Dans le premier cas, la répartition du potentiel s’effectue donc en fonction du
rapport des largeurs des deux ZCE, c’est à dire des deux dopages. Il faut alors
regarder les modifications des barrières pour en déduire l’allure des courants
(figure 2.5(b)). Prenons un cas particulier où l’on a une jonction P ++ − N :
la zone de désertion s’étend essentiellement dans le semiconducteur N. On se
retrouve dans le cas précédent.
Dans le second cas, le potentiel se répartit tout le long du dispositif : on est
en présence d’un contact ohmique.

Page 44
Chapitre 3

Structure MIS

Introduction
Une structure MIS est une structure composée de 3 matériaux : un métal, un
isolant et un semiconducteur. Ce type de structure est plus souvent appelée MOS,
l’isolant étant en pratique réalisé par un oxyde 1 . Nous allons reprendre rapidement
dans ce chapitre les notions liées à la structure MOS vues en première année. Ce
chapitre est donc essentiellement un chapitre de rappels.
Une telle structure est omniprésente dans l’électronique intégrée moderne : elle
constitue en effet la brique de base des circuits intégrés (basse fréquence) et a permis
l’avènement de la photo et de la vidéo numérique (via les capteurs CCD et les cap-
teurs CMOS). Nous ne reviendrons pas sur le transistor MOS : seule l’application
optoélectronique du CCD sera traitée cette année dans un chapitre ultérieur.
Voici les hypothèses que nous utiliserons :
– régime de bande plates à l’équilibre (par soucis de simplicité). Ceci revient à
suposer que les travaux de sortie du métal et du semiconducteur sont iden-
tiques. Si ce n’est pas le cas, rappelons que l’on peut se placer dans ce régime
en soumettant la structure à une tension notée généralement 2 VF B . Les rai-
sonnements suivants seront donc toujours valables à une tension constante
près.
– pas d’états d’interface. Les quasi-niveaux de Fermi seront donc fixés par les
ré-arrangements électroniques internes dûs à la différence des travaux de sortie
du métal et du semiconducteur.
– isolant parfait. Contrairement au contact Schottky, on a la présence d’un iso-
lant : il interdit tout passage des électrons. Afin que l’équilibre puisse exister,
il faut donc relier le métal et le semiconducteur, pour permettre ainsi des
échanges électroniques.
Enfin, rappelons que dans cette structure, on est en présence de quatre densités
(maximales) de charges différentes, classées par ordre décroissant :
– une très forte densité de charges (maximale) dans le métal (liée à une forte
1
l’oxyde le plus courament employé est l’oxyde de Silicium : SiO. Avec la diminution des di-
mensions, on a tendance à remplacer l’oxyde de silicium par des matériaux plus isolant et plus
fins.
2
FB : flat band

45
CHAPITRE 3. STRUCTURE MIS

densité d’états : typiquement 1022 cm−3 ),

– une forte densité de charges mobiles (dûes aux porteurs majoritaires) dans le
semiconducteur (typiquement 1019 cm−3 ),
– une densité de charges fixes moins élevée dans le semiconducteur, liée aux
atomes dopants (typiquement 1016 cm−3 ),
– une densité de charges nulle dans l’isolant.
Nous n’étudierons qu’un cas particulier : celui d’un semiconducteur de type P, en
raison de son importance dans les capteurs CCD.

3.1 Les différents régimes

I métal SC
métal isolant SC
NV
isolant
EC
EF EV

Fig. 3.1 – Conventions d’une structure MOS étudiée.

3.1.1 Conventions et rappels

Prenons les conventions déterminées par la figure 3.1. L’application d’une tension
va créer un champ dans la structure. En raison de la faible résistivité du métal et du
semiconducteur, l’essentiel de ce champ va être appliqué à l’isolant et à l’interface
isolant-semiconducteur. Nous verrons que le semiconducteur sera soumis en surface 3
(ie proche de l’interface semiconducteur-isolant) à un ré-arrangement électronique,
modifiant ainsi localement la structure de bande. La tension VG se répartie ainsi en
deux tensions : une tension, notée VI , appliquée sur l’isolant et une tension, notée
VS , appliquée au voisinage de l’interface semiconducteur/isolant.
Par ailleurs, il est utile dans ce type d’hétérostructure d’introduire une énergie notée
qφF I qui correspond à la différence d’énergie entre le quasi-niveau de Fermi EF (du
semiconducteur) et le niveau de Fermi intrinsèque 4 (cf figure 3.2) :

qφF I = EF I − EF (3.1)

Cette énergie permet d’écrire différemment les densités de porteurs dans le semicon-
ducteur, notament en surface et dans la zone quasi-neutre, loin de l’interface et des
zones de charges d’espace ou d’accumulation. On repèrera cette dernière expression
par un exposant ”∞”.
3
nous désignerons souvent dans la suite l’interface métal/isolant ou isolant/semiconducteur par
le terme de ”surface”.
4
attention à la convention choisie : certains auteurs prennent comme définition la différence
opposée !

Page 46
3.1. LES DIFFÉRENTS RÉGIMES

Energie
NV

φ∞ EFI
q Vs EF

x
0

Fig. 3.2 – Définition de quelques grandeurs liées au semiconducteur.

En tout point du semiconducteur on peut écrire les densités de porteurs (trous et

électrons) comme suit :
!
EF I (x) − EF
n(x) = ni exp − (3.2)
kb T
!
EF I (x) − EF
p(x) = ni exp (3.3)
kb T
Loin de la jonction, la densité de trous est indépendante du réarrangement électronique
(n’oublions pas que la zone quasi-neutre reste à l’équilibre). Son expression s’écrit,
pour les trous :

∞ EF∞I − EF
p = ni exp (3.4)
kb T
!
qφF I
∞
= ni exp (3.5)
kb T
= Na
En surface (à l’interface), la densité d’électrons et de trous peut se mettre sous la
forme suivante :
ns = n(0)
!
EF I (0) − EF
= ni exp − (3.6)
kb T
!
EF I (0) − EF∞I + EF∞I − EF
= ni exp − (3.7)
kb T
!
−Vs + φ∞ FI
= ni exp − (3.8)
kb T /q
!
Vs − φ ∞FI
= ni exp (3.9)
kb T /q

Page 47
CHAPITRE 3. STRUCTURE MIS

ps = p(0)
!
EF I (0) − EF
ps = ni exp (3.10)
kb T
!
Vs − φ ∞ FI
= ni exp − (3.11)
kb T /q

Remarque : la tension Vs est définie par (par analogie avec la tension VG appliquée) :
Vs = V (0) − V ∞ et donc 5 −qVs = −qV (0) − (−qV ∞ ) = EF I (0) − EF∞I .
Il faut bien vérifier que, plus Vs est élevée, plus la densité d’électrons en surface
augmente.

3.1.2 Polarisation négative

métal isolant SC

(a) VG < 0

(b)

EC
EF EF
(c) EV

Fig. 3.3 – Structure MOS de type P polarisée négativement. (a) :structure ; (b) :
densité de charge ;(c) : diagramme des bandes d’énergie.

Polarisons la structure négativement : VG < 0 (figure 3.3 (a)). Le quasi-niveau

de Fermi du semiconducteur diminue par rapport à l’équilibre (car Vm < Vsc pour
5
n’oublions pas que les tensions et les énergies se déduisent l’une de l’autre à un facteur −q
près.

Page 48
3.1. LES DIFFÉRENTS RÉGIMES

une polarisation négative), entrainant une translation des niveaux d’énergie vers
le bas dans les zones quasi-neutres (loin de la jonction, le semiconducteur reste à
l’équilibre). Cette tension va créer un champ orienté vers la gauche. Les électrons
du métal vont donc être soumis à une force orientée vers la droite (f~ = −q E).
~ Nous
aurons donc une zone d’accumulation en surface de l’isolant, côté métal. Par ailleurs,
les trous du semiconducteur sont soumis à une force orientée vers la gauche (f~ =
~ : une zone d’accumulation (de trous) se formera en surface du semiconducteur.
q E)
La figure 3.3(b) représente la densité de charge dans la structure : on a bien une
charge négative développée en surface du métal (côté isolant) et une densité positive
en surface du semiconducteur. Notons que la zone d’accumulation s’étend plus du
côté semiconducteur que du côté du métal : la densité d’état électronique est plus
faible (de plusieurs ordres de grandeur) dans le semiconducteur que dans le métal.
Le diagramme des bandes d’énergie est donné sur la figure 3.3(c). Le niveau du vide
dans l’isolant suit une variation linéaire, obéissant en effet à l’équation de Poisson
(∆V = 0). Au niveau de l’interface isolant/semiconducteur, les bandes d’énergie
se courbent vers le haut (conséquence de la zone d’accumulation qui est une zone
chargée positivement) : plus on se rapproche de l’interface, plus la densité de trous
augmente et donc plus la bande de valence se rapproche du niveau de Fermi (le
semiconducteur devient ”de plus en plus de type P” localement).

3.1.3 Polarisation positive

régime de désertion

Appliquons une tension faiblement positive. Le quasi-niveau de Fermi augmente

d’un facteur qVG par rapport au quasi-niveau de Fermi du métal. Un champ électrique
est crée dans la structure, orienté de la gauche vers la droite (cf figure 3.4). Les
électrons du métal du voisinage de l’interface vont subir une force orientée vers la
gauche (vers le contact). Ce départ d’électrons va créer une zone chargée positi-
vement en surface du métal. Côté semiconducteur, les trous vont subir une force
orientée vers la droite (f~ = q E)
~ : une zone de déplétion apparait en surface du
semiconducteur. Cette zone est plus étendue que la zone d’accumulation précédente
(ie du cas polarisation négative), puisque la densité d’atomes est plus faible que la
densité de porteurs de la zone d’accumulation. D’où la répartition de la densité de
charges de la figure 3.4(b). On a toujours une variation linéaire du niveau du vide
dans l’isolant. Côté semiconducteur, les bandes d’énergie se courbent vers le bas
(conséquence de la zone de charge d’espace chargée négativement) : le semiconduc-
teur est ”moins de type P” en surface (dû au départ des trous). La zone de charge
d’espace est une zone de désertion.

régime d’inversion

faible inversion Lorsqu’on augmente la tension, des électrons apparaissent pro-

gressivement en surface du semiconducteur. Une couche surfacique constituée de
porteurs libres se forme, en plus de la zone de désertion. Ces électrons proviennent
essentiellement de la génération thermique de paires électrons/trous. Lorsqu’une

Page 49
CHAPITRE 3. STRUCTURE MIS

métal isolant SC

(a)
VG > 0

(b)

NV
EC
(c)
EF
EF EV

Fig. 3.4 – Structure MOS de type P polarisée positivement. (a) :structure ; (b) :den-
sité de charge ;(c) :diagramme des bandes d’énergie.

paire électron/trou est formée par activation thermique, l’électron (resp. le trou) su-
bit une force qui l’amène à l’interface semiconducteur/isolant (resp. qui l’envoit vers
le contact). Cette génération puis cette séparation va créer une zone d’accumulation
de porteurs libres en surface du semiconducteur. Nous verrons ultérieurement que
ce processus de génération est long 6 .
Mais en régime transitoire, il y a donc un défaut de charges : les électrons ne sont pas
générés instantanément. La zone de charge d’espace par contre apparait très rapide-
ment. Pour compenser ce défaut, la structure se modifie au cours du temps : nous
verrons que la zone de charge d’espace se module. Elle passe entre autre par un maxi-
mum pour compenser ce défaut initial, et décroit au fur et à mesure que la couche
d’inversion se forme avec l’arrivée des électrons. En régime établit, une fois le nouvel
état d’équilibre réalisé, on a donc deux zones de charges d’espace (côté semiconduc-
teur) chargées négativement : une zone de désertion dûe aux atomes accepteurs non
compensés par le départ des trous et une zone d’accumulation d’électrons (couche
d’inversion) dûe à la génération thermique. Ceci est résumé sur la figure 3.5. Il faut
noter qu’en raison des ordres de grandeurs de la densité d’état électronique des

6
Ceci est mis à profit dans les capteurs CCD

Page 50
3.1. LES DIFFÉRENTS RÉGIMES

porteurs dans la bande de conduction (typiquement 1019 cm−3 ) et de la densité des

atomes dopant (typiquement 1016 cm−3 ), la largeur de la couche d’inversion est plus
petite que la largeur de la zone de désertion. La charge dûe à la couche d’inversion
est d’autant plus grande que le champ appliqué est intense : en régime d’inversion
faible (pour une tension VG de l’ordre de grandeur de φ∞ F I ), il est justifié de négliger
cette charge devant la charge de désertion.
Pour une tension Vs = φ∞ F i , on a en surface autant d’électrons que de trous : c’est

ρ
Qm

Zone de désertion

Couche d’inversion

Fig. 3.5 – Densité de charge d’une structure MOS en régime de forte inversion.

le régime d’inversion. Les équations 3.9 et 3.11 s’écrivent : ns = ps = ni . Le semi-

conducteur devient localement intrinsèque.
Le niveau de Fermi est à égale distance de la bande de conduction que de la bande
de valence. La figure 3.6(a) illustre la situation. Pour une tension plus grande, la
densité d’électrons devient plus importante que la densité de trous : le semiconduc-
teur (initialement de type P) devient localement de type N, d’où le nom d’inversion
(cf figure 3.6(b)).

Energie Energie

Ec Ec

Eg/2 EFI EFI

EF Eg/2 EF
Eg/2 Ev Ev
Eg/2

type N type P

(a) (b)

Fig. 3.6 – (a) : limite entre le régime de désertion et de faible inversion.(b) :

régime d’inversion (le niveau de Fermi du semiconducteur est localement au dessus
du niveau de Fermi intrinsèque), faible ou forte.

forte inversion Pour une tension Vs = 2φ∞ F i , on atteind le régime de forte in-
version : la densité d’électrons devient égale à la densité d’atomes accepteurs (ie la

Page 51
CHAPITRE 3. STRUCTURE MIS

densité initiale de trous). L’équation 3.9 s’écrit en effet :

! !
−φ∞
F I + 2φF I
∞
φ∞FI
ns = ni exp = ni exp
kb T /q kb T /q

D’après l’équation 3.5, cette densité correspond bien à la densité d’atomes accepteurs
Na : d’où le nom de forte inversion.

Récapitulatif
La figure 3.7 résume les différents régimes d’une structure MOS, dans un régime
initial de bandes plates, en fonction de la tension appliquée et de la tension aux
bornes de la zone de charge d’espace.

Faible Forte
accumulation désertion
inversion inversion

VG
0 VT

VS
0 ΦFI 2 ΦFI

p ≥ Na p ≤ Na
n ≥ Ni n ≥ Na
n ≤ Na

p = Na n = p = Ni n = Na

Fig. 3.7 – Différents régimes en fonction de la tension appliquée (VG ) et de la chute

de potentiel dans le semiconducteur (Vs ).

3.2 Modélisation
3.2.1 Régime de désertion et de faible inversion
Nous allons rappeler le modèle qui a été vu en première année concernant le
régime de faible inversion. En régime de faible inversion, on peut négliger la charge
dûe à l’accumulation d’électrons en surface. La charge, côté semiconducteur, est
donc dûe uniquement à la zone de désertion. Cette charge vaut 7 : Qsc = −qNa W ,
où W est la largeur de la zone de charge d’espace.
Lorsqu’on applique un potentiel VG à la structure globale, nous avons vu que ce
dernier se répartissait entre l’isolant et la surface du semiconducteur. La tension VG
est donc la somme de la tension VI , chute de potentiel dans l’isolant , et de Vs , chute
de potentiel dans le semiconducteur (cf figure 3.8).

7
il s’agit ici d’une charge surfacique : notre modèle ici est unidimensionnel.

Page 52
3.2. MODÉLISATION

q Vs VG = VI+Vs
q VG =q(Vm-Vsc)
q VI

VI Vs

ρ
Qm
Qm Qsc

Qsc

Fig. 3.8 – Répartition de la chute de potentiel dans une structure MOS de type P.

La chute de potentiel aux bornes de l’isolant VI est donnée par l’expression de la

tension aux bornes d’un condensateur. L’isolant est en effet un matériau diélectrique
entouré de deux charges opposées : c’est donc une capacité. La tension VI vaut donc,
si Cox désigne la capacité surfacique 8 de l’isolant :
Qm
VI = (3.12)
Cox
Qsc
= − (3.13)
Cox
qNa W
= (3.14)
Cox
Or, on connait la relation entre la largeur de la zone de charge d’espace W et la
barrière de potentiel Vs existant au niveau du semiconducteur :
2sc 0
W2 = Vs
qNa
D’où :
s
qNa 2sc 0
VI = Vs (3.15)
Cox qNa
√
2sc 0 qNa Vs
= (3.16)
Cox
Et ainsi : √
2sc 0 qNa Vs
VG = V s + (3.17)
Cox
Cette expression permet d’en déduire la tension de seuil VT , qui est la tension
qu’il faut appliquer à la structure MOS pour atteindre le régime de forte inversion :
VT = VG (ns = Na ). D’après ce qui précède :
q
2sc 0 qNa 2φ∞
FI
VT = 2φ∞
FI + (3.18)
Cox
8
pour conserver l’homogénéité de nos équations, nous introduisons une capacité par unité de
surface : Cox = oxe0 , où e est l’épaisseur de l’isolant. Ceci est bien cohérent avec le modèle
unidimensionnel présenté ici.

Page 53
CHAPITRE 3. STRUCTURE MIS

3.2.2 Régime de forte inversion

Dans le régime de forte inversion (VG > VT )), la charge d’espace est dûe à la zone
de désertion (atomes accepteurs) et à l’accumulation des électrons en surface. On a
donc deux charges qui sont appliquées de part et d’autre de l’isolant. L’équation 3.14
n’est plus valable. Si Qn désigne la charge (négative) dûe à la couche d’inversion,
cette équation devient :
Qsc
VI = − (3.19)
Cox
−qNa W + Qn
= − (3.20)
Cox
Il est donc nécessaire de déterminer la charge Qn pour poursuivre le calcul. Cette
charge peut provenir, soit de la génération thermique (cas d’une structure MOS
classique), soit d’une photo-génération (cas d’une structure MOS insérée dans un
CCD).
Il faut juste remarquer qu’en régime de très forte inversion (VG > VT ), la charge
d’inversion devient prépondérente. Nous ne déterminerons pas la charge d’inversion.

Page 54
Deuxième partie

Etude des capteurs CCD

55
Introduction

Le capteur CCD (Charge Coupled Device, structure à charges couplées) est

un capteur largement utilisé à l’heure actuelle (appareil photo numérique, caméra
numérique, webcam etc...). Le domaine spectral d’application du CCD est le domaine
visible, comme nous le justifierons dans un chapitre ultérieur (optoélectronique).
Il faut remarquer qu’à l’heure actuelle, deux technologies de capteurs sont en concur-
rence pour la détection dans le domaine visible : les capteurs CCD et les capteurs
CMOS. Nous nous restreindrons dans ce polycopié à l’étude des capteurs CCD.
Le principe de détection d’un capteur CCD repose essentiellement sur la structure
de la capacité MOS, comme nous le verrosn dans un premier chapitre. Le succès du
CCD réside surtout dans son faible coût de fabrication : l’utilisation du Silicium 9
dans un tel capteur permet en effet de profiter des importants moyens de productions
liés à l’électronique basse fréquence. En outre, ce capteur a l’avantage d’intégrer à
la fois la zone capteur et de faciliter la lecture des données. Le transfert des données
sera abordé dans un second chapitre.
Nous allons donc étudier les deux grandes caractéristiques des CCD : le principe de
détection et le transfert des données.

9
comme nous le verrons la partie optoélectronique, le Silicium est à priori peu adapté aux
applications opto ... puisqu’il est à gap indirect. L’utilisation en détecteur est quand même possible,
et son développement est fortement encouragé par les facilités technologiques liées au silicium.

57
Page 58
Chapitre 4

Principe de la détection

Le but de la détection est de transformer une information fournie par un flux de

photons en une information électronique (quantité de charge par exemple). Afin de
comprendre comment on peut effectuer cette transformation, nous allons revenir sur
les différentes constantes de temps intervenant dans une structure MOS.
Rappelons qu’en régime de forte inversion, deux phénomènes se produisent : dans
un premier temps on a la création du zone de désertion, puis on a l’établissement
d’une couche d’inversion en surface. Nous allons voir que le premier phénomène est
rapide (typiquement de l’ordre de la picoseconde) et est associé à la constante de
temps diélectrique, tandis que le second phénomène est très lent (typiquement : la
seconde) et associé au temps dit de stockage.

4.1 Constante diélectrique

La zone de charge d’espace provient d’un départ des trous vers le contact. Ce
départ des porteurs majoritaires est dû à l’existence d’un champ électrique (d’origine
externe) : c’est donc un phénomène de conduction. Le temps d’installation de cette
zone de charge d’espace est donc lié au ”temps de départ” des porteurs majoritaires.
Ecrivons l’équation de continuité liée aux trous et aux électrons :
∂p 1
= − div j~p + gp − rp (4.1)
∂t q
∂n 1
= div j~n + gn − rn (4.2)
∂t q
avec :

j~p , j~n : la densité de courant des trous ou d’électrons

gp , gn : le taux de génération de porteurs
rp , rn : le taux de recombinaisons

Le taux de génération est nul : on suppose dans un premier temps que la capacité
MOS n’est pas encore éclairée. En outre, on ne s’intéresse qu’à l’établissement de
la zone de désertion : on néglige donc le phénomène de génération thermique. On

59
CHAPITRE 4. PRINCIPE DE LA DÉTECTION

justifiera à postériori une telle hypothèse. Le taux de recombinaison est également

nul : il s’agit de porteurs majoritaires (on suppose que les porteurs minoritaires n’ont
pas le temps de se recombiner). En soustrayant l’équation 4.2 à l’équation 4.1 on
obtient :
∂(n − p) 1
= div j~n + j~p
∂t q
Le courant de total (dû excusivement à un phénomène de conduction) s’écrit : j~n +
~ avec σ ≈ σp = pqµp (puisque le semiconducteur considéré est de type P).
j~p = σ E
D’où :
∂(n − p) σ
~
= div E (4.3)
∂t q
σρ
= (4.4)
qrsc 0
Or, la densité de charges est donnée par :

ρ = q(p − n − Na ) = q(p0 − n0 − Na + ∆p − ∆n)

| {z } | {z }
ρ0 /q ∆ρ/q

où ρ0 est la densité de charge à l’équilibre (constante). L’équation 4.4 devient :

!
∂∆n ∂∆p σ ρ0
− = ∆p − ∆n + (4.5)
∂t ∂t rsc 0 q

Cette équation fait donc apparaı̂tre un temps caractéristique appelé constante de

temps diélectrique : τd = rscσ 0 . Ce temps fixe la modification de la densité de charge
globale, dans le cas de l’instauration d’une zone de désertion. Dans le Silicium, pour
une densité de porteurs de l’ordre de 1015 cm−3 : τd ≈ 10 ps. Ce temps est donc
très court. On peut donc considérer que la zone de désertion s’instaure de manière
quasi-instantanée. Les porteurs minoritaires n’ont pas le temps de se recombiner.

4.2 Temps de stockage

Nous allons maintenant évaluer le temps nécéssaire à l’instauration de la couche
d’inversion (en régime de forte inversion). Ce temps est dû au temps de génération
de paires électrons/trous. Dès qu’un électron est crée, il est amené en surface par
conduction, de manière quasi-instantanée (cf ci-dessus).
Nous admettrons que le taux de génération thermique de paire électrons/trous se
met sous la forme : gth = ni / (2τm ) , où τm est un temps caractéristique valant 10µs
dans le Silicium.
L’équation de continuité relative aux électrons s’écrit :
∂n 1
= div j~n + gn − rn
∂t q
Nous cherchons un ordre de grandeur du temps d’instauration de la couche d’inver-
sion. Les électrons ne participent à aucun courant global (pas de courant de diffusion

Page 60
4.3. SYNTHÈSE

et courant de conduction négligeable). En outre, ils ne sont soumis à aucunes re-

combinaisons : dans la zone de charge d’espace, il y a peu de porteurs majoritaires
et donc peu de recombinaisons. Il en découle que rn = 0. L’équation de continuité
s’écrit donc :
ni
dn = dt
2τm
En intégrant cette équation entre t = 0 et le temps de stockage τs , la densité de
porteurs passe de 0 à Na (par définition de la forte inversion) :
Z Z
Na τs ni
dn = dt (4.6)
0 0 2τm
τs
Na = ni (4.7)
2τm
d’où le temps de stockage :
2Na
τs = τm (4.8)
ni
Pour le Silicium, pour atteindre une densité de porteurs de 1015 cm−3 , on trouve :
τs ≈ 1.4 s. Ce temps est donc très long, comparé au temps diélectrique et également
au temps de transit typique 1 .

4.3 Synthèse
Le temps de stockage est donc bien plus long que le temps diélectrique (environ 10
ordres de grandeur d’écart !). Ceci est mis à profit dans la photodétection : les prises
de vue photographiques ont des durées en effet beaucoup plus courtes que la seconde
(excepté en pose longue !). Les photons liés au signal utile génèrent des électrons
(et plus exactement des paires électrons/trous) et créent une couche d’inversion.
La quantité d’électrons formant cette couche d’inversion est proportionnelle à la
quantité de photons reçus (tant que l’acquisition du signal dure moins de temps que
le temps de stockage). Si le temps de pose est bien inférieur au temps de stockage, on
est donc sûr que la densité d’électrons présente dans la couche d’inversion, fournie
une information proportionnelle au flux optique (et ne provient pas de la génération
thermique).
L’information optique (ie le nombre de photons) est donc transformée en une
information électronique (ie en nombre d’électrons dans la couche d’inversion). Un
pixel peut donc être réalisé par une structure MOS de type P. Il faut juste vérifier
que l’énergie des photons est supérieure à l’énergie de gap du semiconducteur utilisé
pour permettre une absorption (création de paire électron/trous).

1
le temps de transit, noté tt, correspond au temps mis par des porteurs minoritaires pour
franchir une zone où ils sont suceptibles de se recombiner (ce qui est peu le cas à priori dans une
capacité MOS, excepté la génération dans la zone quasi-neutre). Nous rappelons l’expression du
2
temps de transit : tt = WZQN / (2D), où WZQN est la largeur de la zone quasi neutre et D le
coefficient de diffusion. Pour le Silicium à température ambiante (pour une épaisseur typique de
1µm) : tt ≈ 10 ns, ce qui est rapide devant le temps de stockage.

Page 61
CHAPITRE 4. PRINCIPE DE LA DÉTECTION

Page 62
Chapitre 5

Etude du transfert de charge

Introduction
L’étude des capacités MOS dans la première partie concernait une étude suivant
l’axe de croissance des couches (ie, suivant un axe Métal-Semiconducteur). Nous
nommerons ”x” cet axe. Cette étude nous a permis de justifier l’utilisation d’une
capacité MOS en tant que détecteur dans le visible. Une telle capacité MOS consti-
tuera un pixel. Si on souhaite réaliser une image (en deux dimensions), il faut réaliser
une matrice de pixels, comme le montre la figure 5.1, dans d’une matrice de 9 pixels.
L’autre caractéristique d’un capteur CCD est le transfert de charge vers un circuit

y
Métal

Oxyde

Semiconducteur
(type P)
x

Fig. 5.1 – Structure d’une matrice 3 × 3. Le transfert de charge s’effectue selon une
des deux directions y ou z.

de lecture afin de numériser l’information relative à chaque pixel. Rappelons que

l’information au niveau du pixel est analogique : la densité de charge est propor-

63
CHAPITRE 5. ETUDE DU TRANSFERT DE CHARGE

tionnelle au flux. Pour permettre la lecture des informations (ie l’accès à la densité
de charge de chaque pixel), deux solutions sont possibles. La première idée, qui est
la plus simple théoriquement, est d’associer un circuit de lecture à chaque pixel.
On connecte alors un circuit externe, dit cicuit ”hybride”, ou on fait croı̂tre un
circuit sur la matrice. Ce circuit de lecture est constitué d’un convertisseur courant-
tension 1 par pixel et d’un convertisseur analogique-numérique. Ce type de circuit a
3 désavantages :
– il faut associer un circuit de lecture par pixel : le coût global sera donc élevé
– la pose d’un circuit de lecture hybride associé à chaque pixel est délicate
(problème d’alignement, d’absorption du pixel, de contact, de croissance sur
la matrice, et de connectique). La croissance d’un circuit sur la matrice n’est
pas toujours faisable.
– il y a des problèmes de dimensionnement : plus la matrice est petite, et plus il
est difficile d’y loger un cicruit annexe pour la lecture. Citons entre autre le fait
que plus le pixel est petit, plus la capacité utile à la conversion courant-tension
aura une faible surface et donc plus sa valeur sera faible ... ce qui est gênant
pour la conversion !
L’autre idée consiste à analyser l’information en dehors de la matrice : un transfert de
charge est alors nécessaire. Le capteur CCD joue ce rôle : il est possible de transférer
en série les données de chaque pixel en faisant ”glisser” chaque paquet de charge
d’un pixel à un autre. Seul un circuit de lecture au bout de chaque ligne est alors
nécéssaire. Ce circuit est donc à côté de la matrice. La figure 5.2 illustre ce principe de
lecture. Pour simplifier l’étude, nous n’étudierons que le transport de l’information

Electronique

pixel Circuit de lecture

Fig. 5.2 – Principe du transfert de charge sur une matrice 3 × 3.

suivant une ligne ou une colonne d’une telle matrice, par exemple suivant l’axe y.
En particulier, nous ne nous occuperons plus de l’axe x, mais nous étudierons les
variations du minimum de la bande de conduction dans le semiconducteur, c’est à
dire ”en surface” (à l’interface semiconducteur/isolant), en fonction de l’axe ”y”. La
1
l’idée d’un tel convertiseur est simple : on vient charger une capacité, puis on lit la tension. Cette
tension est toujours proportionnelle au flux de photons absorbés. N’oublions pas que l’électronique
travail essentiellement sur des tensions. D’où la nécéssité de la conversion.

Page 64
5.1. ETUDE D’UN TRANSFERT À DEUX PHASES

position de ce minimum conditionne en effet la présence éventuelle d’un paquet de

charge (ie des électrons de la couche d’inversion). Rappelons effectivement, qu’en
dessous de la tension de seuil, dans des conditions initiales de bandes plates, la
bande de conduction est horizontale (il n’y a pas de charges d’inversion). Au delà
de la tension de seuil, la bande de conduction se courbe en surface en présence de
charges mobiles (inversion forte).
Remarque : il existe beaucoup de variantes en ce qui concerne la géométrie des
matrices. On peut rencontrer un seul circuit de lecture et deux transferts (par ligne
puis par colonne) ; des pixels tampons associés à chaque pixel puis transfert par ligne
des données de ces pixels tampons ; un circuit de lecture placé à côté de chaque pixel
avec transfert des données vers le circuit de lecture par transfert de charge ... Dans
tous les cas, le transfert de charge est le même.

5.1 Etude d’un transfert à deux phases

Nous allons voir dans un premier temps le principe d’un transfert de charge d’une
structure MOS à une structure voisine. Nous verrons ensuite comment réaliser une
matrice à partir de ce principe.

5.1.1 Conditions de l’étude

Considérons deux structures MOS côte à côte, caractérisées par une même tension
de seuil VT , et en régime de bandes plates à l’équilibre. Supposons en outre que les
deux zones de charges d’espace se juxtaposent. Notons VG1 et VG2 les deux tensions
de grille. Selon leurs valeur, on autorise la présence d’une couche d’inversion ou on
interdit son existence.
Notons E1 et E2 les minima des bandes de conduction des deux capacités MOS.
Chaque minimum est lié au potentiel de surface Vs (rappelons que Ec = −qVs + cte ).
En outre, nous avons vu que : VG = Vs − CQox sc
, avec Qsc ≤ 0. Donc les variations de
chaque minimum de la bande de conduction dépendent de la tension de commande
VG et de la présence éventuelle d’une charge d’inversion 2 Qsc :

Qsc
Vs = V G + (5.1)
Cox

Considérons l’état initial (t = 0) suivant :

– la première capacité MOS a une tension de commande VG1 > VT (la présence
d’une couche d’inversion est autorisée) et il existe un paquet de charges résultant
par exemple d’une photodétection.
– la seconde capacité MOS a une tension de commande VG2 < VT : aucune charge
(d’inversion) ne peut être présente dans cette capacité.
2
on supposera dans la suite que la charge, qui est négative, ne peut pas rendre la tension V s
négative : si VG > VT alors Vs ≥ 0 et si VG < VT alors Vs = 0

Page 65
CHAPITRE 5. ETUDE DU TRANSFERT DE CHARGE

Ces deux hypothèses conduisent aux deux inégalités suivantes (en utilisant l’équation 5.1) :

Vs1 > 0
Vs2 = 0

et donc : E1 < E2 : un puits de potentiel confine les électrons de la couche d’inversion

1 2
y
Fig. 5.3 – Etat initial (t = 0) : un paquet de charges est localisé dans un puits de
potentiel dans la capacité MOS 1.

dans la première capacité, comme le montre la figure 5.3.

5.1.2 Transfert de charge

Considérons l’évolution temporelle des tensions de commande de la figure 5.4.

VG1

t1 t2 t3 t4 t5

Fig. 5.4 – Evolution temporelle des commandes des deux capacités MOS.

– Pour t ∈ [0; t1 ] : on est dans le cas de la figure 5.5(a). On a un unique puits

de potentiel sous la capacité MOS 1 (qui est en régime de forte inversion). La
capacité MOS 2 est polarisée en dessous de la tension de seuil : aucune charge
de surface n’est présente (on reste dans le régime des bandes plates).

Page 66
5.2. TRANSFERT À 3 PHASES.

– Pour t = t1 : VG1 > VT et VG2 > VT . Les deux capacités MOS sont en régime
de déplétion profonde. En ce qui concerne les charges : Qsc1 = Qtotale < 0
et Qsc2 = 0. Donc d’après l’équation 5.1 : Vs2 > Vs1 et donc E1 > E2 . Le
puits de potentiel de la capacité 2 est plus profond que le puits de potentiel de
la capacité 1 (mais il est vide de charges). On est dans le cas de la figure 5.5(b).

– Pour t ∈]t1 ; t2 ] : les charges du premier puits de potentiel se vident dans le

second puits de potentiel qui est plus profond. Deux processus permettent ce
transfert : un processus de diffusion puis de conduction (cf TD). La charge
Qsc1 va augmenter, en tenant compte du signe (elle diminue en valeur abso-
lue) tandis que la charge Qsc2 devient de plus en plus négative (elle augmente
en valeur absolue). Le potentiel Vs1 va donc augmenter tandis que Vs2 dimi-
nue : la bande de conduction du premier puits diminue tandis que la bande
de conduction du second puits augmente, ce qui est représenté par les flèches
de la figure 5.5(b). On arrive à un état d’équilibre, état pour lequel les deux
puits sont au même niveau : E1 = E2 (ils ont la même charge). C’est le cas de
la figure 5.5(c).

– Pour t ∈ [t2 ; t3 ] : le potentiel Vg1 décroit, entrainant une diminution du poten-

tiel Vs1 et donc une augmentation de la bande de conduction E1 (en dessous de
la tension de seuil, on quitte le régime de déplétion profonde). Les charges du
premier puits se vident dans le second puits. La quantité de charge de ce second
puits augmente (en valeur absolue), entrainant une diminution de la tension de
surface Vs2 : la bande de conduction de cette seconde capacité MOS augmente
elle aussi (cf figure 5.5(d)). Ainsi, pendant cette phase, où il y a transfert total
des électrons du premier puits vers le second, les deux bandes de conduction
augmentent. Le premier puits va disparaı̂tre, tandis que le second va se retrou-
ver à terme dans le même état que le premier puits initialement.

– Pour t ∈ [t3 ; t4 ] : on retrouve un unique puits de potentiel au niveau de la

capacité MOS 2 (cf figure 5.5(e)).
On a donc réussi à transférer un paquet de charges d’un puits de potentiel vers un
puits voisin. Cette description du transfert est bien sûr très simpliste. Par exemple,
les pentes des puits ne sont pas verticales ... et bien d’autres subtilités interviennent !
En outre, le transfert à deux phases étudié ici ne permet que de montrer le principe
général d’un transfert. Nous allons voir que les deux capacités MOS considérées ne
peuvent pas constituer un seul pixel (et encore moins deux pixels !).

5.2 Transfert à 3 phases.

5.2.1 Nécéssité du transfert à 3 phases
Etudions dans le détail le transfert d’un pixel vers un autre, d’après l’étude
précédente. Considérons qu’un pixel soit constitué du dispositif précédent, c’est à
dire d’une zone optiquement active (dans laquelle on crée un paquet de charge suite
à un rayonnement extérieur) et d’une capacité MOS ”tampon” qui n’est pas soumise

Page 67
CHAPITRE 5. ETUDE DU TRANSFERT DE CHARGE

(a)

E y

(b)

E y

(c)

E y

(d)

y
E

(e)

y
Fig. 5.5 – Puits de potentiel à différents instants.

au rayonnement externe. La figure 5.6(a) montre la géométrie d’une ligne issue d’une
matrice 3 × 3. Le but est de transférer successivement les 3 paquets de charge de la
figure 5.6(b) (ie trois informations différentes) vers la droite.
Un tel transfert est impossible : l’étape correspondant à l’intervalle de temps
précédent [t1 ; t2 ] consiste à créer un puits de potentiel profond (initialement vide
de charges) au niveau des tampons 1, 2 et 3, et ceci afin de débuter le transfert
(figure 5.6(c)). Mais comme chaque tampon est entouré de deux pixels, les paquets
de charge de ces pixels vont se répartir dans ces tampons ... l’information est donc
mélangée et perdue !
Il faut donc isoler chaque pixel à l’aide de deux capacités MOS tampon.

5.2.2 Etude du transfert à 3 phases

Considérons une ligne de 3 pixels représentée sur la figure 5.7(a). La figure 5.7(b)
représente la situation initiale. En appliquant une commande analogue à celle vue
précédemment, cette architecture permet de faire le transfert de chaque paquet de
charge dans la capacité MOS voisine sans entrer en interaction avec le pixel suivant.
Les figures 5.7(c) et (d) illustrent ce transfert.

Page 68
5.3. RÉALISATION DE LA COULEUR

Pixel 1 Pixel 2 Pixel 3

tampon 1 tampon 2 tampon 3

(a)

(b)
y
E

Fig. 5.6 – Etude d’un transfert dans un dispositif à deux phases.

Pixel 1 tampon 2 tampon 1 Pixel 3 tampon 2

tampon 1 Pixel 2 tampon 2 tampon 1

(a)

(b)
y

(d)
y

Fig. 5.7 – Illustration d’un dispositif de transfert à trois phases.

Une telle architecture permet le transfert. Ceci se fait au détriment du temps global
de transfert et nécessite une taille plus grande pour un pixel : à chaque pixel doit être
associé deux capacités MOS de transfert. Mais c’est l’unique solution permettant une
lecture série des informations, sans utiliser de circuit hybride de lecture.

5.3 Réalisation de la couleur

Les capteurs sont en Silicium, c’est à dire qu’ils couvrent la totalité du spectre
visible. Pour avoir de la couleur, le domaine visible doit être séparé en trois zone
(correspondant à trois composantes RVB). Il suffit donc de placer trois filtres colorés
devant les pixels pour obtenir une image en couleur.
Pour réaliser une matrice en couleur, de multiples solutions sont envisagées en ce
qui concerne la répartition des pixels de couleur :

Page 69
CHAPITRE 5. ETUDE DU TRANSFERT DE CHARGE

– un pixel sur trois capte la même couleur (il faut donc alterner les filtres d’un
pixel à l’autre) ... la résolution spatiale est donc dégradée
– utilisation de trois matrices CCD, chacune ne captant qu’une couleur. Ce
procédé est utilisé dans les caméras tri-CCD et donne de très bons résultats.
Le faisceau incident est séparé par des prismes puis filtré. Mais il est couteux
et de grande dimension.
– absorption en couches : l’absorption du Silicium est répartie en profondeur
selon la longueur d’onde : la surface absorbe le bleu et la partie la plus profonde
absorbe le rouge ... En fonction de la position dans le Silicum, on connait donc
le domaine spectral concerné. Mais cette technique est difficile à mettre en
oeuvre.
– des répartitions en ”nid” des pixels sont couramment réalisés. Chaque nid
correspond à un pixel de couleur (spatial) et est constitué par plusieurs pixels
captant différentes couleurs.

Page 70
Troisième partie

Introduction à l’optoélectronique

71
Chapitre 6

Généralités

6.1 Interaction rayonnement-matière

6.1.1 Quelques rappels sur le photon
Dans le vide, un photon est caractérisé par son énergie : E = hν. Cette expression
peut s’écrire en fonction de la longueur d’onde :

hc
E =
λ
= h̄ck
1.24
E (eV ) = (6.1)
λ(µm)

Dans un milieu matériel isotrope (et homogène), caractérisé par un unique indice
optique n, la vitesse de phase vaut : vφ = ωk = nc . Il en découle que E = hν = h̄ω =
h̄c
n
k. D’où les variations de l’énergie du photon dans le vide et dans la matière en
fonction du vecteur d’onde k représentés sur la figure 6.1(a).

E E
c

c/n

k k
(a) (b)

Fig. 6.1 – (a) : relations de dispersion du photon dans le vide (trait plein) et dans
un milieu (trait pointillé) ; (b) : relation de dispersion de l’électron dans le vide

73
CHAPITRE 6. GÉNÉRALITÉS

6.1.2 Quelques rappels sur l’électron.

2
h̄k
L’énergie (cinétique) d’un électron dans le vide vaut :E = 2m e
, où me est la
masse de l’électron (cf figure 6.1(b)). Dans un semiconducteur, l’électron subit des
interactions avec les atomes du réseau cristallin : la loi de variation de l’énergie en
fonction du vecteur d’onde k est plus complexe (existence de bandes permises et de
bande interdite, dépendance liée à la direction de déplacement etc...). La théorie des
bandes nous permet d’assimiler localement la bande de conduction (au voisinage des
h̄k 2 ?
minima) à une parabole : E = Ec + 2m ? , où m est la masse effective de l’électron.

Cette masse effective permet de rendre compte de l’interaction de l’électron avec le

réseau, tout en s’affranchissant de la présence de ce réseau (tout se passe comme
dans le vide, avec une masse corrigée). Il en est de même pour la bande de valence.
On distingue deux grands types de semiconducteurs, selon la répartion géométrique

E Ec E Ec

Eg Eg

Ev Ev
k k
(a) (b)

Fig. 6.2 – Les deux types de gap. (a) : gap direct ; (b) : gap indirect .

des bandes de valence et de conduction en fonction du vecteur d’onde : les se-

miconducteurs à gap direct et indirect. Dans un semiconducteur à gap direct (fi-
gure 6.2(a)), le minimum de la bande de valence est ”en face” du maximum de la
bande de conduction. C’est par exemple le cas de l’Arseniure de Gallium (GaAs).
Dans un semiconducteur à gap indirect (figure 6.2(b)), le minimum de la bande de
conduction n’est pas en face du maximum de la bande de valence. Le silicium (Si)
est un semiconducteur à gap indirect.

Cette notion de gap est très importante : il ne faut pas oublier que l’essentiel des
phénomènes se produisent au voisinage des extrema des bandes d’énergie en raison
de l’importance de la densité de porteurs à ces endroits.

6.1.3 Interaction électron/photon

L’interaction entre un électron et un photon (absorption ou émission d’un pho-
ton) peut être assimilée à un choc élastique. Il en découle que l’on doit avoir conser-
vation de la quantité de mouvement et de l’énergie cinétique :

Ef − Ei = ±hν (6.2)
~kf − ~ki = ±~kph (6.3)

Page 74
6.1. INTERACTION RAYONNEMENT-MATIÈRE

Le signe ± est fonction de l’absorption ou de l’émission d’un photon. Comparons

les ordres de grandeur de la dernière équation : dans le visible, la longueur d’onde
du photon est de l’ordre de quelques centaines de nanomètres (par exemple 600 nm
pour le rouge). L’ordre de grandeur de la norme du vecteur d’onde associé est :
| k~pk |= 60010
2π 7 −1
−9 ≈ 10 m . Pour un électron situé au bord de la zone de Brillouin,
la distance interatomique a étant de l’ordre de grandeur de quelques angstroem :
| ~k |= πa ≈ 1010 m−1 . On conclut donc :

| ~kelectron || ~kphoton | (6.4)

L’équation 6.3 s’écrit alors, compte tenu de ces ordres de grandeur : k~i = k~f . L’ab-
sorption ou l’émision d’un photon s’effectue donc à vecteur d’onde (de l’électron)
constant : on dit que les transitions (optiques) sont verticales (dans l’espace des k).
Les transitions obliques (lorsque le vecteur d’onde de l’électron n’est pas conservé)
sont des transitions non radiatives, c’est à dire ne mettant pas en jeu des photons.

6.1.4 Les différentes transitions

On peut regrouper les transitions en deux catégories : les transitions radiatives,
mettant en jeu un ou plusieurs photons et les transitions non radiatives pour les-
quelles les photons n’interviennnent pas.

Les transitions radiatives

Nous allons voir les différents processus d’absorption ou d’émission de photon
dans un semiconducteur. On distingue trois grands processus radiatif :
– émission spontanée (figure 6.3(a)) : ce processus d’émission est lié à la recom-
binaison d’une paire électron/trou. Il a lieu uniquement dans les semiconduc-
teurs à gap direct. L’énergie des photons émis est plus grande que le gap et le
spectre d’émission est large. Ce processus d’émission est utilisé dans les diodes
électroluminescentes (DEL ou LED).
– absorption (figures 6.3(b) et (c)) : suite à l’absorption d’un photon (d’énergie
supérieure à l’énergie de gap), un électron passe de la bande de valence à la
bande de conduction. Une paire électron/trou est ainsi créee. Dans un semi-
conducteur à gap direct, l’électron crée dans la bande de conduction est dans
un état stable. Dans un semiconducteur à gap indirect, l’électron crée est en-
suite thermalisé vers le minimum de la bande de conduction (voir l’encadré
sur la thermalisation). L’absorption est donc possible dans tout type de semi-
conducteur, contrairement à l’émission.
– émission stimulée (figure 6.3(d)) : un photon incident (d’énergie supérieure à
l’énergie de gap) provoque une recombinaison électron/trou. Cette recombi-
naison va être associée à l’émission d’un photon. Ce photon émis a les mêmes
caractéristiques que le photon incident (même longueur d’onde, même phase,
même direction, même énergie). Un tel processus amplifie les rayonnements :
un photon incident donne lieu à deux photons émergents. Ce processus est
à la base du fonctionnement des laser. Le processus d’émission stimulée est

Page 75
CHAPITRE 6. GÉNÉRALITÉS

E Ec E Ec E Ec

hυ hυ
hυ

Ev Ev Ev
k k k
(a) (b) (c)

E Ec E Ec

hυ
hυ
hυ
Ev Ev
k k
(d) (e)

Fig. 6.3 – Différents types de transition.(a) : émission spontanée (gap direct) ; (b) :
absorption (gap direct) ; (c) : absorption puis thermalisation des électrons dans la
bande de conduction (gap indirect) ; (d) : émission stimulée (gap direct) ; (e) :
transitions non radiatives (gap indirect)

en quelque sorte le processus inverse du processus d’absorption. La différence

réside dans la présence d’un photon incident pour avoir émission stimulée.
Afin que cette émission existe, il faut donc que l’on ait, en régime permanent,
une densité de porteurs dans un état excité plus importante que la densité de
porteurs dans un état stable (sinon l’absorption des photons incident devient
prépondérente par rapport à l’émission stimulée). Une telle condition porte le
nom d’inversion de population. Nous verrons dans le chapitre concernant les
diodes laser comment on réalise cette condition.

Les transitions non radiatives

Les semiconducteurs sont soumis à un grand nombre de transitions non radia-
tives. Ces transitions sont assistées par un grand nombre d’interactions dont les plus
importantes sont :
– l’interaction électron/phonon : le phonon est la particule associée à l’onde de
vibration du réseau cristallin. Cette interaction est très présente dans les se-
miconducteurs (l’énergie de vibration du réseau est une forme de dissipation
d’énergie très efficace). Deux types de phonons existent : les phonons optiques,

Page 76
6.1. INTERACTION RAYONNEMENT-MATIÈRE

associés à des durées de vie très courtes (quelques ps) et les phonons accous-
tiques, associés à des durées de vie plus longues (quelques centaines de ps).
– l’interaction électron/électron
– l’interaction électron/rugosité d’interface
– etc ...
Ces interactions donnent lieu à un certain nombre de transitions, dont les plus cou-
rantes sont les suivantes :
– recombinaison Auger : l’énergie issue d’une recombinaison électron/trou est
cédée (sous forme d’énergie cinétique) à un électron de la bande de conduc-
tion (qui voit son énergie cinétique augmenter). Ce processus est assisté par
interaction électron/électron. Il met donc en jeu deux électrons et un trou.
Un processus de recombinaison Auger avec deux trous et un électron existe
également.
– transitions intrabandes mettant en jeu un ou plusieurs phonons (absorption
ou émission de phonons)
– recombinaison par centre recombinants. Des impuretés présentes dans un se-
miconducteur peuvent créer des états d’énergie permis dans le gap. Ces états
d’énergie peuvent ”stocker” des électrons (ou des trous) et offrir aux électrons
de la bande de conduction une recombinaison (non radiative) en deux temps.
Cette recombinaison est très fréquente et porte le nom de recombinaison de
Shockley-Read-Hall (recombinaison SRH).
Remarque : thermalisation des électrons.
Nous avons parlé, dans le cas d’absorption de photons dans un semiconducteur à gap
indirect, de thermalisation des électrons. Ce nom signifie que les électrons excités, qui
sont dans un état instable de la bande de conduction, vont subir une transition in-
trabande (non radiative) au sein de la bande de conduction pour arriver dans un état
plus stable, c’est à dire au minimum de la bande de conduction. Le mécanisme le plus
efficace pour la thermalisation de ces électrons est l’interaction électron/phonons.
La durée de vie de cette interaction est de l’ordre de la ps ou quelques dizaines de
ps. Cette durée de vie est bien plus courte (de 3 ordres de grandeurs environ) que
la durée de vie associée à la recombinaison radiative : ceci exmplique pourquoi une
grande majorité de ces électrons excités peuvent être transférés vers le minimum de
la bande de conduction et ne font pas l’objet de recombinaisons. Une absorption
inter-bande dans un semiconducteur à gap indirect permet donc une augmentation
de la densité d’électrons (ou de trous) dans la bande de conduction (ou de valence).

Taux de recombinaisons et durées de vie Chaque transition est caractérisée

par un taux et éventuellement une durée de vie associée aux porteurs concernés.
Le taux global d’émission radiative, noté RR , est la somme de deux termes :
RR = Rsp + g (6.5)
où :
† Rsp est le taux d’émission spontanée. Il correspond au taux de recombinaison
(radiatif). Son expression est donnée par :
variation de porteurs minoritaires
Rsp = (6.6)
durée de vie des porteurs minoritaires

Page 77
CHAPITRE 6. GÉNÉRALITÉS

Dans un semiconducteur de type N : Rsp = ∆p τp

. La durée de vie des porteurs
minoritaires est liée à la densité de porteurs majoritaires : τ1p = Bn
† g est le taux net d’émission stimulée. Ce taux est la différence entre le taux
d’émission stimulée et le taux d’absorption. Si g > 0 : il y a amplification
du rayonnement (sans prendre en compte les phénomènes d’absorption dûs
aux imperfections) ; si g < 0 : le milieu absorbe le rayonnement. Ce taux est
proportionnel à la densité Nph de photons incidents : g = rst Nph .
Ce taux global d’émission est associé à une durée de vie : τR . Le rapport entre
la durée de vie radiative et le taux d’émission radiative est donné par la relation
suivante :
∆p
RR =
τR
En l’absence d’émission stimulée, cette durée de vie correspond à la durée de vie des
porteurs minoritaires.
En ce qui concerne les transitions non radiatives, on peut également définir un taux
global, noté RnR . Ce taux est la somme de deux termes :
– un terme dû à la recombinaison Auger, dont la durée de vie est inversement
proportionnelle au carré de la densité de porteurs.
– un terme constant AnR dû aux autres processus radiatifs
Ainsi, dans un semiconducteur de type N, le taux de recombinaison non radiative
vaut :
∆p
RnR = (6.7)
τnR
avec :
1
= AnR + CAuger n2 (6.8)
τnR
Remarque : dans un dispositif émetteur, on a intéret à favoriser les processus ra-
diatifs par rapport aux processus non radiatifs. Afin de minimiser l’influence de
la recombinaison Auger, il ne faut pas avoir un dopage trop élevé. On a donc un
compromis à faire !
On peut alors définir une durée vie globale τ , tenant compte à la fois des processus
radiatifs et non radiatifs, reliée à un taux de recombinaison global R :

R = RR + RnR (6.9)
1 1 1
= + (6.10)
τ τR τnR

Remarque Les transitions radiatives présentées précédemment concernent toutes

des transitions interbande, c’est à dire mettant en jeu des électrons ou des trous de la
bande de valence et de la bande de conduction. Ce sont les transitions majeures des
semiconducteurs massifs ou des dispositifs à semiconducteur de ”grande dimension”.
Les progrès récents dans le domaine de la croissance des matériaux permettent de
réaliser des structures de plus faibles dimensions (croissance contrôlée à une mono-
couche atomique près) et d’associer des semiconducteurs de gap très différents. Parmi
ces dispositifs, citons par exemple les ”puits quantiques”. L’énergie des électrons de

Page 78
6.2. ETUDE DES DIFFÉRENTS SPECTRES D’ABSORPTION

la bande de conduction est alors quantifiée : des niveaux d’énergie discrets appa-
raissent. Des transitions radiatives (et bien évidemmment non radiatives !) peuvent
exister entre ces sous-bandes d’énergies (ie entre les différents niveaux d’énergie per-
mis dans la bande de conduction). De telles transitions sont qualifiées de transitions
intrabande ou inter-sous-bandes. L’étude des transitions intrabande ne sera pas faite
dans le cadre de ce cours.

Rendement radiatif d’un semiconducteur

Connaissant les durées de vie radiatives et non radiatives, on peut définir le

rendement radiatif η d’un semiconducteur par le rapport du taux de recombinaison
radiatif (taux d’émission radiatif) par le taux global d’émission (radiatif et non
radiatif). On peut également donner son expression uniquement en fonction des
durées de vie :

Rr
η = (6.11)
R
1/τR 1/τR
= (6.12)
1/τ 1/τR + 1/τnR

En particulier, si les transitions radiatives sont prépondérentes, le taux de tran-

sition radiatif est bien plus petit que le taux de transition non radiative : τR τnR .
Dans ce cas η → 1.

6.2 Etude des différents spectres d’absorption

Les applications optoélectroniques sont à la frontière entre l’électronique et l’op-
tique. Il est donc nécessaire d’étudier les phénomènes électriques dans la matière,
mais il faut également tenir compte des aspects optiques. Il est entre autre utile de
connaı̂tre les caractéristiques de la propagation des ondes électromagnétiques liées
aux dispositifs. Deux types de propagation sont privilégiées dans les applications des
dispositifs optoélectroniques : la propagation en espace libre (émission ou réception
d’ondes électromagnétiques dans l’atmosphère) et la propagation guidée (fibres op-
tiques). Le premier champ d’application est extrêmement vaste. Citons quelques
exemples : éclairage (LED), acquisition de signaux optiques (photo, films), lecture
de données (CDROM et DVD), guidage, applications médicales etc... Le second
champ, plus restreint dans la variété des applications, occupe une place importante
sur le marché économique. L’application essentielle concerne le transport d’informa-
tion par fibre optique.
La réalisation d’un dipositif optoélectronique nécessite donc de connaı̂tre les condi-
tions de propagation de l’onde considérée. Nous allons donc voir les conditions de
transmission des ondes électromagnétiques (du domaine optique) dans l’atmosphère
et dans les fibres optiques (silice). Un grand nombre d’application grand public
concernent les images visuelles : il est donc aussi nécessaire de connaitre le spectre
de sensibilité de l’oeil humain.

Page 79
CHAPITRE 6. GÉNÉRALITÉS

Fig. 6.4 – Spectre de l’absorption par l’oeil humain.

6.2.1 Sensibilité de l’oeil

La figure 6.4 représente la sensibilité de l’oeil humain en fonction de la longueur
d’onde. Il s’agit d’une sensibilité moyenne, correspondant à des tests réalisés sur
un grand nombre de personnes : il peut donc y avoir des variations d’une personne
à l’autre. Ce spectre doit être pris en compte afin que les appareils électroniques
puissent capter l’information optique de manière analogue à l’oeil humain. La cor-
rection gamma est un moyen de prendre en compte cette sensibilité humaine.

6.2.2 Transmission dans l’atmosphère

La figure 6.5 montre le spectre de transmission de l’atmosphère dans le visible
et surtout dans l’infrarouge. La transmission atmosphérique dans le visible dépend
beaucoup des conditions météo. Il est donc difficile de donner un seul spectre ! La
transmission dans le domaine des infrarouges est moins sensible aux fluctuations
météorologiques. On peut, entre autre, remarquer deux plages de transmission dans
le moyen infrarouge : la bande [3, 5µm] et la bande [8, 12µm].

Fig. 6.5 – Spectre de transmission de l’atmosphère.

Page 80
6.3. QUELQUES GRANDEURS UTILES ...

6.2.3 Transmission d’une fibre optique

La figure 6.6 représente l’atténuation (ie la perte exprimée en dB par km) d’une
fibre optique en fonction de la longueur d’onde. On peut voir deux zones pour les-
quelles l’absorption est minimale :
– aux alentours de 1.55 µm, l’atténuation vaut 0.2 dB/km. Cette zone est la plus
utilisée dans les télécom. Aussi, on dispose d’un très grand nombre de dispo-
sitifs optoélectroniques autour de 1.55µm (diodes lasers, LED, photodiodes,
modulateurs électro-optiques, amplificateurs optiques).
– aux alentours de 1.2 µm, l’atténuation vaut 0.4 dB/km. Il s’agit d’une seconde
fenêtre optique qui peut également être exploitée (mais qui est caractérisée
par une plus forte atténuation). On dispose également d’un grand nombre de
dispositifs optoélectroniques dans cette gamme de longueur d’onde.
En dehors de ces fenêtres de transmission, on distingue trois grandes zones d’ab-
sorption :
– aux basses longueurs d’onde, les fibres sont caractérisées par la diffusion Ray-
leigh. Cette diffusion (qui correspond aux vibrations électroniques des atomes
présents dans la fibre) est le même processus de diffusion responsable de la
couleur bleue du ciel.
– un pic d’absorption aux alentours de 1.4 µm. Ce pic correspond à l’absorption
des ions OH- .
– une absorption infrarouge par le matériau lui même aux plus hautes longueurs
d’onde

Fig. 6.6 – Atténuation (en dB/km) d’une fibre optique multimode en fonction de la
longueur d’onde.

6.3 Quelques grandeurs utiles ...

Nous allons donner quelques grandeurs utiles à la caractérisation des dispositifs
opto-électroniques. La liste n’est pas exhaustive. Nous nous sommes concentrés sur
les grandeurs utiles à la compréhension des principes de fonctionnement physiques ;
nous avons laissé de côté les aspects plus techniques ... et plus utiles à l’industriali-
sation. Rappelons qu’il ne s’agit que d’une introduction à l’optoélectronique !

Page 81
CHAPITRE 6. GÉNÉRALITÉS

6.3.1 Coefficient de réflexion

Un faisceau de lumière tombant sur une interface (par exemple air-semiconducteur)
subit une réflexion partielle et une transmission. Le coefficient de réflexion en énergie
peut s’exprimer en fonction des indices n1 et n2 des deux milieux (cf cours d’élec-
tromagnétisme de 1ère année), dans le cas d’une incidence normale par :
2
n1 − n 2
R= (6.13)
n1 + n 2
Le coefficient de transmission associé vaut T = 1 − R. Ainsi, si ϕi , ϕt et ϕr désignent
les flux de photons incident, transmis et réfléchis, on a les relations suivantes :


 ϕr = Rϕi
ϕt = T ϕ i


= (1 − R)ϕi

6.3.2 Coefficient d’absorption

α
α0

E
Eg

Fig. 6.7 – Loi de variation du coefficient d’absorption en fonction de l’énergie.

Eclairons un semiconducteur sous incidence normale, le faisceau incident étant

dans l’air et, les photons ayant une énergie E. Les matériaux semiconducteurs sont
caractérisés par un coefficent d’absorption (qui dépend des impuretés du réseau, de
la création de paires électron/trou, des autres types d’interaction ...). Ce coefficient
d’absorption est défini par la variation relative de la densité de rayonnement par
unité de longueur (l’unité de ce coefficient est donc m−1 ).
A priori, il dépend de l’énergie du rayonnement incident et de la position considérée
dans le matériau. La variation en fonction de l’énergie a une allure analogue à celle
représentée sur la figure 6.7. Ainsi, pour un flux de photons ayant une énergie plus
grande que l’énergie de gap du matériau, on peut considérer que le coefficient est
constant en fonction de l’énergie. En outre, il varie peu en fonction de la position
considérée dans le semiconducteur (et ne dépend pas du dopage). Il est donc justifié
d’associer à un semiconducteur un coefficent d’absorption qui est une constante du
matériau 1 .
1
il ne devrait pas y avoir d’absorption possible en dessous du gap ... Dans la pratique, il existe
des impuretés qui permettent entre autre une telle absorption par mécanisme SRH.

Page 82
6.3. QUELQUES GRANDEURS UTILES ...

Si ϕ(x) est le flux de photon à l’abscisse x, la variation relative de ce flux, qui corres-
dϕ
pond à une perte de photons et donc qui est négative, s’écrit : ϕ(x) . Dans une tranche
de semiconducteur d’épaisseur dx (on se place dans un modèle unidimensionnel, pour
simplifier) :
dϕ
αdx = − (6.14)
ϕ(x)
Le signe ”-” tient compte du signe négatif de cette variation relative. En intégrant
cette équation, on trouve donc l’expression du flux de photons dans un semiconduc-
teur à l’abscisse x : ϕ(x) = ϕ(0+ )e−αx . La longueur caractéristique de décroissance
du flux de photons dans un semiconducteur est donc 1/α.
En outre, si ϕi désigne le flux incident de photons avant d’arriver sous incidence
normale sur l’interface air/semiconducteur, le flux ϕ(0+ ) vaut donc, d’après ce qui
a été vu précédemment : (1 − R)ϕi (cf figure 6.8).

ϕ(x)
ϕi
R ϕi
(1-R) ϕi
1/α
x

Fig. 6.8 – Variation d’un flux de photons dans un semiconducteur

Quelques données numériques : Dans le GaAs, le coefficient d’absorption vaut α =

104 cm−1 . Donc 1/α = 10−4 cm = 1µm. L’essentiel de l’absorption se réalise donc
sur une distance d’un micromètre. Il est donc inutile d’avoir un échantillon beaucoup
plus grand !

6.3.3 Notion de rendement quantique.

On définit le rendement quantique global (ou externe) d’un détecteur par le rap-
port du nombre d’électrons fournit par le dispositif à un circuit externe divisé par
le nombre de photons incident.

nombre d’électrons dans le cicruit

η detecteur = (6.15)
nombre de photons
N e−
= (6.16)
Ni
Ne− N (0)
= (6.17)
N (0) Ni
| {z } | {z }
ηi ηoptique

= (1 − R)ηi (6.18)

Page 83
CHAPITRE 6. GÉNÉRALITÉS

où N (0) est le nombre de photons entrant dans le dispositif, ηi et ηoptique sont res-
pectivement le rendement quantique interne et la proportion de pertes par réflexion.
Ce rendement quantique externe permet de caractériser l’efficacité d’un détecteur.
Plus ce rapport est proche de 1, plus le dispositif est efficace.

Le rendement quantique externe d’un émetteur est définit par le rapport du nombre
de photons émis par le dispositif divisé par le nombre d’électrons injectés dans le
dispositif. Ce rendement est le produit du rendement quantique interne, qui corres-
pond au rendement radiatif de l’émetteur, par le rendement optique tenant compte
entre autre des pertes par réflexion :

η emetteur = ηi ηoptique (6.19)

6.3.4 Réponse spectrale.

Dans le cas d’un photodétecteur, on définit la réponse spectrale R(λ) (en A/W)
par le rapport du photocourant Iph généré (en A) par la puissance optique incidente
Popt (en W) :
Iph
R(λ) =
Popt
Soient :

S : surface du détecteur
φi : flux de photon incident par unité de temps de surface
φe : flux d’électrons par unité de temps et de surface

Le photocourant est proportionnel au flux d’électron, à la surface, et à la charge :

Iph = g × q × φe × S, où g est le gain de photoconduction. Or : φe = η × φi
La puissance optique incidente est proportionnelle au flux de photons, à l’énergie
d’un photon et à la surface : Popt = φi × hν × S.
D’où :
gηq
R(λ) = (6.20)
hν
gηq
= λ (6.21)
hc

La réponse spectrale d’un photodétecteur est donc linéaire (lorsque l’énergie des
photons est plus grande que le gap). On définira le gain de photoconduction pour
chaque dispositif étudié.

Dans le cas d’un émetteur, on définit la réponse (en W/A) par le rapport de la
puissance émise par le courant d’injection. Le calcul étant plus délicat, il sera traité
dans chaque dispositif émetteur.

Page 84
6.3. QUELQUES GRANDEURS UTILES ...

6.3.5 Autres grandeurs

D’autres grandeurs, qui ne seront pas abordées dans ce polycopié, permettent de
compléter la caractérisation des dispositifs optoélectroniques. Citons par exemple :
– la détectivité d’un photodétecteur, qui quantifie le rapport signal à bruit

– le RIN d’un laser, quantifiant également le bruit généré par le laser

– la fréquence de coupure d’un photodétecteur ou d’un laser permettant de

connaı̂tre la limite d’utilisation en fréquence
– la sensibilité etc ...

Page 85
CHAPITRE 6. GÉNÉRALITÉS

Page 86
Chapitre 7

Les photodétecteurs à
semiconducteurs

7.1 Introduction
Un photodétecteur est un dispositif qui permet de transformer un signal photo-
nique en un signal électrique. Le capteur CCD, vu dans la seconde partie en est un
exemple, sur lequel nous ne reviendrons pas. Un tel dispositif regroupe deux fonc-
tions : une fonction de transformation de la nature du signal (photon/charge) et une
fonction d’acheminement des informations électroniques pour permettre le traite-
ment de l’information. Evaluer les performances d’un détecteur consiste à regarder
les performance de l’ensemble de ces deux fonctions. Dans le cadre de ce cours, nous
ne nous intéresserons qu’au principe physique de conversion photon/charge.
Deux grands modes de détection peuvent être distingués :
– le mode photoconducteur. On applique un champ externe et on observe la
variation de résistance en fonction de l’éclairement. Il est nécessaire d’appliquer
une tension pour mettre en conduction les charges photo-induites.
– le mode photovoltaı̈que. Suite à l’absorption de photons, un photocourant est
généré. Ces charges circulent grâce à l’existence d’un champ interne : il n’est
donc pas nécessaire d’appliquer une polarisation externe.

Ec Ec
E2

E1
Ev
Ec

(a) (b) (c)

Fig. 7.1 – Principes de la détection quantique. (a) : génération interbande (création

de paires électron/trou) ; (b) : photoémission interne ; (c) transitions intra-bandes
(liée-liée ou liée-libre)

Nous nous limiterons aux principes de détection quantique. On distingue trois grands
types de détection quantique :

87
CHAPITRE 7. LES PHOTODÉTECTEURS À SEMICONDUCTEURS

– la détection interbande, qui concerne des transitions radiatives entre la bande

de valence et la bande de conduction (figure 7.1(a)). C’est le principe de
détection le plus courant. On le rencontre dans les jonction PN (LED ou pho-
todiode) ou dans les semiconducteurs massifs (de grande dimension).
– la photoémission interne (intrabande). Des porteurs franchisssent sous éclai-
rement des barrières de potentiel. C’est le principe utilisé dans les jonctions
Schottky (cf figure 7.1(b)).
– les transitions intrabandes. Il s’agit de transitions radiatives entre différents
niveaux d’énergie intrabandes (figure 7.1(c)). Ce type de détecteur est basé
sur la structure à puits quantique. Il ne sera pas vu en détail, en raison de sa
difficulté théorique.

7.2 Dispositifs photoconducteurs

Sur ce type de dispositif, il est plus commode de travailler sur la conductance S
(en Ω−1 ou en S) que sur la résistance. Au niveau local, on travaillera donc sur la
conductivité σ plutôt que sur la résistivité ρ. L’étude détaillée sera faite en TD.
Considérons un semiconducteur massif intrinsèque. La figure 7.2 illustre le fonc-

Fig. 7.2 – Schéma d’un photoconducteur

tionnement : l’échantillon est éclairé par le dessus (la surface d’éclairement est S).
On polarise la structure latéralement suivant l’axe ”y”. Connaissant la tension V et
mesurant le courant, on est en mesure de déterminer la variation de conductance.
En l’absence d’éclairement, la conductivité s’écrit : σ0 = q(n0 µn +p0 µp ). Compte-tenu
du rapport entre µn et µp , on peut négliger la contribution des trous : σ0 ≈ qn0 µn .
En présence d’un flux lumineux, on a création de paires électron/trou : la conduc-
tivité augmente (en fonction de la quantité de photon, c’est à dire en fonction de
la distance x). Cette conductivité s’écrit, en négligeant la contribution des trous :
σ(x) = qµn (n0 + ∆n) = σ0 + ∆σ(x). Nous verrons l’expression détaillée de cette
variation de porteurs en TD.
Ce dispositif a deux inconvéniants :
– l’inconvénient majeur est son impédance : la résistance globale est faible,
ce qui rend plus difficile la réalisation de circuits de lecture performants.

Page 88
7.3. ETUDE D’UNE PHOTODIODE

L’électronique de lecture est caractérisée par une forte impédance d’entrée.

– le courant d’obscurité. A V=0, il n’y a pas de courants (pas de signal issu de
la photodétection !). Or dès qu’on polarise la structure, un courant apparait
même sans éclairement : il s’agit du courant d’obscurité. Sous éclairement, le
courant total est donc la somme d’un courant d’obscurité et d’un photocourant.
Dans une telle structure, on ne peut pas s’affranchir du courant d’obscurité
qui est un courant parasite.

7.3 Etude d’une photodiode

La photodiode est un exemple de dispositif photovoltaı̈que 1 . Différents types de
photodiodes existent (comme il existe différents types de diode ...). Nous allons voir
plus en détail le fonctionnement (en cours et en TD) sur la diode la plus simple : la
jonction PN (à homojonction).

7.3.1 Photodiode à jonction PN

Considérons une jonction P+ N, la couche P étant mince, éclairée du côté P (cf
figure 7.3). La zone P étant beaucoup plus dopée que la zone N, la zone de charge
d’espace s’étend essentiellement du côté N.
On a la création de paire électron/trou dans chacune des zones. Mais comme le flux

P++ N
I
ZCE

V
Fig. 7.3 – Structure d’une photodiode

de photons diminue au fur et à mesure que l’on pénètre dans la structure, il faut
rendre la première couche mince afin qu’elle n’absorbe pas tout le rayonnement. On
a alors la situation suivante en ce qui concerne les courants :
– dans la zone quasi-neutre P, la génération est très importante. Mais pour ne
pas que tout le rayonnement soit absorbé dans cette zone, il faut la minimiser :
1
une photodiode peut également être utilisée en mode photoconducteur : nous verrons qu’il est
possible d’appliquer une tension et de mesurer le courant.

Page 89
CHAPITRE 7. LES PHOTODÉTECTEURS À SEMICONDUCTEURS

le courant de diffusion des électrons minoritaires crées est nul (la densité de
porteurs minoritaires varie peu sur cette zone très étroite)
– dans la zone quasi-neutre N, qui est beaucoup plus grande, on a également
création de porteurs minoritaires (trous) suite à l’absorption de photons. Il y
a donc un courant de diffusion qui existe. Nous verrons que ce courant n’est
pas le courant le plus important.
– dans la zone de charge d’espace, la création de paires électrons/trous a aussi
lieu. En raison du champ interne, lorsqu’une paire électron/trou est créée,
l’électron est envoyé vers la zone N (par conduction) et le trou vers la zone
P. Ce processus est très efficace et le courant résultant est plus important que
le courant de diffusion des zones quasi-neutres. Pour favoriser ce processus ,
il faut donc disposer d’une large zone de charge d’espace : le dopage P + et la
polarisation inverse (négative) sont deux moyens d’avoir une ZCE étendue.
Globalement, les trois courants s’ajoutent. On montrera en TD que le courant total
peut s’écrire, en polarisation négative :

I= Is eqV /kT − 1 − Iph (7.1)
| {z } |{z}
courant d’obscurité photocourant
En polarisation positive, la caractéristique est un peu plus complexe. Le courant
d’obscurité est le courant circulant dans une jonction PN classique et on peut mon-
trer que le photocourant est proportionnel au flux de photon incident : Iph = qφi .
La figure 7.4 montre les caractéristiques courant-tension d’une photodiode avec et
sans éclairement.
Il faut remarquer que l’utilisation en tant que détecteur est possible sans appliquer
ϕi = 0
I
ϕi 0

-Is
V
Iph
-Iph

Fig. 7.4 – Caractéristiques courant-tension d’une photodiode avec et sans

éclairement

de champ (à V=0) : le courant est alors exclusivement dû au photocourant. C’est
donc bien un détecteur photvoltaı̈que (un courant circule sans champ externe, uni-
quement grâce au champ interne). Dans la pratique, il est préférable de se situer à
V < 0, le courant d’obscurité en polarisation négative (qui correspond au courant
de saturation Is d’une diode) étant très faible.

Page 90
7.3. ETUDE D’UNE PHOTODIODE

7.3.2 Les autres types de photodiode

Photodiode PIN
Afin d’augmenter la zone de charge d’espace d’une diode PN, on insère une zone
intrinsèque entre les couches P et N, qui sont des couches surdopées (P + et N + ).
En raison de ces dopages élevés, les deux zones de charge d’espace s’étendent dans
la zone intrinsèque, favorisant ainsi le courant de génération dans une ZCE. En
outre, un tel dispositif est caractérisé par de faibles courants de diffusion dans les
zones quasi-neutres (la zone P est mince et la zone N est loin et donc reçoit peu de
photons) : la capacité de diffusion associée à cette diode est très faible. La fréquence
d’utilisation est alors beaucoup plus élevée que dans une photodiode PN.
Dans la pratique, les photodiodes sont toujours des photodiodes PIN.

Photodiode Schottky
L’utilisation d’une diode Schottky est possible en photodiode. Deux mécanismes
de détection sont possibles (figure 7.5) :
– la génération de paire électron/trous dans le semiconducteur. Cette détection
est liée à des énergies de photons élevées (basses longueurs d’onde)
– la photoémission interne : des électrons du métal peuvent passer dans le semi-
conducteur suite à l’absorption de photons ayant une énergie supérieure à la
barrière de potentiel (associé à une faible longueur d’onde). C’est un mécanisme
intrabande.

EC
EF

Fig. 7.5 – Processus de détection dans une photodiode Schottky : par photoémission
interne (les électrons du métal franchissent la barrière de potentiel) ; par génération
de paires électron/trou.

Les avantages d’une telle diode sont les suivants :

– réponse rapide : les électrons du métal sont caractérisés par une haute mobilité
et la jonction est unipolaire. En outre, il n’y a pas de capacité de diffusion, et
donc la fréquence de coupure est plus élevée.
– la couche métallique est transparente aux UV, ce qui en fait un très bon
détecteur aux basses longueurs d’onde (une diode PN est moins efficace dans
les UV car il y a trop d’absorption dans les premières couches)
– réalisation simple
L’inconvéniant majeur de ce dispositif est l’absorption du métal dans le visible ...

Page 91
CHAPITRE 7. LES PHOTODÉTECTEURS À SEMICONDUCTEURS

Hétérostructures
Il est bien sûr possible de réaliser une photodiode à l’aide de matériaux différents
... la modélisation est aussi plus complexe à cause du grand nombre de barrières de
potentiel !

Page 92
Chapitre 8

Photoémetteurs à semiconducteurs

8.1 Introduction
Le processus d’émission interbande est le plus utilisé dans les photoémetteurs à
semiconducteurs que le processus intrabande. Trois grandeurs essentielles permettent
de caractériser les photoémetteur : le rendement, le temps de réponse et la sensibilité
(rapport signal à bruit). Dans le cadre de ce cours, nous nous restreindrons au
principe de fonctionnement et éventuellement au rendement.
On distingue deux catégories d’émetteurs : ceux mettant en jeu l’émission spontanée
(diodes électroluminescentes) et ceux basés sur l’émission stimulée (diodes laser).

8.2 Diodes électroluminescentes.

Ce dispositif est plus communément appelé LED (Light Emitted Diode) ou DEL
(Diode Electro Luminescente). Les applications des LED sont nombreuses. Donnons
quelques exemples, qui sont parmi les plus important sur le marché de l’électronique :
– photocoupleur (permettant la transmission d’un signal tout en isolant électri-
quement deux réseaux d’information)
– l’affichage (dans le visible), qui exige une forte puissance optique et une faible
consommation électrique (rendement élevé), le tout pour un faible coût.
– les télécommunications (infrarouge), qui exigent une forte puissance et une
réponse rapide
– l’éclairage. Cette application prend de plus en plus d’importance. Les LED
sont présentes dans les optiques de voitures, dans les éclairages d’ambiance
(intérieur ou extérieur), dans les deux tricolores ... C’est un domaine est qui
est amené à se développer.

8.2.1 Principe de fonctionnement

La structure de base est une jonction PN (à homo- ou hétéro-jonction). Il s’agit de
favoriser les recombinaisons radiatives dans la zone de charge d’espace d’une diode.
A l’équilibre, la zone de charge d’espace est dépourvue de porteurs : il y a peu de
recombinaisons (figure 8.1(a)). Sous tension, l’injection électrique permet d’avoir un
recouvrement des deux types de porteurs, favorisant le processus de recombinaison.

93
CHAPITRE 8. PHOTOÉMETTEURS À SEMICONDUCTEURS

Il faut bien évidemment privilégier les recombinaisons radiatives au dépend des

recombinaisons non radiatives.

Ec
Ec

Ev
Ev

(a) (b)

Fig. 8.1 – Principe de fonctionnement d’une LED : (a) situation à l’équilibre ; (b)
situation sous champ

8.2.2 Détermination du rendement

Flux interne
Considérons les électrons. Nous allons faire un raisonnement simple, afin de pou-
voir donner un ordre de grandeur du flux émis. Supposons que le courant électrique
injecté soit un courant de recombinaison. Alors tous les électrons injectés doivent se
recombiner (de manière radiative ou non) dans la zone de charge d’espace ou dans
les zones quasi-neutre sur une distance caractéristique de l’ordre de la longueur de
diffusion. Soit d cette distance totale (d = W + Ln + Lp , où W est la largeur de la
zone de charge d’espace, Ln et Lp sont les longueurs de diffusion des électrons et des
trous). Soit S la surface du dispositif. La quantité d’électrons injectés Ninj pendant
dt est : Ninj = J × Sdt/q. Si n est la densité d’électrons, la quantité d’électrons qui
se recombinent vaut : Nrecomb = RSddt, où R est le taux de recombinaison (incluant
les transitions radiatives et non radiatives). Ce taux vaut : R = τnn où τn est la durée
de vie des électrons. Les électrons injectés se recombinent (conservation du courant),
d’où, en égalisant les deux expressions (Ninj = Nrecomb ) :
J nd
= (8.1)
q τn
Or, le flux de photons φi (par unité de temps et de surface) émis dans ce volume
est dû uniquement aux recombinaisons radiatives : φi × S = n×S×d τR
. D’où :
nd
φi = (8.2)
τR
τn J
= (8.3)
τR q
J
= ηi (8.4)
q
où ηi est le rendement quantique interne. Ce flux est le flux émis à l’intérieur du
volume. Le flux émis par la LED, à l’extérieur du semiconducteur est plus faible : il
y a des pertes.

Page 94
8.2. DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES.

Flux externe
La direction des photons émis est aléatoire. Or, l’interface semiconducteur/air
est un dioptre qui est caractérisé par une réflexion, une réfraction (transmission) ou
une réflexion totale (cf figure 8.2).
L’angle limite pour la réfraction (ou la réflexion totale) est donné par :
1
θ = Arcsin( )
nsc
où nsc est l’indice du semiconducteur. Pour le GaAs, nsc = 3.27 et donc : θ = 18Deg.
Cet angle est faible. Beaucoup de photons émis en interne subissent une réflexion
totale.
Ces photons réfléchis ne sont pas tous perdus : ils sont absorbés et participent
indirectement à la génération de nouveaux photons émis. Ce recyclage est associé à
un rendement ηrecy , qui est difficle à évaluer.
Mais une partie des photons est transmise. Le coeffcient de transmission en énergie
Air

Zone active

Fig. 8.2 – Transmission, réflexion et réflexion totale au niveau de l’interface semi-

conducteur/air, de rayons issus de la zone active d’une LED.

vaut, dans le cas d’une interface semiconducteur/air :

2
nsc − 1
ηdielec =1−
nsc + 1

Puissance optique fournie

Les deux paragraphes précédents permettent d’en déduire la puissance optique
fournie au milieu extérieur :
Popt = ηdielec × ηrecy × (hνφi S) (8.5)
hνJS
= ηdielec ηrecy ηi (8.6)
| {z } q
η
hνJS
= η (8.7)
q
On peut donc en déduire la réponse (en W/A) :
hν
R=η (8.8)
q

Page 95
CHAPITRE 8. PHOTOÉMETTEURS À SEMICONDUCTEURS

La puissance est donc une fonction linéaire du courant. En réalité, une saturation

Popt (W)

I (A)

Fig. 8.3 – Réponse (en W) d’une LED en fonction du courant d’injection (en A).

apparait, entre autre dû aux recombinaisons Auger qui deviennent importante aux
fortes densités de porteurs (et donc aux forts courants d’injection). La figure 8.3
donne l’allure de la réponse en fonction du courant d’injection.

8.2.3 Amélioration
L’emploi d’une hétérostructure peut améliorer l’efficacité des recombinaison (en
empêchant les électrons de diffuser au dessus de la barrière). Une hétérostructure
permet en effet de modifier les hauteurs de barrière et de confiner les électrons
dans des zones étroites, comme nous le verrons plus loin dans le cas d’une diode
laser. Or, si la zone active est plus fine (ie le paramètre précédent d plus petit),
le courant nécéssaire pour produire un flux donné sera plus faible, d’où un gain de
consommation (cf équation 8.1).
En outre, l’encapsulation de la diode dans une résine permet :
– une protection (essentiellement des contacts)
– une adaptation des indices et donc moins de pertes par réflexion
– une focalisation du faisceau

8.3 Laser à semiconducteurs

8.3.1 Introduction
Les laser à semiconducteur ont révolutionnés les technologies depuis les années
80. Ils ont permis l’essor des telécommunications en autorisant le transport de
l’information sur de longues distances à l’aide de fibres optiques. Le secteur des
télécommunications est le premier secteur concernant les applications du laser. Le
stockage d’information est la seconde grande application : chaque lecteur/graveur
de CD ou de DVD possède un laser à semiconducteur (à puits quantique). Enfin,
n’oublions pas l’utilisation médicale.
Nous allons dans un premier temps rappeler les bases de la physique du laser, sans
rentrer dans les détails, avant d’étudier les dispositifs laser à semiconducteur.

Page 96
8.3. LASER À SEMICONDUCTEURS

8.3.2 Rappels sur la physique du laser

Le but d’un LASER (Light Amplifier by Stimulated Emission Radiation) est de
réaliser une source lumineuse intense, d’une haute pureté spectrale, directionnelle et
cohérente.

Constitution
Emission stimulée Le laser repose sur le principe de l’émission stimulée. Rap-
pelons que l’émission stimulée permet une amplification optique : pour un photon
incident au milieu, on récupère deux photons. Une telle amplification est possible si
la condition d’inversion de population est réalisée. Deux méthodes existent : soit de
manière optique (pompage optique) soit de manière électrique (injection électrique).
L’idée consiste à disposer d’un plus grand nombre de porteurs dans un état excité
(c’est à dire dans un état d’énergie plus élevé, et dans le cas d’un semiconducteur
il s’agit des électrons dans la bande de conduction) que dans un état stable (de
faible énergie, c’est à dire qu’il s’agit des électrons dans la bande de valence pour les
électrons). Si tel est le cas :
– soit aucun rayonnement n’est présent en entrée du dispositif. Seule l’émission
spontanée est alors amplifiée. La source est peu intense (à peine plus qu’une
simple LED) et le spectre d’émission est large. On a réalisé une LED intense.
– soit on injecte un rayonnement en entrée. Ce rayonnement est amplifié. On a
réalisé un amplificateur optique. Un tel dispositif porte le nom, dans le domaine
des semiconducteurs, de SOA (Semiconductor Optical Amplifier).
Pour réaliser une source, l’idée consiste à prélever l’émission spontanée (amplifiée)
et à l’injecter dans le milieu amplificateur, à l’aide par exemple d’une cavité.

Cavité résonnante Si on injecte à l’amplificateur optique précédent le rayonne-

ment d’émission spontanée amplifié, on réalise une contre- réaction. La méthode la
plus simple pour injecter un tel rayonnement est d’insérer l’amplificateur optique
dans une cavité (figure 8.4). La cavité a deux objectifs :
– réaliser une contre-récation. Cette contre-réaction (feed-back) permet une aug-
mentation de l’intensité des rayonnements et l’apparition d’oscillation (oscilla-
tions laser). On transforme ainsi un simple amplificateur en une source : les os-
cillations s’auto-entretiennent sans avoir besoin de flux externe. Ce phénomène
de bouclage est couramment utilisé en électronique pour réaliser des oscilla-
teurs. A chaque passage, on amplifie le faisceau.
– le second rôle de la cavité est de filtrer. Seuls certains modes peuvent exister
dans la cavité (donc seules certaines longueurs d’ondes sont privilégiées) et
seront amplifiés. On obtiendra donc un spectre étroit.
En pratique, on réalise la cavité à l’aide de miroirs. La cavité la plus courante est
constituée de deux miroirs, dont l’un laisse passer une fraction du faisceau (pour
permettre l’émission à l’extérieur !). Des cavités plus complexes (à 3 ou 4 miroirs)
existent.

Synthèse Finallement, un laser est un dispositif constitué : d’un milieu amplifica-

teur optique (en régime d’inversion de population) et d’une cavité (qui assure une

Page 97
CHAPITRE 8. PHOTOÉMETTEURS À SEMICONDUCTEURS

Milieu amplificateur

Miroirs
Fig. 8.4 – Principe d’un laser.

contre-réaction et un filtrage).

Les équations du laser

Nous allons voir quelles sont les conditions pour avoir amplification du rayonne-
ment, compte-tenu du taux d’émission stimulée, de l’absorption du matériau et des
miroirs.
La première condition à remplir est l’inversion de population. Cette condition est
équivalente à rendre le taux net d’émission stimulé positif : g > 0 (l’émission sti-
mulée l’emporte sur l’absorption interbande). Mais ce n’est pas suffisant. Chaque
matériau à des pertes supplémentaires.
Il faut tenir compte des pertes du matériau (absorption par porteurs libres, recom-
binaison Auger, impuretés etc ...). Tout matériau est caractérisé par un coefficient
d’absorption α. Ainsi, connaissant le flux de photons en x0 , on peut en déduire le
flux en x :
φ(x) = φ(x0 )e(g−α)(x−x0 ) (8.9)
Enfin, il y a des pertes par réflexion au niveau des miroirs, caractérisés par le coef-
ficient de réflexion en énergie R.
Pour tenir compte de ces trois phénomènes, nous allons nous placer dans un dispo-
sitif unidimensionnel (pour simplifier) et nous allons considérer un aller-retour d’un
rayon. On aura un effet laser (ie une amplification) si le flux de photon au bout d’un
aller-retour dans la cavité est supérieur au flux de photon initial.
Plaçons nous en un point A, d’abscisse x, comme le montre la figure 8.5. Soit φ0 le
flux en ce point. Soit L la longueur de la cavité. Lorsque le faisceau arrive en B, au
niveau du miroir, le flux vaut, juste avant réflexion :
φ(B) = φ0 e(g−α)(L−x)
Après réflexion sur le miroir (point C) : φ(C) = R × φ(B) = Rφ0 e(g−α)(L−x)
Après un passage dans la cavité, avant réflexion sur l’autre miroir (point D) :
φ(D) = φ(C)e(g−α)L
Après réflexion sur le miroir (point E) : φ(E) = R × φ(D)

Page 98
8.3. LASER À SEMICONDUCTEURS

E F=A B

D C

0 x L

Fig. 8.5 – Etude d’un aller-retour dans la cavité d’un LASER.

Le flux au point F (qui correspond au point A de départ) vaut donc :

φ(F ≡ A) = φ(E)e(g−α)x (8.10)

= φ0 R2 e(g−α)2L (8.11)

Pour avoir amplification, il faut donc que φ(F ) > φ(A), ce qui aboutit à la condition
suivante :
1 1
g >α+ ln = glim (8.12)
2L R2
Le cas d’égalité porte le nom d’équation de seuil du laser. La courbe de la puissance

P (W)

I (A)
1 2 Is 3 4

Fig. 8.6 – Evolution de la puissance optique émise par un laser en fonction du

courant d’injection.

optique émise par le laser en fonction du courant (en se plaçant dans le cas d’un laser
pompé électriquement) est donnée par la figure 8.6, dans le cas d’un laser pompé
électriquement. On distingue quatre zones :
– zone 1 : émission spontanée (comme dans une LED). Il n’y a pas d’inversion
de population (g < 0).

Page 99
CHAPITRE 8. PHOTOÉMETTEURS À SEMICONDUCTEURS

– zone 2 : émission spontanée amplifiée. On a la condition d’inversion de po-

pulation (g > 0) mais les pertes de la cavité sont plus grandes que le gain
(l’équation de seuil du laser n’est pas satisfaite : g < glim )
– zone 3 : effet laser. L’inversion de population est réalisée (g > 0) et l’équation
du laser est satisfaite (g > glim ). La puissance optique augmente rapidement
avec le courant d’injection
– zone 4 : zone de saturation
Le passage de le zone 2 (émission spontanée amplifiée) à la zone 3 (effet laser) définit
le courant de seuil du laser.

8.3.3 Diode laser

Une diode laser est en réalité une DEL pour laquelle on réalise une inversion de
population et que l’on insère dans une cavité résonante.

Réalisation de l’inversion de population

La structure la plus simple (qui n’est pas la plus performante) est réalisée à partir
d’une jonction PN. Réaliser l’inversion de population dans le cas d’un semiconduc-
teur consiste à vérifier la condition de Bernard-Durrafour :

EF c − EF v > h̄ω (8.13)

Il faut donc augmenter la densité d’électrons dans la bande de conduction et de

trous dans la bande de valence, pour permettre aux quasi-niveaux de Fermi d’être
suffisamment séparés. Par ailleurs, il ne faut pas oublier la condition d’émission du
photon : E = h̄ω > Eg . Il en découle que EF c − EF v > Eg : le semiconducteur
doit donc être (localement) dégénéré. La figure 8.7(a) montre la situation dans une
simple jonction PN. Pour arriver à satisfaire la condition de Bernard-Durrafour,
deux méthodes existent : soit par création de paires électron/trou (sous éclairement
intense), soit par injection de porteurs. La première méthode, est peu utilisée car
nécessite une source intense ... et c’est justement ce que l’on souhaite réaliser ! La
seconde méthode consiste à polariser en direct la jonction PN. La tension appliquée
permet de séparer les deux quasi-niveaux de Fermi d’un facteur qV . Pour une tension
suffisamment grande :
qV = EF c − EF v > h̄ω
Reprenons l’expression 8.1, page 94, (toujours valable en dessous du courant de seuil)
liant la densité d’électrons (injectés) au courant d’injection (en régime stationnaire) :
J/q = nd/τ . Cette expression nous permet de voir que l’injection du courant est un
moyen pour augmenter la densité de porteurs (et donc satisfaire à la condition d’in-
version de population).
Dans une simple jonction PN, il faut injecter de forts courants pour satisfaire cette
condition : la consommation électrique est donc importante et un risque de destruc-
tion par échauffement existe.
Pour diminuer le courant de seuil, une solution consiste à utiliser une double hétéro-
structure représentée sur la figure 8.7(b). Une telle structure permet de confiner
dans un même volume les électrons et les trous : le facteur d est diminué. Ainsi,

Page 100
8.3. LASER À SEMICONDUCTEURS

Ec Ec
EFc Ec
EFc

Ev EFc
EFv Ev Ev

Zone active Zone active Zone active

(a) (b) (c)

Fig. 8.7 – Structures courantes d’une diode laser. (a) : jonction PN ; (b) : double
hétérostructure (DH) ; (c) : hétérostructure avec puits de potentiel.

pour une densité n fixée, la diminution de l’épaisseur de confinemnt d entraine la

diminution du courant d’injection (ie du courant de seuil). L’inversion de population
est atteinte dans la zone active pour une densité de courant plus faible : l’effet laser
peut se produire aisément.
Enfin, toujours à l’aide d’hétérostructure, on peut encore diminuer la courant de
seuil et la puissance en confinant les électrons et les trous dans des puits. La fi-
gure 8.7(c) donne un exemple de réalisation. La zone active est dans ce cas beaucoup
plus étroite : le paramètre d est encore plus faible, fixant un courant de seuil plus
faible. On accumule localement les porteurs dans le puits : leur densité augmente
donc dans le puits, facilitant l’inversion de population (ie la dégénérescence locale
du semiconducteur, comme on peut le constater au niveau du puits).

D’autres structures existent : le puits peut être très fin (de l’ordre de quelques di-
zaines de nanomètres). Dans ce cas, l’énergie des électrons et des trous est discrétisée :
on a un puits quantique et des états d’énergie discrets apparaissent. Ce type de laser
est plus efficace, mais la modélisation est aussi beaucoup plus complexe. Il ne faut
pourtant pas négliger ces structures puisque c’est le laser le plus courant : chaque
diode laser présente dans les systèmes électroniques courants possède un puits quan-
tique !

Cavité résonnante

Nous avons vu au paragraphe précédent un moyen de réaliser une amplification

optique (ie : une inversion de population). Mais pour avoir un laser, il nous faut
une cavité. Au lieu de placer des miroirs, on clive les semiconducteurs selon un plan
cristallin. Le dioptre semiconducteur/air réalisé permet une réflexion partielle. Le
coefficient de réflexion est de l’ordre de 30% et est suffisant pour avoir un effet laser.
La cavité joue également le rôle de filtre. Deux miroirs face à face constituent une
cavité Fabry-Pérot. Seules certaines longueurs d’onde peuvent exister. Si L est la
longueur de la cavité, n l’indice du matériau, alors les longueurs d’onde permises

Page 101
CHAPITRE 8. PHOTOÉMETTEURS À SEMICONDUCTEURS

sont les suivantes :

2Ln
λp = avec p ∈ N (8.14)
p
On peut améliorer le rendement du laser en disposant des miroirs de Bragg. La diode
laser porte alors le nom de diode DFB (Distributed Feed Back). La diode devient
monomode, la longueur d’onde étant donnée par λ = 2Λn, où Λ est le pas du réseau
de Bragg.

Guide optique
La réalisation d’un puits de potentiel a un autre avantage : il permet de réaliser
un guide d’onde optique. Ce confinement des ondes électromagnétiques est important
car il permet d’avoir un faisceau directionnel et moins de pertes par des émissions
latérales. Le confinement du champ électrique est représenté sur la figure 8.8(a) dans
le cas d’un simple puits quantique.
Ce confinement optique peut être amélioré. En effet, la longueur d’onde des photons

Ev
x x
n n

x x
E(x) E(x)

x x

(a) (b)

Fig. 8.8 – Confinement optique dans une diode laser à un puits quantique (cas (a))
et dans une diode laser munie de deux puits quantiques (cas (b)). La structure des
bandes est représentée sur les figures du haut ; les variations des indices optiques
correspondants sont sur les figures du milieu et la répartition du champ électrique
est donnée sur les figures du bas.

est plus grande que la longueur d’onde des électrons (aux alentours du µm pour
les photons contre 10Å pour les électrons). Un puits de potentiel pour confiner les
électrons est donc trop petit pour le confinement des photons : le guidage ne sera pas
optimal. D’où la réalisation d’un laser à deux puits : un puits pour les porteurs de
charge et un puits pour le guidage optique (figure 8.8). D’autres solutions permettant
un meilleur guidage existent et constituent des variantes technologiques de ces deux
principes.

Page 102
Annexe

Bibliographie
Voici quelques ouvrages incontournables pour aller plus loin ...

– Physique du solide, C. Kittel. Cet ouvrage ne concerne que la physique du

solide. Il ne décrit pas les dispositifs à semiconducteurs. C’est un ouvrage de
référence.
– Physics of semiconductor Devices, S.M. Sze (Wiley Inter.science). La bible
de la physique des semiconducteurs. Très complet, il se réfère toujours à des
articles et donne beaucoup d’applications numériques. Très agréable à lire !
– Physique des semiconducteurs et des composants électroniques, H. Mathieu
(Dunod). Ce livre est très complet. Tous les calculs sont fait en détail. Il
balaye un grand nombre de domaines (même les nanotechnologies). Il est très
cartésien et un peu difficile si on n’y est pas habitué.
– Optoélectronique, E. Rosencher et B. Vinter (Dunod). Une référence dans le do-
maine de l’optoélectronique. Il est très axé ”physique quantique” et est parfois
difficile.
– Physique des semiconducteurs, B. Sapoval et C. Hermann (ellipses). Ce livre
concerne peu de dispositifs électroniques, mais est très clair concernant les
outils de la physique des semiconducteurs
– Dispositifs et circuits intégrés semiconducteurs, A. Vapaille et R. Castagné
(Dunod). Très pédagogique, il explique les composants les plus courants et la
technologie de fabrication associée. Le seul point négatif est son âge ...
– Télécoms sur fibre optique, P. Lecoy (Hermes). Un peu superficiel concernant
les composants (ce n’est pas le but), mais il est intéressant pour les systèmes
de télécom.
– Les lasers (et leurs applications scientifiques et médicales), C. Fabre et J.P.
Pocholle (Les éditions de physique). Un ouvrage remarquable ! Certains articles
sont très pédagogiques et font un état de l’art des laser. D’autres articles
montrent les applications.
– The physics of Low-Dimensionnal semiconductors : an introduction, J.H. Da-
vies, (Cambridge University Press). Ouvrage de base pour la compréhension
des dispositifs nano.
– Quantum semiconductors structures, C. Weisbuch et B. Vinter (Academic
Press). Un bon ouvrage pour l’étude des structures quantiques.
– Physique des semiconducteurs, B. Gréhant (Eyrolles). Ouvrage très simple sur

103
les bases de la physique des semiconducteurs. Il donne beacoup d’analogies
pour comprendre cette matière. Mais il ne va pas très loin !
Et quelques sites internet bien réalisés ...

– eunomie.u-bourgogne.fr : un site qui fournit beaucoup de documents de grandes

qualité
– www.physique.ens-cachan.fr/agregation.php : des poly de la prépa agreg de
l’ens très bien fait. Les TD sont intéressants.
– hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/hframe.html : un site fournissant des fiches
sur la physique des composants
– www.eudil.fr/eudil/bbsc/sc00a.htm : de l’atome au circuit intégré. Un site de
cours de Polytech’Lille sur la physique des semiconducteurs. C’est le site in-
contournable.

Quelques constantes utiles !

permittivité du vide 0 = 8.85 10−12 F m−1
Constante de Boltzmann kb = 1.38 10−23 JK −1
Constante de Planck h = 6.63 10−34 Js
Constante de Planck réduite h̄ = 1.05 10−34 Js
Masse de l’électron me = 9.1 10−31 kg
Charge de l’électron q = −1.6 10−19 C
Quelques données sur les semiconducteurs classiques :
Matériau Gap Nature mc /m0 mv /m0 Nc Nv ni µe µh r /0 a0 χ φmax
(eV ) du gap (1019 cm−3 ) (1019 cm−3 ) (cm−3 ) (cm2 /Vs) (cm2 /Vs) (Å) (eV) (eV)
Si 1.12 ind. 1.06 0.59 2.7 1.1 1.45 ×1010 1450 370 11.9 5.4 4.01 5.13
Ge 0.664 ind. 0.55 0.36 1 0.5 2.4 ×1013 3900 1800 16.2 5.64 4.13 4.13
GaAs 1.42 dir. 0.067 0.64 1.7 1.3 1.8 ×106 8000 400 13.1 5.65 4.07 5.5
AlAs 2.17 400 100 10.06 5.66 3.5 5.66
InAs 0.35 dir. 1.3 ×1015 30000 480 15.15 6.06 4.9 5.26
GaP 2.27 ind. 1.7 3 ×106 200 150 11.1 5.45 4.3 6.55
InP 1.34 dir. 0.073 0.87 0.05 2 1.2 ×108 5000 180 12.56 5.87 4.38 5.65
GaSb 0.7 dir. 4.3 ×1012 5000 1500 15.69 6.09 4.06 4.74
InSb 0.18 dir. 2 ×1016 80000 1500 16.8 6.48 4.59 4.66

Quelques données sur les métaux les plus couramment utilisés :

Métal L i N a K R b C s Fr C r Fe N i A l C u A g A u Pt
q φ(eV ) 2.3 2.3 2.2 2.2 1.8 1.8 4.6 4.4 4.5 4.3 4.4 4.3 4.8 5.3

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