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VASSART
Electronique industrielle – Bachelier en électromécanique – Bloc 3

LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP.

Objectifs de ce chapitre :

• Etudier le fonctionnement, les caractéristiques et les applications des transistors

JFET.

• Etudier le fonctionnement, les caractéristiques et les applications des transistors

MOSFET.

1. Introduction.

Les transistors bipolaires ont été étudiés dans le cours de bloc 2. Ce chapitre présente
une autre famille de transistors : les transistors FET (Field Effect Transistor) appelés
« transistors à effet de champ ».

Un transistor FET possède 3 électrodes :

• Le drain D
• La source S
• La grille G qui contrôle le courant traversant le transistor

On distingue

• Les JFET (Junction Field Effect Transistor) ou transistors à effet de champ à

jonction dans lesquels la grille est une des régions d’une jonction PN.

• Les MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor) ou transistors à

effet de champ à grille isolée dans lesquels la grille est isolée galvaniquement du
reste du transistor.

Les transistors MOS sont essentiellement employés dans les circuits numériques
car il est possible de réduire leurs dimensions sans affecter leurs performances, ce
qui facilite la réalisation de circuits intégrés « à grande échelle » (VLSI)
renfermant plusieurs millions de transistors sur une puce de quelques mm². On
trouve cependant des circuits intégrés analogiques en technologie CMOS (amplis
op, etc…)

2. Le transistor JFET.
2.1. Structure et symbole.

Le transistor JFET est constitué d’un barreau de Si dopé formant le canal du transistor.
Les extrémités du canal sont les électrodes de source et de drain.

Au milieu du canal, une double jonction PN est créée en implantant 2 zones dont le
dopage est opposé à celui du canal. Ces 2 zones, fortement dopées, forment la grille du
transistor. Elles permettent de contrôler le courant susceptible de traverser le canal
quand une différence de potentiel existe entre les extrémités de celui-ci.

Les transistors à effet de champ 1

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Dans la suite, nous étudierons le transistor à canal N, plus courant que le modèle à canal
P. Sa structure est représentée ci-dessous ; les zones grises sont des contacts
métalliques déposés sur le Si afin d’y souder les bornes du transistor.

Fig 1

On constate la présence d’une jonction PN entre la grille et le canal. Elle contrôle le

comportement du transistor.

Le sens passant de la diode grille-canal est indiqué sur le symbole du transistor :

Fig 2

2.2. Fonctionnement.

2.2.1. Rappel : diode polarisée en sens bloquant.

Quand une diode est polarisée en sens bloquant, une zone de transition existe de part et
d’autre de la jonction. Dans cette zone, aussi appelée « zone de déplétion » ou « zone de
charge d’espace », les porteurs de charge ont disparu de sorte que la charge des atomes
d’impureté ionisés n’est plus compensée :

Fig 3

Les transistors à effet de champ 2

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La zone de transition

- s’élargit quand on accentue la polarisation inverse ;

- s’étend plus profondément dans la zone la moins dopée car la charge négative non
compensée dans la zone P est égale (en valeur absolue) à la charge positive non
compensée dans la zone N ;

- est le siège d’un champ électrique.

Ces propriétés sont exploitées dans le JFET.

Dans une diode polarisée en sens bloquant, seul un petit courant inverse circule (il s’agit
d’un flux de porteurs minoritaires). Ceci est vrai à condition que la tension appliquée à la
diode reste inférieure à la tension de claquage pour laquelle la diode entre en avalanche
et se met à conduire en sens inverse.

Le phénomène d’avalanche est exploité dans les diodes Zéner. Par contre, dans un
transistor, il faut l’éviter car il peut entraîner la destruction du composant.

2.2.2. Transistor non polarisé.

Considérons le transistor de la Fig 1 dans lequel on a court-circuité d’une part la grille et

la source et, d’autre part, le drain et la source : UGS=0 V et UDS=0 V. Dans ces
conditions, les zones de transition des jonctions grille-canal sont uniformes. Elles
provoquent un étranglement du canal car la section à travers laquelle les électrons
pourront circuler est inférieure à la section physique du canal.

Sur la Fig 4, les zones de transition sont marquées en gris et les courts-circuits entre G-S
et D-S ne sont pas indiqués par souci de clarté.

Fig 4 Fig 5

2.2.3. Transistor polarisé (UGS=0 V).

Tout en conservant le court-circuit entre G et S, rendons le drain légèrement positif par

rapport à la source. Un petit courant traverse le canal de D vers S vu que l’extrémité
droite est positive.

Cependant, le canal étant plus positif près du drain, les zones de transition y sont plus
larges vu que les diodes grille-canal y sont davantage polarisées en sens inverse (Fig 5).
L’étranglement du canal est donc accentué au voisinage du drain.

Cet étranglement plus prononcé n’a pas de conséquence tant que UDS reste faible
(quelques dixièmes de V) car le courant traversant le canal est proportionnel à UDS. Le

Les transistors à effet de champ 3

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transistor se comporte donc comme une résistance. On dit qu’il fonctionne dans sa région
ohmique.

Quand UDS augmente, la résistance présentée par le canal fait de même et le courant
traversant le transistor n’est plus proportionnel à UDS.

Pour une certaine valeur de UDS, appelée « tension de pincement », le canal est presque
totalement fermé ; sa section atteint un minimum (Fig 6).

Fig 7
Fig 6

On pourrait penser que toute augmentation ultérieure de UDS provoque la fermeture

complète du canal, mais il n’en est rien car la zone pincée s’allonge sans que sa section
ne se réduise, si bien que le courant continue à circuler (Fig 7).

Le courant reste à peu près constant même si UDS augmente car la résistance du canal
devient quasiment proportionnelle à UDS (presque toute la tension est reprise par la zone
pincée). On dit que le transistor fonctionne dans sa région de saturation.

Si on continue à augmenter UDS, on accentue la polarisation inverse de la diode grille-

canal jusqu’à provoquer le claquage de cette diode. Il est clair que cet état doit être
évité.

2.2.4. Transistor polarisé (UGS<0 V).

Répétons l’expérience précédente après avoir rendu UGS légèrement négative. Les mêmes
phénomènes sont observés, mais le pincement du canal est atteint pour une valeur plus
faible de UDS et le courant qui traverse le transistor saturé est plus petit.

Si on rend UGS de plus en plus négative, on accentue la polarisation inverse de la diode

grille-canal et il existe une valeur de UGS, appelée UGSoff, pour laquelle le canal se ferme
complètement : le transistor est bloqué.

2.2.5. Conclusion.

Le courant circulant entre D et S est commandé par la tension appliquée entre G et S qui
module la largeur des zones de transition qui s’étendent dans le canal, à condition que la
diode grille canal soit polarisée en sens bloquant.

Quand le transistor fonctionne normalement, on admet donc que le courant traversant la

diode grille-canal est nul, ce qui revient à dire que la résistance d’entrée du transistor est
infinie. En réalité, ce courant est très petit et la résistance d’entrée est très grande. Il
s’agit d’une particularité intéressante du JFET.

Le transistor est qualifié de composant « à effet de champ » car UGS agit sur le champ
électrique régnant dans les zones de transition.

Les transistors à effet de champ 4

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2.3. Courbes caractéristiques.

Quand le JFET est polarisé comme indiqué à la Fig 8, 3 grandeurs électriques suffisent à
décrire son fonctionnement. Si une de ces grandeurs est fixée, on peut représenter
l’évolution de la deuxième en fonction de la troisième.

On distingue ainsi

• la courbe ID=f(UGS) à UDS constant, appelée « caractéristique de transfert » ;

• la courbe ID=f(UDS) à UGS constant, appelée « caractéristique de sortie ».

Fig 8

2.3.1. Caractéristique de transfert.

Quand on maintient UDS et la température de jonction constantes, on relève une courbe

qui ressemble à celle-ci:

Fig 9

L’équation de la courbe ID=f(UGS) étant compliquée à manipuler, on admet que la

caractéristique de transfert peut être assimilée à la parabole d’équation

2
 U 
I D = I DSS 1 − GS  (1)
 U
 GSoff 

Les transistors à effet de champ 5

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UGSoff est la tension de blocage du transistor

IDSS est la valeur de ID quand UGS=0 V.

2.3.2. Caractéristique de sortie.

Quand on maintient UGS et la température de jonction constantes, on relève une série de

courbes qui ressemblent à celles-ci (attention : ces courbes ne sont pas celles du
transistor décrit par la Fig 9 ) :

Fig 10

Constatations :

• Dans la région de saturation, ID dépend un peu de UDS. Le transistor se comporte

donc comme une source de courant imparfaite.

• Le pincement du canal est obtenu pour des valeurs de UDS de plus en plus faibles
lorsque UGS devient de plus en plus négative.

Un agrandissement permet de bien voir la portion linéaire de la région ohmique :

Fig 11

On constate que le transistor se comporte bien comme une résistance commandée par la
tension UGS quand UDS est faible.

Les transistors à effet de champ 6

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2.3.3. Tension de saturation.

La « tension de saturation » est la valeur de UDS correspondant au pincement : UDSsat.

Pour cette tension, le courant de drain est IDsat.

Sur la chaque courbe ID=f(UDS), le point de pincement peut être repéré facilement : c’est
le point qui sépare la région ohmique (région A sur la Fig 12) de la zone de saturation
(région B sur la Fig 12).

Fig 12

La courbe IDsat=f(UDSsat) est une parabole dont l’équation est

2
U 
I Dsat = I DSS  DSsat  (2)
 U GSoff
 

Cette équation peut être facilement établie en remarquant que

U DSsat = U GS − U GSoff (3)

2.3.4. Influence de la température.

Comme tout semiconducteur, le JFET est sensible à la température :

• |UGSoff| augmente avec la température.

• IDSS diminue quand la température augmente.

Dans les catalogues, les caractéristiques de transfert et de sortie sont présentées sur la
même figure (Fig 13), mais la première est reproduite 3 fois car dans un lot de
fabrication, tous les transistors d’un même type n’ont pas rigoureusement les mêmes
paramètres (on dit qu’il existe une dispersion sur la valeur des paramètres).

C’est pourquoi le fabricant indique 3 caractéristiques :

• la courbe « typique », qui a la plus forte probabilité d’apparaître ;

• la courbe « minimale »;
• la courbe « maximale ».

Les transistors à effet de champ 7

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Les conditions dans lesquelles le relevé a été effectué sont indiquées sur la figure. Voici
un exemple (transistor BFW10).

Fig 13

2.4. Grandeurs caractéristiques.

La fiche technique d’un transistor regroupe les grandeurs caractéristiques en plusieurs

rubriques.

Dans la rubrique « Maximum Ratings », on trouve les valeurs à ne pas dépasser. La Fig
14 montre les paramètres du transistor 2N3819.

1 : Tension de claquage de la diode drain-grille

2 : Tension de claquage de la diode grille-source (c’est l’opposé de la précédente)
3 : IDmax
4 : Courant maximum dans la diode grille-source quand elle est passante

Fig 14

Dans la rubrique « Electrical Characteristics », on trouve les valeurs des grandeurs

électriques en fonctionnement normal. Voici celles du transistor 2N3819.

5 : Tension de claquage de la diode grille-source

6 : Courant de fuite de la diode grille-canal
7 : UGSoff
8 : IDSS
9 : Transconductance (voir la section 2.6)

Les transistors à effet de champ 8

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Fig 15

2.5. Polarisation.

2.5.1. Principe.

Polariser un transistor consiste à fixer le point de repos, c’est-à-dire l’état du transistor

en l’absence de signal à traiter. Les grandeurs U°GS, I°D, U°DS doivent donc être
imposées.

Un problème supplémentaire doit être résolu : la polarisation ne doit pas être altérée

- suite au remplacement du transistor, par exemple suite à un dépannage ;

- d’un montage à l’autre lorsque le même circuit est reproduit un grand nombre de fois.

Le circuit de polarisation idéal doit donc neutraliser l’influence de la dispersion qui affecte
les paramètres des transistors. En pratique, on ne peut réaliser un tel circuit si bien que
le point de repos dépend de l’échantillon employé. On s’efforce alors de réaliser le
meilleur circuit de polarisation, c’est-à-dire celui qui sera le moins sensible aux
dispersions.

2.5.2. Polarisation en pont.

Fig 16 Fig 17

Les transistors à effet de champ 9

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L’équation de la maille d’entrée est

0
U GS = Eth0 − RS I D0 (4)

Dans le plan (UGS, ID), le point de repos appartient à la droite d’équation

Eth0 U GS
ID = − (5)
RS RS

Cette droite coupe l’axe des UGS à droite de l’origine. Comme le montre la Fig 18, la
dispersion du point de repos est réduite vu la faible inclinaison de la droite de
commande.

Fig 18

2.6. Amplification.

2.6.1. Principe.

Dans cette section, nous découvrirons l’amplificateur « source commune »

Dans un étage amplificateur, en l’absence d’un signal à traiter, le point de

fonctionnement du transistor est confondu avec le point de repos.

Quand un signal variable est appliqué, le point de fonctionnement du transistor quitte le

point de repos et se déplace au rythme du signal.

Il est donc essentiel que

- la connexion de la source de signal à amplifier ne perturbe pas la polarisation ;

- la connexion de la charge qui reçoit le signal amplifié ne perturbe pas la polarisation.

Pour que ces conditions soient respectées, il faut ajouter des condensateurs dans le
montage, comme expliqué ci-dessous.

Les transistors à effet de champ 10

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La Fig 19 représente un étage « source commune » non chargé. On y remarque 3

condensateurs :

• CG empêche la source alternative de fausser la polarisation ;

• CD empêche la charge (non représentée ici) de fausser la polarisation ;

• CS court-circuite RS afin que le gain du montage soit plus élevé.

Fig 19

2.6.2. Calculs.

Supposons d’abord que le transistor est polarisé dans la zone de saturation et que, dans
cette zone, les courbes ID=f(UDS) sont horizontales.

Le signal à amplifier modifie la valeur instantanée de UGS:

U GS (t ) = U GS
0
+ uGS (t ) (6)

Le but de l’amplification est d’obtenir un signal variable à la sortie tel que

U DS (t ) = U DS
0
+ u DS (t ) (7)

avec u DS (t ) = Gu uGS (t ) Gu > 1 (8)

Pour établir l’expression de UDS(t), voyons comment le transistor traite le signal d’entrée.

2
 U 0 + uGS (t ) 
I D (t ) = I DSS 1 − GS  (9)
 U GSoff
 
2
 U0 u (t ) 
C’est-à-dire I D (t ) = I DSS 1 − GS + GS  (10)
 U U GSoff 
 GSoff

En développant, on trouve

Les transistors à effet de champ 11

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 0 
2
 0  uGS (t )  uGS (t ) 
2

I D (t ) = I DSS  1 − U GS  − 2 1 −
U GS
 +   (11)
 U GSoff   U GSoff

 U GSoff  U GSoff  
 

(11) montre que le montage n’est pas linéaire car ID(t) est fonction de uGS²(t), donc
UDS(t) aussi.

On peut admettre que l’amplificateur est linéaire si le terme en uGS²(t) peut être négligé
par rapport aux autres termes du crochet. On dit alors que l’amplificateur travaille « en
petits signaux ».

2
 0
U GS  2 I DSS  0
U GS 
Il vient I D (t ) = I DSS 1 −  − 1 −  uGS (t ) (12)
 U
 GSoff  U GSoff  U GSoff 

Grâce à (1), on peut écrire

2 I D0
I D (t ) = I −
0
D uGS (t ) (13)
U GSoff I DSS

Le 2e terme de (13) est l’accroissement de ID(t) :

−2 I D0
iD (t ) = uGS (t ) (14)
U GSoff I DSS

Le coefficient de proportionnalité entre iD(t) et uGS(t) est appelé « transconductance ».

On le note gm :

−2 I D0
gm = (15)
U GSoff I DSS

On note donc iD (t ) = g muGS (t ) (16)

(16) montre que le transistor se comporte comme une source de courant commandée en
tension car il impose une modification de ID proportionnelle à la variation de UGS.

Connaissant iD(t), il est facile de calculer uDS(t) :

u DS (t ) = − RD iD (t ) (17)

Le gain en tension du montage fait intervenir les valeurs efficaces :

u DS
Gu = (18)
uGS

A partir des résultats précédents, on obtient

Gu = − g m RD (19)

Les transistors à effet de champ 12

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2.6.3. Modèle du transistor.

En réalité, les caractéristiques (UDS,ID) du transistor sont inclinées dans la zone de

saturation si bien que ID dépend aussi de UDS. On doit donc écrire

iD (t ) = g muGS (t ) + g DS u DS (t ) (20)

Le transistor peut donc être modélisé comme à la Fig 20 quand on ne s’intéresse qu’aux
variations des grandeurs électriques (sur les schémas, on indique toujours les valeurs
efficaces).

Fig 20

3. Le transistor MOSFET.
3.1. Description.

Le transistor MOSFET se comporte à peu près comme un JFET mais sa grille, isolée du
reste du transistor, agit sur la conductivité du canal par effet capacitif

• soit en la diminuant dans le transistor à appauvrissement (« depletion mosfet »),

• soit en l’augmentant dans le transistor à enrichissement (« enhancement

mosfet »).

L’acronyme MOSFET signifie « Metal Oxide Semiconductor FET ». Il fait référence à la

structure des premiers composants de cette famille qui étaient équipés d’une grille
métallique isolée du reste du transistor par une mince couche d’oxyde de silicium. A
l’heure actuelle, la grille est en polysilicium (c’est-à-dire du silicium polycristallin).

3.2. Le transistor MOSFET à enrichissement.

3.2.1. Structure et symbole.

Dans ce chapitre, nous ne décrivons que le transistor à canal N, constitué d’un substrat
de silicium de type P dans lequel 2 zones de type N fortement dopées, le drain et la
source, ont été créées. La grille, isolée grâce à une mince couche de SiO2, surmonte la
portion de substrat comprise entre le drain et la source.

Ce transistor est un composant à 4 électrodes puisque le substrat est parfois accessible

via une électrode notée « B » (bulk) (Fig 21).

Les transistors à effet de champ 13

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Fig 21

Les symboles des transistors à canal N et à canal P sont indiqués à la Fig 22. Le sens de
la diode substrat-canal est indiqué par la flèche. Très souvent, dans les circuits
numériques, le substrat est connecté à la source et des symboles alternatifs, plus
proches de ceux des transistors bipolaires, sont employés (Fig 23).

Fig 22 Fig 23

Rem : quand B et S sont reliés, une diode

« parasite » apparaît en parallèle
avec l’espace D-S. On l’indique
parfois sur le symbole, surtout dans
le cas des transistors de puissance
où elle peut être utile.

Fig 24

3.2.2. Fonctionnement.

3.2.2.1. Transistor bloqué (UGS=0 V).

Considérons un transistor dans lequel source et substrat sont reliés. Supposons qu’une
tension positive est appliquée entre drain et source tandis que la grille est reliée à la
source (Fig 25). Dans ces conditions, aucun courant ne traverse le transistor car 2 diodes
montées tête-bêche séparent D et S.

Fig 25

Les transistors à effet de champ 14

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3.2.2.2. Création d’un canal N.

Pour que le transistor conduise, un canal conducteur doit exister entre D et S. Ceci n’est
possible que si une tension positive est appliquée entre G et S afin d’attirer les électrons
du substrat sous la grille et inverser le type du semiconducteur.

L’inversion ne se produit que si UGS dépasse un seuil noté UGSth. Quand UDS=0 V, la
couche d’inversion a la même largeur tout le long du canal.

Fig 26

3.2.2.3. Transistor conducteur (UGS>UGSth et UDS>0).

Dès que UDS devient positive, un courant traverse le transistor. Pour les faibles valeurs de
UDS, le canal présente une résistance constante, comme dans un JFET.

Quand UDS grandit, la couche d’inversion devient plus mince quand on avance de la
source vers le drain, si bien que la section utile du canal diminue (sa résistance
augmente).

Fig 27

3.2.2.4. Pincement du canal (UGS>UGSth et UDS>0).

La couche d’inversion disparaît au contact avec le drain lorsque la condition suivante est
remplie :

U DS = U GS − U GSth (21)

On dit que le canal est pincé (Fig 28).

Si UDS augmente encore, le point de pincement recule vers la source si bien que le canal
conducteur n’atteint plus le drain (Fig 29). Cependant, le courant continue à circuler car

Les transistors à effet de champ 15

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le champ électrique horizontal E présent dans la zone de transition aspire les électrons du
canal, comme dans un transistor bipolaire. En première approximation, on admet que ID
ne dépend plus de UDS ; le transistor est « saturé ».

Fig 28 Fig 29

3.2.3. Courbes caractéristiques.

3.2.3.1. Caractéristique ID=f(UDS)

W 2
U DS 
On montre que
I D = K (U GS − U GSth )U DS −  (22)
L 2 

K est une constante qui s’exprime en mA/V2.

On distingue plusieurs zones sur les courbes :

a) Quand UDS est faible, (22) se résume à

W
ID = K (U GS − U GSth )U DS (23)
L
Le transistor se comporte comme une résistance commandée en tension. On dit qu’il
fonctionne dans sa région ohmique.

b) Quand UDS grandit sans

toutefois atteindre UDSsat
(qui est d’autant plus
petite que UGS est petit),
le terme en UDS2 ne peut
plus être négligé et le
transistor se comporte
toujours comme une
résistance commandée
en tension, mais cette
fois elle est non linéaire.

Voici les courbes d’un

transistor pour lequel
UGSth=1.5 V.

Fig 30

Les transistors à effet de champ 16

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c) Enfin, quand le transistor est saturé, ID reste constant. On a alors

W
I D = I Dsat = K (U GS − U GSth )
2
(24)
2L
Pour éviter tout risque de confusion avec le transistor bipolaire, on préfère employer le
terme de « région active » pour décrire la région à ID=constante.

Rem : en réalité, ID dépend un peu de UDS. Dans le cas du transistor choisi comme
exemple, on a

Fig 31

Voici par exemple les courbes caractéristiques du transistor BS170 :

Fig 32

3.2.3.2. Caractéristique ID=f(UGS)

Quand le transistor fonctionne dans sa région active, on admet que sa caractéristique de

transfert est un arc de parabole dont l’équation est (24). La Fig 33 montre la

Les transistors à effet de champ 17

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caractéristique du transistor BS170. On peut remarquer l’influence de la température, qui

a été négligée dans notre étude simplifiée.

Fig 33

3.2.4. Grandeurs caractéristiques.

Le transistor choisi comme exemple est le BS170. Dans la rubrique « Maximum ratings »
(Fig 34), on trouve

1 : UDSmax
2 : UDGmax
3 : UGSmax
4 : IDmax
5 : Pmax

Fig 34

La section « Electrical Characteristics » de la Fig 35 indique entre autres

6 : Tension de claquage de la diode drain-canal

7 : Courant de fuite (canal)
8 : Courant de fuite (grille)
9 : UGSth
10 : Résistance du canal conducteur
11 : Transconductance

Les transistors à effet de champ 18

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12 : Capacité d’entrée
13 : Temps de mise en conduction
14 : temps de blocage

Fig 35

3.3. Le transistor MOSFET à appauvrissement.

3.3.1. Structure et symbole.

Nous ne décrivons que le transistor à canal N, constitué d’un substrat de silicium de type
P dans lequel 2 zones de type N fortement dopées, le drain et la source, ont été créées.
Une zone N, le canal, les joint. Cette différence apparaît sur le symbole (Fig 37)
puisqu’un trait plein relie D à S.

La grille, isolée grâce à une mince couche de SiO2, surmonte la portion de substrat
comprise entre le drain et la source. Ce transistor est un composant à 4 électrodes
puisque le substrat est parfois accessible via une électrode notée « B » (bulk).

Fig 37

Fig 36

3.3.2. Fonctionnement.

Le transistor à canal N fonctionne comme le JFET correspondant:

Les transistors à effet de champ 19

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• Quand UGS=0 V, un courant peut circuler si UDS est positive (Fig 38). La section
utile du canal est réduite au voisinage du drain

• Quand on rend UGS négative, le canal se pince car les électrons libres du canal
sont repoussés par la grille et la zone de transition de la diode substrat-canal
s’élargit (Fig 39). La loi ID=f(UGS) est quasi parabolique (Fig 41).

• Quand UGS est assez négative, le canal se ferme et le transistor se bloque.

Fig 38 Fig 39

Le MOSFET présente cependant une particularité : quand on rend UGS positive, le canal
s’enrichit en électrons libres ; sa résistance diminue et, pour une tension UDS donnée, ID
est plus grand.

On peut considérer ce transistor comme un élément à enrichissement qui aurait une

tension de seuil négative si bien qu’il conduit déjà quand UGS=0 V.

3.3.3. Courbes caractéristiques.

La Fig 40 montre un exemple de caractéristique de sortie.

Fig 40

Les transistors à effet de champ 20

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La Fig 41 montre un exemple de caractéristique de transfert.

Fig 41

3.4. Particularités des transistors MOSFET.

3.4.1. Résistance d’entrée.

Puisque la grille est isolée du canal, la résistance d’entrée est énorme. Ces transistors
sont donc employés pour réaliser des circuits intégrés à ultra haute impédance d’entrée.

3.4.2. Sensibilité aux décharges électrostatiques (ESD).

L’entrée d’un transistor MOS se comporte comme un condensateur (grille – oxyde –

canal).

Vu la faible épaisseur de l’oxyde, l’accumulation de charges sur la grille d’un transistor

non branché peut facilement mener à la destruction du composant par claquage de
l’oxyde de grille.

Pour éviter ce phénomène, plusieurs précautions sont prises :

• Les transistors MOS sont emballés dans des sachets conducteurs marqués du
pictogramme « ESD sensitive device ».

• Il est recommandé de les manipuler en portant un bracelet conducteur relié à la

terre ;

• Les entrées des circuits intégrés CMOS sont équipées de circuits de protection qui
réduisent malheureusement l’impédance d’entrée.

Les transistors à effet de champ 21

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3.4.3. Réduction de taille.

Dans (24), le rapport W/L fixe la valeur de ID pour un UGS donné. Si ce rapport est
maintenu constant alors que W et L sont réduits, le transistor conserve ses propriétés.
C’est pourquoi les transistors MOS ont pu être miniaturisés à l’extrême (la longueur du
canal se mesure actuellement en dizaines de nm !)

3.5. Applications des transistors MOSFET.

3.5.1. Portes logiques.

En technologie CMOS (complementary MOS), on associe des transistors à canal N et P

pour former des circuits logiques. Parmi les fonctions élémentaires, on trouve l’inverseur
logique, la porte non-et et la porte non-ou.

3.5.1.1. Inverseur.

Quand on applique un « 1 » sur E, T1 conduit et T2 est bloqué (c’est un canal P). S est
donc à 0 V, c’est-à-dire au niveau « 0 ».

Inversement, quand on applique un « 0 » sur E, T1 est bloqué et T2 est conduit (c’est un

canal P). S est donc à E°, c’est-à-dire au niveau « 1 ».

Fig 42

3.5.1.2. Porte NOR.

On montre facilement que la table de vérité de ce circuit est bien celle d’une porte NOR.

Fig 43

Les transistors à effet de champ 22

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3.5.1.3. Porte NAND.

On montre facilement que la table de vérité de ce circuit est bien celle d’une porte NAND.

Fig 44

3.5.1.4. Particularités des portes logiques CMOS.

• Au repos, une porte CMOS ne consomme rien car aucun courant ne circule (du
moins si la sortie est en l’air). C’est pourquoi la consommation statique des
circuits CMOS est très faible.

Quand une porte change d’état, un bref courant circule car il faut charger ou
décharger la capacité parasite existant entre S et la masse et les 2 transistors
d’une paire conduisent simultanément pendant un laps de temps très court. Donc,
en régime dynamique, la consommation augmente avec la fréquence.

• Ces portes fonctionnent correctement pour des tensions d’alimentation allant de 3

à 15 V.

Ces 2 particularités expliquent l’usage des CMOS dans les circuits alimentés par piles.

3.5.2. Commutateur analogique.

Les concepteurs de circuits intégrés ont développé un montage à transistors MOS qui se
comporte à peu près comme un interrupteur commandé en tension. Grâce à ce montage,
il est possible d’intégrer des interrupteurs au sein des CI.

3.5.2.1. Principe de fonctionnement.

Considérons d’abord un transistor à enrichissement à canal N dont la grille est portée au

potentiel Uc. Sur la source, on applique une tension Ue comprise entre 0 V et E° V.

Fig 45

Les transistors à effet de champ 23

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Si Uc=0 V, le transistor est bloqué car UGS est négative. L’interrupteur électronique est
donc ouvert.

Si Uc=E° V, U GS = E ° − U e (25)

Le transistor conduit si UGS>UGSth, c’est-à-dire si

U e < E ° − U GSth (26)

En outre, plus Ue est faible,

plus le transistor conduit. La
résistance offerte par le canal
varie donc comme ceci :

Fig 46

Le transistor ne se comporte donc comme un interrupteur (imparfait) fermé que pour les
petites valeurs de Ue, ce qui n’est pas admissible.

Considérons ensuite un transistor à enrichissement à canal P dont la grille est portée au

potentiel Uc. Sur la source, on applique une tension Ue comprise entre 0 V et E° V.

Fig 47

Si Uc=E° V, le transistor est bloqué car USG est négative. L’interrupteur électronique est
donc ouvert.

Si Uc=0 V, U SG = U e (27)

Le transistor conduit si USG>USGth, c’est-à-dire si

U e > U SGth (28)

En outre, plus Ue est grand,

plus le transistor conduit. La
résistance offerte par le canal
varie donc comme ceci :

Fig 48

Les transistors à effet de champ 24

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Considérons enfin les 2

transistors placés en parallèle
et commandés de façon à
conduire simultanément :

Fig 49

La résistance présentée par cet ensemble quand il conduit n’est jamais élevée car elle
résulte de la mise en parallèle des résistances offertes par les 2 transistors. Par exemple,
pour le CI CD4066, on a

Fig 50

Rem : vu que la résistivité du Si dopé augmente avec la température, la résistance du

commutateur analogique varie dans le même sens.

4. Transistors de puissance.
Il existe une dernière famille de transistors MOS: les MOS de puissance. Comme leur
nom l’indique, ces composants peuvent être soumis à des tensions élevées et manipuler
des courants intenses.

4.1. Structure.

Leur structure, qui diffère de celle des transistors petits signaux et des transistors
intégrés, réalisés selon le procédé « Planar », rappelle celle des premiers transistors MOS
qui étaient appelés VMOS (Fig 51).

On remarque une diode « technologique » entre D et S, également représentée sur le

symbole du transistor (Fig 52)

Les transistors à effet de champ 25

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Fig 52

Fig 51

Dans ces transistors,

• le canal s’établissait verticalement le long de l’oxyde ;

• S et B étaient interconnectés ;
• ID circulait verticalement (d’où le V)

Toutefois, le procédé de fabrication de ces transistors, plus complexe, a été abandonné

au profit du procédé Planar mieux adapté à l’intégration à grande échelle.

Des améliorations technologiques ont abouti au modèle VDMOS à grille en polySi bien
adapté à la réalisation des composants de puissance (Fig 53).

Fig 53

En effet, plusieurs cellules élémentaires peuvent être mises en parallèle pour augmenter
la tenue en courant comme dans les transistors HEXFET caractérisés par le motif
hexagonal sur l’électrode de source (Fig 54) qui comprend de 70000 à 100000 cellules
par cm².

Les transistors à effet de champ 26

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Fig 54

Vu la structure du composant, la diode technologique est aussi robuste que le transistor.

Il est donc inutile de placer une diode de protection externe entre D et S quand celle-ci
est nécessaire.

4.2. Grandeurs caractéristiques.

Examinons la fiche technique du BUZ11. Dans la rubrique « maximum Ratings » (Fig 55),
on trouve notamment

1 : valeur max de UDS

2 : valeur max de ID
3 : valeur max de UGS (il faut éviter le claquage de l’isolant de grille)
4 : puissance maximale

Fig 55

Les transistors à effet de champ 27

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Dans la rubrique « Electrical Specifications » (Fig 56), on trouve notamment

5 : valeur max de UDS (BVDSS)

6 : courant de fuite de la diode technologique
7 : courant de fuite de grille, plus élevé à cause de la surface étendue
8 : résistance du canal (elle augmente avec la température)
9 : temps de mise en conduction
10 : temps de blocage, plus long que le précédent
11 : capacité d’entrée (à comparer avec celle de la Fig 35)

Fig 56

Les courbes caractéristiques sont bien celles d’un MOSFET, mais à une autre echelle!

Fig 58
Fig 57

Les transistors à effet de champ 28

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4.3. Pertes.

Dans les circuits de puissance, les transistors MOS jouent le rôle d’interrupteurs
imparfaits car ils présentent des pertes de 2 types :

• des pertes Joule dans la résistance du canal ;

• des pertes dues aux commutations, qui augmentent avec la fréquence (pendant
un bref instant, à chaque commutation, le produit UDS.ID n’est pas nul).

4.4. Utilisation.

4.4.1. Commande.

Pour modifier l’état du transistor, il faut agir sur la charge portée par la grille. En effet,
l’entrée du transistor peut être assimilée à un condensateur qu’il faut donc charger ou
décharger. La commande se fait donc en tension, contrairement au transistor bipolaire où
elle se fait en courant.

Plusieurs circuits de commande sont possibles :

• une porte logique (ou plusieurs portes en parallèle);

• un étage push-pull ;
• un optocoupleur et une porte logique.

4.4.2. Montages.

Quand la charge est parcourue par un courant unidirectionnel, le transistor de puissance

joue le rôle d’un simple interrupteur.

Fig 59

Quand le courant dans la charge ne doit pas avoir de composante continue, 2 solutions
existent :

• Un montage totem-pole avec alimentation symétrique (Fig 60).

• Un montage en H avec alimentation asymétrique (Fig 61) ou symétrique.

Les transistors à effet de champ 29

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Fig 60
Fig 61

Rem : des pertes supplémentaires apparaissent lors des commutations. En effet, le

blocage étant plus lent que la mise en conduction, des brefs court-circuits
apparaissent à chaque commutation ; le courant de court-circuit étant limité par
les résistances des canaux.

4.5. Comparaison MOS/bipolaire.

Les transistors de puissance existent en version « MOS » ou en version « bipolaire ».

Comparons les avantages de chaque technologie.

• A puissance égale, un MOS est environ 10 fois plus rapide qu’un bipolaire car

• la conduction ne fait appel qu’à un seul type de porteur ;

• il ne faut pas évacuer les minoritaires stockés ;
• le temps de transit dans le canal est très court

• Le circuit de commande d’un MOS est plus simple (commande en tension, circuit à
faible puissance)

• Un MOS peut travailler à une fréquence plus élevée (donc les selfs sont plus
petites).

• La mise en parallèle de plusieurs MOS est possible sans craindre l’emballement

thermique puisque RDSon augmente avec la température.

• Le courant conduit par un bipolaire est plus grand.

• Un bipolaire « simule » mieux un interrupteur fermé car son UCEsat est plus petite
que UDS du MOS.

Pour tirer parti des avantages des 2 technologies, les fabricants ont développé un hybride
appelé IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Son entrée est celle d’un MOS, et sa
sortie est celle d’un bipolaire.

5. Bibliographie.
[1] « Les transistors » – J.BLOT – Dunod

[2] « Electronique, composants et systèmes d’intégration » - T.FLOYD – Goulet

[3] « Microelectronics » - J.MILLMAN – Mac Graw Hill

Les transistors à effet de champ 30

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ANNEXE: caractéristiques du 2N5457

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