LP01.

Loi d’Ohm : Modèle microscopique et forme

macroscopique ; limites de validité. Applications. (PCSI).

Plan.

Introduction. Introduction.

1. Modèle de Drude (Modèle μ ). La loi d’OHM est connue en terminale par la relation
existant entre la différence de potentiel entre les bornes d’une

1.1. In
Introduction.
résistance et l’intensité du courant électrique qui la traverse.

1.2. Hypothèses de DRUDE. A B

R
1.3. Modèle de DRUDE. i

1.4. Conséquence - Loi d’OHM locale. U AB

La convention réceptrice :
U AB = VA − VB = R i
2. Forme macroscopique – ord. de gr.
Quel est l’aspect microscopique de la loi ? Et Quelles sont les limites de
2.1. Loi d’OHM locale - Résistance. validité de la loi d’Ohm?

2.2. Ordres de grandeurs.

1. Modèle de Drude (Modèle μ ).
3. Limite de validité de la loi d’Ohm. 1.1. Introduction.
3.1. Ecart à la durée de relaxation. Dans un conducteur, les électrons de masse m, sous l’action

3.2. Ecart lié à la fréquence. d’un champ électrique stationnaire (une différence de potentiel), vont
JG
accéder une vitesse qu’on note v . En appliquant le PFD dans le
3.3. supraconductivité. référentiel R galiléen lié au conducteur on aura :
JG
dv JG
m =q E
dt
4. Applications.
L’intégration de cette équation donne :
4.1. Cas des métaux. q
v (t ) = E ⋅ t + v (0)
m
4.2. Cas du plasma. D’où la représentation suivante.

4.3. cas des semi-conducteurs. v

Conclusion.

Références. v0

0
- J.-P.Pérez (P108). t
-
On remarque que la vitesse diverge !
 1.2. Hypothèses de DRUDE. D’où la représentation.

DRUDE suppose :
v
► Particules classiques (q, m). qτ
E
► Particules ponctuelles. m
► MHI (pas de structure cristallin).

1.3. Modèle de DRUDE. v0

Dans un conducteur, les charges mobiles ne sont pas

complètement libres, car elles interagissent entre elle et avec les 0
t
charges fixes qui composent le matériau. Ce qui amène DRUDE à
modéliser ces interactions par une force de frottement de la
forme :
1.4. Conséquence – loi d’OHM locale.
JG JJG
f = −α v On montrera que τ est très petit de telle façon que le régime
permanent est très vite atteindre. Donc on peut écrire :
JG
f La force de frottement visqueuse.
qτ
α Positive appelé Cœfficient de frottement. v = E
JJG m
v Vitesse de dérive de porteurs mobiles.
=μ E

Etude du mouvement d’une particule par rapport à R galiléen :

μ Est la mobilité des porteurs de charges.

— Système étudiée : {(q, m)}. Et on sait que la densité de courant volumique s’écrit :
— Forces : électriqqu
ue + force de frottement visqueuse.
J = nq v
Le PFD donne :

JG
dv JG
J Densité de courant volumique en (A ⋅ m )−2

JJG
m =q E −α v n Densité volumique de porteurs de charge en (m −3 )
dt

De SSM :
Remarque.
t m
v = k exp ⎛⎜ − ⎞⎟ ; τ =
⎝ τ ⎠ α On voit bien l’homogénéité des unités. D’où l’expression de la loi
d’OHM locale :
La SASM : nq 2τ
J = E
m
t qτ ⎡ t ⎞⎤ =σ E
v = v0 exp ⎛⎜ − ⎞⎟ + E ⎢1 − exp ⎛⎜ − ⎟⎥
⎝ τ⎠ m ⎣ ⎝ τ ⎠⎦
On tire l’expression de la conductivité électrique :
nq 2τ
σ =
m
= nq μ
Remarques. 2.2. Ordres de grandeurs.

1- Ces expressions sont faite pour une seule particule Le tableau ci-dessous donne les ordres de grandeurs de la conductivité
(porteurs de charges). électrique pour différents métaux :

2- La loi d’OHM est établie à partir de la limitation de la Ag Hg

Cu Au AA
( )
vitesse de dérive de porteurs, du fait des interactions
σ 10 S ⋅ m
6 −1 62,1 58 45,5 36,5 1
entre elles.

3- La conductivité, qu’est toujours positives, dépend pour D’après la relation :

chaque type de porteurs de la mobilité et de la densité
de charge. nq 2τ mσ
σ = ⇔ τ=
m nq 2

2. Forme macroscopique – ordres de Cherchons un ordre de grandeur pour le cuivre sachant que :

grandeurs.
n = 1028 m −3 , σ = 58 ⋅ 106 S ⋅ m −1
2.1. Loi d’OHM locale.
Les porteurs de charge dans un métal sont des électrons, donc :
Soit un conducteur cylindrique, de longueur A de
surface S , parcourut par un courant i , produit par l’application 9,1 10−31 Kg ⋅ 58 106 S ⋅ m −1
τ=
( )
d’une différence de potentielU . 2
1028 m −3 1, 602 ⋅ 10−19C
= 2 ⋅ 10−13 s
A

Ce qui confirme, l’approximation fait sur l’atteinte rapide du

S
régime stationnaire.

La loi d’OHM locale s’écrit :

3. Limite de validité de la loi d’Ohm.
J =σ E
3.1. Ecart à la durée de relaxation.
On définit la résistivité par :
1
σ = Il faut que le travail fournie aux porteurs de charges, c'est-à-
ρ
dire lié à l’excitation (champ électrique) soit très inférieur devant
Donc :
l’énergie cinétique d’un gaz parfait monoatomique. Donc :
1 U 1 S A
JS = S ⇔i = U ⇒ U =ρ i =Ri
ρ A ρ A S
3
q EA  kBT
2
D’où la notion de résistance :
Par exemple.

A
R=ρ (Ω) Pour la température T = 300K , A = 1μm, q = e , il faut que :
S
Remarques.
E  2, 5 106 V ⋅ m −1
Les unités des différentes grandeurs physiques sont.
R ≡ Ω ≡ S −1
ρ ≡ Ω ⋅ m ≡ S −1m
σ ≡ Sm −1
 3.2. Ec
Ecart lié à la
la fréquence. 3.3. Supraconductivité.
Pour étudier l’écart lié à la fréquence, faisant l’étude Dans un matériau supraconducteur, la résistance varie d’une

d’un porteur de charge (q, m ) en régime variable. manière discontinue en fonction de la température, en effet :

R (Ω)
Système étudier : {q, m}.
Forces exercées sur le système étudier :

JG 0,15
JJG G JJG
► f = − α v , v = v 0 exp ( − j ωt ) .
JJG JJJG JG JJG
► Fe = q E , E = E 0 exp ( − j ωt ) . 0,125

Le PFD appliqué au système d’étude donne.

0,1
JJG JJG JJG
− j ωm v 0 = qE 0 − α v 0
Donc : 0,075

JJJG JJJG
J 0 = nq v0 0,05

nq τ2
JJG
= m E
(1 − jωτ )
0
0,025
JJG
= σ E0
10-5
En résumé on aura : 0 4,1 4,2 4,3 4,4 T (K)

σ ( 0)
σ (ω ) = On remarque que pour des températures basses la résistance
1 − j ωτ
est très faible, donc la conductivité reste infinie. Ce qui nous
σ (0)
= ν permettons de dire que la loi d’OHM n’est pas valable dans ce domaine
1− j de température. Dans ces conditions un courant peut persister sans
νC
amortissement. Ce phénomène a été découvert en 1911 par le physicien
Avec :
Hollandais H. Kammerlingh Onnes.
1
νC =
2πτ

Discussion :
4. Applications.
- ν  νC ⇒ σ → 0 . 4.1. Cas des métaux.
- ν  νC ⇒ σ → σ ( 0 )
Dans un métal le courant électrique est dû au mouvement d’ensemble
des électrons de conduction (masse me ) de densité volumique ( ne ).
Ce qui signifie qu’au delà de la fréquence critique la loi n’est plus
valable.
La mobilité et la conductivité, respectivement, de tels matériaux sont :
qτ eτ
Ordre de grandeurs : μ= =−
me me
Et :
Pour le cuivre τ = 2 ⋅ 10−13 s on aura une fréquence de
neqτ nee 2τ
σ = =
coupure ν C
14
 10 Hz . L’utilisation des fils du cuivre dans les me me
circuits électriques avec des hautes fréquences ne garanties pas la On a calculé pour le cuivre.
validité de la loi d’OHM. τ  10−13 s
Remarque.
Remarque. 2- Les isolant ont une conductivité très faible elle est inférieur
−6
à 10 S ⋅ m −1 .
La faible valeur de τ , due à la faible masse des électrons montre
que les électrons de conduction réagissent très rapidement à toute
sollicitation électrique. La durée du régime transitoire est donc 3- On donne la mobilité de quelques semi-conducteurs.
négligeable.

électrons Trous
4.2. Cas du plasma. μ (Si ) 0,13 0,05
μ (Ge ) 0,45 0,35
Le plasma est un gaz ionisé neutre, la conduction électrique est μ (GaAs ) 0,88 0,04
assuré par les électrons de (charge (-e) et de masse ( me )) et des
ions positifs de (charge (e) et de masse ( M )). Pour montrer que
c’est les électrons qui contribuent d’une manière prépondérante à 4- L’utilisation des semi-conducteurs est vaste on les trouve
la conduction, calculons le temps de relaxation : utilisés dans l’industrie électronique (diode, transistor, …).
Soit dans les appareil de mesure (par exemple le tesla mètre
me μ −
M μ − à effet Hall).
τ− = et τ + =
e e

La mobilité des électrons est beaucoup plus grande que celle des
cations (gros) μ−  μ− , on aura donc :

τ+ 〉 τ−

Ce qui signifie que c’est les électrons, qui atteint le régime

permanent les premiers.

4.3. Cas des semi-conducteurs.

La conduction dans les semi-conducteurs est assuré par
les électrons et trous, d’où la notion d’électron trous. On distingue
le Germanium et Silicium. Les semi-conducteurs ont une
conductivité varie entre 10
−6
〈 σ 〈 104 S ⋅ m −1 . La

conductivité de ses matériaux ‘écrit :

σ = ne ( −e ) μe + n p ( +e ) μp

(
= e ne μe + n p μ p )
Remar
Remarques.

1- Pour les semi-conducteurs intrinsèques (pur) c'est-à-

dire :
n = ne = n p
Donc :

σ int = en (μ e + μp )