RAPPORT DE TRAVAUX PRATIQUES

ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE
Université : ______________________________

Département : ____________________________

Année académique : _______________________

Cours : Électronique de Puissance

Étudiant(s) : _____________________________

Enseignant : _____________________________

Chargé de TP : ___________________________

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Table des matières
Cette table se mettra à jour dans Word : Références > Mettre à jour la table.
 I. Introduction générale
Ce rapport présente, de manière détaillée et structurée, les
manipulations et résultats des Travaux Pratiques (TP) d’Électronique de
Puissance. Chaque chapitre comporte : un rappel théorique concis, les
calculs attendus, une procédure de simulation sous MATLAB/Simulink, des
emplacements réservés pour les captures d’écran, ainsi qu’une comparaison
entre résultats théoriques et simulations, suivie d’une conclusion partielle.

Outils:
 MATLAB/Simulink (Simscape Electrical – Specialized Power
Systems),
 Analyseurs (Scope, Display, RMS, Mean),
 Et éléments RLC idéaux.

NB : la fréquence réseau considérée est f = 50 Hz.

TP N°1 – Initiation à MATLAB/Simulink
Objectifs
• Prise en main de l’interface MATLAB et de la fenêtre de commande.
• Comprendre le flux de travail avec Simulink et Simscape Electrical.
• Réaliser des graphiques 2D et créer un premier modèle Simulink.

A. Manipulations MATLAB (fenêtre de commande)

 Créer et manipuler des vecteurs :

>> v = [1 2 3 4]

>> length(v), sum(v), prod(v), mean(v), sqrt(v)

 Matrices et fonctions de base :

>> A = [1 2; 3 4]; [m,n] = size(A); inv(A); det(A)

 Polynômes et racines :

>> p = [1 -6 9]; roots(p)

Résultat : La manipulation faite ; les captures de la fenêtre de commande

montrant la création de v, A et l’usage de det/inv/roots sont les suivants :
  Tracer des courbes 2D :

>>subplot(2,2,1)
>>x=0:0.1:2*pi, y=sin(x);
>>plot(x,y,'ro',x,cos(x),'b*')
>>subplot(2,2,2)
>>x=0:0.1:2*pi; y=sin(x);
>>plot(x,y,'rs--',x,cos(x),'ro')
>>subplot(2,2,3)
>>x=0:0.1:2*pi; y=sin(x); figure(1);
>>plot(x,y,x,cos(x))
>>subplot(2,2,4)
>>x=0:0.1:2*pi; y=sin(x); figure(1);
>>plot(x,y,x,cos(x))
RESULTAT : Capture MATLAB – Graphe sin(x) et cos(x) en utilisant
fonction subplot qui permet de découper une figure en sous-figures, qui
peuvent à leur tour être utilisées comme figure pour tracer toute sorte de
graphique.

B. Premiers pas avec Simulink

Simulink est une plateforme visuelle qui sert à modéliser, simuler et
analyser des systèmes complexes dans plusieurs domaines d’ingénierie
développé par MathWorks, intégré à MATLAB.

Pour créer un modèle Simulink nous avons suivi les étapes suivantes :
1. Dans le menu du Simulink Library Browser sélectionnez File > New >
Model ou cliquez sur l’icône, une fenêtre de travail Untitled s'ouvrira.

2. Ouvrir les collections de blocs par double clic (Vous pouvez chercher
n’importe qu’elle bloc on tapant son nom dans la barre de recherche du
Simulink Library Browser) ;

3. Faire glisser dans la fenêtre de travail les blocs dont vous avez besoin
pour construire le diagramme (Vous pouvez prendre une copie d’un bloc en
cliquant sur le bouton droit de la sourie et le faire glisser);

4. Faire des liaisons entre les blocs à l'aide de la souris ;

5. Changer les paramètres de n’importe quel bloc on faisant double clic sur
ce bloc, une fenêtre s'ouvrira.

6. Lorsque vous terminé le diagramme, enregistrer le modèle dans un

fichier : File > Save ou l’icône d’enregistrement et donner un nom au
modèle (*.mdl).
TP N°2 – Redressement
I. Rappel théorique
Un redresseur convertit une tension AC en une sortie DC (plus ou moins
lissée). On distingue les redresseurs non commandés (diodes) et commandés
(thyristors).

II. Redresseur non commandé monophasé avec une charge résistive

(R=100 Ω) – Simple alternance
a. MONTAGE
 b. Calculs théoriques

Données : Veff =220 V ; R=100 Ω f =50 Hz

 Tension maximale :
Vm=Veff· √ 2=311.127 V

 Les valeurs moyennes et efficaces des tensions aux bornes du

générateur :
Vdc=Vm /π =99.035 V

Vrms=Vm /2=155.563 V

 Les valeurs moyennes et efficaces des tensions aux bornes du

résistor :
Vdc=Vm /π =99.035 V

Vrms=Vm /2=155.563 V
  Les valeurs moyennes et efficaces des tensions aux bornes de la
diode :
Vdc=Vrms=Vm /2=0 V

 la valeur moyenne (Irms ) et efficace (Idc ) de l’intensité du

courant dans le circuit :
Idc=Vdc / R=0.990 A

Irms=Vrms/ R=1.556 A

 le facteur de forme de la tension aux bornes de la charge :

FF=Vrms/Vdc=1.571

 le facteur d’ondulation de la tension aux bornes de la charges

r =√ (FF ²−1)=1.211

Remarque : Valeurs aux bornes du générateur et de la diode (idéal) :

Le générateur garde Vrms = 220 V et Vavg = 0 V. La diode conduit une
demi-période : la tension à ses bornes est nulle en conduction et égale à la
sinusoïde en blocage (mêmes valeurs moyenne et efficace que la charge en
valeur absolue).

C. COUBES

🔲 PLACEHOLDER : Capture – Formes d’ondes v_s, v_R, v_D et i_R

Afficher sur le même Scope : tension source, tension charge, tension

diode, courant charge.
III. Etude d'un redresseur non commandé monophasé
avec une charge RL (R=50 Ω, L=10 mH)
Avec l’inductance, le courant devient moins ondulé et peut persister au-
delà de la demi-période de conduction, réduisant l’ondulation de la tension
de charge. Mesurer i(t) et vR (t).

a. MONTAGE

b. Calculs théoriques

Données : V eff =220 V , R=50 Ω , L=10 mH , f =50 Hz

 Tension maximale :
V m =√ 2 V eff = √ 2 ×220 ≈ 311. 13 V

 Les valeurs moyennes et efficaces des tensions aux bornes du

générateur :
 V s=0 , V s , rms =V eff =220 V

 Les valeurs moyennes et efficaces des tensions aux bornes du

résistor :
Vm
V c ,avg = ≈ 99.03 V
π

Vm
V c , rms= ≈155 . 56 V
2

 Les valeurs moyennes et efficaces des tensions aux bornes de la

diode : vd=vA −vK
 Pendant la conduction : v d ≈ 0 ,
 Pendantleblocage : v d =v s (sinusoides negatifs)
Donc :

−V m
V d ,avg = ≈−99.03 V
π

Vm
V d ,rms = ≈ 155 . 56 V
2

 la valeur moyenne (Irms ) et efficace (Idc ) de l’intensité du

courant dans le circuit :
V c ,avg V m
I dc= =
R πR

311.13
¿ ≈ 1. 981 A
π ×50

V c, rms V m
I rms = =
R 2R

311.13
¿ ≈ 3 .111 A
100

 le facteur de forme de la tension aux bornes de la charge :

V c, rms
FF=
V c ,avg
 V m2
¿
Vmπ

π
¿ ≈ 1.571
2

 le facteur d’ondulation de la tension aux bornes de la charges

r=
√V 2
−V 2c, avg
c , rms
V c ,avg

¿
√( )
π 2
2
−1 ≈ 1.211

C-visualisation des courbes

PLACEHOLDER : Capture – v_R(t) et i_RL(t)

Montrer le déphasage courant/tension et la conduction étendue due à L.

III. Redresseur non commandé – Double

alternance (pont de diodes, charge R)
Contrairement au redresseur simple alternance, qui n’exploite
qu’une seule alternance de la tension sinusoïdale, le redresseur double
alternance utilise l’intégralité du signal d’entrée, ce qui permet
d’obtenir une tension de sortie de fréquence double et une valeur
moyenne plus élevée. Cette configuration est généralement réalisée à
l’aide d’un pont de Graëtz constitué de quatre diodes.
Toutefois, la tension continue obtenue à la sortie présente
encore une ondulation résiduelle qui peut être gênante pour certaines
 applications sensibles. Pour réduire ces fluctuations, on associe au
redresseur un dispositif de filtrage, le plus souvent un condensateur
de lissage, parfois complété par une inductance en série. Ce filtre a
pour rôle d’atténuer les variations de la tension redressée et de fournir
une tension continue plus stable et mieux adaptée aux exigences des
circuits électroniques.

c. MONTAGE

1) simulation et visualiser Vc(t) et Ic(t)

PLACEHOLDER : Capture – v_R(t) et i_RL(t)

2) Calculer Vc la tension moyenne et Vrms la tension efficace

sans condensateur
Pour un pont idéal (diodes idéales), la tension de charge est ∣Vmsinωt∣.
  Crête : Vm=√ 2Veff = √2 ×220 ≈ 311, 13 V

 Tension moyenne (double alternance) :

2 Vm
Vdc=Vc= ≈ 198 ,38 V
π

 Tension efficace :
Vm
Vcrms= =Veff ≈ 220 V
√2
 Courant moyen / efficace (charge résistive R) :
V dc V c ,rms
I dc = ≈ 3 , 97 A , I rms = ≈ 4 , 40 A .
R R

Comparaison avec les Display (Simulink)

 Attends des valeurs proches de ces nombres.

( ≈ 0 , 7 V par diode ) : dans un pont, 2 diodes conduisent à la fois ⇒ la

 Écart normal si tu modélises une chute directe des diodes

sortie est ¿ Vs∨−1 , 4 V crête, ce qui réduit légèrement Vdc et Vrms.

 Des écarts minimes peuvent aussi venir du pas de simulation.

3) Facteur de forme
V rms π
FF= = ≈1 , 11.
V dc 2 √ 2

4) Confronter théorie et simulation, puis conclure

 Sans condensateur, Vc(t) est une sinusoïde redressée (fréquence
2f=100 Hz).

 Les valeurs moyennes/efficaces de vc et Ic(t) issues des Display

collent à la théorie avec une légère baisse si on inclus la chute des
diodes.

 Conclusion : la théorie (pont idéal) prédit bien la moyenne et

l’efficace ; les pertes de diodes expliquent les petites différences en
simulation réaliste.
5) Ajout d’un condensateur de lissage ( R ∥ C ¿ pour r=10%

Pour un filtrage capacitif (pont + R∥C), la tension ondulée peut être

approximée par un ripple triangulaire à 2f. Le facteur d’ondulation (ripple
factor) vaut classiquement :
V ac 1
r= ≈
V dc 4 √ 3 f R C

On impose r =0 ,10 . D ’ où la capacité requise :

1
C= .
4 √3 f R r

Application numérique (f=50 Hz, R=50 Ω, r=0,10 f=50Hz},

1 1 −4
C= = F ≈ 5 ,77 × 10 F ≈ 577 μ F .
4 × 1,732× 50× 50 ×0 , 10 ≈1732

6) Relancer la simulation avec CCC et conclure

 Ajoute le condensateur en parallèle avec R (attention à la tension

nominale du condo > Vm).

 Observe :
 vc ( t ) devient quasi continue ( ondulation ≈ 10 % de Vdc ) .
 I(t) est plus lissé.
 Les courants dans le pont deviennent impulsionnels (pics près des
crêtes de la sinusoïde) — point à noter pour le dimensionnement.

 Conclusion : le filtrage capacitif augmente Vdc (proche du pic) et

réduit l’ondulation au niveau demandé (10%), au prix d’un courant
de recharge plus pulsé dans les diodes et la source.

V. Redresseur commandé – Simple alternance (R=100 Ω)

Angle d’amorçage α = 45° → retard t = α/(2πf) = 2.500 ms

Vdc(α) = (Vm/(2π))·(1+cos α) = 84.531 V (pour α = 45°)

La valeur efficace Vrms(α) peut s’écrire : Vrms² = (Vm²/(4π))·(π−α +

0.5·sin(2α)).

Vrms(α=45°) = 148.329 V → Idc = 0.845 A, Irms = 1.483 A

🔲 PLACEHOLDER : Capture – Schéma redresseur 1 thyristor (R)

Source AC → SCR → R. Générateur d’impulsions : régler “Phase delay”

pour α=45°, période=20 ms.

🔲 PLACEHOLDER : Capture – v_R(t), v_S(t), v_T(t), i(t)

Montrer la tension de charge, la tension source, la tension aux bornes du

thyristor et le courant.

VI. Redresseur commandé – Double alternance (pont commandé,

R=100 Ω)

Angle d’amorçage α = 30° → retard t = 1.667 ms

Vdc(α) = (2·Vm/π)·cos α = 171.533 V (pour α = 30°)

Pour charge RL (R=100 Ω, L=0,3 H) la conduction peut devenir quasi-
continue : le courant ne s’annule plus et l’angle d’extinction s’étend au-delà
de π+α. Comparer les formes d’onde et commenter.

🔲 PLACEHOLDER : Capture – Schéma pont commandé (R) +

réglages d’impulsions

Inclure 4 SCR avec commande en paires; affichage v_R, courants de

gâchette et i_R.

🔲 PLACEHOLDER : Capture – Cas RL (R=100 Ω, L=0,3 H)

Montrer i(t) continu, v_R(t) et tensions aux bornes des SCR.

TP3 – Les hacheurs
Rappel théorique

Les hacheurs (convertisseurs DC-DC) modifient le niveau de tension

continue par découpage. On considère des composants idéaux pour les
calculs.

II. Hacheur série (Buck) – Dimensionnement

Duty-cycle D = Vout/Vin = 24.0/48.0 = 0.500

I_out = Vout/R = 24.0/10.0 = 2.400 A

Hypothèse de conception : ondulation de courant Δi = 20% de I_out.

Δi = 0.480 A

L ≈ (Vin−Vout)·D / (Δi·f) = 500.0 µH

C ≈ Δi / (8·f·ΔV) avec ΔV = 3%·Vout = 0.720 V → C ≈ 1.7 µF

I_in (rendement 100%) = (Vout·Iout)/Vin = 1.200 A

🔲 PLACEHOLDER : Capture – Schéma Buck (idéal)

Inclure Vin=48 V, interrupteur, diode roue libre, L, C, R=10 Ω; Mesures

v_in, v_out, i_L, i_in.
🔲 PLACEHOLDER : Capture – Formes d’onde v_out, i_L

Montrer la régulation à 24 V, l’ondulation de i_L (~20%).

III. Hacheur parallèle (Boost) – Dimensionnement

Duty-cycle D = 1 − Vin/Vout = 0.500

I_out = Vout/R = 9.600 A, I_in ≈ (Vout·I_out)/Vin = 19.200 A (η=100%)

Hypothèse : ondulation d’entrée Δi = 20% de I_in.

L ≈ Vin·D / (Δi·f) = 250.0 µH

C ≈ (I_out·D)/(ΔV·f) avec ΔV = 3%·Vout = 2.88 V → C ≈ 66.7 µF

🔲 PLACEHOLDER : Capture – Schéma Boost (idéal)

Inclure Vin=48 V, L en série, interrupteur, diode, C, R=10 Ω; Mesures

v_in, v_out, i_L, i_in.
🔲 PLACEHOLDER : Capture – Formes d’onde v_out, i_L, i_in

Valider v_out ≈ 96 V, ondulation conforme aux dimensionnements.

TP4 – Les onduleurs
Rappel : un onduleur produit une tension alternative à partir d’une source
continue. On considère des commutations idéales.

II. Onduleur monophasé en demi-pont (deux sources 50 V, charge R=20

Ω)

La tension aux bornes de la charge est un créneau ±50 V. La valeur moyenne

est nulle, la valeur efficace vaut 50 V.

V_rms = 50 V → I_rms = V_rms/R = 2.500 A

🔲 PLACEHOLDER : Capture – Schéma demi-pont (IGBTs)

Inclure deux sources DC 50 V en série, deux IGBTs commandés en

opposition, charge R=20 Ω; Scope sur v_R et i_R.

🔲 PLACEHOLDER : Capture – v_R(t) et i_R(t) (R puis RL)

Refaire avec charge RL (R=10 Ω, L=1 mH) et commenter le déphasage.

III. Onduleur monophasé en pont complet (E=24 V, charge R=100 Ω)

Commande par paires (T1,T3) puis (T2,T4) sur demi-périodes. La tension de
charge est un créneau ±E, donc V_rms = E.

V_rms = 24.0 V, I_rms = V_rms/R = 0.240 A

P_charge = V_rms²/R = 5.76 W

I_moyen générateur ≈ P_charge/E = 0.240 A (idéal, η≈100%)

🔲 PLACEHOLDER : Capture – Schéma pont complet (4

interrupteurs)

Mesurer v_charge, i_charge, i_source, i_T1. Afficher les chronogrammes

demandés.

🔲 PLACEHOLDER : Capture – Résultats numériques

(RMS/Mean/Power)

Inclure les blocs RMS/Mean/Power pour v, i et la puissance reçue par la

charge.

Conclusion générale
Les manipulations menées montrent la cohérence entre les modèles
théoriques et les résultats de simulation sous MATLAB/Simulink,
notamment pour les redresseurs (non/commandés), les hacheurs
(Buck/Boost) et les onduleurs (demi-pont/pont complet). Les écarts résiduels
observables proviennent principalement des paramètres de simulation (pas
de temps, modèles non idéaux, réglages des capteurs) et de la présence
éventuelle d’éléments réactifs. La démarche théorie → simulation →
comparaison permet de valider les choix de dimensionnement et d’anticiper
le comportement des convertisseurs avant toute réalisation matérielle.