Semi-conducteur à gap indirect
La bande de conduction est multi vallée, dans chacun des minima l'énergie des
électrons est donnée par l'expression (IV.23). Les surfaces d'énergie constante
sont des ellipsoïdes de révolution, on ramène ces surfaces à des sphères en
dilatant les axes perpendiculaires à l'axe de révolution de l'ellipsoïde. En d'autres
termes, l'équation (IV.23) peut s'écrire
Dans la mesure où la seule composante non nulle du vecteur ko est la
composante k0 suivant l'axe de l'ellipsoïde, l'expression (IV .26) s'écrit :
Parallèlement, en raison de la dilatation des axes 𝑘𝑥 et 𝑘𝑦
perpendiculaires à l'axe 𝑘𝑧 de l'ellipsoïde, la densité d'états dans l'espace des 𝑘′
s'écrit :
Le nombre d'états contenus dans la sphère centrée en 𝑘0′ et de rayon 𝑘′ - 𝑘0′ est
donnée par :
où en explicitant (𝑘′ - 𝑘0′ ) à partir de l'expression :
En tenant compte du nombre n d'ellipsoïdes équivalents, le nombre total d'états
d'énergie E est donné par 𝑁 = 𝑛𝑁𝑙, soit
La densité d'états dans l'espace des énergies est donnée comme précédemment
par 𝑑𝑁/ 𝑑𝐸 et s'écrit :
𝑚 𝑐est appelée masse effective de densité d'états.