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Cours Opto Chapitre 2 - LED

Le document traite des diodes électroluminescentes (LED) et de leur fonctionnement en tant que dispositifs optoélectroniques. Il aborde les semiconducteurs à gap direct et indirect, les types de jonctions, ainsi que les caractéristiques et rendements des LEDs. Des aspects tels que la fabrication, les matériaux utilisés et les caractéristiques I-V sont également discutés.

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Diode Electroluminescente

Cours Dispositifs optoélectroniques


Chapitre II

1
Eléments optoélectroniques de la chaine de
transmission

2
Rappels
• Semiconducteur à (gap) largeur de bande interdite directe ou indirecte

- Semiconducteur à gap direct  minimum Ec de BC et maximum Ev de BV correspondent à un


même k0
Exemple: GaAs Eg = 1.43 eV =910 nm
InP Eg= 1.29 eV =961 nm

Eh= Eg= Ec – Ev

La recombinaison est radiative  radiation lumineuse.

- Semiconducteur à gap indirect minimum Ec de BC et maximum Ev de BV ne correspondent


pas au même k0

La transistion d’un e- de BC vers BV correspond à un k0 0  intervention d’une particule : c’est le


phonon.

L’excédent d’énergie sous forme de chaleur  La recombinaison est non radiative


3
Les interactions rayonnement- semi-conducteur

4
Domaine spectral

5
LEDs : Emission

6
Structure des LEDs

7
Polarisation d’une LED

Polarisation inverse Polarisation directe


8
Les types de jonctions dans les LEDs

9
LED à hétérojonction

10
11
12
Fabrication

13
Tableau des matériaux utilisés dans la fabrication des LED

14
ELED: LED à émission latérale

15
SLED: LED à émission par la surface

16
Rendement interne

17
Rendement externe

18
Rendement quantique externe

19
Caractéristiques des LED
1. Caractéristique I-V en direct

20
21
1. Spectre d’émission de LED 2. Caractéristique Intensité lumineuse - Courant

22
3. Caractéristique Intensité lumineuse - Courant 4. Caractéristique Courant - température ambiante
(domaine admissible)

23
5. Directivité

24

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