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Cours 1

Le document traite de l'électronique de puissance, en détaillant les types de conversion de l'énergie électrique, tels que les redresseurs et les onduleurs, ainsi que les caractéristiques et défis associés à leur conception. Il aborde également l'évolution des semi-conducteurs utilisés dans ce domaine, illustrée par des figures et des caractéristiques dynamiques de divers composants comme les diodes, thyristors et MOSFETs. Enfin, il souligne la croissance rapide de l'électronique de puissance dans diverses applications industrielles et commerciales.

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Le document traite de l'électronique de puissance, en détaillant les types de conversion de l'énergie électrique, tels que les redresseurs et les onduleurs, ainsi que les caractéristiques et défis associés à leur conception. Il aborde également l'évolution des semi-conducteurs utilisés dans ce domaine, illustrée par des figures et des caractéristiques dynamiques de divers composants comme les diodes, thyristors et MOSFETs. Enfin, il souligne la croissance rapide de l'électronique de puissance dans diverses applications industrielles et commerciales.

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Chapitre 1

Electronique de puissance
1. Les types de conversion :
Redresseurs : de l’alternatif (AC) au continu (DC)

Onduleurs : du continu (DC) à l’alternatif (AC)

Cycloconvertisseurs : de l’alternatif (AC) à l’alternatif (AC) à fréquence variable

Gradateurs : de l’alternatif (AC) à l’alternatif (AC) à fréquence constante

Hacheurs : du continu (DC) au continu (DC)

L’électronique de puissance a pour objectif la conversion statique et la commande


de la puissance électrique par le moyen de semi conducteurs
2. Les principales caractéristiques de l’électronique de puissance :
Création d’harmoniques et des interférences électromagnétiques des côtés de
la charge et de la source.

Les convertisseurs sont des systèmes discrets de nature non linéaires.

L’analyse et la modélisation des convertisseurs sont très complexes à réaliser,


leurs conceptions, simulations et leurs tests le sont aussi.

L’électronique de puissance a connu une très rapide avancée technologique ces trois
(03) dernières décennies.

L’électronique de puissance a connu une très rapide croissance dans plusieurs


applications :
industrielles, commerciales, aérospatiales, militaires, transports etc…
Chapitre 2 les composants actifs de l’électronique de puissance

1. L’évolution des semi-conducteurs


Figure 1. Les capacités en puissance et en fréquence de commutation des différents semi-conducteurs
Figure 2. L’évolution des différents semi-conducteurs suivant leurs puissances
Figure 3. La caractéristique V-I d’une diode
Figure 4. La caractéristique dynamique au blocage d’une diode
Figure 5. La caractéristique statique d’un thyristor
b) Caractéristique dynamique à l’amorçage
IG

50%

VAK
90%

10%
t

IA
90%

10%
t

P(t)

td tr

Figure 6. La caractéristique dynamique à l’amorçage d’un thyristor


c) Caractéristique dynamique au blocage
IA

VAK

trr tgr

tq

Figure 7. La caractéristique dynamique au blocage d’un thyristor


Figure 8. GTO
Figure 9. La caractéristique dynamique à l’amorçage et au blocage d’un GTO
Figure 10. Transistor Bipolaire de puissance BJT
Figure 11. La caractéristique (V-I) du transistor Bipolaire de puissance BJT

Figure 12. La caractéristique (V-I) idéale du transistor Bipolaire de puissance BJT


Figure 13. Configuration Darlington: (a) Darlington, (b) triple Darlington
Caractéristique dynamique

Figure 14. Caractéristique dynamique pour une charge résistive


Figure 15. Caractéristique dynamique pour une charge inductive
Figure 16. MOSFET

Figure 18 Caractéristique de sortie du MOSFET Figure 17 Caractéristique de commande du MOSFET


Figure 19. Caractéristique dynamique d’un MOSFET
Figure 21. Caractéristiques dynamiques d’un IGBT.
Figure 20. Modules d’IGBTs 1.7-kV/1.2-kA et 3.3-kV/1.2-kA.

Tableau 1. Les spécifications d’un IGBT de 3.3-kV/1.2-kA


Figure 23. Caractéristiques dynamiques d’un IGCT.
Tableau 2. Les spécifications d’un IGCT de 6-kV/6-kA
Figure 22. IGCT de 6.5-kV/1.5-kA.

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