IV. 4.

Semi-conducteurs homogènes à l’équilibre :

La Diffusion et l'implantation ionique (ion implantation) sont les procédés les plus importants
de dopage en technologie des composants semi-conducteurs.
La densité maximum d'impuretés que l'on peut introduire dans un semi-conducteur est imposée
par la solubilité limite de l'impureté (par exemple 1021 cm-3 pour l'arsenic dans le silicium).
Elle fixe la résistivité minimum du matériau dopé.
La densité minimum est fixée par les possibilités de raffinage du matériau (par exemple 1013
cm-3 pour le bore dans le silicium). Elle fixe la résistivité maximum du matériau raffiné.

1. Dopage des semi-conducteurs du groupe IV.

Les semi-conducteurs du groupe IV (Si, Ge) sont dopés "N" par les éléments de la colonne V
et dopés "P" par les éléments de la colonne III

Énergie d'ionisation (eV) des impuretés dans Si et Ge

Impureté Si Ge

Comportement Type

P 0.044 0.012
Donneur
As 0.049 0.013

Accepteur B 0.045 0.010

Ga 0.065 0.011
2. Dopage des semi-conducteurs III-V.
Les phénomènes sont beaucoup plus complexes : prenons le cas de l'arséniure de gallium
(GaAs) : le dopage se fait le plus souvent avec le silicium pour le type "N" et le béryllium pour
le type "P".
Les éléments de la colonne VI en substitution aux atomes d'arsenic dopent "N"
Les éléments de la colonne II en substitution aux atomes de gallium dopent "P"
Les éléments de la colonne IV dopent "P" ou "N" suivant qu'ils se substituent à un atome
d'arsenic ou à un atome de gallium.
Énergie d'ionisation (eV) des impuretés dans GaAs
Colonne du tableau de II IV VI
classification
Éléments Be Si Ge S Se
Type " N" 0.0058 0.0061 0.0061 0.0059
Type "P" 0.028 0.035 0.040

3. Semi-conducteurs compensés.
En pratique, souvent les semi-conducteurs contiennent simultanément des atomes donneurs
(densité ND) et des atomes accepteurs (densité NA). On montre facilement que si ND>NA, le
semi-conducteur est de type "N", et si ND<NA, le semi-conducteur est de type "P" Dans le cas
particulier où ND=NA (condition obtenue par compensation des impuretés résiduelles) n=p=ni
La densité des porteurs est celle du semi-conducteur intrinsèque. La résistivité est alors très
importante, le matériau est presque isolant : on parle alors d'un semi-conducteur compensé ou
semi-isolant.
Les énergies de Fermi calculées dans le semi-conducteur du silicium de type N et de type P, en
fonction de la densité de dopage

Polycopie Physique des Dispositifs Semi-Conducteurs (S2) Cycle Ingénieur SECCS 45

 n-type Si

p0 p-type Si
EF = Ei - KT ln
ni
Energie Fermi du Silicium de type N et de type P,
EF,n et EF,p, en fonction de la densité de dopage à
100, 200, 300, 400 et 500 K. Indiqués sur la
courbe minimum et maximum de la bande de
conduction et de valence, Ec et Ev . Milieu de
l'énergie du « gap » est situé au niveau zéro.

Travail à vérifier en TD :
La densité de charge totale est donc donnée par :

r = q( p - n + N - N ) = 0 +
D
-
A neutralité électrique
ß
ni2 N + - N A- æ N + - N A- ö
2

n = + N D+ - N A- n= D + çç D ÷÷ + ni2
n 2 è 2 ø
Þ

+ni2 - N A- - N D+ æ N A- - N D+ ö
2

p= N -N -D A p= + çç ÷÷ + ni2
p Þ
2 è 2 ø

ND>NA SC est de type-N.

ND<NA SC est de type-P.
ND=NA SC est compensé et n=p=ni Þ La densité de porteurs est égal à la densité
intrinsèque et Sc est semi-isolant

Atome Donneur Atome Accepteur

( p + N D+ = n + N A- )
EC - E F NA E - EF ND
N C exp(- )+ = N V exp( V )+
kT E - EF kT E - ED
1 + 4 exp( A ) 1 + 2 exp( F )
kT kT

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IV. 5. Semi-conducteurs homogènes hors équilibre :
Objectifs :
Décrire brièvement les phénomènes physiques différents de l'agitation thermique capables de
créer des paires électrons-trous.
Décrire brièvement les phénomènes physiques responsables de la disparition des paires
électrons-trous.
Montrer que la génération et la recombinaison caractérisent un paramètre important dans la
conduction des semi-conducteurs : la durée de vie des porteurs.
Rappel
Un électron se détache d'un atome (si l'énergie suffisante lui est fournie), il passe d'un état de
la bande de valence (BV) à un état de la bande de conduction (BC), il est devenu électron libre
(électron délocalisé) et il donne naissance à un trou dans la BV : c'est le phénomène de
génération d'une paire électron-trou.
Un électron libre passe d'un état de la BC à un état vide de la BV (disparition d'un trou), il perd
de l'énergie : c'est le phénomène de recombinaison
A l'équilibre thermodynamique (thermal equilibrium) : la génération et la recombinaison se
compensent exactement. La densité des trous (p0) et des électrons (n0) sont indépendantes du
temps (stationnaires) et suivent la loi d'action de masse : n0p0=ni2 (cm-6)
Hors équilibre thermodynamique la densité des électrons est : n=n0+Dc (Dc : écart par rapport
à l'équilibre) et la densité des trous est : p=p0+Dc (Dc : écart par rapport à l'équilibre) et np¹ni2
(cm-6)
Deux cas peuvent se présenter :
pn<ni2, il a moins de porteurs qu'à l'équilibre thermodynamique. C'est un phénomène
d'extraction (désertion appauvrissement).
pn>ni2, il y a plus de porteurs qu'à l'équilibre thermodynamique. C'est un phénomène
d'injection (génération, accumulation).
1. Dc est du même ordre que la densité des porteurs minoritaires, c'est une faible
injection (low-level injection) : la densité des porteurs majoritaires reste identique à
celle de l'équilibre.
2. Dc est comparable à la densité des porteurs majoritaires, c'est une forte injection
(high-level injection) : les densités des électrons et des trous deviennent voisines.

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Exemple de conditions injection dans Si 'N'

Densité des Porteurs

Équilibre Faible Injection Forte Injection
(cm-3)
Écart : Dc 0 1010 1015
Majoritaires nn 2.2 1015 2.2 1015 3.2 1015
Minoritaires pn 105 1010 1015

1. Génération
L'énergie nécessaire pour la création d'une paire électron-trou dans un semiconducteur soumis
à une perturbation extérieure peut être apportée par :
• Un photon ;
• Une particule très énergétique (radiation ionisante, porteur chaud).
• Un champ électrique intense.
G' : taux de génération (cm-3. s-1) (Génération rate): nombre de paires électron-trou créées par
unité de volume et unité de temps.
Gth : taux de génération thermique caractérise la génération provoquée par l'agitation thermique
G : taux de génération spécifique qui découle de l'excitation du semiconducteur par la
perturbation extérieure.
G'=Gth+G (cm-3. s-1)
G=0 quand la perturbation est supprimée mais Gth existe toujours (aux températures
usuelles).
Génération de photons :
L'énergie du photon (hu) est inférieure à la hauteur de la bande
interdite (BI) du SC (Eg), il n'est pas absorbé et le
semiconducteur est transparent.
L'énergie du photon (hu ) est supérieure à la hauteur de la BI du
SC (Eg), il est absorbé et son énergie provoque la création d'une
paire électron trou
Les matériaux semiconducteurs absorbent fortement les
rayonnements dont la longueur d'onde est inférieure au seuil d'absorption fondamental :
λ£1,24/Eg(eV) (µm)
Génération par radiations ionisantes
Les particules de forte énergie perdent leur énergie en créant des paires électron-trou.
Dans le cas où la particule est complètement arrêtée dans le semi-conducteur, le nombre de
paires électron-trou créées permettra de déterminer son énergie (détecteurs nucléaires).
Génération par champ électrique intense
Dans un semi-conducteur soumis à un champ électrique très intense, les porteurs libres sont
tellement rapides (porteurs chauds) qu'ils peuvent se comporter comme des particules
ionisantes et créer des paires électron-trou.
Cet effet est cumulatif, les porteurs créés peuvent eux aussi acquérir de l'énergie et par "chocs
ionisants" sur les atomes du réseau engendrer d'autres paires électron-trou.
Dans ce cas on est en présence de la multiplication des porteurs libres par le phénomène
d'avalanche.

Polycopie Physique des Dispositifs Semi-Conducteurs (S2) Cycle Ingénieur SECCS 48

On caractérise l'efficacité de la création de porteurs libres par le phénomène d'avalanche par le
coefficient d'ionisation (cm-1) : nombre de paires créées par unité de longueur du parcours du
porteur chaud.

2. Recombinaisons.
Un excès d'électrons ou de trous par rapport à l'état d'équilibre
entraîne l'augmentation du phénomène de Recombinaison pour
ramener le système à son état d'équilibre.
R' : taux de recombinaison (cm-3. s-1) (Recombination rate):
nombre de paires électron-trou disparues par unité de volume et unité
de temps.

Transition directe de l'électron de la BC à la BV (direct or band to

band recombination)
L’énergie récupérée peut
• être transformée en photons (recombinaison radiative avec émission de lumière).
• être transformée en phonons (recombinaison non radiative : dissipation de l'énergie sous
forme thermique par échauffement du réseau cristallin).
• être cédée à un électron de la BC qui se trouve transféré à un niveau supérieur ou un trou de
la BV qui se trouve transféré à un niveau inférieur : c'est la recombinaison Auger.

Recombinaison indirecte
Les défauts du réseau cristallin (interstitiels, lacunes, dislocations),
certaines impuretés chimiques (Au dans Si, Cu dans GaAs) donnent
des niveaux discrets d'énergie situés vers le milieu de la BI : ce sont
des niveaux profonds (deep levels)

Quand un niveau profond capte un électron :

1. la probabilité de capturer un trou est plus importante que celle de
renvoyer l'électron, elle va faire une recombinaison c'est donc un
centre de recombinaison (recombination center).
2. la probabilité de réémettre l'électron dans la BC, le niveau a simplement retenu le porteur
pendant un certain temps, c'est un piège (trap)

Ces transitions mettent en jeu des énergies plus faibles qu'une transition directe, elles sont donc
beaucoup plus probables qu'une transition bande à bande.

Durée de vie en présence de la recombinaison directe

La variation temporelle de la densité des électrons de la BC (dn/dt) dépend du taux de
génération et du taux de recombinaison :
(dn/dt)GR=G‘–R’=G+Gth–R’
G: taux de génération spécifique qui découle de l'excitation du semiconducteur par la
perturbation extérieure.
On regroupe dans un même terme U : taux net de recombinaison le bilan entre la génération
thermique et la recombinaison : U=R'-Gth

Polycopie Physique des Dispositifs Semi-Conducteurs (S2) Cycle Ingénieur SECCS 49

U>0 représente une diminution, U<0 représente une augmentation de la densité des porteurs
négatifs par unité de temps et unité de volume. L'état stationnaire correspond à U=0.
(dn/dt)GR=G-U (cm-3.s-1)
La recombinaison directe survient quand un électron rencontre un trou, donc Rp'=Rn' : taux de
recombinaison des trous = taux de recombinaison des électrons. Ils sont proportionnels à la
densité des trous et des électrons :
R'=Rp'=Rn'= k np avec k est une constante de proportionnalité.
Sans perturbation n=n0, p=p0, densité des porteurs à l’équilibre thermodynamique
R'= k n0p0 = k ni2 et on est dans un régime stationnaire donc le taux net de recombinaison U=0.
ce qui permet de déduire que : Gth = k ni2.
Le taux net de recombinaison (vitesse de disparition) devient alors :
U=k (np-ni2) (cm-3.s-1)
Avec n=n0+Dc, p=p0+Dc, la neutralité électrique donne Dn=Dp=Dc, la relation précédente
devient :
U=k (n0+p0+Dc)Dc
On introduit la notion de durée de vie des porteurs (carrier lifetime) des porteurs
excédentaires θ(Dc) telle que :
U=Dc/θ(Dc) (cm-3.s-1)
La durée de vie des porteurs excédentaires n'est pas une constante du matériau car elle
dépend de l'excitation extérieure par le terme Dc.
Physiquement, θp représente le temps moyen qu’un trou excédentaire existe avant de se
recombiner avec un électron. θn représente le temps moyen d’existence d’un électron.
La recombinaison directe est un processus rare, pour les semiconducteurs à bandes interdites
indirectes (Ge, Si, GaP), les durées de vie qui en découlent seraient de l'ordre de la seconde.
Les durées de vie mesurées s'échelonnent entre 10-3 et 10-9 s. Ce sont les recombinaisons
assistées qui expliquent les valeurs mesurées.
Dans les semiconducteurs à bandes interdites directes, la recombinaison bande à bande est
prédominante, de plus elle s'effectue avec l'émission de photons ce qui explique l'utilisation de
ce type de matériau pour la réalisation de composants photoémissifs.

Retour à l'équilibre
Soit un échantillon semi-conducteur de type "N" soumis à un
éclairement qui entraîne un taux de génération de paires
électron-trou GL uniforme dans tout l'échantillon.
La variation de la densité des porteurs minoritaires = taux de
génération - taux net de recombinaison :
dpn(t)/dt = GL-U = GL-(pn(t)-pn0)/θp
1°) sous éclairement permanent : système est stationnaire :
dpn(t)/dt=0 donc : Dc=(pn1-pn0)=GL θp
2°) à partir de t=0 : suppression de l'éclairement : GL=0 donc :
dpn(t)/dt=-(pn(t)-pn0)/θp
Avec la condition initiale : pn(0) = pn1, (pn(t)-pn0)=(pn1-pn0) exp-(t/θp)
(pn(t)-pn0)=(pn1-pn0) exp-(t/θp) (cm-3)

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IV. 6. Semi-conducteur inhomogène - Diffusion.
Objectifs
Étudier les conséquences d'une inhomogénéité de la densité des porteurs libres sur les propriétés
générales d'un échantillon semi-conducteur.
Par analogie avec le comportement des molécules dans les gaz, évaluer l'importance du
phénomène de déplacement des porteurs des régions de fortes densités vers les régions de
faibles densités.
Montrer que naturellement ce phénomène de déplacement de charges se traduit par un courant
électrique.
Lorsque l'inhomogénéité des porteurs découle de l'inhomogénéité du dopage, montrer qu'il
existe un phénomène antagoniste qui empêche d'obtenir une densité uniforme des porteurs
libres.
Mettre en évidence la relation entre ce phénomène de déplacement de porteurs et le déplacement
provoqué par l'application d'un champ électrique.

1. Diffusion
Semi-conducteur inhomogène : échantillon semi-conducteur dans lequel les propriétés ne sont
pas uniformes (constantes) dans l'espace. (n(x,y,z), p(x,y,z), …… etc..)
Étude unidimensionnelle : pour simplifier, tous les raisonnements seront effectués dans un
échantillon où toutes les propriétés évoluent uniquement selon l'axe des x (n(x), p(x), s(x)
etc.....).
Flux de porteurs : nombre de porteurs qui traversent une surface unité pendant l'unité de
temps : F (cm-2. s-1).
Le terme français diffusion a plusieurs significations :
1. déplacement des porteurs de charges quand les densités ne sont pas uniformes (diffusion);
2. procédé technologique pour introduire des impuretés dans les semiconducteurs
thermiquement stables (1000°C) (impurity diffusion)
3. phénomène de collision inélastique responsable de la perturbation du mouvement d'un
porteur (scattering). Dans ce sens, il vaut mieux employer les termes collisions ou interactions.

Étude Qualitative :
Échantillon semi-conducteur homogène de type
"N"
n(x)=n0=ND; p(x)=p0=ni2/ND
Une partie de l'échantillon est éclairée. A cet
endroit il y a génération de paires électron-trou :
n(x)=n0+Dc(x); p(x)=p0+Dc(x)
Dans le cas d'une faible injection : Dc(x)<<n0 ,
les trous sont plus nombreux dans la région
éclairée, ils vont se déplacer vers les régions où
leur densité est plus faible : c'est le phénomène
de diffusion.
Les porteurs diffusent des régions de forte densité vers les régions de faible densité. Le
phénomène cesse lorsque la répartition est redevenue uniforme.

Polycopie Physique des Dispositifs Semi-Conducteurs (S2) Cycle Ingénieur SECCS 51

Première loi de FICK
Le flux des porteurs (nombre de porteurs qui traversent par unité de temps une surface unité)
est proportionnel à la variation spatiale de leur densité.
Dans le cas précédent (flux des trous Fp) : Fp=-Dpdp(x)/dx
Dp : Coefficient de diffusion des porteurs positifs (cm2.s-1).
Le signe - tient compte du fait que les porteurs diffusent des fortes densités vers les faibles
densités.
Si on considère les 3 dimensions (x,y,z) : """⃗
𝐹 """"""""""⃗
! = −𝐷! 𝑔𝑟𝑎𝑑 𝑝
Dans le cas des porteurs négatifs : Fn=-Dndn(x)/dx
Dn : Coefficient de diffusion des porteurs négatifs (cm2.s-1).
Si on considère les 3 dimensions (x,y,z) : """⃗
𝐹 """"""""""⃗
" = −𝐷" 𝑔𝑟𝑎𝑑 𝑛

Courant de diffusion
Le courant par unité de surface (J) est donné par le flux multiplié par la valeur de la charge.
Courant de diffusion des trous :
Jdifp(x)=qFp(x)=-qDpdp(x)/dx (A/cm2)
A 3 dimensions :
𝐽"""⃗ """"""""""⃗
! = −𝑞𝐷! 𝑔𝑟𝑎𝑑 𝑝 (A/cm2)
Courant de diffusion des électrons :
Jdifn(x)=-qFn(x)=qDndn(x)/dx (A/cm2)
A 3 dimensions :
𝚥"""⃗ """"""""""⃗
" = −𝑞𝐷" 𝑔𝑟𝑎𝑑 𝑛 (A/cm2)
Dn et Dp sont les coefficients de diffusion ou diffusivités des électrons et des trous.

Équations de dérive-diffusion
Si dans un échantillon il existe à la fois un champ électrique et un gradient (variation spatiale)
de la densité des porteurs [n(x) et p(x)] : les charges se déplacent sous l'effet :
• du champ électrique à courant de conduction : Jcn et Jcp
• gradient de densité à courant de diffusion : Jdifn et Jdifp
Le courant total en régime stationnaire est la somme du courant de conduction et du courant de
diffusion : J=Jn+Jp avec :
Jn=qn(x)µnE(x)+qDndn(x)/dx ; Jp=qp(x)µpE(x)-qDpdp(x)/dx
𝚥"""⃗ """"""""""⃗
! = −𝑞𝐷! 𝑔𝑟𝑎𝑑 𝑝 + 𝑞𝑝𝜇! 𝐸 ,
"⃗ 𝚥"""⃗ """"""""""⃗
" = −𝑞𝐷" 𝑔𝑟𝑎𝑑 𝑛 + 𝑞𝑛𝜇" 𝐸
"⃗ (A/cm2)
Ce sont les équations de dérive-diffusion.

Champ interne
Soit un échantillon isolé semi-conducteur "N" dont le dopage est inhomogène ND(x).
L'échantillon étant isolé, le courant qui le traverse est nul, donc :
Jn=qn(x)µnEi(x)+qDndn(x)/dx=0
Ei(x) : champ électrique interne (Built-in field) qui engendre un courant de conduction égal
"!($)
$!
et opposé au courant de diffusion : 𝐸# (𝑥) = − % "$
"(')
(V/cm)
!
...........⃗
"""⃗) = − $! *+,-"
A 3 dimensions : 𝐸 %
! "
Dans le cas d'un semi-conducteur "P" : Jp=qp(x)µpE(x)-qDpdp(x)/dx

Polycopie Physique des Dispositifs Semi-Conducteurs (S2) Cycle Ingénieur SECCS 52

 "&($)
$& ...........⃗
Donc : 𝐸# (𝑥) = − % "$ """⃗) = − $& *+,-! (V/cm)
A trois dimensions : 𝐸
& !(') &% !
Interprétation physique
• L'échantillon présente un gradient de la densité des atomes
donneurs ND(x).
• Il existe alors un gradient de la densité des électrons libres n(x).
• Ces électrons diffusent des zones de fortes densités vers les zones
de faibles densités.
• Les électrons qui ont diffusé laissent "derrière eux" les impuretés
pentavalentes ionisées positives qui leur ont donné naissance.
• Ces impuretés occupent des positions fixes dans le réseau cristallin.
• C'est la séparation des électrons et de leur site d'origine qui donne
naissance au champ électrique interne.
• Ce champ électrique interne crée sur les électrons une force de
"rappel" qui tend à les faire revenir vers leur position initiale.

2. Relation d'Einstein.
La valeur du coefficient de diffusion (D) dépend de la facilité des porteurs
à se déplacer sous l'effet d'une force engendrée par un gradient de la
densité des porteurs.
La valeur de la mobilité (µ) dépend de la facilité des porteurs à se déplacer
sous l'effet d'une force engendrée par un champ électrique.
Ces deux effets ne sont pas indépendants, il doit donc exister une relation entre ces deux
grandeurs, c'est la loi d'Einstein
Considérons un échantillon de semi-conducteur N de section unité et présentant une densité
inhomogène de porteurs négatifs n(x).
On assimile la population des porteurs à un gaz parfait et on introduit une notion de pression
P(x) reliée à n(x) par la loi des gaz parfaits :
P(x)=n(x)kBT et P(x+dx)=n(x+dx)kBT=n(x)kBT+[kBTdn(x)/dx]dx
Une tranche très fine de porteurs d'épaisseur dx subit une force :
F(x)=P(x)-P(x+dx)=-[kBTdn(x)/dx]dx
La masse de cette tranche : M(x)=n(x)medx prend sous l'effet de F(x) une accélération
γ=F(x)/M(x)
Cette accélération ne peut agir que pendant tn le temps de libre parcours moyen des porteurs
négatifs.
La vitesse de "diffusion" de la tranche est alors : vdiffn(x)=γ´tn qui se traduit par un courant de
diffusion :
Jdiffn(x)=-qn(x)vdiffn(x)=qDndn(x)/dx
$ $ 0' 1
On en déduit que Dn=tnkBT/me et en faisant intervenir l'expression de µn : %! = %& = 2
(V)
! &

Ce sont les relations d'Einstein valables uniquement pour les semiconducteurs non dégénérés
soumis à des champs électriques faibles.

3. Équation dans Silvaco :

Des années de recherche sur la physique des dispositifs ont abouti à un modèle mathématique
qui fonctionne sur n'importe quel dispositif semi-conducteur. Ce modèle consiste en un
ensemble d'équations fondamentales qui relient le potentiel électrostatique et les densités de
Polycopie Physique des Dispositifs Semi-Conducteurs (S2) Cycle Ingénieur SECCS 53
porteurs dans un certain domaine de simulation. Ces équations, qui sont résolues dans n'importe
quel simulateur de dispositif à usage général, ont été dérivées des lois de Maxwell et consistent
en l'équation de Poisson, les équations de continuité et les équations de transport. L'équation de
Poisson relie les variations du potentiel électrostatique aux densités de charge locales. Les
équations de continuité et de transport décrivent la manière dont les densités d'électrons et de
trous évoluant en fonction des processus de transport, de génération et de recombinaison. Cette
section décrit les modèles mathématiques mis en œuvre dans ATLAS. Notez qu'une
discrétisation des équations est également effectuée afin qu'elles puissent être appliquées à la
grille d'éléments finis utilisée pour représenter le domaine de simulation.

Plus de détails dans les pages 3-1 à3-154 du Manuel.

Équation de Poisson :
Équations de continuité des porteurs :

Équations de transport :

Relations d’Einstein :

Modèle de transport de l'équilibre énergétique :

Une solution d'ordre supérieur à l'équation générale de transport de Boltzmann consiste en un
couplage supplémentaire entre la densité de courant et la température ou l'énergie du porteur.
Les expressions de la densité de courant du modèle de dérive-diffusion sont modifiées pour
inclure cette relation physique supplémentaire. Les densités de courant et de flux d'énergie des
électrons sont alors exprimées comme suit :

où Tn et Tp représentent les températures des porteurs d'électrons et de trous et Sn et Sp le flux

d'énergie (ou de chaleur) du porteur vers le réseau. Le modèle de transport de l'équilibre

Polycopie Physique des Dispositifs Semi-Conducteurs (S2) Cycle Ingénieur SECCS 54

énergétique comprend un certain nombre de relations très complexes et c'est pourquoi une
section ultérieure a été consacrée à ce modèle dans le manuel.

Équation du courant de déplacement :

Brève description des modèles de mobilité (Chapitre 3 Manuel):

Polycopie Physique des Dispositifs Semi-Conducteurs (S2) Cycle Ingénieur SECCS 55