UNIVERSITE SULTAN MOULAY SLIMANE

FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES

DEPARTEMENT DE GENIE ELECTRIQUE

Travaux dirigés
Circuits Electriques et Electronique
Elément module : Electronique
(Exercices + corrections)

Pour le parcours
MIPC / GE – GM sections A et B
Semestres 1 et 2

Responsable
Abdellah AOUAJ
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FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES
DEPARTEMENT DE GENIE ELECTRIQUE

PARCOURS MIPC/GE-GM
Travaux dirigés TD N° 1
Circuits électriques et électronique

Exercice n° :1
1-1/ Déterminer les valeurs des paramètres [y] d’un quadripôle actif en fonction de ses
paramètres [h].
1-2/ Réciproquement, déterminer les valeurs des paramètres [h] en fonction des paramètres [y]
du quadripôle.
1-3/ Chercher la matrice impédance du quadripôle de la Figure n°1, ZL est une charge.

Exercice n° :2
Soit un quadripôle actif (Q’) défini par ses paramètres hybrides [h] aux bornes duquel on place
une impédance Z1 à l’entrée et une impédance Z2 à la sortie (Figure n° 2).
2-1/ Déterminer les paramètres hybrides [H] du quadripôle (Q) équivalent.
2-2/ Application numérique : Z1=R1 et Z2 = R2
h11 = 1 k, h12 = 0, h21 = 100, h22 = 0, R1 = 4 k et R2 = 10 k.
Calculer les paramètres de la matrice hybride [H] du quadripôle Q.

Exercice n° : 3
Soit le filtre RC de la figure n° 3. On applique à l’entrée une tension sinusoïdale de fréquence f
=2
3-1/ Exprimer la fonction de transfert H = Vs / Ve en fonction de R, C et .
3-2/ Exprimer la fréquence de coupure fc en fonction de R et C.
3-3/ Quel type de filtre s’agit-il et quel est son ordre ?
3-4/ Calculer la valeur du condensateur C ainsi de la tension de sortie du filtre pour une
fréquence de coupure fc = 627 kHz, R = 6.8 K et Ve = 2 V.

Exercice n° : 4
Le montage de la figure n° 4 est un filtre constitué de deux résistances R et deux capacités C.
On applique à l’entrée une tension sinusoïdale de fréquence f =2
4-1/ Exprimer la fonction de transfert H = Vs/Ve en fonction de R, C et .
4-2/ Exprimer la fréquence ou les fréquences de coupure en fonction de R et C.
4-3/ Donner l’allure du diagramme de Bode de ce filtre
4-4/ Quel type de filtre s’agit-il?

Exercice n° :5
Soit le circuit RLC de la figure n° 5. On applique à l’entrée une tension sinusoïdale de
fréquence f =2
5-1/ Donner l’expression de la fonction de transfert H = Us / Ue en fonction de R, L, C et .
5-2/ Quelle est la valeur de la fréquence de résonance fr.
5-3/ Déterminer les fréquences de coupure fCB et fCH.
5-4/ Que vaut Us à la résonance ?
5-5/ Tracer son diagramme de Bode.
 i1 Z Z' i2

v1 Z" ZL v2

Figure 1

i1 i'1 i'2 i2

v1 Z1 Q' Z2 v2

Figure 2 Figure 3

Figure 4 Figure 5
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DEPARTEMENT DE GENIE ELECTRIQUE

PARCOURS MIPC/GE-GM
Travaux dirigés TD N° 2

Exercice n° 1 :
Un circuit de redressement faible puissance est constitué d’un générateur e(t) = 100 sin (t), d’une
diode supposée idéale et d’une charge R. La fréquence de fonctionnement est 1 kHz.
Déterminer la valeur moyenne et la valeur efficace de la tension VR lorsque la charge est :
* R = 1 k, figure n° 1-a
* R = 1 k en parallèle avec un condensateur C = 1000 µF, figure 1-b.

Exercice n° 2 :
Calculer la tension de sortie V0 du circuit de la figure n° 2 pour les tensions d’entrée suivantes :
a/ v1 = v2 = 5V
b/ v1 = 5V, v2 = 0
c/ v1 = 0, v2 = 0V
Les diodes D1 et D2 au silicium sont caractérisées par Rd = 30 , V = 0.6 V, Ii = 0 et Rs infinie.

Exercice n° 3 :
Une diode zener DZ de tension vz = 45 V est utilisée pour réguler une tension ve sinusoïdale redressée
et filtrée, susceptible de varier entre 40 V et 60 V, figure n° 3. La résistance R 0 a pour rôle de protéger
la diode zener. RC = 1.8 k est une charge.
3-1/ On suppose que la résistance dynamique de la diode est nulle rz = 0.
3-1-a/ Pour ve = 40 V on obtient un courant is = 20 mA, déterminer la valeur de R0.
3-1-b/ A partir de quelle valeur de ve la tension de sorti vs est régulée.
3-1-c/ Tracer le graphe de transfert vs = f (ve).
3-1-d/ Calculer le courant dans la diode quand ve = 60 V.
3-2/ La résistance dynamique rz = 50.
3-2-a/ Calculer la résistance interne du montage ri = |vs/is|ve=cste
3-2-b/ Calculer le facteur de régulation amont  = vs/ve) i=cst

Exercice n° 4 :
Calculer les résistances nécessaires à la polarisation d’un transistor NPN pour lequel
 = h21 = 100 dans chacun des montages de la figure 4.
On prend VCC = 10 V et on désire que le point de repos soit fixé à VCE0 = 5 V, IC0 = 1 mA et VBE0 = 0.7 V.

Exercice n° 5 :
On considère le montage amplificateur de la figure 5 utilisant un transistor NPN au Si. On donne
VCC=10 V, =100, rg = 50 , RU = RC. On pose RB = R1 // R2. Les condensateurs utilisés ont des
impédances nulles aux fréquences de travail.
5-1/ On désire polariser ce transistor de sorte que :
VCE0 = 5 V, IC0 = 1 mA, VBE0 = 0.7 V et que RC = 4RE et Ip = 10 IB.
Calculer les valeurs de RC, RE, R1 et R2.
5-2/ En régime variable le transistor est caractérisé par ses paramètres hybrides :
h11 = 1 k, h12 = 0, h21 = 100 et h22 = 0.
5-2-a/ Donner le schéma équivalent en BF et petits signaux de cet amplificateur.
5-2-b/ Calculer le gain en tension Av = vs/ve.
5-2-c/ Calculer le gain en tension Avc= vs/eg.
5-2-d/ Calculer le gain en courant Ai = is/ie.
5-2-e/ Calculer les impédances d’entrée Ze et de sortie Zs.
 e(t) e(t) R C v
R vR

Figure 1-a Figure 1-b

D1
R0 is
D2
iz
270 270 4.7 k

V0 e(t) vz RC
v1 v2 5V

Figure 2 Figure 3

VCC VCC

RC2
RB1 RC1 RB2

Figure 4

VCC

RC
R1 C2
C1

rg
GBF RL vs
ve R2 RE
eg CE

Figure 5
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PARCOURS MIPC/GE-GM
Travaux dirigés TD N° 3
Module : Circuits Electriques/ Electronique

Exercice n° 1 :
Soit le montage de la figure 1. Les tensions de polarisation de
l’AOP sont +15 V et – 15 V. L’AOP est supposé idéal.
1-1/ Quel est le gain G = vs / ve du montage
1-2/ A quelle condition on a vs = G ve ?
1-3/ Quel est l’impédance d’entrée Ze = ve / ie du montage ?

Figure 1

Exercice n° 2 :
Soit le montage de la figure 2 où l’AOP est supposé idéal. Les
tensions de polarisation sont +15V et -15V.
2-1/ Calculer vs en fonction de v1 et v2. On utilisera le théorème
de superposition
2-2/ Sachant que v1 = 0.4 sin (t) et v2 = 0, donner l’allure du
signal pour R1=10k et R2 = 50 k.
2-3/ Que devient l’allure du signal de sortie si on impose v2 = 0.4
Figure 2
V?

Exercice n° 3 :
L’AOP du circuit de la figure n° 3 est supposé parfait et polarisé
par +10 V et -10 V (Vsat =10V). On applique sue les entrées
inverseuse et non inverseuse respectivement une tension
sinusoïdale u(t)= A sin (t) et une tension constante U0.
3-1/ Représenter la fonction de transfert v = f (u) quand U0 = 5 V
et A = 6 V ou 3 V. En déduire l’allure de la tension de sortie v(t).
3-2/ Etudier de même le cas U0 = -4 V et A = 6 v ou 3 V. Figure 3

Exercice n° 4 :
Le montage de la figure n° 4 utilise un AOP supposé idéal et
polarisé par +10 V et -10 V. On applique à l’entrée inverseuse
une tension ve.
3-3/ Quelles valeurs peuvent prendre vs et v+ ? En déduire l’allure
de la courbe vs = f (ve)
3-4/ On impose des seuils de basculement de +7.5 V et -7.5 V, en
déduire le rapport R2/R1.
Figure 4
 Correction
Travaux dirigés
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PARCOURS MIPC/.GE-GM
Travaux dirigés
TD 1
Correction
Exercice 1 :

V1 = h11 I1 + h12 V2 I1 = Y11 V1 + Y12V2

V2 = h21 I1 + h22 V2 I2 = Y21 V1 + Y22V2

1-1/ Y11 = 1/h11, Y12 = - h12/h11, Y21 = h21/h11, Y22 = h22 – (h21 * h12) / h11

1-2/ h11 = 1 / Y11, h12 = - Y12/Y11, h21 = Y21/Y11, h22 = Y22 – (Y12* Y21)/Y11

1-3/ V1 = (Z+Z’’)* I1 + Z’’*I2

V2 = Z’’ *I2 + (Z’ + Z’’)*I2

Exercice 2 :
Le quadripôle Q’ est caractérisé par la matrice hybride [h]
Le quadripôle Q est caractérisé par la matrice [H]

1
I1  I1'  I1''  I1'  V1
V1  h I  h 12 V2
11 1
'
V1  H11I1  H12 V2 Z1
2-1/  ' I  H I  H V
 I 2  h I  h 22 V2 1
'
21 1  2 21 1 22 2 I 2  I '2  I '2'  I '2  V2
Z2
Z1h 11 Z1h 12 Z1h 21 1 h h
H11  , H12  , H 21  , H 22  h 22   12 21
Z1  h 11 Z1  h 11 Z1  h 11 Z 2 Z1  h 11

2-2/ App. Num : Z1 = R1 = 4 k, Z2 = R2 = 10 k, h11 = 1 k, h12 = 0, h21 = 100 et h22 = 0.

Exercice 3 :
3-1/

VS jRC
H j 
1 1
  avec 0 
Ve 1  jRC 1  j 0 RC


3-2/ C’est un filtre passe haut du 1er ordre

3-3/ fréquence de coupure

 1 1
Le module de H est : H 

2 2
1   0  1   0 
f
   f 
Le module de H est maximal pour f → ∞ et vaut 1

H max
La fréquence de coupure fc est la fréquence à laquelle le module de H est égal à
2

2
H max
H f c   1   0   2 
1 1 f
   fc  f0
2 2
2  fc 
1   0 
f
 fc 
Diagramme de Bode

Exercice 4 :
4-1/

Vs R // Z C jRCω
H   
Ve R  Z C  R // Z C 1  3 jRCω   jRCω2

4-2/
1 1
H 
3 2
1 
1   0  
9   0 
1
Le module maximal est pour  =  0
3
 → 0 H → 0 HdB → - ∞
 → ∞ H → 0 HdB → - ∞

2 2
1f f  f 
H f c 
1 1 1 f
  → 1   0    2 →  0    9
3 2
3 2 9  f f0   f f0 
1f f 
1   0  
9  f f0 
 f0 f
 f  f  3

f CB 
 13  3 f 0
 2
f 
 13  3 f
0
f
   3
0 f 
 f f 0  CH 2
0

4-4/ C’est un filtre passe bande

Diagramme de Bode

Exercice 5

5-1/
VS jC
H j 
L // C
 

Ve R  L // C R 1  LC2  jC 
5-2/
1 1
Fréquence de résonance fr 1  LC2  0  r  d'où f r 
LC 2 LC

5-3/
1
H
1 j
R
L

1  LC 2 
 1
H  Le module de H maximal est 1
2
 R
1   
1  LC 2  
 L 
Pour déterminer les fréquences de coupure

H 
1

1

 R
  

1  LC2   1
2
 L 
 
 R  2
1  1  LC2 
 L 

R
L
 
1  LC 2  1  R 1  LC2  L  2 
1
RC

1
LC
 0  2  0   2r  0

R
L
 
1  LC 2  1  R 1  LC 2  L  2  1
RC

1
LC

0  2  0   2r  0

Les valeurs à conserver des fréquences de coupure

 0  02  4 2r  f 0  f 02  4f r2 1
cB  f cB  f0 
2 2 2RC
0    42 2
f 0  f  4f r2
2 1
fr 
cH  0 r
f cH  0
2 LC
2 2
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Travaux dirigés
TD 2
Correction

Exercice 1 :

La diode est supposé idéale

Valeur moyenne :

 vR  
1 T
 v t dt 
100 T 2
 v R t dt 
100
Volts

R
T 0 T 0
e(t) R vR

Valeur Efficace :

v R ( eff ) 
1 T
 v R t  dt  50 Volts
2

T 0

On branche une capacité C en parallèle avec R

- 0≤ t ≤T/4 La diode est polarisée en direct → Charge du condensateur jusqu’à la valeur maximale 100V
- T/4 ≤ t ≤ T/2 La diode est polarisée en inverse → Décharge de C dans R. Taux de décharge  = RC

Le temps de décharge  = 1s et la période du signal est T =1ms → le condensateur n’aura pas le temps de se
décharger pendant 1 ms. la tension aux bornes du condensateur restera presque constante.
Le signal aux bornes de R est constant et égal à 100V.
Sa valeur moyenne et sa valeur efficace sont égales à 100 V.

Exercice 2 :

2-1/
v1 = v2 = 5 V
Les diodes D1 et D2 sont polarisées en inverse
D2
 V0 = 5 V
270 270 4.7 k
2-2/
v1 = 5V, D1 est polarisée en inverse V0
v2=0, D2 est polarisée en direct v1 v2 5V

 V0 = 0.867 V

2-3/
v1 = v2 = 0
D1 et D2 sont polarisées en direct
 V0 = 0.736 V
Exercice 3

3-1/ On suppose rz = 0
3-1-a/
ve = 40V  Diode zener est bloquée
is = 20 mA R0 is
ve = (R0 + RC) is  R0 = 200 
iz
3-1-b/
Au seuil de la conduction de la diode zener
Vz = 45 V et iz = 0 Vz = RC is  is = 25 mA e(t) vz RC
ve = R0 is + Vz  ve = 50 V
La diode commence à réguler à partir de ve = 50 V

3-1-c/ Fonction de transfert

R0
- 40 V ≤ Ve < 45 V  Diode Zener bloquée VS  Ve
R0  RC
- 45 V ≤ Ve ≤ 60 V  VS = Vz = 45 V

3-1-d/
Ve = 60 V VS = 45 V is = 25 mA  i1 = 75 mA et iz = i1 – is = 50 mA

3-2/ rz = 50 

ve = R0 i1 + Vs
i1 = is + iz
VS = rz iz +Vz
 V  Vz   R 
Ve  R 0  i s  s   Vs  Ve  R 0 i s  1  0 Vs
 rz   rz 
Vs Vs R 0 rz
On définit par ri  et ri    40 est la résistance interne de l'alimentation
i s Ve  0
i s Ve  0
R 0  rz

Exercice 4
VCC = 10 V
 = h21 = 100
Le point de repos du transistor est:
VCE0 = 5V IC0 = 1mA VBE0 = 0.7V et IB0 = IC0/ = 10 µA

Montage 1:
Equation de la droite de charge: VCC = VCE + RC1 IC
VCC  VCE0
 R C1   R C1  5 k
I C0
Equation de la droite d'attaque: VCC = RB1 IB + VBE
VCC  VBE0
 R B1    R B1  0.93 M
I C0
Montage 2:
Equation de la droite de charge: VCC = VCE + RC2 (IC + IB) or IB << IC
V  VCE0
 R C2  CC  R C 2  5 k
I C0
Equation de la droite d'attaque: VCC = RC2 (IC+IB) + RB1 IB + VBE
V  VBE0  R C 2 I C
 R B2   CC  R B2  0.43 M
I C0
Exercice 5:
5-1/ Polarisation

Les condensateurs sont des interrupteurs ouverts

VCC = 10 V,  = 100
VCE0 = 5 V, IC0= 1 mA, VBE0= 0.7 V et IB0 = 10 µA
IB << IC
RC = 4 RE, IP = 10 IB
VCC = RC IC +VCE + RE (IC + IB)
4 VCC  VCE0
RC   4 k
5 I C0
1 VCC  VCE0
RE   1 k
5 I C0

  VBE0 
R2 IP = VBE + RE IE  R2    R E   17 k
10  I C0 
 VCC 10  V 10 
VCC = R1 (IP + IB) + R2 IP  R1   R 2   CC  R 2   75 k
11 I C 11 11  I C  

5-2/ Amplification

Les condensateurs sont des interrupteurs fermés

5-2-a/ Schéma équivalent

h 22 R C // R L
5-2-b/ Gain en tension : A v  
h 11
R 1 // R 2 // h 11 h 22 R C // R L
5-2-c/ Gain en tension: A vg 
rg  R 1 // R 2 // h 11 h 11
h 22 R C R 1 // R 2
5-2-d/ Gain en courant: A v  *
R C  R L h 11  R 1 // R 2
v
5-2-e/ Impédance d'entrée: Z e  e  R 1 // R 2 // h 11
ie
v
Impédance de sortie: Z s  s  R C (Sans la c harde R L )
i s / v e 0
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Module : Circuits Electriques/ Electronique

TD 3
Correction

Exercice 1:

vs R
1-1/ G   2
ve R1
1-2/ Pour que vs = G *ve il faut choisir ve tel que -15 V ≤ vs ≤ 15 V
ve
1-3/ Z e   R1
ie

Exercice 2:

 R  R
2-1/ v s  1  2  v 2  2 v1
 R1  R1
2-2/
v1  0.4  sin t  R2
  vs    5  vs(t) = - 2 sin t
v2  0  R1

2-3/ v2 = 0.4 V  vs(t) = 2.4 - 2 sin t

Exercice 3:

3-1/ u(t) = U0 –    = U0 – u(t)

si  > 0 → vs = + 10 V
si  < 0 → vs = - 10 V

U0 = 5 V Vs
A=6V
+10V

-6V +6V
+5V Ve

-10V
U0 = 5 V
A=3V
Vs

+10V

-3V +3V
Ve

-10V

3-2/
U0 = -4
A=6
Vs

+10V

-6V +6V
-5V Ve

-10V

U0 = V
A=3V
Vs

+10V

-3V +3V
Ve

-10V

Exercice 4: Trigger de schmitt

R1
v  vs
R1  R 2
v+ est la tension appliquée à l'entrée positive de l'AOP.

 = v+ - ve
Si  > 0 → vs = + 10 V Vs
Si  < 0 → vs = - 10 V
+10V
+
v = 7.5 V  R1 = 3 R2

-V+ +V+
Ve

-10V