Projet Analogique

17 novembre 2024

Master 1 2eeea EN

Partie Emetteur

Élèves : Enseignants
Luiza Maria LEÃO LEITE O. Bernal
Gabin NOBLET E. Peuch
Kalynne G. DA SILVA MACIEL H. Kaouach
Amandine PINTO DAS NEVES ...

17 novembre 2024
Table des matières
1 Introduction 4

2 Cahier des charges 4

2.1 Cahier des charges global . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.2 Cahier des charges de l’émetteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

3 L’oscillateur contrôlé en tension : le VCO 6

3.0.1 Principe de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
3.1 VCO approche en tension : Amandine et Kalynne . . . . . . . . . . . . . . 8
3.1.1 Dimensionnement cas idéal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
3.2 VCO approche en courant : Gabin et Luiza . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
3.2.1 Principe de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
3.2.2 Dimmensionnement cas idéal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
3.2.3 Dimmensionnement cas réel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.2.4 Finalisation de la caractérisation du VCO en courant . . . . . . . . 22
3.2.5 Ajustement de la fréquence porteuse f0 . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.2.6 Simulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
3.2.7 Bilan . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.3 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.4 Mesures Expérimentales du VCO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

4 Circuits de commande de la diode électroluminescente 33

4.1 Préparation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
4.1.1 Modélisation de la diode électroluminescente . . . . . . . . . . . . . 33
4.2 Commutation de la DEL avec le Bipolaire (Amandine et Kalynne) . . . . . 35
4.3 Commutation de la DEL avec le MOS (Gabin et Luiza) . . . . . . . . . . . 37
4.3.1 Détermination des valeurs des composants . . . . . . . . . . . . . . 38
4.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

5 Filtre audio d’entrée 40

5.1 Etude théorique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
5.1.1 Le Gain de Plateau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
5.1.2 Fonction de Transfert du Filtre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
5.1.3 Expressions du Gain et des Fréquences de Coupure . . . . . . . . . 43
5.1.4 Dimensionnement des Composants . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
5.2 Résultats de simulation et mesure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

6 Conclusion 48
Table des figures
1 Objectif du projet. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2 Gabarit partiel du filtre permettant de limiter la bande passante à -3dB . . 5
3 Gabarit partiel du filtre permettant de préaccentuer le signal . . . . . . . . 5
4 Gabarit final du filtre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
5 Cahier des charges des circuits de l’émetteur. . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
6 Schéma global du VCO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
7 Schéma électrique de principe du VCO avec une attaque en tension. . . . . 8
8 Circuit de charge de C2 avec T2 bloqué et T1 saturé . . . . . . . . . . . . . 8
9 Schéma équivalent avec T1 passant et T2 bloqué . . . . . . . . . . . . . . . 9
10 Schéma électrique complet du VCO attaque en tension . . . . . . . . . . . 12
11 Simulation de la conversion fréquence-tension du VCO attaque en tension . 13
12 Réponse temporelle du VCO attaque en tension . . . . . . . . . . . . . . . 13
13 Caractéristique du VCO attaque en tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
14 Simulation Monte Carlo pour le VCO en tension . . . . . . . . . . . . . . . 14
15 Structure du Potentiomètre. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
16 Structure du circuit avec potentiomètre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
17 Schéma électrique de principe du VCO avec une attaque en courant. . . . . 17
18 Circuit de charge de la capacité C2 avec T2 bloqué et T1 saturé. . . . . . . 18
19 Circuit de polarisation du transistor T1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
20 Source de courant Iref qui pilote f0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
21 Source de courant IB1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
22 Structure du Potentiomètre. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
23 Schéma de simulation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
24 Tension Vc (t). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
25 Tension Vb (t). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
26 Visualisation du gain de conversion K1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
27 Analyse de Monte Carlo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
28 Schema du VCO avec attaque en courant expliqué. . . . . . . . . . . . . . 28
29 PCB du VCO en courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
30 Tension VB1 : Mesures de ∆VB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
31 Tension VC : Mesures de ∆VC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
32 Affichage de la commutation du VCO à la fréquence f0 . . . . . . . . . . . 31
33 Tension VC : Mesures de du temps de montée . . . . . . . . . . . . . . . . 31
34 Caractérisation du VCO Simulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
35 Caractérisation du VCO Mesure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
36 FFT du signal de sortie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
37 Détermination de Rs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
38 Capacité de jonction de la DEL CQY89A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
39 Structure du circuit d’excitation DEL avec un transistor Bipolaire . . . . . 35
40 Schéma électrique du transmetteur optique avec transistors bipolaires . . . 36
41 Evolution temporelle du courant et de la tension aux bornes de la diode . . 37
42 Structure du circuit d’excitation DEL avec un transistor MOS . . . . . . . 37
43 Structure du circuit d’excitation DEL avec un transistor MOS . . . . . . . 38
44 Structure du circuit d’excitation DEL avec un transistor MOS . . . . . . . 39
45 Commutation de la diode avec transistor MOS . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 2

 46 Mesure du temps de commutation de la diode avec transistor MOS . . . . 40
47 Gabarit du filtre d’entrée. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
48 Schéma électrique du filtre d ’entrée. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
49 Schéma électrique du filtre audio d’entrée . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
50 PCB du filtre avec transmetteur MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
51 Diagramme de Bode du filtre audio d’entrée simulé et mesuré . . . . . . . 47

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 3

1 Introduction
L’objectif de ce projet analogique est de réaliser un récepteur et un émetteur infrarouge
(IR) permettant la transmission d’un signal audio en temps réel. Dans ce premier rapport,
nous allons développer la première partie, qui consiste en l’émetteur.

2 Cahier des charges

Dans cette partie, nous allons détailler le cahier des charges du dispositif global d’émis-
sion et réception du signal audio, pour ensuite nous concentrer plus précisément sur les
exigences concernant l’émetteur.

2.1 Cahier des charges global

L’objectif du projet est de transmettre sans fil un signal audio (musique par exemple)
émis depuis une source telle qu’un haut-parleur. Ce signal va être amplifié puis modulé
en fréquence grâce au dispositif de l’émetteur, puis démodulé, amplifié et transmis à un
haut-parleur grâce au récepteur.
La synoptique du projet est présentée dans la figure ci-dessous :

Figure 1 – Objectif du projet.

- Du côté de l’émetteur, le signal audio est tout d’abord filtré, avant de l’appliquer
en entrée du VCO. Le cahier des charges stipule que le VCO devra fournir en sortie une
fréquence variant autour d’une fréquence centrale f0=280kHz. En effet, cette fréquence
doit être très élevée par rapport à toutes les fréquences du signal audio d’entrée (s’étendant
de 20Hz à 20kHz). En sortie du VCO, le signal à transmettre est finalement converti en
un signal lumineux par le transmetteur optique constitué d’une DEL.
- Concernant le récepteur, le signal est reçu grâce à une photodiode PIN qui génère
un courant photoélectrique, amplifié par un circuit transimpédance qui génère en sortie
une tension proportionnelle au courant d’entrée. Cette tension est ensuite amplifiée par
un amplificateur sélectif à grand gain, puis grâce à une boucle à verrouillage de phase,
est réalisée la conversion fréquence-tension. Finalement, un amplificateur audio push-pull
permet d’exciter un haut-parleur .
Nous allons à présent détailler davantage la structure de l’émetteur sur lequel porte le
présent rapport.

2.2 Cahier des charges de l’émetteur

Dans le dispositif d’émission, nous avons trois sous-circuits, décrits ci-dessous.

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 4

 1. Filtre Audio d’Entrée : permet de mettre en forme et de filtrer le signal issu de
la source audio. Ce filtre réalise un filtrage en bande afin de limiter le spectre audio
du signal d’entrée, et permet également d’agir sur le niveau sonore en réglant son
gain grâce à un potentiomètre P1=4,7kΩ.
Afin de constituer le gabarit du filtre nous allons superposer deux gabarits partiels
qui répondent à deux exigences différentes :
1) Limiter la bande passante à -3dB du signal audio à [50Hz ;6kHz]

Figure 2 – Gabarit partiel du filtre permettant de limiter la bande passante à -3dB

2) Préaccentuer le signal sur [800Hz ;6kHz]afin d’optimiser le rapport

signal sur bruit après démodulation

Figure 3 – Gabarit partiel du filtre permettant de préaccentuer le signal

Le gabarit final est le suivant :

Figure 4 – Gabarit final du filtre

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 5

 2. Modulateur FM : réalisé avec un oscillateur contrôlé par une tension (VCO, qui
génère une fréquence porteuse, variant autour de f0 ± 25% en fonction de l’ampli-
tude du signal d’entrée, afin de transmettre toutes les informations du signal audio
d’entrée mais à haute fréquence. Le VCO est caractérisé par son gain de conver-
sion K1 que l’on souhaitera autour de 15 kHz/V. Afin d’assurer la modulation en
fréquence, on souhaite vérifier la relation suivante :
2∆f = 15kHz = K1Avm vecc avec Avm le gain de plateau du filtre et vecc =1V.
On voit grâce à cette relation que le dimensionnement du filtre dépend de la valeur
de K1, ce qui va nous orienter dans le choix l’ordre des étapes de notre dimension-
nement.
3. Transmetteur optique : permet de transmettre les données sous forme d’un flux
lumineux infrarouge. On impose un courant d’excitation de la DEL maximum de
50mA.
La figure 5 résume le cahier des charges global de l’émetteur.

Figure 5 – Cahier des charges des circuits de l’émetteur.

3 L’oscillateur contrôlé en tension : le VCO

Dans cette partie, nous allons détailler la conception du VCO avec deux approches
différentes : en tension et en courant. Les exigences du cahier des charges nous orienteront
alors dans le choix de l’une ou l’autre des deux approches.

3.0.1 Principe de fonctionnement

Dans un premier temps, on sait que le VCO (Voltage-Controlled Oscillator) est un os-
cillateur électronique dont la fréquence de sortie varie en fonction d’une tension d’entrée,
comportement qui est assuré par la commutation de deux transistors, T1 et T2 . Alors, le
VCO a deux états : un lorsque T1 est saturé et T2 est bloqué et vice versa. Le schéma
électrique de principe du VCO est disponible en figure 6.

Nous nous intéressons dans un premier temps au principe de fonctionnement de ce

circuit :

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 6

 Figure 6 – Schéma global du VCO

— Au départ, on va faire l’hypothèse que la condition initiale du circuit est : T1 bloqué

et T2 saturé.

t = 0− −→ VBE1 < 0.6V, VBE2 = 0.6V

— Puis, au temps t = 0+ , la tension VBE1 atteint la tension de seuil, 0.6V et donc, T1
commence à conduire. Par conséquent, il y a une chute de tension pour le potentiel
VC1 , qui passe brusquement de E à VCEsat .

t = 0+ −→ VBE1 = 0.6V, ∆VC1 = E − VCEsat

— Ensuite, comme il n’y a pas de discontinuité de tension aux bornes des capacités,
le potentiel VB2 aura la même variation que VC1 , à partir de VBE0 = 0.6V (état de
conduction). Cette variation provoquera le blocage du transistor T2, comme indiqué
ci-dessous.
E>V
CEsat
VB2 = VBE0 − ∆VC1 → VB2 = VBE0 − (E − VCEsat ) −−−−−−→ VB2 < VBE0
— Ceci implique que le potentiel VC2 passe brusquement de VCEsat à E, qui provoque
une augmentation de VB1 , via la capacité de liaison C1 , de même variation que ∆VC2 .
Cette variation provoquera le blocage du transistor T1, comme indiqué ci-dessous.
E>V
CEsat
VB1 = VBE0 − ∆VC2 → VB1 = VBE0 − (E − VCEsat ) −−−−−−→ VB1 < VBE0
— Ce procédé se répète successivement, c’est-à-dire, les transistors commutent d’un
état à un autre de manière cyclique, générant ainsi des oscillations.
Nous allons par la suite détailler les deux architectures du VCO, dont l’unique diffé-
rence réside finalement dans la manière dont chargent les capacités. Nous allons détailler
dans un premier temps l’étude du VCO en attaque en tension.

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 7

3.1 VCO approche en tension : Amandine et Kalynne
Dans un premier temps, nous allons étudier le VCO avec approche en tension : les
condensateurs sont alors chargés uniquement par des résistances (RB1 , RB2 , RBref 1 et
RBref 2 ) : on assimile les sources de courant à des résistances, ce qui permet de garantir
une impédance de sortie du montage relativement faible.
La figure 7 présente le principe de fonctionnement du VCO avec attaque en tension :

Figure 7 – Schéma électrique de principe du VCO avec une attaque en tension.

Dans le circuit, on commence avec l’hypothèse de départ où T1 est bloqué et T2 est

saturé. Ainsi lorsque VBE1 atteint 0.6V , T1 se met à conduire et, par conséquence, T2 se
trouve a bloqué. On peut donc en déduire que, pour l’attaque en tension, C2 va se charger
soit via les résistances RB soit via l’association RC1 // RT 1 .
Comme le transistor est saturé, c’est-à-dire qu’il se comporte comme une résistance,
on sait que RB » RC1 // RT 1 . Ainsi on peut exprimer la constante de temps associée à la
charge de C2 : τB = RBeq C2 .
On peut finalement simplifier le circuit de charge de C2 avec T2 bloqué et T1 saturé :

Figure 8 – Circuit de charge de C2 avec T2 bloqué et T1 saturé

Détaillons à présent théoriquement le principe de fonctionnement de ce circuit.

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 8

3.1.1 Dimensionnement cas idéal
I) Détermination de la période des oscillations

Nous souhaitons ici déterminer la période des oscillations générées par ce montage en
fonction de RC , E, EB , VCEsat et RBref .Nous nous plaçons à l’instant t=0, l’instant où les
transistors commutent : T1 passe de l’état bloqué à l’état passant et inversement pour T2 .

On a alors le schéma de la Figure 9. On peut alors exprimer la résistance équivalente

du transistor T1, qui est la résistance lorsque le transistor est saturé :

Figure 9 – Schéma équivalent avec T1 passant et T2 bloqué

VCEsat
RT 1 = (3.1)
Isat
On a d’après la datasheet VCEsat =0,3V pour Isat =150 mA, ainsi on a RT 1 = 2Ω .

Ensuite, afin de limiter la consommation en courant et pour pouvoir utiliser des résis-
max
tances 1/4 de W, on limite le courant maximum de saturation à Isat =5 mA.

Calcul de la résistance RC1

Nous pouvons écrire la loi des mailles dans le schéma de la Figure 9 pour trouver la
résistance RC1 du collecteur de T1 . On sait que RC1 = RC2 . Dans les conditions précédentes
T1 saturé et T2 bloqué :
E − RC1 Isat − VCEsat = 0 (3.2)
Grâce à l’équation précédente, on peut obtenir une expression de la valeur de RC1 mini-
male, car on utilise la valeur maximale du courant de saturation. Donc :
E − VCEsat
RC1 ≥ → RC1 ≥ 600Ω (3.3)
Isat
On cherche une valeur normalisée et supérieure à 600Ω. On prend RC1 = 680Ω . Si nous
avions choisi une valeur plus élevée de Isat , cela nous aurait permis de minimiser RC1 et
donc le temps de réponse du circuit.

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 9

Calcul de la résistance RBEq

Afin de trouver la période des oscillations, il nous manque à déterminer le paramètre

RBeq . Pour cela dans un premier temps nous considérons que RB »RBref , on peut alors
négliger RB dans l’association parallèle.
D’après la loi des mailles dans le circuit de la Figure 8 :
EB − VBE0
RBeq = (3.4)
IB
On détermine la valeur de IBsat à partir du β du transistor et du courant maximal de
saturation. D’après la datasheet du transistor 2N2222, pour ICsat =5mA, on a 50<β<75.
On choisit β=50, cette valeur minimale nous permettant d’obtenir un courant de base
suffisant pour polariser le transistor. On obtient : IBsat >0,1mA.
Donc :
1, 65 − 0, 6
RBeq = → RBeq = 10.5kΩ (3.5)
0, 1.10−3
On prend en valeur normalisée RBeq = 12kΩ
Calcul de la capacité C2

À présent, nous allons déterminer la valeur des condensateurs C1 et C2 qui permettent

de fixer la fréquence d’oscillations souhaitée (f0 ). Nous devons respecter la condition
100pF ≤ C ≤ 280pF.
Pour cela nous allons nous aider du circuit de charge de C2 (figure 8). Nous allons
alors déterminer le temps Tcharge correspondant au temps pour que la tension de base de
T2 atteigne de nouveau la valeur VBE0 après la saturation de T1 .
On a :
1
Tcharge = RBeq C2 = . (3.6)
2f0
Le circuit étant symétrique C1 et C2 auront le même temps de charge donc la période
des oscillations du VCO sera : TV CO = 2Tcharge .
Nous commençons par une loi des mailles dans le circuit de charge de C2 (avec IB =
IBref le courant parcourant C2 ) :

EB = RBeq IB + VC2 (3.7)

En remplaçant IB par son expression en fonction de VC2 (la tension aux bornes du conden-
sateur) on obtient l’équation différentielle suivante :
 
dVC2 (t) Eb dVC2 (t) VC2 (t)
EB = RBeq C2 + VC2 (t) → = + (3.8)
dt RBeq C2 dt RBeq C2
t
−R
→ VC2 (t) = A + Be Beq C2 (3.9)
On peut déterminer les valeurs des constantes d’intégration A et B grâce aux conditions
aux limites du circuit. En effet :


VC2 (0) = VBE0 − (E − VCEsat )(chute de tension lors de la saturation de T1 )
(3.10)
VC2 →t→∞ EB (régime statique)

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 10

 Ainsi :

A = EB
(3.11)
B = VBE0 − (E − VCEsat ) − EB
L’expression de VC2 (t) est finalement :
−t
VC2 (t) = EB + (VBE0 − (E − VCEs at )e τB (3.12)

Nous en déduisons que la constante de temps τB associée à la charge de C2 est égale

à τB ≈ RBeq C2 . Nous pouvons alors extraire τB de l’expression précédente en sachant que
à t=Tcharge = 2f10 , VC2 = VBE0 :

1
τB =   → τB = 1.32µs (3.13)
E+EB −VBE0 −VCEsat
2f0 ln EB −VBE0

Ensuite, on utilise la relation entre τ2 et RBeq pour trouver la valeur du condensateur.

τB
C2 = = 125.71pF (3.14)
RBeq

On choisit C2 =150pF en valeur normalisée. La période des oscillations du VCO est

alors : TV CO = 2τB = 2, 64µs .

II) Etude du gain de conversion et détermination de IB

Nous avons évoqué dans le cahier des charges le gain de conversion fréquence-tension
du VCO, K1 , que l’on souhaite proche de 15kHz/V. L’expression de ce gain de conversion
est la suivante :
1
∂FV CO ∂T
K1 = ∂EB
= V CO
∂EB
(3.15)

Or on sait que FV CO =f0 , ainsi grâce à l’équation (3.13) de la partie précédente nous
pouvons exprimer f0 en fonction de EB :
1
f0 = 
E+EB −VBE0 −VCEsat
 (3.16)
2τB ln EB −VBE0

Il nous faut ensuite dériver cette expression en fonction de EB pour obtenir le gain
K1 . Nous voyons ainsi grâce à l’expression précédente que l’expression du gain K1 dépend
des paramètres théoriques du circuit déjà calculés tels que la résistance RBeq (prise en
compte grâce à τB ).
Or nous avions réalisé une approximation dans le cas de la résistance RBeq , l’assimilant
uniquement à la résistance RBref que nous avons alors calculée, alors que RBeq est en
réalité constituée de la mise en parallèle de RBref et d’une autre résistance de valeur plus
élevée RB .
Nous pouvons alors calculer le gain de conversion K1 dans notre cas avec l’approxi-
mation RBeq = RBref , et l’écart entre la valeur obtenue et la valeur souhaitée (15 kHz/V)

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 11

nous permettra d’obtenir la valeur de RB à rajouter en parallèle de RBref afin d’obtenir
la valeur de K1 souhaitée.
Nous traçons alors le schéma de notre VCO sur Pspice sans pour l’instant ajouter
la résistance RB et réalisons une simulation Parametric Sweep du paramètre EB . Nous
1
traçons alors f0 = P eriod(V out )
en fonction de EB .
Nous cherchons alors à ajuster RBeq pour obtenir un gain proche de 15kHz/V à , en es-
sayant plusieurs valeurs nous obtenons RBeq =14,7kΩ pour une bonne valeur de gain. Cela
nous permet d’obtenir : RB = 82kΩ pour RBref = 12kΩ. Nous avons alors entièrement
dimensionné notre source de courant IB1 .
Nous avons alors sur la figure 10 le schéma suivant de notre VCO complet :

Figure 10 – Schéma électrique complet du VCO attaque en tension

En simulant ce circuit nous pouvons mesurer la valeur du gain de conversion (voir

figure 11) :
Ici nous observons qu’autour de f0 la courbe est quasi linéaire, la pente représen-
tant la valeur de K1 que nous pouvons mesurer grâce aux curseurs : nous obtenons
K1 = 15, 9kHz/V .

III) Caractérisation finale du VCO en tension

Désormais nous avons dimensionné l’ensemble du VCO, nous allons alors vérifier en
simulation son bon fonctionnement.
Nous allons commencer par simuler dans le domaine temporel notre circuit afin de
vérifier la commutation des transistors et la période des oscillations ainsi créées. Nous
pouvons observer la réponse temporelle sur la figure 12 :
Sur cette figure, nous avons représenté plusieurs périodes d’oscillatons du VCO, qui a
le comportement prévu. Nous pouvons relever une période d’oscillations proche de 1,5µs,
ce qui est assez proche de notre valeur théorique τB = 1, 32µs.
Avec le circuit de la figure 10, on trace la caractéristique du VCO en réalisant une
simulation parametric sweep.

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 12

 Figure 11 – Simulation de la conversion fréquence-tension du VCO attaque en tension

Figure 12 – Réponse temporelle du VCO attaque en tension

Figure 13 – Caractéristique du VCO attaque en tension

Cette courbe est celle qui permet de mesurer le gain K1 mais aussi de vérifier que
la fréquence f0 se trouve bien dans la plage de fréquences obtenue en sortie. Grâce à la
linéarité de cette courbe, nous pouvons déduire la plage de EB permettant de garantir

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 13

une fréquence comprise entre f0 − 5% et f0 + 5%. Nous obtenons :

EBmin = 1, 07V (pour f0 = 266kHz)
(3.17)
EBmax = 2, 44V (pour f0 = 294kHz)
Nous allons pour finir réaliser une simulation de Monte Carlo de notre circuit afin
de voir comment notre système répond aux variations des composants, notamment des
résistances, avec une tolérance de 5%. Nous allons alors réaliser une analyse statistique sur
la fréquence des oscillations en fonction de la tolérance des résistances. Nous considérons
une distribution uniforme pour les résistances et un nombre de simulations égal à 250.
Nous obtenons :

Figure 14 – Simulation Monte Carlo pour le VCO en tension

On observe grâce à cette figure que les oscillations sont majoritairement distribuées aux
alentours de 274kHz (la moyenne). Nous sommes alors assez proches de notre fréquence
centrale f0 . La distribution ne semble pas symétrique autour de la moyenne(274,854kHz),
or la médiane(274,775kHz) et la moyenne sont très proches, ce qui indique que la moyenne
représente plutôt bien le centre de la distribution. L’écart-type est assez faible (4,9kHz)par
rapport à l’ordre de grandeur de f0 , ainsi la variation des résistances influe de manière
modérée sur la fréquence d’oscillation.

IV) Parasites et limitations aux fréquences élevées

Nous allons à présent étudier les limites du modèle théorique en soulignant les imper-
fections pouvant apparaître dans le cas réel et comment les modifier.
Lors de l’étude du principe de fonctionnement du VCO, nous avions supposé que
lorsque T2 devenait conducteur et T1 bloqué, la chute de tension du collecteur de T1 était
intégralement transmise à la base de T2 en supposant que le condensateur C2 n’introduisait
aucune discontinuité. Nous avions alors :

∆VC1 = E − VCEsat (3.18)

Cependant, il se trouve que pour des fréquences élevées telles que potentiellement des
fréquences de l’ordre de grandeur de f0 , la chute de tension peut ne pas être totalement
transmise via la capacité. Ce phénomène est dû aux capacités parasites des transistors
qui génèrent un pont diviseur de tension et entraînent une chute de tension sur les bases
de ceux-ci.

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 14

 On prend alors en compte la présence d’une capacité vue de la base :

Ce2 = Cb + CT (3.19)
Avec Cb la capacité de diffusion et CT la capacité de jonction base-émetteur. À satu-
ration, on a Cb »CT .
Ainsi, par approximation on peut définir une valeur moyenne de <Cb > :
C
∆VB = ∆VC = k∆VC (3.20)
C + ⟨Cb ⟩
Nous souhaitons alors caractériser k qui est un facteur de non-idéalité afin d’obtenir
une fréquence d’oscillations du VCO le plus proche possible de f0 à EB /2. Nous allons
alors choisir un facteur k proche de 1 afin de limiter la chute de tension dûe au pont
diviseur de tension capacitif.
Pour cela, il faut que notre capacité C2 soit très grande devant Cb . D’après la datasheet
du transistor, <Cb > est proche de 50pF pour un courant Isat de 5mA. Nous savons que
C2 est inversement proportionnel à f0 , alors lors du dimensionnement réel, il est possible
de faire varier C2 afin de rapprocher la fréquence d’oscillations de f0 , et ainsi limiter les
écarts entre théorie et mesure.

V) Ajustement de la fréquence centrale du VCO

Nous avons vu lors de l’étude précédente que la fréquence centrale f0 obtenue en sortie
du VCO dépendait de nombreuses variables et qu’il était difficile de s’en approcher très
précisement. Nous avons pourtant réussi comme le prouve l’analyse de Monte Carlo à
s’approcher à moins de 5% de f0 .
Afin de pouvoir agir sur f0 dans le cas réel, nous allons ajouter un circuit permettant
d’ajuster cette fréquence via la plage de EB . Pour cela nous allons utiliser un potentiomètre
P0 de valeur 4,7kΩ afin de pouvoir régler la fréquence de la porteuse à f0 ± 5%. Le schéma
de ce potentiomètre est le suivant :

Figure 15 – Structure du Potentiomètre.

Ce potentiomètre va permettre de modifier la valeur du courant fourni par la source

de courant, et donc modifier la charge de la capacité et par conséquent agir sur la période
des oscillations. Nous allons brancher en série ce potentiomètre au circuit global du VCO
comme sur la figure suivante :

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 15

 Figure 16 – Structure du circuit avec potentiomètre

On sait alors que la tension EB peut s’exprimer de la manière suivante :

(1 − α)P0 + R2
EB = ·E (3.21)
R1 + R2 + P0
Avec la plage de EB déterminée lors de l’analyse des résultats de simulation, nous pou-
vons résoudre les deux équations suivantes nous permettant de trouver les deux inconnues
R1 et R2 les résistances du potentiomètre :
R2

 EBmin =
 ·E
R1 + R2 + P0 =⇒ R1 ≈ 7, 6kΩ et R2 ≈ 8, 3kΩ
P0 + R2
 EBmx =
 ·E
R1 + R2 + P0
En valeur normalisée nous prendrons 8,2kΩ pour les deux.

VI) Conclusion sur le VCO en tension

Nous avons ainsi terminé le dimensionnement théorique du VCO et vérifié son bon
comportement et son adhésion aux critères du cahier des charges par simulation. Nous
allons ensuite réaliser la même chose avec le VCO attaque en courant, pour pouvoir ensuite
réaliser une étude cas réel en soudant les composants déterminés sur la carte, pour celle
des deux architectures que nous aurons choisie. Le choix va alors reposer sur le calcul
des composants et la simulation, nous résumons alors dans le tableau suivant les données
importantes que nous avons déterminées sur le VCO en tension :
Table 1 – Caractéristique du VCO en tension

Paramètres Spécification Théorie Simulation

K1 (kHz/V) 15 15 15,9
Période des oscillations (µs) 3,57 2,64 3

3.2 VCO approche en courant : Gabin et Luiza

L’oscillateur contrôlé par tension (VCO - Voltage Controlled Oscillator) est un type
d’oscillateur dont la fréquence de sortie peut être modifiée ou contrôlée par un signal de
tension d’entrée. Son fonctionnement peut être exprimé par l’équation ci-dessous :

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 16

 ωout = ω0 + K · Vcont (3.22)
Où K est le gain de conversion du VCO.
Pour sa conception, il existe plusieurs types d’architectures, mais pour notre émetteur,
nous allons concevoir un VCO à relaxation, qui utilise des composants passifs (résistances,
condensateurs) pour générer un signal périodique. Ce type de topologie est plus simple à
concevoir, mais est moins stable que d’autres méthodes, comme l’oscillateur harmonique.
Afin d’analyser les différentes possibilités de concevoir un VCO à relaxation, il a été
proposé l’étude du VCO avec attaque en tension et du VCO avec attaque en courant.
Dans cette section, étudions le VCO avec attaque en courant. C’est-à-dire que, dans
cette configuration, la charge du condensateur sera effectuée à partir du contrôle de cou-
rant. Pour ce faire, il est nécessaire d’apporter quelques modifications au schéma précédent
du VCO avec attaque en tension, vu sur la figure 7. Nous allons, donc, remplacer les ré-
sistances connectées aux bases des transistors T1 et T2 (RB1 , RB2 , RBref 1 et RBref 2 ) par
des générateurs de courant.
Dans la figure 17, on peut visualiser le schéma électrique de ce VCO.

Figure 17 – Schéma électrique de principe du VCO avec une attaque en courant.

3.2.1 Principe de fonctionnement

Nous avons détaillé le principe de fonctionnement détaillé du VCO dans la partie 3.0.1,
nous nous intéressons à présent au cas précis du VCO avec attaque en courant.
Dans le cas du VCO avec attaque en courant, la capacité se charge à travers des
sources de courant à la base des transistors PNP et RC1 ∥ RT 1 , qui est saturé et présente
donc une faible valeur Ohmique. Ainsi, l’effet des sources de courant est beaucoup plus
grand que celui de ces résistances en parallèle, puisque lorsque le transistor est saturé, il
se comporte comme une résistance, d’après l’équation 3.23.
VCEsat
RON = (3.23)
ICsat
On en déduit donc que :

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 17

 RT1
E′ = ·E ≪E (3.24)
RT1 + RC1
Ainsi, dans le cas de l’attaque en courant, la charge des capacités se fait à courant quasi
constant en régime statique, fixé par les deux sources de courant. La figure 18 montre la
simplification du circuit de charge des capacités, illustrant ce principe.

Figure 18 – Circuit de charge de la capacité C2 avec T2 bloqué et T1 saturé.

Alors, nous pouvons observer la variation de tension aux bornes du condensateur à

partir de son équation :

1 T
Z
∆vc = ic (t)dt
C 0
D’autre part, le courant dans les condensateurs est constant (Irefeq ) car il est fourni
directement par une source de courant. Ainsi, le condensateur va se charger linéairement,
comme l’exprime l’équation suivante :
Irefeq Tcharge
Vc = + Vc (0) (3.25)
C
Ainsi, comme Vc (0) = 0, le temps de charge du condensateur peut être déterminé en
connaissant la valeur de la tension finale de ses bornes, le courant qui le traverse et la
valeur de sa capacité, comme suit :
Vc
Tcharge = C
Irefeq
De plus, on a vu que cette variation de tension aux bornes du condensateur est égale
à (E − VCEsat ), la même que la variation de la tension de base, comme expliqué dans le
principe de fonctionnement du VCO, donc on a :

E − VCEsat
Tcharge = C · Irefeq (3.26)

TV CO 1
Finalement, nous savons que Tcharge = = , ainsi on peut exprimer la fré-
2 2f0
quence centrale du VCO comme suit :

Irefeq
f0 = (3.27)
2C(E − VCEsat )

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 18

3.2.2 Dimmensionnement cas idéal
Calcul des Résistances de Collecteur (RC1 et RC2 )

Tout d’abord, nous allons commencer par le calcul des valeurs des résistances RC1 et
RC2 . Comme le fonctionnement des deux transistors est identique, nous choisissons des
résistances égales comme suit : RC = RC1 = RC2 . En analysant le schéma de la figure 19
en appliquant la loi des mailles :

Figure 19 – Circuit de polarisation du transistor T1 .

E = VRC + VCEsat → VRC = E − VCEsat

Pour limiter la consommation de courant et pouvoir utiliser des résistances de 14 W,
max
nous fixons le courant de saturation maximal ICsat à 5 mA. De plus, d’après le cahier des
charge du transistor 2N2222, nous avons VCEsat = 0,3 V, donc :
E − VCEsat
RC = → RC = 600Ω (3.28)
ICmax
On va choisir comme résistance normalisée RC = 680Ω .

Calcul des courants de base minimaux (IBsat )

Lorsque le transistor est saturé, le courant fourni par la source de courant ne sert plus
à charger la capacité, mais devient le courant de base du transistor. Donc, pour que le
transistor soit saturé, ce courant de base doit être suffisant pour polariser le transistor.
Ainsi, nous devons respecter la relation suivante :
ICsat
IBsat > (3.29)
βmin
Où nous utilisons ICmax
sat
= 5 mA et, d’après le cahier des charges du transistor 2N2222,
nous prenons, pour nos conditions, βmin = 50, donc :

IBsat > 100µA (3.30)

Calcul des capacités (C1 et C2 )

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 19

 Tout d’abord, nous avons arbitrairement choisi une valeur du courant Irefeq qui permet
aux transistors d’entrer en saturation, conformément à la condition imposée par l’équation
3.30. Dans ce cas, nous allons choisir :

Irefeq = 300µA
Comme la charge des deux condensateurs est identique, nous choisissons leurs valeurs
égales comme suit : C = C1 = C2 .
De plus, notre fréquence centrale est égale à 280kHz. Ainsi, nous pouvons réécrire
l’équation 3.27 pour exprimer la valeur de la capacité :
Irefeq 300µ
C= = ≈ 178pF (3.31)
2f0 (E − VCEsat ) 2 · 280k · (3.3 − 0.3)
On choisit la valeur de la capacité normalisée : C=180pF .
Enfin, on a Irefeq = 300 µA, C = 180 pF , et donc on peut également trouver, à partir
de l’équation 3.32, le temps de charge des condensateurs :
E − VCEsat
Tcharge = C · −→ Tcharge = 1.8µs (3.32)
Irefeq
C’est-à-dire, les condensateurs mettent 1.8µs pour se charger, ce qui correspond à une
demi-période de notre VCO, qui doit avoir une fréquence centrale de 280kHz.

Si l’on considère le temps de charge pour que le condensateur se charge à 63%, on a :

τc = 0.63 · Tcharge = 1.13µs (3.33)

Calcul des résistances (REref )

Maintenant, nous nous proposons de calculer la valeur des résistances qui composent
les sources de courant Iref , cette dernière contrôlant la période de charge du condensateur
et, par conséquent, la fréquence d’oscillation du VCO.

Figure 20 – Source de courant Iref qui pilote f0 .

Pour ce faire, nous pouvons examiner le schéma de la figure 20 et écrire sa loi des
mailles, comme suit.

E = REref Iref + VEB + EB

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 20

 D’après la figure 18, comme on sait que la contribution de IB est bien plus faible que
Iref , nous allons considérer ici que Iref ≈ Irefeq , que nous avons déterminé précédemment.
Donc :
E − VEB − EB 3.3 − 0.6 − 1.65
REref = = = 4.5kΩ
Iref 300µA
Finalement, nous allons appeler les sources Iref par I3 et I4 , et, par conséquent, les
résistances REref par R3 et R4 . Ainsi, REref = R3 = R4 = 4.5 kΩ .

3.2.3 Dimmensionnement cas réel

Dans le modèle précédent, nous avons supposé que la variation de la tension collecteur,
∆VC1 = E − VCEsat , est entièrement transmise aux bases des transistors. Cependant, pour
des fréquences relativement élevées (par exemple, f = f0 ), lorsque C1 = C2 = C ≈ 150 pF
avec des transistors de type 2N2222, la discontinuité de tension au niveau de la base du
transistor T2 , ∆VB2 , est voisine de 23 ∆VC1 seulement. Ceci peut être attribué à la présence
de la capacité vue depuis la base, que l’on peut exprimer comme :

Ce2 = Cb + CT
Où Cb et CT correspondent respectivement aux capacités de diffusion et de transition
de la jonction base-émetteur.
En prenant en compte une étude approximative, nous pouvons définir une valeur
moyenne ⟨Cb ⟩ telle que :
C
∆VB = ∆VC = k∆VC (3.34)
C + ⟨Cb ⟩
Où l’on appelle k un facteur de non-idéalité qu’il faut caractériser afin d’obtenir une
EB
fréquence d’oscillations à l’état plus proche de la valeur souhaitée.
2
On estime pour le transistor 2N2222 que < Cb >= 50pF . P ourC = 180pF , on peut
faire un calcul théorique pour le facteur k. Donc :
C 180p
kthe = = = 0.78
C+ < Cb > 180p + 50p
Dans notre cas, il est possible de retrouver la valeur de k en relation avec la simulation
(ksim ) et les mesures en (kmes ). D’après le tableau 2, on peut donc calculer :
∆Vbsim 2.1
ksim = = = 0.64
∆Vcsim 3.26
∆Vbmes 1.34
kmes = = = 0.43
∆Vcmes 3.1
Avec la valeur de kmes , nous allons calculer la capacité vue de la base du transistor en
pratique. Ainsi, en considérant la valeur de notre capacité C = 180pF et avec l’équation
3.34 :
C 180p
k= −→ 0.43 = −→ Cb ≈ 240pF
C + ⟨Cb ⟩ 180p + Cb

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 21

 Maintenant, en predant en compte ce facteur de non-idéalité du transistor, on peut
determiner la nouvelle espression de la période T des oscillations. Donc, d’après l’équation
3.27 :
Irefeq Irefeq
f0 = −→ C =
2Ck(E − VCEsat ) 2f0 k(E − VCEsat )
Ainsi, on peut recalculer la valeur du condensateur, en considérant la valeur du courant
que l’on a déterminée précédemment Irefeq = 300µA, la valeur de la constante de non-
idéalité kmes = 0.43 et notre fréquence souhaitée f0 = 280kHz. On a donc une nouvelle
valeur de C = 415pF .
Cependant, comme on doit respecter la plage des capacités imposées :

100pF ≤ C ≤ 280pF
On peut diminuer alors le courant choisi au début et on prend maintenant Irefeq =
130µA. Avec cette nouvelle valeur de courant, on trouve C = 180pF .

3.2.4 Finalisation de la caractérisation du VCO en courant

Vérification de la condition de saturation de T1 et T2

Afin de garantir que les deux transistors atteignent l’état de saturation, il est nécessaire
de vérifier si le courant de base minimal est toujours respecté. À partir de l’équation 3.29,
il a été montré que, pour le transistor 2N2222, le courant de base minimal est 100 µA. En
tenant compte des capacités parasites du transistor, et en considérant Irefeq = 130 µA, la
condition est donc satisfaite.

max
Vérification de la condition de VCE pour T3 et T4

Nous souhaitons également calculer la valeur de VCEsat , la tension d’entrée maximale

des transistors. En regardant la figure 20 et en appliquant la loi des mailles, nous obtenons :

VCE = REref · Iref − E

Avec les valeurs utilisées : E = 3.3 V, REref = 2.7 kΩ, et Iref = 130 µA, nous trouvons
VCE = −2.9 V. Selon le cahier des charges des transistors PNP 2N2906, T3 et T4 peuvent
supporter des tensions allant jusqu’à VCE0 = −40 V. Les transistors choisies sont donc
adaptées à la tension qui leur est appliquée.

Expression théorique du gain de conversion du VCO (K1 )

Après l’étude complète du VCO, nous souhaitons déterminer le gain de conversion

théorique K1 . Pour ce faire, nous devons calculer la dérivée de la fréquence en fonction
de la tension EB .

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 22

 Figure 21 – Source de courant IB1 .

D’après la figure 21, le courant IB1 peut s’exprimer ainsi :

E − VEB − EB
IB1 =
RE1
Ensuite, nous considérons, pour l’instant, que IB1 ≈ Iref eq , car la source IB1 pilote le
gain du VCO. En remplaçant cette expression dans l’équation 3.27, nous obtenons :
E − VEB − EB
f0 =
2RE1 C(E − VCEsat )
Le gain de conversion est donné par la dérivée partielle de l’expression de la fréquence
centrale par rapport à la tension EB :

∂f0 (EB ) −1
K1 = =
∂EB 2RE1 C(E − VCEsat )
Étant donné que le gain de conversion souhaité est K1 = 15kHz/V , en remplaçant
cette valeur dans l’expression précédente, nous pouvons déterminer la résistance RE1 :
−1
RE1 = ≈ 62 kΩ
2K1 C(E − VCEsat )
Étant donné que le fonctionnement est symétrique, nous avons RE1 = RE2 = 62 kΩ.
Avec cette valeur de résistance, on trouve un gain de conversion théorique de K1the =
14.9kHz/V .

3.2.5 Ajustement de la fréquence porteuse f0

La fréquence centrale (f0 ) de fonctionnement du VCO peut être affectée par les valeurs
normalisées et la tolérance des composants. Ainsi, pour permettre d’ajuster cette fréquence
f0 , on va ajouter un circuit. Tout d’abord, on a montré que la période des oscillations
est proportionnelle au courant de charge de la capacité C et, par conséquent, on peut
aisément changer la fréquence d’oscillation du VCO en ajustant ce courant. Pour ce faire,
on va dimensionner un circuit avec un potentiomètre qui permettra de régler Iref , ce qui
ajustera f0 .
Pour ce circuit, on a la structure suivante :

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 23

 Figure 22 – Structure du Potentiomètre.

Comme l’intention du circuit du potentiomètre est de créer un diviseur de tension

pour contrôler la tension EB (t) qui arrive à RE , on peut exprimer son fonctionnement par
l’équation suivante :

(1 − α)P0 + R2
EB = ·E (3.35)
R1 + R2 + P0
On va utiliser un potentiomètre P0 = 4.7 kΩ et il faut choisir R1 et R2 de façon à
régler la fréquence centrale dans la plage f0 ± 25%. Donc, si on considère les cas limite :

1.25f0 = 350kHz =⇒ Emax = 1.9V
0.75f0 = 210kHz =⇒ Emin = 1.53V
Ensuite, en utilisant l’équation 3.35, on peut exprimer les expressions de Emax et Emin .
En remplaçant ces valeurs, ainsi que E = 3.3 V et P0 = 4.7 kΩ, on peut calculer les valeurs
des résistances.
R2

 EBmin =
 ·E
R1 + R2 + P0 =⇒ R1 ≈ 17.8kΩ et R2 ≈ 19.4kΩ
P0 + R2
 EBmx =
 ·E
R1 + R2 + P0
En valeur normalisée, nous prenons R1 = 18kΩ et R2 = 18kΩ.
De plus, on doit calculer le valeur de la capacité de filtrage entre la sortie du po-
tentiomètre et la masse. Nous devons d’abord calculer la résistance équivalente vue par
Cf iltre :

(R1 + 0.5P0 ) · (R2 + 0.5P0 )

Req = (R1 + αP0 )//(R2 + (1 − α)P0 ) =
R1 + R2 + P0
Comme le parallèle d’une capacité avec des résistances caractérise un filtre passe-haut,
on peut examiner l’expression de la fréquence de coupure de ce type de filtre, donc :
1
fc = (3.36)
2πRC
On sait que la fréquence minimale du modulant doit être 50 Hz et que R = Req , ainsi :
1
Cf iltre =
2πReq fc

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 24

 En valeur normalisée, nous prenons C = 12µF .

3.2.6 Simulation
Schéma de simulation

Pour analyser le fonctionnement du VCO et évaluer ses performances, un schéma de

simulation a été réalisé sous PSpice. La figure 23 présente ce schéma en détail, utilisé pour
les simulations et analyses ultérieures.

Figure 23 – Schéma de simulation.

Visualisation de ∆Vc et ∆Vb

Dans cette partie, nous allons mesurer la fréquence de commutation de notre VCO
ainsi que les valeurs de ∆Vc et ∆Vb .

Figure 24 – Tension Vc (t).

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 25

 Figure 25 – Tension Vb (t).

Sur les figures 24 et 25, on observe les variations de tension aux bornes du collecteur
et de la base des transistors qui commutent. Ces variations sont données par :

∆Vc = 3.26 V
∆Vb = 2.10 V
∆Vb
Ainsi, on constate que le rapport , exprimé comme le facteur de non-idéalité k
∆Vc
abordé dans la section 3.2.3, est :
∆Vbsim 2.1
ksim = = = 0.64.
∆Vcsim 3.26
Cela correspond à la valeur théorique attendue de notre étude de cas réel, où ∆Vb =
2
∆Vc .
3
Visualisation du gain de conversion K1

Pour évaluer la performance du VCO, nous procédons à une simulation afin de visuali-
ser le gain de conversion K1 . Ce paramètre représente la sensibilité du VCO à la variation
de la tension d’entrée EB et est donné par l’équation :
∂f0
K1 =
∂EB
Les résultats de la simulation montrent l’évolution de la fréquence f0 en fonction de
EB . La figure 26 illustre le comportement linéaire attendu, confirmant la relation entre
f0 et EB . À partir de la pente de cette courbe, nous déterminons K1 , donc :

K1sim = −14.1kHz/V

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 26

 Figure 26 – Visualisation du gain de conversion K1 .

Analyse de Monte Carlo

Afin de mieux comprendre la variation de la fréquence d’oscillation du VCO, nous

réalisons une analyse statistique appelée analyse de Monte Carlo. Cette analyse permet
d’observer l’effet des variations des valeurs des composants sur la fréquence d’oscillation.
Dans un premier temps, nous analysons la valeur de f0 pour des résistances avec une
tolérance de 5%. Pour ce faire, une simulation de type Monte Carlo/Worst Case est
effectuée sur Pspice, en considérant une distribution uniforme pour les résistances et un
nombre de runs égal à 250. Le résultat est l’histogramme des fréquences d’oscillation de
la tension au collecteur du transistor T2 (signal de sortie), présenté dans la figure 27.

Figure 27 – Analyse de Monte Carlo.

On observe que les fréquences sont centrées autour de 304 kHz. Toutefois, la variation
des résistances influence considérablement la fréquence d’oscillation, avec un écart-type
de σR = 16 236.9 Hz.

3.2.7 Bilan
Enfin, à l’issue de l’étude du VCO avec attaque en courant, il a été possible de com-
prendre la structure utilisée pour ce circuit ainsi que les implications de chaque composant
sur ses performances finales. On peut revoir, sur la figure 28, le schéma du VCO accom-
pagné de ses annotations.

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 27

 Figure 28 – Schema du VCO avec attaque en courant expliqué.

De cette façon, on peut bien distinguer les fonctions de chaque partie du VCO à
courant :
— Structure de commutation (en vert) : Cette structure est le cœur du VCO et est
responsable de la génération des oscillations du signal du VCO. Cela se fait à partir
de la charge et décharge des condensateurs, C1 et C2 , qui polarisent alternativement
les transistors, T1 et T2 (de type 2N2222). Les résistances de collecteur, RC1 et RC2 ,
servent à limiter le courant de saturation.
— Sources Iref (en rose) : Constituées par 2 transistors, T3 et T4 (de type 2N2906), et
2 résistances, R3 et R4 , elles servent à réguler la courant de charge du condensateur,
autrement dit, la vitesse de charge et, par conséquent, la fréquence centrale du VCO.
— Potentiomètre (en orange) : Sert à réguler la tension de base, Vref , des transistors
T3 et T4 , ce qui permet de contrôler le courant de charge du condensateur et, par
conséquent, la fréquence centrale du VCO.
— Sources IB (en bleu) : La deuxième source de courant est responsable de contrôler
le gain de conversion du VCO, car elle influence le courant de base des transistors,
et par conséquent, le taux de variation de la fréquence par rapport à la variation
de la tension de contrôle. En ajustant le courant de cette source, ce que l’on fait en
modifiant les résistances RE1 et RE2 , on peut augmenter ou diminuer la réponse du
VCO aux variations de tension, ce qui détermine le gain de conversion.
Ci-dessous, nous pouvons comparer les caractéristiques de performance de notre VCO
par rapport à l’étude théorique, à la simulation et à la mesure.

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 28

 Table 2 – Comparaison Spécification ,Théorie, Simulation et Mesure.

Paramètres Spécification Théorie Simulation Mesure

Fréquence (kHz) 280kHz 277kHz 303KHz 279.4 KHZ
∆VB (V) - 2.2 2.1V 1.34V
∆Vc (V) - 3.3 3.26V 3.1V
τC (s) - 758ns 665ns 403.4ns
Plage de Fréquence (kHz) 210 - 350
K0 (kHz/V) 15 14.9 14.1 45

3.3 Conclusion
Après avoir réalisé le VCO avec attaque en tension et en courant, nous avons opté
pour la version à attaque en courant pour la suite du projet. Nous avons observé que,
dans le cas du VCO avec attaque en tension, la relation entre la tension d’entrée EB (t)
et la fréquence des oscillations f0 est de nature logarithmique. Par conséquent, la relation
linéaire observée dans le VCO avec attaque en courant s’avère plus adaptée pour satisfaire
le critère de linéarité spécifié dans le cahier des charges.

3.4 Mesures Expérimentales du VCO

Grâce au dimensionnement précédent du VCO attaque en courant, nous avons pu
souder les composants sur une carte et ainsi réaliser des mesures expérimentales.

Figure 29 – PCB du VCO en courant

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 29

Mesure de ∆Vc et ∆Vb

Dans cette partie, nous allons mesurer la fréquence de commutation de notre VCO
ainsi que les valeurs de ∆Vc et ∆Vb .

Figure 30 – Tension VB1 : Mesures de ∆VB

Figure 31 – Tension VC : Mesures de ∆VC

Sur les figures 30 et 31, on observe les variations de tension aux bornes du collecteur
et de la base des transistors qui commutent. Ces variations sont données par :

∆Vc = 3.10 V
∆Vb = 1.34 V
∆Vb
Ainsi, on constate que le rapport , exprimé comme le facteur de non-idéalité k
∆Vc
abordé dans la section 3.2.3, est :
∆Vbmes 1.34
kmes = = = 0.43.
∆Vcmes 3.10

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 30

Mesure de la fréquence d’oscillation (f0 )

Figure 32 – Affichage de la commutation du VCO à la fréquence f0

Nous avons ajusté la valeur du potentiomètre afin d’obtenir cette fréquence de com-
mutation qui correspond
Nous répertorions toutes les mesures dans le tableau situé à la fin de cette partie.

Temps de montée de la tension Vc

Nous avons également réalisé une mesure du temps de montée de la tension Vc et avons
observé τc = 403.9 ns.

Figure 33 – Tension VC : Mesures de du temps de montée

Mesure du gain de conversion K1

On finalise notre étude par la caractérisation du VCO en courant et donc par la

détermination du gain de conversion K1 .

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 31

 Figure 34 – Caractérisation du VCO Simulation

Sur la simulation nous obtenons un gain de Ksim = −14kHz/V .

On obtiens l’erreur suivante :

|K1 − Ksim | 15 − 14.1

ϵsimu = = = 6%
K1 15

Figure 35 – Caractérisation du VCO Mesure

Sur le montage nous obtenons un gain de Krel = −45kHz/V

On obtiens l’erreur suivante :

|K1 − Kreel | |15 − 45|

ϵreel = = = 200%
K1 15
On notera que cette erreur est anormalement élévé. Et que la fréquence souhaitée se
trouve à la fin de la plage accessible et non au centre.
Pour modifier cela, nous allons devoir modifier la valeur des résistances ainsi que celle
des condensateurs.

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 32

FFT du signal de sortie

Néanmoins la fréquence f0 étant accessible, on peut utiliser un oscilloscope en mode

FFT. Cette méthode permet de convertir le signal temporel en un spectre fréquentiel,
avec des axes représentant l’amplitude en fonction de la fréquence. Ainsi, il devient pos-
sible d’identifier les différentes fréquences constituant le signal ainsi que leurs amplitudes
respectives.
En mettant en entrée un signal constant d’amlplitude 1.65V. On obtient la FFT sui-
vante :

Figure 36 – FFT du signal de sortie

On remarque que le pic se situe bien au niveau de la fréquence f0 souhaitée.

4 Circuits de commande de la diode électrolumines-

cente
Nous allons nous intéresser dans cette partie à l’étude du transmetteur optique, qui
permet de convertir la tension modulée en un flux lumineux infrarouge.

Le cahier des charges prévoit un courant moyen de polarisation de la diode électrolu-

minescente infrarouge (DEL) ⟨I0 ⟩ = 25 mA. Si nous admettons un taux cyclique de 50%
(signal carré), la DEL sera alimentée avec un courant de crête Icc = 50 mA = I0 . Nous
utiliserons la diode CQY89A.

4.1 Préparation
4.1.1 Modélisation de la diode électroluminescente
A partir de la datasheet, nous allons déterminer les paramètres du modèle.

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 33

 Résistance série

La caractéristique IF = f (VF ) est donnée par le constructeur. Rs représente l’inverse

de la pente de cette caractéristique pour de forts courants.

Figure 37 – Détermination de Rs

On relève deux points sur la courbe :


Point rouge (1.3 , 40)
Point orange (1.4 , 100)
Nous calculons donc Rs à partir des points relevés sur la courbe, on obtient :
1.4 − 1.3
Rs = = 1.67Ω
100 − 40
Courant de saturation
 VF

Is se calcule à partir de la relation IF = Is e n UT
−1 .
D’où on peut en déduire le courant de saturation Is :
IF
Is = VF
e n UT
−1
◦
Dans notre situation ( T = 20 C) :

 VF = 1.41 V
IF = 100 mA
n = 1.634


Avec les valeurs données ci-dessus, on obtient finalement

Is = 3.86 × 10−16 A

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 34

 Capacité de jonction

On extrait cette donnée de la datasheet de la DEL :

Figure 38 – Capacité de jonction de la DEL CQY89A

Ainsi Cj = 40pF .

4.2 Commutation de la DEL avec le Bipolaire (Amandine et Ka-

lynne)
Nous allons étudier la transmission utilisant des transistors Bipolaire. Donc, nous
allons considérer le schéma suivant, où la tension issue du VCO est égale à E. Ainsi le
transistor Q6 fonctionne en bloqué/sature :

Figure 39 – Structure du circuit d’excitation DEL avec un transistor Bipolaire

Dans ce circuit, nous avons besoin d’un composant pour réaliser l’adaptation de ten-
sion. Ainsi, le transistor Q5 fonctionne comme un amplificateur à collecteur commun,
opérant donc en mode linéaire. En conséquence de cela nous souhaitons que Q6 ait deux
modes de fonctionnement :
1. Bloqué avec I0 = 0A
2. Saturé avec I0 = 50mA
D’après les données constructeur, la tension seuil de la LED VF vaut 1,3V lorsqu’elle
est parcourue par un courant I0 de 50mA (voir figure 37).
Avec la loi des mailles, on calcule la valeur de R6 , qui est la valeur de la résistance
qui limite le courant du collecteur de Q6 ; on a VB6 = VCEsat = 0,3V, et IC6 =I0 en mode
saturé :
Vdd − VF − VCEsat
R6 = → R6 = 34Ω. (4.1)
IC6

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 35

 Cependant, nous prendons la valeur normalisée R6 = 33Ω pour calculer la puissance.
Donc, on trouve la puissance disipée :
1
P = ( )R6 I02 = 0.04125W (4.2)
2
Ainsi un boîtier 1/4 de W est suffisant pour dissiper la chaleur de la résistance.
Pour maintenir le Q6 dans l’état bloqué, la tension en RB6 doit être inférieure à celle
en VBE . Donc, on observe les deux états possibles à la sortie du VCO : bas et haut. Dans
l’état bas nous avons la sortie égale a VCEsat et par conséquent VE de Q5 < VCEsat de Q6 .
Dans l’état haut, on a juste besoin de chercher une résistance qui assure que le courant
IB6 soit tel que :
IC6
IB6 > → IB 6 > 1mA (4.3)
β
Pour garantir que le transistor Q6 soit saturé. Donc, avec la loi des mailles on trouve :
3.3 − 2VBEsat
RB6 = → RB6 = 2.1kΩ (4.4)
IB6
Pour déterminer RE5 , on simplifie IRE5 ≈ IB6 . Donc, on cherche la valeur de RE5 , qui
permet de diminuer la résistance dynamique r5 .
3.3 − VBEsat
RE5 = → RE5 = 2.7kΩ (4.5)
IB6
De plus, on cherche la résistance RC5 qui n’a qu’un rôle de protection. Fondamentalement,
cette résistance va s’assurer que Q5 soit toujours en zone active.
Vdd − RE5 IB6 −VCEsat
RC5 = → RC5 = 150Ω (4.6)
2IB6
Nous avons ainsi déterminé tous les composants de notre dispositif, nous le simulons
à présent sur Pspice :

Figure 40 – Schéma électrique du transmetteur optique avec transistors bipolaires

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 36

 Nous réalisons une simulation temporelle et observons l’évolution de la tension (courbe
rouge) et du courant (courbe verte) traversant la diode :

Figure 41 – Evolution temporelle du courant et de la tension aux bornes de la diode

Nous mesurons grâce aux curseurs le temps de montée de la tension aux bornes de la
diode qui s’élève à 339 ns .

4.3 Commutation de la DEL avec le MOS (Gabin et Luiza)

Intéressons-nous désormais à l’étude d’une transmission utilisant des transistors MOS.
Le schéma suivant est proposé :

Figure 42 – Structure du circuit d’excitation DEL avec un transistor MOS

Contrairement au circuit transmetteur à transistor bipolaire, l’étage du transistor Q5

n’est pas nécessaire. Celui-ci servait à limiter le courant, mais cela n’est plus utile, car
le transistor MOS Q6 est contrôlé en tension sur sa grille. Ainsi, il peut être directement
piloté par la tension de sortie du VCO.
Nous utiliserons donc le montage suivant

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 37

 Figure 43 – Structure du circuit d’excitation DEL avec un transistor MOS

En ce qui concerne le cahier des charges, le courant de la LED I0 reste inchangé.

(I0 = 50mA)

4.3.1 Détermination des valeurs des composants

Comme le transistor Q5 n’est pas nécessaire, le seul composant à déterminer est la
résistance RD .
Dans un premier temps, calculons la valeur de la résistance RDSon , qui modélise le
transistor MOS. L’équation est la suivante :
VDSon 0.14 V
RDSon = = = 1.4 Ω
I0 100 mA
avec VDSon = 0.14 V pour un courant I0 = 100 mA, d’après la datasheet du composant.

Maintenant, calculons la résistance RD grâce à la loi des mailles. Pour modéliser la

diode DEL, nous la considérons comme une source de tension VF = 1.4 V. Ainsi, nous
avons :

VDD − RD I0 − VF − RDSon = 0
d’où :

VDD − VF − RDSon 5 − 1.4 − (1.4 × 0.05)

RD = = = 36.4 Ω
I0 0.05
Nous prendrons la valeur normalisée RD = 39 Ω.

La puissance dissipée par RD est alors donnée par :

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 38

 1
P = RD I02 = 0.0875 W
2
Nous pouvons donc utiliser un boîtier de type 1/4 W.

Nous pouvons à présent dessiner le circuit dans Pspice :

Figure 44 – Structure du circuit d’excitation DEL avec un transistor MOS

Nous simulons notre circuit dans le domaine temporel et nous visualisons la tension
et le courant en sortie :

Figure 45 – Commutation de la diode avec transistor MOS

Nous pouvons ainsi mesurer le temps de commutation du transistor MOS :

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 39

 Figure 46 – Mesure du temps de commutation de la diode avec transistor MOS

Nous obtenons un temps de montée de 22,5ns .

4.4 Conclusion
Après avoir étudié les deux architectures pour le transmetteur optique, l’une à transis-
tor bipolaire et l’autre à transistor MOS, nous avons opté pour celle utilisant le transistor
MOS. En effet, ce dernier présente un temps de commutation plus court par rapport au
transistor bipolaire (22,5 ns contre 339 ns), et nécessite un nombre réduit de composants
pour la mise en œuvre du transmetteur à transistor MOS. Par conséquent, dans la mesure
où nous visons à minimiser le temps de commutation pour notre système, l’architecture
à transistor MOS s’avère être la meilleure solution.

5 Filtre audio d’entrée

Nous allons dans cette dernière partie dimensionner le filtre audio d’entrée de l’émet-
teur.
Le filtre audio a pour fonction de limiter le spectre du signal audio avant transmission
et d’effectuer un filtrage de préaccentuation. Le gabarit du filtre est montré sur la figure
47.

Figure 47 – Gabarit du filtre d’entrée.

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 40

 Il existe un très grand nombre de solutions capables de satisfaire le cahier des charges,
mais dans ce projet, nous allons en utiliser à partir de structures élémentaires de filtres
actifs à amplificateur opérationnel. Le schéma du filtre est montré sur la figure 48.

Figure 48 – Schéma électrique du filtre d ’entrée.

5.1 Etude théorique

Dans cette section, nous allons discuter de certains aspects caractérisant le filtre choisi,
puis nous allons concevoir les valeurs des composants.

5.1.1 Le Gain de Plateau

Le gain du plateau d’un filtre est un paramètre crucial qui décrit le comportement
du filtre dans la bande passante, c’est-à-dire dans la gamme de fréquences où le filtre
n’introduit aucune distorsion notable. Il représente la quantité par laquelle un signal est
atténué lorsqu’il traverse le filtre, dans la plage de fréquences qui n’est fortement modifiée.
Donc, pour un sigal modulant à 400Hz avec veCC = 1, nous avons la relation suivante :
2∆f
2∆f = K1 · Avm · veCC −→ Avm = (5.1)
K1 · veCC
Notre excursion en fréquence est fixée à 2∆f = 15kHz et pour le VCO, en pratique,
nous avons K = 45kHz/V , ainsi :

Avm = 0.33 −→ Avm,dB = 20 log(0.33) −→ Avm,dB = −21.97dB (5.2)

Cela veut dire que l’amplitude des fréquences moyennes du signal audio d’entrée sera
augmenté à environ 6% après passage par le filtre.

5.1.2 Fonction de Transfert du Filtre

Maintenant, on veut déterminer la fonction de transfert globale du filtre. Dans un
premier temps, nous allons déterminer la fonction de transfert associée au premier étage,
vs1
, où vs1 est la tension de sortie du premier amplificateur opérationnel A1 et ve est la
ve
tension d’entrée.

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 41

 Ensuite, on peut également développer la fonction de transfert du deuxième étage,
vV CO
, où vV CO est la tension de sortie du filtre et vs2 est la tension d’entrée du deuxième
vs2
étage, après la capacité de filtrage C3 .
Finalement, on peut multiplier les fonctions de transfert des deux étages pour trouver
le fonction de transfert globale. Ici on considere que les amplificateur operationnels sont
ideaux et que le potentiometre P1 à sa valeur maximale (α = 1).

Premier Étage

D’abord, on sait que l’impédance d’entrée de l’amplificateur opérationnel est très éle-
vée, donc on considère que le courant ne passe pas par ce composant. En effectuant l’ana-
lyse nodale à l’entrée inverseuse du premier amplificateur opérationnel, on peut relier les
courants qui y arrivent :

Ve − V − Vs1 − V −
=−
1 1
R1 + R2 //
C1 p C2 p
Comme pour un amplificateur opérationnel, on sait que V − = V + , on peut exprimer
la fonction de transfert du premier étage comme :
Vs1 R2 1 R1 C1 p
H1 (p) = =− · · (5.3)
Ve R1 1 + R2 C2 p 1 + R1 C1 p
Deuxième Étage

Pour le calcul de la fonction de transfert du deuxième étage, on ne va pas prendre en

compte la capacité C3 , car sa fonction est uniquement de filtrer la composante continue
provenant du premier étage. Ainsi, en faisant l’analyse nodale à l’entrée inverseuse du
deuxième amplificateur opérationnel, on peut relier les courants qui y arrivent :

Vs2 − V − V −V−
  = − V CO
1 R5
R3 // R4
C4 p
Comme pour un amplificateur opérationnel, on sait que V − = V + , on peut exprimer
la fonction de transfert du deuxième étage comme :

VV CO R5 1 + (R3 + R4 )C4 p
H2 (p) = =− · (5.4)
Vs2 R3 1 + R4 C4 p
Filtre Global

Maintenant, en reliant les deux étages, nous pouvons développer la fonction de trans-
fert globale du filtre, comme ci-dessous.

   
R2 1 R1 C1 p R5 1 + (R3 + R4 )C4 p
H(p) = H1 (p)H2 (p) = − · · × − ·
R1 1 + R2 C2 p 1 + R1 C1 p R3 1 + R4 C4 p

VV CO R2 R5 1 R 1 C1 p 1 + (R3 + R4 )C4 p
H(p) = = · · · (5.5)
Ve R1 R3 1 + R2 C2 p 1 + R1 C1 p 1 + R4 C4 p

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 42

5.1.3 Expressions du Gain et des Fréquences de Coupure
Ensuite, avec la fonction de transfert du filtre, on peut observer des informations
importantes pour notre montage, comme l’influence de chaque composant sur les perfor-
mances du filtre. On peut faire cela en examinant chaque terme de la fonction de transfert
et en les reliant au type de filtrage qu’il réalise, comme suit.
— Premier terme : Représente le gain ("K") du filtre.

R2 R5
Avm = (5.6)
R1 R3

— Deuxième terme : Représente un filtre passe-bas. Donc, en comparant ce terme avec

la forme de la fonction du filtre passe-bas de premier ordre, on peut déterminer
tout d’abord la constante de temps du circuit, puis en déduire l’expression de sa
fréquence de coupure, comme suit.
1 1
Hpb (p) = où τ = RC et fc =
1 + τp 2πRC

1 1
H(2) (p) = où fch =
1 + R2 C2 p 2πR2 C2

— Troisième terme : Répresente un filtre passe haut. Donc, en comparant ce terme avec
la forme de la fonction du filtre passe-haut de premier order, on peut déterminer
tout d’abord la constante de temps du circuit, puis en déduire l’expression de sa
fréquence de coupure, comme suit.
p 1
Hph (p) = où τ = RC et fc =
1 2πRC
1+
τ

R1 C1 p 1
H(3) (p) = où fcb =
1 + R1 C1 p 2πR1 C1

Dans ce cas, on doit prendre en compte la capacité de filtrage C3 , car son rôle est de
supprimer la composante continue (CC), c’est-à-dire les composantes de très basse
fréquence. Autrement dit, cette capacité va également agir comme un filtre passe-
haut, ce qui crée deux filtres passe-haut en cascade. Ainsi, on doit utiliser la relation
suivante pour déterminer la nouvelle fréquence de coupure de chaque partie :

f0
fcb = √ avec n = 2 et fcb = 50Hz donc f0 = 32Hz
21/n −1

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 43

 — Quatrième terme : Représente un filtre d’avance de phase. Donc, en comparant ce
terme avec la forme de la fonction du filtre d’avance de phase, on peut en déduire
l’expression de ses fréquences de coupure, comme suit.

1 + τ1 p 1 1
Hap (p) = où τ1 = RC , τ2 = R′ C ′ et fc1 = , fc2 =
1 + τ2 p 2πRC 2πR′ C ′

1 + (R3 + R4 )C4 p 1 1
H(4) (p) = où fz = et fch =
1 + R4 C4 p 2π(R3 + R4 )C4 2πR4 C4

Si l’on rappelle notre cahier des charges sur la figure 47, on peut exprimer les valeurs
de toutes les fréquences de coupure en relation avec chaque terme.

1 1

 fch = = = 6kHz
2πR2 C2 2πR4 C4



 1 1
fcb = = = 32Hz (5.7)
 2πR1 C1 2πR3 C3

 1
 fz = = 800Hz


2π(R3 + R4 )C4

5.1.4 Dimensionnement des Composants

Maintenant, nous pouvons déterminer les valeurs des composants, sachant les expres-
sions des fréquences de coupure et des exigences du cahier des charges.
— R1 ) Premièrement, pour le cahier de charges, nous souhaitons avoir une impédance
d’entrée RE = 50kΩ à 400Hz. Comme à cette fréquence, C1 se comporte comme
un court circuit, on a :

RE = R1 + Rg −→ R1 = 50k − 50 −→ R1 = 49.95kΩ
En valeur normalisée, nous prenons R1 = 47kΩ.
— C1 ) A partir d’équation 5.7 et en utilisant le valeur du R1 :

1
= 32Hz −→ C1 = 105.8nF
2πR1 C1
En valeur normalisée, nous prenons C1 = 100nF .
—
— R2 ) On impose, par choix, que R2 soit égal à R1 pour que le premier étage ait un
gain unitaire, conformément à sa fonction de transfert dans l’équation 5.3. Ainsi,
R2 = 47 kΩ.
— C2 ) A partir d’équation 5.7 et en utilisant le valeur du R2 :

1
= 6kHz −→ C2 = 564.4pF
2πR2 C2
En valeur normalisée, nous prenons C2 = 560pF .
—

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 44

 — R4 ) On impose, par choix, que R4 = 10kΩ.
—
— C4 ) A partir d’équation 5.7 et en utilisant le valeur du R4 :

1
= 6kHz −→ C′ =2.65nF
2πR4 C4
En valeur normalisée, nous prenons C4 = 2.7nF .
—
— R3 ) A partir d’équation 5.7 et en utilisant les valeurs de R4 et C4 :

1
= 800Hz −→ R3 = 63.7kΩ
2π(R3 + R4 )C4
En valeur normalisée, nous prenons R3 = 68kΩ.
—
— C3 ) A partir d’équation 5.7 et en utilisant le valeur du R3 :

1
= 32Hz −→ C3 = 73.14nF
2πR3 C3
En valeur normalisée, nous prenons C3 = 68nF .
— R5 ) Enfin, à partir de l’équation du gain 5.6 et de sa valeur que nous avons calculée
pour notre cas dans l’équation 5.2, on peut en déduire la valeur pour R5 .

R2 R5 R1 R3 10k · 68k
Avm = −→ R5 = Avm −→ R5 = 0.33 · −→ R5 = 22.4kΩ
R1 R3 R2 10k

En valeur normalisée, nous prenons R5 = 22kΩ.

5.2 Résultats de simulation et mesure

Maintenant que nous avons à disposition la valeur de chaque composant du filtre nous
pouvons écrire le schéma sur Pspice :

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 45

 Figure 49 – Schéma électrique du filtre audio d’entrée

Après avoir vérifié en simulation les valeurs des composants, nous les avons soudés sur
le PCB afin de mesurer le diagramme de Bode réel du filtre.

Figure 50 – PCB du filtre avec transmetteur MOS

Nous avons simulé et mesuré les deux diagrammes de Bode du filtre. Nous les avons
superposés sur la figure 51.

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 46

 Figure 51 – Diagramme de Bode du filtre audio d’entrée simulé et mesuré

Nous pouvons détailler les points remarquables dans le tableau suivant :

Table 3 – Filtre Audio d’entrée

Paramètres Théorie Simulation Mesure

Avm 0.33 1 0.31
fcb 50Hz 50 Hz 50Hz
fz 800Hz 700 Hz 660 Hz
fch 6kHz 7kHz 40 kHz

Nous pouvons faire les observations suivantes :

— Simulation : Nous n’avons pas modifié les paramètres de simulation afin d’obtenir
le gain Avm qui permet de contrebalancer notre K élevé que nous avons obtenu avec
la maquette. C’est un oubli de notre part.
— Simulation : Excepté ce gain élevé le gabarit du filtre est respecté et correspond au
gabarit.
— Mesure : On observe que la fréquence de coupure fch du système réel ne convient
pas.
— Mesure : Excepté cette fréquence de coupure trop élevée le gabarit du filtre est
grossièrement respecté.

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 47

6 Conclusion
Nous pouvons répertorier les différentes mesures réalisées sur notre émetteur ainsi que
les spécifications attendues par le cahier des charges.
Table 4 – Performances du VCO et de la chaîne

VCO
Paramètres Specifications Mesures
Tension d’alim (V) 3.3 3.3
Architecture x Courant
f0 (kHz) 280 280
Plage de fréquence (kHz) [210, 350] [275, 415]
K0 (kHz/V) 15 45

Table 5 – Performances du Filtre

Filtre audio
Paramètres Spécifications Mesures
Tension d’alim (V) 3.3 3.3
fcb 50 Hz 50 Hz
fch 6kHz 40kHz
fz 800Hz 660 Hz
Avm (dB) x 0.33

Table 6 – Commande de la DEL

Commande de la DEL
Paramètres Spécifications Mesures
Tension d’alim (V) 3.3 3.3
Techno x MOS

Pour conclure, les performances du VCO ne sont actuellement pas conformes au cahier
des charges. Il nous faut donc modifier certaines valeurs de composants afin de palier aux
soucis liés au passage de la simulation au montage réel.
Les performances du filtre sont satisfaisantes, mis à part pour la fréquence de coupure
haute, que nous pourrons modifier en augmentant R4 ou C4 .
Quant à la commande de la DEL, nous n’avons pas eu le temps de réaliser une étude
et des mesures précises sur les temps de montée et descente de celle-ci. Nous pouvons
juste indiquer que nous utilisons des transistors MOS pour réaliser la commande de cette
dernière.

Nous avons ainsi terminé la conception du premier module de notre émetteur-récepteur.

Nous avons commencé par le dimensionnement du VCO, étape très importante car ce

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 48

module constitue le coeur de la conversion tension-fréquence. Ce module était également
nouveau pour nous et nous l’avons découvert sous deux formes, avec une attaque en ten-
sion et une attaque en courant, avec un choix final portant sur l’attaque en courant à
cause de sa meilleure linéarité autour de la fréquence centrale.
Nous avons poursuivi l’étude du VCO par le dimensionnement du dispositif en sortie
de l’émetteur, le transmetteur optique dôté d’une LED, module clé pour la transmission
sans fil du signal. Ici encore nous avions le choix entre deux architectures et nous avons
opté pour l’utilisation de transistors MOS afin de simplifier le montage et de réduire le
temps de commutation de la DEL.
Nous avons fini le dimensionnement par le filtre d’entrée, avec une démarche plus
classique car il est composé de filtres avec AOP. Le plus difficile a été d’obtenir des
fréquences de coupure les plus proches possibles du gabarit, car dans ce cas là les exigences
sont moins souples car il ne s’agit pas d’une plage de valeurs mais de valeurs précises.
Ce projet, qui nous a occupés pendant plusieurs mois, nous a permis de progresser
non seulement dans nos compétences théoriques en dimensionnement de circuits, mais
également, et de manière encore plus marquante, dans le développement de notre esprit
critique. Nous avons progressivement appris à dépasser la simple perspective des cal-
culs théoriques pour prendre du recul sur les écarts entre expérimentation, simulation
et théorie. Les résultats des tests nous ont également montré l’importance d’utiliser des
composants précis, dont les caractéristiques sont bien maîtrisées.

Nous souhaitions également remercier l’équipe enseignante pour leur disponibilité et

aide précieuse lors de ce projet.

Projet Analogique Rapport- Partie Emetteur 49