DUT Énergies
Renouvelables
Université Cadi Ayyad
École Supérieure de Technologie d’Essaouira
Département Environnement et Énergies Renouvelables
COMPTE RENDU DE
Transistor Bipolaire : Amplificateur Émetteur Commun
Module : électronique et analogique
Encadrant : Professeur BOUKHRISS
Séance du : 13 mai 2025
Durée : 2 heures
Réalisé par :
• Laila Faik
• ghita wifak
• hibat Allah jama
• khadija iguernane
Document pédagogique - EST Essaouira - Version du 13 mai 2025
Table des matières
1 Introduction 3
1.1 Contexte théorique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2 Objectifs du TP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3 Méthodologie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2 TP - Amplificateur Émetteur Commun 4
2.1 Matériel utilisé . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.2 Polarisation DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
3 Résultats de mesures 4
3.1 Analyse AC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
4 Résultats de mesures 4
4.1 Observations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
4.2 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2
1 Introduction
Les transistors bipolaires constituent l’un des composants fondamentaux de l’électronique
analogique moderne. Ce travail pratique a pour objectif d’étudier le comportement d’un
transistor bipolaire NPN (type 2N2222A) configuré en amplificateur émetteur commun,
configuration largement utilisée dans les étages d’amplification de signaux faibles.
1.1 Contexte théorique
Le transistor bipolaire, inventé en 1947 par Bardeen, Brattain et Shockley aux la-
boratoires Bell, repose sur le principe de l’amplification par contrôle du courant. Dans
notre étude, nous nous intéressons plus particulièrement :
— Au point de fonctionnement en régime statique (polarisation DC)
— Aux caractéristiques d’amplification en régime dynamique (comportement AC)
— À la stabilité thermique du montage
— Aux impédances d’entrée et de sortie
1.2 Objectifs du TP
Cette manipulation vise à :
1. Vérifier expérimentalement les lois de base du transistor bipolaire
2. Maı̂triser les techniques de polarisation d’un amplificateur
3. Mesurer les paramètres caractéristiques (β, VBE , VCE )
4. Déterminer le gain en tension de l’étage amplificateur
5. Analyser l’influence de la fréquence sur la réponse du montage
1.3 Méthodologie
L’étude s’est déroulée en trois phases distinctes :
Phase 1 : Polarisation du transistor et mesure des paramètres DC
Phase 2 : Analyse du comportement dynamique (gain, impédances)
Phase 3 : Vérification de la stabilité et des performances
Nous avons utilisé une approche comparative entre :
— Les résultats théoriques (calculs préliminaires)
— Les simulations (logiciel Proteus)
— Les mesures expérimentales (oscilloscope, multimètres)
Cette introduction présente le cadre général de notre étude dont les résultats détaillés
font l’objet des sections suivantes.
2 TP - Amplificateur Émetteur Commun
2.1 Matériel utilisé
Transistor 2N2222A VCE = 40V , β = 180
Résistances R1 = 39kΩ, R2 = 8.2kΩ
RC = 1kΩ, RE = 390Ω
Alimentation VCC = 15V
Condensateurs C1 = C2 = 10µF
2.2 Polarisation DC
Courant de base IB = 36,2 µA
CourantdecollecteurIC = 6,52 mA
T ensionVBE = 0,69 V
T ensionVCE = 8,1 V
Gainβ = 180
3 Résultats de mesures
Les paramètres de polarisation du transistor ont été mesurés expérimentalement :
— Courant de base : IB = 36,2 µA
— Courant de collecteur : IC = 6,52 mA
— Tension base-émetteur : VBE = 0,69 V
— Tension collecteur-émetteur : VCE = 8,1 V
— Gain en courant : β = 180
Ces résultats confirment le bon fonctionnement du transistor en régime linéaire
avec un point de polarisation stable. Le gain β mesuré correspond aux spécifications
du constructeur pour le transistor 2N2222A.
3.1 Analyse AC
re = 26mV
IE
= 4.2Ω
RC
Av = − re = −238
Zin = 3.7kΩ
Zout = 1kΩ
4 Résultats de mesures
Les paramètres de polarisation du transistor ont été mesurés expérimentalement :
— Courant de base : IB = 36,2 µA
— Courant de collecteur : IC = 6,52 mA
— Tension base-émetteur : VBE = 0,69 V
— Tension collecteur-émetteur : VCE = 8,1 V
— Gain en courant : β = 180
Ces résultats confirment le bon fonctionnement du transistor en régime linéaire
avec un point de polarisation stable. Le gain β mesuré correspond aux spécifications
du constructeur pour le transistor 2N2222A.
4.1 Observations
— Bonne linéarité jusqu’à 50kHz
— Chute de gain à haute fréquence due aux capacités parasites
— Distortion notable pour Vin > 50mV
4.2 Conclusion
Le montage présente un gain élevé (-220) avec une bonne stabilité. Les écarts de
8% proviennent principalement des tolérances des composants et de l’imprécision du
β transistor. La configuration émetteur commun convient pour des applications faible
bruit en basse fréquence.
