UNIVERSITÉ DE LIMOGES

ÉCOLE DOCTORALE Sciences et Ingénierie pour l’information

FACULTÉ DES SCIENCES ET TECHNIQUES

Année : 2011 Thèse N˚ 65-2011

Thèse
pour obtenir le grade de

DOCTEUR DE L’UNIVERSITÉ DE LIMOGES

Discipline : Électronique des Hautes Fréquences, Photonique et Systèmes

présentée et soutenue par

Guillaume CALLET
le 2 décembre 2011

Caractérisation et Modélisation de
Transistors HEMT AlGaN/GaN et
InAlN/GaN pour l’Amplification de
puissance en Radio-Fréquences

Thèse dirigée par Raymond QUÉRÉ et Jean-Pierre TEYSSIER

JURY :

Michel CAMPOVECCHIO Professeur, Université de Limoges Président

Jean-Louis CAZAUX Ingénieur Thales Alénia-Space Rapporteur
Christophe GAQUIERE Professeur, Université de Lille 1 Rapporteur
Jean-Luc GAUTIER Professeur, ENSEA Examinateur
Stéphane PIOTROWICZ Ingénieur III-V Lab Examinateur
Raymond QUÉRÉ Professeur, Université de Limoges Examinateur
Geoffroy SOUBERCAZE-PUN Ingénieur CNES Examinateur
Raphaël SOMMET Chargé de recherche CNRS, Université de Limoges Invité
Olivier JARDEL Ingénieur III-V Lab Invité
 “Tu sais, tu peux toujours additionner deux mauvaises idées ... ca ne fera jamais une
bonne idée.”

Bludzee [1]

Á ma famille et mes amis.

 Remerciements

Ces travaux se sont déroulés dans le cadre du laboratoire MITIC, structure commune
réalisée entre le laboratoire XLIM de l’Université de Limoges et III-V Lab.
Je remercie Monsieur Dominique Cros de m’avoir permis d’effectuer cette thèse avec
le laboratoire XLIM. Je remercie le Professeur Raymond Quéré de m’avoir accueilli dans
l’équipe Circuits Composants Signaux et Systèmes qu’il dirige et d’avoir supervisé mes
travaux en tant que directeur de thèse. Avec l’aide de Jean-Pierre Teyssier et de Raphaël
Sommet, ils ont su diriger et orienter ces travaux avec une patience et une disponibilité
dont je leur suis particulièrement reconnaissant.
Je tiens à remercier Messieurs Dominique Pons et Sylvain Delage pour leur accueil
au sein l’équipe Micro-électronique GaN du III-V Lab, je les remercie de la confiance
et l’intérêt qu’ils ont portés à mes travaux depuis plus de trois ans. Je remercie tout
particulièrement Stéphane Piotrowicz pour son encadrement et son expérience qui m’ont
permis de découvrir et d’apprécier la recherche industrielle au III-V Lab. Je remercie
également Olivier Jardel pour ses conseils professionnels et parfois personnels dispensés
avec une patience incomparable.

Mes sincères remerciements vont à Messieurs Christophe Gaquière, Professeur à

l’Université de Lille 1, et Jean-Louis Cazaux, Ingénieur chez Thales Alénia Space, qui
ont accepté la responsabilité d’évaluer ce travail en leur qualité de rapporteurs.

Je témoigne ma reconnaissance à Messieurs Michel Campovecchio, Professeur à

l’Université de Limoges, Jean-Luc Gautier, Professeur à l’ENSEA, Geoffroy Soubercaze-
Pun, Ingénieur au CNES à Toulouse, et Raphael Sommet, Chargé de Recherche au
CNRS pour avoir accepté de prendre part à ce jury en tant qu’examinateurs.

Enfin j’adresse mes sincères remerciements à l’ensemble de l’équipe Micro-électronique

GaN et à mes collègues de bureau de Marcoussis ainsi qu’au département C 2 S 2 et plus
particulièrement aux équipes de mesures et aux permanents des sites Brive la Gaillarde et
de Limoges pour leur accueil sur leurs sites respectifs. Chacun a contribué à la constitution
d’une ambiance de recherche agréable et passionnante.
 6

Avec un clin d’œil tout particulier aux thésards et stagiaires : Olivier, David, Ronan,
Jad, Sylvain, Florent, Adeline, Alaing, Michele, Mage, Piero, Cedric, Gwenael, Mourad,
Mikael, Sarah, Virginie, Anne ... J’en oublie qui m’en voudront certainement mais ils ont
l’habitude.
Je remercie également ma famille et mes collocs pour m’avoir poussé à m’accrocher
(comme ils me l’avaient promis) et pour les voyages et les moments de décompression
passés ensemble.
Un grand merci à Marie-Claude, Pascale et particulièrement à Hélène sans qui rien
n’aurait été possible.
Table des matières

Table des matières

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 1

Table des matières

Table des matières . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Table des figures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

Liste des tableaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Introduction générale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Chapitre 1 : Evolution et potentialités des

transistors HEMTs à base de Nitrure de Gallium 22
1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
1.2 Transistors utilisés en amplification de puissance à hautes fréquences . . . 24
1.2.1 Transistors bipolaires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
1.2.2 Généralités sur le transistor bipolaire . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
1.2.3 Applications et effet limitatifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
1.3 Transistors à effet de champ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
1.3.1 Historique et principes de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . 28
1.3.2 Le transistor MESFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
1.3.3 Le transistor LDMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
1.3.4 Le transistor HEMT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
1.3.5 Le transistor pHEMT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
1.3.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
1.4 Choix des matériaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
1.4.1 Caractéristiques physiques et électriques - comparaison GaAs / GaN 33
1.4.1.1 Influence des paramètres des matériaux sur les
caractéristiques électriques des hétérostructures . . . . . . 34
1.4.1.2 Dissipation thermique dans les composants . . . . . . . . . 36
1.4.2 Spécification de la technologie HEMT . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
1.4.2.1 Propriétés cristallographiques [2],[3] . . . . . . . . . . . . . 38
1.4.2.2 Choix de l’hétérojonction . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
1.5 Performances des composants actuels . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
1.5.1 Effets limitatifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
1.5.1.1 Les effets de pièges . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
1.5.1.2 La tension de claquage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
1.5.1.3 L’effet thermique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
1.5.1.4 Courant de fuite en polarisation inverse de la diode grille-
source . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
1.5.2 Performances actuelles - État de l’art . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
1.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de

caractérisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
2.2 Bancs et méthodes usuelles de mesures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
2.2.1 Le banc de mesure en impulsions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
2.2.1.1 Intérêts du banc I-V impulsionnel . . . . . . . . . . . . . . 57
2.2.1.2 Méthode de caractérisation de pièges . . . . . . . . . . . . 60

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 2

Table des matières

2.2.1.3 Mesure petit signal impulsionnelle (Paramètres-[S] pulsés) 62

2.2.1.4 Discussion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
2.2.2 Le banc de mesure grand signal (Load pull temporel) . . . . . . . . 64
2.2.2.1 Principes fondamentaux du load-pull temporel . . . . . . . 65
2.2.2.2 Application en régime d’amplification de puissance . . . . 66
2.2.2.3 Application en régime de commutateur de puissance . . . 70
2.2.3 Le banc de mesure basse fréquence (BF) . . . . . . . . . . . . . . . 80
2.2.3.1 Intérêt de la mesure BF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
2.2.3.2 Discussion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
2.2.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
2.3 Méthodes de caractérisation thermique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
2.3.1 Intérêt de la caractérisation thermique . . . . . . . . . . . . . . . . 84
2.3.2 Mesure de la résistance à l’état -ON en fonction de la température . 85
2.3.3 Méthodes existantes pour la mesure de l’impédance thermique . . . 87
2.3.4 La méthode 3ω . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
2.3.4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
2.3.4.2 Etude théorique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
2.3.4.3 Cas du HEMT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
2.3.4.4 Protocole expérimental : . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
2.3.4.5 Traitement des résultats . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
2.3.5 Discussion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
2.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire

électrothermique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
3.2 Principes fondamentaux de la modélisation des transistors HEMTs . . . . 109
3.3 Modélisation linéaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
3.3.1 Extraction du modèle petit signal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
3.3.1.1 Extraction des paramètres extrinsèques / intrinsèques . . . 113
3.3.1.2 Détermination des paramètres extrinsèques / intrinsèques
pour le 8x75µm AlGaN/GaN . . . . . . . . . . . . . . . . 114
3.3.2 Source de courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
3.3.2.1 Définition de la source de courant . . . . . . . . . . . . . . 116
3.3.2.2 Determination des paramètres de la source de courant . . 118
3.3.3 Facteur d’échelle du modèle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
3.3.3.1 Intérêts et principes élémentaires . . . . . . . . . . . . . . 120
3.3.3.2 Lois extraites . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
3.3.3.3 Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
3.4 Modélisation non-lineaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
3.4.1 Extraction des capacités non-linéaires . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
3.4.2 Validation du modèle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
3.4.2.1 Étude petit signal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
3.4.2.2 Etude grand signal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
3.5 Modélisation de l’effet thermique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139
3.5.1 Méthode d’intégration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
3.5.2 Prévision du comportement thermique grand signal . . . . . . . . . 140

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 3

Table des matières

3.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base

de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka . . . . . . . . . 143
4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
4.2 Conception d’un amplificateur à base de HEMT InAlN/GaN . . . . . . . . 144
4.2.1 Spécifications de l’amplificateur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
4.2.2 Extraction du modèle utilisé . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
4.2.3 Réalisation / simulations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
4.2.3.1 Conception du combineur de sortie . . . . . . . . . . . . . 149
4.2.3.2 Conception de l’inter-étage . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
4.2.3.3 Conception du distributeur d’entrée . . . . . . . . . . . . . 154
4.2.4 Simulation de l’amplificateur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157
4.2.4.1 Simulation petit signal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
4.2.4.2 Simulation grand signal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
4.2.5 Etude de la stabilité . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
4.3 Réalisation et fabrication de l’amplificateur . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164
4.3.1 Montage de l’amplificateur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164
4.3.2 Mesures avant réglages . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164
4.3.2.1 Mesures petit signal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165
4.3.2.2 Mesures grand signal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165
4.3.3 Mesures après réglages . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
4.3.3.1 Rétro-simulations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
4.3.3.2 Modifications et mesures finales . . . . . . . . . . . . . . . 169
4.4 Analyse thermique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171
4.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172

Conclusion Générale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173

Bibliographie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186

Annexes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 187
Nomenclature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 188
Publications et communications relatives à ce travail . . . . . . . . . . . . . . . 189

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Table des figures

Table des figures

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Table des figures

1.1 Gammes et appellations des différentes bandes radio fréquences (RF) et

micro-ondes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
1.2 Montage élémentaire et polarisation a) d’un transistor bipolaire ≪ émetteur
commun ≫, b) d’un transistor à effet de champ . . . . . . . . . . . . . . . . 24
1.3 Schéma de structure d’un transistor bipolaire (NPN) récapitulant le bilan
des porteurs intervenant dans un montage ≪ émetteur commun ≫. . . . . . 25
1.4 Structure et diagramme de bande d’un TBH InGaP/GaAs. . . . . . . . . . 26
1.5 Exemple de coupe d’un transistor bipolaire à hétérojonction GaInP/GaAs 27
1.6 Schéma de fonctionnement d’un transistor à effet de champ de type
MESFET (contrôle de la largeur de canal par la grille Schottky métal-
semiconducteur) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
1.7 Exemple de coupe d’un transistor MESFET sur substrat GaAs. . . . . . . 30
1.8 Exemple de coupe d’un transistor LDMOS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
1.9 Exemple d’épitaxie d’un transistor HEMT AlGaN/GaN. . . . . . . . . . . 31
1.10 Exemple d’épitaxie d’un transistor pHEMT GaAs. . . . . . . . . . . . . . . 32
1.11 Graphe recensant les matériaux existants utilisés pour l’amplification de
puissance en hyperfréquences. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
1.12 Variation de la vitesse de dérive des électrons dans le GaN et le GaAs en
fonction du champ électrique [4]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
1.13 Exemple de maille de nitrure de gallium hexagonale, la géométrie
≪ wurtzite ≫présentée ici est non contrainte mécaniquement. . . . . . . . . 38
1.14 Polarisation spontanée en fonction du paramètre de maille α . Les
composants In0,17 Al0,83 N/GaN et Al0,7 Ga0,3 N/GaN sont marqués par des
points. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
1.15 Comparaison des combinaisons AlGaN/GaN et InAlN/GaN, recensement
des polarisations spontanées et piézoélectriques ainsi que des efforts
intervenant à l’hétérojonction des deux alliages. . . . . . . . . . . . . . . . 40
1.16 Variation de la hauteur de conduction en fonction de la polarisation de
grille, vue en coupe sous la grille. Pour Vgs = 0 V , le canal est formé, le gaz
2DEG peut donc circuler. Pour Vgs = −3 V le puits de potentiel à disparu,
le transistor est donc ≪ pincé ≫. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
1.17 Répartition des charges, du champ électrique et diagramme d’énergie d’une
structure HEMT InAlN/GaN simple. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
1.18 Mise en évidence du phénomène de drain-lag, et des phases de capture et
d’émission au court d’une impulsion relative négative sur l’accès de drain. . 47
1.19 Mise en évidence du phénomène de gate-lag, et des phases de capture et
d’émission au court d’une impulsion relative positive sur l’accès de grille. . 48
1.20 Coupe d’un composant mettant en évidence les traitements de surface tels
que la passivation et la plaque de champ de source. . . . . . . . . . . . . . 49
1.21 Vitesse de dérive des porteurs dans le semi-conducteurs GaN en fonction
du champ électrique pour différentes températures. . . . . . . . . . . . . . 50
1.22 Coupe du transistor HEMT à base d’InAlN/GaN étudié par la suite. . . . 51
1.23 Comparaison des performances RF d’amplificateurs de puissance aux
bandes K et Ka utilisant des transistors de différentes technologies. . . . . 53
2.1 Schéma de montage du banc IV en impulsion, associé à un analyseur de
réseau permettant une étude petit signal en impulsion. . . . . . . . . . . . 56

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Table des figures

2.2 Principe d’élévation de la température relative à la polarisation de repos V0

et instantanée Vinst . La largeur d’impulsion τ étant très inférieure devant
la période P , la température du composant peut être considérée constante
à T = T0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
2.3 Réseau IV à VGS constant pour une polarisation de repos Vgs0 = Vds0 = 0V ,
a) pour un composant AlGaN/GaN, le réseau est donné pour Vgsi = 0V à
−10V par pas de 1V ; b) d’un composant InAlN/GaN, le réseau est donné
pour Vgsi = 0V à −9V par pas de 1V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
2.4 Schéma explicatif des pertes de puissances liées au gate-lag et au drain-lag
pour différentes polarisation de repos, (1) VGS0 = 0V et VDS0 = 0V , (2)
VGS0 = Vp et VDS0 = 0V et (3) VGS0 = Vp et VDS0 = 25V . . . . . . . . . . . 61
2.5 Tracé des mesures de pièges, à VGS = +1V , entre a) un composant
AlGaN/GaN, b) et un composant InAlN/GaN aux points de polarisation
de repos (1), (2) et (3). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
2.6 Schéma de principe de mesure systématique des paramètres-[S] en
impulsions associé la mesure I-V en impulsions. . . . . . . . . . . . . . . . 62
2.7 Tracé des mesures de paramètres-[S] réalisées en classe AB pour a) un
composant HEMT AlGaN/GaN (VDS = 25V et IDS = 120mA) et b) un
composant HEMT InAlN/GaN (VDS = 20V et IDS = 120mA). . . . . . . . 63
2.8 Tracé des mesures de gain maximum pour a) un composant HEMT
AlGaN/GaN (VDS = 25V et IDS = 120mA) et b) un composant HEMT
InAlN/GaN (VDS = 20V et IDS = 120mA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
2.9 Schéma de montage du banc load-pull temporel, utilisant un système
d’analyseur de réseau vectoriel non-linéaire basé sur un LSNA. . . . . . . . 65
2.10 Mesures load-pull obtenues à 2GHz en acquisition monocoup pour a)
d’une barrette de puissance AlGaN/GaN sur une impédance de charge
Zcharge = 46 + 15.j correspondant à l’optimum de PAE et b) d’une barrette
de puissance InAlN/GaN sur une impédance de charge Zcharge = 52 − 40.j
correspondant à l’optimum de PAE. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
2.11 Mesures load-pull obtenues à 10GHz en DC/CW pour a) un composant
AlGaN/GaN sur une impédance de charge Zcharge = 18, 3 + 38, 7.j
correspondant à l’optimum de PAE et b) un composant InAlN/GaN sur
une impédance de charge Zcharge = 11, 4 + 24.j correspondant à l’optimum
de PAE. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
2.12 Mesures load-pull obtenues à 18GHz en CW pour a) un composant
AlGaN/GaN sur une impédance de charge Zcharge = 9, 6 + 15, 8.j
correspondant à l’optimum de PAE et b) un composant InAlN/GaN sur une
impédance de charge Zcharge = 12, 4 + 14, 1.j correspondant à l’optimum
de PAE. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
2.13 Caractéristique IV d’un composant pour application de commutation, à
VGS = 0V le composant est à l’état Transistor-ON, pour VGS < Vp il est à
l’état Transistor-OFF. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
2.14 Photos de transistor a) à grille déporté utilisé dans le cas d’applications
de commutateur en configuration parallèle et b) à source commune utilisés
dans les applications d’amplification de puissance et de commutateur en
configuration série. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 7

Table des figures

2.15 Banc utilisé pour la mesure des formes d’ondes temporelles en mode
d’excitation par le drain. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
2.16 Formes d’ondes temporelles des courants / tensions de grille et de drain,
pour différents niveaux de puissance Pe = 7, 17, 25 et 30dBm. . . . . . . . . 74
2.17 Cycles de charges extrinsèques en mode transistor-ON pour a) un
composant HEMT AlGaN/GaN pour Pe = 7, 17, 25 et 30 dBm, b) un
composant HEMT InAlN/GaN pour Pe = 11, 16, 20 dBm . . . . . . . . . 74
2.18 Evolution du coefficient de reflexion de drain Γdrain pour une augmentation
de la puissance d’entrée Pe allant de 7dBm à 30dBm en mode Transistor-
ON pour a) le composant AlGaN/GaN et b) le composant InAlN/GaN. . . 75
2.19 Cycles de charges extrinsèques en mode transistor-OFF pour
a) un composant HEMT AlGaN/GaN à VGS = −15V pour
Pe = 7, 15, 24 et 30 dBm, b) un composant HEMT InAlN/GaN à
VGS = −10V pour Pe = 4, 20, 29, et 31, 5 dBm . . . . . . . . . . . . . . . 76
2.20 Evolution du coefficient de reflexion de drain Γdrain pour une augmentation
de la puissance d’entrée Pe allant de 7dBm à 30dBm en mode Transistor-
OFF pour a) le composant AlGaN/GaN et b) le composant InAlN/GaN. . 76
2.21 Cycles de charge extrinsèques à VGS = −15V , pour les trois impédances
imposées par le tuner : court circuit (CC), circuit ouvert (CO), et 50Ω. Les
niveaux de puissance imposés sont Pe = 7, 15, 24 et 30 dBm. . . . . . . 77
2.22 Tension de repos VDS en fonction de la puissance d’entrée Pe , pour
un composant AlGaN/GaN à l’état Transistor-OFF pour différentes
impédances RF contrôlées par le tuner. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
2.23 Cycles de charge extrinsèques à VGS = −15V , pour les trois impédances
imposées par le tuner : court circuit (CC), circuit ouvert (CO), et 50Ω. Les
niveaux de puissance imposés sont Pe = 9, 19, 30 et 35 dBm. . . . . . . 78
2.24 Courant de repos IDS en fonction de la puissance d’entrée Pe , pour
un composant AlGaN/GaN à l’état Transistor-OFF pour différentes
impédances RF contrôlées par le tuner. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
2.25 Evolution du coefficient de reflexion de drain Γdrain pour une augmentation
de la puissance d’entrée Pe allant de 7dBm à 30dBm en mode Transistor-
OFF pour a) un impédance ZDRAIN = 1M Ω et b) un impédance ZDRAIN =
10Ω. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
2.26 Schéma de montage du banc de mesure de paramètres-[S] basses fréquences. 81
2.27 Comparaison du réseau IV mesuré en impulsions (triangle) et IV en continu
(croix) pour VGS = −4 à 0V avec un pas de 1V . . . . . . . . . . . . . . . . 82
2.28 Résultats de l’étude petit signal basse fréquence en fonction de la tension de
polarisation. a) Tracé des parties réelles et imaginaires de l’admittance de
sortie Y22 . b) Tracé du module et de la phase du coefficient de transmission
S21 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
2.29 Résultats de l’étude petit signal basse fréquence en fonction de la
température. a) Tracé des parties réelles et imaginaires de l’admittance de
sortie Y22 . b) Tracé du module et de la phase du coefficient de transmission
S21 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
2.30 Schéma petit signal équivalent du transistor (en gris). A VGS = VDS = 0V
et en basses fréquences, le schéma équivalent se résume à la mise en série
de l’accès de drain, de source et de la conductance de sortie (en noir). . . . 86

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 8

Table des figures

2.31 a)Partie réelle de l’admittance de sortie et b) valeurs de RON (T ) calculées

pour une variation de température T = −25, 25, 75 et 125o C . . . . . . . . 87
2.32 Comparaison de la méthode des paramètres-[S], intégrée au modèle, avec
une mesure réalisée en impulsion. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
2.33 Application de la méthode de coı̈ncidence du courant de drain entre la
mesure de VGS = 0V en DC à T = Tambiante = 22o C (triangles noir) et la
mesure de VGS = 0V en impulsions à T = 100o C (cercles gris). . . . . . . . 88
2.34 Variation du courant de drain au cours d’une impulsion VDS = 6V ,
IDS = 510mA. La variation du courant dépend directement de l’impédance
thermique. Le pic observé à 10µs perturbe l’extraction des constantes de
temps de l’impédance thermique. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
2.35 Échantillons réalisés pour la mesure de diélectriques grâce à la méthode 3ω.
a) Vue de l’échantillon en perspective, les pads permettent la connexion des
sondes de courant et tension (+) et (−) . b) Vue en coupe du diélectrique.
Un courant AC à la pulsation ω chauffe la ligne métallique à la fréquence
2ω, la tension mesurée à 3ω permet de calculer la conductivité thermique
du diélectrique. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
2.36 Schéma du pont de Wheatstone, utilisant le RON du composant comme
unique résistance dépendant de la température du montage . . . . . . . . . 91
2.37 Schéma électrique du pont de Wheatstone a) au fondamental, utilisant
le GBF comme unique source d’excitation du circuit, et b) au 3eme
harmonique, le transistor est le seul composant du montage à générer un
signal à cette fréquence du fait de son impédance thermique. . . . . . . . . 92
2.38 Circuit de Thévenin équivalent au 3eme harmonique. . . . . . . . . . . . . . 93
2.39 Évolution de l’impédance thermique d’un transistor 8x75µm AlGaN/GaN
en fonction du temps, simulée grâce à une méthode d’éléments finis. Les
constantes de temps du modèle utilisant les 5 cellules RC sont portées à
gauche. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
2.40 a) Circuit thermique permettant de définir la température du composant en
fonction de la puissance dissipée instantanée. b) Simulation de l’impédance
thermique issue du circuit dans le domaine fréquentiel. . . . . . . . . . . . 96
2.41 a) Partie réelle de l’impédance thermique pour différentes amplitudes de
VDS , et b) sa partie imaginaire comparées à la simulation du circuit
thermique connu (symboles). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
2.42 Comparaison entre l’impédance thermique connue du circuit thermique en
fonction de la fréquence f0 (croix noirs) et son extraction par la méthode
3ω en fonction de la fréquence 2.f0 (trait plein gris). . . . . . . . . . . . . . 98
2.43 Comparaison entre la valeur du décalage calculé en fonction de l’amplitude
d’excitation VDS , superposé à une fonction polynomiale de type y = a.x3 +
b.x2 + c.x + d. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
2.44 a) Partie réelle de l’impédance thermique pour différentes amplitudes de
VDS , et b) sa partie imaginaire comparées à la simulation du circuit
thermique connu (symboles). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
2.45 Comparaison entre l’impédance thermique connue du circuit thermique en
fonction de la fréquence f0 (croix noirs) et son extraction par la méthode
3ω en fonction de la fréquence 2.f0 (trait plein gris). . . . . . . . . . . . . . 100

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 9

Table des figures

2.46 Spectre du signal aux bornes du transistor. La variation du 3eme

harmonique qui est généré dépend directement de l’impédance thermique. . 100
2.47 Gain et phase de l’amplificateur différentiel utilisé pour la récupération du
signal VDIF F . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
2.48 Schéma de montage du banc de mesure conçut pour mesurer l’impédance
thermique ZT H par la méthode 3ω. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
2.49 a) Variation de la tension mesuré VDIF F 3ω pour différentes valeurs
d’excitation VDS = 0, 5; 0, 4; 0, 3 et 0, 2V en fonction de la fréquence.
b) Amplitude du signal mesuré à 3ω, à 100Hz (marqueurs) superposée à
une loi de variation cubique en fonction de la tension VDS . . . . . . . . . . 104
2.50 Variation de VDIF F 3ω la valeurs d’excitation retenue VDS = 300mV en
fonction de la fréquence. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
3.1 Identification des paramètres intrinsèques et extrinsèques issus de
la structure physique du HEMT et utilisés dans la modélisation
phénomènologique. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
3.2 Schéma petit signal du transistor HEMT pour un point de polarisation de
repos donné. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
3.3 Chronologie des étapes de la modélisation de HEMT utilisé pour
l’amplification de puissance et de commutation. L’extraction du modèle
linéaire est commune aux deux applications, mais diverge pour l’extraction
du modèle non-linéaire. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
3.4 Photo d’un composant 8x75µm en technologie coplanaire. Le plan 1 est
celui formé par les sondes de mesure RF, le plan 2 correspond à celui pour
lequel le modèle est déterminé. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
3.5 Comparaison mesure (symboles) / modèle (trait plein) des paramètres-
[S] pour une gamme de fréquence allant de 2GHz à 40GHz, au point de
polarisation P0 : VDS = 5V , IDS = 50mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
3.6 Comparaison mesure (symboles) / modèle (trait plein) du gain maximum
(MSG/MAG) pour une gamme de fréquence allant de 2GHz à 40GHz, au
point de polarisation P0 : VDS = 5V , IDS = 50mA. . . . . . . . . . . . . . . 115
3.7 Comportement des fonctions genp(x) ligne, Hasympt (x, 1, 5) pointillés gris
et Lasympt (x, 1, 5) en pointillés noir ; dans l’encadré Lasympt (x, 1, 5) pour
différentes valeurs de x = 0, 1 en pointillés noir, x = 0, 5 en pointillés gris
et x = 1 ligne. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
3.8 Comparaison mesures (symboles) / modèle (trait plein) des réseaux réalisés
en impulsions (VDS0 = VGS0 = 0V ), a) IDS (VDS ) pour −20 < VDS < 30V
à VGS constant allant de −10V à +1V par pas de 1V et b) IDS (VGS ) pour
−10 < VGS < +2V à VDS constant allant de −4V à +10V par pas de 1V . . 119
3.9 Comparaison mesures (symboles) / modèle (trait plein) des dérivées
partielles de IDS , a) en fonction de VDS (conductance de sortie gd ) donnée
pour −15 < VDS < 10V à VGS constant allant de −10V à +1V par
pas de 1V ; b) en fonction de VGS . (transconductance gm ) donnée pour
−10V < VGS < +1V à VDS constant allant de −4V à +10V . . . . . . . . . 119
3.10 Comparaison mesure (symboles) / modèle (trait plein) du courant de grille
IGS en fonction de la tension de drain VDS à VGS constant allant de VGS =
+1V à VGS = −1V par pas de 0, 5V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 10

Table des figures

3.11 Empreinte du composant énumérant les différents paramètres étudiés dans

ce paragraphe, ici n = 8, w = 250µm et LG = 0, 7µm. . . . . . . . . . . . . 121
3.12 Empreintes du a) composant référence : 8x250x0, 7 µm2 et b) du composant
étudié pour une variation de N : 4x250x0, 7 µm2 . . . . . . . . . . . . . . . 123
3.13 Empreintes du a) composant référence : 8x250x0, 7 µm2 et b) du composant
étudié pour une variation de W : 8x400x0, 7 µm2 . . . . . . . . . . . . . . . 125
3.14 Empreinte du a) composant référence : 8x250x0, 7 µm2 et b) du composant
étudié pour une variation de LG : 8x250x0, 5 µm2 . . . . . . . . . . . . . . . 126
3.15 Evolution de la fréquence de transition Ft pour une variation de la longueur
de grille LG pour des composants HEMTs AlGaN/GaN et InAlN/GaN
réalisés au III-V Lab. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
3.16 Empreinte de la conception réalisée à partir du composant HEMT
InAlN/GaN de développement 4x40x0, 15 µm2 . . . . . . . . . . . . . . . . 128
3.17 Simulation des performances petit signal du composant HEMT
4x50x0, 15µm2 . Présentation des coefficients de reflexion d’entrée et de
sortie illustrant l’adaptation en puissance, ainsi que le gain maximum et le
facteur de stabilité k. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
3.18 Comparaison mesures (symboles) / modèles (traits pleins) des capacités a)
CGS en fonction de VGS , b) CGD en fonction de VGD et c) CDS en fonction
de VDS et paramétré par la tension de polarisation de grille VGS−DC . . . . . 130
3.19 Repérage des points P1 , P2 , P3 et P4 retenus pour la comparaison
mesures/modèle. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
3.20 Comparaison entre la mesure (symboles) et le modèle (traits pleins) des
paramètres-[S] au point de polarisation P1 , transistor-ON pour VDS > 0V . 132
3.21 Comparaison entre la mesure (symboles) et le modèle (traits pleins) des
paramètres-[S] au point de polarisation P2 , transistor-ON pour VDS < 0V . 132
3.22 Comparaison entre la mesure (symboles) et le modèle (traits pleins) des
paramètres-[S] au point de polarisation P3 , transistor-OFF pour VDS > 0V . 133
3.23 Comparaison entre la mesure (symboles) et le modèle (traits pleins) des
paramètres-[S] au point de polarisation P4 , transistor-OFF pour VDS < 0V . 133
3.24 Configuration du banc utilisé pour la mesure du coefficient de reflexion de
drain, permettant l’acquisition des formes d’ondes temporelles. . . . . . . . 134
3.25 Cycles de charges extrinsèques mesurés et simulés pour un balayage de la
puissance d’entrée Pe = 7, 15, 24 et 30 dBm a) en mode transistor-ON
(VGS = 0V ) et b) en mode transistor-OFF (VGS = −15V ). . . . . . . . . . 134
3.26 Réseau I-V simulé en gris pour une variation de VDS allant de +1V à -15V
par pas de 1V et cycles de charges intrinsèques simulés en mode transistor-
ON et -OFF pour une puissance d’entrée Pe = 32 dBm. . . . . . . . . . . 135
3.27 Comparaison mesures (symboles)/ modèle (traits pleins) du phénomène
d’autpolarisation de la tension de drain VDS en fonction de la puissance
d’entrée pour les trois impédances RF de grille ZG = CC, 50Ω et CO. . . . 135
3.28 Cycles de charges extrinsèques mesurés et simulés a) pour un balayage de
la puissance d’entrée Pe = 7, 15, 24 et 30 dBm en mode transistor-ON
(VGS = 0V ) et b) pour un balayage de la puissance d’entrée Pe = 7, 15 et
24 dBm en mode transistor-OFF (VGS = −15V ). . . . . . . . . . . . . . . 136

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 11

Table des figures

3.29 Réseau I-V simulé en gris pour une variation de VDS allant de +1V à −15V
par pas de 1V et cycles de charges intrinsèques simulés en mode transistor-
ON et -OFF pour une puissance d’entrée Pe = 32 dBm. . . . . . . . . . . 136
3.30 Comparaison mesures (symboles) / modèle (traits pleins) du phénomène
d’autopolarisation du courant de drain IDS en fonction de la puissance
d’entrée pour les trois impédances RF de grille ZG = CC, 50Ω et CO. . . . 137
3.31 Comparaison mesures (symboles) / modèle (traits pleins) entre les
coefficients de réflexion dans les deux modes de fonctionnement, transistor-
OFF (VGS = −15V ) et transistor-ON (VGS = 0V ). . . . . . . . . . . . . . 138
3.32 Schéma équivalent d’un montage de commutation en configuration
parallèle, a) lorsque le composant est à l’état transistor-ON le commutateur
isole la charge et b) lorsqu’il est à l’état transistor-OFF le commutateur
favorise le transfert du signal RF à la charge. . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
3.33 a) Schéma de montage du modèle de transistor en configuration parallèle
à la charge. b) Remplacement du composant par un dipôle d’impédance Z
mesuré. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139
3.34 Comparaison des pertes d’insertion et de l’isolation liés aux coefficients de
reflexion de drain mesurés (symboles) et simulés (traits pleins) en fonction
de la puissance disponible issue de la source RF. . . . . . . . . . . . . . . . 139
3.35 Comparaison mesures / modèle des courbes à IDS en fonction de VDS à
VGS = 0V , pour une variation de la température de socle allant de −25o C
à 125o C par pas de 50o C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
3.36 Cycles de charges intrinsèques de drain simulés pour une variation de
température T = −25, 25, 75 et 125o C à un niveau de puissance d’entrée
Pe = 32dBm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
3.37 Variation des coefficients de reflexion ΓDrain simulés pour les quatre
températures étudiées et un balayage de puissance Pe allant de 10 à 36dbm. 141
4.1 Schéma de principe du report de transistors par procédé flip-chip sur AlN. 145
4.2 Variation du gain maximum mesuré pour deux transistors InAlN/GaN ;
l’un de 8 doigts de grille et l’autre de 4 doigts, pour une polarisation de
VDS = 15V et IDS = 100mA/mm. La diminution du développement total
du composant (respectivement 600 µm et 300 µm) entraı̂ne un décalage de
la limite MSG/MAG vers les fréquences supérieures, et une augmentation
du gain disponible maximum à 26GHz (respectivement 7 dB et 9 dB ). . . 145
4.3 a) Empreinte du support accueillant le transistor micro-ruban, b)
modélisation associée comprenant l’inductance de contact flip-chip ainsi
que les 15 vias en parallèle. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 149
4.4 Coefficient de réflexion d’entrée et de sortie pour une gamme de fréquence
de 2 à 40GHz, pour la polarisation retenue pour l’application VDS = 18V ,
IDS = 80mA. Les marqueurs indiquent les impédances d’entrée Z11 et de
sortie Z22 à f0 = 26GHz présentées par le transistor unitaire. . . . . . . . . 150
4.5 Layout du circuit de sortie synthétisé comprenant un circuit d’équilibrage,
l’accès de polarisation de drain du deuxième étage et un circuit de
stabilisation raccordable. Les portions de circuit validés à l’aide de
Momentum sont hachurées. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 12

Table des figures

4.6 Résultat de simulation paramètres-[S] du circuit de sortie, a) impédances

présentées à la sortie des transistors du 2eme étage dans la bande de
fréquence [25 − 27GHz], le carré correspond à l’impédance souhaité Z22 ∗
;
b) amplitude du coefficient de reflexion de sortie S22 . . . . . . . . . . . . . 152
4.7 Pertes du circuit de sortie simulées autour de la fréquence de
fonctionnement f0 = 26GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
4.8 Layout de l’inter-étage (2 voies vers 2). Les différents sous-circuits
permettant d’assurer différentes fonctions telles que la polarisation,
l’isolation DC, la stabilité, ou le filtrage des sous-harmoniques sont indiqués.
Les portions de circuit validées à l’aide de Momentum sont hachurées. . . . 153
4.9 Performances simulées en petit signal de l’inter-étage, a) impédance
présentée en sortie des transistors du 1er étage (l’impédance recherchée
Z22∗
est marquée par un carré), ainsi que celle présentée à l’entrée de ceux
du 2eme étage (l’impédance recherchée Z22 ∗
est marquée par un rond) sur la
bande de fréquence [25 − 27GHz] ; b) amplitude du coefficient d’entrée Γ11
et de sortie Γ22 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
4.10 Pertes de l’inter-étage simulées autour de la fréquence de fonctionnement
f0 = 26GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
4.11 Layout du distributeur (1 voie vers 2) d’entrée. Les différents sous-circuits
permettant d’assurer la polarisation, l’isolation DC, la stabilité ainsi que le
filtrage des sous-harmoniques sont indiqués. Les portions de circuit validés
à l’aide de Momentum sont hachurées. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
4.12 Résultat de simulation paramètres-[S] du circuit d’entrée, a) impédances
présentées à l’entrée des transistors du 1er étage dans la bande de fréquence
[25 − 27GHz], les carrés correspondent à l’impédance souhaitée Z22 ∗
; b)
amplitude du coefficient de reflexion d’entrée S11 . . . . . . . . . . . . . . . 157
4.13 Pertes simulées du circuit d’entrée autour de la fréquence de fonctionnement
f0 = 26GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157
4.14 Layout de l’amplificateur complet comprenant les transistors 4x75µm ainsi
que les différents composant passifs montés en surface. Dimensions L =
20, 7cm et l = 10cm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
4.15 Résultats de simulations de paramètres-[S] de l’amplificateur complet. a)
Module des coefficients de reflexion d’entrée S11 , et de sortie S22 ; b) Module
du coefficient de transmission S21 dans la bande de fréquence [25GHz -
27GHz]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
4.16 Influence de la connexion des circuits de stabilité dans 4 configurations
différentes sur le facteur Rollett. a) Sur une large bande de fréquence [DC −
30GHz] ; b) Zoom du autour de la fréquence de fonctionnement [25GHz -
27GHz]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
4.17 Influence de la connexion des circuits de stabilité dans 4 configurations
différentes sur le coefficient de transmission S21 . . . . . . . . . . . . . . . . 160
4.18 Résultats de simulations d’équilibrage harmonique de l’amplificateur
complet au voisinage de f0 pour un balayage de puissance d’entrée RF
allant de 20 à 26dBm par pas de 2dBM . a) Gain en puissance calculé
en dB (le gain linéaire Glin est représenté en pointillés) ; b) rendement en
puissance ajoutée (PAE) présentée en pourcents ; c) puissance de sortie
délivrée en dBm et d) puissance de sortie en Watts. . . . . . . . . . . . . . 161

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 13

Table des figures

4.19 Nœuds utilisés pour l’analyse de la stabilité réalisée avec STAN. . . . . . . 163
4.20 Diagrammes de pôles et de zéros obtenus dans les conditions de
fonctionnement : VDS1 = 18V , VDS2 = 20V , f0 = 26GHz et
Pdisp = 26dBm. Ces diagrammes illustrent les données extraites pour une
perturbation, sur une bande de fréquence de 2GHz, a) du 1er étage (nœud
N1 ) et b) du 2eme étage (nœud N2 ). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
4.21 Maquette de fabrication du pied de test comprenant l’amplificateur, les
circuits de polarisation ainsi que les accès RF d’entrée et de sortie. . . . . . 164
4.22 Pied de test fabriqué et utilisé lors des mesures préliminaires. Ses
dimensions sont L = 2, 5cm, l = 3cm, h = 1, 5cm. . . . . . . . . . . . . . . 165
4.23 a) Module du coefficient de reflexion d’entrée S11 (en gris) et de sortie S22
(en noir) et b) coefficient de transmission S21 . Les mesures sont représentées
par les symboles et les simulations par des traits pleins. . . . . . . . . . . . 165
4.24 Schéma de montage du banc utilisé pour caractériser l’amplificateur en
fonctionnement non-linéaire. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
4.25 Performances mesurées pour un balayage de puissance d’entrée Pin = 3 à
26dBm à la fréquence f0 = 26GHz. a) Gain en puissance de l’amplificateur
diminuant jusqu’à G = 5dB (soit 4dB de compression) ; b) rendement
en puissance ajouté atteignant une valeur maximum de P AE = 11% ; c)
puissance de sortie en dBm Pout = 31, 05dBm ; d) puissance de sortie en
Watts Pout = 1, 27W . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
4.26 Motif de test utilisé afin de réaliser une caractérisation du transistor
4x75µm monté par procédé flip-chip. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
4.27 Comparaison du gain entre la mesures (symboles) de paramètres-[S] réalisée
du transistor 4x75µm monté en flip-chip et le modèle simulé (traits pleins)
pour une polarisation VDS = 20V , IDS = 75mA. b) Comparaison avec le
modèle utilisant une correction de la modélisation des vias de la surface
d’accueil du transistor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 168
4.28 Layout de l’empreinte d’accueil du transistor. La zone contenant les vias
est maillée et simulée sous Designer Ansoft. . . . . . . . . . . . . . . . . . 168
4.29 Modèle de l’empreinte corrigée utilisant une répartition des vias sur deux
lignes espacés par des portions de lignes micro-rubans. . . . . . . . . . . . 169
4.30 Comparaison entre la mesure (symboles) de l’amplificateur et la simulation
utilisant le modèle corrigé (traits pleins) en petit signal. . . . . . . . . . . . 169
4.31 Résultats de simulations d’équilibrage harmonique de l’amplificateur
complet au voisinage de f0 pour un balayage de puissance d’entrée RF
allant de 20 à 26dBm par pas de 2dB. a) Gain en puissance calculé en dB (le
gain linéaire Glin est représenté en pointillés) ; b) rendement en puissance
ajouté (PAE) présentée en pourcents ; c) puissance de sortie délivrée en
dBm et d) puissance de sortie en Watts. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
4.32 Layout final de l’amplificateur incluant les carrés qui permettent un affinage
manuel de l’adaptation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
4.33 Etude de la dissipation thermique, d’un transistor 4x75µm, réalisée sous
Ansys. a) Empilement des couches du transistors monté en flip-chip sur
AlN ; b) diffusion thermique du composant, polarisé à VDS = 20V et IDS =
80mA, à proximité des doigts de grille. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 14

Table des figures

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 15

Liste des tableaux

Liste des tableaux

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 16

Liste des tableaux

1.1 Paramètres électriques principaux des alliages III-V étudiés (GaAs et GaN)
donnés pour des matériaux intrinsèques non dopés à 300K. . . . . . . . . . 34
1.2 Paramètres thermiques de différents matériaux communément utilisés pour
les HEMTs ainsi que leur substrat. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
1.3 Polarisation et calcul théorique de la densité de porteurs dans l’InAlN/GaN
et l’AlGaN/GaN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
2.1 Paramètres statiques des composants HEMTs AlGaN/GaN et InAlN/GaN
déterminés à partir de la caractérisation IV de sortie de ces deux composants. 58
2.2 Report des valeurs calculées de gate-lag et drain-lag, obtenues par
comparaison relative des courbes à VGS = +1V . . . . . . . . . . . . . . . . 62
2.3 Report des valeurs issues de la mesure du gain maximum pour un
composant AlGaN/GaN et un InAlN/GaN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
2.4 Comparaison des performances de puissances mesurées à 2GHz pour
une impédance optimale de PAE, a) pour une barrette de puissance
AlGaN/GaN et b) une barrette de puissance InAlN/GaN. . . . . . . . . . 68
2.5 Comparaison des performances de puissances mesurées à 10GHz pour une
impédance optimale de PAE, a) pour un composant unitaire 8x75µm à base
d’AlGaN/GaN et b) un composant unitaire 8x75µm à base d’InAlN/GaN. 70
2.6 Comparaison des performances de puissances mesurées à 18GHz pour une
impédance optimale de PAE, a) pour un composant unitaire 8x75µm à base
d’ AlGaN/GaN et b) un composant unitaire 8x75µm à base d’InAlN/GaN. 70
2.7 Comparaison des valeurs du module du coefficient de reflexion de drain
Γdrain à l’état Transistor-ON pour une puissance d’entrée Pe = 20dBm. . . 75
2.8 Comparaison des valeurs du module du coefficient de reflexion de drain
Γdrain à l’état Transistor-OFF pour une puissance d’entrée Pe = 30dBm. . 76
2.9 Comparaison des valeurs du module du coefficient de reflexion de drain
Γdrain à l’état Transistor-OFF pour une puissance d’entrée Pe = 30dBm. . 79
2.10 Valeurs de gd−DC et gd−RF calculées à partir de l’équation 2.2 définit dans
le chapitre 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
2.11 Valeur des paramètres mesurés intervenant dans le pont de Wheatstone . . 104
3.1 Valeurs des paramètres extrinsèques et intrinsèques du modèle petit signal
extrait de 2GHz à 40GHz au point de polarisation P0 : VDS = 5V , IDS =
50mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
3.2 Valeurs des paramètres de la source de courant pour le transistor 8x75 µm
HEMT GaN étudié. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119
3.3 Valeurs des diodes DGS et DGD pour le 8x75 µm HEMT GaN étudié. . . . 120
3.4 Valeurs des paramètres extrinsèques et intrinsèques extraits pour le
composant référence (8x250x0, 7) à la polarisation VDS = 20V ,IDS =
50mA. Ces paramètres serviront de référence pour l’étude suivante
correspondant aux variations du développement d’un composant
N xW xLG . Les valeurs de cette table serviront de références pour les
variations ultérieures. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
3.5 Valeurs des paramètres extrinsèques et intrinsèques extraites pour le
composant 4x250x0, 7 µm2 à la polarisation VDS = 20V ,IDS = 50mA.
Le coefficient multiplicateur illustre les variations de chaque paramètre dû
à la variation de N , leurs valeurs sont à rapprocher de ∆N = 0, 5. . . . . . 124

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 17

Liste des tableaux

3.6 Valeurs des paramètres extrinsèques et intrinsèques extraites pour le

composant 8x400x0, 7 µm2 à la polarisation VDS = 20V ,IDS = 155mA.
Le coefficient multiplicateur illustre les variations de chaque paramètre dû
à la variation de W , leurs valeurs sont à rapprocher de ∆W = 1, 6. . . . . . 125
3.7 Valeurs des paramètres extrinsèques et intrinsèques extraites pour le
composant 8x250x0, 5 µm2 à la polarisation VDS = 20V ,IDS = 96mA.
Le coefficient multiplicateur illustre les variations de chaque paramètre dû
à la variation de LG , leurs valeurs sont à rapprocher de ∆LG = 0, 7 ou son
inverse ∆L−1 G = 1, 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126
3.8 Valeurs des paramètres utilisés dans les équations de Cgs , Cds , Cgd pour le
composant HEMT à base de GaN de développement 8x75 µm. . . . . . . . 130
4.1 Table d’analyse permettant d’estimer la puissance aux bornes de chaque
étage, et ainsi de réaliser un bilan de puissance préliminaire de
l’amplificateur total. Ce bilan est illustré par l’architecture retenue pour
ces travaux, utilisant 4 transistors répartis sur 2 étages. L’adaptation
d’impédance à été réalisée de manière à présenter 50Ω à l’entrée et à la
sortie de l’amplificateur. (Z0 = 50Ω) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
4.2 Valeurs des paramètres extrinsèques et intrinsèques du transistor 4x75 µm
extraites pour une polarisation VDS = 18V et IDS = 80mA. A titre
indicatif, le coefficient multiplicateur donne le rapport d’échelle existant
avec les valeurs extraites, à cette même polarisation, pour le transistor
8x75 µm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
4.3 Valeurs des paramètres de la source de courant pour le transistor 4x75 µm.
Le coefficient multiplicateur correspond aux règles d’échelles appliquées sur
le transistor 8x75 µm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
4.4 Valeurs des paramètres des capacités non-linéaires Cgs et Cgd pour le
transistor 4x75 µm. Le coefficient multiplicateur correspond au facteur
d’échelle appliqué aux valeurs de Cgs et Cgd extraites pour le transistor
8x75 µm le long d’une droite de charge en classe AB. . . . . . . . . . . . . 148

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 18

Introduction générale

Introduction générale

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 19

Introduction générale

Les transistors à haute mobilité électronique (HEMTs) à base de nitrure de gallium

(GaN) sont, depuis peu, capable de concurrencer les transistors LDMOS à base de
silicium (Si) et les pHEMT à base d’arséniure de gallium (GaAs) sur le marché des
stations de bases utilisées pour les télécommunications (3G, 4G, WiMAX,...). Grâce
à ces composants pouvant atteindre 150W à 2GHz pour une polarisation de 48V , la
technologie GaN pourrait être implantée dans les 2 millions de stations de bases déployées
pour la télephonie mobile ainsi que dans les infrastructures émergentes utilisées pour la
technologie WiMAX. Néanmoins, le marché des technologies à haute bande interdite les
prédisposent naturellement aux fréquences plus élevées. C’est pourquoi, les principaux
laboratoires industriels Européens, Japonais et Américains les dédient aux applications
allant de la bande X (8GHz) à la bande E (90GHz).

De plus, au cours des dernières années, des applications de commutation de puissance

utilisant ces composants ont vu le jour. Le contrat KORRIGAN (2005 − 2009) illustre
cet intérêt. Ses objectifs étaient de démontrer la viabilité de la technologie GaN, afin de
pourvoir aux besoins de l’industrie de défense ainsi que le développement et le support
d’une chaı̂ne de production exclusivement européenne. Au cours de ces quatre années, il
a permis de perfectionner l’étude ainsi que chaque étape de création des composants
HEMTs GaN jusqu’à la conception de commutateurs, amplificateurs de puissance et
d’amplificateurs faible bruit.
Cependant, malgré les continuels efforts et améliorations dont bénéficient les
composants à base de nitrure de gallium, leurs performances se voient restreintes par
les phénomènes de pièges. Une alternative à l’hétérostructure AlGaN/GaN, qui est
aujourd’hui la plus répandue, repose sur l’utilisation de matériaux InAlN/GaN. Cette
dernière semble moins pénalisée par les phénomènes de pièges et possède des propriétés
prometteuses pour les applications de puissance des années à venir.
De tels composants possèdent de réelles potentialités pour l’amplification de puissance
en bande K et au-delà. Son manque de maturité est responsable de problèmes de fuites de
courant qui impactent la fiabilité des composants et des effets pièges encore mal maı̂trisés.

Les travaux présentés ici s’inscrivent dans ce contexte. Ils permettent de situer la
technologie HEMT GaN par rapport aux composants commerciaux utilisés actuellement.
Ainsi nous présenterons succinctement, dans le premier chapitre, les différents
candidats à l’amplification de puissance dans les bandes K et Ka, en nous concentrant
plus particulièrement sur les composants HEMTs à base d’InAlN/GaN. Un descriptif
détaillé des phénomènes observés sur cette technologie sera également présenté.
Dans le second chapitre, nous proposerons une analyse de ces différents effets, pour
des composants InAlN/GaN et AlGaN/GaN, à travers l’utilisation des bancs de mesures

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 20

Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
Gallium
disponibles à XLIM et au III-V Lab. Différentes méthodes de caractérisation thermique
seront confrontées et nous proposerons l’application de la méthode de spectroscopie
par échauffement spécifique, aussi appelée méthode 3ω, pour le calcul de l’impédance
thermique des composants.
Les aspects fondamentaux de la modélisation seront abordés dans le troisième chapitre,
comprenant une analyse qualitative de l’influence d’une variation des dimensions de l’accès
de grille sur les paramètres extrinsèques et intrinsèques du modèle petit signal. Un modèle
non-linéaire sera également développé et validé pour des applications de commutation.
Enfin, nous présenterons dans le dernier chapitre la conception et la réalisation d’un
amplificateur de puissance à 26GHz à partir de transistors HEMT à base d’InAlN/GaN,
en détaillant les différentes étapes de modélisation et de caractérisation.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 21

Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
Gallium

Chapitre 1 :

Evolution et potentialités des

transistors HEMTs à base de
Nitrure de Gallium

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 22

Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
Gallium
1.1 Introduction
Dans cette partie nous allons présenter l’aspect physique et électrique des différentes
technologies existantes permettant de réaliser de l’amplification forte puissance à partir
de composants à l’état solide. Peu de transistors associent, à l’heure actuelle, une forte
densité de puissance et une fréquence de travail élevée. En effet les technologies existantes
permettent généralement de réaliser un compromis entre ces paramètres.
Nous nous attarderons particulièrement sur la technologie HEMT à base de GaN
sur laquelle beaucoup de travaux de recherche et développement sont en cours dans
la communauté scientifique et dont les propriétés pourront permettre l’amplification de
puissance en bande K et Ka (26 − 40GHz voire au delà). Dans ces bandes de fréquences
les applications les plus courantes sont dédiées à la communication satellite civile. Afin
d’expliquer de manière théorique l’intérêt de ce type de composant, nous présenterons les
propriétés physiques, chimiques, électriques et thermiques relatives aux HEMTs utilisant
les hétérostructures AlGaN/GaN ou InAlN/GaN. Nous aborderons également les effets
limitatifs basses fréquences connus, inhérents à ce type de composants, qui restreignent
les performances en puissances et impactent la fiabilité des composants.
Enfin, nous présenterons les résultats majeurs de la littérature concernant les
réalisations de circuits en bande K et Ka proposés par différents laboratoires de
recherche ou industriels internationaux. Ces résultats seront comparés aux technologies
plus conventionnelles sur substrat GaAs ou InP. Nous présenterons également le premier
amplificateur en bande Ka utilisant des composants réalisés au cours de cette thèse avec
l’hétérostructure InAlN/GaN.

Applications Radar Missiles

Militaire Au sol Naval Aéroporté autoguidés

Radar météo Satcom

Applications
Civiles Communication
GSM / 3G
Station de base
Bandes L S C X Ku K Ka V

1 10 100
Fréquence (GHz)

Figure 1.1 – Gammes et appellations des différentes bandes radio fréquences (RF) et
micro-ondes.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 23

Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
Gallium
1.2 Transistors utilisés en amplification de puissance
à hautes fréquences
Les transistors sont des éléments actifs essentiels de l’électronique qu’il est possible
de distinguer selon deux principales catégories, les transistors bipolaires, ainsi que les
transistors à effets de champ (TEC). Tous deux permettent une régulation du courant de
sortie, par une modulation de courant pour le transistor bipolaire, ou une modulation de
tension pour le TEC. Le schéma d’utilisation est présenté en figure 1.2.

Collecteur
Vbc

Vbe Emetteur

Figure 1.2 – Montage élémentaire et polarisation a) d’un transistor bipolaire ≪ émetteur

commun ≫, b) d’un transistor à effet de champ

Nous détaillerons par la suite les différents types de transistors existants pour chacune
de ces deux familles, ainsi que les applications pour lesquelles ils sont principalement
utilisés de nos jours.

1.2.1 Transistors bipolaires

1.2.2 Généralités sur le transistor bipolaire

La notion de transistor bipolaire à homojonction a été introduite par Shockley et son
équipe en 1948. Faute de moyens techniques, il s’est contenté de mettre en évidence les
potentialités de ce composant. Ce n’est que trois ans plus tard que le premier transistor fut
créé. Le principe du transistor bipolaire à homojonction repose sur l’association de deux
jonctions PN tête-bêche donnant naissance à un composant comportant trois électrodes
dénommées émetteur (E), base (B) et collecteur (C).
Le principe de fonctionnement du transistor bipolaire dans le mode de fonctionnement
amplificateur repose sur l’injection de porteurs de charge majoritaires depuis l’émetteur
dans la base grâce à une jonction EB maintenue en direct. Les porteurs injectés devenant
minoritaires dans la base diffusent à travers celle-ci pour être finalement accumulés dans
le collecteur grâce à la jonction BC polarisée en inverse.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 24

Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
Gallium
Un courant parasite important est également présent dans ce type de transistor. Celui-
ci provient des recombinaisons des porteurs minoritaires dans la base mais également d’un
courant de trous de la base vers l’émetteur car cette jonction est en direct. Aucun courant
ne traverse la jonction BC puisque celle ci est bloquée. Ce phénomène est une perte sur
l’efficacité de commande de l’électrode de base sur le courant transitant entre l’émetteur
et la base. Un bilan des porteurs porté en figure 1.3

Figure 1.3 – Schéma de structure d’un transistor bipolaire (NPN) récapitulant le bilan
des porteurs intervenant dans un montage ≪ émetteur commun ≫.

L’efficacité de l’injection dépend du rapport des dopages de l’émetteur et de la base.

Augmenter le dopage de l’émetteur permet donc de limiter la proportion de porteurs
venant de la base et donc du courant consommé par l’électrode de base.
Le gain en courant β, paramètre important pour l’utilisateur, est le rapport entre le
courant collecteur et le courant de base. Moins la base est dopée, plus le gain est élevé.
Ceci s’explique par une plus faible probabilité de recombinaison des porteurs minoritaires
ainsi que la limitation de l’injection des porteurs depuis la base vers l’émetteur.
Hélas, la base étant faiblement dopée, cela induit des résistances d’accès et de couche
élevées qui limitent les performances hyperfréquences des composants.

L’utilisation d’une hétérojonction émetteur-base mettant en contact deux matériaux

semiconducteurs de grande et petite bandes d’énergie interdites permet d’en améliorer
notablement les performances. Ce type de composant est dénommé Transistor Bipolaire
à Hétérojonction (TBH) ou Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) en anglais. Bien
que l’idée en soit ancienne, sa mise en œuvre n’a pu se faire de façon convaincante
qu’après développement, au début des années 1980, des techniques d’épitaxie modernes
MBE (Molecular Beam Epitaxy) et MOVPE (Metalorganic Vapour Phase Epitaxy).
Ce type de composant est présenté ci-après dans le cas particulier du couple de
matériaux In0,49 Ga0,51 P/GaAs, très utilisé en technologie micro-électronique III-V pour

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 25

Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
Gallium
les applications hyperfréquences, et notamment produit par UMS (Joint Venture entre
Thales et EADS GmbH).
Le TBH InGaP/GaAs [5] est un transistor bipolaire dont l’émetteur en In0,49 Ga0,51 P
possède une bande interdite (1, 89eV ) plus grande que celle de la base en GaAs (figure
1.4).

Energie Jn
Vn
Vbe
Vcb
Vp Ec
Jp Ef

Ev

Emetteur Base Collecteur

InGaP GaAs GaAs
(dopé-N) (dopé-P+) (dopé-N)

Figure 1.4 – Structure et diagramme de bande d’un TBH InGaP/GaAs.

Il en résulte une dissymétrie des barrières de potentiel rencontrées respectivement par

les électrons (courant Jn) injectés dans la base (barrière atténuée au premier ordre de la
discontinuité des bandes de conduction ∆Ec) et par les trous (courant Jp) injectés dans
l’émetteur (barrière augmentée de la discontinuité des bandes de valence ∆Ev). Cette
dissymétrie introduit dans l’expression du coefficient d’injection Jn /Jp un facteur de
forte valeur :
   
Jn Jn ∆Eg
= · e( k.T ) (1.1)
Jp hetero Jp homo

soit environ 108 à 300K.

Cela permet, contrairement au cas des transistors à homojonction tels que le transistor
silicium bipolaire usuel, de doper très fortement la base et faiblement l’émetteur tout en
conservant un très grand rapport des courants injectés Jn /Jp et donc un coefficient
Jn
d’injection γ = (Jn+Jp) voisin de 1. Cette configuration de dopage permet d’obtenir
une faible résistance de base et une faible capacité de jonction émetteur-base, ce qui
est favorable aux performances dynamiques.
La figure 1.5 montre une vue schématique d’un TBH hyperfréquence GaInP/GaAs de
type NPN. Le pied de l’émetteur est typiquement de 2µm de largeur et d’une trentaine
de micro-mètres de longueur.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 26

Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
Gallium
Contact
d’émetteur
Contact
de base

GaAs 250nm
GaInP 350nm Contact de
collecteur
120nm

1µm

800nm

Figure 1.5 – Exemple de coupe d’un transistor bipolaire à hétérojonction GaInP/GaAs

1.2.3 Applications et effet limitatifs

Le transistor bipolaire à hétérojonction offre plusieurs avantages :
– Faible bruit basse fréquence permettant l’obtention d’oscillateur très bas bruit. Cet
avantage provient notamment de la faible contribution des surfaces du composant
dans le transport électronique.
– L’utilisation de couches de base fortement dopées permet d’augmenter la fréquence
d’oscillation l’ordre de 100GHz pour des technologies 2µm. Ceci est dû au fait que
les temps de transit dans le dispositif sont fixés par les épaisseurs de couches, et non
par la définition technologique, longueur d’une grille par exemple.
– Les tensions de claquage sont nettement plus élevées pour un TBH que pour un
transistor à effet de champ pour des matériaux comparables. En effet, le TBH utilise
des jonctions PN (forte barrière d’énergie) et faible contribution de la surface.
– Compacité car ce sont des composants verticaux.
– Enfin, avantage pour son utilisation, le TBH est bloqué si on ne lui applique pas
de tension de commande sur la base, alors que de nombreux transistors à effet de
champ sont au contraire fortement passants si une tension nulle est appliquée sur la
grille. La conséquence est que le TBH n’utilise qu’une source de tension, et que les
transistors à effet de champ ont besoin de 2 sources.
Les inconvénients de cette technologies résident dans :
– Un environnement thermique a prendre en considération (forte puissance possible
et donc des calories à évacuer).
– Un risque d’emballement thermique [6] (les courants dans une diode PN augmentent
à une tension donnée lorsque la température augmente. Du fait des inhomogénéités
de fonctionnement et topologiques présentent dans un circuit, il est nécessaire de

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 27

Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
Gallium
maı̂triser ces phénomènes à l’aide de ballastage par exemple.
– Sa non-planarité, qui implique la présence de marches et de zones latérales
découvertes. Ces zones sont critiques pour la fiabilité du composant. Néanmoins,
il est possible d’en limiter l’effet en réalisant une passivation localisée (ou ledge)
au cours de l’étape de croissance ; ainsi qu’en réalisant des traitements de surface
(passivation SiN ou BCB).
– Enfin l’effet Kirk [7] qui intervient à très fort courant de collecteur entraı̂ne
une diminution des fréquences de coupure et donc des gains hyperfréquences
disponibles lorsque le transistor est trop sollicité. Des compromis Fréquence de
fonctionnement/tensions de polarisation/courant de collecteur/thermique sont à
définir pour obtenir les pleines performances de ces dispositifs.
Ces dispositifs TBH sont présents dans de nombreux circuits mais tout
particulièrement les amplificateurs (typiquement jusqu’à 20GHz en technologie GaAs) et
les oscillateurs (les TBH GaInP/GaAs permettent l’obtention des oscillateurs accordables
hyperfréquence à base de transistors les moins bruyants).

1.3 Transistors à effet de champ

Une alternative au transistor bipolaire pour des applications requérant des fréquences
de fonctionnement élevés est le transistor à effet de champ (TEC). Dans cette partie,
nous présenterons différentes variantes de cette famille de transistors, nous verrons leurs
spécificités ainsi que les différentes applications pour lesquelles ils sont communément
utilisés.

1.3.1 Historique et principes de fonctionnement

Le transistor à effet de champ a été inventé à la fin des années 1920 par J. E. Lilenfeld,
mais n’a put être réalisé avant la fin des années 1950. Son principe repose sur l’utilisation
d’un champ électrique pour contrôler la conductivité d’un canal dans un matériau semi
conducteur. Contrairement au transistor bipolaire, le transistor à effet de champ présente
une structure horizontale, ce qui signifie que les contacts ohmiques se trouvent sur le
même plan. Un TEC peut reposer sur deux principes différents. Il peut être constitué
d’un simple canal dopé négativement N dont la largeur dépend de la zone désertée sous
la grille (transistors type MESFET ). Dans le cas des transistors HEMTs, le canal de
conduction est créé grâce à la formation d’un gaz d’électrons à 2 dimensions (2DEG)
à l’aide d’une hétérojonction. Dans chacun des cas le flux d’électrons est contrôlé par la
section du canal et la densité de porteurs. Il est contrôlé par la tension appliquée à la grille
Schottky (VGS ), la tension VDS permet de déterminer la puissance qui sera disponible. Un

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 28

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Gallium
schéma représentatif du montage, pour le cas d’un transistor MESFET, est présenté en
figure 1.6.

Vds
Vgs

Source Grille Drain

dopage
Nd+

Substrat

Figure 1.6 – Schéma de fonctionnement d’un transistor à effet de champ de type

MESFET (contrôle de la largeur de canal par la grille Schottky métal-semiconducteur)

Chaque TEC repose sur ce principe de base, cependant il a été mis en oeuvre de
manière distincte pour les différents transistors à effet de champs existants. Ici nous
choisirons de présenter quelques uns des plus couramment utilisés pour des applications
d’amplification de puissance à hautes fréquences, en exposant leurs spécificités ainsi que
leurs domaines d’applications. Nous présenterons donc dans les paragraphes suivants les
MESFET, LDMOS, HEMT et PHEMT.

1.3.2 Le transistor MESFET

La technologie MESFET (MEtal Semi-conducteur Field Effect Transistor) a pour
principale particularité de présenter une grille métallique dont le contact avec le semi-
conducteur est réalisé par une diode Schottky. Historiquement le MESFET est un des
premiers à avoir été fabriqué à partir d’un composé III-V.
La technologie la plus couramment utilisée actuellement est celle à base d’arséniure
de gallium (GaAs). Son principe de fonctionnement repose sur le contrôle de la zone de
déplétion située sous le contact métallique qui module l’épaisseur du canal de conduction
et donc le courant.
Selon le principe de fonctionnement résumé précédemment, la largeur de la zone
appauvrie dépend directement de la tension appliquée sur la grille. La technologie
MESFET GaAs présente de bonnes performances pour des applications de puissance
puissances jusqu’en bande X, (pouvant aller jusqu’à 5W ). Cependant, le champs de
claquage étant lié à l’hétérostructure utilisée, cette technologie est limitée par de faibles

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Gallium

Source Drain
Zone dopée N+ Grille Zone dopée N+
Zone dépeuplée

Zone active dopée N

Couche tampon non dopée

Substrat AsGa

Figure 1.7 – Exemple de coupe d’un transistor MESFET sur substrat GaAs.

tensions de claquages ainsi que par ses fréquences de transitions (≈ 30GHz [8]).

1.3.3 Le transistor LDMOS

Les transistors LDMOS (Lateraly Diffused Metal Oxyde Semiconductor) sont
largement utilisés pour les applications d’amplification de puissance. Ils présentent
la particularité d’être naturellement déserté (normally OFF). Il existe néanmoins des
composants LDMOS normally ON. Le canal d’électron est engendré sous la grille par
l’agencement de couches dopées positivement et négativement comme le montre la figure
1.8. Le contrôle du canal est réalisé latéralement par l’établissement d’une tension de grille
positive.

canal de conduction

Grille

Source oxyde de grille Drain

N+ source N- drain
P+
P+
sinker

Substrat P

report de source P+

Figure 1.8 – Exemple de coupe d’un transistor LDMOS.

Contrairement aux transistors présentés précédemment, le transistor LDMOS a la

particularité de supporter des tensions de claquage importantes pouvant aller jusqu’à
plusieurs dizaines de volts en bande L (≈ 60V ). Ses fréquences d’utilisation couvrent
majoritairement les bandes L et S (0, 9GHz à 4GHz). En raison de ses bonnes
performances (2W à 2GHz [9]) et de son coût raisonnable il est principalement utilisé
dans les amplificateurs des stations de bases en télécommunications GSM ainsi que pour

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Gallium
les récentes applications utilisant la norme WiMAX. Cependant ses performances sont
limitées à des fréquences de travail basses (quelques GHz).

1.3.4 Le transistor HEMT

Les transistors HEMT sont aujourd’hui les composants ayant connu la plus grande
évolution. Contrairement aux autres transistors à effet de champ, dans le HEMT le
transfert de courant se fait grâce à la formation, à l’hétérojonction, d’un ≪ puits de
potentiel ≫qui tiendra le rôle de canal. L’hétérojonction permet la séparation des atomes
donneurs ionisés (dopants) des électrons libres. Ces électrons sont alors confinés dans le
puits sous forme d’un gaz bidimensionnel d’électrons (2DEG), où ils peuvent atteindre des
mobilités importantes. Son nom HEMT (High Electron Mobility Transistor) provient de
cette propriété. Les temps de transition très courts ont pour principale conséquences sa
capacité de travail à des fréquences élevées.

LGS≈ 1µm LG≈ 0,25µm LGD≈ 2µm

eAlGaN≈ 25nm

ebuffer ≈ 1,5µm
eNucl ≈ 0,3µm

esub≈ 400µm

Figure 1.9 – Exemple d’épitaxie d’un transistor HEMT AlGaN/GaN.

Ce concept de composants est utilisé principalement avec des technologies dites ≪ III-
V ≫car elles sont réalisées à partir des éléments provenant de la 3eme et de la 5eme
colonne de la classification périodique des éléments. La technologie la plus mature existant
actuellement est celle à base d’arséniure de gallium qui permet des applications de
puissances jusqu’à 94GHz (avec des champs de claquage de l’ordre de 20 V). Cependant
depuis les années 2000 les technologies à base de nitrure de gallium connaissent un
fort développement dû à leur capacité à supporter des champs plus importants que
les composants à base de GaAs. Cette dernière spécificité en fait un candidat idéal
pour des utilisations dans la conception de systèmes radars de très forte puissance. Les
développements actuels laissent penser que des démonstration jusqu’à 100GHz seront
faites dans les cinq années à venir.

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1.3.5 Le transistor pHEMT
Dans les structures HEMT pseudomorphiques (pHEMT), la hauteur du puits
quantique est augmentée sans que cela nécessite la présence de couches trop fortement
dopées. Ce résultat est obtenu grâce à l’utilisation d’un matériau semiconducteur de bande
interdite plus faible que l’arséniure de gallium (GaAs), tel que l’InGaAs. La différence
de structure cristallographique et physique entraı̂ne des phénomènes spécifiques tels que
l’augmentation de la mobilité mais également des risques quand à la qualité cristalline.

eAlGaAs≈ 300Am

espacer≈ 40Am
eGaInAs≈ 200Am

eGaAs≈ 1 µAm

eSub≈ 150 µAm

Figure 1.10 – Exemple d’épitaxie d’un transistor pHEMT GaAs.

Il est cependant intéressant de noter que pour une variation de seulement 1% du

paramètre de maille, la hauteur du puits de potentiel du pHEMT peut augmenter de 30%
par rapport à une structure HEMT classique [10]. Une augmentation du puits de potentiel
peut permettre une importante élévation de la fréquence de transition (supérieures à
600GHz [11]). De par son faible niveau de bruit, le pHEMT à base de GaAs est un
composant privilégié pour l’amplification faible bruit. Cependant sa tension de claquage
se trouve réduite par rapport aux technologies grands gaps.

1.3.6 Conclusion
Nous avons présenté les meilleurs candidats parmi les technologies de composants
utilisées pour l’amplification de puissance, à ces fréquences. Il existe plusieurs types de
transistors susceptibles d’être utilisés, cependant à notre connaissance seul le HEMT à
base de GaN combine la capacité de travailler au delà de 20GHz, avec des densités
de puissance supérieures à 1 W/mm. A titre d’information la figure 1.11 récapitule les
différentes technologies existantes et leurs limites, en termes de puissance et de fréquence.
Nos travaux ont portés sur l’étude des potentialités à hautes fréquences des transistors
HEMT GaN.

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100

SiC

Puissance RF (W)
Si GaN
SiGe

10 GaAs

InP

1 10 100
Fréquence (GHz)

Figure 1.11 – Graphe recensant les matériaux existants utilisés pour l’amplification de
puissance en hyperfréquences.

1.4 Choix des matériaux

Dans ce paragraphe nous allons définir l’importance des matériaux pour chaque
structure de composant pour des applications en amplification de puissance. Une
comparaison physique et chimique des différents matériaux utilisés sera donc effectuée
en précisant les répercutions de ces propriétés sur les potentialités électriques de chaque
famille technologique.

1.4.1 Caractéristiques physiques et électriques - comparaison

GaAs / GaN
Les semiconducteurs grand gap, particulièrement les composés III-V comme les alliages
à base d’arséniure de gallium et plus récemment ceux à base de nitrure de gallium,
ont d’excellentes propriétés physiques et chimiques qui les rendent incontournables pour
l’amplification de puissance. La structure cristallographique particulière de tels alliages
leur permet de combiner une conductivité thermique élevée, un fort champ de claquage
ainsi qu’une grande vitesse de dérive des porteurs libres. Le tableau 1.3 recense les
principaux paramètres électriques et thermiques du GaAs et du GaN. Nous verrons par
la suite l’influence de ces caractéristiques sur les performances du transistor.

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Paramètres électriques
GaAs GaN
EG (eV ) 1, 43 3, 39
ǫr 12, 5 9
ni (cm− 3) 1, 8.106 1, 9.10−10
µn (cm2 /V.s) 8500 1300
vsat (vpic )(107cm/s) 1 (2,1) 1,5 (2,7)

Table 1.1 – Paramètres électriques principaux des alliages III-V étudiés (GaAs et GaN)
donnés pour des matériaux intrinsèques non dopés à 300K.

1.4.1.1 Influence des paramètres des matériaux sur les caractéristiques

électriques des hétérostructures

• Hauteur de bande interdite EG :

La hauteur de bande interdite, correspond à la différence d’énergie entre la hauteur
minimale de la bande de conduction et la hauteur maximale de la bande de valence. Cela
correspond à l’énergie que doit avoir un porteur de la bande de valence pour passer dans la
bande de conduction et participer au passage du courant. Le GaN possède une hauteur de
bande interdite plus de deux fois supérieure à celle de le GaAs et fait partie des matériaux
dits grand gap. Cette particularité lui confère d’importantes propriétés électriques :
- Le champ de claquage, noté Ec , est lié à la hauteur de bande interdite par la relation
suivante [12] :

3
EC α EG2 (1.2)

Le champ de claquage est lié à la tension maximale qu’il est possible d’appliquer à un
composant sans le détruire. La puissance qu’il peut fournir dépend donc directement de
son champ de claquage.
- L’utilisation d’alliages ≪ grands gaps ≫permet de créer des hétérojonctions avec de
fortes discontinuités de bandes, augmentant ainsi la densité de porteurs dans le canal et
donc de la densité de courant.
- Une forte valeur de bande interdite induit également une faible densité de porteurs
intrinsèques, même à haute température, ce qui permet de limiter les courants de fuites
dans les composants.

• Mobilité des porteurs

Lorsqu’un champ électrique est appliqué à un semiconducteur les porteurs de charges
libres, électrons et trous, sont entraı̂nés avec une vitesse v qui est proportionnelle au
champ électrique lorsque celui-ci est faible. Quand le champ augmente (passage de la
zone ohmique à la zone de saturation) la vitesse v atteint un niveau de saturation.

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Cette saturation est due aux interactions des porteurs avec le réseau, ce qui entraı̂ne
une diminution de leur mobilité. La vitesse est donnée par la relation suivante :

~
~ν = ±µ(E) · E (1.3)

Et à faible champ électrique :

~ q·τ
~ν = ±µ0 · E avec µ0 = (1.4)
m∗

où τ est le temps de relaxation, m∗ la masse effective des porteurs et µ0 la mobilité pour
des champs faibles (en cm2 /V s).
La mobilité dans les matériaux massifs à été donnée dans le tableau précédent.
Cependant, les HEMTs utilisent une hétérojonction afin de confiner les porteurs dans
un puits de potentiel et créer un canal bidimensionnel. De cette façon, leur mobilité est
considérablement augmentée. Dans le cas du GaN, elle est d’environ 1500 à 2000cm2 /V.s
dans le puits de potentiel alors qu’elle n’est que de 900cm2 /V.s dans le matériaux épitaxié
sans hétérojonction. La loi de variation de la mobilité par rapport au champ électrique
varie en fonction des matériaux, et il en est donc de même pour la vitesse des porteurs v.
Les matériaux III-V possèdent un pic de survitesse. Celui-ci intervient pour des valeurs
différentes du champ électrique selon l’alliage. Ces différences sont illustrées sur la figure
1.12. Pour le GaAs il apparaı̂t pour un champ de 5kV /cm et pour 200kV /cm pour le
GaN.

3
GaN

GaAs
2 Pic de survitesse

0
0 100 200 300 400
Champ Electrique, kV/cm

Figure 1.12 – Variation de la vitesse de dérive des électrons dans le GaN et le GaAs en
fonction du champ électrique [4].

La vitesse des porteurs est 2 à 3 fois plus élevée dans le GaN que dans le GaAs, et en
particulier pour de forts champs électriques. La densité de courant étant proportionnelle
à cette vitesse, elle est donc plus élevée dans les transistors à base de GaN que dans ceux

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à base de GaAs. La vitesse de saturation vsat intervient dans le calcul de la fréquence de
transition des composants par la formule 1.5. Cette vitesse étant élevée pour le GaN, il
est donc naturellement un candidat privilégié pour les applications à hautes fréquences.

νs
Ft ≈ (1.5)
2πLef f
où Lef f est la longueur de grille effective.
Il est à noter que dans les HEMTs les valeurs des résistances d’accès dépendent de la
mobilité des porteurs. Lorsque cette dernière augmente les résistances d’accès diminuent,
ce qui constitue un avantage en faveur du GaAs.

1.4.1.2 Dissipation thermique dans les composants

Les composants de puissance sont soumis à des effets thermiques importants lors
de leur fonctionnement, une partie de la puissance étant dissipée par effet Joule. Cette
puissance dissipée peut être exprimée à partir de la puissance fournie par la polarisation
continue (DC) et des puissances RF fournies par le transistor. Le bilan de puissance
s’exprime par la relation suivante :

PDISS = PDC + PRF −in − PRF −out (1.6)

⇔ PDISS = PDC .(1 − P AE) (1.7)

Le rendement énergétique ou PAE (Power Added Efficiency) traduit le rendement

de conversion de la puissance DC en puissance RF. Il sera défini ultérieurement comme
élément caractéristique des performances d’un amplificateur de puissance. La dissipation
de puissance au sein du composant peut être due à plusieurs facteurs. En raison des faibles
surfaces des transistors et des puissances importantes qu’ils doivent dissiper, le phénomène
de conduction thermique est prédominant. Il est régi par la loi de Fourrier, qui énonce
que dans le cas d’un milieu homogène et isotrope, le flux de chaleur par unité de surface
(q) est dépendant de la conductivité thermique (K) et du gradient de température local.

q = −K(T ) · ∇T (1.8)

La conductivité thermique d’un matériau définit donc sa capacité à évacuer la chaleur.

Les valeurs de la conductivité thermique K300K de matériaux utilisés dans les HEMTs
GaAs et GaN sont portées dans le tableau 1.2. Celles du Saphir, Silicium (Si) et Carbure de
Silicium (SiC) apparaissent également, car ces matériaux sont utilisés comme substrat des

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transistors HEMTs à base de GaN, la croissance de substrat GaN d’épaisseur importante
n’étant pas encore actuellement maı̂trisée. Les composants à base de GaN sur substrat
silicium possèdent une moins grande aptitude à la dissipation thermique que sur SiC mais
possèdent l’avantage d’un coût de substrat significativement moindre ( ≈ 50 fois plus
faible en diamètre 4′′ ).

Paramètres thermiques
GaAs GaN Si SiC Saphir
K300K (W/m/K) 54 160 125 350 28
o
Rth ( C/W ) ≈ 58 ≈ 18 / / /

Table 1.2 – Paramètres thermiques de différents matériaux communément utilisés pour

les HEMTs ainsi que leur substrat.

Cependant, si la conductivité thermique est une grandeur habituellement utilisée

quand on parle des matériaux, on lui préfère la résistance thermique, qui lui est
inversement proportionnelle. Cette grandeur associe l’élévation de température d’un
composant à la puissance qu’il dissipe :

∆T
Rth = (1.9)
PDISS

où ∆T est l’élévation de température en ˚K.

La conductivité thermique est bien plus élevée dans le GaN que dans le GaAs, et elle
l’est encore d’avantage si l’on considère le SiC. Ce constat est important car, comme nous
l’avons dit, la plupart des composants à base de GaN sont épitaxiés sur des substrats
en SiC, en particulier pour les applications à forts niveaux de puissances. On observe
également que les HEMTs GaN ont une résistance thermique bien meilleure que celle
des pHEMTs GaAs, cependant il faut garder à l’esprit que les densités de puissance
intervenant dans les transistors à base de GaN sont nettement plus élevées, ce qui en
définitive, revient à traiter des problèmes de dissipation thermique comparables dans ces
deux technologies.
Beaucoup de solutions sont envisagées pour améliorer l’évacuation de chaleur, telle
que l’amincissement des substrats [13], les reports flip-chip sur diamant [14], ou l’ajout de
couches de passivation épaisses avec de bonnes propriétés thermiques (comme le diamant
[15]). Ces solutions permettant une meilleure évacuation de la chaleur à travers des
matériaux possédant une meilleure résistance thermique, ou en offrant des chemins de
dissipation supplémentaires.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 37

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1.4.2 Spécification de la technologie HEMT
Nous allons détailler dans cette partie les phénomènes liés à la structure
cristallographique (figure 1.13) qui entrent en jeu à l’hétérojonction. Nous présenterons
également les différents alliages à base de nitrure de gallium existant et en particulier ceux
développés au III-V Lab, à savoir le couple AlGaN/GaN et plus récemment InAlN/GaN.

1.4.2.1 Propriétés cristallographiques [2],[3]

Dans le HEMT, le flux de porteurs de charges dans le canal est réalisé par un gaz
bidimensionnel d’électrons. Leur déplacement engendre le courant en sortie du transistor.
Ces charges sont confinées dans un puits de potentiel crée à l’hétérojonction entre la
couche AlGaN et GaN ou InAlN et GaN en raison de la discontinuité de la bande de
conduction à l’interface entre les deux couches la composant.

- Origine des électrons dans le canal :

Le confinement des électrons dans le canal est le résultat de l’accumulation de deux
effets distincts que sont : la polarisation spontanée et la polarisation piézoélectrique, tout
deux issus de la structure cristallographique des alliages utilisés.

c
N
Ga

Figure 1.13 – Exemple de maille de nitrure de gallium hexagonale, la géométrie

≪ wurtzite ≫présentée ici est non contrainte mécaniquement.

• La polarisation spontanée est un phénomène qui tend à ordonner naturellement

les atomes de la couche AlGaN et de GaN (réciproquement InAlN et GaN) selon une
polarité déterminée, comme le présente la figure 1.14.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 38

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Polarisation spontanée (C/m²)

Al0.3
Al Ga0.70.7
0.3Ga
N/GaN
N

InAl InAlIn
0,17
0.83 0,83 N/GaN
Al
0.17 N/GaN
N
0.17 0.83

Paramètre de maille α (A)

Figure 1.14 – Polarisation spontanée en fonction du paramètre de maille α . Les

composants In0,17 Al0,83 N/GaN et Al0,7 Ga0,3 N/GaN sont marqués par des points.

A l’hétérojonction, l’association de charges positives et négatives engendre, dans

le cas favorable d’une polarité orientée vers le substrat, un excès d’électrons qui créé
spontanément le canal de conduction.

• La polarisation piézoélectrique est un effet inhérent à la structure

cristallographique de l’alliage utilisé. Ce phénomène provient de la désadaptation
en maille obtenue à l’hétérojonction entre les couches d’Al0,3 GaN0,7 et de GaN . La
principale conséquence en est l’augmentation de la densité de porteurs dans le gaz
bidimensionnel. Cependant la différence du paramètre de maille α entre ces matériaux
engendre également des efforts de tensions et de compressions. Ceci limite le taux
d’aluminium pouvant être incorporé dans la structure à environ 30%. Comme on peut
le voir sur la figure 1.14, l’InAlN avec une composition d’Indium de 17% et le GaN
présentent l’intérêt d’avoir le même paramètre de maille. Ceci a pour effet d’annuler
les contraintes, il n’existe néanmoins plus de polarisation piézoélectrique (figure 1.15).
Cependant, étant donné que la polarisation spontanée est plus importante, un courant
plus élevé que dans l’AlGaN peut être attendu.

- Estimation de la densité de porteurs dans le canal :

Afin d’estimer la densité de porteurs intervenant dans le canal, nous nous intéresserons
au cas d’un HEMT simple constitué d’une couche d’InAlN d’épaisseur d associée à une
couche de GaN. Le schéma structurel du composant au niveau de la grille, la répartition
des charges, les champs ainsi que le diagramme de bandes associés sont présentés sur la
figure 1.16. Il est à noter que le cas d’une structure AlGaN sur GaN est analogue à celle
développée ici.

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Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
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compression
- - - - - -
Al In
PPZ PSP GaN PSP AlN
tension

+ + + + + +
- - - - - -

PSP GaN PSP GaN

+ + + + + +

AlGaN/GaN InAlN/GaN
(contraint au GaN) (adapté au GaN)

Figure 1.15 – Comparaison des combinaisons AlGaN/GaN et InAlN/GaN, recensement

des polarisations spontanées et piézoélectriques ainsi que des efforts intervenant à
l’hétérojonction des deux alliages.

• Répartition des charges

−σM etal/InAlN à l’interface Grille/InAlN (x = 0)
+σInAlN/GaN à l’interface InAlN/GaN (x = x1)
A l’interface entre l’InAlN et le GaN ( x1 < x < x2 ) une charge se crée dans le canal par
compensation égale à :
σ2DEG = q · ns

Cette dernière est à l’origine du courant dans le transistor. Il sera donné par l’équation
du courant : ID = q.nS .v.Z.

• Calcul du champ électrique

La forme du champ électrique se déduit de cette répartition de charges en appliquant
le théorème de Gauss, soit :

~ =ρ
div(ǫE) (1.10)

En considérant la structure comme étant unidimensionnelle l’équation se réduit à :

∂(ǫE)
=ρ (1.11)
∂x
L’intégration de cette équation à la traversée d’une surface chargée avec une densité
surfacique σ donne la relation entre les champs électriques dans les deux milieux. Dans

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Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
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le cas présent on obtient donc :
ǫInAlN · E1 = 0 + σM etal/InAlN à l’interface Grille/InAlN (x = 0)
ǫGaN · E2 = ǫInAlN · E1 + σInAlN/GaN à l’interface InAlN/GaN (x = x1 )
ǫGaN · 0 = ǫGaN · E2 − q · ns dans le buffer GaN (x = x2 ).

On obtient ainsi l’expression des champs électriques existant à l’interface :

q · ns − σInAlN/GaN
E1 = (1.12)
ǫInAlN
q · ns
E2 = (1.13)
ǫGaN

Le champ électrique restant constant dans les zones neutres, on peut représenter le
profil de champ E(x) comme sur le schéma de la figure 1.16.

• Diagramme d’énergie
Le diagramme d’énergie est obtenu à partir de la relation liant le champ électrique à
l’énergie, soit :
Z x
W (x) − W (0) = q · E(x)dx (1.14)
0

En tenant compte de la discontinuité δEC de la bande de conduction à l’hétérojonction

InAlN/GaN, on obtient le diagramme donné à la figure 1.16. L’intégration de l’équation
précédente permet d’estimer les différents niveaux d’énergie.
Soit d1 la distance entre l’origine et x1 , et d2 la distance entre x1 et x2 :

W1 = W0 + qE1 · d1 (1.15)

Or :
W0 = −qV gs + qφbInAlN (1.16)

On a donc :
W1 = −qV gs + qφbInAlN + qE1 · d1 (1.17)

Le niveau de Fermi étant à l’équilibre, on peut écrire l’égalité suivante :

W1 − ∆Ec + Ef + W0 + qV gs − qφbInAlN = 0 (1.18)

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 41

Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
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donc :

W0 = ∆Ec − Ef − qE1 · d1 (1.19)

W1 = ∆Ec − Ef (1.20)

Des relations précédentes (18 - 19 - 20 ), on déduit que :

 
q · d1

− qV gs + qφbInAlN = ∆Ec − Ef − qns − σInAlN/GaN (1.21)
ǫInAlN

donc :

σInAlN/GaN · d1
 
ǫInAlN ∆Ec Ef
qns (Ef, V gs) = V gs − φbInAlN + − + (1.22)
d1 q q ǫInAlN

Cette dernière relation peut également s’écrire :

qns (Ef, V gs) = C0 [V gs − V th] (1.23)

avec :

∆Ec Ef σInAlN/GaN · d1
V th = φbInAlN − + − (en V) (1.24)
q q ǫInAlN
(1.25)
ǫInAlN
C0 = (en F/m2 ) (1.26)
d1

Où Vth représente la tension de commande à appliquer sur la grille pour que le canal
soit déplété (tension de pincement), et C0 représente la capacité par unité d’aire entre la
grille et le gaz d’électron bidimensionnel (2DEG).

• Contrôle du courant
Lorsqu’on applique une tension entre la source et le drain, les porteurs libres du canal
sont soumis à un champ électrique et acquièrent alors une vitesse v(x), qui dépend du
champ électrique en x. Le courant Ids engendré vaut donc :

Ids = q · ns ν(E) · Z (1.27)

où Z correspond au développement total du transistor.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 42

Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
Gallium
Les équations 1.23 et 1.27 montrent que la tension Vgs contrôle effectivement le courant
par l’intermédiaire de la densité de porteurs dans le canal. Ce courant augmente en
fonction de la tension Vds jusqu’à ce que le champ électrique atteigne la valeur pour laquelle
v = vSAT , valeur pour laquelle on observe une saturation du courant. La modulation
de la densité d’électrons et donc du courant dans le canal est réalisée par le pilotage
de la tension de grille (figure 1.17) via le contact Schottky entre la grille et la couche
d’InAlN. Lorsque la tension Vgs est faible et égale à la tension de pincement, la bande de
conduction se situe au dessus du niveau de Fermi : il n’y a pas de porteurs dans le puits
de potentiel, le courant de sortie est nul, et le transistor est dit bloqué. Lorsque la tension
Vgs augmente, le bas de la bande de conduction passe au-dessous du niveau de Fermi
dans la zone non intentionnellement dopée. La profondeur du puits augmente ainsi que le
nombre de porteurs dans ce puits situé sous l’hétéro-interface InAlN/GaN. On remarque
que si Vgs = 0 V nS n’est pas nul et ainsi le transistor conduit. Cette propriété fait de ces
transistors des composants dits ≪ à désertion ≫également appelés normally ON.

0,5

Vgs=0V à -3V
0,25
Ec (eV)

-0,25
InAlN GaN
y (nm)
-0,5
15 22 30

Figure 1.16 – Variation de la hauteur de conduction en fonction de la polarisation de

grille, vue en coupe sous la grille. Pour Vgs = 0 V , le canal est formé, le gaz 2DEG peut
donc circuler. Pour Vgs = −3 V le puits de potentiel à disparu, le transistor est donc
≪ pincé ≫.

Le calcul de la densité de porteurs se fait grâce à une méthode détaillée en [16],[17]

appelée résolution autocohérente des équations de Poisson et de Schrödinger. Il est ainsi
possible d’estimer, d’un point de vue théorique, la mobilité nS des porteurs citées dans le
tableau 1.3 pour les structures présentées dans le paragraphe précédent [18],[19].
Toutefois M. Gonshoreck a montré [20] qu’une structure InAlN sur GaN ; telle que
nous l’avons évoquée d’un point de vu théorique, ne permet pas d’obtenir les mobilités de
porteurs attendues. Il est nécessaire d’introduire une mince couche d’AlN ( eAlN ≈ 1nm)
afin d’augmenter la mobilité des porteurs dans le canal.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 43

Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
Gallium

0 x1 x2 x

Substrat
InAlN
Grille

GaN
σ(C/m-2)
+σInAlN/GaN

x
q.nS
-σMetal/InAlN

E(x)(V/m)
E2

x
E1

q.φbInAlN
ΔEc Ec
-q.Vgs
EgInAlN Grille Ef
2DEG EgGaN
Ev

ΔEf

InAlN GaN

0 d1 d2

Figure 1.17 – Répartition des charges, du champ électrique et diagramme d’énergie d’une
structure HEMT InAlN/GaN simple.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 44

Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
Gallium
Polarisations et densité de porteur
∆P o (C.m−2 ) Ppiezo (C.m−2 ) nS (C.m−2 )
Al0,3 Ga0,7 N/GaN −1, 56.10−2 −9, 8.10−3 1, 56.1013
In0,17 Al0,83 N/GaN −3, 7.10−2 0 2, 73.1013

Table 1.3 – Polarisation et calcul théorique de la densité de porteurs dans l’InAlN/GaN

et l’AlGaN/GaN.

1.4.2.2 Choix de l’hétérojonction

En vue de l’application souhaitée, volontairement orientée sur l’élévation de la

fréquence de travail ainsi que sur la capacité de l’alliage à fonctionner pour de fortes
puissance, notre choix se tourne naturellement vers l’InAlN/GaN. Cette structure, dont
l’étude du point de vue matériaux à débuté en 2005, a fait voir le jour aux premiers
composants HEMT à base d’InAlN provenant de III -V Lab en 2007 [21]. Les transistors
utilisés dans la suite de nos travaux, au cours des étapes de caractérisation, de modélisation
et de conception sont issus de ces matériaux.

1.5 Performances des composants actuels

1.5.1 Effets limitatifs
Nous avons démontré dans les paragraphes précédents les limites propres à
la technologie. Il faut ajouter à ces limites les effets indésirables provenant des
caractéristiques statiques qui réduisent de manière significative les performances
hyperfréquences des composants HEMTs à base de GaN. Ces effets ≪ dispersifs basse
fréquence ≫ont été largement étudiés et traités au cours des dernières années [22]. Nous
proposons ici de recenser les principaux effets relatifs au nitrure de gallium et en particulier
ceux inhérent à la technologie InAlN/GaN. Il est à noter que la dissociation et l’estimation
précise de ces effets dispersifs basses fréquence est très délicate mais néanmoins nécessaire
afin de les prendre en compte de manière indépendante dans la réalisation d’un modèle
phénoménologique complet.

1.5.1.1 Les effets de pièges

• Présentation du phénomène
Les phénomènes de pièges proviennent d’impuretés localisées dans le semi-conducteur,
qui vont capter puis réémettre des porteurs de charges. Ceux-ci ne participant pas à la
conduction vont limiter le courant de drain du transistor. En fonctionnement grand signal
ces phénomènes se traduisent par une saturation de la puissance de sortie avec la tension
VDS et une diminution de la PAE. Une augmentation de la résistance RON est également

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 45

Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
Gallium
visible sur la caractéristique IDS (VDS ) du transistor. Ces phénomènes se caractérisent
par des vitesses de captures rapides (quelques nanosecondes à quelques centaines de
nanosecondes) et des vitesses d’émissions très lentes (de quelques microsecondes à
plusieurs secondes). D’un point de vue électrique, les pièges peuvent être séparés en deux
familles : ceux qui réagissent à des changements de polarisation de grille, générant les
effets dits de ≪ gate-lag ≫, et ceux qui réagissent à des changements de polarisation de
drain, générant les effets dits de ≪ drain-lag ≫. D’un point de vue physique, les pièges
peuvent être séparés par leur localisation dans le composant. On trouve principalement
ces pièges en surface au dessus de la couche donneuse, et dans le buffer, sous le canal. Il
y a donc ici deux grandes familles. Or ces points de vues ne sont pas contradictoires : en
effet, il est admis pour les technologies conventionnelles III-V que les pièges de surface
sont généralement à l’origine du ≪ gate-lag ≫, et ceux de buffer généralement à l’origine
du ≪ drain-lag ≫[23], [24], [25]. Les mécanismes physiques intervenants sont décris plus
en détails par M. Faqir [26] et G. Mouginot [22].

• Le mécanisme de drain-lag
Le phénomène de ≪ drain-lag ≫apparaı̂t en technologie GaN lors de variation brusques
de la tension de drain. Il se traduit par une chute brutale du courant de drain lors
d’impulsions négatives. Le piège capture donc l’électron au cours de l’élévation de tension
drain pour le reémettre lorsque VDS diminue. Le niveau de courant de drain mesuré est
alors en deçà de celui attendu, et finit de s’établir une fois que les pièges ont reémis
les porteurs de charge (1.18). Ce phénomène est analogue à celui apparaissant dans
les transistors MESFETs à base de GaN [27]. Dans le cas de ce dernier, l’origine du
phénomène est due à la capture d’électrons dans le buffer GaN. Les travaux de P. B.
Klein [28] basés sur la spectroscopie ont permis de confirmer que les niveaux de pièges
associés au drain-lag étaient situés en dessous de la bande de conduction et par conséquent
de confirmer leur localisation dans le buffer GaN.
Ainsi il est possible de déterminer que certain facteurs influent sur ces constantes de
temps, tels l’excitation thermique ou lumineuse.

• Le mécanisme de gate-lag
Il intervient lors d’une variation brusque de la tension appliquée sur l’accès de grille.
Au cours d’une impulsion positive, présentée sur la figure 1.19, le porteur de charge qui
avait été capturé est lentement réemis ; de cette durée de relaxation dépend la vitesse
d’établissement du courant de drain.
D’après K. Horio [29], et O. Mitrofanov [30] ce phénomène de piège est localisé en
surface du composant, en particulier entre la grille et le drain. Cette hypothèse est

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 46

Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
Gallium

Vds

Vgs
t

Ids Capture

Emission
t
t1 t2

Figure 1.18 – Mise en évidence du phénomène de drain-lag, et des phases de capture et

d’émission au court d’une impulsion relative négative sur l’accès de drain.

corroborée par le fait qu’il est possible de réduire le gate-lag allant même jusqu’à le
supprimer totalement grâce à des traitements de surface comme l’ajout d’une couche de
SiN (passivation) [31] entre le drain et la grille, ou encore l’ajout de plaques de champs
[32]. Ces deux procédés influent également sur la tension de claquage du composant, mais
dans des proportions opposées. En effet si l’ajout de plaques de champs a tendance à
augmenter la tension de claquage [32], [33], [34], la passivation peut avoir un effet néfaste
comme l’a remarqué A. Chini [35].

Nous tenons à souligner également une diminution significative des effets de pièges,
relative aux matériaux utilisés, entre la technologie AlGaN/GaN et InAlN/GaN [36],
[37] ; une quantification comparative sera présentée ultérieurement. Bien qu’un déficit
de travaux permette d’affirmer cela, l’explication la plus immédiate est une réduction
importante des impuretés liées au matériaux utilisés. J. Kuzmick a constaté [38] une
diminution des pièges de surface liée à l’ajout de la couche d’AlN au cours de la croissance
de l’InAlN. Il l’explique par la diminution du champ électrique dûe à la couche d’AlN
sans affecter la densité de porteurs dans le canal.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 47

Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
Gallium
Vds

Vgs
t

Ids Emission

Capture

t
t1 t2

Figure 1.19 – Mise en évidence du phénomène de gate-lag, et des phases de capture et

d’émission au court d’une impulsion relative positive sur l’accès de grille.

1.5.1.2 La tension de claquage

C’est un paramètre important des technologies HEMTs III-V puisqu’il constitue un

net avantage sur ses concurents. Il dépend principalement de la distance entre la grille et
le drain du composant.
Dans le cas de l’hétérojonction AlGaN/GaN il est possible de trouver dans la littérature
des champs de claquage compris entre 40 et 100V /µm [39]. Cette distance grille/drain
étant un des paramètres majeurs du champ de claquage elle est généralement déterminée
en fonction du type d’applications souhaitées. Par exemple, pour des applications en bande
S, il est typiquement de 4µm et pour la bande X de 2, 5µm.
L’ajout de plaques de champs, aussi appelées field plates (cf. figure 1.20), permet
un étalement du champ électrique dans l’espace grille/drain. Comme nous l’avons vu
précédemment, elle influe notamment sur les pièges, elle permet également de repousser
la tension de claquage. G. Lecoustre [40] a présenté un recul de la tension de claquage
de 50V pour l’ajout d’une plaque de champ reliée à la source de 1, 7µm sur les HEMTs
à base d’InAlN/GaN. Cependant, l’ajout de la plaque de champ augmente les capacités
parasites et réduit les performances fréquentielles des composants [41].

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 48

Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
Gallium
Plaque de champ DGD ≈ 2,5µm
reliée à la source
FPS ≈ 1,2µm Passivation
SiN

Grille
Source Drain
InAlN
2DEG
GaN

Substrat

Figure 1.20 – Coupe d’un composant mettant en évidence les traitements de surface tels
que la passivation et la plaque de champ de source.

1.5.1.3 L’effet thermique

Nous avons précédemment évoqué la prise en compte de l’échauffement lors du choix

du matériaux, mais il est important d’insister sur le phénomène d’auto échauffement
dûe à la dissipation de puissance par effet Joule lors de son fonctionnement. Cette prise
en compte est importante car une élévation de la température du composant entraı̂ne
une diminution de la vitesse [42] et de la mobilité [43] des porteurs dans le canal et par
conséquent une diminution du courant de drain ainsi qu’une limitation de la fréquence
d’utilisation. Il est donc important d’évaluer précisément la température du composant.
Pour ce faire plusieurs méthodes existent et seront développées ultérieurement. Nous
nous contenterons pour l’instant de présenter en figure 1.21, l’évolution de la vitesse
des porteurs de charge, ainsi que l’évolution du courant maximum en fonction de la
température du composant.

1.5.1.4 Courant de fuite en polarisation inverse de la diode grille-source

En technologie GaN, la fuite de courant lorsque la diode de grille est polarisée en

inverse, a pour effet une dégradation prématurée du composant. Ce phénomène, est
présenté pour l’AlGaN par O. Mitrofanov [30] qui l’attribue à un effet tunnel induit par les
pièges de grille. On observe un phénomène similaire en technologie InAlN/GaN, lié à un
effet tunnel [44], dans des proportions plus importantes (pouvant aller jusqu’à 1mA/mm
pour Vds = 20V et Vgs < Vp ). Cet effet tunnel engendre un contrôle du courant par la
grille (contact Schottky) moins fiable. Il en résulte un mauvais pincement du réseau pour
des tensions de drain importantes et par conséquent une diminution des performances
de puissance, ainsi qu’une dégradation et un vieillissement prématuré du composant en
mode d’amplification de puissance. En mode de commutation, l’isolation se voit réduite

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 49

Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
Gallium

Vitesse (x10 7cm/s)

27°C
227°C
727°C

Champ Electrique (MV/cm)

Figure 1.21 – Vitesse de dérive des porteurs dans le semi-conducteurs GaN en fonction
du champ électrique pour différentes températures.

à cause de ces fuites. Ce phénomène est observé sur les composants présentés au cours de
la caractérisation, et tend à être réduit depuis grâce à l’ajout d’une fine couche d’oxyde
thermique natif d’aluminium sous la grille (AlOx d’une épaisseur d’environ 20Å).
Cette amélioration technologique rapproche le composant HEMT d’une technologie
Metal Oxyde Semiconducteur, ainsi le composant s’apparenterait à un MOSHEMT
pouvant présenter la particularité d’être naturellement déserté ou ≪ normally OFF ≫[45].

Nous avons choisi de nous intéresser aux phénomènes précédents car ils sont les plus
spécifiques aux composants HEMTs InAlN/GaN. Cependant il est possible de trouver une
explication détaillée des effets intervenant dans le GaN dans les manuscrits de R. Vetury
[31], M. Faqir [26], O. Jardel [3] et M. Gonshoreck [20]. Nous proposons en figure 1.22 une
coupe du transistor HEMT InAlN/GaN qui sera étudié par la suite.

1.5.2 Performances actuelles - État de l’art

Ces composants HEMTs InAlN/GaN sont prometteurs pour le développement
d’application de puissance à hautes fréquences. Ils supportent naturellement
d’importantes tensions de polarisation ainsi que de fortes puissances. De plus, leur
spécificité propre à l’utilisation de l’alliage InAlN leur confère un fort potentiel pour
des applications à des fréquences supérieures à celles développées avec la structure
AlGaN/GaN. Les premiers résultats de caractérisation en fonctionnement non-
linéaire (de type load-pull) permettent de confirmer l’intérêt des composants utilisant
l’hétérostructure InAlN/GaN dans la bande S, C et X [21].

Au niveau du transistor unitaire, des mesures prometteuses pour les bandes Ku, K

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 50

Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
Gallium
Lg=0,25 µm
DGS=1 µm DGD=2,5 µm

Source Grille Drain

11 nm In0,18Al0,82N
2,5 nm AlN

1,75 µm GaN

400 µm Substrat SiC

Figure 1.22 – Coupe du transistor HEMT à base d’InAlN/GaN étudié par la suite.

et Ka ont put être réalisées, comme le montre A. Crespo [46] en 2010. Il présente une
caractérisation grand signal à 35 GHz, pour une polarisation de 20V avec un courant de
drain correspondant à une polarisation en classe AB profonde. Ce transistor, composé de 4
doigts de grille de 85µm de largeur et de 0, 25µm de long délivre une densité de puissance
de sortie de l’ordre de 5, 8W/mm, avec un gain associé de 6, 6dB et un rendement en
puissance ajouté de 43%.
Au niveau des amplificateurs puissance, nous proposons ici un récapitulatif des
performances connues à ce jour en bande Ka. A ces fréquences [26GHz − 35GHz] peu de
composants sont utilisés pour des applications de puissances. Les plus largement utilisés
restent les pHEMT à base d’arséniure de gallium. Cependant les composants HEMT à base
de GaN gagnent petit à petit leur place au sein des applications de télécommunications
satellites et radar. Nous présentons dans le tableau 1.23, les différents résultats connus
à ce jour issus de laboratoires et d’industries, pour des conceptions en amplification de
puissance en bande K.
L’écart constaté sur les performances des produits issus des fonderies et laboratoires
Américains illustre la relative maturité qu’ils possèdent vis à vis de leur concurents
Européens. Cette avance peut s’expliquer par les restrictions imposées par les États Unis
sur les composants ≪ sensibles ≫.

Il est intéressant de dissocier les produits du commerce correspondant à une technologie

mature et fiable comme les pHEMT à base d’arséniure de gallium. Les principales
réalisations d’amplificateur de puissance en bande K proviennent, dans le cas des HEMT
à base de GaN, de publications scientifiques issues de laboratoires de recherche. De même
pour le type de conception choisi, on peut observer qu’il est plus fréquent de réaliser des
conceptions de type MMIC (Monolitic Microwave Integrated Circuit) qu’hybrides. Ces

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 51

Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
Gallium
raisons seront détaillées ultérieurement, nous nous contenterons ici d’insister sur l’avantage
des MMICs pour des raisons de compacité et de dissipation thermique. Dans ce tableau,
il est également important de constater l’écart entre les densités de puissance des deux
technologies majeures utilisées pour l’amplification de puissance en bande K. L’importante
densité de puissance de la technologie HEMT à base de GaN en fait un candidat idéal
pour les applications de télécommunications civile et militaire des années à venir.

1.6 Conclusion
Nous avons pu constater en bande Ka, que les HEMT GaN, malgré leur manque de
maturité, présentent des densités de puissances 2 à 6 fois supérieures à celles obtenues grâce
aux pHEMT à base de GaAs. Les pHEMT possèdent néanmoins des avantages certains
liés à leur disposition à opérer à des fréquences plus importantes ainsi que leur faible
génération de bruit qui les oriente naturellement vers des applications d’amplification
faible bruit.
L’indéniable capacité du HEMT GaN à supporter des tensions et des puissances élevées
en font une structure privilégiée pour l’amplification de puissance, toujours actuellement
entachée des effets limitatifs dispersifs présentés auparavant. Comme nous l’avons
vu l’alliage InAlN/GaN devrait permettre de réduire considérablement les pertes de
puissances liées aux pièges tout en augmentant la fréquence d’utilisation des composants.
D’ailleurs, l’ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductor) préconisait,
en 2006, le développement des HEMT GaN pour les applications de puissance allant
jusqu’à 50GHz (pour 2007) allant même jusqu’à élever à 60GHz l’objectif fixé pour les
applications de puissance à base de GaN pour 2011.
Il faut cependant garder à l’esprit la jeune expérience de la filière GaN et plus
particulièrement des HEMTs à base d’InAlN/GaN. Comme nous pourrons le constater, les
composants utilisés au cours de nos travaux de caractérisation, modélisation et conception
sont issus d’une technologie en cours d’étude qui peut présenter des singularités qu’il est
important de comprendre et d’interpréter si l’on souhaite contribuer à son amélioration.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 52

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN

Gallium
Chapitre 1 : Evolution et potentialités des transistors HEMTs à base de Nitrure de
Ps Ps/dev Nbr d'étages Fréquence centrale Bande Type PAE Gain Mode Polar Date Remarques
InP / GaAs HBT W W/mm GHz GHz % dB Pulsé/CW V
[47] TRW Electronics 0,5 21 21-24 MMIC 40 9 CW Vce=5,5V 2000 InP
[48] NEC 1,59 1 30 29,8-31 MMIC 35 6,8 CW Vce=9V 2000 AsGa
GaAs pHEMT Ps Ps/dev Nbr d'étages Fréquence centrale Bande Type PAE Gain Mode Polar Date Remarques
[49] Fujitsu 2,2 3 24 23-26 MMIC 20 28 CW Vds=7V/Ids=1,5A 2000
[50] Eudyna 0,28 4 26 20-30 MMIC 10 16 CW Vds=10V/Ids=250mA 2005 composant commercial
[51][52] Triquint 4 0,5 3 30 26-32 MMIC 25 18 CW Vds=6V/Ids=1,6A 2005 composant commercial
[53] Triquint 7 0,4 3 30 26-32 MMIC 20 18 CW Vds=6V/Ids=3,2A 2005 composant commercial
[54] Mimix Broadband Inc. 0,63 0,35 3 19,7 17-24 MMIC 16 CW Vds=5V/Ids=700mA 2006
[55] Mimix Asia 3,5 0,74 4 35 34-36 MMIC 25 22 Pulsé 2008
[56] Triquint 3,8 0,79 3 32 32,5-36 MMIC 36 22 CW Vds=6V/Ids=1A 2010 composant commercial
[57] UMS 0,56 4 23,5 23-26,5 MMIC 19 32 CW Vds=6V/Ids=550mA 2010 composant commercial
AlGaN/GaN HEMT Ps Ps/dev Nbr d'étages Fréquence centrale Bande Type PAE Gain Mode Polar Date Remarques
[58] HRL Laboratories 2,2 2,6 2 33 24,5-33 MMIC 18,6 5 CW Vds=13V/Ids=270mA 2004
[59] Fraunhofer/TNO 2,5 1,31 2 27 25-34 MMIC 7 6 CW Vds=30V/Ids=310mA 2005
[60] HRL Laboratories 4 1,25 2 28 27,5-34,5 MMIC 23,8 8 CW Vds=10V 2005
[61] Cree 8 5,3 1 30 30-35 MMIC 31 4,1 CW Vds=28V 2005 composant pré-adapté
[62] HRL Laboratories 3,7 3,1 2 26,5 25-30 MMIC 20 9 CW Vds=24V 2006
[63] Army Research Laboratory 4 3,3 35 26-36 MMIC 23 5 CW Vds=24V 2006
[64] Toshiba 20 3,1 2 26 26-30 MMIC 15 4,7 CW Vds=30V 2011 composant pré-adapté
InAlN/GaN HEMT Ps Ps/dev Nbr d'étages Fréquence centrale Bande Type PAE Gain Mode Polar Date Remarques
III-V Lab 4,5 4,1 2 20 19,5-20,5 Hybride 20 7,5 CW Vds=20V/Ids=300mA 2011 Démonstrateur
III-V Lab 1,6 2,8 2 26,5 25,5-26,5 Hybride 15 7,6 CW Vds=20V/Ids=160mA 2011 Démonstrateur

Figure 1.23 – Comparaison des performances RF d’amplificateurs de puissance aux bandes K et Ka utilisant des transistors de
différentes technologies.
Page 53
Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

Chapitre 2 :

Instrumentation et méthodes de
caractérisation

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 54

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

2.1 Introduction
Nous présenterons dans ce chapitre une étude parallèle des technologies à base de
composants AlGaN/GaN et InAlN/GaN réalisés au III-V Lab. Il comportera une étude
conventionnelle permettant d’évaluer les capacités des composants, mais aussi d’extraire
un modèle linéaire et non-linéaire nécessaire à la conception d’amplificateurs de puissance.
Nous proposerons également une méthode de caractérisation grand signal dédiée aux
applications de commutateurs de puissance. Enfin, nous présenterons les différentes études
menées sur les méthodes et instruments de caractérisation, permettant d’appréhender
et d’interpréter les phénomènes intervenant dans les HEMTs en fonctionnement. Une
importance particulière sera accordée aux problèmes relatifs à l’auto-echauffement des
composants. Une méthode de caractérisation de l’impédance thermique, permettant de
s’affranchir des phénomènes de pièges sera proposée.

2.2 Bancs et méthodes usuelles de mesures

Les composants novateurs, issus de différentes fonderies et utilisés dans un large panel
d’applications, doivent en premier lieu être caractérisés. Cette étape fondamentale permet
d’évaluer les performances du composant, en régime statique, petit et grand signal. Ainsi
il est possible de connaı̂tre, leurs performances mais également de déterminer leurs limites
propres à leurs conditions d’utilisation.
Dans cette partie nous présenterons les bancs de mesures utilisés par XLIM pour la
caractérisation des transistors de puissance en vue de leur modélisation, mais également
les méthodes développées permettant de quantifier les effets dispersifs présentés dans le
chapitre 1.

2.2.1 Le banc de mesure en impulsions

Un des principaux système de caractérisation est le banc I-V DC ou impulsionnel,
associé à une acquisition des paramètres-[S] continus ou impulsionnels. Il est utilisé
pour l’élaboration du modèle linéaire de transistor, pour la caractérisation statique, mais
aussi pour déterminer l’impact des pièges et de l’echauffement sur les performances du
composant. Ce banc de mesure est présenté en figure 2.1. Il sert de base essentielle à de
nombreuses thèses et publications depuis une quinzaine d’années [65], [66], [67]. Les deux
fonctionnalités de ce banc, seront présentées séparément dans les paragraphes suivants.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 55

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

Générateur d’impulsions Générateur d’impulsions

de Grille de Drain
HP 8110 HP 8114

Trigger IG VG VD ID

Oscilloscope
Réseau Réseau
d’accès d’accès

- 1.-00. -80. -60.-40. 0.

2 00. 20. 40. 60. 81. 0
Synthétiseur RF Pulsé
- 1.-00. -80. -60.-40. 0.
2 00. 20. 40. 60. 81. 0

Anritsu MG3695B
10.000000 GHz
- 1.-00. -80.-60. -40. 0.
2 00. 20. 40. 60. 81. 0
Level Freq Setup Pulse

BUS IEEE 488 (GPIB) - 1.-00. -80.-60. -40. 0.

2 00. 20. 40. 60. 81. 0

10 MHz référence
RF

Analyseur de Réseaux
Vectoriels
DC
DC RF+DC RF
RF RF+DC
Té de polarisation
Té de polarisation D.S.T

Figure 2.1 – Schéma de montage du banc IV en impulsion, associé à un analyseur de

réseau permettant une étude petit signal en impulsion.

• Le banc I-V comprend :

- Un générateur HP8110 utilisé pour la polarisation de l’accès de grille. Il génère
des impulsions d’amplitude ±20V avec des temps de montés rapides (≈ 30ns avec des
cables d’alimentation de 1m). Il est associé un générateur HP8114 pour la polarisation de
l’accès de drain, qui est une version forte puissance du précédent. Il permet de générer des
impulsions inférieures à une droite de charge 100V − 2A. Ces générateurs peuvent fournir
une largeur minimale d’impulsion de 50ns, cependant nous utiliserons plus généralement
des impulsions de 500ns de largeur. Ils corespondent à l’impulsion minimale pour établir
le courant IDS dans un composant HEMT de développement 8x75µm. Pour la mesure de
composants de développement plus importants, ayant des courants de drain supérieurs à
2A, il est possible d’utiliser le générateur d’impulsion BILT pouvant délivrer une tension
maximum de drain de 240V ou un courant de 10A.
- Un pont de résistance, aussi appelé réseau d’accès sur la figure 2.1, permet de limiter
la tension appliquée sur l’accès de grille et l’accès de drain. Il permet également de définir
la précision avec laquelle le courant de grille est mesuré, en modifiant la valeur de la
résistance au borne de laquelle le courant est mesuré.
- Un oscilloscope DPO 7054, 4 voies, permet de réaliser l’acquisition en tension et
courant de l’accès de grille et de drain. Sa résolution verticale est de 8 bits. La récupération
des signaux est réalisée grâce à l’utilisation de deux sondes de tensions Tek P6139A, une
sonde différentielle TDPO500 ainsi qu’une sonde à effet Hall.
- Un socle thermique permet de réguler la température du composant sur une gamme

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 56

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

allant de −65o C à 200o C.

- Des tés de polarisation (Agilent 11612A OPT001 avec option fort courant), dont
l’accès continu (DC) permet de laisser passer un courant allant jusqu’à quelques ampères.
Ces tés de polarisation possèdent une bande passante de 50M Hz et laissent donc passer
sur l’accès DC le signal en impulsions.

• La partie petit signal comprend :

- Un Analyseur de Résaux Vectoriel (ARV) Anristsu 37000 ayant subi une
modification spécifique (ajout de filtres IF) pour l’utilisation des paramètres-[S] en
impulsion, associés à une source hyperfréquence externe. Cet ensemble permet un balayage
de fréquence, à faible niveau (−10dBm) entre 50M Hz et 40GHz. Cet ARV permet
également de réaliser des mesures de paramètres-[S] aussi bien en continu qu’en impulsion
(avec une largeur minimum de 150ns en impulsion).
- Les tés de polarisation Agilent 11612A OPT001, sont données pour une bande
de fréquence [40M Hz ; 26, 5GHz]. Cependant après caractérisation il est possible de
les utiliser jusqu’à 40GHz, la calibration prenant en compte la dispersion au delà de
26, 5GHz. De plus, il n’existe pas, à notre connaissance, de tés de polarisations alliant les
spécificités DC présentées précédemment et montant jusqu’à 40GHz.
- Une source RF pulsée/CW : Anritsu 68367C, permet de d’alimenter le circuit RF à
faible niveau de puissance.
- Les sondes de mesures RF (pointes RF) : Nous utilisons avec ce banc principalement
des sondes à trois pointes masse/signal/masse (GSG) 40GHz, avec des écartements
pouvant varier de 100µm à 200µm.
L’intégralité du banc est contrôlé par un logiciel développé par J.-P. Teyssier [65]
permettant également l’acquisition des données statiques et des données petit signal.

2.2.1.1 Intérêts du banc I-V impulsionnel

La mesure impulsionnelle est moins stressante pour le composant que la mesure

continue, en particulier lorsqu’il faut sonder des zones de fonctionnement pouvant
engendrer des dégradations ou la destruction du composant. C’est en particulier le cas
des zones d’avalanche ou de forte conduction de la diode de grille. De plus, comme
nous le verrons, ce principe de mesure permet de mettre en évidence les phénomènes
électriques dûs aux pièges tout en s’affranchissant en grande partie des problèmes d’auto-
échauffement. Cette méthode repose sur le choix d’un point de polarisation de repos (état
bas de l’impulsion) VDS = V0 , dont la puissance dissipée fixe la température à T0 . En
imposant un rapport cyclique (entre la largeur d’impulsion et la période R(%) = Tτ )
suffisemment faible (< 10%), on peut considérer la mesure comme isotherme (figure 2.2).

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 57

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

VINST Niveau instantané

τ! ~ 400 ns T ~ 10 µs
V0
Niveau de repos
temps
TINST
T0
temps

Figure 2.2 – Principe d’élévation de la température relative à la polarisation de repos V0

et instantanée Vinst . La largeur d’impulsion τ étant très inférieure devant la période P , la
température du composant peut être considérée constante à T = T0

On peut ainsi comparer les caractéristiques statiques de sortie en impulsion pour

deux composants HEMT (l’un AlGaN/GaN et l’autre InAlN/GaN) normalisés pour une
polarisation de repos de VDS0 = 0V et IDS0 = 0A. Cette caractéristique permet de
déterminer plusieurs paramètres pertinents :
– La pente dans la zone ohmique (RON ),
– La tension de pincement (VP ),
– La tension de claquage (VBK ),
– Le courant maximum (IDSS ).
La figure 2.3 illustre la mesure I-V de deux composants, de 8 doigts de grille de 75µm de
largeur et de 0, 25µm de longueur (8x75µm), le premier utilise la structure AlGaN/GaN
et le second InAlN/GaN. Afin de ne pas restreindre l’étude au développement retenu,
nous avons normalisé les grandeurs. Les mesures sont réalisées en impulsions pour une
polarisation de repos de Vgs0 = Vds0 = 0V , la dissipation de puissance au point de repos
est donc nulle. Les impulsions ont des largeurs de 500ns et une période de 10µs. Dans ces
conditions on pourra considérer que le composant ne subit pas d’élévation de température
liée à l’auto-échauffement. De plus, les impulsions présentées ne sont pas soumises aux
limitations relatives aux pièges dans le cadran VDS > 0V et IDS > 0A, puisque les
impulsions réalisées pour décrire cette caractéristique I-V place les pièges en phase de
capture et non d’émission. Le réseau IV présente donc les caractéristiques statiques du
composant affranchies des principaux effets limitatifs. Nous présenterons dans la table 2.1
les valeurs obtenus pour ces deux composants HEMTs (8x75x0, 25 µm2 ).

Paramètres statiques
IGS (mA/mm)
RON (Ω.mm) VP (V ) VBK (V ) IDSS (A/mm)
@VDS = 25V
AlGaN/GaN 2, 6 −4, 5 ≈ 100 0, 9 1, 5
InAlN/GaN 2, 9 −3, 5 ≈ 60 1, 1 5, 6

Table 2.1 – Paramètres statiques des composants HEMTs AlGaN/GaN et InAlN/GaN

déterminés à partir de la caractérisation IV de sortie de ces deux composants.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 58

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

1.2 1.2

0.8 0.8

0.4
0.4
0.0
Ids (A/mm)

Ids (A/mm)
0.0
-0.4
-0.4
VGS = 0V à -10V -0.8 VGS = 0V à -9V
-0.8
-1.2

-1.2 -1.6

-1.6 -2.0
-20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20 25 -20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20 25
Vds (V) Vds (V)

a) b)

Figure 2.3 – Réseau IV à VGS constant pour une polarisation de repos Vgs0 = Vds0 = 0V ,
a) pour un composant AlGaN/GaN, le réseau est donné pour Vgsi = 0V à −10V par pas
de 1V ; b) d’un composant InAlN/GaN, le réseau est donné pour Vgsi = 0V à −9V par
pas de 1V .

Cette étude préliminaire montre une caractéristique I-V des transistors issus de la
technologie InAlN/GaN. Cette caractéristique se rapproche de celle obtenue avec la
technologie AlGaN/GaN. Les écarts les plus importants sont observés sur la tension de
claquage ainsi que sur les courants de fuite plus important observés sur les composants
à base d’InAlN. La tension de claquage est mesurée au III-V Lab suivant la méthode
proposée par S. R. Bahl en 1993 [68]. Ces résultats illustrent les principaux défauts
observés sur les premières plaques InAlN/GaN réalisés au III-V Lab. Ces défauts ont été
abordés dans le chapitre précédent. En conséquence de sa tension de claquage inférieure,
le point de polarisation utilisé, au cours des études petits et grands signaux, sera ramené
à VDS ≈ 20V au lieu de VDS ≈ 25V . Nous rappelons que ce problème, abordé dans le
paragraphe 1.5.1.4, tend à être réduit par l’ajout d’un oxyde natif sous la grille. Celui-ci
contribue également à diminuer la fuite de courant.
De ces mesures il est possible de déterminer la transconductance gm ainsi que la
conductance de sortie gd qui sont respectivement les dérivées partielles de IDS en fonction
de VDS et VGS comme le montrent les équations 2.1 et 2.2 :

∂IDS
gm = (2.1)
∂VGS

∂IDS
gd = (2.2)
∂VDS
Ces deux paramètres permettent de définir l’état de la source de courant au point
mesuré. Nous verrons que les caractérisations petit signal permettent également d’extraire
ces paramètres. Un écart est cependant observable du fait de la présence des pièges. En
fonctionnement d’amplification de puissance en classe AB profonde le point de polarisation

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 59

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

communément choisi avec ce type de composants est VDS ≈ 25V, IDS ≈ 30mA/mm.
Dans ces conditions de polarisation les performances statiques du composant sont
limitées par l’effet des pièges et de l’élévation de température liée à la dissipation de
puissance. L’impact sur les caractéristiques I-V seront présentées ultérieurement. Pour le
point de polarisation choisit, la puissance dissipée est de PDISS = 0, 75W et correspond
à une élévation de température de l’ordre de 15o C pour un 8x75µm. Afin de déterminer
l’impact de chacun de ces effets nous essaierons par la suite de les dissocier.

2.2.1.2 Méthode de caractérisation de pièges

La méthode proposée par C. Charbonniaud [69],[36], et utilisée par le III-V Lab,

permet d’estimer quantitativement l’influence des pièges sur les performances statiques du
composant. Au cours de la mesure en impulsions, nous choisirons de polariser le dispositif
sous test (DST) selon différents points de polarisations (Vds0 et Vgs0 ). Comme la durée
d’émission des pièges est plus longue que la phase de capture, le courant instantané Idsi
mesuré au cours de l’impulsion dépend à la fois de la tension de repos et de la tension
instantanée (Vdsi et Vgsi ). Les points de repos retenus sont les suivants :
- (1) Vgs0 = 0V, Vds0 = 0V ,
- (2) Vgs0 = Vp = −5V, Vds0 = 0V ,
- (3) Vgs0 = Vp = −5V, Vds0 = 25V .
Le gate-lag (GL) est quantifié en comparant les mesures issues des réseaux (1) et (2),
et le drain-lag (DL) en comparant celles issues des réseaux (2) et (3). Afin d’avoir une
quantification plus significative de l’impact des pièges, les paramètres GL (%) et DL (%)
sont calculés de manière à refléter la dégradation potentielle de puissance. La puissance
disponible est calculée à partir de la formule 2.3 donnant la puissance maximale théorique
en classe A :

1
POU T max = .Imax .(Vmax − Vcoude ) (2.3)
8
Avec :

Vmax = 2.Vds0 − Vcoude (2.4)

La différence entre les puissances de sorties, est calculé pour chaque I-V en pourcentage
selon les équations 2.5 et 2.6 :

∆I ′ .∆V ′
GL(%) = 1 − (2.5)
∆I.∆V

∆I ′′ .∆V ′′
DL(%) = 1 − (2.6)
∆I ′ .∆V ′

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 60

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

Les paramètres de ces équations sont obtenus graphiquement comme le montre la

figure 2.4

Ids

Idss (1) Vgs=0v (0v,0v)

(2) Vgs=0v (Vp,0v)
(3) Vgs=0v (Vp,Vds0)

ΔI ΔI’ ΔI’’

Vds0
Vds
ΔV’’
ΔV’
ΔV

Figure 2.4 – Schéma explicatif des pertes de puissances liées au gate-lag et au drain-lag
pour différentes polarisation de repos, (1) VGS0 = 0V et VDS0 = 0V , (2) VGS0 = Vp et
VDS0 = 0V et (3) VGS0 = Vp et VDS0 = 25V .

Nous présentons l’étude effectuée sur les pièges pour les deux composants 8x75µm.
Les courbes mesurées et présentées en figure 2.5 sont données pour VGS = 0V .

1.5 1.5
1 2 1
3
2
1.0 3 1.0
Ids (A/mm)
Ids (A/mm)

0.5 0.5
(1): VGS0=0V, VDS0=0V (1): VGS0=0V, VDS0=0V
(2): VGS0=-5V, VDS0=0V (2): VGS0=-5V, VDS0=0V
(3): VGS0=-5V, VDS0=25V (3): VGS0=-5V, VDS0=25V
0.0 0.0
0 5 10 15 0 5 10 15
Vds (V) Vds (V)
a) b)

Figure 2.5 – Tracé des mesures de pièges, à VGS = +1V , entre a) un composant
AlGaN/GaN, b) et un composant InAlN/GaN aux points de polarisation de repos (1),
(2) et (3).

Les valeurs proposées dans la table 2.2 ainsi que les mesures présentées en figure
2.5 sont données afin d’illustrer de manière qualitative une comparaison entre les deux
technologies. On peut ainsi mettre en évidence une réduction significative des pertes de
puissance relative à ces effets dispersifs dans le HEMT InAlN/GaN.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 61

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

Gate-lag (%) Drain-lag (%)

AlGaN/GaN 6 30
InAlN/GaN 5 12

Table 2.2 – Report des valeurs calculées de gate-lag et drain-lag, obtenues par
comparaison relative des courbes à VGS = +1V .

2.2.1.3 Mesure petit signal impulsionnelle (Paramètres-[S] pulsés)

La mesure de paramètres-[S] est une étape importante pour l’estimation des

performances RF d’un composant. Elle permet d’estimer les performances d’un composant
en régime linéaire ainsi que d’extraire les différents paramètres du modèle linéaire. Grâce
à son association avec le système de caractérisation I-V en impulsions il est possible de
réaliser une mesure systématique des paramètres-[S] pour chaque impulsion, comme le
montre la figure 2.6.

Ids(A)
0.7 0.7

0.0 0.0
-10 -8 -6 -4 -2 0 5 10 15 20 25 30
Vgs(V) Vds(V)
Vgs (V) Vds(V)
freq, GHz

Onde RF Paramètres-[S] 150

phase(sparam1..S(1,2))

100 S21
50
VGSi
VGS0

VDS0
VDSi

0
S12
sparam1..S(1,1)

S22 -50
0 5
freq (2.000GHz to 35.00GHz)
10 15 20 25 30 35
10
freq, GHz
mag(sparam1..S(1,2))

S11 4 S21
2
S12
0
freq (2.000GHz to 35.00GHz) 0 5 10 15 20 25 30 35
freq, GHz

Figure 2.6 – Schéma de principe de mesure systématique des paramètres-[S] en

impulsions associé la mesure I-V en impulsions.

Cependant, il faut rappeler que la précision de la mesure des paramètre-[S] dépend

de la durée de l’impulsion. C. Charbonniaud [69] présente la perte dynamique due à la
largeur d’impulsion ainsi que la période utilisée en impulsion. Néanmoins, nous noterons
que les récents instruments de mesures tels que le PNA-X d’Agilent [70] permet de réaliser
des mesures de paramètres-[S] en impulsions sans perte de dynamique. Dans le cadre de
notre étude des composants AlGaN/GaN et InAlN/GaN, nous présentons les coefficients
de reflexion d’entrée S11 et de sortie S22 , ainsi que les coefficients de transmission S12 et

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 62

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

S21 . Nous nous intéressons également au gain maximum sur la bande [2GHz − 40GHz]
pour deux composants de développement 8x75µm.
Au cours de cette étude, les deux transistors sont polarisés pour une application
d’amplification de puissance en classe AB. La polarisation est donc fixée à VDS = 25V et
IDS = 120mA pour le composant AlGaN/GaN et VDS = 20V et IDS = 120mA pour celui
à base d’InAlN/GaN. Les paramètres-[S] ainsi mesurés sont présentés en figure 2.7.
sparam1..S(2,2)
sparam1..S(1,1)

S(2,2)
S(1,1)
S22 S22

S11 S11

freq (2.000GHz to 35.00GHz) freq (2.000GHz to 35.00GHz)

10 10
mag(sparam1..S(1,2))

8 8
|, |S12| (dB)
|S |, |S | (dB)

|S21mag(S(1,2))

6 6
12

4 4
S21 S21
21

2 2
S12 S12
0 0
0 5 10 15 20 25 30 35 0 5 10 15 20 25 30 35
freq, GHz freq, GHz
150
150
phase(sparam1..S(1,2))
Phase S21, S12 (°)

S21, S12 (°)

100
100
phase(S(1,2))

S21 S21
50
50
Phase

0
S12 S12
0

-50
0 5 10 15 20 25 30 35 -50
0 5 10 15 20 25 30 35
freq, GHz
freq, GHz

a) b)

Figure 2.7 – Tracé des mesures de paramètres-[S] réalisées en classe AB pour a) un

composant HEMT AlGaN/GaN (VDS = 25V et IDS = 120mA) et b) un composant
HEMT InAlN/GaN (VDS = 20V et IDS = 120mA).

Nous avons décidé d’utiliser le gain maximum comme facteur révélateur de l’étude
petit signal. Cette courbe est réalisée à partir du gain stable maximum (MSG) et le gain
maximum disponible (MAG) (figure 2.8). Elle permet de connaı̂tre le gain linéaire d’un
transistor qui serait parfaitement adapté.
La table 2.3 présente un comparatif des performances petit signal extraites à partir des
résultats précédents. Ces mesures servent de point de départ à l’étude load-pull présentée

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 63

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

25 25

Gain maximum (dB)

Gain maximum (dB)

20 20

15 15

10 10

5 5

0 0
1E10 4E10 1E10 4E10
freq, Hz freq, Hz

Figure 2.8 – Tracé des mesures de gain maximum pour a) un composant HEMT
AlGaN/GaN (VDS = 25V et IDS = 120mA) et b) un composant HEMT InAlN/GaN
(VDS = 20V et IDS = 120mA)

dans le paragraphe suivant.

T ransition Gain(dB) ∗
Z22 Gain(dB) ∗
Z22
M SG/M AG(GHz) @10GHz @10GHz 18GHz @18GHz
AlGaN/GaN 14, 5 15 23, 7 + 21, 5.j 9, 6 15, 5 + 11, 8.j
InAlN/GaN 10 16, 3 28, 6 + 11, 3.j 10, 3 21, 7 + 4, 7.j

Table 2.3 – Report des valeurs issues de la mesure du gain maximum pour un composant
AlGaN/GaN et un InAlN/GaN.

2.2.1.4 Discussion

Cette étude petit signal a mis en évidence un comportement similaire des paramètres-
[S] et ce alors que le procédé de fabrication des HEMTs InAlN/GaN n’en est qu’au
commencement, ce qui est encourageant. La différence que l’on peut observer sur la
transition MSG/MAG est dûe à une résistance plus importante du métal grille sur ce
process.

2.2.2 Le banc de mesure grand signal (Load pull temporel)

Le principe de la mesure load-pull repose sur la mesure de signaux d’entrée et de
sortie du transistor alors que l’impédance de charge varie. L’objectif de cette variation
est de déterminer l’impédance optimale permettant de fournir les meilleurs performances
de puissances du dispositif sous test (DST). Deux méthodes existent pour réaliser cette
variation d’impédance, le système actif utilisant deux sources RF afin d’exciter chaque
accès du composant, le système passif dont l’impédance est imposée par un tuner.
Les travaux de J. Faraj [71] et F. De Groote [72] décrivent en détail la constitution de
ces bancs, ainsi que leurs méthodes d’étalonnage.
De même que pour la mesure petit signal, la caractérisation grand signal peut être
effectuée à l’aide d’un ARV. Cependant la mesure est réalisée pour un balayage de la

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 64

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

puissance d’entrée à une fréquence bien précise, il est donc nécessaire de réaliser un
étalonnage complémentaire de puissance.

Générateur d’impulsions Générateur d’impulsions

de Grille Oscilloscope de Drain
HP 8110 HP 8114

Trigger
IG VG VD ID
Réseau Réseau
d’accès d’accès

Anritsu MG3695B
10 MHz Référence
Analyseur
Analyseur de
de Réseaux
Réseaux
10.000000 GHz
Level Freq Setup Pulse
Vectoriels
VectorielNonlinéaires
Nonlinéaire
BUS IEEE 488(GPIB)
CH1 CH2 CH3 CH4
RF DC TCP-IP
en impulsion en impulsion

Coupleurs
d’ondes DC
50Ω
en impulsion
MPT-Tuner f0-2f0-3f0
Tuner f0
Drain
Grille 50Ω

Source Té de polarisation
Té de polarisation
D.S.T

Figure 2.9 – Schéma de montage du banc load-pull temporel, utilisant un système

d’analyseur de réseau vectoriel non-linéaire basé sur un LSNA.

Il est cependant possible de remplacer cet ARV par un analyseur de réseau vectoriel
non-linéaire (ARVNL). A Brive et Limoges, ce système repose sur un LSNA (Analyseur
de Réseaux Grand Signal). Il permet la reconstruction des formes d’ondes à l’entrée et à
la sortie du DST dans le domaine temporel, à la manière d’un oscilloscope qui pourrait
visualiser les ondes RF. Dans ce cas, l’accès aux formes d’ondes temporelles est réalisé
grâce à l’acquisition de l’amplitude de puissances des différentes harmoniques ainsi que
des relations de phases existant entre elles. Ceci est rendu possible grâce à l’utilisation de
coupleurs situés au plus proche du DST [72].

2.2.2.1 Principes fondamentaux du load-pull temporel

Ce banc est primordial pour connaı̂tre le comportement du composant en régime de

fonctionnement non-linéaire. Cette caractérisation permet d’estimer les performances de
puissance d’un composant selon des critères déterminés par les équations 2.7, 2.8 et 2.9.
- La puissance de sortie POU T exprimée en Watt ou dBm, la conversion de l’une à
l’autre se fait grâce à l’équation suivante :

POU T −W att
POU T −dBm = 10.log10 ( ) (2.7)
10−3
- Le gain en puissance exprimé en dB :

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 65

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

Gain = POU T −dBm − PIN −dBm (2.8)

- Le rendement en puissance ajouté (PAE), exprimé en pourcent % :

POU T −W att − PIN −W att

P AE = 100. (2.9)
PDC
Nous nous sommes également intéressés aux formes temporelles de courant et de
tension afin de visualiser les cycles de charges extrinsèques. Ils sont généralement étudiés
dans le cas de l’amplification de puissance, cependant leur observation est plus tout
aussi intéressante dans le cas des commutateurs. En mode de commutateur, nous nous
intéresserons particulièrement au coefficient de reflexion, présenté dans l’étude petit signal.
Il est possible de déterminer ce paramètre grâce à l’équation 2.10.

Z − Z0
Γ= (2.10)
Z + Z0
où Z0 est l’impédance caractéristique usuellement fixée à 50Ω.

2.2.2.2 Application en régime d’amplification de puissance

En vue de continuer l’étude menée pour nos composants AlGaN/GaN et InAlN/GaN

nous présentons ici des mesures load-pull réalisées à différentes fréquences en régime
d’amplification de puissance. Afin de mettre en exergue l’importante gamme de fréquences
possible, nous présenterons ici des résultats obtenus pour trois fréquences principales en
bandes S, X et Ku.

• Mesures de barrettes de puissance en acquisition monocoup à 2GHz

Nous avons réalisé une comparaison, entre deux barrettes de puissance issues des
deux technologies. Les développements comparés sont des barrettes composées de 15
composants associés en parallèle de 6 doigts de grille de 400µm de largeur et 0, 7µm
de longueur ( 15x6x400µm2 ) [73]. Pour des applications à ces fréquences, des composants
de développements plus importants sont usuellement retenus, car ils sont les plus à même
de fournir de fortes puissances en bande S ; de plus ils possèdent un gain en puissance
plus faible les rendant plus stable.
La figure 2.10 illustre les performances de ces composants pour une tension de
polarisation impulsionnelle de VDS = 40V pour la barrette à base d’AlGaN/GaN et
VDS = 25V pour celle à base d’InAlN/GaN pour un courant de repos IDS = 650mA. Ces
composants ont été mesurés au III-V Lab durant une impulsion monocoup. Ceci permet
de réaliser la mesure en réduisant ainsi au maximum l’augmentation de température
dûe à l’auto-echauffement qui est une facteur critique pour de développements tout en

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 66

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

20 15

18 13

Gain (dB)
Gain (dB)

16 11

14 9

12 7

10 5
10 15 20 25 30 35 40 45 10 15 20 25 30 35 40 45
Pin (dBm) Pin (dBm)
140 120

120 100
100
80

Pout (W)
Pout (W)

80
60
60
40
40
20
20
0 0
10 15 20 25 30 35 40 45 10 15 20 25 30 35 40 45
Pin (dBm) Pin (dBm)
50 50

40 40
PAE (%)
PAE (%)

30 30

20 20

10 10

0 0
10 15 20 25 30 35 40 45 10 15 20 25 30 35 40 45
Pin (dBm) Pin (dBm)
6 10

5 8

4
6
Ids (A)
Ids (A)

3
4
2
2
1

0 0
10 15 20 25 30 35 40 45 10 15 20 25 30 35 40 45
Pin (dBm) Pin (dBm)
a) b)

Figure 2.10 – Mesures load-pull obtenues à 2GHz en acquisition monocoup pour a)

d’une barrette de puissance AlGaN/GaN sur une impédance de charge Zcharge = 46 + 15.j
correspondant à l’optimum de PAE et b) d’une barrette de puissance InAlN/GaN sur une
impédance de charge Zcharge = 52 − 40.j correspondant à l’optimum de PAE.

minimisant son vieillissement.

Les performances ont été portées dans la table 2.4. On observe des performances de
puissance semblables pour les deux technologies permettant d’atteindre des puissances de

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 67

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

Gain(dB) Pout (W ) P AE(%) IDS (A)

AlGaN/GaN 14 126 42 5, 8
InAlN/GaN 10, 5 110 41, 7 9

Table 2.4 – Comparaison des performances de puissances mesurées à 2GHz pour une
impédance optimale de PAE, a) pour une barrette de puissance AlGaN/GaN et b) une
barrette de puissance InAlN/GaN.

l’ordre de 100W en bande S. Cette observation est renforcée par le fait que la polarisation
de la barrette d’InAlN/GaN à été limitée à VDS = 25V , comme cela à déjà été abordé au
cours de la caractérisation statique. Les densités de puissance sont de 3, 5W/mm pour la
barrette de puissance à base d’AlGaN/GaN, et 3W/mm pour celle à base d’InAlN/GaN.
La différence importante de gain linéaire (≈ 5dB) est liée à la présence de trous métallisés
sur la barrette d’AlGaN/GaN ; alors que dans le cas de la barrette d’InAlN/GaN les
sources sont portées à la masse par des fils d’or.

• Mesures de transistors unitaires en DC/CW à 10GHz

Nous avons ensuite réalisé une caractérisation grand signal sur un composant unitaire
de 8 doigts de grilles de 75µm de largeur et 0, 25µm de longueur (8x75µm) issu des deux
technologies. Une polarisation continue a été choisie pour ces mesures, VDS = 25V pour
le transistor à base d’AlGaN/GaN et VDS = 20V pour celui à base d’InAlN/GaN, avec
un courant IDS = 110mA.
Les performances de puissances obtenues lorsque les composants sont chargés par les
impédances optimales de rendements en puissance ajoutés (PAE) sont présentés en figure
2.11 et portés dans la table 2.5.
La courbe représentant la variation du courant de polarisation de drain est présentée
car O. Jardel [19], suggère que sa variation, en fonction de la puissance d’entrée Pin ,
permet de mettre en évidence l’influence des pièges en régime non linéaire. En effet,
comme on peut l’observer sur la représentation du courant IDS sur la figure 2.11 a) la
diminution du courant IDS , observée pour une puissance d’entrée 0 < Pin < 15 dBm
est attribuée à l’impact du drain-lag. La pente, avec laquelle augmente le courant de drain
pour Pin > 15 dBm, peut diminuer essentiellement à cause du gate-lag. Cette approche
corrobore celle présentée au cours de la caractérisation statique, qui nous a permis de
mettre en évidence une réduction significative des pièges avec nos composants à base
d’InAlN/GaN.
Le composant HEMT AlGaN/GaN possède, à 10GHz, une densité de puissance de
3, 33 W/mm à 4dB de compression, alors que l’InAlN/GaN possède cette même densité
de puissance à 5dB de compression. Les rendements sont comparables.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 68

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

16 16
15 15
14 14

Gain (dB)
Gain (dB)
13 13
12 12
11 11
10 10
9 9
-5 0 5 10 15 20 25 0 5 10 15 20 25
Pin (dBm) Pin (dBm)
2.5 2.5

2.0 2.0

Pout (W)
Pout (W)

1.5 1.5

1.0 1.0

0.5 0.5

0.0 0.0
-5 0 5 10 15 20 25 0 5 10 15 20 25
Pin (dBm) Pin (dBm)
50 50

40 40
PAE (%)
PAE (%)

30 30

20 20

10 10

0 0
-5 0 5 10 15 20 25 0 5 10 15 20 25
Pin (dBm) Pin (dBm)
0.18 0.22

0.16 0.20

0.18
0.14
Ids (A)
Ids (A)

0.16
0.12
0.14
0.10 0.12

0.08 0.10
-5 0 5 10 15 20 25 0 5 10 15 20 25
Pin (dBm) Pin (dBm)

a) b)

Figure 2.11 – Mesures load-pull obtenues à 10GHz en DC/CW pour a) un composant

AlGaN/GaN sur une impédance de charge Zcharge = 18, 3 + 38, 7.j correspondant à
l’optimum de PAE et b) un composant InAlN/GaN sur une impédance de charge
Zcharge = 11, 4 + 24.j correspondant à l’optimum de PAE.

• Mesures de transistor unitaire en DC/CW à 18GHz

Les mesures ont été réalisées sur les mêmes composants que précédemment. Une
polarisation continue a été appliquée pour ces mesures, VDS = 25V et IDS = 110mA

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 69

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

Gain(dB) Pout (W ) P AE(%) IDS (A)

AlGaN/GaN 11 2 45 0, 16
InAlN/GaN 10 2 44 0, 2

Table 2.5 – Comparaison des performances de puissances mesurées à 10GHz pour

une impédance optimale de PAE, a) pour un composant unitaire 8x75µm à base
d’AlGaN/GaN et b) un composant unitaire 8x75µm à base d’InAlN/GaN.

pour le transistor à base d’AlGaN/GaN et VDS = 20V et IDS = 130mA pour celui à base
d’InAlN/GaN.
Les performances de puissances obtenues lorsque les composants sont chargés par les
impédances optimales de rendements en puissance ajoutés (PAE) sont présentés en figure
2.12 et portés dans la table 2.6.
Comme dans le cas précédent, la courbe de courant IDS (Pin ) nous permet de visualiser
l’influence des pièges qui sont plus présents dans le composant à base d’AlGaN que dans
celui à base d’InAlN.
Gain(dB) Pout (W ) P AE(%) IDS (A)
AlGaN/GaN 5, 5 2, 1 32, 7 0, 19
InAlN/GaN 6, 5 2, 5 42, 7 0, 23

Table 2.6 – Comparaison des performances de puissances mesurées à 18GHz pour

une impédance optimale de PAE, a) pour un composant unitaire 8x75µm à base d’
AlGaN/GaN et b) un composant unitaire 8x75µm à base d’InAlN/GaN.

Le composant HEMT AlGaN/GaN possède, à 18GHz, une densité de puissance de

3, 5 W/mm à 3, 5dB de compression, alors que l’InAlN/GaN possède une densité de
puissance de 4, 2 W/mm à 4, 5dB de compression.

• Discussion
A partir de cette étude nous avons pu, non seulement valider la capacité des
composants issus de la technologie InAlN/GaN à obtenir des résultats comparables à ceux
en AlGaN/GaN, mais également démontrer la nécessité de réduire la présence de pièges.
Nous rappelons également qu’afin de favoriser la montée en fréquence, il sera nécessaire
d’opter pour des transistors de développement et de longueur de grille plus faible. C’est
dans cet objectif que des composants de longueur de grille inférieure Lg = 0, 15µm sont à
l’étude au III-V Lab.

2.2.2.3 Application en régime de commutateur de puissance

• Introduction :
Le commutateur est une fonction, permettant de privilégier une voie RF dans un
système tout en isolant une autre (par exemple un module d’émission / réception). Ce

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 70

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

9 10

8 9

Gain (dB) 8

Gain (dB)
7
7
6
6
5 5

4 4
-10 -5 0 5 10 15 20 25 30 -5 0 5 10 15 20 25 30 35
Pin (dBm) Pin (dBm)
2.5 3.5
3.0
2.0
2.5
Pout (W)

Pout (W)
1.5 2.0

1.0 1.5
1.0
0.5
0.5
0.0 0.0
-10 -5 0 5 10 15 20 25 30 -5 0 5 10 15 20 25 30 35
Pin (dBm) Pin (dBm)
35 50
30
40
25
PAE (%)

PAE (%)

20 30

15 20
10
10
5
0 0
-10 -5 0 5 10 15 20 25 30 -5 0 5 10 15 20 25 30 35
Pin (dBm) Pin (dBm)
0.20 0.28
0.26
0.18
0.24

0.16 0.22
Ids (A)

Ids (A)

0.20
0.14 0.18
0.16
0.12
0.14
0.10 0.12
-10 -5 0 5 10 15 20 25 30 -5 0 5 10 15 20 25 30 35
Pin (dBm) Pin (dBm)

a) b)

Figure 2.12 – Mesures load-pull obtenues à 18GHz en CW pour a) un composant

AlGaN/GaN sur une impédance de charge Zcharge = 9, 6 + 15, 8.j correspondant à
l’optimum de PAE et b) un composant InAlN/GaN sur une impédance de charge
Zcharge = 12, 4 + 14, 1.j correspondant à l’optimum de PAE.

principe permet, par exemple, l’utilisation d’un seul élément rayonnant (antenne) utilisée
alternativement par la voie d’émission, puis par la voie de réception. Pour ce faire, il
est possible d’utiliser un transistor selon deux modes de fonctionnement principaux,

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 71

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

commandés par la tension de grille. La tension de drain étant fixée à VDS = 0V .

Le premier, lorsque VGS = 0V (dans le cas d’un transistor a déplétion) correspond à
l’état que nous appellerons Transistor-ON. Le transistor est assimilable un court-circuit
entre l’accès de drain et l’accès de source, l’impédance entre ses deux accès est faible
et correspond à RON (figure 2.13). Lorsque la tension de commande est inférieure à la
tension de pincement, VGS < Vp , le composant sera considéré en mode Transistor-OFF.
L’impédance entre les accès de source et de drain est proche d’un circuit ouvert.
1.000

0.882

0.765
Transistor-ON
0.647

0.529

0.412

0.294
Transistor-OFF
IDS (A)

0.176

0.059

-0.059

-0.176

-0.294

-0.412

-0.529

-0.647

-0.765

-0.882

-1.000

VDS (V)

Figure 2.13 – Caractéristique IV d’un composant pour application de commutation,

à VGS = 0V le composant est à l’état Transistor-ON, pour VGS < Vp il est à l’état
Transistor-OFF.

La caractérisation en puissance d’un composant unitaire en régime de commutation

de puissance est une opération délicate à cause de la particularité des topologies utilisées
pour les réalisations de commutateurs. En effet, lorsqu’ils sont utilisés en configuration
série, la grille peut être déportée contrairement aux transistors à source commune utilisés
en configuration parallèle ou en amplification de puissance (figure 2.14).

Transistor à grille déportée: Transistor source commune:

(Application Commutateur) (Application Amplificateur de puissance)
Grille

Grille Drain

Drain Source

a) b)

Figure 2.14 – Photos de transistor a) à grille déporté utilisé dans le cas d’applications
de commutateur en configuration parallèle et b) à source commune utilisés dans les
applications d’amplification de puissance et de commutateur en configuration série.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 72

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

Un moyen de surmonter cette difficulté est d’injecter le signal hyperfréquence par

l’accès de drain sur un transistor à source commune. De ce fait, le transistor caractérisé se
rapproche d’un composant à grille déportée en configuration parallèle. Néanmoins, pour
qu’une telle comparaison soit valide, un contrôle de l’impédance RF de l’accès de grille
est requis. Le banc de load-pull temporel nous permet de reconstituer les formes d’ondes
temporelles à l’entrée et à la sortie du DST. La figure 2.15 synthétise le montage réalisé
pour la mesure des composants en mode de commutation de puissance.

Analyseur de Réseaux
Non-Vectoriels
CH1 CH2 CH3 CH4

Coupleurs d’ondes

Tuner MPT
Drain
Source
Grille
ZDRAIN

Figure 2.15 – Banc utilisé pour la mesure des formes d’ondes temporelles en mode
d’excitation par le drain.

L’étude grand signal en fonctionnement de commutation est présentée en parallèle

pour nos deux composants InAlN/GaN et AlGaN/GaN. On injecte alors un signal de
fréquence f0 = 4GHz et nous récupérons par l’intermédiaire de l’Analyseur de Réseaux
Vectoriel Non-Linéaire les signaux aux deux premières harmoniques ( 2.f0 et 3.f0 ). Les
formes d’ondes temporelles sont étudiées au cours d’un balayage de puissance. Un exemple
de ces formes d’ondes est présenté en figure 2.16 dans le cas du transistor AlGaN/GaN,
lorsqu’il est polarisé en transistor-ON (VGS = 0V ).
Les impédances que nous avons choisi d’imposer sur l’accès de grille, grâce au Tuner
MPT, sont le court-circuit (CC), le circuit ouvert (CO) et 50Ω à la fréquence fondamentale
et aux harmoniques, afin de déterminer l’impact de cette impédance sur les formes d’ondes
temporelles. La tension de polarisation de drain est fixée à VDS = 0V , et différentes
impédance ZDRAIN de l’accès DC ont été connectées ( 1M Ω à 10Ω ). L’étude à donc été
scindée en deux parties, correspondant aux deux impédances DC choisies pour le chemin
DC de drain (ZDRAIN ).

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 73

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

6 0.6
4 0.4
0.2
2
Vds (V)

Ids (A)
0.0
0
-0.2
-2
-0.4
-4 -0.6
-6 -0.8
0 100 200 300 400 500 0 100 200 300 400 500
time, psec time, psec
0.2 0.03

0.1 0.02

0.01
Vgs (V)

0.0

Igs (A)
0.00
-0.1
-0.01
-0.2
-0.02
-0.3 -0.03
0 100 200 300 400 500 0 100 200 300 400 500
time, psec time, psec

Figure 2.16 – Formes d’ondes temporelles des courants / tensions de grille et de drain,
pour différents niveaux de puissance Pe = 7, 17, 25 et 30dBm.

• Résultats de mesures :
- Impédance continue de drain ZDRAIN = 1M Ω
L’acquisition des formes d’ondes temporelles des courants et tension de drain, nous
permet de reconstituer les cycles de charge en mode transistors-ON à VDS = VGS = 0V . Le
cycle de charge extrinsèque de l’accès de drain est donc présenté pour les deux technologies
en figure 2.17.

1.5 0.50
1.0
0.25
Ids (A/mm)

0.5
Ids (A/mm)

0.0 0.00
-0.5
-0.25
-1.0
-1.5 -0.50
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 -1.5 -1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0 1.5
Vds (V) Vds (V)

a) b)

Figure 2.17 – Cycles de charges extrinsèques en mode transistor-ON pour a) un

composant HEMT AlGaN/GaN pour Pe = 7, 17, 25 et 30 dBm, b) un composant HEMT
InAlN/GaN pour Pe = 11, 16, 20 dBm .

L’étude des cycles de charges en transistor-ON permet d’estimer l’influence de RON sur
le comportement fort signal. Les pertes d’insertion provenant de RON peuvent également
être déterminées par le coefficient de reflexion de drain. La figure 2.17 présente ce

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 74

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

paramètre Γdrain , pour les deux composants étudiés. Les valeurs du module de Γdrain
sont portées dans la table 2.18 pour une puissance d’entrée Pe = 20dBm. Dans cet état,
le composant conserve un comportement linéaire jusqu’à un fort niveau de puissance
d’entrée (Pe ≈ 30 dBm).

Pe Pe

Zout_inaln1

INDEX (1.000 to 32.000) INDEX (1.000 to 11.000)

a) b)

Figure 2.18 – Evolution du coefficient de reflexion de drain Γdrain pour une augmentation
de la puissance d’entrée Pe allant de 7dBm à 30dBm en mode Transistor-ON pour a) le
composant AlGaN/GaN et b) le composant InAlN/GaN.

Les valeurs comparées du module de Γdrain permettent de conclure à un comportement

très similaire de ces composants sur le critère des pertes d’insertions.

|Γdrain |
AlGaN/GaN 0, 8
InAlN/GaN 0, 86

Table 2.7 – Comparaison des valeurs du module du coefficient de reflexion de drain Γdrain
à l’état Transistor-ON pour une puissance d’entrée Pe = 20dBm.

Nous présentons également les formes d’ondes temporelles du composant lorsque celui-
ci est à l’état transistor-OFF. Afin de placer le DST dans cet état nous utilisons une tension
de commande VGS << V p (dans le cas de l’AlGaN/GaN VGS = −15V , etVGS = −10V
pour l’InAlN/GaN).
L’étude des cycles de charges en transistor-OFF est intéressante car elle est
directement liée à l’isolation, pour un transistor en configuration parallèle. Or on peut
constater, que du fait de son mauvais pincement (fuite de grille), le composant InAlN/GaN
présente des cycles de charge particulièrement distordus. Cette observation se confirme
par l’étude du coefficient de reflexion de drain, la figure 2.20 présente l’évolution de Γdrain
en fonction de l’augmentation de la puissance pour les deux composants étudiés.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 75

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

0.9 0.6

0.6 0.4

Ids (A/mm)
Ids (A/mm)
0.2
0.3
0.0
0.0
-0.2
-0.3 -0.4

-0.6 -0.6

-15
-10
-5
0
5
10
15
20
25
30
35
-20 -10 0 10 20 30 40 50 60
Vds (V) Vds (V)
a) b)

Figure 2.19 – Cycles de charges extrinsèques en mode transistor-OFF pour a) un

composant HEMT AlGaN/GaN à VGS = −15V pour Pe = 7, 15, 24 et 30 dBm, b)
un composant HEMT InAlN/GaN à VGS = −10V pour Pe = 4, 20, 29, et 31, 5 dBm .

Zout_inaln

Pe
Pe

INDEX (1.000 to 34.000) INDEX (1.000 to 20.000)

a) b)

Figure 2.20 – Evolution du coefficient de reflexion de drain Γdrain pour une augmentation
de la puissance d’entrée Pe allant de 7dBm à 30dBm en mode Transistor-OFF pour a)
le composant AlGaN/GaN et b) le composant InAlN/GaN.

|Γdrain |
AlGaN/GaN 0, 85
InAlN/GaN 0, 56

Table 2.8 – Comparaison des valeurs du module du coefficient de reflexion de drain Γdrain
à l’état Transistor-OFF pour une puissance d’entrée Pe = 30dBm.

La rapide diminution du module de Γdrain du composant InAlN/GaN correspond au

régime distordu observé en figure 2.19 et illustre donc le défaut de ce composant, en raison
de son mauvais pincement, pour ce type d’applications. La table 2.8 présente les modules
de Γdrain obtenus en compression pour une puissance d’entrée Pe = 30dBm.
La figure 2.19 fait également apparaı̂tre un phénomène d’auto-polarisation, lorsque
le composant est à l’état Transistor-OFF, inhérent au montage utilisé lors de cette

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 76

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

caractérisation. Ce phénomène est donc approfondi pour différentes impédances RF

imposées sur l’accès de grille à l’aide du tuner et sera présenté dans le cas du transistor
AlGaN/GaN.
Nous avons ainsi effectué des mesures pour trois impédances RF particulières,
ZgrilleRF = CC (courtcircuit), CO (circuitouvert) et 50Ω, les cycles de charges
extrinsèques issus de ces mesures sont portés en figure 2.21.

1.0 1.0
Zgrille = CO Zgrille = CC
0.5 0.5
Ids (A/mm)

Ids (A/mm)
0.0 0.0

-0.5 -0.5

-1.0 -1.0
-25 -20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20 25 30 35 -25 -20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20 25 30 35
Vds (V) Vds (V)
1.0
Zgrille = 50Ω
0.5
Ids (A/mm)

0.0

-0.5

-1.0
-25 -20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20 25 30 35
Vds (V)

Figure 2.21 – Cycles de charge extrinsèques à VGS = −15V , pour les trois impédances
imposées par le tuner : court circuit (CC), circuit ouvert (CO), et 50Ω. Les niveaux de
puissance imposés sont Pe = 7, 15, 24 et 30 dBm.

La dissymétrie, préalablement observée en caractérisation statique, entre l’excursion

positive et négative de la tension de drain VDS est également visible grâce aux cycles de
charges extrinsèques. En grand signal, cette dissymétrie se traduit par un décalage de VDS
vers les tensions de drain positives, à partir d’une valeur seuil de la puissance d’entrée qui
dépend de VGS . Cet effet non-linéaire est dû au fait que la valeur du courant de drain est
maintenue constante à IDS = 0A à cause de l’impédance de drain ZDRAIN = 1 M Ω. Il
est donc possible de visualiser (figure 2.22) ce phénomène d’autopolarisation de VDS en
fonction de la puissance d’entrée, pour différentes impédances RF de l’accès de grille.
L’autopolarisation se trouve être un phénomène particulièrement bénéfique pour
l’isolation à fort niveau de puissance ainsi que pour la réduction des pertes d’insertion en
configuration parallèle.

- Impédance continue de drain ZDRAIN = 10Ω

Du fait de la symétrie de la zone d’excursion, lorsque le transistor est en état

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 77

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

25
Zgrille = CC Zgrille = 50Ω
20

15

Vds (V)
10

5
Zgrille = CO
0

-5
0 10 20 30 40 50
Puissance d'entrée (dBm)

Figure 2.22 – Tension de repos VDS en fonction de la puissance d’entrée Pe , pour

un composant AlGaN/GaN à l’état Transistor-OFF pour différentes impédances RF
contrôlées par le tuner.

Transistor-ON, aucun phénomène d’autopolarisation semblable à celui observé en

Transistor-OFF n’apparaı̂t. L’étude suivante est donc restreinte au cas où VGS = −15V
et la tension de l’accès de drain VDS = 0V est fixée par un générateur faible impédance
(ZDRAIN = 10Ω). Plusieurs balayages de puissances ont été réalisés pour les trois
impédances définies précédemment.

1.0 1.0
Zgrille = CO Zgrille = CC
0.5 0.5
Ids (A/mm)

Ids (A/mm)

0.0 0.0

-0.5 -0.5

-1.0 -1.0
-25 -20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20 25 30 35 -25 -20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20 25 30 35
Vds (V) Vds (V)
1.0
Zgrille = 50Ω
0.5
Ids (A/mm)

0.0

-0.5

-1.0
-25 -20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20 25 30 35
Vds (V)

Figure 2.23 – Cycles de charge extrinsèques à VGS = −15V , pour les trois impédances
imposées par le tuner : court circuit (CC), circuit ouvert (CO), et 50Ω. Les niveaux de
puissance imposés sont Pe = 9, 19, 30 et 35 dBm.

Dans le cas ou la tension VDS = 0V est fixée par un générateur basse impédance,
le transistor est forcé d’entrer en régime non-linéaire en explorant autant la zone des

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 78

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

VDS négatifs que celle des VDS positifs. Dans ces conditions, un décalage de IDS vers les
courants négatifs apparait car le cycle de charge explore des zones à courant non nul pour
des tensions de drain négatives, comme le montre la figure 2.24.

0.02
0.00
-0.02
Ids (A/mm)
-0.04
Zgrille = CC Zgrille = CO
-0.06
-0.08
-0.10 Zgrille = 50Ω
-0.12
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
Puissance d'entrée (dBm)

Figure 2.24 – Courant de repos IDS en fonction de la puissance d’entrée Pe , pour

un composant AlGaN/GaN à l’état Transistor-OFF pour différentes impédances RF
contrôlées par le tuner.

On peut ajouter que la puissance d’entrée pour laquelle le décollage de courant

continu apparait dépend fortement de la charge imposée sur la grille. De plus cette
valeur limite est plus importante lorsque la grille est chargée par un circuit ouvert que
dans le cas d’un court-circuit ; ce qui reste en accord avec les résultats obtenus dans le
paragraphe précédent.

• Conclusion :
Le transistor HEMT à base de GaN grâce à un faible RON permet d’obtenir de faibles
pertes d’insertion lorsque le transistor est passant. Le phénomène d’auto-polarisation
observé lorsque le composant est mode Transistor-OFF, résulte du fonctionnement en
régime non-linéaire lors de l’injection de fortes puissances sur l’accès de drain. Comme
le montre la figure 2.25, l’isolation créée par le composant est bien meilleure lorsque le
potentiel de drain est laissé flottant (ZDRAIN = 1M Ω). La table 2.9 donne la valeur du
module de Γdrain dans chacun des deux cas pour une puissance d’entrée Pe = 34dBm.

|Γdrain |
ZDRAIN = 1M Ω 0, 84
ZDRAIN = 10Ω 0, 43

Table 2.9 – Comparaison des valeurs du module du coefficient de reflexion de drain Γdrain
à l’état Transistor-OFF pour une puissance d’entrée Pe = 30dBm.

Nous avons ainsi démontré que lorsque (ZDRAIN = 1M Ω) , ce qui correspond aux
conditions de polarisation usuelles en commutation, le transistor à base d’AlGaN/GaN

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 79

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

Zout_algan

Pe
Pe

INDEX (1.000 to 34.000) INDEX (1.000 to 32.000)

a) b)

Figure 2.25 – Evolution du coefficient de reflexion de drain Γdrain pour une augmentation
de la puissance d’entrée Pe allant de 7dBm à 30dBm en mode Transistor-OFF pour a)
un impédance ZDRAIN = 1M Ω et b) un impédance ZDRAIN = 10Ω.

présente d’excellentes qualités d’isolation et supporte d’importants niveau de puissance.

Le composant InAlN/GaN, malgré un comportement très similaire à son prédécesseur
en mode Transistor-ON, présente actuellement un important défaut d’isolation en mode
Transistor-OFF dû à des courants de fuite de grille encore trop importants. Nous avons
cependant vu qu’il est possible de réduire ces fuites par des procédés d’oxydation de
surface.

2.2.3 Le banc de mesure basse fréquence (BF)

Afin de compléter l’étude nécessaire à la caractérisation classique, XLIM continu
de développer des bancs de caractérisation permettant de mettre en exergue les
différents effets observables dans les composants et systèmes hyperfréquences. Pour cela
nous présentons ici les différents bancs de mesures disponibles pour la caractérisation
complémentaire de composants.
Le banc de mesure basse fréquence a été développé au cours de ces trois dernières
années. Il comprend des alimentations continues, ainsi qu’un analyseur de réseau vectoriel
(ARV) HP4195A permettant de réaliser des mesures sur une gamme de fréquence allant
du continu à 500M Hz. L’association des deux signaux est rendue possible grâce à
l’utilisation de tés de polarisation spécifiques. Ce banc est aujourd’hui complété par
l’E5061B d’Agilent, ARV permettant de réaliser un balayage fréquentiel de 5Hz à 3GHz.
Un descriptif détaillé de ce banc de mesure est donné par A. El-Rafei dans son mémoire
[74].

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 80

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

BUS IEEE 488

HP 4195A

|S21|

-2.5V 30V

10Hz 500MHz

Port1 Port2

DC
DC

DST RF
RF RF+DC RF+DC

Figure 2.26 – Schéma de montage du banc de mesure de paramètres-[S] basses fréquences.

2.2.3.1 Intérêt de la mesure BF

Grâce à la caractérisation petit signal basse fréquence, il est possible d’assurer une
continuité entre le comportement continu (DC) et le comportement hyperfréquence. Cette
étude permet d’identifier les constantes de temps relatives aux phénomène dispersifs basses
fréquences énumérés précédemment.
Dans le cas des transistors bipolaires, ces mesures se sont montrées particulièrement
intéressantes pour déterminer l’impédance thermique de ces composants, comme l’a
montré A. El-Rafei [75], [74], et ce, quelle que soit la taille du composant.
Dans le cas des HEMTs InAlN/GaN, que nous développons ici, la divergence qu’il est
possible d’observer entre la conductance de sortie mesures en continue (gd−DC ) et celle
mesurée en impulsions (gd−P ulse ) est due à la superposition des phénomènes thermiques
et des phénomènes de pièges.
Au cours de cette étude, nous nous sommes affranchis autant que possible de l’un de
ces deux phénomènes, afin de mettre en évidence l’impact de l’autre par la mesure de
paramètres-[S]. Pour cela nous séparerons notre approche en deux parties, l’une étant
réalisée pour une température fixe et une variation du point de polarisation et l’autre à
polarisation constante pour une variation de température.

• Influence du point de polarisation sur le comportement de gd

Dans un premier temps, la température est prise égale à 25o C (température ambiante).
La tension grille-source est VGS = −3V et nous effectuerons un balayage de la tension de

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 81

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

1.4

1.2
1.0

Ids (A/mm)
0.8
0.6

0.4
0.2

0.0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Vds (V)

Figure 2.27 – Comparaison du réseau IV mesuré en impulsions (triangle) et IV en continu

(croix) pour VGS = −4 à 0V avec un pas de 1V .

drain VDS = 10 à 25V . Nous estimons que l’élévation de température relative au point de
polarisation est de l’ordre de 20o C pour les points de polarisation considérés entre 10V et
25V (correspondant à un RT H = 21o /W ). En raison du faible courant dissipé (≈ 60 mA
pour un transistor 8x75µm) nous considérerons que l’auto-échauffement du transistor est
négligeable. La conductance de sortie gd extraite à partir des mesures présentées en figure
2.28 a), définie comme la partie réelle de l’admittance de sortie, présente une fréquence
de transition sur la bande étudiée. Cette dernière varie entre deux amplitudes en fonction
de la tension VDS . Le coefficient de transmission S21 , en figure 2.28 b), présente également
une fréquence de transition dont l’amplitude varie de 2dB en fonction de la tension de
polarisation. Une comparaison des valeurs de la conductance de sortie extraites à partir
des mesures I-V en continu (gd−DC ) et des mesures I-V en impulsions (gd−P ulse ) est dressée
en table 2.10.

gd−DC (mS) gd−P ulse (mS)

VDS = 10V 5 5, 21
VDS = 15V 4, 1 4, 31
VDS = 25V 3, 67 3, 7

Table 2.10 – Valeurs de gd−DC et gd−RF calculées à partir de l’équation 2.2 définit dans
le chapitre 2.

La variation de la fréquence de transition gd ne peut pas être uniquement expliquée

par des considérations thermiques. En effet les simulations thermiques ont révélé que,
même si la zone de dissipation située sous la grille est changée du fait de la variation
de VDS , cela ne justifie pas une telle variation des constantes de temps thermiques.
La principale cause de ces variations est donc attribuée au taux d’émission des pièges

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 82

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

en fonction du champ électrique appliqué sur l’accès de drain du transistor. Une des
interprétations proposées [75], est la diminution de la barrière d’énergie vue par les pièges
à cause de l’effet de Poole-Frenkel [76]. Ce dernier entraı̂ne une augmentation significative
du taux d’émission des pièges et donc une augmentation de la fréquence de transition.
Admittance de sortie G+j.B

0.010 25 -150
B VDS=10, 15, 20V

unwrap(phase(S(2,1)))
Phase(S21) (°)
0.005 -160

21| (dB)
20
real(Y(2,2))

|SdB(S(2,1))
0.000 -170

VDS=10, 15, 20V 15

-0.005 G -180

-0.010 10 -190
1E1 1E2 1E3 1E4 1E5 1E6 1E7 1E8 1E1 1E2 1E3 1E4 1E5 1E6 1E7 1E8
freq, Hz freq, Hz

a) b)

Figure 2.28 – Résultats de l’étude petit signal basse fréquence en fonction de la tension
de polarisation. a) Tracé des parties réelles et imaginaires de l’admittance de sortie Y22 .
b) Tracé du module et de la phase du coefficient de transmission S21 .

• Influence de la température
La dépendance en température de la conductance de sortie et du coefficient de
transmission S21 a été vérifiée pour trois températures (25o C, 50o C et 75o C) ainsi que
pour les tensions de drain étudiées dans le paragraphe précédent (10V , 15V et 20V ).
Les résultats de la conductance de sortie sont portés en figure 2.29 a), il est possible
d’observer l’augmentation de la fréquence de transition avec l’élévation de la température.
Cela corrobore l’hypothèse selon laquelle les pièges sont responsables de la réduction de la
conductance de sortie, puisque le taux d’émission des pièges augmente avec la température.
Cette étude confirme la dépendance des pièges aux variations de température et de la
tension de drain VDS .
La figure 2.29 b) présente une diminution du module de S21 en basse fréquence de
1, 1dB avec l’augmentation de la température de 25o à 75o . A basses fréquences, cette
diminution du module de S21 , apparaı̂t à 25o et disparaı̂t pour des températures plus
importantes. Pour l’instant nous n’avons pas d’explications pour ce phénomène.

2.2.3.2 Discussion

Cette étude nous a permis, grâce à une approche fréquentielle, de visualiser les
variations dépendant de la tension de drain et de la température. Les variations de la
conductance de sortie gd et du module de S21 ont été attribuées aux effets de pièges. Grâce

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 83

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

de sortie G+j.B
0.010 -150
B Temp=25, 50, 75°C

unwrap(phase(S(8,7)))
Phase(S21) (°)
0.005 -160
20

|S21| (dB)
Admittancereal(Y(8,8))

0.000 -170
Temp=25, 50, 75°C
-0.005 G -180

-0.010 15 -190
1E1 1E2 1E3 1E4 1E5 1E6 1E7 1E8 1E1 1E2 1E3 1E4 1E5 1E6 1E7 1E8
freq, Hz freq, Hz

a) b)

Figure 2.29 – Résultats de l’étude petit signal basse fréquence en fonction de la

température. a) Tracé des parties réelles et imaginaires de l’admittance de sortie Y22 .
b) Tracé du module et de la phase du coefficient de transmission S21 .

à la bande couverte par l’analyseur de réseau, il est possible de rapprocher les fréquences
de transition observées aux constantes de temps d’émissions des pièges (de l’ordre de la
dizaine de millisecondes) sans toutefois permettre de les définir avec précision.

2.2.4 Conclusion
Nous avons présenté les deux principaux bancs de mesures utilisés à XLIM pour la
caractérisation de composants en vue de leur modélisation. Nous avons également abordé
les moyens d’analyse dont nous disposons en basses fréquences afin d’observer et identifier
les différents phénomènes dispersifs. Pour cela, nous avons utilisé des transistors issus des
technologies AlGaN/GaN et InAlN/GaN. Ceci à permis de montrer des performances
proches malgré une maturité moins grande de la technologie InAlN/GaN. Ces bancs de
test sont destinés à la modélisation de composants qui sera présentée dans le chapitre
3. Ces mesures servirons également de support pour la conception et la réalisation d’un
amplificateur de puissance en technologie InAlN développée dans le chapitre 4.

2.3 Méthodes de caractérisation thermique

2.3.1 Intérêt de la caractérisation thermique
Comme nous l’avons expliqué dans le chapitre 1, les transistors HEMTs peuvent être
soumis à des variations de température provenant de l’élévation de température liée à la
puissance dissipée instantanément par le composant. Cette dernière n’est plus négligeable
dans le cas de la technologie GaN du fait des forts niveau de puissances intervenant.
La prise en compte de ces effets est primordiale pour sa modélisation, nécessaires

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 84

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

aux conceptions et réalisations. Nous présenterons dans les paragraphes suivants les
variations de la résistance à l’état -ON (notée RON ) en fonction de la température,
ainsi que les différentes méthodes permettant de mesurer l’impédance thermique ZT H . La
caractérisation thermique présentée dans ce paragraphe a été réalisée pour un composant
HEMT de développement 8x75µm à base d’InAlN/GaN.

2.3.2 Mesure de la résistance à l’état -ON en fonction de la

température
L’inverse de la pente observée dans la zone ohmique, plus couramment appelée
RON , est généralement mesurée grâce à des méthodes de mesures statiques ou en
impulsions [13]. Cependant, ces méthodes présentent l’inconvénient de réaliser une
mesure au cours de laquelle la puissance dissipée est non nulle, le composant subit donc
un auto-échauffement non contrôlé.

• Méthode de mesure
Par définition (2.11), RON est l’inverse de la pente, c’est à dire la dérivée du courant
de drain par rapport à VDS , dans la zone ohmique.
 −1
∂IDS
RON = (2.11)
∂VDS
Il est obtenu pour de faibles variations de la tension de drain lorsque le transistor
conduit (ici à VGS = 0V ). La mesure des paramètres-[S] permet donc d’accéder
indirectement à la valeur de RON . Ce dernier suit une loi de variation linéaire en fonction
de la température, comme cela a été également démontré [3]. Les paramètres-[S] sont
mesurés en continu pour une polarisation de repos VGS = VDS = 0V , pour une fréquence
allant de 10Hz à 3GHz, grâce à l’association du banc de mesure basse fréquence et du
socle thermique. Nous présentons ici les résultats obtenus pour une variation de −25o C à
125o C, avec un pas de 50o C.
A partir de la mesure des paramètres-[S], nous procédons à l’extraction des paramètres-
[Y] et nous nous intéressons plus particulièrement à Re(Y22 ). Dans les conditions de
polarisation présentées précédemment et à la fréquence de 10Hz, le schéma petit-signal
du transistor se limite à l’association en série des résistances d’accès de source, de drain et
de la conductance de sortie (2.30). En effet pour VGS = VDS = 0V les valeurs des capacités
extraites sont CGS = 0, 65pF , CGD = 0, 5pF et CDS = 0, 13pF ; ce qui correspond, à 500
MHz, à des impédances supérieures à 1kΩ, contre quelques ohms sur le chemin principal,
nous permettant ainsi les simplifications proposées.
Nous pouvons donc donner la relation 2.12 entre les différents paramètres de ce schéma

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 85

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

Rgd Rd Ld
Grille Drain
Cgd Cpd
gd
Cds
Cgs

Ri Rs
Ls
Source

Figure 2.30 – Schéma petit signal équivalent du transistor (en gris). A VGS = VDS = 0V
et en basses fréquences, le schéma équivalent se résume à la mise en série de l’accès de
drain, de source et de la conductance de sortie (en noir).

simplifié :

1 1
= RS + + Rd = RON (2.12)
Re(Y22 ) gd
Les composants utilisés sont des HEMTs InAlN/GaN à désertion (naturellement ON),
de développement 8x75x0, 25µm (8 doigts de grille de 75µm de largeur et 0, 25µm de
longueur). Les mesures de la partie réelle de l’admittance de sortie sont présentées à la
figure 2.31, pour des températures de socle variant de −25o C à 125o C par pas de 50o C.
Il est donc possible d’exprimer, par une relation linéaire, la variation de la résistance du
transistor à l’état -ON en fonction de la température.

RON (T ) = 3, 36.(1 + 0, 0036.(T0 + ∆T )) (2.13)

Où T0 est la température de référence, et ∆T l’élévation de température liée à la

puissance dissipée par effet Joule.

• Modélisation et comparaison avec les méthodes existantes

L’implémentation des variations de cette résistance en fonction de la température dans
le modèle du transistor est effectuée suivant une loi de variation linéaire des paramètres
RON et IDSS (courant de drain en saturation, à VGS = 0V ) à partir de l’équation 2.13. Afin
de valider le comportement du composant, nous avons choisi de comparer ces résultats à
des mesures IV réalisées en impulsions pour limiter l’auto-échauffement du composant. La
largeur d’impulsion choisie est de 600ns et le rapport cyclique est de 0, 5%. La comparaison
entre le modèle et la mesure est réalisée pour les courbes à VGS = 0V pour différentes
températures (2.32). La bonne concordance observée en mode ON (VGS = 0V ) valide

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 86

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

0.35 0.34 5.0

T=-25°C
0.30 0.30 4.5
T=25°C
Re(Y22)

Re(Y22)

Ron (T)
22)
22)

0.25 0.26 4.0

Re(Y
Re(Y

T=75°C

T=125°C 0.22 3.5

0.20

0.15 0.18 3.0

-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
1E1

1E2

1E3

1E4

1E5

1E6

1E7

1E8

1E9
3E9
Temp. (° C)
freq, Hz

a) b)

Figure 2.31 – a)Partie réelle de l’admittance de sortie et b) valeurs de RON (T ) calculées

pour une variation de température T = −25, 25, 75 et 125o C

cette méthode de caractérisation thermique.

1.5
1.0
Ids (A/mm)

0.5
0.0
-0.5
T=-25, 25, 75 et 125°C
-1.0
-1.5
-4 -2 0 2 4 6
Vds (V)

Figure 2.32 – Comparaison de la méthode des paramètres-[S], intégrée au modèle, avec

une mesure réalisée en impulsion.

2.3.3 Méthodes existantes pour la mesure de l’impédance

thermique
Afin de déterminer l’impédance thermique d’un composant, il existe plusieurs
méthodes. Nous proposons ici de présenter succinctement une méthode de caractérisation
thermique, reposant sur une étude électrique. Les résultats obtenus seront comparés à
ceux donnés en simulation numérique par Ansys. Il est à noter que d’autres méthodes
existent, s’appuyant sur des principes physiques et optiques, qui sont développés plus en
détails par R. Aubry [77] et L. Lancry [78]. La plus fiable étant la méthode Raman, qui
possède néanmoins l’inconvenient d’être particulièrement coûteuse.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 87

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

Les méthodes électriques reposent sur l’utilisation de générateurs d’impulsions,

et permettent de déterminer l’évolution de l’impédance thermique ZT H , grâce à la
comparaison de courbes I-V. Nous présentons ici des méthodes faisant intervenir le courant
de drain IDS .
- La première que nous présenterons ici est appelée méthode de coı̈ncidence. Elle
est basée sur la comparaison entre deux mesures I-V (à VGS = 0V par exemple) l’une
réalisée en DC à température ambiante (T0 = 25o C), l’autre en impulsions à une haute
température ( T1 = 100o C) avec une largeur d’impulsions la plus faible possible. Nous
considérons qu’au cours de l’impulsion l’auto-echauffement est négligeable, et que par
conséquent, la température dans le cas de la mesure en impulsions est fixée à T1 .
Ainsi, comme le montre C. Charbonniaud [69], on peut considérer qu’à l’intersection
de la courbe en impulsions et la courbe DC, l’élévation de température ∆T = T1 − T0 au
cours de la mesure DC correspond à la puissance dissipée dûe à l’auto-echauffement. Il
est possible d’établir à l’intersection l’équation 2.14.

∆T
RT H = (2.14)
PDISS
Nous présentons en figure 2.33 les résultats obtenus par cette méthode sur un
composant HEMT à base d’InAlN/GaN de développement 8x75µm.

0.6

0.5 PDISS=5,3W
0.4
Ids (A)

0.3

0.2

0.1

0.0
0 2 4 6 8 10 12 14
Vds (V)

Figure 2.33 – Application de la méthode de coı̈ncidence du courant de drain entre la

mesure de VGS = 0V en DC à T = Tambiante = 22o C (triangles noir) et la mesure de
VGS = 0V en impulsions à T = 100o C (cercles gris).

Grâce à cette étude on peut donc déterminer RT H = 14, 6o /W .

- Afin de déterminer les variations de la résistance thermique RT H en fonction du temps
(soit l’impédance thermique ZT H ), il est possible d’associer à la méthode précédente,
la méthode d’impulsion longue. Comme son nom l’indique, elle consiste à réaliser une

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 88

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

impulsion longue sur l’accès de drain et d’étudier les variations de IDS dûes à l’auto-
echauffement. Ainsi il est possible de déterminer les différentes constantes de temps
propres à l’impédance thermique. Comme le montre C. Teyssandier [79], cette méthode a
été particulièrement efficace pour le cas des pHEMT à base de GaAs. Cependant comme
l’a déjà montré G. Mouginot [22] pour les composants HEMT AlGaN/GaN, l’extraction
des constantes est rendue difficile à cause d’une augmentation parasite du courant IDS .
Nous présentons en figure 2.34 cette méthode appliquée à la mesure d’un composant
HEMT InAlN/GaN. L’impulsion choisie est VDS = 6V et IDS = 510mA sur une largeur
d’impulsion allant jusqu’à 10ms.

0.55

0.54

0.53
Ids (A)

0.52

0.51

0.50
1E-10

1E-9

1E-8

1E-7

1E-6

1E-5

1E-4

1E-3

1E-2

temps (s)

Figure 2.34 – Variation du courant de drain au cours d’une impulsion VDS = 6V , IDS =
510mA. La variation du courant dépend directement de l’impédance thermique. Le pic
observé à 10µs perturbe l’extraction des constantes de temps de l’impédance thermique.

Cette augmentation peut s’expliquer par une relaxation des pièges situés en surface
du composant. Ceci est confirmé par le fait que le phénomène n’apparaı̂t que pour la
technologie à base de nitrure de gallium. Cette manifestation est mise en évidence car
cette méthode ne permet pas de dissocier suffisamment les effets thermiques de ceux liés
aux pièges.

2.3.4 La méthode 3ω
2.3.4.1 Introduction

A l’origine, la méthode 3ω a été développée par O. M. Corbino en 1912 [80], pour

mesurer la diffusion thermique d’un filament métallique utilisé dans les ampoules à
incandescences. L’objectif était de comprendre les raisons de la courte durée de vie des
lampes à base de filaments métalliques comparées à celles à base de carbone, à cause de

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 89

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

leur surchauffe [81]. Plus tard la méthode a été appliquée par N. O. Birge et S. R. Nagel
[82] pour mesurer la diffusivité thermique de liquides. Egalement présentée sous le nom
de Specific Heat Spectroscopy, cette méthode présente l’intérêt d’utiliser l’élément dont
on cherche à déterminer la température, à la fois comme source de chaleur, et comme
sonde de température. D. G. Cahill fut le premier à utiliser la méthode 3ω pour mesurer
la conductivité thermique d’un substrat diélectrique [83] (figure 2.35).

Film métallique
I+ b
V+
I-

V- x
y

Substrat
a) b)

Figure 2.35 – Échantillons réalisés pour la mesure de diélectriques grâce à la méthode

3ω. a) Vue de l’échantillon en perspective, les pads permettent la connexion des sondes
de courant et tension (+) et (−) . b) Vue en coupe du diélectrique. Un courant AC à la
pulsation ω chauffe la ligne métallique à la fréquence 2ω, la tension mesurée à 3ω permet
de calculer la conductivité thermique du diélectrique.

La méthode présentée par D. G. Cahill requiert la fabrication d’une ligne métallique,

déposée sur le support à tester, qui servira de source de chaleur et de sonde de température.
La résistance de cette ligne varie linéairement en fonction de la température, c’est de
cette propriété que découle la particularité 3ω de son nom. En effet, lorsque le courant
alternatif de pulsation ω est utilisé pour exciter la source de chaleur, l’échauffement
périodique génère des oscillations dans la résistance électrique de la ligne électrique
à la fréquence 2ω. Il en résulte un troisième harmonique sur la tension (3ω), qui est
utilisé pour déduire l’amplitude des oscillations de température [84]. La dépendance
fréquentielle de l’amplitude et de la phase des oscillations peut être analysée pour obtenir
la conductivité du dispositif testé. Cette technique a donc été utilisée par le passé
pour mesurer la conductivité thermique d’une importante diversité de matériaux. Cette
méthode a été mise a profit pour différents diélectriques [83] [85], échantillons poreux
[86], nanostructures tels que les nanotubes de carbone [87] et plus récemment par D. de
Koninck [88] pour la caractérisation des matériaux utilisés dans les MEMS.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 90

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

2.3.4.2 Etude théorique

Nous proposons ici d’utiliser cette méthode pour déterminer l’impédance thermique
ZT H des composants HEMTs à base de GaN. Comme nous avons pu le constater il est
délicat de réaliser une mesure précise la résistance thermique ainsi que l’extraction des
constantes de temps de l’impédance ZT H du fait de l’influence des pièges.
Pour cela nous polarisons le composant à VDS = 0V et VGS = 0V , afin d’utiliser le
RON du composant comme source de chaleur et de sonde de température.
La difficulté majeure de cette méthode réside dans la précision de la mesure ; en effet
la tension VDS (3ω) se trouve approximativement 80dB sous le signal fondamental. Nous
proposons donc d’utiliser un pont de Wheatstone (figure 2.36). Il est alimenté par un
générateur basse fréquence (GBF) permettant l’excitation du montage par un signal Vinj =
cos(ωt).

Ra Rb
GBF
Vdiff
VDS Véquil

RON Réquil

Figure 2.36 – Schéma du pont de Wheatstone, utilisant le RON du composant comme

unique résistance dépendant de la température du montage

Le transistor est placé sur la branche a du pont en série avec la résistance Ra . La

branche d’équilibrage est composée de la résistance Rb en série avec une résistance variable
Requil . Le rôle de cette dernière est d’équilibrer le pont avec le plus de précision possible,
afin d’avoir au fondamental une différence de potentiel entre VDS et Vequil nulle. Il sera
donc possible de mesurer avec le maximum de précision les variations de VDS au 3eme
harmonique. Nous présenterons, par la suite, une approche fréquentielle en scindant le
comportement du montage au fondamental (excitation par la source) et l’étude de son
comportement au 3eme harmonique (réaction du circuit).
Dans un premier temps, il est nécessaire d’étalonner le circuit en réalisant l’équilibrage
du pont. Cette opération se fait pour une faible amplitude du signal d’excitation Vinj , et
à fréquence fixe (nous avons pris 100Hz).

• Etude du montage au fondamental :

Le schéma présenté en figure 2.37.a nous permet d’exprimer les tensions VDS et Vequil
en fonction de la tension d’excitation :

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 91

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

Schéma au fondamental: Schéma au 3ème harmonique:

R0 R0 Ra Rb
Ra Rb
Vdiff
Vdiff VDS Véquil
V0.cos(ωt) VDS Véquil
RON
RON Réquil Réquil
e3ω

a) b)

Figure 2.37 – Schéma électrique du pont de Wheatstone a) au fondamental, utilisant le

GBF comme unique source d’excitation du circuit, et b) au 3eme harmonique, le transistor
est le seul composant du montage à générer un signal à cette fréquence du fait de son
impédance thermique.

RON
VDS = .Vinj (2.15)
RON + Ra

Requil
Vequil = .Vinj (2.16)
Requil + Rb
Lorsque le pont est équilibré : VDS − Vequil = 0

RON Requil
= (2.17)
RON .Ra Requil .Rb

⇔ RON .Rb = Requil .Ra (2.18)

L’équation 2.18 nous permet de dimensionner les résistances nécessaires dans le

pont de Wheatstone. Dans le cas présent, nous utilisons un composant 8x75µm dont la
résistance à l’état -ON a été mesuré précédemment (sa valeur à température ambiante
est de ≈ 3, 6Ω). Nous avons choisit un rapport 10 entre les deux branches du pont, par
conséquent la résistance variable Requil sera déterminée de sorte d’approcher, le plus
précisément possible, la valeur 10.RON .

• Etude du montage au 3eme harmonique :

A cause de la variation de température, le transistor est le seul composant du montage
à générer un signal au 3eme harmonique. Le schéma équivalent du montage est donc celui
présenté en figure 2.37.b. La tension générée à 3ω par le transistor sera notée e3ω . A

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 92

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

l’équilibre du pont, il est donc possible d’exprimer VDS en fonction de e3ω par un pont
diviseur de tension :

Ra + R0 //(Rb + Requil )
VDS = .e3ω (2.19)
RON + [Ra + R0 //(Rb + Requil )]

Ra (R0 + Rb + Requil ) + R0 (Rb + Requil )

⇔ VDS = .e3ω (2.20)
(Rb + Requil )(RON + Ra + R0 ) + R0 .(RON + Ra )
Afin d’exprimer la tension Vequil en fonction de e3ω nous utilisons un générateur de
Thévenin équivalent comme le montre la figure 2.38.

RThev V
équil

Réquil
EThev

Figure 2.38 – Circuit de Thévenin équivalent au 3eme harmonique.

avec :

R0
ET hev = .e3ω (2.21)
Ra + RON + R0

Ra (R0 + Rb + Requil ) + R0 (Rb + Requil )

RT hev = .e3ω (2.22)
(Rb + Requil )(RON + Ra + R0 ) + R0 .(RON + Ra )
Il est donc possible d’exprimer Vequil en fonction des éléments déterminés par le circuit
équivalent de Thévenin :

Requil
Vequil = .Eth (2.23)
Requil + Rth

Requil .R0
Vequil = .e3ω (2.24)
(Requil + Rb )(RON + R0 + Ra ) + R0 (RON + Ra )
A l’équilibre du pont de Wheatstone :

Vdif f 3ω = VDS − Vequil (2.25)

Ra .(R0 + Rb + Requil ) + R0 .Rb

⇔ Vdif f 3ω = .e3ω (2.26)
(Requil + Rb )(RON + R0 + Ra ) + R0 (RON + Ra )
On pose γ, un coefficient dépendant de la qualité de l’équilibrage du pont de
Wheatstone défini par l’équation 2.27. De plus, par ce coefficient, il est possible de passer

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 93

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

de la grandeur mesurée VDIF F au paramètre e3ω que nous cherchons à déterminer.

Vdif f 3ω = γ.e3ω (2.27)

Une fois la phase d’étalonnage réalisée (équilibrage du pont), nous fixons la valeur
de la tension d’excitation Vinj = V0 .cos(ωt) et nous réalisons un balayage en fréquence
sur une bande allant de 100Hz à 1MHz. Comme nous l’avons vu précédemment, il est
possible d’exprimer RON (T ) par une fonction linéaire de la température T de la forme :

RON (T ) = RON 0 (1 + α(T − Tref )) (2.28)

Avec RON 0 est la valeur de la résistance RON à la température de référence (RON 0 =

3, 6Ω), et où l’élévation de température ∆T = T − Tref (par la suite nous considérerons
RON (∆T )) dépend de la puissance dissipée instantanée PDISS (t) :

T = Zth .PDISS (t) (2.29)

1 + cos(2ωt)
PDISS = VDS0 .IDS0 .cos2 ωt = VDS0 .IDS0 . (2.30)
2
Le paramètre PDISS possède donc une composante continue (DC) PDISS0 ainsi qu’une
composante alternative (AC) à 2ω. En substituant les équations 2.30 et 2.29 dans
l’équation 2.28, il est possible d’exprimer le paramètre RON en fonction de t :

1 + cos(2ωt)
RON (t) = RON 0 [1 + α(Zth .VDS0 .IDS0 ( ))] (2.31)
2
Lorsque l’on vient exciter cette résistance par le signal I0 .cos(ωt), il est possible
d’exprimer VDS (t) en fonction des paramètres définis précédemment :

VDS (t) = RON (t).IDS0 .cos(ωt) (2.32)

1 + cos(2ωt)
VDS (t) = [RON 0 [1 + α(Zth .VDS0 .IDS0 ( ))]].IDS0 .cos(ωt) (2.33)
2
En développant l’expression 2.33, puis en l’ordonnant selon les harmoniques on obtient
donc :

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 94

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

3.α.ZT H .VDS0 .IDS0

VDS (t) = [RON 0 .IDSS0 (1 + )].cos(ωt) (2.34)
4
2
α.RON 0 .Zth .VDS0 .IDS0
+( ).cos(3ωt)
4

Par identification il est possible de déterminer l’expression de la composante en 3ω

propre à la variation thermique du composant. On peut donc poser :
2
α.RON 0 .Zth .VDS0 .IDS0
e3ω = (2.35)
4

4.e3ω
⇔ Zth = 2
(2.36)
α.RON 0 .VDS0 .IDS0
On peut, à partir des équations 2.36 et 2.27, exprimer l’impédance thermique Zth en
fonction de la tension mesurée VDIF F et des différents paramètres du circuit :

4.VDIF F 3ω
Zth = 2 3
(2.37)
γ.α.RON 0 .IDS0

Nous verrons dans les paragraphes suivant, les difficultés rencontrées ainsi que les
solutions retenues pour le montage du banc.

2.3.4.3 Cas du HEMT

Cette méthode a déjà été utilisée par C. Mion pour la détermination des propriétés
thermiques du nitrure de gallium [89]. Nous souhaitons appliquer ce procédé aux
transistors HEMT afin de déterminer leur impédance thermique. Nous avons donc réalisé
des simulations afin d’identifier les difficultés d’une telle approche. La modélisation d’un
circuit thermique a déjà été proposée [3] [69], elle repose sur l’utilisation de cinq cellules
RC. Cette modélisation permet une excellente concordance des constantes de temps
thermique qu’il est possible d’extraire à partir de la simulation physique comme le montre
la figure 2.39.
Ce modèle de circuit thermique, bien que provenant d’un composant différent, nous
permettra néanmoins d’estimer les grandeurs intervenant et qui faudra mesurer à l’aide de
la méthode 3ω. Pour cela, nous avons implémenté le circuit présenté en figure 2.40.a dans
le modèle du composant. Il est connecté à la source de courant du transistor et permet
de déterminer l’élévation de température en fonction de la puissance dissipée instantanée.
La température ambiante symbolisée par une source de tension continue. La figure 2.40.b
présente la réponse de ce circuit thermique dans le domaine fréquentiel.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 95

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

5 25
Zth=Σ Rth N.(1-exp(-t/τN))
N=1
20

Zth (°C/W)
Rth1 26 t1 1.50E-08 15
Rth2 20 t2 8.00E-06
Rth3 16 t3 1.10E-04
Rth4 16 t4 8.00E-03
10
Rth5 11.5 t5 3.50E-07
5
Simulations 3D éléments finis
Modèle avec 5 Cellules RC
0
HEMT 8x75p35µm 1.E-09 1.E-07 1.E-05 1.E-03 1.E-01 1.E+01
7W/mm T0=30°C Temps (s)
GaN 1,2µm/SiC 440/AuSn 45/Al 2mm

Figure 2.39 – Évolution de l’impédance thermique d’un transistor 8x75µm AlGaN/GaN

en fonction du temps, simulée grâce à une méthode d’éléments finis. Les constantes de
temps du modèle utilisant les 5 cellules RC sont portées à gauche.

V=Tamb

R1 C1 25

20
I=Pdissipée R2 C2
mag(T)/0.05
Zth (°C/W)

15
T°C
R3 C3
10

R4 C4 5

0
R5 C5
1E1 1E2 1E3 1E4 1E5 1E6 1E7 1E8
freq, Hz

a) b)

Figure 2.40 – a) Circuit thermique permettant de définir la température du composant

en fonction de la puissance dissipée instantanée. b) Simulation de l’impédance thermique
issue du circuit dans le domaine fréquentiel.

Nous nous intéressons ici à l’étude théorique, réalisée à l’aide d’ADS (logiciel de
conception et simulation assisté par ordinateur), du montage proposé précédemment.
Le modèle du transistor contient la source de courant présentée dans le chapitre suivant.
Cette source de courant permet de synthétiser le courant IDS en fonction de la tension
VDS pour des valeurs positives et négatives.
En utilisant la faible resistance du transistor à VGS = 0V (dans la zone ohmique)
comme source de chaleur, nous proposons d’appliquer la méthode 3ω entre les accès de
source et de drain du composant. Pour cela, nous appliquons un signal RF dont nous
faisons varier la fréquence sur l’accès de drain.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 96

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

• Analyse intrinsèque
La variation des résistances d’accès RS et RD en fonction de la température dépend des
métallisations utilisées au cours des étapes de process technologique (Titane / Aluminium
/ Nickel / Or dans le cas du composant étudié). Afin de généraliser l’analyse, nous avons
considéré les résistances fixes en fonction de la température. Dans un premier temps, nous
considérerons que la variation de la résistance RON (∆T ) est attribuée à la variation de la
résistance du canal notée Rcanal , comme le montre la l’équation 2.38.

RON = Rcanal + RS + RD (2.38)

On peut donc déterminer sa variation en fonction de la température :

RON 0
Rcanal (∆T ) = Rcanal .(1 + α. .∆T ) (2.39)
Rcanal
La puissance dissipée aux bornes de celle-ci est à l’origine de l’apparition du terme à
la fréquence 3.f0 auquel nous souhaitons nous intéresser. Si on considère uniquement la
puissance dissipée dans le canal, l’expression de l’impédance thermique fait intervenir la
résistance Rcanal ainsi que RON 0 à la température ambiante :

4.VDIF F 3ω
Zth = 3
(2.40)
γ.α.RON 0 .Rcanal .IDS0
L’étude de la simulation permet de connaı̂tre à chaque instant les valeurs VDIF F 3ω ,
ainsi que des paramètres VDS et IDS aux bornes du transistor intrinsèque. Dans le cas
du transistor intrinsèque nous avons calculé RON 0 = 3, 17Ω dépendant uniquement de la
résistance Rcanal ainsi que le paramètre γ = 0, 33 à l’aide de l’équation 2.26.
En utilisant ces valeurs dans l’équation 2.37, il est possible de trouver l’expression
de l’impédance thermique complexe. Le résultat obtenu, présenté en figure 2.41, est
donné pour différentes amplitudes du signal VDS en fonction de la fréquence double.
Nous rappelons que l’étude de l’impédance thermique se fait en fonction de 2.f0 , car la
température est générée par la source (ici Rcanal ) au deuxième harmonique. Comme on
peut le constater, un décalage apparaı̂t sur la partie réelle de l’impédance Zth dépendant
de l’amplitude du signal d’excitation, alors que la partie imaginaire concorde parfaitement
(figure 2.41.b). Il est possible de déterminer empiriquement que le décalage observé dépend
de la tension d’excitation suivant une loi polynomiale de degré 3. Ce décalage est présenté
en figure 2.43 et comparé à une fonction polynomiale de degré 3.
En corrigeant manuellement le décalage constaté on observe une bonne concordance
(présentée sur la figure 2.42) entre la simulation du circuit thermique et sa mesure par la
méthode 3ω.
Dans le montage expérimental, nous ne pouvons pas mesurer les variations de la

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 97

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

60 0.0
50 -0.5

imag(test_zth..T)
real(test_zth..T)
Re (Z ) 40

Im (Zth )
-1.0
th

30
-1.5
20
-2.0
10
0 -2.5
Vds=100, 150, 200, 250 et 300 mV
-10 -3.0
1 1E1 1E2 1E3 1E4 1E5 1E6 1E7 1 1E1 1E2 1E3 1E4 1E5 1E6 1E7 1E8
freq, Hz Hz
test_zth..freq, freq, HzHz
test_zth..freq,
2*Meas_freq
a) b)

Figure 2.41 – a) Partie réelle de l’impédance thermique pour différentes amplitudes de

VDS , et b) sa partie imaginaire comparées à la simulation du circuit thermique connu
(symboles).

22
20
18
real(test_zth..T)
Zth (°/W)

16
14
12
10
8
6
4
1 1E1 1E2 1E3 1E4 1E5 1E6 1E7
freq, Hz Hz
test_zth..freq,

Figure 2.42 – Comparaison entre l’impédance thermique connue du circuit thermique en

fonction de la fréquence f0 (croix noirs) et son extraction par la méthode 3ω en fonction
de la fréquence 2.f0 (trait plein gris).

50
(Zth ) @ 100Hz

40
Relastifg_plots..ids

30

20

10
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
VDS-ω
vds(V)

Figure 2.43 – Comparaison entre la valeur du décalage calculé en fonction de l’amplitude

d’excitation VDS , superposé à une fonction polynomiale de type y = a.x3 + b.x2 + c.x + d.

résistance Rcanal . Il est donc nécessaire considérer la variation globale de la résistance

RON (∆T ) incluant les résistances d’accès RS et RD . Pour cela il est important d’avoir une

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 98

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

connaissance précise des résistances de contact RS et RD en fonction de la température.

• Analyse extrinsèque
Dans cette approche, nous prendrons en compte la puissance dissipée aux bornes du
transistor extrinsèque. Les équations utilisées sont donc celles proposées dans l’étude
théorique. Le coefficient γ reste identique à celui calculé dans le cas précédent.

50 0.0

40 -0.5

imag(test_zth..T)
real(test_zth..T)

-1.0
Re (Zth )

Im (Zth )
30
-1.5
20
-2.0
10 -2.5
Vds=100, 150, 200, 250 et 300 mV
0 -3.0
1 1E1 1E2 1E3 1E4 1E5 1E6 1E7 1 1E1 1E2 1E3 1E4 1E5 1E6 1E7
test_zth..freq, Hz test_zth..freq, Hz
freq, Hz freq, Hz
a) b)

Figure 2.44 – a) Partie réelle de l’impédance thermique pour différentes amplitudes de

VDS , et b) sa partie imaginaire comparées à la simulation du circuit thermique connu
(symboles).

Il est donc possible de tracer l’impédance thermique complexe pour une variation
de la tension d’excitation VDS , en fonction de la fréquence double. Les partie réelles et
imaginaires de l’impédance complexe Zth sont présentées en figure 2.44. Comme dans le
cas précédent on peut observer un décalage dû à l’amplitude de la tension d’excitation.

On peut noter également que les valeurs de décalage sont différentes de celles constatées
au cours de l’analyse intrinsèque. Cette indication nous confirme que le décalage provient
des résistances utilisées au cours du montage. Le comportement de la partie imaginaire
nous conforte dans la précision des mesures obtenues par la méthode 3ω.
Comme pour l’analyse intrinsèque, nous pouvons corriger manuellement le décalage
pour constater la bonne concordance entre le circuit thermique simulé en fonction de la
fréquence f0 et le résultat obtenu par la méthode 3ω en fonction de la fréquence 2.f0 .

• Observations
Au cours de cette étude, l’utilisation du pont de Wheatstone n’est pas nécessaire du
fait de l’idéalité des éléments utilisés et de la précision de grandeurs données par les
sondes. Néanmoins, cette analyse nous a permis de constater que le signal qu’il faut
prélever au troisième harmonique est très faible (quelques dizaines de µV pour une
tension d’excitation VDS = 300mV ). La figure 2.46 présente le spectre de la tension

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 99

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

22
20
18

real(test_zth..T)
Zth (°/W)
16
14
12
10
8
6
4
1 1E1 1E2 1E3 1E4 1E5 1E6 1E7
freq, Hz Hz
test_zth..freq,

Figure 2.45 – Comparaison entre l’impédance thermique connue du circuit thermique en

fonction de la fréquence f0 (croix noirs) et son extraction par la méthode 3ω en fonction
de la fréquence 2.f0 (trait plein gris).

VDS , on peut constater que le signal auquel nous souhaitons nous intéresser se trouve
approximativement 80dB en dessous du signal fondamental.

0
-20
-40 ≈80dB
Amplitude (dB)

-60
-80
-100
-120
-140
-160
0 1 2 3 4 5
Harmonique
harmindex

Figure 2.46 – Spectre du signal aux bornes du transistor. La variation du 3eme

harmonique qui est généré dépend directement de l’impédance thermique.

Cet écart entre le signal fondamental et celui que l’on cherche à mesurer constitue
une des difficultés majeures de cette méthode. En effet, afin de le mesurer précisément il
faut être capable d’utiliser un système de mesure possédant une dynamique supérieure à
90dB. La priorité est donc de diminuer l’écart entre l’amplitude du signal au fondamental
VDS−ω et au troisième harmonique VDS−3ω ; le pont de Wheatstone associé à l’amplificateur
différentiel sont donc prévu à cet effet.
L’utilisation d’un potentiomètre, dans le pont de Wheatstone, possédant une précision
de 1% (soit 0, 5Ω pour une résistance maximum de 50Ω) permet de réduire l’écart entre
les deux signaux à ≈ 40dB.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 100

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

2.3.4.4 Protocole expérimental :

L’objectif étant de mesurer les variations de la tension VDIF F 3ω dûes à la thermique,

dont les variations sont de l’ordre de la dizaine de µV , le choix de l’ensemble des
composants est critique pour la précision de la mesure. Nous allons donc détailler les
spécificités et les contraintes de chaque élément retenu pour la mise en place de ce banc.
– La source de tension doit avoir pour principale spécificité une grande qualité
spectrale. En effet l’injection d’un signal au fondamental ne doit en aucun cas
entrainer la création d’harmoniques qui viendraient ensuite perturber le signal
mesuré VDIF F 3ω . La source doit donc posséder un taux de distorsion harmonique
(TDH), le plus faible possible.
n
Viω2
P
i=1
T DH(%) = (2.41)
Vω2
où Viω est l’amplitude du signal au ieme harmonique et Vω l’amplitude au
fondamental [90].
Uniquement les 5 premières harmoniques sont utilisées dans le calcul du TDH étant
donné que l’amplitude des harmoniques décroı̂t vite avec l’ordre des harmoniques.
Nous avons choisi d’utiliser un Tektronik AFG3022, qui permet de générer un signal
sinusoidal d’amplitude maximum 5V sur une bande de fréquence allant de 1mHz
à 25M Hz. Le TDH de ce générateur basse fréquence (GBF) pour une tension de
0, 5V est de 0, 2%. Nous nous limiterons à une excitation de plus faible amplitude
(250mV ) afin de réduire encore le TDH.
– Afin de réaliser l’amplification du signal issu du générateur, nous lui associons un
amplificateur bipolaire F30PV de FLC Electronics. Il peut amplifier le signal
d’entrée grâce à un potentiomètre permettant de moduler le gain de l’amplificateur
par un facteur allant de 1 à 10.
– Le pont de Wheatstone présenté précédemment requiert une attention
particulière quant au choix des composants. La contrainte principale est d’avoir
un pont parfaitement résistif dont les éléments sont le plus stable possible avec
la température. N. O. Birge [82] recommande l’utilisation de résistances de type
wirewound ou metal-film afin de limiter la formation de signaux d’harmonique 3
dans les autres éléments que le transistor. De même il est important de choisir
des composants ayant un coefficient de température le plus faible possible. Les
coefficients de température des résistances choisies sont, dans notre cas, inférieurs
à 50ppm/C o (soit une variation de 0, 005%/C o de la valeur de la résistance). Les
valeurs retenues pour le pont sont : Ra = 2Ω, Rb = 20Ω, RequilF = 100Ω en parrallèle
avec RequilV = 0 à 100Ω. De plus, pour réduire le bruit lors de la mesure, le pont de

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 101

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

Wheatstone a été inséré dans un blindage.

– Le pont est relié à la sonde RF, masse / signal / masse (GSG), par un cable
Minibend en connectique K. Ce cable est choisi le plus court possible (ici 10cm)
afin de réduire les effets parasites du guide d’onde lors de la variation de fréquence.
Ce phénomène est délicat à restreindre, l’effet selfique engendré par le cable tend à
déséquilibrer le pont de Wheatstone avec la variation de fréquence. Il peut s’observer
à partir de 10kHz. Toutefois l’ajout d’une capacité de compensation Ccor = 3, 3nF
en parallèle de Requil permet de décaler d’une décade cet effet (rendant la mesure
possible jusqu’à 80kHz). De plus ce cable présente une résistance mesurée Rcable =
0, 32Ω dont il faudra tenir compte lors du traitement de la mesure.
– La soustraction de VDS et de Vequil et l’amplification de la tension VDIF F résultante
est réalisée par un amplificateur différentiel SA-421F5 de NF Corporation, dont
le gain est fixé à 45dB, sur une bande allant de 30Hz à 30M Hz. Après l’avoir
caractérisé nous avons choisi, du fait d’une importante variation du gain sur la bande
30Hz − 100Hz, de limiter son utilisation à la bande 100Hz - 100kHz. La forme du
gain de l’amplificateur, associé à un atténuateur −5dB en série, est présentée en
figure 2.47.

42 80
40
60
38
Gain (dB)

Phase (°)

36 40
34
32 20

30
0
28
26 -20
1E1 1E2 1E3 1E4 1E5 1E6 6E6
freq, Hz

Figure 2.47 – Gain et phase de l’amplificateur différentiel utilisé pour la récupération

du signal VDIF F .

– Le système d’acquisition utilisé est une carte spectrum MI4032 PCI permettant
d’acquérir les données grâce un convertisseur analogique / numérique (ADC). Cette
carte s’utilise à la manière d’un oscilloscope et permet de récupérer sur trois canaux
les signaux Vinj (ω), VDS (ω), VDS (3ω), VDIF F (ω) et VDIF F (3ω) en module et en phase.
Le convertisseur analogique / numérique code le signal mesuré sur 14 bits soit une
précision de 84dB de dynamique sur chaque canaux (20.log(214 ) = 84, 2). Le courant
IDS (ω) est mesuré aux bornes de la résistance Ra dont la valeur a été mesurée avec
précision par l’analyseur de réseaux basses fréquences présenté précédemment.
– Cette carte est utilisée en association avec le logiciel embarqué utilisé dans le

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 102

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

traitement des données du banc load-pull temporel. L’avantage de ce système réside

dans la possibilité de réaliser directement le traitement fréquentiel permettant à
l’utilisateur de récupérer l’amplitude des tensions mesurées à la fréquence souhaitée.
– Un oscilloscope d’appoint Tektronik 3022 est utilisé pour réaliser l’équilibrage du
pont de Wheatstone (annulation de VDIF F (ω)), ainsi que pour mesurer l’amplitude
du signal VDS .

Générateur basses fréquences

USB
Oscilloscope

V0.cos (ωt)
Trigger
FLC
CH1 : Vinj
CH2 : VDS
étalonnage
CH3 : VDIFF
SA-421F5
+ Ra Rb
-

Ccor RequilV RequilF

Grille Drain
Source Blindage

Figure 2.48 – Schéma de montage du banc de mesure conçut pour mesurer l’impédance
thermique ZT H par la méthode 3ω.

2.3.4.5 Traitement des résultats

Nous avons réalisé une série de mesures pour différentes valeurs de la tension VDS afin
de déterminer un compromis entre la limitation dûe à nos instruments de mesure et celle
dûe au plancher de bruit. Nous présentons sur la figure 2.49.a les variation de VDIF F 3ω
obtenues pour différentes valeurs de VDS .
Comme le met en évidence l’équation 2.37, la tension VDIF F 3ω dépend de la tension
d’excitation VDS suivant une loi de variation cubique (figure 2.49.b). Cependant à cause
des limites des instruments et en particulier la faible linéarité de l’amplificateur différentiel
SA-421F5 (ce dernier sature à partir d’une tension VDS > 350mV ) la mesure est faussée.
On constate que l’approximation réalisée, en figure 2.49.b n’est plus vérifiée. De plus, pour
une tension d’excitation VDS < 250mV , les variations de la tension VDIF F 3ω deviennent
trop faibles pour être dissociées du bruit de mesure.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 103

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

7.50E-4 0.0015

(3ω) (V) @ 100Hz

6.25E-4 VDS=500mV 0.0013

approx_cubic..v3om/2
Fin de variation
VDIFF(3ω) (V) 0.0010 cubique
5.00E-4

3.75E-4 VDS=400mV 0.0008

2.50E-4 0.0005
VDS=300mV

VDIFF
1.25E-4 0.0003
VDS=200mV
0.00E0 0.0000
1E2 1E3 1E4 8E4 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
Freq, Hz VDS (V)
approx_cubic..vds

a) b)

Figure 2.49 – a) Variation de la tension mesuré VDIF F 3ω pour différentes valeurs

d’excitation VDS = 0, 5; 0, 4; 0, 3 et 0, 2V en fonction de la fréquence. b) Amplitude
du signal mesuré à 3ω, à 100Hz (marqueurs) superposée à une loi de variation cubique
en fonction de la tension VDS .

Nous présenterons donc (en figure 2.50), les résultats obtenus pour une tension VDS =
300mV .

0.00015
var("vds600mV..600mV")/2

VDS=300mV
VDIFF(3ω) (V)

0.00013

0.00010

0.00008

0.00005
1E2 1E3 1E4 1E5
Freq, Hz

Figure 2.50 – Variation de VDIF F 3ω la valeurs d’excitation retenue VDS = 300mV en

fonction de la fréquence.

Au cours de la mesure nous avons caractérisé précisément chacune des résistances, afin
de déterminer le paramètre γ. A l’équilibre du pont les valeurs de chaque élément du circuit
sont portées dans la table 2.11. L’expression de la résistance RON (∆T ) utilisée découle
de l’expression 2.13 déterminée dans le paragraphe [2.3.2] : RON (∆T ) = RON 0 (1 + α∆T )
avec RON 0 = 3, 6Ω et α = 0, 003o C −1 . Cette valeur du paramètre α correspond à un
coefficient thermique 3000ppm ce qui est approximativement cent fois plus important que
les coefficients thermiques des résistances utilisées dans le pont de Wheatstone. Compte
tenu de la résistance de 0, 32Ω du cable, nous avons donc déterminé γ ′ par l’équation 2.42.

R0 (Ω) Ra (Ω) Rb (Ω) Requil (Ω) Ccor (nF ) Rcable (Ω)

2 2, 08 20 36 3, 3 0, 32

Table 2.11 – Valeur des paramètres mesurés intervenant dans le pont de Wheatstone

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 104

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

Ra .(R0 + Rb + Requil ) + R0 .Rb

γ′ = = 0, 34 (2.42)
(Requil + Rb )(RON 0 + Rcable + R0 + Ra ) + R0 (RON 0 + Rcable + Ra )

L’amplitude du signal mesurée par l’amplificateur différentiel à 100Hz est

VDIF F 3ω = 0, 13mV . Ceci correspond au régime établi de l’impédance ZT H , appelée la
résistance thermique Rth dont le décalage dépend de l’amplitude de VDS . Cette mesure
est obtenue pour une tension d’amplitude VDS0 = 300mV et un de courant de drain
IDS0 = 71, 5mA.

Dans ces conditions d’excitation, nous avons obtenu en simulation une partie réelle de
l’impédance thermique à 100Hz d’une valeur brute de 45o C/W (dans la partie Analyse
extrinsèque de la partie [2.3.4.3]). La valeur obtenue est affectée d’un décalage (offset)
que nous avons observé dans cette même partie.
En mesure, la valeur brute obtenue pour la partie réelle de la résistance thermique
est de 96o C/W . Cette valeur est également affectée d’un offset que nous n’avons pas pu
déterminer. Cependant le résultat mesuré diffère de celui obtenu par simulation, ce qui
tend à remettre en question l’approche expérimentale développée.
Néanmoins, il est important de noter que la variation observée de VDIF F −3ω est en
accord avec celle attendue. Seule la précision de la mesure est remise en question avec
l’approche expérimentale proposée ici.

De plus l’approche théorique, illustrée par les simulations, nous a permis de confirmer
la précision de cette méthode appliquée aux transistors HEMTs. Afin de valider cette
méthode, les voies à développer sont l’identification et la définition précise de la loi de
variation cubique du décalage observé en fonction de la tension appliquée sur l’accès de
drain.
Nous avons pu constater que la partie imaginaire, même si elle n’est pas nécessaire pour
le calcul de la résistance Rth , permet de valider les étapes intermédiaires et le calcul de γ.
Il sera donc important d’accorder un intérêt majeur au signaux complexes en présence.

2.3.5 Discussion
Grâce à des simulation thermiques 3D (réalisées avec Ansys) l’impédance thermique
d’un composant HEMT GaN de développement 8x75µm a été calculée à Rth = 20, 7o /W .
Dans les paragraphes précédents, nous avons étudié les principales méthodes
électriques (pulse long / méthode de coı̈ncidence) pour la mesure de l’impédance thermique
d’un composant de développement identique. Nous avons pu observer que les pièges

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 105

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

perturbaient la mesure de l’impédance Zth , rendant la mesure par impulsion longue

inexploitable (figure 2.34) et faussant les résultats obtenus par la méthode de coı̈ncidence
(Rth = 14o C/W ).
Au cours de la méthode 3ω les pièges ne sont pas excités, puisque le signal est étudié
à la fréquence 3.f0 . A cet harmonique les phénomènes relatifs aux pièges sont relégués
au second ordre. Cependant, nous avons pu constater que la valeur obtenue par cette
méthode diverge de celle attendue.
Une telle divergence est dûe à l’hypothèse réalisée sur la résistance RON . En effet,
nous avons considéré que dans la zone ohmique le courant IDS dépend linéairement de
la tension VDS , or une contribution non-linéaire vient perturber le signal étudié à 3.f0 .
Afin de mesurer précisément la tension VDS−3ω , il sera donc nécessaire de réaliser une
calibration non-linéaire afin de dissocier les deux effets qui se superposent au troisième
harmonique.
Nous avons manqué de temps pour développer cette étape supplémentaire. Cependant
les résultats observés aux figures 2.41, 2.44 et 2.50 nous confortent quant aux possibilités
offertes par cette méthode.
Les instruments que nous avons utilisés ne sont pas spécifiquement appropriés à
l’application développée ici. En effet, nous recommandons l’utilisation de source RF à
grande pureté spectrale, des amplificateurs linéaires sur la bande de fréquence [DC −
10M Hz], ainsi qu’un lock-in amplifier préconisé par D. G. Cahill [83] qui permettra une
mesure précise des signaux à la fréquence souhaitée.
De plus une miniaturisation du pont de Wheatstone serait souhaitable afin d’éviter
les longueurs de cables parasites. A cet effet nous recommandons également l’utilisation
d’une méthode de mesure 4 fils ( également appelée méthode de Kelvin) afin de s’affranchir
complètement des effets relatifs aux cables utilisés.

2.4 Conclusion
Nous avons présenté une étude comparative des performances des composants HEMTs
à base de GaN au travers de caractérisations de transistors ou de barrettes de puissance
en bande S, X et Ku. Nous avons constaté, malgré un manque de maturité prévisible
pour une technologie encore à l’étude, des résultats encourageants en particulier pour les
applications d’amplification de puissance en bande K. Nous avons proposé une méthode de
caractérisation grand signal de composants HEMT pour des applications de commutateurs
de puissance. Par la suite, nous avons également proposé une méthode de caractérisation
thermique nouvellement appliquée aux transistors à effet de champs. La méthode 3ω a été
utilisé pour la première fois il y a près d’un siècle pour mesurer l’échauffement du filament
des ampoules à incandescences et semble pouvoir s’appliquer à la mesure de l’impédance

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 106

Chapitre 2 : Instrumentation et méthodes de caractérisation

thermique des transistors HEMTs.

Malgré des résultats encore peu précis, dûs à l’aspect expérimental de cette méthode
de mesure, des simulations encourageantes ont été présentées. Nous pouvons espérer qu’à
terme, en approfondissant l’étude amorcée ici, il sera possible d’extraire non seulement la
resistance thermique Rth , mais également les constantes de temps propres à l’impédance
Zth .
Cette méthode 3ω devra donc être développée et affinée pour la mesure de l’impédance
thermique de transistors HEMTs au cours des années à venir.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 107

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

Chapitre 3 :

Modélisation non-linéaire
électrothermique

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 108

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

3.1 Introduction
Dans ce chapitre, nous traiterons de la modélisation de composants HEMT à base
de nitrure de gallium et les différentes applications pour lesquelles ces modèles sont
extraits. Nous réutiliserons le modèle préalablement développé par XLIM et dédié à
l’amplification de puissance pour l’application de commutation RF. Conserver une base
commune permet d’utiliser le même modèle pour différentes applications. Cela constitue
un grand intérêt pour les concepteurs et les ingénieurs en charge du suivi des modèles dans
les fonderies. Ainsi, nous détaillerons les différentes étapes de modélisation linéaire et non-
linéaire communes aux applications d’amplification et de commutation, ainsi que celles qui
diffèrent. Enfin, nous validerons ce modèle en le comparant aux mesures présentées dans
la partie précédente. De plus, nous mettrons en avant des lois de variations qualitatives
observées en fonction du développement du composant étudié. Nous proposons enfin une
analyse des lois de variations en fonction des paramètres propres à la technologie tels que
le nombre de doigts de grille, leur longueur ainsi que leur largeur.

3.2 Principes fondamentaux de la modélisation des

transistors HEMTs
Il existe plusieurs types de modélisation utilisés pour la réalisation de circuits
hyperfréquences.
La modélisation physique est la plus ancienne. Elle repose sur l’utilisation d’un schéma
équivalent dont chaque élément est modélisé selon les lois de la physique des semi-
conducteurs. Ces paramètres sont issus des aspects technologiques (géométrie, dopage,
couches, etc). Cette méthode est la plus fastidieuse car le grand nombre de paramètres
[91] qu’elle fait intervenir la rend trop complexe pour l’utilisation des simulateurs tels que
ADS.
Le modèle phénomènologique a été créé par la suite[92] dans le but de réduire le
nombre de paramètres utilisés. Comme son nom l’indique, son but est de reproduire
les phénomènes intervenants dans le composant, en se détachant de la complexité de la
structure physique. Ce type de modèle repose sur la structure proposée par A. Liechti [93],
[94] présentée en figure 3.1. Ce modèle est également qualifié de modèle semi-physique
car les équations utilisées peuvent aussi bien relever de la physique (dans le cas de la
définition des diodes) ou plus simplement suivre une loi mathématique reproduisant au
mieux le phénomène (dans le cas des capacités CGS et CGD ) afin d’améliorer la convergence
du modèle. Ce modèle est extrait à partir des résultats de mesures I-V, paramètres-[S], et
de puissance.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 109

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

S G D
Rg

Cgs Cgd
Ri Rgd
Rs Ids Rd

Rds

Cds

Figure 3.1 – Identification des paramètres intrinsèques et extrinsèques issus de la

structure physique du HEMT et utilisés dans la modélisation phénomènologique.

Dans cette perspective de réduction des paramètres, certains constituants du modèle

sont devenus partiellement analytiques utilisant par exemple des sources de courant ou des
capacités splinées [95]. Puis, avec la dernière génération d’instruments de caractérisation,
les modèles comportementaux [96] se sont développés. Ces modèles, tels que ceux reposant
sur les réseaux de neurones [97] ou la mesure de paramètres-[X], peuvent être directement
extraits d’une mesure grand signal. Cette technique présente l’avantage d’un gain de temps
considérable. Cependant, elle à l’inconvénient de ne pas permettre l’accès aux paramètres
du modèle. De plus la convergence de ce dernier est restreinte aux conditions de mesure
qui ont servi de support à l’extraction.
Le modèle phénoménologique est contraignant, du fait du grand nombre de paramètres
à définir. Néanmoins, il présente un bon compromis puisque il permet de reproduire les
phénomènes physiques intervenants dans la structure HEMT. En effet, pour un laboratoire
tel que le III-V Lab, cette modélisation est la plus intéressante car elle permet d’étudier les
variations des éléments du modèle en fonction des évolutions technologiques. Le modèle
électrique équivalent retenu est donc présenté en figure 3.2. Chacun des paramètres
présentés dans ce modèle est issu de la modélisation de la structure proposée par Liechti.

Cgd Rgd

Lg Rg Rd Ld

-jωt
Cpg Gm=gm.e Gd Cpd
Cgs
Cds
Ri

Rs Transistor intrinsèque

Ls

Figure 3.2 – Schéma petit signal du transistor HEMT pour un point de polarisation de
repos donné.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 110

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

Dans ce chapitre nous allons détailler les différentes étapes permettant d’extraire
chaque éléments le constituant. L’organigramme de la figure 3.3 présente ces étapes. Il
regroupe celles qui sont communes à l’extraction du modèle en vue de son utilisation soit
pour la conception d’amplificateur de puissance, soit pour une utilisation en mode de
commutateur de puissance.

Modèle linéaire Modèle non linéaire

Capacités NL. Modèle Modèle Pièges

0.6

0.4
Thermique (RTH)
0.2

0.0

Id
-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1.0
-20 -10 0 10 20 30

Vds

Paramètres Extr./ Source de courant

Intr. à la polar.
0.6
30 200
0.4

Amplificateur de Puissance
20 150
10
Phase S(1,2)

100
dB S(1,2)

0 0.2
50
-10
0
-20 0.0
-50
-30
Id

-40 -100 -0.2

0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 5 10 15 20 25 30 35 40

freq, GHz freq, GHz

-0.4

-0.6

-0.8
Commutateur de Puissance
-1.0
-20 -10 0 10 20 30
S(1,1), S(2,2)

Vds
Capacités NL. Modèle
0.6

freq (500.0MHz to 40.00GHz)

0.4

0.2

0.0
Thermique (RON)
Id

-0.2

-0.4 1.5
-0.6

-0.8
1.0
Ids (A/mm)

-1.0 0.5
-20 -10 0 10 20 30

Vds 0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-4 -2 0 2 4 6
Vds (V)

Figure 3.3 – Chronologie des étapes de la modélisation de HEMT utilisé pour

l’amplification de puissance et de commutation. L’extraction du modèle linéaire est
commune aux deux applications, mais diverge pour l’extraction du modèle non-linéaire.

L’extraction des paramètres du modèle est réalisée chronologiquement de la manière

suivante :

- la mesure de paramètres-[S] permet d’extraire le modèle petit signal et ainsi de figer

les paramètres extrinsèques (RG , LG , CP G , RD , LD , CP D , LS et RS ) qui ne dépendent
pas du point de polarisation. Mais également la valeur des paramètres intrinsèques
dépendant du point de polarisation à savoir CGS , CGD , CDS , gm , τ , gd , Ri et RGD .

- la source de courant est déterminée à partir des mesures I-V en impulsions. Elle
permet de déterminer les valeurs des paramètres τ ; gm et gd en tous points du réseau.

- les paramètres des modèles des capacités non-linéaires dépendent de la zone de

fonctionnement prévue par l’application. Pour le cas de l’amplification de puissance, les
capacités CGS et CGD sont extraites le plus souvent le long d’une droite de charge pour
des fonctionnement en classe A, AB ou B ; CDS est alors gardée fixe. Dans le cas de la
commutation, les trois capacités CGS , CGD et CDS sont définies de manière non-linéaire

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 111

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

par des équations à une dimension. Elles seront présentées dans la suite du chapitre.

- la modélisation des effets thermiques peut alors être implantée dans le modèle. Pour
un modèle dédié à l’amplification de puissance, cette étape permet d’intégrer les résultats
obtenus par une caractérisation thermique. Ceci s’effectue grâce à la modélisation d’un
réseau d’impédance thermique utilisant plusieurs cellules RC. Les paramètres les plus
communément modélisés en fonction de la température sont RG , RD , et IDS . Dans le cas
du commutateur, la variation thermique à des répercussions uniquement sur la variation
de la résistance RON .

- les mesures grand signal permettent de finaliser le modèle non-linéaire. Un ajustement

des paramètres du modèle est souvent nécessaire pour reproduire convenablement le
comportement en grand signal du transistor.

L’extraction de modèles de HEMTs pour l’amplification de puissance ayant été déjà

largement étudiée et validée [3], [22], [98], nous nous focaliserons sur le modèle, dit GAMM,
proposé par O. Jardel [3]. Celui-ci permet la description de réseaux I-V négatifs et donc
d’élargir son domaine à des applications de commutation. Dans les parties suivantes,
nous présenterons dans un premier temps l’extraction du modèle petit signal. Puis, nous
exposerons les équations de la source de courant, permettant une définition du courant
de drain IDS pour un balayage positif et négatif de la tension VDS . Enfin, nous traiterons
l’extraction des modèles non-linéaires et nous validerons le modèle en le confrontant aux
mesures réalisées.

3.3 Modélisation linéaire

Nous présentons dans cette partie la méthodologie d’extraction de modèle linéaire
développée par XLIM [99], appliquée au cas d’un composant HEMT pour des applications
de commutation. La modélisation de composant HEMT à base de GaN pour ce type
d’application développe un intérêt grandissant depuis les cinq dernières années [100],
[101], [102]. Nous utiliserons les résultats présentés dans la partie précédente pour valider
le modèle du composant 8x75 µm en technologie AlGaN/GaN. Les facteurs d’échelles,
entre les différents paramètres du modèles seront également proposés pour des HEMTs
AlGaN/GaN.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 112

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

3.3.1 Extraction du modèle petit signal

3.3.1.1 Extraction des paramètres extrinsèques / intrinsèques

Le schéma petit signal de la figure 3.2 recense les différents paramètres du transistor
HEMT. Afin d’améliorer la précision du modèle, il est préférable de réaliser celui-ci au
plus près de la zone active du composant (repère 2 sur la figure 3.4). Cependant la mesure
est effectuée dans le plan des sondes RF (repère 1 sur la figure 3.4). Pour l’extraction
du modèle, nous réaliserons alors un changement de plan de référence, aussi appelé
de-embedding [103]. Les paramètres extrinsèques, correspondent aux accès parasites du
composant. Ils sont extraits grâce à des opérations matricielles réalisées sur les paramètres-
[S] [104]. Par convention nous considérons que les éléments extrinsèques restent fixes en
fonction de la fréquence [105]. Il est donc possible d’utiliser la méthode développée par
G. Dambrine [106] afin de déterminer les paramètres extrinsèques du modèle.

Zone active
(transistor intrinsèque)

1 2 2 1

Figure 3.4 – Photo d’un composant 8x75µm en technologie coplanaire. Le plan 1 est celui
formé par les sondes de mesure RF, le plan 2 correspond à celui pour lequel le modèle est
déterminé.

A partir des mesures de paramètres-[S] et particulièrement l’extraction des paramètres-

[Y] intrinsèques correspondants, il est possible d’identifier les paramètres intrinsèques du
modèle grâce aux relations suivantes :
"  2 #
−Im(Y12 ) Re(Y12 )
Cgd = 1+ (3.1)
ω Im(Y12 )
"  2 #
−Re(Y12 ) Re(Y12 )
Rgd = 2 2
1+ (3.2)
Cgd ω Im(Y12 )
"  2 #
Im(Y11 ) + Im(Y12 ) Re(Y11 ) + Re(Y12 )
Cgs = 1+ (3.3)
ω Im(Y11 ) + Im(Y12 )

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 113

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

gd = Re(Y12 ) + Re(Y22 ) (3.4)

Im(Y12 ) + Im(Y22 )
Cds = (3.5)
ω
"  2 #
Re(Y11 ) + Re(Y12 ) Re(Y11 ) + Re(Y12 )
Ri = 2 ω2
1+ (3.6)
Cgs Im(Y11 ) + Im(Y12 )
q

gm = (A2 + B 2 ) 1 + Ri2 Cgs
2 ω2 (3.7)

 
−1 B + A.Ri Cgs .ω
τ= · artan (3.8)
ω A − B.Ri Cgs .ω
avec :

A = Re(Y21 ) − Re(Y12 ) (3.9)

B = Im(Y21 ) − Im(Y12 ) (3.10)

3.3.1.2 Détermination des paramètres extrinsèques / intrinsèques pour le

8x75µm AlGaN/GaN

Le transistor HEMT 8x75µm retenu est issu d’une technologie microruban, et possède
une longueur de grille de 250nm. Pour l’extraction des paramètres extrinsèques nous
utilisons une polarisation instantanée P0 définie par VDS = 5V , IDS = 50mA. Les valeurs
des paramètres extrinsèques sont considérées comme constantes quel que soit le point de
polarisation. Nous rappelons que grâce à l’utilisation du système I-V et paramètres-[S] en
impulsions, les paramètres-[S] sont également mesurés en tous points du réseau I-V.
Le comparaison des coefficients de reflexion S11 , S22 et des coefficients de transmission
S12 et S21 entre la mesure et le modèle sont présentés en figure 3.5. L’étude est réalisée
sur une gamme de fréquence allant de 2GHz à 40GHz.
Nous présentons sur ce graphe une comparaison du gain maximum (MSG/MAG en
figure 3.6) dont nous avons rappelé la définition au chapitre précédent.
La table 3.1 recense les valeurs des paramètres intrinsèques et extrinsèques extraits
pour le point de polarisation utilisé (VDS = 5V , IDS = 50mA).

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 114

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

15
10

21,S12 )(dB)
5 S21

mag (SdB(S(2,1))
0
-5
-10
S12
-15
-20
0 5 10 15 20 25 30 35 40
freq, GHz
S22 150

(S21,S12 ) (°)
unwrap(phase(S(2,1)))
100 S12

50
S11

phase
0
freq (2.000GHz to 40.00GHz)
S21
-50
0 5 10 15 20 25 30 35 40
freq, GHz

Figure 3.5 – Comparaison mesure (symboles) / modèle (trait plein) des paramètres-[S]
pour une gamme de fréquence allant de 2GHz à 40GHz, au point de polarisation P0 :
VDS = 5V , IDS = 50mA.

20
Gain maximum (dB)

15

10

-5
1E9 1E10 4E10
freq, Hz

Figure 3.6 – Comparaison mesure (symboles) / modèle (trait plein) du gain maximum
(MSG/MAG) pour une gamme de fréquence allant de 2GHz à 40GHz, au point de
polarisation P0 : VDS = 5V , IDS = 50mA.

Paramètres extrinsèques
Rg (Ω) Lg (pH) Cpg (pF ) Rd (Ω) Ld (pH) Cpd (pF ) Rs (Ω) Ls (pH)
1, 12 32 0, 046 0, 76 40 0, 032 0, 51 0, 68
Paramètres intrinsèques à P0
Cgs (pF ) Cgd (pF ) Cds (pF ) gm (S) gd (mS) τ (ps) ri (Ω) Rgd (Ω)
0, 52 0, 19 0, 11 0, 12 10, 6 1, 2 2 2, 7

Table 3.1 – Valeurs des paramètres extrinsèques et intrinsèques du modèle petit signal
extrait de 2GHz à 40GHz au point de polarisation P0 : VDS = 5V , IDS = 50mA.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 115

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

3.3.2 Source de courant

3.3.2.1 Définition de la source de courant

La source de courant utilisée dérive de la source crée par Y. Tajima [107]. O. Jardel
a proposé une alternative permettant de définir le courant de drain IDS en fonction des
tensions VDS et VGS pour des tensions de drain aussi bien positives que négatives. De
nouvelles équations pour les diodes grille-drain (DGD ) et grille-source (DGS ) ont été
redéfinies afin de permettre un ajustement précis de leur ouverture. Ce modèle prend
également en compte les zones d’avalanche grille-drain et drain-source. Ces équations
sont rappelées ici :

Id = Idss · dhyp[V dsn + A · V dsn3 ] · V gsn (3.11)

avec :
 N
V p0
V gsn = V gslin · 1 + (3.12)
vp

vp = V p0 + Hasympt (−V ds(1 − V pdec), 1.10−4 , 0) + P · Vds (3.13)

Vds
V dsn = (3.14)
V knee · [1 + W · (V gsn − 1)]
" #
Vsatp + vp
V gslin = Hasympt . , svp , 0 (3.15)
Hasympt (Vsatp + vp + V p0 , 1.10−4 , −vp
vp0
)

   
V gs V gs
Vsatp = Lasympt , Ssat1p , Vsat1p + Lasympt , Ssat2p , Vsat2p − Vsat1p (3.16)
2 2

   
−Vds −4
svp = Hasympt Lasympt , Ssatn , Vsatn , 1.10 , gmvp (3.17)
Sneg
avec :

A = cval(Apos, Aneg, Vds , αtrval ) (3.18)

W = cval(W pos, W neg, (Vgs + vp0), αtrval ) (3.19)

Les équations de cette source de courant reposent sur quatre fonctions. La fonction
dhyp permet de reconstruire la forme du courant et possède une structure similaire à

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 116

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

tanh(x).

x
dhyp(x) = √ (3.20)
1 + x2
La fonction cval assure la transition du paramètre x depuis la valeur xneg à xpos , au
voisinage de V = 0. De plus le paramètre αtrval permet de déterminer la douceur de cette
transition.

xpos − xneg xpos + xneg

cval(xpos , xneg , V, αtrval ) = · tanh(αtrval · V ) + (3.21)
2 2

Les équations genp(x), Hasympt et Lasympt permettent de définir la douceur de transition

entre les cadrans VDS < 0V et VDS > 0V . Ces fonctions sont indéfiniment dérivables
(C∞ ) et permettent de séparer le domaine de définition en une région supérieure et une
inférieure avec une douceur de transition paramétrable par a. Le comportement de ces
fonctions ainsi que l’influence de a sont présentés en figure 3.7.

1


 √
x > −1


 2 −x + 1 + x 2
−1

genp(x) = r ! x ≤ −1 (3.22)
1


 2 · x 1 + 1 + x2




15

10

5
Lasympt(x, 1, 5)
genp(x)
0 Zoom
5
Hasympt(x, 1, 5)
-5

-10 4

4 5 6
-15
-10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 10
x

Figure 3.7 – Comportement des fonctions genp(x) ligne, Hasympt (x, 1, 5) pointillés gris
et Lasympt (x, 1, 5) en pointillés noir ; dans l’encadré Lasympt (x, 1, 5) pour différentes valeurs
de x = 0, 1 en pointillés noir, x = 0, 5 en pointillés gris et x = 1 ligne.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 117

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

  
−(x + x H )
x + a · genp x > −xH


Hasympt (x, a, xH ) =  a  (3.23)
x + xH
xH − a · genp x ≤ −xH


a
  
x L − x
xL − a · genp x > xL


Lasympt (x, a, xL ) =  a  (3.24)
x − x L
−xL + a · genp x ≤ xL


a
La définition classique des diodes s’étant révélée particulièrement inadaptée à la
définition du courant IGS pour des tensions de drain VDS < 0V (lorsque la diode grille-
drain est polarisée en inverse), les équations des diodes utilisées ici sont rappelées en 3.25
et 3.26.
h q·V gs i
Igs = Isgs · e N gs·k·T − 1 (3.25)

h q·V gd−αgs·(V gs−V tgd) i

Igd = Isgd · e N gs·k·T −1 (3.26)

De plus une résistance Rf uite peut être ajoutée en parallèle de la diode grille-drain
afin de modéliser les courants de fuites.

Nous noterons que les équations proposées utilisent largement des fonctions
indéfiniment dérivables, contrairement aux modèles analytiques dont la dérivabilité est
limitée à cause de l’utilisation de fonctions exp(x) ou log(x). Cette particularité confère
un avantage primordial pour des applications de linéarité pour lesquelles il est nécessaire
de s’intéresser aux dérivées d’ordre deux ou plus.

3.3.2.2 Determination des paramètres de la source de courant

Les ajustements de la source de courant sont réalisés grâce à l’utilisation du logiciel

Advanced Design System (ADS) proposé par Agilent. En déterminant les 18 paramètres
nécessaires à la définition de la source de courant, il est possible d’obtenir une bonne
concordance des réseaux IDS (VDS ) et IDS (VGS ) comme le montre la figure 3.8.
Nous présentons également en figure 3.9 les dérivées partielles premières de IDS par
rapport à VDS et VGS correspondant réciproquement à gd et gm ainsi que la forme du
courant de grille découlant de la définition des diodes DGD et DGS en figure 3.10.
Les valeurs des paramètres utilisées afin d’obtenir ces résultats sont répertoriées de
manière exhaustive dans la table 3.2 pour les paramètres de la source de courant et dans
la table 3.3 pour les paramètres définissant les diodes DGS et DGD .

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 118

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

0.8 0.8
0.6 0.6
0.4
0.4
0.2
Ids (A)

Ids (A)
0.0 0.2
-0.2 0.0
-0.4
-0.2
-0.6
-0.8 -0.4
-1.0 -0.6
-20 -10 0 10 20 30 -10 -8 -6 -4 -2 0 2
Vds (V) Vgs (V)

a) b)

Figure 3.8 – Comparaison mesures (symboles) / modèle (trait plein) des réseaux réalisés
en impulsions (VDS0 = VGS0 = 0V ), a) IDS (VDS ) pour −20 < VDS < 30V à VGS constant
allant de −10V à +1V par pas de 1V et b) IDS (VGS ) pour −10 < VGS < +2V à VDS
constant allant de −4V à +10V par pas de 1V .

0.20 0.15

0.10
0.15
0.05
0.10
gm (S)
gd (S)

0.00
0.05
-0.05
0.00 -0.10

-0.05 -0.15
-15 -10 -5 0 5 10 -10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1
Vds (V) Vgs (V)

a) b)

Figure 3.9 – Comparaison mesures (symboles) / modèle (trait plein) des dérivées
partielles de IDS , a) en fonction de VDS (conductance de sortie gd ) donnée pour −15 <
VDS < 10V à VGS constant allant de −10V à +1V par pas de 1V ; b) en fonction de VGS .
(transconductance gm ) donnée pour −10V < VGS < +1V à VDS constant allant de −4V
à +10V .
Paramètres de la source de courant
Idss V p0 P Wneg Wpos Aneg Apos Vknee Sneg
0.98 5.07 0.002 0 0.91 0.01 0.22 3.98 53
gmvp Ssatn Vsatn Ssat1p Vsat1p Ssat2p Vsat2p αtrval N
0.1 0.33 0.49 1.09 −2.1 0.3 2 1 1.2

Table 3.2 – Valeurs des paramètres de la source de courant pour le transistor 8x75 µm
HEMT GaN étudié.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 119

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

0.020

0.012

Igs (A)
0.005

-0.003

-0.010
-8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 10
Vds (V)

Figure 3.10 – Comparaison mesure (symboles) / modèle (trait plein) du courant de

grille IGS en fonction de la tension de drain VDS à VGS constant allant de VGS = +1V à
VGS = −1V par pas de 0, 5V .

Paramètres des diodes DGD et DGS

Isgd Ngd αgs Vtgd Isgs Ngs
2 · 10 −29
2.67 −2.14 0.77 1.3 · 10 −27
1.39

Table 3.3 – Valeurs des diodes DGS et DGD pour le 8x75 µm HEMT GaN étudié.

3.3.3 Facteur d’échelle du modèle

Le facteur d’échelle, appelé scaling en anglais, découle d’une étude initiée dans le
cas des HEMT par K. Hess et I. C. Kizilyalli [108] en 1986. Le but est de prédire le
comportement d’un composant de développement donné grâce à la caractérisation d’un
composant de développement différent. Ainsi, comme le montre C. Gaquière [104] il est
possible de déterminer des lois permettant de prévoir le modèle d’un composant de taille
donnée en fonction des différents paramètres qui déterminent son développement à savoir :
- son nombre de doigts N ,
- sa largeur de grille W ,
- sa longueur de grille LG .
Nous développerons dans ce paragraphe, les résultats obtenus pour l’extraction d’un
modèle petit signal dépendant de ces trois paramètres. Les lois que nous avons déterminées
ont été tirées de diverses extractions de composants issus de la même plaque, réalisés à
partir de technologies identiques.

3.3.3.1 Intérêts et principes élémentaires

Appliquer les lois d’échelles régissant le transport des porteurs de charges au modèle de
composant possède plusieurs avantages. Tout d’abord, cette méthode permet de s’assurer
de la validité du modèle électrique utilisé tout en augmentant son domaine d’application.
Il permet également de prévoir le comportement de composants qui sont à l’étude, et ainsi

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 120

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

d’appréhender les résultats propres à une variation de l’un des paramètres. On peut donc
prévoir les performances ainsi que les impédances de charges d’entrée et de sortie d’un
composant non encore mesuré, afin d’anticiper la conception d’un circuit.

3.3.3.2 Lois extraites

Pour les extractions des modèles petits signaux suivants, nous nous sommes placés
dans des conditions de densité de courant constantes (JD = 50mA/mm). Nous nous
concentrons ici uniquement sur les valeurs des paramètres passifs formant le modèle
linéaire.
Le composant que nous choisirons comme référence est un composant de 8 doigts de
250µm de largeur et de longueur de grille 0, 7µm. Celui-ci est présenté en figure 3.11. Ses
paramètres extrinsèques et intrinsèques sont extraits au point de polarisation VDS = 20V ,
IDS = 100mA et sont recensés dans la table 3.4.

Nombre de doigts de grille N

Longueur de grille LG

Largeur de grille W

Figure 3.11 – Empreinte du composant énumérant les différents paramètres étudiés dans
ce paragraphe, ici n = 8, w = 250µm et LG = 0, 7µm.

Comme le montre S. J. Nash [109], il est possible de considérer chaque groupement

source-grille-drain comme une cellule élémentaire. D’après cette approche on présente le
transistors 8x250 µm comme la mise en parallèle de 8 transistors unitaires de largeur
250µm.
On peut donc définir pour ce transistor :
- La résistance Rg comme étant la résistance résultant de l’association parallèle de

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 121

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

Paramètres extrinsèques
Rg (Ω) Lg (pH) Cpg (pF ) Rd (Ω) Ld (pH) Cpd (f F ) Rs (Ω) Ls (pH)
1, 48 86 0, 06 0, 36 70 145 0, 24 1, 3
Paramètres intrinsèques
Cgs (pF ) Cgd (pF ) Cds (pF ) ri (Ω) Rgd (Ω) gm (S) gd (mS) τ (ps)
4 0, 128 0, 94 0, 8 58 0, 31 4 4

Table 3.4 – Valeurs des paramètres extrinsèques et intrinsèques extraits pour le

composant référence (8x250x0, 7) à la polarisation VDS = 20V ,IDS = 50mA. Ces
paramètres serviront de référence pour l’étude suivante correspondant aux variations
du développement d’un composant N xW xLG . Les valeurs de cette table serviront de
références pour les variations ultérieures.

N doigts de grille. Elle dépend donc directement du nombre de doigts. De plus, chaque
doigt possédant une résistance linéique, celle-ci varie en fonction de la longueur LG et de
la largeur du doigt W .
- Rs et Rd sont les résistances d’accès de source et de drain, comme nous l’avons
vu dans la représentation donnée par Leichti en figure 3.1. Ces résistances dépendent
directement des distances grille-source (dgs ) et grille-drain (dgd ).
Nous détaillons l’estimation réalisée de la résistance Rs . Cette dernière peut être
dissociée en une résistance de contact ohmique (notée Rc ) en série avec une résistance
de canal (notée R ).

Rc R .dgs
Rs = + (3.27)
n.w n.w
où dgs est la distance grille source.
L’équation 3.27 met en évidence la dépendance du nombre de doigts N ainsi que leur
largeur pour les résistances Rd et Rs .
Pour un composant 8x250x0, 7 µm2 , ces valeurs extraites par mesures de longueur de
transfert (TLM) sont les suivantes :
Rc = 0, 21 Ω.mm
R = 582 Ω
Dgs = 0, 8 µm

0, 21 582.0, 8.10−3
⇒ Rs = + = 0, 33Ω (3.28)
8.250.10−3 8.250.10−3
La valeur obtenue par ce calcul rapide est donc à rapprocher de la valeur de résistance
extraite Rs répertoriée dans le tableau 3.4.
- Les capacités intrinsèques CGS , CGD et CDS sont respectivement les capacités entre
les doigts de grille et de source, grille et drain, et drain et source. Elles peuvent être
assimilées à des capacités linéiques associées N fois en parallèles. Ces capacités dépendent

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 122

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

donc directement des paramètres N , W et LG .

- Les capacités parasites Cpg et Cpd ainsi que les inductances d’accès Lg et Ld
dépendent en grande partie des bus de distribution des doigts de grille et de drain. Ces
paramètres devraient donc principalement varier avec le nombre de doigts N . Cependant,
ces variations sont difficiles à observer.
- L’inductance de source Ls dépend principalement du choix réalisé quant à la solution
technologique utilisée pour les liaisons à la masse. Dans le cas de transistors coplanaires,
la proximité du plan de masse entraı̂ne de faibles valeurs de Ls (de l’ordre de quelque pH).
Par contre, dans le cas de transistors micro-ruban, le plan de masse est relié à la source
par l’intermédiaire de 4 vias en parallèles d’inductance unitaire Lvia = 17pH. Dans ce cas
Ls possède donc une valeur plus élevée (de l’ordre d’une dizaine de pH).
Les paramètres Ri et Rgd n’ont pas de significations physique ou géométriques claire,
il sera donc délicat de déterminer leur loi de variation en fonction du développement du
composant.

• Variation du nombre de doigts / Extraction du 4x250x0, 7 µm2

Comme le montre la figure 3.12, une réduction du nombre de doigts entraı̂ne également
une diminution de la zone d’accès distribuant les doigts de grille et réciproquement pour
les doigts de drain. Cela impacte directement les valeurs des inductances et capacités
parasites.

a) b)

Figure 3.12 – Empreintes du a) composant référence : 8x250x0, 7 µm2 et b) du composant

étudié pour une variation de N : 4x250x0, 7 µm2 .

La table 3.5 présente les différentes valeurs des paramètres extraits pour le composant
4x250x0, 7 µm2 . Les paramètres directement proportionnels au rapport d’échelle étudié
dans ce paragraphe (∆N = 2) sont également indiqués dans ce tableau.
De manière générale, on peut constater que lorsque le nombre de doigts diminue, les

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 123

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

Paramètres extrinsèques
Rg (Ω) Lg (pH) Cpg (pF ) Rd (Ω) Ld (pH) Cpd (pF ) Rs (Ω) Ls (pH)
3, 17 (x2) 106 0, 042 0, 65 (x2) 95, 3 0, 148 0, 55(≈x2) 2, 5
Paramètres intrinsèques
Cgs (pF ) Cgd (pF ) Cds (pF ) ri (Ω) Rgd (Ω) gm (S) gd (mS) τ (ps)
2, 1 (x0, 5) 0, 061 (x0, 5) 0, 4 (x0, 5) 0, 87 59 0, 15 (x0, 5) 2, 2 (x0, 5) 4, 8

Table 3.5 – Valeurs des paramètres extrinsèques et intrinsèques extraites pour le

composant 4x250x0, 7 µm2 à la polarisation VDS = 20V ,IDS = 50mA. Le coefficient
multiplicateur illustre les variations de chaque paramètre dû à la variation de N , leurs
valeurs sont à rapprocher de ∆N = 0, 5.

valeurs des résistances Rg , Rd , et Rs augmentent et les valeurs des capacités Cgs , Cgd et
Cds diminuent. Il est ainsi possible de les exprimer linéairement en fonction du nombre
de doigts.
Les capacités parasites Cpg et Cpd ainsi que les inductances d’accès Lg et Ld dépendant
du bus de distribution de grille et de drain, elles varient légèrement en fonction du
nombre de doigts. Cependant leur évolution n’étant pas suffisamment marquée nous ne
les prendrons pas en considération ici.

• Variation de la largeur de doigts / Extraction du 8x400x0, 7 µm2

On peut constater en figure 3.13 qu’une variation de la largeur de doigt W n’entraı̂ne
aucune modification du bus de distribution des doigts de grille et de drain. Ainsi les valeurs
des paramètres Cpg , Cpd , Ld et Lg ne vont pas évoluer par rapport à celles extraites pour
le composant 8x250x0, 7 µm2 . Cependant, une augmentation de la largeur du doigts de
grille entraı̂ne une augmentation de sa résistance élémentaire et par conséquent accroı̂t la
valeur de Rg . De même, comme nous l’avons présenté, les résistances Rs et Rd évoluent
proportionnellement avec la largeur W . Les capacités intrinsèques varient également de
manière proportionnelle à W .
La table 3.6 présente les différents paramètres extraits pour le composant
4x250x0, 7 µm2 . Les paramètres du modèle directement proportionnels au rapport
d’échelle étudié dans ce paragraphe (∆W = 1, 6) sont indiqués dans ce tableau, ainsi
que ceux qui sont indépendant de W .
Nous avons constaté qu’une augmentation de la largeur des doigts de grille entraı̂ne
une augmentation de la résistance d’accès Rg ainsi qu’une diminution des résistances Rd ,
et Rs ainsi que des capacités Cgs , Cgd et Cds . Les paramètres extrinsèques parasites ne
sont pas affectés par la variation de W . Il est donc possible d’extraire directement un
modèle de composant dont on fait varier la largeur de grille en suivant ces règles simples .

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 124

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

a) b)

Figure 3.13 – Empreintes du a) composant référence : 8x250x0, 7 µm2 et b) du composant

étudié pour une variation de W : 8x400x0, 7 µm2 .

Paramètres extrinsèques
Rg (Ω) Lg (pH) Cpg (pF ) Rd (Ω) Ld (pH) Cpd (pF ) Rs (Ω) Ls (pH)
2, 7 (x1, 6) 84 (x1) 0, 067 (x1) 0, 23 (x0, 62) 66 (x1) 0, 136 (x1) 0, 15(x0, 62) 1
Paramètres intrinsèques
Cgs (pF ) Cgd (pF ) Cds (pF ) ri (Ω) Rgd (Ω) gm (S) gd (mS) τ (ps)
6 (x1, 6) 0, 188 (x1, 6) 1, 43 (x1, 6) 0, 21 28 0, 45 (x1, 6) 4, 2 (x1, 6) 4, 2

Table 3.6 – Valeurs des paramètres extrinsèques et intrinsèques extraites pour le

composant 8x400x0, 7 µm2 à la polarisation VDS = 20V ,IDS = 155mA. Le coefficient
multiplicateur illustre les variations de chaque paramètre dû à la variation de W , leurs
valeurs sont à rapprocher de ∆W = 1, 6.

• Variation de la longueur de grille / Extraction du 8x250x0, 5µm2

La faible variation de la longueur de grille LG entre les deux composants (de 700nm à
500nm) n’est pas notable sur la figure 3.14. Cependant une telle modification entraı̂ne des
variations très importantes quand aux filières des composants comparés. Ce changement
majeur se répercute sur les paramètres du schéma équivalent du modèle.
Les répercussion propres à une diminution de la longueur LG sont présentées dans
la table 3.7. Elles s’illustrent par une augmentation de Rg de manière inversement
proportionnelle (∆L−1 G = 1, 4). Comme nous l’avons dit précédemment les variations des
paramètres intrinsèques Ri et Rgd ne sont pas facilement assimilables à une variation
du développement du transistor étudié, elle ne sera donc pas prise en compte. La
réduction de la longueur LG entraı̂ne essentiellement une diminution de la capacité
CGS proportionnellement à la variation de longueur de doigt ∆LG = 0, 7, les autres
capacités intrinsèques restent constantes. La variation de l’inductance LG n’entraı̂nant
pas de modification du bus de distribution des doigts d’entrée et sortie du composant,
les valeurs des paramètres Cpg , Lg , Cpd et Ld ne sont pas modifiées par la variation de ce
paramètre.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 125

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

a) b)

Figure 3.14 – Empreinte du a) composant référence : 8x250x0, 7 µm2 et b) du composant

étudié pour une variation de LG : 8x250x0, 5 µm2 .

Paramètres extrinsèques
Rg (Ω) Lg (pH) Cpg (pF ) Rd (Ω) Ld (pH) Cpd (pF ) Rs (Ω) Ls (pH)
2, 5 (x1, 6) 87 (x1) 0, 070 (x1) 0, 33 (x1) 70 (x1) 0, 141 (x1) 0, 26 (x1) 1, 6 (x1)
Paramètres intrinsèques
Cgs (pF ) Cgd (f F ) Cds (pF ) ri (Ω) Rgd (Ω) gm (S) gd (mS) τ (ps)
3 (x0, 75) 0, 12 (x1) 1 (x1) 0, 21 38 0, 33 5, 5 3, 4

Table 3.7 – Valeurs des paramètres extrinsèques et intrinsèques extraites pour le

composant 8x250x0, 5 µm2 à la polarisation VDS = 20V ,IDS = 96mA. Le coefficient
multiplicateur illustre les variations de chaque paramètre dû à la variation de LG , leurs
valeurs sont à rapprocher de ∆LG = 0, 7 ou son inverse ∆L−1 G = 1, 4.

Cependant, les lois de variations de la longueur LG que nous présentons ici peuvent
rencontrer certaines limites. En effet, le III-V Lab propose plusieurs topologies allant
jusqu’à LG = 0, 15µm. Nous présentons en figure 3.15 les variations de la fréquence de
transition Ft en fonction de la longueur LG [36].
Ce graphe permet de constater que la fréquence de transition augmente lorsque
la longueur de grille diminue. Cependant dans le cas des HEMTs AlGaN/GaN, Ft
commence à plafonner pour des longueurs de grilles inférieures à 0, 5 µm et atteint une
fréquence de transition maximum Ftmax ≈ 35GHz. Cette limitation peut être expliquée
par le phénomène de longueur de grille effective observé sur les transistors MESFETs
par S. H. Wemple [110]. On peut donc expliquer cette limitation par une longueur de
grille minimum en dessous de laquelle la fréquence de transition ne varie plus. Cette
étude montre également que dans le cas des HEMTs à base d’InAlN/GaN la saturation
est beaucoup moins marquée. Le tracé de la fréquence de transition est Ft peut donc
également servir d’indicateur de limite pour l’application des lois d’échelles.

Nous avons choisi d’aborder de manière qualitative les lois de variation présentées

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 126

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

80
Pente de Ft idéale
70
HEMTs InAlN/GaN
60
HEMTs AlGaN/GaN
Ft (GHz) 50
40
30
LG=0,7µm LG=0,25µm LG=0,15µm
20
LG=0,5µm
10
0
0 1 2 3 4 5 6 7
-1
1/LG (µm )

Figure 3.15 – Evolution de la fréquence de transition Ft pour une variation de la longueur

de grille LG pour des composants HEMTs AlGaN/GaN et InAlN/GaN réalisés au III-V
Lab.

précédemment car elles représentent un support important de la modélisation petit signal

qui sera utilisé dans le chapitre 4.

3.3.3.3 Applications

Nous présentons deux exemples de réalisations utilisant des modèles de transistors

construits par lois d’échelles. L’un d’entre eux sera développé dans le chapitre suivant.
L’autre application utilisant les règles d’échelles est la conception d’un composant pré-
adapté (figure 3.16). La pré-adaptation est destinée à améliorer les mesures load-pull
en présentant des impédances proches de 50Ω. Les règles d’échelles ont été appliquées à
partir d’un composant 8x75x0, 25 µm2 pour prédire le modèle linéaire du 4x40x0, 15 µm2 .
L’empreinte de ce composant est ajoutée au masque de la prochaine génération de
composant.
En figure 3.17 on peut observer les résultats issus des simulations du modèle pour une
étude petit-signal réalisée à l’aide du logiciel ADS d’Agilent ADS.
La simulation de paramètres-[S] permet de mettre en avant le comportement petit
signal du composant réalisé.
La fabrication de ce composant pré-adapté est actuellement en cours. Une fois mesuré
nous pourrons réaliser des ajustements sur les lois utilisées, et vérifier les limitations dues
aux effets de canal court.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 127

 Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

Figure 3.16 – Empreinte de la conception réalisée à partir du composant HEMT

InAlN/GaN de développement 4x40x0, 15 µm2 .

0 30
S11

maximum (dB)
25
|S11dB(SP2.SP.S(1,1))

-5

GainSP2.MaxGain1
| , |S22| (dB)

20
-10 S22
15
-15
S11 10
Zoom

-20 MAG = 10 dB
5
SP1.SP.S(1,1)

-25 0
0 5 10 15 20 25 30 1E9 1E10 3E10
freq, GHz freq, Hz
S22 -5 2.5
S11
de stabilité
|SdB(SP2.SP.S(1,1))

2.0
11| , |S22| (dB)

-10
s = 1,1
SP2.StabFact1

S22
1.5
-15
Coefficient

freq (25.00GHz to 27.00GHz)

1.0
-20
0.5
-25
25.0 25.5 26.0 26.5 27.0 0.0
0 5 10 15 20 25 30
freq, GHz
freq, GHz

Figure 3.17 – Simulation des performances petit signal du composant HEMT

4x50x0, 15µm2 . Présentation des coefficients de reflexion d’entrée et de sortie illustrant
l’adaptation en puissance, ainsi que le gain maximum et le facteur de stabilité k.

3.4 Modélisation non-lineaire

Afin de rendre le modèle non-linéaire nous allons inclure la définition des capacités
permettant de valider le fonctionnement grand signal du modèle.

3.4.1 Extraction des capacités non-linéaires

Les capacités CGS , CGD et CDS du modèle sont des paramètres intrinsèques du modèle
qu’il est nécessaire d’extraire en tout point de fonctionnement du composant. En général,
pour une application d’amplification de puissance, celles-ci sont extraites sur une droite

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 128

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

de charge [22]. Dans le cas d’une application de commutation, la zone de fonctionnement

est localisée dans la zone ohmique lorsque le transistor est ON et à proximité de la zone
de pincement lorsque le composant est à l’état transistor-OFF.
Afin de décrire précisément les zones de fonctionnement, nous avons opté pour des
équations de capacités non-linéaires à une dimension.
- De la même manière que pour l’amplification de puissance, les capacités CGS et CGD
seront exprimées en fonction de la tension à leur bornes.

Cgx1 − Cgx0
Cgx = Cgx0 + · [1 + tanh(agx · (V mgx + V gx))] (3.29)
2
Cgx2
− · [1 + tanh(bgx · (V pgx + V gx))]
2

où x représente les accès s ou d (source et drain)

En mode de commutation, les amplitudes de tensions aux bornes des capacités CGS et
CGD sont plus importantes. En effet, VGS peut atteindre des valeurs négatives bien au delà
de la tension de pincement lorsque le composant est à l’état transistor-OFF (typiquement
−20V ) [101], allant jusqu’à VGS = 0V ou +1V en transistor-ON.
- Dans les applications d’amplification de puissance, la capacité drain-source CDS est
habituellement gardée constante [111]. Cependant, cette approximation ne peut pas être
faite dans le cas d’un fonctionnement en commutation. C’est pourquoi nous avons choisi
de la définir à l’aide d’une équation à une dimension paramétrée par VGS−DC . Suivant
la formulation 3.30 la capacité passe ainsi à une valeur basse (0 pF) pour des tensions
drain-source faibles ou négatives.

Cds1 − Cds0
Cds = · [1 + tanh(ads · (V cords + V ds − V gs))] (3.30)
2
La figure 3.18 permet de comparer le modèle des capacités CGD , CDS et CDS avec leur
mesures. Les valeurs des capacités sont obtenues grâce à une extraction réalisée à chaque
point de polarisation dans les zones de fonctionnement pressenties. On peut constater
sur cette figure que la définition de la capacité CGD 3.18 a) par une équation à une
dimension passant par les valeurs moyennes des points mesurés semble adéquate. Cette
même équation a été utilisée pour la description de la capacité CGS . Même si celle-ci ne
passe pas par l’ensemble des valeurs mesurées ( figure 3.18 b) ) nous avons constaté lors
des étapes de validation qu’une telle définition était convenable. En revanche, l’équation
de la capacité CDS qui était gardée fixe dans le cas des applications d’amplificateur est
exprimée en fonction de la tension VDS et paramétrée par la tension de polarisation VGS .
On peut observer sur la figure 3.18 c) que ce paramétrage complémentaire est nécessaire
pour restituer les valeurs obtenues en mesures.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 129

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

Cgd0 (pF ) Cgd1 (pF ) Cgd2 (pF ) agd bgd V mgd (V )

0.09 0.28 −0.23 0.6 0.18 3.5
V pgd (V ) Cgs0 (pF ) Cgs1 (pF ) Cgs2 (pF ) ags bgs
13 0.2 0.65 0.01 1.5 0.6
V mgs (V ) V pgs (V ) Cds0 (pF ) Cds1 (pF ) ads V cor(V )
4.8 2 0 0.135 1 −4.2

Table 3.8 – Valeurs des paramètres utilisés dans les équations de Cgs , Cds , Cgd pour le
composant HEMT à base de GaN de développement 8x75 µm.

Pour la création d’un modèle multi-applications, C. Charbonniaud [100] préconise

l’utilisation de capacités non-linéaires définies par des équation à deux dimensions. Pour
des raisons de complexité des capacités non-linéaires et pour améliorer la convergence du
simulateur, nous nous en tiendrons à la définition donnée au paragraphe précédent. Cette
définition sera validée par la suite de nos études.

a) b)
1 1
CGD(pF)

CGS(pF)

0,5 0,5

0 0
-40 -30 -20 -10 0 10 -20 -15 -10 -5 0
VGD(V) VGS(V)
c)
0,15

0,1
CDS(pF)

0,05
VGS=-11 à +1V
pas 1V
0
-30 -20 -10 0 10 20 30
VDS(V)

Figure 3.18 – Comparaison mesures (symboles) / modèles (traits pleins) des capacités
a) CGS en fonction de VGS , b) CGD en fonction de VGD et c) CDS en fonction de VDS et
paramétré par la tension de polarisation de grille VGS−DC .

Nous portons dans la table 3.8 les valeurs des paramètres définis dans les équations
précédentes.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 130

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

3.4.2 Validation du modèle

Nous avons présenté un modèle complet du composant utilisant une définition nouvelle
des capacités non-linéaires. Dans les prochains paragraphes nous nous attacherons à la
validation de ce modèle. Pour cela nous le confronterons tout d’abord aux mesures petit
signal dans les deux cadrans, puis aux mesures grand signal tout en portant une attention
particulière aux cycles de charges extrinsèques de sortie.

3.4.2.1 Étude petit signal

Pour valider le modèle en petit signal, nous réalisons une comparaison entre les mesures
et le modèle des quatre différents points de polarisation suivants :
- P1 : VDSi = 3V ; IDSi = 420mA (transistor-ON ),
- P2 : VDSi = −2V ; IDSi = −370mA (transistor-ON ),
- P3 : VDSi = 10V ; IDSi = 0, 1mA (transistor-OFF,)
- P4 : VDSi = −14, 4V ; IDSi = −110mA (transistor-OFF ).

Ces points correspondent à des points de fonctionnement particuliers situés sur les
droites de charges en mode transistor-ON et -OFF pour les tensions VDS positives ou
négatives (figure 3.19).
1.000

0.882

0.765

0.647
P1
0.529

0.412

0.294
IDS (A)

0.176

0.059

-0.059

-0.176 P4 P3
-0.294

-0.412

-0.529

-0.647

-0.765
P2
-0.882

-1.000

VDS (V)

Figure 3.19 – Repérage des points P1 , P2 , P3 et P4 retenus pour la comparaison

mesures/modèle.

Dans les figures 3.20, 3.21, 3.22 et 3.23 nous présentons cette comparaison petit signal
obtenue grâce aux équations des capacités présentées précédemment.
On peut observer une légère divergence entre la mesure et le modèle des coefficients de
transmission S12 et S21 pour des fréquences supérieures à 25GHz. Elle s’explique aisément
par les pertes dynamiques associées aux limites de l’accès RF des tés de polarisation. Nous
constatons malgré tout une bonne concordance entre les mesures et le modèle. Cela nous
permet de valider les équations des capacités non-linéaire en petit signal.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 131

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

db12 )(dB)
-10 S21
-20

mag (S21,S
-30 S12
S22 -40
-50
S(1,1) 0 5 10 15 20 25 30 35 40
freq, GHz
150

21,S12 ) (°)
S21
100

phase
phase (S
S11 50

S12
freq (2.000GHz to 40.00GHz)
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
freq, GHz

Figure 3.20 – Comparaison entre la mesure (symboles) et le modèle (traits pleins) des
paramètres-[S] au point de polarisation P1 , transistor-ON pour VDS > 0V .
0
12 )(dB)

-10
dB
mag (S21,S

S22 -20 S21

S12
-30
0 5 10 15 20 25 30 35 40
S(1,1)

freq, GHz
100
21,S12 ) (°)

50 S12
phase
phase (S

S11 0
S21
freq (2.000GHz to 40.00GHz) -50
0 5 10 15 20 25 30 35 40
freq, GHz

Figure 3.21 – Comparaison entre la mesure (symboles) et le modèle (traits pleins) des
paramètres-[S] au point de polarisation P2 , transistor-ON pour VDS < 0V .

3.4.2.2 Etude grand signal

Afin de réaliser une comparaison grand signal critique nous avons choisi de placer
le modèle dans les conditions de mesures présentées dans le chapitre précédent.
Nous comparerons donc les cycles de charge extrinsèques, ainsi que les phénomènes
d’autopolarisation observés précédemment. Pour cela, nous utiliserons un procédé présenté
par J. Faraj [71], qui associe la mesure temporelle des ondes incidentes et réfléchies en
entrée et en sortie du DST au logiciel de conception ADS d’Agilent. Cette méthode permet
d’injecter la valeur exacte du signal mesuré au fondamental et aux harmoniques, et permet
également, à la manière du load-pull actif, de générer les impédances RF mesurées lors de
la caractérisation.
A titre d’information, nous rappelons en figure 3.24 le montage utilisé reposant sur

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 132

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

0
S21

db12 )(dB)
-10
-20
S12

mag (S21,S
-30
-40
-50
S11, S22 S11 0 5 10 15 20 25 30 35 40
freq, GHz
100

phase (S21,S12 ) (°)

S21
S22 50

0 S12
-50
freq (2.000GHz to 40.00GHz) -100
0 10 20 30 40
freq, GHz

Figure 3.22 – Comparaison entre la mesure (symboles) et le modèle (traits pleins) des
paramètres-[S] au point de polarisation P3 , transistor-OFF pour VDS > 0V .
25
(dB)
)(dB)

S21
S21

0
21,S12
(SS12,

S12
-25
Mag
mag

S22 -50
S11, S22

0 10 20 30 40
freq, GHz
100
S21 )(deg)
(°)

50 S21
12

0
(S ,S
phaseS12, 21

S11 -50 S12

Phase

-100
freq (2.000GHz to 40.00GHz) -150
0 10 20 30 40
freq, GHz

Figure 3.23 – Comparaison entre la mesure (symboles) et le modèle (traits pleins) des
paramètres-[S] au point de polarisation P4 , transistor-OFF pour VDS < 0V .

l’injection du signal de puissance RF, à la fréquence fondamentale f0 = 4GHz, par

l’accès de drain.

• Impédance de drain 1 M Ω et autopolarisation en VDS

Pour une impédance DC de drain de 1 M Ω, équivalente à un potentiel laissé flottant,
nous présentons en figure 3.25 une comparaison entre les mesures et le modèle réalisée
sur le cycle de charge extrinsèque pour différentes puissances d’entrée Pe = 7, 15, 24 et
30 dBm dans les deux modes de commutation.
On peut observer une bonne concordance du modèle dans les deux modes de
fonctionnement ≪ -ON ≫ et ≪ -OFF ≫ pour un balayage de puissance allant jusqu’à 32dBm.
Le modèle permet alors de visualiser les paramètres intrinsèques ce qui n’est pas
possible par la mesure. Nous présentons alors en figure 3.26 les cycles de charges

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 133

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

Analyseur de Réseaux
Non-Vectoriels
CH1 CH2 CH3 CH4

Coupleurs d’ondes

Tuner MPT
Drain
Source
Grille
ZDRAIN

Figure 3.24 – Configuration du banc utilisé pour la mesure du coefficient de reflexion de

drain, permettant l’acquisition des formes d’ondes temporelles.

0.8 0.6

0.4 0.4
Ids (A)

Ids (A)

0.2
0.0
0.0
-0.4
-0.2
-0.8 -0.4
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60
Vds (V) Vds (V)

a) b)

Figure 3.25 – Cycles de charges extrinsèques mesurés et simulés pour un balayage de la

puissance d’entrée Pe = 7, 15, 24 et 30 dBm a) en mode transistor-ON (VGS = 0V ) et
b) en mode transistor-OFF (VGS = −15V ).

intrinsèques obtenus par la simulation du modèle en mode transistor-ON et -OFF pour

une puissance d’entrée Pe = 32 dBm.
Ce graphe nous permet d’observer la différence entre les cycles de charges extrinsèques
et intrinsèques. L’ouverture des cycles de charges extrinsèques est due à l’effet des
capacités. Le phénomène d’autopolarisation en tension de drain est ici évident. En mode
transistor-OFF la valeur moyenne de la tension n’est pas nulle. Le cycle intrinsèque reste
fermé et le courant IDS est nul. Ceci confirme l’interprétation réalisée dans le chapitre
précédent selon laquelle l’autopolarisation en VDS est due à la dissymétrie du réseau I-V.

Nous avons ensuite appliqué, comme dans le chapitre précédent, différentes impédances
de fermeture pour ce composant. Nous présentons en figure 3.27 la comparaison réalisée

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 134

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

0.75
0.50

Ids (A)
0.00

-0.50

VGS=+1V à -15V pas 1V

-1.00
-20 -10 0 10 20 30 40 50
Vds (V)

Figure 3.26 – Réseau I-V simulé en gris pour une variation de VDS allant de +1V à
-15V par pas de 1V et cycles de charges intrinsèques simulés en mode transistor-ON et
-OFF pour une puissance d’entrée Pe = 32 dBm.

entre l’autopolarisation observée au cours de la mesure, ainsi que celle donnée par le
modèle.

25 Zgrille = 50Ω
Zgrille = CC
20
15
Vds (V)

10
5 Zgrille = CO
0
-5
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Input power
Puissance (dBm)
d’entrée (dBm)

Figure 3.27 – Comparaison mesures (symboles)/ modèle (traits pleins) du phénomène

d’autpolarisation de la tension de drain VDS en fonction de la puissance d’entrée pour les
trois impédances RF de grille ZG = CC, 50Ω et CO.

On constate que le phénomène d’autopolarisation observé pour une polarisation

flottante de l’accès de drain est convenablement reproduit par le modèle, permettant
ainsi la visualisation des paramètres intrinsèques.

• Impédance de drain 10 Ω et autopolarisation en IDS

Pour une faible impédance DC de drain de 10 Ω nous présentons en figure 3.28 une
comparaison entre les mesures et le modèle réalisée sur les cycles de charges extrinsèques
pour différentes puissances d’entrée Pe = 7, 15, 24 et 30 dBm dans les deux modes de
commutation.
Lorsque le transistor est à l’état transistor-ON, la concordance entre les mesures et
le modèle reste aussi bonne que dans le cas précédent, car comme nous l’avons montré

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 135

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

précédemment, l’impédance DC de drain n’influe pas sur la forme des cycles de charges
extrinsèques. En revanche à l’état transistor-OFF, du fait du comportement fortement
non-linéaire du modèle pour les puissances d’entrée supérieures à 28dBm, on peut observer
un léger écart entre la mesure et le modèle tout en conservant un comportement analogue.

0.8 0.3
0.2
0.4
0.1

Ids (A)
Ids (A)

0.0 0.0
-0.1
-0.4
-0.2
-0.8 -0.3
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 -20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20 25
Vds (V) Vds (V)

a) b)

Figure 3.28 – Cycles de charges extrinsèques mesurés et simulés a) pour un balayage de

la puissance d’entrée Pe = 7, 15, 24 et 30 dBm en mode transistor-ON (VGS = 0V ) et b)
pour un balayage de la puissance d’entrée Pe = 7, 15 et 24 dBm en mode transistor-OFF
(VGS = −15V ).

De la même manière que dans le cas précédent nous proposons en figure 3.29 les cycles
de charge intrinsèques accessibles en simulation grâce aux paramètres du modèle pour un
niveau de puissance d’entrée Pe = 32 dBm.

0.75
0.50
Ids (A)

0.00

-0.50

VGS=+1V à -15V pas 1V

-1.00
-20 -10 0 10 20 30
Vds (V)

Figure 3.29 – Réseau I-V simulé en gris pour une variation de VDS allant de +1V à
−15V par pas de 1V et cycles de charges intrinsèques simulés en mode transistor-ON et
-OFF pour une puissance d’entrée Pe = 32 dBm.

On peut noter que contrairement au cas précédent, lorsque le transistor est OFF, le
cycle de charge reste centré autour de la tension de polarisation VDS = 0V . Ainsi du fait
de la dissymétrie du réseau I-V, le cycle de charge est contraint de suivre le réseau dans

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 136

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

la zone où VDS est fortement négatif, générant ainsi un courant d’autopolarisation IDS
négatif.
Nous présentons donc une comparaison (figure 3.30) entre la mesure et le modèle
dans cette configuration mettant en évidence l’influence de l’impédance RF de grille sur
l’autopolarisation du courant de drain IDS .

0.01

-0.01
Ids (A)

-0.03 Zgrille = CC Zgrille = CO

-0.05
Zgrille = 50Ω
-0.07
5 10 15 20 25 30 35 40
Puissance d’entrée
Input Power (dBm)
(dBm)

Figure 3.30 – Comparaison mesures (symboles) / modèle (traits pleins) du phénomène

d’autopolarisation du courant de drain IDS en fonction de la puissance d’entrée pour les
trois impédances RF de grille ZG = CC, 50Ω et CO.

Nous avons pu constater une très bonne concordance entre la mesure et le modèle
reposant sur l’étude des formes d’ondes temporelles qui constituent un critère déterminant
en fonctionnement non-linéaire.
De plus, cet examen des paramètres intrinsèques se révèle particulièrement approprié
pour la mise en évidence de l’importance du type de polarisation appliquée sur le drain.

• Coefficient de reflexion ΓDrain

Nous complétons cette validation en nous intéressant au coefficient de reflexion de
drain, mais également aux pertes d’insertion ainsi qu’à l’isolation d’un système T/R qui
en découle.
Nous présentons tout d’abord, en figure 3.31 une comparaison effectuée entre la mesure
et le modèle sur ΓDrain dans les deux modes de fonctionnement transistor-ON et OFF.
La concordance des coefficients de réflexion étant acceptable dans les cas où la tension
de commande vaut VGS = 0V (transistor-ON ) et VGS = −15V (transistor-OFF ), nous
proposons d’utiliser ces données dans une application de commutateur utilisant un seul
composant en configuration parallèle. Le transistor est alors assimilé à un interrupteur
d’impédance infinie lorsque VGS = −15V , et d’impédance faible lorsque VGS = 0V . La
figure 3.32 présente ces deux états, ainsi que les pertes qui leur sont associées. En effet,
chacun des états engendrés par le transistor étant non-idéal, l’isolation ainsi que les pertes
d’insertion sont les critères déterminants pour la conception d’un commutateur. Nous

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 137

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

Transistor-ON

gama_drain_mesur_off
Transistor-OFF

INDEX (1.000 to 34.000)

Figure 3.31 – Comparaison mesures (symboles) / modèle (traits pleins) entre les
coefficients de réflexion dans les deux modes de fonctionnement, transistor-OFF (VGS =
−15V ) et transistor-ON (VGS = 0V ).

considérons que le circuit est chargé sur 50Ω, correspondant à l’impédance caractéristique
d’un élément quelconque du circuit dans lequel le commutateur pourrait être inclus.

Isolation Pertes d’insertion

50Ω 50Ω

a) b)

Figure 3.32 – Schéma équivalent d’un montage de commutation en configuration

parallèle, a) lorsque le composant est à l’état transistor-ON le commutateur isole la charge
et b) lorsqu’il est à l’état transistor-OFF le commutateur favorise le transfert du signal
RF à la charge.

Pour étudier ces deux états, nous proposons de nous intéresser à deux simulations
faisant intervenir les coefficients de reflexion présentés précédemment :
- la première utilisant les valeurs des coefficients de reflexion simulés issus du modèle
(figure 3.33.a),
- la seconde faisant intervenir les valeurs des coefficients de reflexions mesurés (figure
3.33.b)
Les résultats de cette comparaison sont portés dans la figure 3.34. Ils sont proposés en
fonction de la puissance disponible. Ceci permet de montrer l’aptitude de cette technologie
à supporter de forts niveaux de puissance [112].
Ces résultats mettent en évidence un bon comportement du modèle dans une

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 138

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

grille drain Pdisp 50Ω

Pdisp 50Ω
Freq=4GHz Γdrain
Freq=4GHz source
VGS

a) b)

Figure 3.33 – a) Schéma de montage du modèle de transistor en configuration parallèle

à la charge. b) Remplacement du composant par un dipôle d’impédance Z mesuré.

0 -5
Pertes insertion (dB)

-7

Isolation (dB)
-1
-9

-11
-2
-13

-3 -15
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Pdisp (dBm)

Figure 3.34 – Comparaison des pertes d’insertion et de l’isolation liés aux coefficients de
reflexion de drain mesurés (symboles) et simulés (traits pleins) en fonction de la puissance
disponible issue de la source RF.

application de commutation en configuration parallèle. De plus, les valeurs d’isolations et

de pertes d’insertions sont en accord avec celles que l’on peut trouver dans la littérature
[113]. Et nous avons pu constater [114] que l’extraction du modèle en configuration
parallèle peut être également utilisé dans le cas de commutateurs en configuration série.
Le modèle proposé a donc été validé pour des applications de commutation. Non
seulement grâce à une excellente concordance entre la mesure et le modèle, mais aussi
surtout une bonne prise en compte des phénomènes non-linéaires propres aux types de
polarisations appliquées.

3.5 Modélisation de l’effet thermique

Afin de compléter ce modèle, nous proposons dans cette partie d’ajouter la dépendance
en température dans la variation du courant. Dans un fonctionnement de commutation
encore appelé FET froid, la température du composant n’évolue pas du fait de l’absence
puissance dissipée DC. Cependant, les performances du composant peuvent évoluer avec la
variation de la température ambiante. Ainsi, nous avons choisi d’intégrer une dépendance

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 139

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

thermique de la résistance RON dont les mesures ont été présentées dans le chapitre 2.

3.5.1 Méthode d’intégration

La variation de la résistance RON (T ) dûe à la température ne se met en évidence que
dans le cas ou le composant est à l’état transistor-ON. Nous avons choisi d’utiliser une
fonction linéaire classique 3.31 afin de modéliser le comportement de la résistance RON
en fonction de la température.

Ids (T ) = Ids0 .(1 + α.∆T ) (3.31)

Le résultat obtenu pour le composant HEMT AlGaN/GaN de développement 600µm

est présenté en figure 3.35 pour des températures variant de −25 à 125o C.

0.8

0.4
Ids (A)

0.0

-0.4 T=-25, 25, 75 et 125°C

-0.8
-4 -2 0 2 4 6
Vds (V)

Figure 3.35 – Comparaison mesures / modèle des courbes à IDS en fonction de VDS à
VGS = 0V , pour une variation de la température de socle allant de −25o C à 125o C par
pas de 50o C.

Nous rappelons que dans le cas de l’application de commutation développée ici

(fonctionnement FET froid ), il n’est pas nécessaire de compléter le modèle thermique
par l’impédance thermique ZT h .

3.5.2 Prévision du comportement thermique grand signal

Une fois le modèle validé, nous l’utilisons afin de prévoir son comportement en régime
grand signal lors d’une variation de la température ambiante. Pour cela, nous nous
concentrons à l’état transistor-ON, pour lequel nous observons en figure 3.36 les cycles de
charges intrinsèques donnés par la simulation pour une puissance d’entrée Pe = 32 dBm.
Comme nous déjà l’avons vu, une augmentation de la température entraı̂ne une
augmentation de la résistance RON qui va avoir pour conséquence de réduire la qualité du
court circuit créé. Comme le montre la figure 3.37, l’augmentation de la température

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 140

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

0.8

0.4

Ids (A)
0.0

-0.4 T=-25, 25, 75 et 125°C

-0.8
-6 -4 -2 0 2 4 6
Vds (V)

Figure 3.36 – Cycles de charges intrinsèques de drain simulés pour une variation de
température T = −25, 25, 75 et 125o C à un niveau de puissance d’entrée Pe = 32dBm.

engendre un écartement du coefficient de reflexion de drain du court-circuit pour se

rapprocher du centre de l’abaque.

T=-25, 25, 75 et 125°C

Pdispo (10.000 to 36.000)

Figure 3.37 – Variation des coefficients de reflexion ΓDrain simulés pour les quatre
températures étudiées et un balayage de puissance Pe allant de 10 à 36dbm.

Ces simulations font parties des limites de l’exploitation du modèle extrait.

3.6 Conclusion
Dans ce chapitre nous avons présenté les différentes approches pouvant être utilisées
pour la réalisation de modèles de composants HEMT. Le modèle phénomènologique
retenu a été rapproché des paramètres technologiques dans le cas d’une variation du

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 141

Chapitre 3 : Modélisation non-linéaire électrothermique

développement total du composant étudié.

Ce modèle dont la validité a déjà largement été éprouvée pour des applications
d’amplification de puissance a servi de support pour la modélisation de transistor utilisés
en régime de commutation. Cette étude nous a permis de figer des étapes communes aux
deux applications, et de réaliser la spécification du modèle à partir de la définition des
capacités non-linéaires. Cette étape d’extraction commune permet de poser les bases d’un
modèle unique utilisable pour diverses applications. Ceci permet, non seulement, un gain
du temps au cours de l’extraction du modèle mais également de confirmer l’aboutissement
du schéma équivalent utilisé.
Enfin, nous avons pu réaliser une validation en régime linéaire et non-linéaire du
modèle pour des applications de commutation en technologie HEMT à base de nitrure
de gallium. Ce modèle permet également de reproduire le phénomène d’autopolarisation
abordé dans le chapitre précédent tout en permettant une visualisation précise des cycles
de charge intrinsèques.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 142

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

Chapitre 4 :

Conception d’un amplificateur à base

de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 143

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

4.1 Introduction
Afin d’évaluer l’apport de la technologie InAlN/GaN pour des applications hautes
fréquences, le III-V Lab développe actuellement une technologie en grille courte LG =
0, 15µm. Néanmoins, des travaux préliminaires utilisant des transistors de 0, 25µm de
longueur de grilles ont été menés. L’un à 20GHz dédié aux applications du Centre National
d’Études Spatiales (CNES) et un second à 26GHz. Dans cette partie nous présenterons
la conception et la réalisation ainsi que les résultats obtenus pour l’amplificateur
fonctionnant à 26GHz.
Nous présenterons dans un premier temps l’architecture envisagée de l’amplificateur,
l’extraction du modèle de transistor et la conception du circuit.
Dans un deuxième temps nous présenterons les mesures réalisées sur cet amplificateur.
Enfin nous conclurons sur l’ensemble des résultats obtenus et les perspectives d’une
telle technologie pour l’amplification de puissance en bande Ka.

4.2 Conception d’un amplificateur à base de HEMT

InAlN/GaN
Nous abordons dans cette partie la conception d’un amplificateur en bande Ka,
utilisant un composant HEMT InAlN/GaN. Nous présenterons tout d’abord l’architecture
retenue, ainsi que le transistor utilisé. Un modèle de ce dernier sera réalisé en utilisant les
lois d’échelle précédemment explicitées. Nous présenterons ensuite les performances des
circuits de sortie, inter-étage et d’entrée. Nous conclurons la conception par la recherche
d’éventuelles conditions d’instabilité.

4.2.1 Spécifications de l’amplificateur

Comme nous avons pu le constater dans l’état de l’art de la partie 1, la quasi-totalité
des réalisations en bande K et Ka (20 à 35GHz) sont fabriquées en technologies MMIC.
Cette dernière présente à ces fréquences deux avantages prépondérants que sont la maı̂trise
des connections des transistors aux circuit d’adaptation ainsi que la compacité du circuit
final. A ces fréquences, l’implantation de transistors dans des boı̂tiers est peu utilisée à
cause des difficultés à maı̂triser les connexions du transistor à son environnement extérieur.
Pour faciliter la maı̂trise des connections du transistor tout en gardant la souplesse de
réalisation des circuit hybrides, nous avons utilisé le report de transistor par procédé flip-
chip [115]. Cette méthode consiste à braser le composant tête-bêche (figure 4.1 sur des
repères apposés sur le circuit. Le report flip-chip des transistors sera effectué par le III-V
Lab grâce à un équipement dédié. Nous utiliserons un substrat d’AlN, présentant une

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 144

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

conductivité de 170W.m−1 .K −1 (à 300K) afin de limiter l’échauffement des composants.

L’alumine, plus couramment utilisée en technologie hybride présente une conductivité
thermique de 17W.m−1 .K −1 (à 300K), ce qui n’est pas suffisant pour notre application.

Transistor

bumps
h<5µm

Empreinte
d’accueil Vias
ø 150mm

Substrat AlN

Figure 4.1 – Schéma de principe du report de transistors par procédé flip-chip sur AlN.

Le transistor utilisé pour cette application est un transistor HEMT de développement

4x75x0, 25 µm2 .
Le gain maximum à 26GHz de ce-dernier est présenté sur la figure 4.2.

25
maximum (dB)

20
GainMaxGain1

15

10 4x75 µm
8x75 µm
5

0
1E9 1E10 4E10
freq, Hz

Figure 4.2 – Variation du gain maximum mesuré pour deux transistors InAlN/GaN ;
l’un de 8 doigts de grille et l’autre de 4 doigts, pour une polarisation de VDS = 15V et
IDS = 100mA/mm. La diminution du développement total du composant (respectivement
600 µm et 300 µm) entraı̂ne un décalage de la limite MSG/MAG vers les fréquences
supérieures, et une augmentation du gain disponible maximum à 26GHz (respectivement
7 dB et 9 dB ).

Plusieurs architectures ont été envisagées pour cet amplificateur. Ne possédant pas
de mesures load-pull pour le transistor 4x75µm, l’analyse de l’architecture a été réalisée
à partir des performances attendues de ce transistor. Pour une compression de 4dB, le
modèle du transistor 8x75µm nous a permis de déterminer une densité de puissance de
3, 5W/mm à 26GHz. Le gain linéaire du 4x75µm vaut Glin = 9dB à 26GHz.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 145

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

Circuit d’entrée Inter-étage Circuit de sortie
Entrée 1er étage 2eme étage Sortie
Pertes d’adapt. Dist. 1 → 2 Pertes d’adapt. Pertes d’adapt. Comb. 2 → 1
Gain/Pertes (dB) −1 −3 7, 5 −1, 5 5 3 −0, 3
Puissance (dBm) 24 32, 7
Puissance (W) 0, 22 1, 8

1er étage 2eme étage

T1 Ps1 =27,5dBm Pe2=25dBm T3 Ps2 =30dBm

Pe1 =20dBm
Inter-étage
-1,5 dB +3 dB Ps=32,7 dBm
-3 dB +5 dB Sortie
Entrée +7,5 dB
-0,3 dB
-1 dB Z0
Z0 Inter-étage
Pdisp=24 dBm
T2 T4
Distributeur d’entrée Inter-étage Combineur de sortie

Table 4.1 – Table d’analyse permettant d’estimer la puissance aux bornes de chaque étage, et ainsi de réaliser un bilan de puissance
préliminaire de l’amplificateur total. Ce bilan est illustré par l’architecture retenue pour ces travaux, utilisant 4 transistors répartis sur
2 étages. L’adaptation d’impédance à été réalisée de manière à présenter 50Ω à l’entrée et à la sortie de l’amplificateur. (Z0 = 50Ω)
Page 146
Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

La structure retenue pour cette conception repose sur l’association de deux étages
constitués de deux transistors chacun. Ceux-ci sont notés T1 ,T2 ,T3 et T4 et sont identifiés
sur la figure 4.1 avec les circuits d’adaptation d’impédance.
Il est ainsi possible de réaliser un bilan de puissance intervenant à chaque étage qui
permet d’estimer les niveaux de puissance aux bornes des transistors T1 et T3 . On peut
ainsi estimer quantitativement les performances propres à l’architecture retenue (table
4.1).
- Les valeurs indiquées négativement dans le tableau 4.1 correspondent aux pertes
attendues des circuits d’adaptation. La distribution du signal RF d’une voie vers deux est
représentée par une perte de 3dB (le signal étant distribué également sur les deux voies).

4.2.2 Extraction du modèle utilisé

Pour une application d’amplification de puissance, nous utiliserons la méthode
d’extraction d’un modèle non-linéaire largement développée [22], [98]. Contrairement au
composant 8x75 µm, le transistor retenu pour réaliser l’amplificateur à 26GHz (4x75 µm)
n’a pas fait partie de la campagne de mesure nécessaire à la modélisation qui comprend
les mesures de paramètres-[S], I-V et Load-pull.

- Afin d’extraire le modèle du 4x75 µm nous avons donc utilisé les lois relatives à une
variation du nombre de doigts de grille ∆N à partir du modèle non-linéaire extrait du
8x75 µm. Nous avons confirmé l’extraction des paramètres extrinsèques et intrinsèques à
partir de mesures petit signal au point de polarisation VDS = 18V et IDS = 80mA. Ces
valeurs sont portées dans le tableau 4.2.

Paramètres extrinsèques
Rg (Ω) Lg (pH) Cpg (f F ) Rd (Ω) Ld (pH) Cpd (f F ) Rs (Ω) Ls (pH)
1, 9 (x2) 52, 4 74 0, 94 (x1, 5) 54, 2 62 0, 76 3, 9 (x2)
Paramètres intrinsèques
Cgs (pF ) Cgd (pF ) Cds (pF ) ri (Ω) Rgd (Ω)
0, 38 (x0, 5) 0, 058 (x0, 5) 0, 054 (x0, 4) 0, 7 15, 3

Table 4.2 – Valeurs des paramètres extrinsèques et intrinsèques du transistor 4x75 µm

extraites pour une polarisation VDS = 18V et IDS = 80mA. A titre indicatif, le coefficient
multiplicateur donne le rapport d’échelle existant avec les valeurs extraites, à cette même
polarisation, pour le transistor 8x75 µm.

- Les paramètres de la source de courant ont également été ajustés en tenant compte
des facteurs d’échelle relatifs au nombre de doigts, leurs valeurs sont présentées dans le
tableau 4.3.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 147

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

Paramètres de la source de courant

Idss V p0 P Wneg Wpos Aneg Apos Vknee Sneg
0, 46 (x0, 5) 2, 45 0, 015 0 0, 7 0, 01 0, 2 4 (x2) 3.98
gmvp Ssatn Vsatn Ssat1p Vsat1p Ssat2p Vsat2p αtrval N
0, 15 0, 87 1 1, 5 1, 4 0, 4 0, 45 1 1.5

Table 4.3 – Valeurs des paramètres de la source de courant pour le transistor 4x75 µm.
Le coefficient multiplicateur correspond aux règles d’échelles appliquées sur le transistor
8x75 µm.

- Les valeurs des paramètres qui interviennent dans la définition des capacités
non-linéaires CGS et CGD ont été ajustées proportionnellement au facteur d’échelle.
Ces valeurs sont portées dans la table 4.4. La capacité drain source n’est pas définie
non-linéairement, sa valeur est déterminée grâce aux règles d’échelle CDS = 0, 054 pF
(correspondant à la moitié de la valeur extraite pour le transistor 8x75µm).

Paramètres des capacités non-linéaires

Cgd0 (pF ) Cgd1 (pF ) Cgd2 (pF ) agd bgd V mgd (V ) V pgd (V )
0.056 (x0, 5) 0.2 (x0, 5) −0.02 (x0, 5) 0, 18 0, 1 4 15
Cgs0 (pF ) Cgs1 (pF ) Cgs2 (pF ) ags bgs V mgs (V ) V pgs (V )
0, 145 (x0, 5) 0, 47 (x0, 5) 0, 07 (x0, 5) 1, 1 1 3, 66 0, 9

Table 4.4 – Valeurs des paramètres des capacités non-linéaires Cgs et Cgd pour le
transistor 4x75 µm. Le coefficient multiplicateur correspond au facteur d’échelle appliqué
aux valeurs de Cgs et Cgd extraites pour le transistor 8x75 µm le long d’une droite de
charge en classe AB.

Le contact réalisé par le montage flip-chip a également été modélisé afin de reproduire
au mieux les phénomènes parasites qui pourraient avoir une influence déterminante pour
les performances. Ceci est issu de travaux antérieurs basés sur des mesures de transistors
montés en flip-chip. Ce report est modélisé par une inductance de contact sur la source
de valeur Lf lip−chip = 3pH. Cette inductance est donc ajoutée entre la source du modèle
et les 15 vias en parallèles présents sur le transistor micro-ruban (comme on peut le voir
sur la figure 4.3). Les inductances de grille et de drain sont négligeables compte tenu de
la très faible hauteur de bump (< 5µm) utilisé dans ce process.

4.2.3 Réalisation / simulations

Afin de concevoir l’amplificateur, nous avons recherché les circuits d’adaptation
permettant le meilleur transfert de la puissance. Nous présentons dans cette partie les
solutions retenues et réalisées pour chacun des circuits d’adaptations grâce au logiciel de
conception ADS : c’est à dire le combineur de sortie, l’inter-étage et le distributeur. Ils

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 148

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

Empreinte de la Modèle associé

surface d’accueil

Lflip-chip=3pH
9 Vias
15 Vias

6 Vias

a) b)

Figure 4.3 – a) Empreinte du support accueillant le transistor micro-ruban, b)

modélisation associée comprenant l’inductance de contact flip-chip ainsi que les 15 vias
en parallèle.

seront présentés dans cet ordre afin de respecter la chronologie de conception. Enfin nous
présenterons les comportements petit et grand signal de l’amplificateur complet obtenus
par simulation, utilisant les résultats de simulations électromagnétiques. Cette analyse
effectuée grâce à momentum est nécessaire à 26GHz, car les critères électromagnétiques
sont plus contraignants que la simulation électrique classique. Les résultats obtenus à
l’aide de momentum seront donc plus proches de ceux attendus en mesure.

4.2.3.1 Conception du combineur de sortie

• Principes fondamentaux de conception

Le circuit d’adaptation de sortie doit réaliser deux fonctions principales, à savoir la
minimisation des pertes du circuit d’adaptation à 26GHz et la combinaison des signaux
issus des transistors du 2eme étage (T3 et T4 ).
Pour cela, le circuit de sortie que nous présentons est synthétisé à partir d’impédances
permettant un transfert de puissance optimal. Cette impédance, notée Zout2 , est
déterminée à l’aide de l’étude des paramètres-[S] et de la simulation load-pull (obtenue
pour un compromis de PAE et de puissance de sortie maximum) du modèle du transistor
monté en flip-chip (figure 4.4).
Cette étude petit signal permet de déterminer que les transistors T3 et T4 présentent
une impédance Z22 = 17, 5−4j. Afin de réaliser le meilleur transfert de puissance possible,
le circuit d’adaptation doit donc présenter une impédance conjuguée Z22 ∗
= 17, 5 + 4.j.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 149

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

Z11=6,8+12j

S(1,1)
Z22=17,5-4j

freq (2.000GHz to 40.00GHz)

Figure 4.4 – Coefficient de réflexion d’entrée et de sortie pour une gamme de fréquence
de 2 à 40GHz, pour la polarisation retenue pour l’application VDS = 18V , IDS = 80mA.
Les marqueurs indiquent les impédances d’entrée Z11 et de sortie Z22 à f0 = 26GHz
présentées par le transistor unitaire.

Le transistor fonctionnant en régime non-linéaire (pour une compression de gain de 3 à

4dB) ; nous avons donc choisi, par précaution, une impédance de fermeture pour le circuit
de sortie Zout2 = 10Ω. Celle-ci est extraite à partir des mesures de puissance du 8x75µm,
plutôt que les impédances fournies par le modèle non-linéaire à 3dB de compression.

• Dessin du combineur
Le layout présenté en figure 4.5 est réalisé selon les contraintes évoquées dans le
paragraphe précédent. Nous énumérons ici les solutions technologiques utilisées pour ce
circuit de sortie.
- Le circuit de polarisation, utilisant un circuit ouvert RF dit papillon, permet de
polariser les transistors du 2eme étage. Pour ce circuit, les longueurs intervenant sont
proches de λ/4 de manière à ramener un circuit ouvert à f0 = 26GHz vu depuis le circuit
principal.
- Le circuit d’équilibrage est destiné à éviter l’apparition d’oscillations de mode impair.
Cette fonction est assurée à l’aide d’une résistance R = 35Ω placée au plus près des
transistors.
- Le circuit de stabilité a pour fonction de limiter les risques d’instabilité de
l’amplificateur en réduisant le gain en puissance de celui-ci. Il est conçu de manière à
pouvoir être raccordé au circuit principal par des fils d’or en cas de nécessité.
- Le blocage du signal DC sur la sortie RF est réalisé par une capacité C = 0, 4pF .

La fréquence de fonctionnement f0 étant relativement élevée, il est nécessaire

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 150

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

Circuit de
T3 stabilisation

circuit
d’équilibrage
Sortie RF
λ/4
T4

circuit
de polarisation
λ/4

VDS2

Figure 4.5 – Layout du circuit de sortie synthétisé comprenant un circuit d’équilibrage,

l’accès de polarisation de drain du deuxième étage et un circuit de stabilisation
raccordable. Les portions de circuit validés à l’aide de Momentum sont hachurées.

d’accorder une attention particulière aux phénomènes électromagnétiques qui peuvent

intervenir. En particulier, certain modèles de lignes proposés par ADS présentent des
limites d’utilisation qu’il est important de prendre en compte à ces fréquences. C’est
pourquoi le circuit présenté précédemment, modélisé à l’aide de lignes micro-ruban, a été
également analysé grâce au simulateur électromagnétique Momentum d’Agilent.
Les portions de circuit hachurées, présentées en figure 4.5, ont été remplacées par des
fichiers de paramètres-[S] calculés par Momentum. Dès lors que l’étude électromagnétique
valide le circuit de sortie conçu, nous figeons celui-ci et nous nous intéressons à ses
caractéristiques petit signal.

• Performances petit signal

Le combineur de sortie est simulé en paramètres-[S] afin d’estimer ses pertes de
puissances ainsi que la qualité de son adaptation.
Comme on peut l’observer les pertes du circuit de sortie, à 26GHz, correspondent à
celles qui avaient été prévues dans l’analyse préliminaire (figure 4.7). La figure 4.6 nous
permet de valider le circuit d’adaptation réalisé.
Afin de poursuivre les étapes de conceptions, nous nous intéressons donc au design de

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 151

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

-5
ztos(conj(AC1.ZoutT2))

dB(AC1.Gl_T21norm)
-10
900MHz

|S22| (dBm)
-15

-20
Z 11*
-25

-30

-35
25.0 25.5 26.0 26.5 27.0
freq, GHz

freq (25.00GHz to 27.00GHz)

a) b)

Figure 4.6 – Résultat de simulation paramètres-[S] du circuit de sortie, a) impédances

présentées à la sortie des transistors du 2eme étage dans la bande de fréquence [25 −
27GHz], le carré correspond à l’impédance souhaité Z22∗
; b) amplitude du coefficient de
reflexion de sortie S22 .

-0.38

-0.40
Pertes (dB)
-mag(Pertes)

-0.42

-0.44

-0.46

-0.48

-0.50
25.0 25.5 26.0 26.5 27.0
freq, GHz

Figure 4.7 – Pertes du circuit de sortie simulées autour de la fréquence de fonctionnement

f0 = 26GHz.

l’inter-étage.

4.2.3.2 Conception de l’inter-étage

• Principes fondamentaux de conception

La conception du circuit d’adaptation de l’inter-étage repose sur les mêmes principes
que ceux présentés dans le cas du combineur de sortie. Il doit maximiser le transfert de
puissance par adaptation des impédances présentées en sortie du 1er étage et en entrée
du 2eme . Pour cela nous avons utilisé les impédances déterminées par la simulation de
paramètres-[S] présentés en figure 4.4.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 152

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

Ainsi l’inter-étage réalisé présente, en sortie, une impédance de Z22 = 6 + 16.j

correspondant au conjuguée de celle présentée par le composant T3 (respectivement T4 ).
Le circuit synthétisé présente également une impédance d’entrée Z11 = 10Ω correspondant
au conjugué de celle présentée par le transistor T1 (respectivement T2 ).

• Dessin de l’inter-étage
Le layout présenté en figure 4.8 a été réalisé à partir des contraintes d’adaptation
présentées dans le paragraphe précédent. Nous présentons également les différentes
fonctions assurées par les éléments de cet inter-étage.

VGS2
VDS1 Circuit de
stabilisation
circuit de circuit de
polarisation polarisation

T1 T3

circuit Circuits de circuit

Isolation DC
d’équilibrage filtrage d’équilibrage
T2 T4

circuit de circuit de
polarisation polarisation
Circuit de
stabilisation
VDS1
VGS2

Figure 4.8 – Layout de l’inter-étage (2 voies vers 2). Les différents sous-circuits
permettant d’assurer différentes fonctions telles que la polarisation, l’isolation DC, la
stabilité, ou le filtrage des sous-harmoniques sont indiqués. Les portions de circuit validées
à l’aide de Momentum sont hachurées.

- Les circuits de polarisation de gauche permettent d’alimenter l’accès de drain des

transistors T1 et T2 . Les circuits présents sur la moitié droite assurent la polarisation de
l’accès de grille des composants T3 et T4 .
- Afin d’isoler ces deux tensions de polarisation l’une de l’autre, une capacité Cisol =

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 153

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

0, 4pF à été insérée.

- Les circuits d’équilibrage présentés pour le combineur de sortie sont également utilisés
afin de prévenir l’apparition d’oscillations de mode impair. Il sert également à équilibrer les
tensions de polarisation VDS1 appliquée aux transistors T1 et T2 ainsi que VGS2 appliquée
à T3 et T4 . Ces circuits font intervenir des résistances R = 35Ω placées au plus près des
transistors.
- Des circuits de stabilité additionnels ont également été prévus afin de renforcer,
si cela s’avérait nécessaire, la stabilité du circuit. Une simulation de leur impact sur
l’amplificateur complet sera présentée ultérieurement.
- Un filtre RC (avec R = 30Ω et C = 0, 4pF ) est ajouté avant le 2eme étage. Son but
est de prévenir les risques d’oscillations dûes aux sous-harmoniques f20 .
Comme nous pouvons le constater, les lignes utilisées pour la conception de l’inter-
étage présentent d’importantes discontinuités. Afin de valider le circuit synthétisé nous
avons donc augmenté le nombre de tronçons de circuits simulés par Momentum.
Chaque élément hachuré de l’inter-étage, présenté en figure 4.8, a été remplacé
par un fichier de paramètres-[S] calculé par Momentum. Dès lors que l’étude
électromagnétique valide l’inter-étage réalisé, nous figeons celui-ci et nous nous
intéressons à ses caractéristiques petit signal.

• Performances petit signal

L’inter-étage est simulé en paramètres-[S] afin d’en estimer les pertes de puissances
ainsi que la qualité de son adaptation.
Comme on peut le constater les pertes de l’inter-étage, à 26GHz (figure 4.10), sont
plus importantes que pour le circuit de sortie. Ceci est principalement dû à la plus
grande difficulté qu’il y a à réaliser un circuit d’adaptation présentant les impédances
de fermeture Z11 et Z22 définies précédemment. La figure 4.9 nous permet de valider le
circuit d’adaptation réalisé.
Afin de finaliser la conception, nous nous intéressons enfin au design du distributeur
d’entrée.

4.2.3.3 Conception du distributeur d’entrée

• Principes fondamentaux de conception

La conception du circuit d’adaptation d’entrée est effectuée en dernier. De la même
manière que précédemment nous avons déterminé les impédances nécessaires à la
conception de ce circuit. Ce circuit devra distribuer le signal de manière équivalente vers
les deux transistors du 1er étage.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 154

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

11| , |S 22| (dBm)

dB(GinTransT2norm)
-5

-10
SortieT1

1,2GHz
-15
Z 22*
-20
S 22 S11

|S
Z 11* -25

-30
25.0 25.5 26.0 26.5 27.0
freq, GHz

freq (25.00GHz to 27.25GHz)

a) b)

Figure 4.9 – Performances simulées en petit signal de l’inter-étage, a) impédance

présentée en sortie des transistors du 1er étage (l’impédance recherchée Z22
∗
est marquée
eme
par un carré), ainsi que celle présentée à l’entrée de ceux du 2 étage (l’impédance
recherchée Z22∗
est marquée par un rond) sur la bande de fréquence [25 − 27GHz] ; b)
amplitude du coefficient d’entrée Γ11 et de sortie Γ22 .

-1.4

-1.6
-mag(AC1.Pertes)
Pertes (dB)

-1.8

-2.0

-2.2

-2.4
25.0 25.5 26.0 26.5 27.0
freq, GHz

Figure 4.10 – Pertes de l’inter-étage simulées autour de la fréquence de fonctionnement

f0 = 26GHz.

• Dessin du distributeur
Le layout présenté en figure 4.11 a été obtenu à partir des contraintes d’adaptation
développées dans les paragraphes précédents. Nous présentons également les différents
sous-circuits composant le distributeur d’entrée.
- Le circuit de polarisation permet d’alimenter l’accès de grille des transistors T1 et
T2 .
- Le circuit d’équilibrage utilisé pour les circuits précédents est également appliqué ici.
Il utilise une résistance R = 35Ω placée au plus près des transistors.
- Le blocage du signal DC sur l’entrée RF est réalisé par une capacité C = 0, 4pH.
- Des circuits de stabilité ont également été ajoutés en cas de nécessité.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 155

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

Circuit de
filtrage

Circuit de T1
stabilisation
Entrée RF
circuit
d’équilibrage

T2
circuit
de polarisation

VGS1

Figure 4.11 – Layout du distributeur (1 voie vers 2) d’entrée. Les différents sous-circuits
permettant d’assurer la polarisation, l’isolation DC, la stabilité ainsi que le filtrage des
sous-harmoniques sont indiqués. Les portions de circuit validés à l’aide de Momentum
sont hachurées.

- Un filtre RC (avec R = 30Ω et C = 0, 4pF ) est ajouté avant le 1er étage. Son but
est de prévenir les risques d’oscillations dûs aux sous-harmoniques f20 .
De même que pour l’inter-étage, les tronçons de lignes micro-rubans utilisés dans la
conception du distributeur subissent d’importantes discontinuités de largeur. L’étude
électromagnétique réalisée sous Momentum est donc indispensable pour valider le
layout du distributeur obtenu. Les portions de circuits calculées grâce au simulateur
électromagnétique correspondent aux éléments hachurés sur la figure 4.11. Une fois validé,
le layout est figé, nous présentons ses performances petit signal dans le paragraphe suivant.

• Performances petit signal

Le circuit d’adaptation d’entrée est simulé en paramètres-[S] afin d’en estimer les
pertes de puissance ainsi que la qualité de son adaptation.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 156

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

-5

11| (dBm)
dB(Ginampli)
-10

400MHz

|S
-15

-20
Z 22* 25.0 25.5 26.0 26.5 27.0
freq, GHz

freq (25.00GHz to 27.00GHz)

a) b)

Figure 4.12 – Résultat de simulation paramètres-[S] du circuit d’entrée, a) impédances

présentées à l’entrée des transistors du 1er étage dans la bande de fréquence [25−27GHz],
les carrés correspondent à l’impédance souhaitée Z22 ∗
; b) amplitude du coefficient de
reflexion d’entrée S11 .

-1.5
-2.0
-mag(AC1.Pertes)

-2.5
Pertes (dB)

-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-5.5
25.0 25.5 26.0 26.5 27.0
freq, GHz

Figure 4.13 – Pertes simulées du circuit d’entrée autour de la fréquence de

fonctionnement f0 = 26GHz.

On peut constater (figure 4.13) que les pertes engendrées par le circuit d’entrée
sont plus importantes que prévu. Ceci s’explique par la difficulté à réaliser l’adaptation
d’impédance à l’entrée des transistors T1 et T2 (impédance à ramener à 50Ω).
L’analyse et la validation de chaque étage étant assurées, nous nous intéressons
maintenant au comportement de l’amplificateur complet.

4.2.4 Simulation de l’amplificateur

La figure 4.14 représente le layout de l’amplificateur total, constitué des trois circuits
d’adaptation présentés précédemment, et des quatre transistors 4x75µm reportés en flip-
chip. Nous présentons dans ce paragraphe les simulations de cet amplificateur en régime

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 157

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

linéaire et non-linéaire. Il est important de préciser que lorsque les trois blocs ont été
rassemblés, une ré-optimisation de l’ensemble a été nécessaire afin de prendre en compte
les effets de rétroaction par le S12 des transistors.

VDS1 VGS2

T1 T3
Entrée RF

Sortie RF

T2 T4

VGS1 VDS1 VGS2 VDS2

Figure 4.14 – Layout de l’amplificateur complet comprenant les transistors 4x75µm

ainsi que les différents composant passifs montés en surface. Dimensions L = 20, 7cm et
l = 10cm.

Nous présenterons donc les résultats de simulation paramètres-[S] et grand signal pour
une bande de fréquence comprise entre 25GHz et 27GHz.

4.2.4.1 Simulation petit signal

• Performances bas niveau

L’étude des paramètres-[S] de l’amplificateur nous permet d’estimer les performances
du circuit en régime linéaire. Les coefficients de réflexion d’entrée et de sortie, présentés
en figure 4.15a), indiquent la qualité de l’adaptation en entrée et en sortie au voisinage de
la fréquence de fonctionnement f0 = 26GHz. On peut constater que le signal est rejeté,
simultanément sur l’entrée et la sortie, au-delà de −12dB sur une bande de 300M Hz
autour de la fréquence f0 .
La figure 4.15b) présente le comportement du coefficient de transmission au voisinage
de f0 , on remarque que celui-ci possède une valeur moyenne de 12, 5dB sur une bande
300M Hz autour de la fréquence de fonctionnement. De plus l’étude des coefficients de
reflexion S11 et S22 permet de confirmer la qualité de l’adaptation en petit signal.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 158

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

0 15

-10 300MHz

dB(SP2.SP.S(2,1))
| (dB)

|S21| (dB)
10
S 11
, |S 22S22
-20
|S11| S11,

-30
S 22 5
-40

-50 0
25.0 25.5 26.0 26.5 27.0 25.0 25.5 26.0 26.5 27.0
freq, GHz freq, GHz

a) b)

Figure 4.15 – Résultats de simulations de paramètres-[S] de l’amplificateur complet. a)

Module des coefficients de reflexion d’entrée S11 , et de sortie S22 ; b) Module du coefficient
de transmission S21 dans la bande de fréquence [25GHz - 27GHz].

• Stabilité - Facteur de Rollett

L’étude de la stabilité par le facteur de Rollett peut être réalisée à partir de l’étude
petit signal. Lorsque le facteur k < 1 on pourra déduire une instabilité. Cependant nous
ne pourrons pas conclure à la stabilité inconditionnelle dans le cas contraire.
La figure 4.16 présente les résultats du facteur k sur l’ensemble de la bande. De plus
afin d’illustrer l’influence des circuits de stabilité nous avons réalisé cette simulation pour
quatre différentes configurations :
- 1) Les 4 circuits de stabilité connectés à l’amplificateur.
- 2) 3 circuits sont connectés à l’amplificateur (seul le circuit du distributeur d’entré
est déconnecté).
- 3) 1 circuit est connecté à l’amplificateur (seul le circuit du combineur de sortie est
connecté).
- 4) Aucun des circuits de stabilité n’est raccordé à l’amplificateur.
Nous pouvons constater qu’à aucun moment le facteur k ne devient inférieur à 1. Une
sécurité supplémentaire est même conservée afin de prévoir les risques d’oscillation.
Il est important de noter que ces circuits de stabilisation engendrent une diminution
du coefficient de transmission S21 . Comme nous pouvons le constater en figure 4.17, une
connexion des circuits de stabilité peut entrainer une chute de 3dB du module de S21 .
L’étude de la stabilité par le facteur de Rollett ne fournissant qu’une condition
nécessaire de stabilité, nous devons la compléter par une étude grand signal qui est
développée ultérieurement.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 159

 SimulateLP_avecsortie16x100_avec_INTER_OUTconn..SP2.StabFact1
Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

1E14 10

Facteur de stabilité k

Facteur de stabilité k
1E12
8
1E10
1E8 6

1E6 4 1) 4 circuits connectés

1E4 2) 3 circuits connectés
2 3) 1 circuit connecté
1E2
1 0
4) Aucun circuit connecté
1E6

1E7

1E8

1E9

1E10

3E10
25.0 25.5 26.0 26.5 27.0
freq, GHz
freq, Hz

a) b)
dB(SimulateLP_avecsortie16x100_avec_TOUTconn..SP2.SP.S(2,1))

Figure 4.16 – Influence de la connexion des circuits de stabilité dans 4 configurations

différentes sur le facteur Rollett. a) Sur une large bande de fréquence [DC − 30GHz] ; b)
Zoom du autour de la fréquence de fonctionnement [25GHz - 27GHz].

15
|S21| (dB)

10

1) 4 circuits connectés
5 2) 3 circuits connectés
3) 1 circuit connecté
4) Aucun circuit connecté
0
25.0 25.5 26.0 26.5 27.0
freq, GHz

Figure 4.17 – Influence de la connexion des circuits de stabilité dans 4 configurations

différentes sur le coefficient de transmission S21 .

4.2.4.2 Simulation grand signal

La simulation de l’amplificateur, en régime non-linéaire est réalisée à l’aide simulateur

d’équilibrage harmonique (Harmonic Balance) proposé par ADS. Les résultats de
simulation que nous donnons ici sont obtenus pour une polarisation du 1er étage
(respectivement 2eme étage), VDS1 = 18V et IDS1 = 80mA (respectivement VDS2 = 20V
et IDS2 = 80mA) appliquée à chaque transistor de l’étage.
Nous injectons en entrée de l’amplificateur un signal RF dont la puissance varie de 20 à
26dBm. La figure 4.18 présente les différentes performances selon la puissance disponible
d’entrée.
Le gain en puissance obtenu en régime non-linéaire pour une puissance d’entrée
Pdisp = 26dBm est uniforme sur une bande de 600M Hz autour de f0 , et possède une
valeur moyenne de 6dB. Le rendement en puissance ajoutée (Power Added Efficiency),
défini dans le chapitre 1, est également un paramètre représentatif des performances de

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 160

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

14 20
Pdisp= 20, 22, 24, 26 dBm
12 Glin
(dB) 10
15
(dB)

PAE (%)
(%)
Ampli

8
10

PAE
Gain

6
Gain

4 Pdisp= 20, 22, 24, 26 dBm 5

2
0 0
25.0 25.5 26.0 26.5 27.0 25.0 25.5 26.0 26.5 27.0
freq, (GHz) freq, (GHz)
a) b)
34 2.5

32
2.0
30

(dBm)
(dBm)
(dBm)

1.5

out (W)
28

PPout
Pout

26 1.0
Pout

24 Pdisp= 20, 22, 24, 26 dBm

0.5
22
Pdisp= 20, 22, 24, 26 dBm
20 0.0
25.0 25.5 26.0 26.5 27.0 25.0 25.5 26.0 26.5 27.0
freq, (GHz) freq, (GHz)

c) d)

Figure 4.18 – Résultats de simulations d’équilibrage harmonique de l’amplificateur

complet au voisinage de f0 pour un balayage de puissance d’entrée RF allant de 20 à
26dBm par pas de 2dBM . a) Gain en puissance calculé en dB (le gain linéaire Glin
est représenté en pointillés) ; b) rendement en puissance ajoutée (PAE) présentée en
pourcents ; c) puissance de sortie délivrée en dBm et d) puissance de sortie en Watts.

puissance. Pour une puissance Pdisp = 26dBm on s’attend à trouver une P AE > 16%.
Dans ces conditions, l’amplificateur délivre une puissance de sortie de Pout = 1, 6W sur
l’ensemble de la bande et une puissance de sortie maximale de 1, 8W à f0 .

4.2.5 Etude de la stabilité

• Principes
L’analyse de stabilité est réalisée tout d’abord en régime linéaire par l’application du
facteur de J. Rollett [116]. Cependant cette analyse du facteur k ne permet de conclure
qu’à une stabilité globale et linéaire du système. Elle ne permet pas d’identifier une
oscillation interne au circuit invisible depuis ses accès externes.
Afin d’identifier les risques d’oscillations pouvant apparaı̂tre en fonctionnement non-
linéaire, nous avons appliqué la méthode STAN, mise au point par l’Université de Pays
Basque en collaboration avec le CNES et Thales Alenia Space[117].
Cette analyse repose sur la simulation du circuit en régime établi auquel une

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 161

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

perturbation petit signal qui est introduite en un point du circuit (appelé nœud ).
A partir de ces résultats de simulation on peut extraire les informations nécessaires
à l’étude la stabilité. On calcule l’impédance aux bornes du générateur de perturbation
en fonction de la fréquence d’excitation de celui-ci. Nous pouvons en déduire la réponse
fréquentielle en boucle fermée linéarisé associée au nœud ≪ n ≫du circuit :

VP (jω)
Hcln = (4.1)
IP (jω)
La méthode STAN, développée sous Scilab, nous permet de déterminer la fonction de
transfert Hcln (S) à partir de l’équation 4.1 par une méthode d’identification. L’expression
factorisée (4.2) de Hcln (S) nous permet de réaliser l’étude des pôles et des zéros de cette
fonction de transfert.

M
(S − Zin )
Q
i=1
Hcln = M
(4.2)
Pin )
Q
(S −
i=1

L’existence d’une paire de pôles complexes conjugués dont la partie réelle est positive
correspond à une fréquence pour laquelle le circuit est instable.

• Application à notre amplificateur

Nous avons déterminé deux nœuds N1 et N2 , choisis afin d’injecter le signal
perturbateur aux bornes de chaque transistors (figure 4.19).

1er étage 2eme étage

Inter-étage
Entrée

Sortie

RFin RFout
N1 N2

Figure 4.19 – Nœuds utilisés pour l’analyse de la stabilité réalisée avec STAN.

L’étude des pôles et des zéros à été réalisée pour différentes conditions de
fonctionnement.
- Pour différentes conditions de polarisation autour des conditions de fonctionnement.
Une variation des tensions de polarisation a été appliquée : VDS1 = 18 à 20V et VDS2 = 20
à 25V . Pour un niveau de puissance d’entrée Pdisp = 26dBm à la fréquence f0 = 26GHz.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 162

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

- Pour différentes fréquences de signal d’entrée au voisinage de f0 sur la bande de

fréquence [25, 5 − 26, 5GHz]. Pour une puissance RF d’entrée de 26dBm. Avec une
polarisation du premier étage VDS1 = 18V et du second VDS2 = 20V .
- Pour un balayage de la puissance d’entrée à f0 comprise entre 10dBm et 27dBm
afin de vérifier la stabilité à l’établissement de la puissance RF. Avec une polarisation du
premier étage VDS1 = 18V et du second VDS2 = 20V .

11 11
x 10 x 10
2 2
Imaginaire Pôles / Zéros (Hz)

Imaginaire Pôles / Zéros (Hz)

1.5 N1 1.5 N2
1 1

0.5 0.5

0 0

-0.5 -0.5

-1 -1

-1.5 -1.5

-2 -2
-1 -0.5 0 0.5 1 -1 -0.5 0 0.5 1
11 11
Réelle Pôles / Zéros(Hz) x 10 Réelle Pôles / Zéros (Hz) x 10

a) b)

Figure 4.20 – Diagrammes de pôles et de zéros obtenus dans les conditions de

fonctionnement : VDS1 = 18V , VDS2 = 20V , f0 = 26GHz et Pdisp = 26dBm. Ces
diagrammes illustrent les données extraites pour une perturbation, sur une bande de
fréquence de 2GHz, a) du 1er étage (nœud N1 ) et b) du 2eme étage (nœud N2 ).

Pour chacune de ces conditions nous n’avons pas relevé de pôle à partie réelle positive
et, par conséquent, aucun risque d’instabilité. Nous présentons en figure 4.20, à titre
d’exemples, les diagrammes de pôles et zéros obtenus aux nœuds N1 et N2 dans les
conditions usuelles de fonctionnement.

4.3 Réalisation et fabrication de l’amplificateur

4.3.1 Montage de l’amplificateur
L’amplificateur est implanté sur un pied de test permettant de mesurer ses
performances. Celui-ci est présenté en figure 4.21, il comprend le circuit de polarisation
DC des deux étages (VGS1 , VDS1 , VGS2 et VDS2 ) ainsi que les lignes d’accès RF d’entrée et
de sortie de l’amplificateur.
- Le circuit de polarisation utilisé comporte un large panel de capacités connectées
en parallèle afin de bloquer les signaux RF parasites pouvant circuler dans les accès
polarisation. Ces circuits sont connectés par des fils d’or tendus entre chaque élément,
jusqu’au connecteur SMB (Subclic [DC-4GHz]) auquel est relié le générateur continu.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 163

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

VDS1 VGS2 1uF

10nF
Alumine Alumine
50 Ω 50 Ω 100pF
RFin RFout 10pF

2,2pF

10 Ohms
Alumine
AlN
VGS1 VDS2 30 Ohms

Figure 4.21 – Maquette de fabrication du pied de test comprenant l’amplificateur, les

circuits de polarisation ainsi que les accès RF d’entrée et de sortie.

- L’accès RF est connecté au pied de test par l’intermédiaire de quatre fils tendus
(Zoom figure 4.21) reliés à la capacité de blocage d’entrée et de sortie C = 0, 4pF . Le
circuit en alumine est une simple ligne 50Ω reliant l’entrée et la sortie de l’amplificateur
aux connecteurs K 2, 92µm (diamètre 2, 92 [DC-40GHz]).

Figure 4.22 – Pied de test fabriqué et utilisé lors des mesures préliminaires. Ses
dimensions sont L = 2, 5cm, l = 3cm, h = 1, 5cm.

Une photo du pied de test après fabrication est présentée en figure 4.22.

4.3.2 Mesures avant réglages

Nous avons réalisé tout d’abord des mesures en petit signal puis en régime de
fonctionnement de puissance. Les résultats obtenus sont présentés dans les paragraphes
suivants.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 164

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

4.3.2.1 Mesures petit signal

La caractérisation petit signal a pour objectif de valider les performances attendues à

bas niveau.
Les mesures sont réalisées à l’aide d’un ARV [500M Hz − 40GHz]. Les résultats de
mesures sont présentés en figure 4.23, ils sont confrontés aux simulations de l’amplificateur
présentées précédemment.

0 15

-10
| (dB)

dB(untitled1..S(2,1))
-20 10
|S 22S22

|S21| (dB)
-30 S 22
|S11| ,S11,

S 11
-40 5

-50

-60 0
22 23 24 25 26 27 28 29 30 25.0 25.5 26.0 26.5 27.0
freq, GHz freq, GHz
a) b)

Figure 4.23 – a) Module du coefficient de reflexion d’entrée S11 (en gris) et de sortie
S22 (en noir) et b) coefficient de transmission S21 . Les mesures sont représentées par les
symboles et les simulations par des traits pleins.

On peut constater un décalage entre les performances attendues et celles mesurées à

faible niveau de puissance. Nous approfondirons ultérieurement les modèles utilisés afin
d’identifier la provenance d’un tel écart (jusqu’à 5dB sur S21 à f0 ).

4.3.2.2 Mesures grand signal

Des mesures de puissance de l’amplificateur ont été réalisées à III-VLab. Pour cela
nous avons utilisé un banc de caractérisation grand signal 50Ω. Un schéma du montage
utilisé est présenté en figure 4.24.
Les performances mesurées, à la fréquence de fonctionnement f0 = 26GHz, sont
présentées en figure 4.25.
Une puissance de sortie de 1, 3W avec 11% de PAE est obtenue à 4dB de compression
de gain.

4.3.3 Mesures après réglages

Afin de comprendre l’écart observé sur les mesures et nos simulations initiales, nous
avons tenté d’identifier leurs provenances. Pour cela nous avons utilisé des motifs de test
permettant de valider ou de reprendre les modèles utilisés.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 165

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

Bolomètre VGS1 VGS2

+20dBm -2.5V -2.5V

Bolomètre

Ampli.26GHz +26dBm
Source RF 26GHz Atténuateurs 50Ω
Anritsu MG3695B circulateur
10.000000 GHz
26.000000 GHz
Level Freq Setup Pulse

G=45dB
coupleur coupleur

Charge 50Ω
VDS1 VDS2
18V 20V

Figure 4.24 – Schéma de montage du banc utilisé pour caractériser l’amplificateur en

fonctionnement non-linéaire.
9 12

8 10

8
Gain (dB)

PAE (%)

7
6
6
4
5 2

4 0
0 4 8 12 16 20 24 28 0 4 8 12 16 20 24 28
Pin (dBm) Pin (dBm)
a) b)
35 1500

30
Pout (dBm)

1000
Pout (mW)

25

20
500
15

10 0
0 4 8 12 16 20 24 28 0 4 8 12 16 20 24 28
Pin (dBm) Pin (dBm)
c) d)

Figure 4.25 – Performances mesurées pour un balayage de puissance d’entrée Pin = 3

à 26dBm à la fréquence f0 = 26GHz. a) Gain en puissance de l’amplificateur diminuant
jusqu’à G = 5dB (soit 4dB de compression) ; b) rendement en puissance ajouté atteignant
une valeur maximum de P AE = 11% ; c) puissance de sortie en dBm Pout = 31, 05dBm ;
d) puissance de sortie en Watts Pout = 1, 27W .

4.3.3.1 Rétro-simulations

Nous nous sommes tout d’abord concentrés sur la modélisation du report flip-chip
du composant 4x75µm. Pour cela nous avons réalisé des mesures complémentaires d’un

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 166

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

transistor flip-chipé en petit signal, afin de vérifier le modèle présenté dans le paragraphe
[4.2.2]. Le motif de test est présenté en figure 4.26. Le transistor mesuré est placé entre
deux lignes d’accès 50Ω sans motif d’adaptation. Il sera alors aisé de revenir dans le plan
du composant par un changement du plan de référence.

Figure 4.26 – Motif de test utilisé afin de réaliser une caractérisation du transistor
4x75µm monté par procédé flip-chip.

Pour ce faire, nous présentons en figure 4.27a) les paramètres-[S] mesurés du transistors
4x75µm issu du motif de test, qui sont confrontés à la simulation du modèle dans les mêmes
conditions de fonctionnement et de montage.

25 25
maximum (dB)
maximum (dB)

20 20
Gain MaxGain1
Gain MaxGain1

15 15

10 10

5 5

0 0
1E10 4E10 1E10 4E10
freq, Hz freq, Hz

a) b)

Figure 4.27 – Comparaison du gain entre la mesures (symboles) de paramètres-[S] réalisée

du transistor 4x75µm monté en flip-chip et le modèle simulé (traits pleins) pour une
polarisation VDS = 20V , IDS = 75mA. b) Comparaison avec le modèle utilisant une
correction de la modélisation des vias de la surface d’accueil du transistor.

On peut constater un écart important de la transition MSG/MAG (e = 3GHz) ainsi

qu’une différence de gain d’environ 3dB. Le modèle présenté au paragraphe [4.2.2] a
été remis en question par une étude électromagnétique des vias utilisés dans l’empreinte
accueillant le transistor.
L’empreinte de la surface accueillant le transistor étant symétrique on considérera
que l’on peut la simplifier en analysant la moitié des vias. La figure 4.28, représente le
maillage obtenu sous Designer Ansoft. Il est ainsi possible de réaliser une modélisation
précise de ces éléments, en considérant une disposition des vias répartis sur deux lignes
espacés d’une ligne micro-ruban de longueur déterminée. La modélisation obtenue est

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 167

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

Plan de symétrie
800µm

127µm
1ers vias 150µm
150µm
2emes vias 150µm
200µm

Figure 4.28 – Layout de l’empreinte d’accueil du transistor. La zone contenant les vias
est maillée et simulée sous Designer Ansoft.

présentée en figure 4.29. La modélisation de ces vias correspond à une augmentation

équivalente de l’inductance de flip-chip de 30pH. Cette élévation réduit considérablement
les performances de puissance. Autant que possible, il sera donc préférable d’opter pour
une technologie intégrée (MMIC).

Lflip-chip=3pH

L=127µm
l= 800µm
1ers vias
L=150µm
l= 800µm

2emes vias
L=200µm
l= 800µm

Plan de symétrie

Figure 4.29 – Modèle de l’empreinte corrigée utilisant une répartition des vias sur deux
lignes espacés par des portions de lignes micro-rubans.

La figure 4.27.b présente une comparaison entre la mesure du transistor de test, reporté
par flip-chip, et le nouveau modèle. On peut constater cette fois une meilleure concordance
que précédemment.
Le comportement petit signal de l’amplificateur simulé se rapproche de celui mesuré
en paramètres-[S]. On peut observer un rapprochement des fréquences pour lesquelles le

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 168

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

0 15
-5
22| (dB)
-10

|S21| (dB)
10
| , |SS22
-15
|S11S11,

-20
S 22 5
-25
-30
S 11
-35 0
22 23 24 25 26 27 28 29 30 25.0 25.5 26.0 26.5 27.0
freq, GHz freq, GHz
a) b)

Figure 4.30 – Comparaison entre la mesure (symboles) de l’amplificateur et la simulation

utilisant le modèle corrigé (traits pleins) en petit signal.

circuit est adapté, ainsi qu’une bien meilleure concordance de coefficient de transmission
S21 .
Nous avons également re-simulé le circuit en fonctionnement grand signal. Les
performances sont présentées en figure 4.31. On peut constater que la nouvelle
modélisation des vias proposée diminue l’ensemble des performances de puissance, les
rapprochant ainsi des résultats mesurés.

4.3.3.2 Modifications et mesures finales

Les modifications réalisées sur le modèle du transistor n’entraı̂nent que de faibles

modifications des impédances optimales à présenter au transistor. Il sera donc nécessaire
de modifier légèrement le circuit d’adaptation de l’amplificateur pour que celui-ci
fonctionne dans les conditions optimales de transfert de puissance. Ces modifications
n’ont pas été portées actuellement et seront effectuées lors de la caractérisation du second
lot de circuits réalisés et réceptionnés récemment.
Afin de modifier légèrement l’adaptation, nous avons placé au voisinage des lignes et
des endroits sensibles des plots carrés de métallisation pour pouvoir faire des réglages
(figure 4.32). En les raccordant au circuit par l’intermédiaire de fils, il est possible de
modifier localement l’impédance du circuit, et ainsi d’optimiser ses performances.

4.4 Analyse thermique

Comme nous l’avons présenté dans les paragraphes précédents, la prise en compte des
phénomènes thermique est capitale pour la réalisation d’amplificateurs de puissance. Afin
de réduire l’échauffement de l’amplificateur il est important d’optimiser l’évacuation de
la puissance dissipée par effet Joule. Il est à noter que la dissipation de puissance d’un

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 169

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

10 20
Pdisp= 20, 22, 24, 26 dBm
8 Glin
(dB)(dB) 15

(%)
PAE (%)
6
Ampli

10

PAE
Gain

4
Pdisp= 20, 22, 24, 26 dBm
Gain

5
2

0 0
25.0 25.5 26.0 26.5 27.0 25.0 25.5 26.0 26.5 27.0
freq, (GHz) freq, (GHz)
a) b)
34 2.0
32
1.5
30

(dBm)
(dBm)
(dBm)

out (W)
28
1.0

PPout
Pout

26
Pout

24 0.5
Pdisp= 20, 22, 24, 26 dBm
22
Pdisp= 20, 22, 24, 26 dBm
20 0.0
25.0 25.5 26.0 26.5 27.0 25.0 25.5 26.0 26.5 27.0
freq, (GHz) freq, (GHz)

c) d)

Figure 4.31 – Résultats de simulations d’équilibrage harmonique de l’amplificateur

complet au voisinage de f0 pour un balayage de puissance d’entrée RF allant de 20 à
26dBm par pas de 2dB. a) Gain en puissance calculé en dB (le gain linéaire Glin est
représenté en pointillés) ; b) rendement en puissance ajouté (PAE) présentée en pourcents ;
c) puissance de sortie délivrée en dBm et d) puissance de sortie en Watts.

Figure 4.32 – Layout final de l’amplificateur incluant les carrés qui permettent un affinage
manuel de l’adaptation.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 170

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

amplificateur est d’autant plus importante que le rendement en puissance ajouté (PAE)
est faible.
La température du canal a été estimée par simulation numérique par éléments finis
à l’aide du logiciel Ansys. Pour des raisons de symétrie un quart du transistor à été
modélisé en figure 4.33.a. Comme le montre la simulation physique, on peut constater
que la température est maximale au pied de la grille (coté drain) où le champ électrique
est maximal (figure 4.33.b). A fort signal, le transistor 4x75µm dissipe une puissance
de 7, 2W/mm, on estime sa température de jonction à Tj = 160o C (à bas niveau une
température Tj = 110o C à été simulée pour une puissance dissipée Pdiss = 5, 3W/mm).

Doigts de grille

25
33,5
40,9
48,33
55,7
63,2
70,6
78
85,5
92,9
100,3
107,7
115,2
122,5
130
137,4
144,8
152,3
160,7

a) b)

Figure 4.33 – Etude de la dissipation thermique, d’un transistor 4x75µm, réalisée sous
Ansys. a) Empilement des couches du transistors monté en flip-chip sur AlN ; b) diffusion
thermique du composant, polarisé à VDS = 20V et IDS = 80mA, à proximité des doigts
de grille.

La réalisation de circuit monolithiques (MMIC) favoriserai particulièrement la

dissipation de chaleur par le substrat. En effet, celui-ci permettrai d’évacuer la chaleur
par le substrat SiC qui a une conductivité thermique supérieure à celle de l’AlN (plus de
2, 5 fois supérieure).

4.5 Conclusion
Nous avons présenté dans cette partie, la conception et la réalisation d’un amplificateur
de puissance en technologie hybride utilisant un report flip-chip de transistors HEMT
InAlN/GaN à 26GHz. Le modèle utilisé au cours de cette réalisation a permis de mettre
en application les lois d’échelle, relatives au nombre de doigts N, évoquées dans le chapitre
3 et de les valider.
Bien que le gain en puissance soit en dessous de celui attendu, il est important de

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 171

Chapitre 4 : Conception d’un amplificateur à base de HEMTs InAlN/GaN en bande Ka

garder à l’esprit la relative jeunesse de la technologie InAlN/GaN. Pourtant les résultats

obtenus sont déjà en accord avec ceux trouvés dans la littérature en AlGaN/GaN ; avec
notamment une densité de puissance de l’ordre de P = 2, 1W/mm à ces fréquences. Pour
une telle densité de puissance une température de jonction de 160o C a pu être estimée
pour le transistor reporté par flip-chip sur AlN.
Afin d’optimiser la dissipation de puissance, il sera préférable de favoriser des
réalisation de type MMIC sur substrat à base carbure de silicium (SiC). Si l’on souhaite
conserver un report par flip-chip, il sera préférable de rapprocher les vias ou réaliser un
report du transistor sur un via oblong. Cependant, la réalisation de ce dernier procédé
reste particulièrement délicate.
Les performances très encourageantes permettent de montrer l’intérêt des transistors
utilisant l’hétérostructure InAlN/GaN pour des applications d’amplification de puissance
en bandes K et Ka.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 172

Conclusion Générale

Conclusion générale

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 173

Conclusion Générale

Ce rapport recense les différentes filières de composants utilisées à l’état solide

pour l’amplification de puissance au delà de la bande K, en se concentrant plus
particulièrement sur les HEMTs réalisés à partir de nitrure de gallium. Leur grande
hauteur de bande interdite leur confère naturellement des densités de courant élevées
ainsi que des tensions de claquage comptant parmi les plus importantes actuellement.
Ils sont donc naturellement d’excellents candidats pour l’amplification de puissance aux
longueurs d’ondes millimétriques. Depuis ces dernières années, un intérêt particulier est
porté sur les HEMTs utilisant l’hétéro-structure InAlN/GaN. En effet, les laboratoires
de l’IEMN (Lille) et MTL (Boston) ont mesuré des fréquences de coupure au delà de
100GHz. Une synthèse de ses principales caractéristiques physiques et électriques a été
présentée ici. L’évolution des procédés laisse à penser que le perfectionnement des étapes
d’épitaxie et de technologie permettra de passer outre les défauts persistant du nitrure
de gallium.

A cause de leur faible maturité actuelle, ces composants possèdent des limitations
que nous avons identifiées et quantifiées, à l’aide d’une campagne de caractérisation la
plus complète possible. Nous avons pu éprouver les bonnes prédispositions des transistors
à base d’InAlN/GaN pour l’amplification de puissance, qui le rendent d’ores et déjà
compétitif pour ces applications. Les questions relatives à la caractérisation thermique
des composants ont été abordées plus en détail, afin de proposer une méthode pouvant
dissocier l’effet thermique des phénomènes de pièges. Malgré des résultats peu précis, dûs
à l’utilisation d’instruments de mesures inappropriés, les perspectives pour l’utilisation de
la méthode 3ω pour la caractérisation de l’impédance thermique sont très encourageantes.
Le travail présenté ici servira d’approche préparatoire et sera approfondi par la suite.
Une étude a également été menée pour l’utilisation de ces composants en mode de
commutation en bande X. Elle a permis de démontrer que si les transistors InAlN/GaN
ne possèdent pas à l’heure actuelle les aptitudes requises pour ces applications, les
HEMTs AlGaN/GaN eux présentent des qualités intéressantes liées en particulier à leur
champ de claquage élevé. Cette robustesse, propre aux transistors à base de nitrure
de gallium, est particulièrement recherchée pour la protection des circuits élaborés en
micro-ondes.

Dans cette perspective, un modèle non-linéaire phénomènologique dédié aux

applications de commutation a été développé. Nous avons pu constater sa convergence
ainsi que sa bonne reproduction des phénomènes non-linéaires observés lors de la
caractérisation. Ce modèle auparavant validé pour des applications d’amplification est
actuellement à l’étude pour des applications de linéarité au sein du laboratoire XLIM.
Cette validation pluri-applications permet de confirmer la précision du modèle utilisé

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 174

Conclusion Générale

depuis une dizaine d’années et sans cesse amélioré depuis.

Enfin, nous avons présenté la conception et la réalisation d’un amplificateur de

puissance de deux étages fonctionnant à 26GHz utilisant des composants HEMTs
InAlN/GaN de 300µm de développement total de grille. Cette réalisation destinée à
démontrer les potentialités de cette solution technologique a permis de mesurer un densité
de puissance de 2, 1W/mm avec un gain de puissance associé de 5dB, correspondant
à l’état de l’art pour cette technologie. Des développement sont actuellement en cours
au III-V Lab pour augmenter la fréquence d’utilisation de tels composants, notamment
au travers de la réduction des longueurs et largeurs de grille. Il est bien évident que
de nombreux travaux sont encore nécessaires pour mieux comprendre et améliorer les
phénomènes observés sur ces composants.

Néanmoins, les performances obtenues sont particulièrement encourageantes. Il est ici

important de rappeler que ces résultats font parties des toutes premières réalisations au
monde, tant au niveau de l’élaboration des modèles non-linéaires que de la conception
d’amplificateur de puissance sur cette technologie.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 175

Conclusion Générale

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Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 182

Conclusion Générale

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Limoges, 2010.
[72] F. De Groote, “Mesures de formes d’ondes temporelles en impulsions : application à
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[73] S. Piotrowicz, C. E., O. Jardel, J. Dufraisse, J.-C. Jacquet, D. Lancereau, E. Morvan,
R. Aubry, N. Sarazin, C. Dua, M. Oualli, M. A. Di Forte Poisson, and D. S. L.,
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Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 183

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Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 184

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Semiconductor Application Symp. EGAAS 2005, 2005, pp. 361–363.
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Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 185

Annexes

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[111] O. Jardel, F. De Groote, T. Reveyrand, J.-C. Jacquet, C. Charbonniaud, J.-P.
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hemts including trapping effects to improve large-signal simulation results on high
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[112] S. Piotrowicz, B. Mallet-Guy, E. Chartier, J. C. Jacquet, O. Jardel, D. Lancereau,
G. Le Coustre, E. Morvan, R. Aubry, C. Dua, M. Oualli, M. Richard, N. Sarazin,
M. A. diForte Poisson, J. Delaire, Y. Mancuso, and S. L. Delage, “Broadband
algan/gan high power amplifiers, robust lnas, and power switches in l-band,” in
Proc. European Microwave Integrated Circuits Conf. EuMIC 2009, 2009, pp. 431–
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[117] A. Anakabe, J.-M. Collantes, J. Portilla, J. Jugo, A. Mallet, L. Lapierre, and J.-P.
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amplifiers,” in Proc. IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest, vol. 3, 2002, pp.
2181–2184.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 186

Annexes

Annexes

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 187

Annexes

Nomenclature

2DEG 2 Dimension Electron Gaz.

ADC Analog to Digital Converter.
ARV (VNA) Analyseur de Réseaux Vectoriels.
Vectorial Network Analyser.
ARV N (NVNA) Analyseur de Réseaux Vectoriels Non-linéaires.
Non-Linear Vectorial Network Analyser.
CW Continuous Waveform.
DC (CC) Direct Current.
Courant Continu.
DST (DUT) Dispositif Sous Test.
Device Under Test.
HEM T (THME) High Electron Mobility Transistor.
Transitor à Haute Mobilité Électronique.
LDM OS Lateraly Diffused Oxyde Semiconductor.
LSN A Large Signal Network Analyser.
M BE Molecular Beam Epitaxy.
M EST F ET Metal Semiconductor Field Effect Transistor.
M M IC Monolithic Microwave Integrated Circuit.
M OV P E MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy.
P AE (RPA) Power Added Efficiency.
Rendement en Puissance Ajouté.
pHEM T Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor.
T EC (FET) Transistor à Effet de Champ.
Field Effect Transistor.
T BH (HBT) Transistor Bipolaire à Hétérojonction.
Heterojunction Bipolar Transistor.
T DH Taux de Distorsion Harmonique.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 188

Annexes

Publications et communications relatives à ce travail

[1] G. Callet, O. Jardel, N. Sarazin, E. Morvan, M.A. DiForte-Poisson, M. Oualli,

E. Chartier, T. Reveyrand, J-P. Teyssier, S. Piotrowicz, R. Quéré, S.L. Delage, “Study
of Microwave Performances of AlInN/GaN and AlGaN/GaN HEMT Devices up to
18GHz”, HeTech, GünzBurg 2009.
[2] O. Jardel, G. Callet, C Charbonniaud, J-C. Jaquet, N . Sarazin, E. Morvan, R. Aubry,
M.A. DiForte-Poisson, J-P. Teyssier, S. Piotrowicz, R. Quéré, “A new nonlinear HEMT
model for AlGaN/GaN switch applications”,EuMW, Rome 2009.
[3] G. Callet, J. Faraj, O. Jardel, C Charbonniaud, T. Reveyrand, E. Morvan,
S. Piotrowicz, J-P. Teyssier, R. Quéré, “A new nonlinear HEMT model for
AlGaN/GaN switch applications”, International Journal of Microwave and Wirless
Technologies, 2010.
[4] O. Jardel, G. Callet, J Dufraise, N. Sarazin, E. Chartier, T. Reveyrand, M. Oualli,
D. Lancereau, M.A. DiForte-Poisson, S. Piotrowicz, E. Morvan, S.L. Delage,
“Performances of AlInN/GaN HEMTs for Power Applications at Microwave
Frequencies”, EuMW, Paris 2010.
[5] G. Callet, J. Faraj, A. El-Rafei, O. Jardel, J-C. Jacquet, J-P. Teyssier, E. Morvan,
S. Piotrowicz, R. Quéré, “Electrothermal and Large-Signal Modeling of Switchmode
AlGaN/GaN HEMTs”, EuMW, Paris 2010.
[6] S. Piotrowicz, Z. Ouarch, E. Chartier, R. Aubry, G. Callet, D. Floriot, J-C. Jacquet,
O. Jardel, J-P. Teyssier, E. Morvan, T. Reveyrand, N. Sarazin, S.L. Delage, “43W,
52% PAE X-Band AlGaN/GaN HEMTs MMIC amplifiers”, MTT-S, California 2010.
[7] J. Faraj, G. Callet, F. De Groote, J. Verspecht, R. Quéré, J-P. Teyssier, “Bursts of
Pulses for time domain large signal measurements”,ARFTG, 2009.
[8] S. Piotrowicz, E. Morvan, R. Aubry, G. Callet, E. Chartier, C. Dua, J. Dufraisse,
D. Floriot, J-C. Jacquet, O. Jardel, Y. Mancuso, B. Mallet-Guy, M. Oualli, Z. Ouarch,
M-A. DiForte-Poisson, N. Sarazin, M. Stanislawiak, S-L. Delage “Overview of
AlGaN/GaN HEMT technology for L- to Ku-band applications”,IJMWT, 2010.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 189

Annexes

[9] A. El-Rafei, G. Callet, G. Mouginot, J. Faraj, S. Laurent, O. Jardel, M. Prigent,

S. Delage, R. Quéré “DC (10Hz) to RF (40GHz) output conduction extraction by
S-parameters measurements for in-depth characterization of AlInN/GaN HEMTs,
focusing on low frequency dispersion”,EuMIC, Manchester 2011.
[10] J. Dufraisse, G. Callet, O. Jardel, E. Chartier, N. Sarazin, S. Piotrowicz,
M-A. DiForte-Poisson, S-L. Delage, P. Bouysse, R. Quéré “Characterization of
InAlN/AlN/GaN transistors for S-band applications”,EuMIC , Manchester 2011.

Caractérisation et Modélisation de HEMT InAlN/GaN Page 190

 Caractérisation et Modélisation de Transistors HEMT AlGaN/GaN et
InAlN/GaN pour l’Amplification de puissance en Radio-Fréquences

Résumé : Ce document traite de la caractérisation de composants HEMT à base

de GaN en vue de leur modélisation. Une caractérisation exhaustive des transistors à
base d’InalN/GaN et AlGaN/GaN est réalisée. Une importance particulière est donnée
aux méthodes de caractérisation thermique, avec l’utilisation de la méthode 3ω pour la
mesure de l’impédance thermique. Une étude des facteur d’échelle du modèle linéaire
est également abordée. Le modèle non-linéaire présenté est développé afin d’élargir son
champ d’application à l’amplification de puissance et à la commutation. Enfin, il est
utilisé pour la réalisation du premier amplificateur de puissance utilisant la technologie
InAlN en bande Ka.

Mots clés :Bande Ka, modélisation, caractérisation, conception, HEMT AlGaN/GaN,

InAlN/GaN, impédance thermique, méthode 3ω.

Characterization and Modeling of AlGaN/GaN and AlInN/GaN HEMTs

for Power Amplification in Radio-Frequencies

Abstract : This report deals with the characterization of GaN HEMTs devices
in order to create their model. An exhaustive characterization has been realized for
AlInN/GaN and AlGaN/GAN based HEMTs. A special care has been given to the
different thermal characterization methods, with the use of the 3ω method for the
measurement of the thermal impedance. A study of scaling rules for small-signal model is
presented. The non-linear model presented is developed in order to extend his application
domain to the power amplification and power switches. Finally it is used in the design of
the first poser amplifier base on AlInN technology in Ka-band.

Keywords : Ka-band, modeling, characterization, design, AlGaN/GaN HEMT,

AlInN/GaN HEMT, thermal impedance, 3ω method .

XLIM - UMR CNRS no 6172

123, avenue Albert Thomas - 87060 LIMOGES CEDEX