DOCUMENT ELEVE puissance dissipée dans le transistor est
PT = VCE I C + VBE I B or VBE I B 0 donc PT = VCE I C .
Consigne : Lis attentivement le texte ci-dessous puis effectue les tâches
subséquentes. Par ailleurs, le fonctionnement en régime linéaire est régit entre autres par
Texte deux caractéristiques essentielles à savoir : la droite de commande statique IB
= f (VBE) et la droite de charge statique IC = f (VCE).
Le transistor bipolaire est un composant électronique semi-
conducteur, issu de la juxtaposition de deux jonctions : la jonction PN et la Fonctionnement en régime de commutation : Dans ce cas, le transistor ne
jonction NP. Il présente donc trois couches à dopages alternés NPN ou PNP. peut prendre que deux états possibles : Soit il est bloqué (interrupteur ouvert
Lorsque la couche médiane est de type P et les couches extrêmes de type N, entre les bornes C et E) ou bien il est saturé (interrupteur fermé entre les
le transistor obtenu est appelé transistor NPN. Par contre, si la couche bornes C et E).
médiane est de type N et les couches extrêmes de type P, ce transistor est Le transistor est bloqué lorsque le courant de base est nul ou
appelé PNP. insuffisant. Il est saturé lorsque la variation du courant de base IB n’influence
plus le courant collecteur IC. A la saturation, les courants de base (IBSAT) et
de collecteur (ICSAT) prennent des valeurs élevés tandis que la tension
collecteur-émetteur (VCESAT) tend vers zéro.
Activité 1
Tâches
1) Que signifie chacune des lettres E, B et C utilisées pour désigner les
bornes du transistor.
2) Représente les symboles des transistors NPN et PNP.
Le transistor bipolaire possède deux régimes de fonctionnement : Activité 2
Fonctionnement en régime linéaire : dans ce mode de fonctionnement, Tâches
toute variation du courant de base IB provoque la variation du courant
collecteur IC. On dit alors que le transistor fonctionne en amplificateur de 1) Symbolise un transistor NPN en fléchant les courants I E, IB et IC.
courant. Les courants de base IB et collecteur IC sont alors proportionnels. Le α
2) Démontre que β = puis calcule sa valeur pour α = 0,98 .
coefficient de proportionnalité est noté β. Il est appelé gain en courant ou 1- α
I 3) Pour IE = 10-2 A, calcule les courants IB et IC.
coefficient d’amplification du transistor et on écrit : β = C . Il en est de 4) Détermine la puissance dissipée dans le transistor pour VCE = 10 V.
IB
même pour les courants collecteur et émetteur, puisqu’ils sont aussi
I
proportionnels de coefficient de proportionnalité α tel que α = C . La
IE
1
Activité 3
Tâches
On considère le montage de la figure 1 où on donne : UB = 20 V et RB =
400 kΩ.
Activité 5
Tâches
1. Déterminer l’équation de la droite de commande statique du Le transistor du montage de la figure 3 fonctionne en commutation.
transistor. 1. Quel est l’état de ce transistor dans les cas suivants :
2. Construire cette droite en prenant pour échelle : 1cm pour 4 V et 1cm a) V1 et V2 sont reliées à la masse (V1 = V2 = 0) ;
pour 10-5 A.
b) V1 est reliée à la masse et V2 à + VCC (V1 = 0 et V2 = 1) ;
Activité 4
c) V1 est reliée à + VCC et V2 à la masse (V1 = 1 et V2 = 0) ;
Tâches
d) V1 et V2 sont reliées à + VCC (V1 = V2 = 1).
1. On considère le montage de la figure 1 où on donne : VCC = 15 V, RC =
1,5 kΩ, RB = 400 kΩ et UB = 20 V, VBE = 0,7 V. Le coefficient e) Déduire la valeur de VS dans chaque cas puis établir la table de
d’amplification du transistor est β = 80. vérité de VS en fonction de V1 et V2
a) Déterminer l’équation de la droite de charge statique.
2. Quel est la fonction logique réalisée par ce montage ?
b) Construire cette droite en choisissant pour échelle 1cm pour 3V sur
l’axe des abscisses et 1cm pour 2.10-3 A sur l’axe des ordonnées.
c) Déterminer les coordonnées VCEQ et ICQ du point Q de fonctionnement
du transistor puis le placer sur la droite de charge.
2. Exprimer en fonction de RC, RE, VCE, VCC et β l’équation de la droite de
charge statique du transistor pour le montage de la figure 2.
