Université de Fianarantsoa

Ecole Normale Supérieure Année Universitaire 2023- 2024

Support de cours : ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

Nom et Prénoms :….. . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . .. . . . . . . . . . . .. . . . . .

L3 PC
S5
Mention : Physique Chimie
Parcours : Sciences et Technologies

1
2
 Chapitre 1 : RAPPELS SUR LES CIRCUITS ELECTRIQUES
1-Définitions et Conventions
1-1-Dipôle
Un dipôle est un dispositif électrique que ne comporte que deux bornes et dans lequel un courant
électrique peut circuler.

Fig1 : . . . . . . . . . .
Exemples : . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ….
Un dipôle est dit actif s’il fournit de l’énergie électrique à un circuit extérieur.
Exemples : . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Le dipôle est dit passif dans le cas contraire
Exemples : . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . .
1-2- Dipôle linéaire
Un dipôle est linéaire si sa caractéristique tension-courant est linéaire.
U=ai+b
Exemple : U=R.i
Remarques :
-un circuit électrique est dit linéaire s’il ne comporte que les dipôles linéaires.
-les composants semi-conducteurs comme les diodes, les transistors et les circuits intégrés sont considérés
comme actifs.
1-3- Courant
Le courant représente la quantité de charge qui se déplace à travers une certaine surface dans un
certain intervalle de temps :

[A]

Si le courant ne change pas avec le temps, donc il demeure constant, on l’appellera courant continu. Par
convention on utilise les symboles « I » pour représenter le courant continu et « i » pour le courant
variable ou alternatif :
i
I

0 t
0
t
Fig1 : Courant continu Fig2 : Courant alternatif

1-4- Différence de potentiel

La différence de potentiel (ou la tension) est l’énergie nécessaire pour déplacer une charge électrique
unitaire à travers un élément de circuit :

3
 [V]

Fig2 : ……………….
1-5-Puissance
C’est la quantité d’énergie utilisée dans un laps de temps :

La puissance électrique p est une quantité variable dans le temps et est appelée puissance instantanée.
Si la puissance a un signe (+) cela signifie que la puissance est absorbée par l’élément considéré.
Si la puissance a un signe (- ) cela signifie que la puissance est délivrée (ou fournie) par cet élément.

+
+

p= v . i v p= - v . i
v

-
-
3A 3A
-
+

4V
4V

+
-
Fig 3 :Deux exemples d’un élément qui consomme une puissance de 12W

La loi de conservation de l’énergie doit être respectée dans tout circuit électrique :

1-6- Source
C’est un dispositif qui convertit de l’énergie non électrique en énergie électrique :
Exemples : . . . . . . . .
a) Générateur de tension
Un générateur de tension parfait est un dipôle actif qui maintient entre ses bornes une différence de
potentiel constante quel que soit le courant qu’il débite.

4
 U
E E
I E
- + I - +

U Caractéristique tension courant U = f(i) i

U
Symbole

Fig4 : Source de tension parfaite

Si la source a une résistance interne en série :

U

E,r E
E
r I I - +
- + 
I
U= E-rI U Caractéristique

Symbole tension courant U = f(I)

Fig5: Source de tension réelle

b) Générateur de courant
Un générateur de courant parfait est un dipôle actif qui fournit un courant électrique quelle que soit la
tension à ses bornes :
I
I
I0

Symbole U
Caractéristique I = f(U)

Fig6 : Source de courant parfaite

I
I I

I0 I0
r U=r(I0 – I )

U
Caractéristique I = f(U)

Symbole

Fig7 : Source de courant réelle

c) Source indépendante et source dépendante

Une source indépendante idéale (parfaite) est un élément actif qui assure à ses bornes une tension ou un
courant bien précis qui en plus est complètement indépendante des autres éléments du circuit.
Exemple : . . . . . . . . . . . . . . . . .

5
Une source dépendante idéale (source contrôlée ou liée ou commandée) est un élément actif. Le
paramètre de sortie de cette source (tension ou courant) est à son tour déterminé par un autre courant ou
tension,

- +
R1 r
R2 k.U
+
I0 E
R R2
R3 I - U R3
R1

b)
a)

Fig8 : Sources indépendantes –Sources dépendantes

(I0 et E : sources indépendantes ; I et E=kU : sources liées)

Autre convention de symbole pour les sources liées

1-7- Conventions de signe

Les conventions communément admises pour représenter la tension aux bornes d’un dipôle et le courant y
circulant font la différence entre générateurs et récepteurs.
a) Convention générateur
Fig 9 : . . .
b) Convention récepteur
Fig10 : …

2) Loi d’ohm
Les différents matériaux présentent en général un comportement caractéristique à s’opposer à la
circulation du courant électrique. Cette propriété physique, ou la capacité d’un matériel à s’opposer à la
circulation d’un courant est connue sous l’appellation de résistance électrique.
La résistance électrique est donnée par :
l
R=ρ ρ

ρ : résistivité du matériau
l : longueur Section

S : section

6
RESISTIVITE DE CERTAINS MATERIAUX
MATERIAUX RESISTIVITE ( Ω.m ) UTILISATION
Argent 1 ,64 . 10-8 Conducteur
Cuivre . .......... . ..........
Aluminium . .......... . ..........
Or . ..........
Germanium . .......... . ..........
Silicium . .......... . ..........
Papier . .......... . ..........
Verre . .......... . ..........
Mica . .......... . ..........

Les résistances sont caractérisées par leur valeur en Ohm et leur puissance nominale.
En pratique, on détermine la valeur d’une résistance à l’aide d’un ohmmètre, si non on peut utiliser le
code des couleurs des résistances. La valeur d’une résistance obéit généralement au code de couleurs :
NOIR : 0 ; MARRON : 1 ; ROUGE :2 ; ORANGE:3 ; JAUNE:4 ; VERT:5 ; BLEU :6 ; VIOLET :7 ;
GRIS :8
BLANC :9 . Par exemple pour une résistance à quatre anneaux

4ème couleur : chiffre de précision (tolérance ;

1èr Couleur : Chiffre or :5% argent : 10% )
décimal

2ème Couleur :
chiffre d’unité 3ème Couleur : chiffre de
multiplicateur
Exemple : Premier chiffre significatif : jaune : 4 ; Deuxième chiffre significatif : vert : 5 ; Multiplicateur
: orange : 3 ; Tolérance : dorée : 5 %. Donc la valeur de cette résistance est : 45x 103 Ω à 5 % soit 45 k
Ωà5%
4-Court-circuit et circuit ouvert
Puisque la valeur de R peut varier de zéro à l’infini, il est important alors que nous considérons les deux
valeurs extrêmes possibles de R
a) Court circuit ( R=0)
Un court circuit est un élément de circuit avec une résistance proche de zéro

7
 Fig 11 : . . . . .
b) Circuit –ouvert ( R= )
Le circuit ouvert représente le cas ou il n’y a pas de connexion entre deux points.
Fig12 : . .

Chap2 : TECHNIQUES D’ANALYSE DE CIRCUIT

1-Branche, nœud et maille

Exemple :

2- Transformation de source

A
A
R
+
V
I0
- R

B
B

Un ampèremètre placé entre A et B agit comme un court circuit, et donc un courant ayant une valeur :
I = V / R . Si on place un voltmètre entre les bornes A et B , on a :
VAB=R . I0 . Pour que ce soit équivalent, il faut que : I0= V / R
Exemple :

A
A
5Ω
+
20V
- 4A
5Ω

B
B

8
Cas particulier :

A
A
R
+ R
Vs
+
- Rs Vs
-

B
B

A A

Rs

Is Is
R
R

B B

3-Lois de Kirchhoff
a) Loi de nœud (1ère loi de Kirchhoff)
La somme algébrique des courants qui passent par un nœud est nulle :

+ : courant entrant
- : courant sortant I1
I4
I3
I2

I1+I2 - I3 +I4 =0
I1+I2 +I4 = I3
b) Loi des mailles (2ère loi de Kirchhoff ou loi de tension de Kirchhoff)
Le long d’une maille fermée parcourue dans un sens donné, une somme des tensions est nulle.
=0

n = nombre de tension le long des branches d’une maille

Vi = valeurs des ces tensions

9
U=U1+U2 +U3

U1

U U2 R

U3

c) Diviseur de tension
C’est une méthode pour accélérer le calcul de tensions dans un circuit

R1

Vs
R2 U2

R1 U1
Vs

R2 U2

En effet
Vs = R1.I + R2 .I = ( R1+ R2 )I
I=Vs / (R1+ R2)
Or U1=R1 I
U1=R1 I

d) Diviseur de courant
Méthode pour accélérer le calcul de courants dans un circuit.

I
I1 I2

R1 R2

10
En effet :
I= I1 + I2
U1 =U2
R1I1 =R2I2
I=I1 + (R1/ R2) I1 = [(R2 +R1)/R2]. I1
I=I1 + (R1/ R2) I1 =[(R2 +R1)/R2]. I1

4-Transformation triangle-étoile (Δ - Y)

b
a a
b

Rc
R2
R1

Rb Ra

R3
c

De Δ à Y , on utilise les équations :

De Y à Δ , on utilise les équations :

11
Exemple R a
1

R R
2 3

R
E c
4

b
R R
5
6

R a R23 +
1 R1

R
23

R24 + R34 +
E R2 R3 E
R5 R6
4 4
b c

R R
5 6
d
5-Théorème de superposition
La tension entre deux points A et B ( ou bien le courant dans la branche AB) d’un circuit électrique
linéaire comportant plusieurs générateurs est égale à la somme des tensions (courants) obtenues entre ces
deux points lorsque chaque source agit seule .
R A R
1 2
I

E1 U E2
R

R A R R A R
1 2 1 2
I I
1 2
E1 U U E2
R R
1 2

B B
U=U1 +U2

I=I1 +I2
12
 Exemple :

R1 R1 R1
I2
I R2 I1 R2 R2
E1 E1
U U1 U2
E2 E2

U=U1 +U2

U1= U2=

6-Théorème de thévenin
(R1) +U2
Le théorème de Thévenin permet de remplacer un montage complexe par un générateur de tension
équivalent avec sa résistance interne équivalente et de calculer ces éléments.
Le courant I circulant dans un conducteur de résistance R branché entre deux bornes A et B d’un réseau
actif, I
A

R.A R

est le même que celui fournit par un générateur de f-e-m Eth dans une résistance égale à la somme de la
résistance équivalente Ri = Rth du réseau actif rendu passif et de réseau du conducteur R

I A I
A
Rth
R.A R R
Eth

B B

Eth=UAB pour I=0 (Eth=UAB pour R=∞ ; Eth = Uco )

Rth : est la résistance vue des points A et B toutes sources indépendantes éteintes.

13
Exemple :

A I
A
Rth
R1 R2
U R Eth U R
E1 E2
B B

R1 R2 Eth

E1 E2
B

R1 R2 Rth

7-Théorème de Millman
La tension VAB d’un réseau électrique comportant n branches en parallèle est :

Avec G = 1 / R
Exemple :

R3 R2 R1 UAB

E3 E2 E1

14
 Chapitre 3 : NOTION SUR LES SEMI-CONDUCTEURS
1-Notions des bandes énergétiques
On parle souvent de bandes d’énergie dans un solide. Si on considère un seul atome séparé des autres, ses
électrons occupent des niveaux d’énergie Ei séparés les uns des autres :

Dans un cristal, il existe de grand nombre d’atomes et il y aura des interactions. Les niveaux d’énergie
discrets deviennent des bandes d’énergie occupées par les électrons :

E E E
BC
BC BC
E BI BI
BV
BV BV

Modèle des bandes d’énergie dans les conducteurs, isolants et semi-conducteurs

Bande de valence (BV) : ensemble des niveaux d’énergie qui peuvent être occupés par les électrons
de valence. Ces derniers fournissent les liaisons de covalence entre les différents atomes d’un solide.
Bande de condition (BC) : regroupe les niveaux d’énergie qui peuvent être occupés par les électrons qui
arrivent de la bande de valence, dite les électrons de conduction et qui sont responsables de la conduction
d’électricité.
Bande Interdite : BI, elle regroupe l’ensemble des états non permis.
Remarque : On peut constater trois types de matériaux, se distinguent entre eux par la largeur de la bande
interdite.

2-Définitions
L’appellation des matériaux semi-conducteurs (SC) provient de leurs conductivités électriques,
intermédiaires entre celles des conducteurs et des isolants.
Un semi-conducteur est un matériau se situant entre le conducteur et l’isolant.
Une autre particularité importante est que cette conductivité dépend de la température et augmente avec
celle-ci.
Exemples : . . . .

15
Les semi-conducteurs les plus utilisés sont :
- le Silicium (Si)
- le Germanium (Ge)
2-Caractéristiques des semi-conducteurs
Les SC ont des atomes à 4 électrons (e-) sur la couche extérieure

Couche extérieure

électron

Noyau

Atome de Silicium

Si Si
( %es partages avec les atomes voisins ont réalisant de
configuration stable à huit électrons. Cette union d’atome qui
partage leurs électrons de valence est appelé liaison covalente )

Si Si
S S
i i
Réseau cristallin de Silicium pur (Intrinsèque) liaison covalente

3) Semi-conducteur intrinsèque
Notion de trou :
Lorsqu’une liaison covalente entre deux atomes se rompt, l’électron libéré laisse à sa place un vide
appelé « trou ».

Electro libéré par

Si agitation thermique
Si
e1
Si Si t1
Si Si
Si
Si e2

e1 laisse un trou t1 occupé à son tour par un électron e2

Un électron d’une liaison voisine peut venir combler ce trou ; il laisse à son tour un trou derrière lui qui
peut être comblé, etc .
Toute rupture de liaison covalente donne donc naissance à deux mouvements désordonnés d’électrons :
- celui de l’électrons libéré au sein du cristal
- celui des électrons de liaisons covalentes circulant de trou en trou .
Pour le second, au lieu de considérer le déplacement d’électrons de charge –e , il est plus commode de
raisonner sur le déplacement d’un trou en sens inverse , en attribuant à ce trou une charge +e .

16
Les électrons de liaison covalentes : -e ====
Les trous : <==== t
Conclusion :
- Dans un SC, l’agitation thermique crée, par rupture des liaisons covalentes, des paires électron libre –
trou, dont les déplacements sont ensuite indépendants l’un de l’autre.
Rq : Il faut ajouter qu’un trou peut non seulement être comblé par un électron de valence mais aussi par
un électron libre passant à proximité. On dit qu’il y a une recombinaison

rupture

Electron covalente électron (charge –e ) ; trou ( +e )

recombinaison

Ces électrons libres et ces trous sont appelés porteurs libres. Les électrons sont des porteurs négatifs et les
trous sont des porteurs positifs. La concentration en porteurs est le nombre de porteur par unité de
volume.
Un SC est dit intrinsèque lorsqu’il est pur, c’est-à-dire le cristal n’est pas pollué par des impuretés
pouvant changer la concentration en porteurs libres.
Pour une température T ≠ 0 K , des électrons peuvent devenir libre c’est-à-dire passer de la bande de
valence (BV) à la bande de conduction (BC) où leur concentration est notée « n » .

EC
BC

Eg BI

BV
EV

Ces électrons laissent des trous dans la BV avec une concentration notée p
On définit alors une concentration intrinsèque ni de porteurs :

ni = A.T3/2exp( )

A : constante spécifique du matériau(coefficient dépendant du SC)

k : Constante de Boltzman ( 1 , 38 . 10 -23 J.K-1)
T : Température absolue (K)
Eg : Largeur de la bande interdite (gap ; énergie de conduction, énergie nécessaire pour libérer un
électron engagé dans une liaison covalente )

17
 Isolant : Eg > 3 eV , ρ augmente avec la Température
Conducteur Eg = 0 eV , quelle que soit la Température
SC : 0 < Eg < 3 eV , augmente avec la Température

Exemple de largeur de bande interdite pour différent type de matériau :

ATOMES Eg (eV) Types
Si 1,12 SC
Ge 0,7 SC
C (carbone) 5,5 Isolant
Sn (etain) 0 Conducteur

4) Semi-conducteur extrinsèque
Doper un SC , c’est lui ajouter des impuretés dans sa structure cristalline. (impuretés : ce sont les atomes
étrangers )
Ces impuretés utilisées pour le dopage ont généralement une valence électronique de 5 ou de 3 .
(% elle possède sur la couche extérieure 5 ou 3 électrons ; dopage : opération d’injection d’impuretés )
Les SC extrinsèques sont des SC intrinsèques dans lesquels on a introduit les atomes étrangers qu’on
appelle impuretés .
Il en résulte qu’un SC dopé a , soit un excès ,soit un manque d’électrons dans sa structure cristalline.
(% un excès d’é : SC dopé est négatif ou type N : un manque d’é (présence de trou): SC dopé est positif
ou type P )
a) Semi-Conducteur de type N
Les éléments dopants ont une valence de 5 comme l’Arsenic (As) et le Phosphore (P) :

Atome tétravalent Si 5 ème électron en

Si Si é libre
excès
Agitation Si
Atome de Phosphore P thermique
P
pentavalent
0,01ev +
Si Si
Si Si
é de valence

(% égie
L’atome de Phosphore est appelé donneurnécessaire pour
d’électron
arracher une
:
porteur
- Les électrons sont considérés comme desmajoritaire
porteurs MAJORITAIRES
d’un
atome )
- Les trous sont considérés comme des porteurs MINORITAIRES
Atomes donneurs === ion positif (fixe dans le cristal , P+)
Les atomes pentavalents, appelés atomes donneurs pour avoir fourni leur cinquième électron
périphérique, deviennent des ions positif qui restent fixes dans le réseau cristallin
18
b) Semi – conducteur de type P
On dope le cristal avec un élément possédant un nombre inférieur d’électron de valence. On peut doper
du Silicium (ou Germanium) avec le Bore (B), l’aluminium (Al) et le Galium (Ga) qui possèdent trois (3)
électrons de valence

Si Si
Si Agitation Si
thermique
B B
( égie de l’ordre
-
0,01eV)
Si Si Si +
Un trou Trou libre Si

en excès

(% sous l’effet de la
Les atomes trivalents (Bore) sont des accepteurs d’électron
température ou (% fournisseur de trou) :
rayonnement )
- les trous sont considérés comme porteurs de charges mobiles MAJORITAIRES
- les électrons sont considérés comme porteurs de charges mobiles MINORITAIRES
Atome accepteur ===== ion négatif (fixe dans le cristal)
Les atomes trivalents, pour avoir capté un électron, deviennent des ions négatifs qui restent fixes dans le
réseau cristallin.

Porteurs majoritaires : Porteurs majoritaires : trous

électrons
Ion positif (% charge fixe Ion négatif (% charge
) fixe )
+ + + + - - - -
- + - - - - + - + + + +
+ + + + - - - -
+ -
+ -
- - - - + + + + - +
Porteurs minoritaire Porteurs minoritaire
SC Type : N SC Type : P

5) Concentration en porteurs à l’équilibre thermodynamique

Soient :
ND la densité ou la concentration en atome donneurs
NA la densité ou la concentration en atome accepteurs
nN , pN les concentrations en électron et en trou dans un SC de type N
nP , pP les concentrations en électron et en trou dans un SC de type P
A l’équilibre thermodynamique , la loi d’action de masse est :

n. p =
a) Cas du SC type N
Charge fixe :
mobile : nN , pN
Neutralité électrique : + pN = nN
Comme les électrons sont majoritaires, alors : pN << nN (hypothèse)
19
 == ≈ nN (approximation à l’équilibre TD)

Loi d’action de masse : nN . pN =

. pN =

pN =

a) Cas du SC type P
Charge fixe :
mobile : nP , pP
Neutralité électrique : + np = pP
Comme les trous sont majoritaires, alors : nP << pP (hypothèse)
== ≈ pP (approximation à l’équilibre TD)

Loi d’action de masse : nP . pP =

. nP =

nP =

6) Conduction dans les SC

a) Mobilité

Si on applique un champ électrique dans un pavé du SC , les porteurs libres (électrons, trous ) prennent
un mouvement d’ensemble. Les trous se déplacent dans le même sens du champ électrique et les
électrons se déplacent dans le sens contraire.

vn vp

+ -

Le mouvement (désordonné) des porteurs de charge s’ajoute une vitesse moyenne proportionnelle au
champ :

=-

=-

: mobilité électrique des électrons

: mobilité électrique des trous
: courant de conduction ou courant DRIFT
SC (cm2 / v.s) (cm2.v-1.s-1)

Si 1 400 500

20
Ge 4 000 1 900
GaAs 8 500 400

b) Loi d’Ohm
D’après la loi d’Ohm , on a :

= .
: conductivité électrique
La densité de courant due à n électrons ou pour p trous par unité de volume est :

= .

= - q.n. = q.n. =

=+ .

= q.p. = q.p. =

et sont les conductivités dues respectivement aux électrons et aux trous

( Q :charge volumique )
Le courant total est :

= +

= = .

= . (Loi d’Ohm généralisé)

== = = q.(n. +p. )

La résistivité électrique ρ est :

ρ= =

Pour le cas du SC intrinsèque, n=p=ni :

ρi =

21
 Chap 4 : JONCTION PN et DIODE
I-JONCTION PN
1) Définition
Une jonction PN est le contact intime entre deux régions semi-conductrices de types opposés.

P N

mat1 mat2

Jonction PN

Si on associe côte à côte un matériau de type N avec un matériau de typa P nous effectuons une jonction .
Si mat1 = mat 2 , on parle de homojonction
Exemple : Si / Si
Si mat1 ≠ mat 2 , on obtient ce qu’on appelle hétérojonction
Exemple : Al / Si
2) Jonction PN à l’équilibre thermodynamique
a) Création de la jonction PN
A la mise en contact de deux SC de type différents (P et N) , les électrons porteurs majoritaires

Fig : …

de la zone N diffusent dans la zone P et les trous majoritaires de la zone P diffusent dans la zone N

Fig : …

Diffusion de porteurs majoritaire :

-
Trous : P ======= N ; électrons : N ======= P
Dans la zone N les électrons ayant disparu et cette zone devient positive et dans la zone P, les trous ayant
disparu et cette zone devient négative. Le déplacement d’électrons de la zone N vers la zone P se
nomme : Courant de Diffusion
Il s’accompagne d’une charge d’espace positive du coté N et négative du coté P. Ces deux charges crées
le champ électrique interne et ce dernier arrête la diffusion en porteurs majoritaire et va accélérer le
déplacement des porteurs minoritaires :
Electrons : P ====>> N ; trous : N ====>> P
22
Un courant d’électrons s’établit de la zone P vers la zone N appelé : courant de conduction (ou
courant de saturation )
P ====courant de diffusion(MAJO)====== >> N
P << ==== courant de conduction (MINO) ==== N
L’état d’équilibre est atteint quand les deux courants sont égaux pour chaque porteur :

=
(ou lorsque la jonction est en circuit ouvert l’état d’équilibre s’établit dans lequel Jd =Jc)
La somme totale des courants qui travers le système à l’équilibre thermodynamique est nulle , c’est-à-
dire :

= + =
b) Tension de diffusion (barrière de potentiel )
A cause de la présence du champ Ei et les charges spaciales , il y a une donc une création de la différence
de potentiel d.d.p (ou barrière de potentiel ) :
Φ = VN - VP (Tension de diffusion ) Potentiel

- +

Ei
- +
P N

W W

Le potentiel décroît dans le sens de Ei c à d il y a donc

diminution du potentiel de la region N vers P

Exemple : à T = 300K (température mbiante)

NA = 1018 cm-3 , ND= 10 16 cm-3
ΦSi = 850 mV (% Si/ Si)
ΦGe = 850 mV (% Ge/ Ge)
Remarque : la zone de charge d’espace (W) s’étale du côté moins dopé .
NA >> ND la zone P est fortement dopée que la zone N (P+ , N)

Fig : . . . .

NA << ND la zone N est fortement dopée que la zone P (P , N+)

Fig : . . .. . . .

23
 NA ≈ ND (P et N sont fortement dopées ( P++ , N++ ) , W : très mince)

Fig : . . . . .
3) Jonction PN avec un générateur en sens direct

Fig : . . . .
Si on applique un champ externe Eext à l’aide d’un générateur en branchant le pole (+) sur la zone P et le
pole (–) sur la zone N. On peut annuler les effets du champ interne c’est-à-dire la polarisation directe
favorise la diffusion majoritaire car la zone de transition devient mince.

Le courant est plus important que le courant :

= +

= =

= courant direct

4) Jonction PN avec un générateur en sens inverse

Fig : . . . . .. .

Le champ électrique créé par l’application de la tension du générateur est même sens que le champ
interne Ei de la barrière de potentiel. Ces deux champ s’additionnent et favorise la circulation d’électron
ou porteurs minoritaire :

= +

= =

= Courant inverse

Diffusion Conduction Courant total

(MAJORITAIRE)
(MINORITAIRE)
Equilibre TD Jd Jc 0
Polarisation Jd = J F Jc<< Jd JF
Directe
Polarisation Jd<< Jc J c = JR JR
inverse

24
Remarque :
Pour des faibles niveaux de polarisation de la jonction , nous avons ,

J = JS . [exp ( ) - 1]

UT = k.T / q unité thermodynamique

q= 1,6.10-19 C
k = constante de Boltzman (1,38 .10- 23 J.K – 1 )
T : Température absolue (en K) (0°C = 273,15 K)
A T=300K UT = 26 mV
JS : courant de saturation ou courant inverse

II-DIODE

25