UNIVERSITE FELIX HOUPHOUËT- BOIGNY Année académique 2024 – 2025

UFR SSMT – Lab Tech

LICENCE 2 : IMERTEL

T.D D’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE LINEAIRE Série 1

Semi-conducteur – Jonction pn - Diode à jonction - diode Zener

EXERCICE 1 :
Un barreau parallélépipédique de germanium présente une longueur L = 10cm et une section S =
1dm2. Le germanium extrinsèque est de type P, et la mobilité des porteurs majoritaires est p =
0,20m2/V.s.
On néglige la contribution des porteurs minoritaires. En appliquant une ddp de 100V entre les
extrémités du barreau, le courant continu est 1mA.
a) Donner la vitesse de déplacement des porteurs majoritaires.
b) Donner la valeur de la conductivité. En déduire la concentration p des porteurs.

EXERCICE 2 :
Une jonction p+n présente les caractéristiques suivantes :
- Section S = 1 cm2 ; Dp = 10 cm2/s ; UT = 25 mV ; NA = 2.1019 cm-3 ;
- Epaisseur de la région N : xn = 1 m ;
2
e . D p . ni −8 2
- Densité de courant de saturation : J s = =3. 10 A/cm .
xn . N D
1) Calculer la tension de diffusion VD de cette jonction. En déduire la nature du semiconducteur
utilisé.
2) Calculer la concentration ND des donneurs, pour ni = 1010 cm-3.
3) Soit J la densité de courant traversant la jonction en polarisation directe. Exprimer en fonction de J
la tension V nécessaire à la polarisation de la jonction.
2 2 V
e . ni . x n U
4) Sachant que la charge stockée en zone n est : Q s = . e , exprimer, en fonction de la
T

2. x n . N D
densité de courant J et des données xn, Dp et UT, la capacité de stockage Cs.

EXERCICE 3 :
Soit le circuit ci-dessous (figure 1), avec R1 = 8K ; R2 = 2K ; R3 = 200. La tension de seuil de
la diode est V0 = 0,6V et sa résistance dynamique est nulle.
Calculer la valeur de E qui permet le passage d’un courant direct I D de 1mA dans la diode.
R1 ID

D
R2
E R
3

Figure 1

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EXERCICE 4 : Limiteur de tension par diode
Pour simplifier on admettra que la diode est idéale. Tracer, après analyse claire, pour le montage
de la figure 2 ci-dessous :
a) le graphe de Us(t) lorsque Ue(t) = Um.sinωt, avec Um = 15V et E = 5V.
b) la caractéristique de transfert Us= f(Ue)

E D R0 D1 D2

R1 R2
Ue R Us
e s
E1 E2

Figure 2
Figure 3

EXERCICE 5 : Limiteur de tension par diodes

Dans le circuit de la figure 3 ci-dessus, les deux diodes D 1 et D2 sont idéales et la tension d’entrée
e peut varier entre 0 et 20V.
On donne : E1 = 5V ; E2 = 15V ; R0 = 20K ; R1 = 15 K ;R2 = 10 K .
a) Faire, de façon judicieuse, l’analyse du circuit en considérant les différents cas de
fonctionnement des diodes et en écrivant les équations liées à chaque cas.
[Dans le cas où les deux diodes sont passantes simultanément, on peut déterminer le schéma équivalent du
circuit, réduit à une seule maille, permettant de déterminer aisément s = f(e)].
b) Tracer le graphe de transfert s = f(e) de ce circuit.

EXERCICE 6 : Limitation en puissance d’une diode

On considère le schéma suivant :

On donne : kT/e = UT = 26mV à la température

R
100Ω
ambiante.
E D Vd = 0,65V = tension aux bornes de la diode quand
5V elle conduit.
Id = Is.exp[e.Vd/kT] = courant traversant la diode.
1) Calculer la résistance dynamique de la diode D à la température ambiante de 27°C.
2) La résistance thermique de la diode est de 60°C/W, et la température de la jonction T j ne doit pas
dépasser 200°C. Calculer la puissance maximale supportable par la diode si elle est dans un milieu
où la température est de Ta = 50°C.

EXERCICE 7 : Limiteur de tension par diodes Zener

On considère le montage suivant : R

Ve est une tension sinusoïdale d’amplitude VM = 10V. D1

Les diodes (de résistance interne nulle) sont identiques
et ont les caractéristiques suivantes : Ve Vs
- tension de seuil : V0 = 0V ; D2
- tension Zéner : VZ = 7V.
Tracer, après analyse, les caractéristiques Vs = f(t) et Vs = f(Ve).
Figure 5

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EXERCICE 8 : Stabilisation de tension
Un récepteur résistif de résistance R u = 2K est mis en parallèle avec une diode Zener Dz ;
l’ensemble est mis en série avec une résistance R de 2 K et alimenté par un générateur de fém. E et de
résistance interne nulle (figure 6 ci-dessous).
La caractéristique de Dz peut être assimilée à un segment de droite entre les points A (8,5V ; 20mA)
et B (7,5V ; 2mA).
a) Exprimer le courant i dans Dz en fonction de E et de la tension v aux bornes de Dz.
b) Calculer les valeurs extrêmes de E (E min et Emax) pour que Dz reste dans la plage de régulation (c’est-
à-dire pour que i soit compris entre 2mA et 20mA).
c) On adopte E = 30V ; déterminer les valeurs I et V respectivement du courant i et de la tension v.

i1 i2
R i
E v Ru
DZ

Figure 6

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LICENCE 2 : IMERTEL

T.D D’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE LINEAIRE Série 2

Transistor bipolaire

EXERCICE 1 : Polarisation du transistor bipolaire

Soit le montage de la figure 1, avec : R C = 3,9 kΩ ; RE = 1 kΩ ; R1 = 82 kΩ ; R2 = 18 kΩ ; U0 =
12 V ; VBE = 0,6 V et β = 49.
a) Calculer IB et IC. b) Calculer VEM, VCM et VCE. c) Calculer I2 et I1.
I1
RC
R1 IC
U0
IB
R2 RE
I2
M
Figure 1

EXERCICE 2 : Etude du réseau de caractéristiques d’un transistor

On considère le montage de polarisation par pont de base suivant :

R2 RC Le transistor est caractérisé par le réseau ci-joint

IC (voir papier millimétré)
On décide de déterminer les différents éléments du
C Vcc montage de façon que, pour un courant de base au
B VCE repos IB0 = 2mA et Vcc = 8V, les coordonnées du
IB point de repos dans le réseau de sortie soient:
IP
E P0 (VCE0 = 4,8V; IC0 = 200mA).
R1

1) Déterminer l’équation de la droite de charge et la valeur de R C.

2) Calculer, sans négliger IB0, les résistances R1 et R2 pour que le courant IP soit de 25mA.
3) Tracer, à partir du réseau de sortie, la caractéristique I C = f(IB) à VCE = 4V, et déterminer
graphiquement le gain .

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EXERCICE 3 : Montage amplificateur basse fréquence à transistor bipolaire
On considère le montage amplificateur ci-dessous.
Pour l’application numérique, on prendra les valeurs suivantes : R1 = 10 K ; R2 = 2,7 K ; Rc = 1,5 K;
Ru = 1 K ; h11 = 1,25 K ; h12 = 0 ; h21 = 80 ; h22 = 1,25.10-4 -1 ; RG = 0,6 K
1) Faire le schéma équivalent du montage en considérant tous les condensateurs comme des
courts-circuits.
2) Exprimer littéralement, puis calculer numériquement :
+VCC = 6V
a) l’amplification en tension Av = v2 / v1 ;
b) l’amplification en courant Ai = i2 / i1 ;
c) l’impédance d’entrée Ze = v1 / i1 ; RC
d) l’impédance de sortie Zs. R1
i2
RG C1 C2

Ru v2
i1
eG v1 R2

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LICENCE 2 : IMERTEL

T.D D’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE LINEAIRE Série 3

Amplificateur opérationnel en régime linéaire

EXERCICE 1 :
On considère le montage suivant à AOP idéal :
I D
La diode est caractérisée par la relation :
I = Is.exp(Vd / UT) , pour Vd positive ;
Vd Is = courant de saturation ;
R
UT = tension thermique.
-
+
Ve Vs

a) Donner l’expression de Vs en fonction de Ve et des données du texte; quelle fonction a-t-on réalisé?
b) Reprendre la même question, lorsqu’on permute les positions de R et D.

EXERCICE 2 :
Soit le montage à A.O.P idéal (figure 2); en appliquant le théorème de Millmann aux nœuds A et
B, calculer le rapport V2 / V1 en fonction des admittances Yi.

Y3 Y5
Y1 A+ Y4 B+

V1 Y2
V2

Figure 2

EXERCICE 3 : AOP en fonctionnement en régime linéaire

En utilisant les propriétés de l’amplificateur opérationnel idéal, exprimer la tension V 0 et le
courant I0 du montage ci-dessous en fonction des courants i1, i2 et des résistances.

i1 Rr D

R1
-+ I0

i2 RL DD
R2
V0

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EXERCICE 4 : Réalisation de fonctions analogiques à l’aide d’AOP
Soit le montage suivant dans lequel les AOP sont supposés parfaits :
R

R2 R4

R1 -
AOP 1 -
R3
+ AOP 2
V +
V0
Rg
Ve

a) Quelle est la fonction du premier étage AOP1 ?

b) Exprimer l’amplification en tension Av1 = V/Ve
c) Quelle est la fonction du deuxième étage AOP2 ?
d) Exprimer la tension de sortie V0 en fonction de V et Ve.
e) Déduire l’amplification en tension du montage Av = V0/Ve.

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