Transistor à effet de champ
transistor utilisant un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un
matériau semi-conducteur
Cet article est une ébauche concernant l’électronique.
Pour les articles homonymes, voir FET.
Un transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-
conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour
contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il
concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que
l'électronique numérique.
Circuit électronique avec transistor à effet
de champ
Historique
Le premier brevet sur le transistor à effet de champ a été déposé en 19251 par Julius E.
Lilienfeld. Comme rien ne fut publié sur cette invention, elle resta ignorée de l'industrie.
De même, le physicien Oskar Heil déposa en 1934 un brevet pour une invention similaire2, mais il
n'existe pas de preuve que cet appareil ait été construit.
Ce n'est qu'après la guerre que le transistor à effet de champ sera redécouvert, d'abord le JFET
en 1952 puis le MOSFET en 1960, par Kahng et Atalla.
Présentation
Un transistor à effet
de champ est un
composant à trois P
broches : la Grille, le
Drain et la Source.
On considère que la N
commande du
transistor se fait par
l'application d'une JFET MOSFET enr MOSFET app IGBT
tension VGS sur la
grille, négative dans le cas d'un type P, positive dans le cas d'un type N.
Les caractéristiques de sortie sont liées au rapport tension/courant admissible entre le drain et
la source, représenté par une résistance équivalente RDSon lorsque le transistor est passant.
La pente (ou transconductance) du transistor est le rapport . C'est l'inverse d'une
résistance (donc une conductance). Plus elle est élevée, et plus le gain du transistor sera grand.
L'un des modèles les plus connus est le modèle 2N3819, toujours vendu de nos jours. Donnons
ses caractéristiques :
puissance maximale dissipée : 0,36 W ;
tension drain-source maximale : 15 V ;
pente : 2 à 6,5 mS.
Comme les transistors MOS et MOSFET, les transistors à effet de champ sont plus fragiles que
les transistors à jonction, notamment parce qu'ils peuvent claquer à la suite d'une décharge
d'électricité statique. C'est pourquoi on doit les protéger contre les surtensions d'origine statique
ou dynamique afin d'éviter leur destruction :
en court-circuitant les connexions externes pendant leur stockage, leur manipulation ou leur
soudure ;
en les piquant dans des mousses conductrices.
Fonctionnement
Un transistor à effet de champ est un transistor unipolaire : son fonctionnement est basé sur
l'action d'un champ électrique sur un canal composé d'un seul type de porteurs de charges
mobiles. Ce canal est un semi-conducteur avec un excédent d'électrons (dopage de type N), ou
de trous (dopage de type P). La présence d'un champ électrique peut autoriser la conduction
électrique dans ce canal (transistor à enrichissement, ou enhancement) ou la réduire (transistor à
appauvrissement, ou depletion).
Par rapport à un transistor bipolaire (NPN ou PNP), il présente l'intérêt d'avoir une grande
impédance d'entrée (supérieure au mégaohm), ce qui le rend intéressant dans certains
montages (étage d'entrée d'un radiorécepteur, détecteur d'électricité statique...). Plus
précisément, cette résistance d'entrée est la résistance de fuite de la jonction grille-source (GS)
polarisée en inverse. La capacité d'entrée du transistor est faible (quelques picofarads). Cette
résistance d'entrée élevée et cette faible capacité d'entrée donnent aux transistors à effet de
champ des caractéristiques proches de celles des tubes à vide.
En réception radio, l'intérêt des transistors à effet de champ est :
une meilleure sélectivité des circuits associés ;
un meilleur facteur de bruit (car la bande passante du circuit est réduite, du fait d'un
amortissement moindre).
C'est pourquoi on les trouve souvent dans les schémas de préamplificateurs d'entrée,
d'oscillateurs, de mélangeurs.
Classification
JFET
Article détaillé : Junction Field Effect Transistor.
Un transistor de type JFET (Junction Field Effect Transistor ou transistor à effet de champ à
jonction) présente une grille reliée au substrat. Dans le cas d'un canal dopé N, le substrat et la
grille sont fortement dopés P+ et physiquement reliés au canal. Le drain et la source sont des
îlots très fortement dopés N+ dans le canal, de part et d'autre de la grille. Dans le cas d'un canal
dopé P, les dopages de chaque partie sont inversés, ainsi que les tensions de fonctionnement.
MOSFET
Article détaillé : Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde.
Un transistor de type MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor) présente une
grille métallique électriquement isolée du substrat par un diélectrique de type SiO2.
MESFET
Un transistor de type MESFET (MEtal Semiconductor Field Effect Transistor) présente une grille
métallique. Ce type de transistor apparu en 1966 et fut le premier à être fabriqué à partir d’un
composé III-V. Un MESFET est constitué par un barreau de semi-conducteur de type N sur lequel
sont réalisés à ses deux extrémités les contacts ohmiques de source et de drain. Entre la source
et le drain, un contact Schottky matérialise l’électrode de grille. Le transistor est réalisé sur un
substrat semi-isolant de GaAs sur lequel on fait croître par épitaxie ou par implantation ionique
la couche active avec des impuretés de type donneur (ND ≈ 2 E17 cm-3). L’adjonction d’une
couche fortement dopée (ND ≈ 2 E18 cm-3) permet l’accrochage des contacts ohmiques de
source et de drain, ainsi que la diminution des résistances parasites de source et de drain.
MODFET, HEMT ou HFET
Article détaillé : MODFET.
Un MODFET (modulated-doping field effect transistor) ou HEMT (High Electron Mobility Transistor)
est un transistor à haute mobilité d'électrons connu aussi sous le nom de transistor à effet de
champ à hétérostructure. Il est composé de deux semi-conducteurs de bande interdite différente
(ex GaAlAs et GaAs) qui à leur frontière forment un puits quantique dans lequel les électrons
sont confinés formant ainsi un gaz bi-dimensionnel d'électrons.
CNFET
Article détaillé : Carbon Nanotube Field Effect Transistor.
ChemFET
Article détaillé : Chemical Field Effect Transistor.
ISFET
Article détaillé : Ion Sensitive Field Effect Transistor.
EOSFET
Article détaillé : Electrolyte Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.
ENFET
Article détaillé : Enzymatic Field Effect Transistor.
OFET
Article détaillé : Organic Field Effect Transistor.
Un OFET, Organic Field Effect Transistor (en) ou transistor à effet de champ organique, est un
transistor à effet de champ dont le canal est formé par un semi-conducteur organique.
Réalisation pratique
La structure générale d'un transistor à effet de champ n'est pas facile à réaliser en raison des
difficultés que l'on a à diffuser des impuretés des deux côtés d'une plaquette de semi-
conducteur.
Pratiquement, on ne diffuse ces impuretés que d'un seul côté de la plaquette en utilisant la
même technique que pour les diodes à jonction p-n. À cet effet, on part d'une plaquette de
silicium de type p, cette plaquette étant obtenue à partir de lingots cylindriques de silicium
monocristallin pur. Le substrat est mis en présence d'un courant gazeux chargé d'une impureté
de type n. La vapeur dépose des films monocristallins qui s'arrangent suivant la structure du
substrat, d'où le nom de dépôt épitaxial.
On protège la couche épitaxiale par un revêtement de dioxyde de silicium (SiO2), revêtement que
l'on obtient par un courant d'oxygène à 1 200 °C. Ensuite, on crée une fenêtre en enlevant l'oxyde
dans une zone en forme de cadre, puis on diffuse vers 1 200 °C des impuretés (accepteurs
d'électrons) jusqu'à ce que les zones p se propageant dans le cristal traversent la couche
épitaxiale de type n. Pendant la diffusion qui peut durer plusieurs heures, une couche protectrice
d'oxyde se forme à nouveau en surface selon un phénomène de ré-oxydation propre à toute
diffusion. La grille est alors formée par le cadre p (partie supérieure) et par le substrat (partie
inférieure). Des connexions métalliques qui ne sont pas représentées plusieurs figures
établissent les différentes liaisons à travers la couche isolante entre les électrodes et les
éléments extérieurs. [incompréhensible]
Notes et références
1. Brevet US 1745175 (http://v3.espacenet.com/textdoc?locale=fr_V3&DB=EPODOC&F=0&IDX
=US1745175) [archive] "Method and apparatus for controlling electric current", brevet
d'abord déposé au Canada le 22 octobre 1925 et décrivant un matériel analogue à un
MESFET.
2. Brevet GB 439457 (http://v3.espacenet.com/textdoc?locale=fr_V3&DB=EPODOC&F=0&IDX=
GB439457) [archive] "Improvements in or relating to electrical amplifiers and other control
arrangements and devices" d'abord déposé en Allemagne le 2 mars 1934
Voir aussi
Articles connexes
Transistor
Transistor bipolaire
Transistor bipolaire à grille isolée (IGBT)
Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde (MOSFET)
Montages amplificateurs :
pour transistor bipolaire :
Base commune,
Collecteur commun,
Émetteur commun ;
pour transistor à effet de champ :
Drain commun,
Grille commune,
Source commune.
Lien externe
Transistors MOSFET (https://www.zonetronik.com/les-transistors-mosfet-field-effect-transisto
rs/) [archive]
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