MODÉLISATION PHYSIQUE D'UN TRANSISTOR

DE PUISSANCE IGBT -
TRAÎNÉE EN TENSION À L'ENCLENCHEMENT

THÈSE NO 3215 (2005)

PRÉSENTÉE À LA FACULTÉ SCIENCES ET TECHNIQUES DE L'INGÉNIEUR

Institut des sciences de l'énergie

SECTION DE GÉNIE ÉLECTRIQUE ET ÉLECTRONIQUE

ÉCOLE POLYTECHNIQUE FÉDÉRALE DE LAUSANNE

POUR L'OBTENTION DU GRADE DE DOCTEUR ÈS SCIENCES

PAR

Serge PITTET

ingénieur électricien diplômé EPF

de nationalité suisse et originaire de Suchy (VD)

acceptée sur proposition du jury:

Prof. A.-Ch. Rufer, directeur de thèse

Dr S. Azzopardi, rapporteur
Dr F. Bauer, rapporteur
Prof. M.-A. Ionescu, rapporteur

Lausanne, EPFL
2005
 iii

Avant-propos

J’ai débuté mon activité professionnelle au Laboratoire d’Electronique

Industrielle par un mandat de AD-Tranz, concernant la validation de dif-
férents macromodèles de transistors IGBTs dans des circuits particuliers.
Les résultats obtenus en utilisant des modèles existants en commutation
douce n’étaient pas satisfaisants, les phénomènes liés à l’enclenchement
n’ayant été que peu étudiés. Il a été ainsi décidé de poursuivre les re-
cherches concernant la modélisation des transistors IGBTs dans le cadre
d’un travail de doctorat.

Je remercie le Professeur Alfred Rufer, directeur de thèse, pour son sou-

tien, son encadrement et sa confiance pendant ces cinq dernières années,
dont trois consacrées à ce travail de thèse.

Je remercie tous mes collègues du laboratoire, et en particulier Philippe

Barrade, Marc Nicollerat, Sébastien Mariéthoz et Félix Grasser pour leur
aide précieuse.

Merci à Friedhelm Bauer et Nando Kaminski, de ABB Semiconductor à

Lenzburg, pour leur soutien technique et leurs conseils avisés.

Un grand merci à Michel Pilet pour sa correction du manuscrit.

Et finalement un grand merci à ma famille, à ma femme Huanyu, à mes

enfants Raphaël et Elodie pour avoir supporté mes doutes et mes angoisses
durant ces trois années de thèse.
 v

Résumé

Le transistor IGBT, associant les avantages en conduction du transis-

tor bipolaire et les avantages en commutation du transistor MOSFET, est
largement utilisé pour les applications de moyenne et forte puissance avec
des tensions d’alimentation comprises entre 600V et 4.5kV. De nouvelles
topologies, permettant une diminution des pertes dans les éléments se-
miconducteurs, sont régulièrement proposées et doivent être validées par
simulation. Les simulateurs par éléments finis (FEM) permettent une ana-
lyse précise et fiable des pertes dans un composant, mais nécessitent un
temps de calcul trop important pour pouvoir être utilisés par les électro-
niciens de puissance lors de la validation de circuits complexes.

Un macromodèle équivalent du transistor prédisant de manière correcte

les courants et tensions à ses bornes pour un temps de calcul réduit est
alors nécessaire. On propose dans ce travail de thèse un modèle complet
d’IGBT, entièrement basé sur une analyse de physique des semiconduc-
teurs et validé par une comparaison avec des résultats de simulation par
éléments finis. Ce modèle donne de très bons résultats quel que soit le
type de sollicitation imposée au transistor et le point de fonctionnement
étudié.

La conduction de la base est modélisée par une approche de charge équi-

valente novatrice, permettant une représentation précise des phénomènes
statiques et dynamiques avec un macromodèle équivalent relativement
simple. La méthode de résolution des équations de Poisson a été revue
pour mieux correspondre aux évolutions récentes de la structure interne
des IGBTs. Toutes les approximations et hypothèses ont été validées par
une série appropriée de simulation par éléments finis.
vi Résumé

L’approximation du MOSFET interne, bien que basée sur des modèles

existants, a été entièrement réévaluée pour tenir compte de ses spécifici-
tés. On met en évidence une dégénérescence complète des propriétés du
MOSFET interne d’un IGBT par rapport aux propriétés d’un MOSFET
standard, due au faible dopage de sa zone de drain et au gradient de po-
tentiel dans son substrat, et ce quel que soit le point de fonctionnement
étudié.

L’utilisation de potentiels intermédiaires, situés à l’intérieur de la struc-

ture semiconductrice a d’abord permis d’étudier et de valider séparément
les propositions faites pour chacune des différentes parties de la structure.
Un macromodèle complet a finalement été développé pour vérifier son
comportement dans divers types de circuits d’électronique de puissance.
Les résultats obtenus sont très satisfaisant quel que soit le type de circuit
dans lequel le modèle de transistor IGBT est testé. La routine d’extrac-
tions des paramètres peut facilement être automatisée sous un logiciel
mathématique tel que Matlab et nécessite relativement peu de mesures
préalables. On peut ainsi aisément transposer les résultats obtenus ici à
n’importe quel transistor IGBT.
 vii

Abstract

The IGBT transistor, associating the conduction advantages of the bi-

polar transistor and the switching advantages of the MOSFET transistor,
is widely used in medium and high power applications with an operating
voltage of 1.2kV to 4.5kV. New topologies, reducing the losses in the semi-
conductor devices, are often proposed and have to be validated through a
simulation tool. The finite element method (FEM) simulators accurately
analyse losses in components, but the associated simulation time is so long
that they cannot be used for complex topologies in power electronics.

An equivalent transistor macromodel, correctly and quickly predicting

currents and voltages on the element is needed. This thesis proposes an
IGBT transistor model based on semiconductor physics and validated
through a comparison with finite element simulator results. The model
yields very good results regardless of transistor load and operating point.

Base conduction is modelled using a novel equivalent charge approach.

This results in a relatively simple macromodel with a good representation
of the static and dynamic phenomena. The solving method of the Poisson
equation has been revisited to fit recent changes of the internal structure
of IGBT transistors. All approximations have been validated through fi-
nite element analysis using an appropriate simulation set.

The approximation of the internal MOSFET, even though based on exis-

ting models, takes into account the specificities of the IGBT transistor
structure. It shows the degenerated properties of the internal MOSFET
compared to the properties of a standard MOSFET, regardless of the ope-
viii Abstract

rating point.

Using intermediate potentials within the semiconductor structure allows a

separate analysis of the different voltage contributions. A complete IGBT
transistor macromodel has been developed and tested in different power
electronics structures. Good results were obtained in all the tested struc-
tures with the proposed IGBT transistor macromodel. Parameter extrac-
tion can easily be automated using a mathematical tool such as Matlab
and only requires few measurements on the device. The obtained results
can then be quickly adapted to an other IGBT device.
 ix

Table des matières

1 Introduction, contexte et état de l’art 1

1.1 Electronique de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1.1 Généralités sur la conversion . . . . . . . . . . . . 3
1.2 L’interrupteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.2.1 La diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.2.2 Le thyristor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.2.3 Le thyristor blocable (GTO) . . . . . . . . . . . . 10
1.2.4 Le transistor bipolaire . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.2.5 Le transistor MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.2.6 L’IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.2.7 Récapitulatif . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.3 Commutation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.3.1 Commutation sur charge inductive . . . . . . . . . 14
1.3.2 Manoeuvres de commutation . . . . . . . . . . . . 15
1.3.3 Commutation réelle et pertes . . . . . . . . . . . . 18
1.3.4 Calcul de rendement . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.3.5 Circuits d’aide à la commutation . . . . . . . . . . 20
Aide à l’enclenchement . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Aide au déclenchement . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.3.6 Autres méthodes de réduction des pertes en com-
mutation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
1.4 Modélisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
1.4.1 Méthodes numériques . . . . . . . . . . . . . . . . 22
1.4.2 Familles de modèles et modélisation du transistor
IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
x Table des matières

1.5 Objectifs de la thèse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

2 Eléments semiconducteurs de puissance 31

2.1 Le transistor MOSFET de puissance . . . . . . . . . . . . 32
2.2 Le transistor MOSFET à super-jonction . . . . . . . . . . 33
2.3 Le transistor IGBT Non-Punch-Through . . . . . . . . . . 34
2.4 Le transistor IGBT PT (Punch Through) . . . . . . . . . 37
2.5 Le transistor IGBT à champ limité (Field Stop) . . . . . . 38
2.6 Le transistor IGBT avec grille en tranchée . . . . . . . . . 39
2.7 Choix d’une technologie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

3 Manoeuvre d’enclenchement pour un transistor IGBT 41

3.1 Blocage du transistor IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3.2 L’enclenchement du transistor IGBT . . . . . . . . . . . . 42
3.3 Comportement idéalisé . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.3.1 Délai d’enclenchement . . . . . . . . . . . . . . . . 45
3.3.2 Montée du courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.3.3 Chute de la tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
3.3.4 Conduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
3.4 Influence des éléments et phénomènes parasites internes et
externes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
3.4.1 Recouvrement inverse dans la diode de roue libre . 49
3.4.2 Capacité parasite du transistor IGBT . . . . . . . 50
3.4.3 Capacité parasite de la charge . . . . . . . . . . . . 52
3.4.4 Inductances parasites séries du circuit . . . . . . . 52
3.4.5 Inductance parasite du transistor IGBT . . . . . . 53
3.4.6 Eléments parasites du driver . . . . . . . . . . . . 54
3.4.7 Traînée en tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
3.4.8 Difficultés liées aux mesures . . . . . . . . . . . . . 55

4 Analyse physique des phénomènes 57

4.1 Description physique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
4.2 Chute de tension sur le canal du transistor MOSFET interne 58
4.3 Chute de tension non régulière sur la base . . . . . . . . . 60
4.3.1 Accumulation de charges dans le chemin préférentiel 61
4.3.2 Accumulation de charges dans le chemin secondaire 63
4.3.3 Accumulation de charges dans la zone de drain . . 64
Table des matières xi

4.3.4 Analyse physique de la mise en conduction . . . . 65

4.4 Chute de tension sur la jonction collecteur-base . . . . . . 66
4.5 Des phénomènes physiques aux grandeurs électriques cal-
culées . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66

5 Etude comportementale - simulations 69

5.1 GENESISe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
5.2 Modèle 2D pour transistor IGBT . . . . . . . . . . . . . . 71
5.2.1 Comportement statique du modèle 2D . . . . . . . 73
5.2.2 Extraction d’une approximation comportementale
statique en conduction . . . . . . . . . . . . . . . . 75
Approximation par la méthode des moindres carrés 76
Modélisation statique de la jonction base-collecteur 77
Modélisation statique du canal MOS . . . . . . . . 80
Modélisation statique de la base . . . . . . . . . . 87
5.2.3 Réponse à un saut de courant . . . . . . . . . . . . 99
Modélisation dynamique de la jonction base-collecteur 99
Modélisation dynamique du canal MOS . . . . . . 100
Modélisation dynamique de la base . . . . . . . . . 103
5.2.4 Zone de déplétion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
Zone de déplétion pour un transistor IGBT NPT . 112
Zone de déplétion pour un transistor IGBT PT . . 114
Comportement dynamique de la zone de déplétion 115

6 Macromodèle 117
6.1 Polarisation inverse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
6.2 Modélisation de la jonction collecteur-base . . . . . . . . . 119
6.3 Modélisation de la chute de potentiel sur le canal MOS . . 121
6.4 Modélisation de la chute de potentiel sur la base . . . . . 123
6.5 Modélisation de la zone de déplétion . . . . . . . . . . . . 125

7 Vérification du macromodèle proposé 127

7.1 Simplorer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
7.2 Vérification du comportement statique . . . . . . . . . . . 128
7.3 Vérification du comportement dynamique - Réponse à un
saut de courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
xii Table des matières

7.4 Vérification du comportement dynamique - Commutation

dure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
7.5 Tension collecteur-émetteur abaissée par un circuit d’aide
à la commutation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
7.6 Limites du macromodèle proposé . . . . . . . . . . . . . . 139
7.6.1 Traînée de courant au déclenchement . . . . . . . . 139
7.6.2 Traînée de courant en mode résonnant ZCS . . . . 139

8 Conclusions 141

Annexe 145

A 145
A.1 Fichier de dopages pour IGBT 1,2kV . . . . . . . . . . . . 145
A.2 Fichier de simulation mixte Dessis . . . . . . . . . . . . . 147

Bibliographie 149

Glossaire 155
 1

Chapitre 1

Introduction, contexte et
état de l’art

L’utilité des circuits d’électronique de puissance pour la réalisation

de convertisseurs de tension et de courant ou de commandes de moteurs
n’est plus à démontrer. Les méthodes utilisées en électronique conven-
tionnelle, basées sur des éléments passifs ou des transistors en régime
linéaire, génèrent des pertes inacceptables dans la plupart des applica-
tions de moyenne et de haute tension. Les systèmes pulsés permettent
des transferts de puissance sous diverses formes, tels que la conversion de
tension continue-alternative ou la conversion de fréquence, avec des ren-
dements proches des limites idéales.
L’élément clé de la conversion est l’interrupteur statique qui va permettre,
en interrompant ou non le transfert d’énergie entre les divers éléments du
circuit, de gérer les valeurs moyennes des courants et des tensions. Il subit
de fortes contraintes et est responsable de la plus grande partie des pertes,
que ce soit lors des commutations ou quand il est en état de conduction.
On comprend facilement l’attention toute particulière qu’il mérite. Les
interrupteurs, basés sur les propriétés mixtes de blocage et de conduc-
tion des dispositifs à semiconducteur, sont en constante évolution. Depuis
plusieurs années le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) s’est imposé
comme une alternative efficace au transistor bipolaire (BJT), au transistor
à effet de champ (MOSFET) et au thyristor commandable à l’ouverture
2 Chapitre 1. Introduction, contexte et état de l’art

(GTO) dans les applications de moyenne puissance et de moyenne ten-

sion. Les récentes améliorations dans la tenue en tension et en courant
des transistors IGBTs les rendent également utilisables dans certaines ap-
plications de haute tension.
En parallèle aux recherches technologiques visant une amélioration des élé-
ments semiconducteurs, de nombreuses variantes de circuits permettant
une diminution des pertes sont proposées. Pour accélérer les comparai-
sons entre diverses topologies, les électroniciens de puissance ont besoin
de modèles informatiques performants permettant de vérifier le bon fonc-
tionnement des circuits et d’en estimer le rendement. Les simulateurs par
éléments finis donnent de très bons résultats, mais ne conviennent pas à la
plupart des utilisateurs parce qu’ils nécessitent des donnés précises sur la
structure semiconductrice, sont difficiles à mettre en oeuvre et nécessitent
des temps de calculs élevés. Depuis l’invention des transistors IGBTs en
1982 plus de cinquante modèles ont été proposés [1]. Pour une utilisation
dans les outils de simulation de circuits, différentes méthodes et approches
sont utilisées pour obtenir une représentation fidèle du comportement des
transistors IGBTs lors des simulations, mais avec un temps de calcul li-
mité.
Dans ce travail de thèse on se propose d’expérimenter une nouvelle ap-
proche résistive du comportement du transistor IGBT, liée à une notion de
densité d’électrons équivalente, pour obtenir de bons résultats de simu-
lation à l’enclenchement, autant en commutation dure qu’avec d’autres
méthodes (ZVS, snubbers, circuits résonnants,...), et pour un temps de
calcul réduit.

Ce chapitre reprend un ensemble de connaissances de base nécessaires à

la compréhension des objectifs de cette thèse. Quelques notions d’électro-
nique de puissance introduisent naturellement l’utilisation d’interrupteurs
de type semiconducteur. Les particularités des différents types d’éléments
commandables permettent de déterminer le champ d’application des tran-
sistors IGBT. Une description des phénomènes de commutation et des
pertes qui y sont associées montrera la nécessité d’un modèle de transis-
tor IGBT très précis pour l’analyse thermique d’un circuit. On traitera
également de généralités sur la modélisation permettant de justifier de la
représentation sous forme de macromodèle.
1.1. Electronique de puissance 3

1.1 Electronique de puissance

Le terme d’électronique est générique puisque il regroupe en fait plu-
sieurs domaines, dans lesquels les techniques mises en oeuvre sont radica-
lement différentes.
On peut considérer deux champs d’application principaux [2]:
- l’électronique de traitement du signal qui utilise des variations élec-
triques pour traiter de l’information,
- l’électronique de puissance qui utilise des variations électriques pour
transmettre de l’énergie.
L’électronique de puissance n’est en fait que la partie "hardware" [3] d’une
discipline plus générale appelée électronique industrielle. Cette dernière
comporte également une partie dite de réglage et de commande assurant
la mise en forme de l’énergie transférée [4] [5] [6]. Si les puissances mises
en jeu dans l’électronique de réglage ne dépassent que rarement quelques
fractions de Watts, elles peuvent dépasser la limite du GigaWatt en élec-
tronique de puissance. Il s’agit en général de transformer une source de
tension ou de courant quelconque (par exemple la tension du réseau al-
ternatif) en une source de nature différentes (par exemple une source de
courant continue pour un chargeur de batteries) [7] [8]. La plupart de
ces transformations sont implémentables à l’aide de circuits électroniques
conventionnels mais aux prix de pertes importantes. Alors que l’on peut
se permettre un kilogramme de refroidisseurs pour un ampli audio classe
A haute fidélité, il est évidemment impensable de devoir dissiper 1MW
sous forme de chaleur pour alimenter le moteur d’une locomotive.

L’idée générale des circuits de puissance est de n’utiliser les transistors que
dans leurs modes bloqués ou passants et non dans leurs caractéristiques
linéaires; c’est à dire comme des interrupteurs idéaux. On pourra alors
nettement améliorer le rendement (proche de 100%) au prix d’une dégra-
dation du signal de sortie (ajout d’harmoniques). Cette dernière peut être
minimisée par l’utilisation de méthodes et de filtres adéquats.

1.1.1 Généralités sur la conversion

La conversion en électronique de puissance permet de transformer une
source quelconque (de tension ou de courant, continue ou alternative,
4 Chapitre 1. Introduction, contexte et état de l’art

monophasée ou polyphasée) en une autre source quelconque avec un mi-

nimum de pertes. Quelle que soit la méthode de conversion utilisée, le
principe de fonctionnement est le même. La valeur de sortie est obtenue
en connectant séquentiellement la charge au moyen d’interrupteurs sur les
différentes valeurs disponibles en entrée de manière à obtenir par moyen-
nage la valeur de sortie désirée.

Lors de la conversion continue-continue, on commute périodiquement entre

deux (ou plus) niveaux de tension constants (figure 1.1).

u
U1
t1
t2

Umed
U2
t

Fig. 1.1 – Représentation schématique de la conversion

continue-continue.

Avec la durée t1 où reste enclenché le niveau U1 et la durée t2 où le

niveau U2 reste enclenché, on obtient la valeur moyenne de la tension
continue
U1 t1 + U2 t2
Umed = (1.1)
t1 + t 2
On peut ainsi varier la valeur moyenne de la tension Umed en intervenant
sur les durées d’enclenchement t1 et t2 .

Pour simplifier l’écriture on introduit les notions de période Tp et de fré-

quence de pulsation fp
1
Tp = = t 1 + t2 (1.2)
fp
ainsi que la notion de rapport cyclique D
t1 t1
D= = (1.3)
t1 + t2 Tp
1.1. Electronique de puissance 5

On peut généraliser l’équation 1.1 pour un nombre n de tensions continues

enclenchées séparément pendant des durées tn
U1 + U2 + ... + Un
Umed = et Tp = t1 + t2 + ... + tn (1.4)
t1 + t2 + ... + tn
Il est évident que la notion de rapport cyclique ne peut alors plus inter-
venir.

Cette méthode introduit une ondulation de forme rectangulaire très pro-

noncée qui se superpose à la valeur moyenne. Sa valeur crête à creux est
de Û = U1 U2 et sa fréquence fp . Elle pourra toutefois être nettement
diminuée par un filtre LC adéquat (un filtre RC ou RL serait dissipatif!).

On peut également appliquer cette méthode dans le cas d’une tension

uin (t) quelconque pour autant que les variations de uin soient faibles pen-
dant une période de pulsation Tp . On peut alors réaliser la fonction géné-
rale uout (t) = D · uin (t).

Pour la conversion alternative-continue, on commute périodiquement entre

des secteurs sinusoïdaux appartenant à un système alternatif polyphasé.
On a le plus souvent 2, 3 ou 6 phases, déphasées de respectivement 180,
120 et 60 degrés.

En général toutes les phases sont commandées de manière similaire. On

définit l’angle ↵ = 0 pour une phase au point où celle-ci devient supérieure
à toutes les autres. Avec p le nombre de portions de sinusoïde par période
de la tension redressée, appelé indice de pulsation, on trouve la valeur
moyenne de la tension en passant par le calcul intégral. En variant l’angle
↵ on fait varier la valeur moyenne de la tension continue, qui devient
négative pour ↵ > ⇡/2. On remarque également une ondulation dont la
fréquence vaut p fois la fréquence du réseau d’alimentation polyphasé.

Pour la conversion continue-alternative La méthode la plus simple est de

commuter alternativement entre les trois niveaux constants 0, +U et -U.
On obtient ainsi une tension alternative variant par gradins dont l’onde
fondamentale peut être déterminée par une analyse en série de Fourier. On
peut ainsi contrôler la tension alternative en fréquence et en amplitude.
Cette méthode permet de facilement atteindre des fréquences élevées mais
génère beaucoup d’harmoniques impairs.
6 Chapitre 1. Introduction, contexte et état de l’art

On peut également utiliser une méthode proche de celle utilisée en conver-

sion continue-continue. Pour autant que la fréquence de pulsation soit
beaucoup plus élevée que la fréquence du signal que l’on souhaite pro-
duire, on peut faire varier sinusoïdalement le rapport cyclique et obtenir
une valeur moyenne de forme sinusoïdale. On parle alors de moyenne glis-
sante. Cette méthode a l’avantage de ne produire que des harmoniques
multiples entiers de la fréquence de pulsation. Pour une fréquence de pul-
sation fp tendant vers l’infini, la forme d’onde générée devient presque
parfaite. On parle alors de modèle pseudo-continu.

La conversion alternative-alternative à fréquence variable permet de gé-

nérer une tension alternative directement à partir d’un réseau polyphasé.
La méthode est similaire à celle utilisée en conversion alternative-continue
mais avec cette fois un angle ↵ variant sinusoïdalement. Cette méthode
n’est évidemment applicable que si la fréquence de sortie est très infé-
rieure à la fréquence du réseau d’alimentation. L’utilisation principale est
la création de l’alimentation monophasée 162/3 Hz à partir du réseau tri-
phasé 50Hz.
Dans la plupart des autres applications, il sera nécessaire d’utiliser un
étage intermédiaire continu.

1.2 L’interrupteur
L’élément clé de l’électronique de puissance est l’interrupteur qui per-
mettra d’appliquer telle ou telle source sur la charge selon la méthode
choisie. C’est un élément commandable n’existant sous sa forme idéalisée
que dans une implémentation mécanique qui n’est pas compatible avec
des changements d’état répétés. L’interrupteur possède un état enclenché
on (fermé) pendant lequel la tension à ses bornes est nulle quel que soit
le courant le traversant et un état déclenché of f (ouvert) pendant lequel
le courant le traversant est nul quelle que soit la tension à ses bornes.
⇢
U =0 on
(1.5)
I=0 of f
Les réalisations par semiconducteurs d’interrupteurs ne remplissent en
général que partiellement les conditions posées précédemment. Les com-
posants semiconducteurs sont réalisés sur une substrat de silicium. Des
1.2. L’interrupteur 7

i
P<0 P>0 on
off
u
P>0 P<0

Fig. 1.2 – Représentation symbolique et caractéristique

d’un interrupteur.

structures particulières sont obtenues par des implantations de Bore (p)

et de Phosphore (n). Le Gallium et l’Arsenic sont aussi parfois utilisés.
On distinguera principalement
- les éléments non commandables (diodes),
- les éléments commandables à la fermeture (thyristors, triacs),
- les éléments commandables à la fermeture et à l’ouverture (transis-
tors bipolaires, MOSFETs, IGBTs, GTOs).
Le comportement à l’enclenchement, au déclenchement et en régime de
conduction varie notablement selon le type d’interrupteur semiconducteur
utilisé. Le comportement réel d’un interrupteur prend une forte impor-
tance au sens du bilan énergétique résultant de la somme des pertes en
commutation et des pertes en conduction. Si la modélisation du semicon-
ducteur sous la forme d’un interrupteur idéal est souvent suffisante pour
valider le principe de fonctionnement d’un circuit, une modélisation très
précise du semiconducteur, valable pour tous les types de sollicitations,
est nécessaire pour en évaluer le rendement.

1.2.1 La diode
La diode est un élément redresseur non commandable constitué d’une
simple jonction pn. Cette dernière crée une barrière de potentiel de l’ordre
de 0.6 à 1V pour les composants de forte puissance qui empêche le transit
des électrons de la région n à la région p.
8 Chapitre 1. Introduction, contexte et état de l’art

A i
UAC

u
C

Fig. 1.3 – Représentation symbolique et caractéristique

d’une diode réelle.

Il faut appliquer une tension dans le sens direct du même ordre pour
annuler cette barrière de potentiel et permettre le passage d’un courant.
✓ ◆
UAC
I = Is · exp (1.6)
nuT
que l’on simplifie souvent en introduisant un terme de tension sur la jonc-
tion Uj pour des courants importants.
⇢
I=0 ; UAC  0
(1.7)
UAC = Uj ;I > 0

Toute augmentation de la tension dans le sens indirect tend à augmenter

la hauteur de la barrière de potentiel. Un très faible courant traverse tou-
tefois la diode polarisée en inverse par des effets statistiques et relativistes.
Au-delà d’une certaine tension inverse les champs électriques deviennent
trop intenses et on a une rupture par avalanche de la jonction. Un courant
inverse peut alors passer.

Si la mise en conduction de la diode peut souvent être considérée comme

instantanée, le blocage comporte des phénomènes transitoires très désa-
gréables. Des charges sont accumulées dans la diode lors de la conduction
en fonction du courant qui la traverse. Ces charges doivent être évacuées
avant que la diode ne puisse vraiment bloquer et un courant inverse est
nécessaire pendant un certain temps avant le blocage effectif de la tension.
On parle alors de recouvrement inverse dans la diode caractérisé par un
temps de recouvrement trr et une pointe de courant inverse Irr . Le taux
de décroissance di/dt du courant depuis la conduction jusqu’à la pointe
1.2. L’interrupteur 9

inverse Irr ne dépend pas de la diode mais des composants qui l’entoure.
La diode doit être dimensionnée de sorte à limiter le di/dt lors du re-
tour à courant nul après le passage par Irr afin d’éviter des surtensions
dommageables sur les inductances parasites.

1.2.2 Le thyristor
Le thyristor est un élément semiconducteur commandable à la ferme-
ture constitué de quatre couches pnpn en série.

A A i on
pnp off
G
npn
G u
C C

Fig. 1.4 – Représentation symbolique et caractéristique

d’un thyristor.

Pour l’étude de son fonctionnement, on considère deux transistors pnp

et npn se partageant la jonction centrale du thyristor. Lorsque une impul-
sion positive est appliquée sur la gâchette (base du transistor npn) et que
la tension aux bornes de l’élément UAC est positive, un courant se met
à circuler dans le transistor npn. Ce courant devient le courant de base
du transistor pnp, engendrant un important courant de collecteur pour
ce transistor. Ce dernier courant est alors lui-même courant de base du
transistor npn et ainsi de suite. On parle ainsi d’allumage ou d’amorçage
du phénomène de multiplication du thyristor. Le thyristor ne se bloque
que lorsque le courant le traversant est nul et que la tension UAC est
maintenue négative pendant suffisamment de temps (10 à 100µs) pour
que toutes les charges soient évacuées ou recombinées.

Lors du blocage, le thyristor présente un recouvrement inverse similaire à

celui de la diode.
10 Chapitre 1. Introduction, contexte et état de l’art

1.2.3 Le thyristor blocable (GTO)

Le thyristor GTO est une élément à quatre couches pnpn similaire à
un thyristor. Certaines modifications dans la structure du thyristor per-
mettent de provoquer l’extinction en déviant le courant d’anode vers la
gâchette pendant un court instant. Le dimensionnement du driver sera
assez compliqué, mais pour des tensions de blocage de plusieurs kV, les
réductions possibles au niveau des transformateurs en valent la peine. Le
GTO a perdu la tenue en tension inverse du thyristor. On peut compenser
ce fait en ajoutant une diode en série lorsque cela est nécessaire.

1.2.4 Le transistor bipolaire

Le transistor bipolaire de puissance est un élément commandable à
la fermeture et à l’ouverture constitué de trois couches npn ou pnp en
série. C’est un élément bipolaire puisque la conduction est assurée par les
porteurs majoritaires et minoritaires.

C i on
B off

u
E

Fig. 1.5 – Représentation symbolique et caractéristique

d’un transistor bipolaire.

C’est un élément commandé en courant que l’on utilise autant que pos-
sible dans ses zones de blocage et de saturation. Le courant de collecteur
étant proportionnel au courant de base, un courant nul dans la base assure
un blocage du transistor alors qu’un courant suffisant assure sa mise en
saturation. L’effet de saturation ne doit toutefois pas être trop prononcé
et il est nécessaire d’adapter le courant de base en fonction du courant
de collecteur désiré. Le transistor est à priori symétrique et devrait être
capable de bloquer des tensions positives et négatives. Toutefois des dif-
férences de dopage entre le collecteur et l’émetteur sont nécessaires pour
1.2. L’interrupteur 11

minimiser les pertes en saturation et la tenue de tensions négatives s’en

trouve réduite.

L’ouverture et la fermeture de composant peuvent être simplement mo-

délisées par des délais de commutation et retards de (dé-)croissance. Il
est conseillé d’appliquer un courant négatif sur la base pour accélérer le
blocage du transistor.

La commande en courant n’est pas très pratique à utiliser, surtout lors

de commande par DSP et le transistor bipolaire a tendance à disparaître
dans son utilisation en tant qu’interrupteur.

1.2.5 Le transistor MOSFET

Le transistor MOSFET de puissance est un composant unipolaire pour
lequel la conduction est assurée par les porteurs majoritaires. Sa struc-
ture semiconductrice est un peu plus compliquée, bien que basée sur une
structure npn. L’application d’un potentiel (typ. 15V) sur la grille géné-

S i
on
G off
Rg
u
D

Fig. 1.6 – Représentation symbolique et caractéristique

d’un transistor MOSFET.

ralement planaire permet le transit d’électrons dans un canal directement

entre les deux couches n. Le drain est vertical pour mettre des tenues
en tension élevées. La diode en anti-parallèle fait partie intégrante de la
structure du MOSFET. La grille du MOSFET étant essentiellement ca-
pacitive, une résistance Rg est indispensable pour limiter le courant lors
des variations de la tension de commande.

Ne comportant pas d’accumulation interne de charge, le MOSFET peut

12 Chapitre 1. Introduction, contexte et état de l’art

commuter très rapidement. On peut simplement caractériser les change-

ment d’état par un retard et un temps de transition. Ce composant est
idéal pour de faibles tension mais devient très dissipatif lorsqu’il doit blo-
quer des tensions importantes.

1.2.6 L’IGBT
Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) combine un transistor
bipolaire pnp et un MOSFET, profitant ainsi partiellement des avantages
de chacun, respectivement faibles pertes en conduction et rapidité.

C i on
G off
Rg
u
E

Fig. 1.7 – Représentation symbolique et caractéristique

d’un transistor IGBT.

L’IGBT conserve la simplicité de commande en tension du MOSFET.

Son régime transitoire est proche de celui du MOSFET, augmenté d’effets
d’accumulation de charge (traînée de courant) due à la composante de
courant des porteurs minoritaires.

1.2.7 Récapitulatif
Le choix d’un composant sera en général dicté par le mode de com-
mande souhaité, la tension de blocage nécessaire, la fréquence de commu-
tation désirée et dans une moindre proportion, du courant à conduire. On
trouve encore des différences pour un type de composant selon un point
de fonctionnement donné (blocage, rapidité).
1.3. Commutation 13

Composant Com- Blocage Pertes en Pertes en fp

mande conduction commuta- maxi-
tion mal
Diode non >10kV faibles nulles élevée
Thyristor on >10kV faibles élevées <1kHz
Bipolaire on/off 1.2kV faibles élevées 10kHz
MOSFET on/off 600V élevées faibles 250kHz
IGBT on/off 4.5kV moyennes moyennes 50kHz
GTO on/off >10kV faibles élevées <1kHz

Il s’agit ici de valeurs habituelles pour des éléments commercialisés. On

peut très bien réaliser un transistor MOSFET permettant de bloquer plu-
sieurs kiloVolts avec des commutations très rapides en adaptant ses ni-
veaux de dopage et ses dimensions. Mais sa résistance à l’état passant
devient alors tellement grande que l’usage de ce transistor en conduc-
tion n’a plus aucun sens. Le courant admissible par un tel composant ne
pourrait pas dépasser quelques fractions d’ampère pour qu’il soit possible
d’évacuer thermiquement la chaleur issue des pertes en conduction. Ainsi
ce que l’on gagne en blocage, on le perd en conduction ou en commuta-
tion.

Les structures à grille isolée permettent une commande en tension indé-

pendante du courant circulant dans la partie de puissance du transistor.
Le système d’alimentation de la grille (driver) en est réduit au strict mini-
mum. Les transistors IGBTs et MOSFETs sont ainsi facilement comman-
dables à l’ouverture et à la fermeture. Ils couvrent une gamme importante
de tensions avec des vitesses de commutation élevées et sont largement
utilisés.

1.3 Commutation
On associe à l’interrupteur la notion de commutation, représentant les
mécanismes transitoires de passage entre les états d’enclenchement et de
déclenchement.
14 Chapitre 1. Introduction, contexte et état de l’art

1.3.1 Commutation sur charge inductive

La commutation d’une cellule sur charge inductive peut être analysée
au travers du montage abaisseur représenté à la figure 1.8. On ne s’occupe
que du fonctionnement de la source de courant (inductance L) nécessaire
pour relier les deux source de tension entre elles.

I+
US+
S+ D+
UL
+
noeud IL
Vin central
L
+
S- D-
US- Vout

I-

Fig. 1.8 – Cellule de commutation sur charge inductive.

Les conditions électriques découlant de la structure utilisée sont les

suivantes:
1. Vin 2Uj à cause des diodes D+ et D en série avec la source
d’entrée.
2. Vout  Vin + Uj pour qu’un régime stationnaire avec un courant
constant dans l’inductance soit possible.
3. Uj  US  Vin + Uj à cause des diodes D+ et D . Le poten-
tiel sur le noeud central US dépend de l’état de conduction des
transistors et des diodes.
4. Vin = US+ + US Lemme de Kirchhoff sur la maille de gauche.
5. US = Vout + L · dIL /dt Lemme de Kirchhoff sur la maille de droite.
6. IL = I+ + I Lemme de Kirchhoff sur le noeud central.
1.3. Commutation 15

1.3.2 Manoeuvres de commutation

On différencie les commutations douces et dures selon les conditions
initiales de courant dans l’inductance. L’ensemble des possibilités sont
résumées sur la figure 1.9. Si le courant dans l’inductance varie entre
deux commutations selon la tension appliquée (équation caractéristique de
l’inductance UL = LdIL /dt), il ne varie pas pendant la commutation (dt
trop petit pour que la variation de courant soit significative). Le transistor
S reste constamment déclenché.
- temps<T1: Aucun courant ne circule dans l’inductance. Tous les
transistors et diodes sont bloqués. Sans variation de courant, il ne
peut pas y avoir de chute de tension sur l’inductance et le potentiel
sur le noeud central est égal au potentiel de la tension de sortie.
- temps=T1: Enclenchement de S+. On établit un court-circuit entre
la tension d’alimentation Vin et le noeud central. Au niveau de la
commutation il n’existe aucun chemin pour un éventuel courant I+
positif (S et D bloqués, pas de variation de courant possible
dans l’inductance). La tension aux bornes de S+ doit donc forcé-
ment s’annuler et le potentiel du noeud central rejoint la tension
d’alimentation.
- T1<temps<T2: L’interrupteur S+ est maintenu dans un état en-
clenché. La tension à ses bornes reste très faible et on applique une
tension UL positive sur l’inductance. Le courant augmente alors se-
lon l’équation caractéristique de l’inductance.
dIL IL UL Vin Vout
= = = >0 (1.8)
dt t L L
Théoriquement, et sans considérer la présence d’éléments résistifs, le
courant peut augmenter indéfiniment si l’on n’applique pas d’ordre
de déclenchement à l’interrupteur S+.
- temps=T2: On donne alors une ordre de déclenchement à l’inter-
rupteur S+ et le courant I+ chute instantanément. L’inductance
cherche alors à appliquer une tension
IL IL
UL = L =L = 1 (1.9)
t 0
selon son équation caractéristique. Le potentiel du noeud intermé-
diaire a donc tendance à chuter très rapidement. Lorsqu’il atteint un
16 Chapitre 1. Introduction, contexte et état de l’art

niveau négatif de Uj la diode D peut instantanément conduire

le courant IL circulant dans l’inductance et un nouvel état stable
est atteint. On parle d’amorçage spontané de la diode. La tension
sur l’inductance UL n’ayant pas atteint de valeur infiniment néga-
tive, le courant n’a pas pu décroître dans l’inductance pendant la
commutation.
- T2<temps<T3: Tant qu’un courant circule dans la diode, le po-
tentiel du noeud central doit rester à Uj . On applique alors une
tension négative UL = Vout Uj sur l’inductance et le courant
diminue selon l’équation caractéristique de l’inductance.

dIL IL UL Vout Uj
= = = <0 (1.10)
dt t L L
Le courant peut décroître indéfiniment (également dans les valeurs
négatives si S est enclenché) tant qu’un chemin est possible ou que
l’on ne modifie pas le circuit par un ordre sur un interrupteur.
- temps=T3: On enclenche à nouveau l’interrupteur S+, dont le cou-
rant S+ augmente très rapidement (court-circuit sur le noeud cen-
tral à Uj ). Le courant IL ne pouvant pas varier le courant chute
également rapidement dans la diode D . Lorsque le courant I+ a
atteint la valeur IL circulant dans l’inductance le courant dans la
diode D est nul et elle peut bloquer. Le potentiel du noeud central
peut alors rejoindre celui de l’alimentation pour annuler la tension
US+ .
- T3<temps<T4: Comportement identique à celui de T1<temps<T2.
- temps=T4: Commutation identique à celle de temps=T2.
- T4<temps<T5: Comportement identique à celui de T2<temps<T3.
- temps=T5: Blocage naturel de la diode D . Lorsque le courant
s’annule dans la diode il n’existe plus de chemin pour un courant
négatif dans l’inductance. Le potentiel sur le noeud central devient
flottant et peut donc remonter à Vout , condition nécessaire pour
un courant constant nul dans l’inductance. On remarquera que si
l’interrupteur S est enclenché au moment du passage par zéro
du courant dans l’inductance, le potentiel du noeud intermédiaire
est maintenu à la masse du circuit et le courant doit continuer à
décroître (dans les valeurs négatives) dans l’inductance.
1.3. Commutation 17

T1 T2 T3 T4 T5
on
S+ temps
off

T1 T2 T3 T4 T5

Vin-
Vout

0
IL
UL

temps
-Vout

T1 T2 T3 T4 T5

Vin

Vin-
Vout
I+
US+
temps

T1 T2 T3 T4 T5

Vin

Vout

I-
US-

temps

Fig. 1.9 – Différentes commutations possible.

18 Chapitre 1. Introduction, contexte et état de l’art

Toutes les commutations sont dites dures sur l’interrupteur (déclenche-

ments forcés pour un thyristor) et spontanées pour la diode, sauf au temps
T 1 où l’enclenchement se fait à courant nul.
L’analyse est similaire si seul l’interrupteur S est commandé, mais avec
des valeurs négatives de courant.

1.3.3 Commutation réelle et pertes

Lorsque l’on étudie le fonctionnement d’un convertisseur on considère
les phénomènes d’ouverture et de fermeture des interrupteurs comme quasi
instantanés. Pour l’enclenchement cela revient à dire que la tension chute
immédiatement à sa valeur de conduction (proche de zéro) et que le cou-
rant atteint immédiatement dans l’interrupteur la valeur du courant cir-
culant au même moment dans l’inductance principale du circuit (figure
1.10).

Courant dans
Courant dans Tension sur l'interrupteur
l'interrupteur l'interrupteur

Courant dans
enclenchement

la diode

déclenchement
enclenchement

déclenchement

Courant dans Tension sur

l'inductance l'interrupteur

0 temps 0
Conduction temps

tri tfv trv tfi

Fig. 1.10 – Commutation Fig. 1.11 – Commutation

idéale. réelle.

Pour les interrupteurs réels, la transition de l’état enclenché à l’état dé-

clenché ne peut se faire sans transiter par une caractéristique linéaire. Le
taux de variation du courant dans l’interrupteur lors de l’enclenchement
di/dt dépend de la technologie utilisée et est proportionnel à la résistance
de grille associée au driver.
La tension appliquée aux bornes de l’interrupteur ne peut pas décroître
1.3. Commutation 19

tant que toutes les charges n’ont pas été évacuées de la diode de roue-libre.
Suit une décroissance de la tension dépendant de la technologie utilisée
pour la diode. Cette succession d’étapes (figure 1.11) introduit des pertes
en commutation qui peuvent être très élevées à haute fréquence. On dé-
finit le temps de montée du courant tri comme le temps nécessaire au
courant pour passer de 10% à 90% de sa valeur en régime établi après les
phénomènes de recouvrement. Le temps de descente de la tension tf v est
défini comme le temps nécessaire pour que la tension sur l’interrupteur
passe de 90% à 10% de sa valeur avant la commutation.
De manière similaire lors du déclenchement, la tension ne peut pas varier
instantanément sur le composant à cause des capacités parasites, et le
courant ne peut pas circuler dans la diode de roue-libre tant que l’inter-
rupteur n’assume pas la pleine tension (Vdiode = Uj ). On introduit pour
le déclenchement les temps de montée de la tension trv et de descente du
courant tf i , définis entre 10% et 90% des valeurs nominales.
Les constructeurs indiquent également l’énergie dissipée pendant un en-
clenchement Eon et l’énergie dissipée pendant un déclenchement Eof f
pour un point de fonctionnement donné (courant et tension nominaux,
résistance de grille, température).

1.3.4 Calcul de rendement

Le calcul de rendement est très important en électronique de puissance
puisque les pertes sont facilement élevées lorsque l’on véhicule des quan-
tités importantes d’énergie. On distingue les pertes en conduction et les
pertes en commutation.

Les pertes en conduction viennent du fait que les transistors et les diodes
dissipent une certaine puissance lorsque un courant les traversent.

Pcond = (Von D + Uj (1 D))Iavg (1.11)

Les pertes en commutation (section 1.3.3) sont liées au changement d’état

des interrupteurs. En général les données des constructeurs spécifient
l’énergie dissipée pendant une commutation forcée sous certaines condi-
tions de courant et de tension. On peut les adapter à une utilisation spé-
cifique par des simples règles de proportionnalité: si la résistance de grille
(commutation plus lente) double, ou si le courant moyen double ou encore
20 Chapitre 1. Introduction, contexte et état de l’art

si la tension double, les pertes doublent. On calcule finalement les pertes

en tenant compte du nombre de commutations par seconde.

Pcomm = (Eon + Eof f )fc (1.12)

A cause des pertes dans le circuit, la puissance disponible à la sortie du

convertisseur Pout est plus faible que la puissance soutirée à la source
d’entrée Pin . On peut alors calculer le rendement ⌘ d’un convertisseur.

Pout Pin (Pcond + Pcomm )

⌘= = 1 (1.13)
Pin Pin

La fréquence que peut supporter un composant dépend de la puissance

qu’il peut dissiper et non pas de la vitesse à laquelle il peut commuter. Il
est donc très important de pouvoir estimer correctement les pertes pour
le dimensionnement des transistors.

1.3.5 Circuits d’aide à la commutation

Pour commuter à des fréquences élevées, il est nécessaire de diminuer
les pertes en commutation des composants. On sépare les phases d’enclen-
chement et de déclenchement qui utilisent des circuits différents, bien que
le principe de fonctionnement soit le même. De tels circuits sont appelés
circuits d’aide à la commutation (CALC) ou snubbers.

On notera que le CALC ne diminue pas les pertes globales du système

mais seulement celles de l’élément de commutation.

Aide à l’enclenchement

Une simple inductance en série avec le transistor permet de nettement

diminuer les pertes en commutation. On rappelle que le di/dt dans le com-
posant lors de l’enclenchement dépend essentiellement de sa résistance de
grille et peut être adapté par l’utilisateur. On choisit alors une inductance
très petite par rapport à l’inductance principale du circuit, faisant ap-
paraître à ses bornes lors des variations rapides de courant une tension
suffisante pour que la tension subsistant aux bornes de l’interrupteur soit
quasiment nulle (figure 1.13).
1.3. Commutation 21

Courant dans
l'interrupteur

RLs
ULs ICs

enclenchement
Ls

déclenchement
Tension sur
Cs l'interrupteur
RCs
0 temps
Conduction

Fig. 1.12 – Circuits d’aide à Fig. 1.13 – Commutations avec

la commutation. CALC.

Cette inductance ne doit évidemment apporter qu’une chute de tension

négligeable par rapport aux variations lentes de courant dans l’inductance
principale. On choisit de manière optimale

Vin
L= (1.14)
di/dt

di/dt étant défini par le composant utilisé.

Un tel dimensionnement a pour effet de doubler la tension appliquée sur

le composant pendant le déclenchement. Une diode doit être ajoutée en
anti-parallèle sur l’inductance pour éviter un claquage de l’élément semi-
conducteur (figure 1.12). Une résistance RLs est souvent nécessaire pour
accélérer la dissipation de l’énergie contenue dans Ls .

Aide au déclenchement

Le circuit d’aide au déclenchement est dual de celui d’aide à l’enclen-

chement. Il s’agit cette fois de profiter du du/dt sur le composant pour
faire transiter le courant dans une capacité externe (figure 1.12) et non
pas dans le composant semiconducteur (figure 1.13). Une diode et une
résistance sont également nécessaires pour éviter d’avoir un courant élevé
dans le transistor lors de l’enclenchement.
22 Chapitre 1. Introduction, contexte et état de l’art

1.3.6 Autres méthodes de réduction des pertes en

commutation
Les circuits d’aide à la commutation présentés précédemment réduisent
les pertes pour l’élément qui commute en les reportant sur un composant
externe résistif. Il n’y a donc pas de gain sur le rendement total du circuit.
D’autres méthodes plus élaborées permettent de réduire effectivement les
pertes globales en évitant les pertes en commutation dans les transistors.

On a d’une part les méthodes utilisant un circuit auxiliaire pour adoucir

la commutation. S. Salama propose par exemple deux méthodes basées
sur l’activation de circuits auxiliaires oscillants pour forcer une tension
nulle sur les transistors lors de leur commutation (ZVS). Il a tout d’abord
proposé un système à deux transistors permettant de réduire les pertes à
l’enclenchement et au déclenchement [9] [10]. Les pertes en commutation
dure étant souvent plus importantes à l’enclenchement qu’au déclenche-
ment, il a ensuite développé une structure utilisant un seul transistor
auxiliaire pour ne limiter que les pertes à l’enclenchement [11] [12] [13].

On trouve également de nombreuse méthodes basées sur des résonances

dans le flux de puissance à proprement dit [14] [15] [16] [17]. Le circuit est
alors basé sur des commutations à courant nul (ZCS). Les transistors ne
seront enclenchés que lorsque aucun courant ne circule dans les diodes de
roue-libre.

1.4 Modélisation
Avant la réalisation d’un circuit innovant, il est indispensable de véri-
fier son fonctionnement. La résolution analytique est souvent fastidieuse,
voire impossible pour un système régulé, à cause des variations brusques
apportées par les commutations des transistors. On fait alors appel à un
logiciel de simulation pour valider une structure.

1.4.1 Méthodes numériques

Toutes les méthodes informatiques sont basées sur le même principe:
la résolution itérative d’un ensemble d’équations, différentielles ou non.
1.4. Modélisation 23

Les variations entre les différents logiciels proposés ne résident que dans
l’interface utilisateur-machine proposé et dans la qualité de l’approxima-
tion pour les résolutions différentielles.

Pour les analyses temporelles deux paramètres sont essentiels, le pas de

calcul et l’erreur admissible. A partir d’un point de fonctionnement du
circuit entièrement défini par l’utilisateur (t0 = 0) le logiciel calcule le
point suivant (t1 = t0 + t) à partir des équations différentielles à dispo-
sition. Ce calcul se fait par linéarisation des fonctions différentielles autour
du point de départ. De nombreuses méthodes sont disponibles, selon la
complexité des équations à traiter [18].
- La méthode de Newton-Raphson est fort utilisée pour la résolution
d’équation à une seule variable du type f (x) = 0.
- L’algorithme de Jacobi permet la résolution numérique d’un en-
semble d’équations sous forme matricielle.
- La méthode d’Euler approche simplement la dérivée par la tangente
en t0 .
- Taylor utilise un développement en série pour une approximation de
la dérivée d’un ordre plus élevé.
- La méthode de Runge-Kutta étend la méthode de Taylor au traite-
ment d’équations différentielles à deux variables y 0 = F (x,y).
- De nombreuses autres méthodes ont été développées spécifiquement
pour la résolution d’équations différentielles non-linéaires.
Le logiciel vérifie ensuite que toutes les équations non différentielles
soient satisfaites à une erreur maximale tolérée près, définie par l’utilisa-
teur. Si c’est le cas le point de fonctionnement est validé et devient le point
de départ pour le calcul suivant (t2 = t1 + t). Si l’erreur sur les variables
du circuit est trop importante le logiciel recommence la démarche avec un
incrément temporel t plus petit.
On peut parler dans ce cas de maillage temporel adaptatif (figure 1.14).
Pour les simulateurs tels que Simplorer ou Saber, le logiciel définit l’en-
semble des équations à partir des éléments utilisés et des lois de Kirchhoff
sur les mailles et les noeuds selon un schéma introduit graphiquement. Les
simulateurs tels que Spice, hSpice ou Dessis nécessitent l’introduction de
la structure dans un fichier où un élément est défini selon ses noeuds de
connection et son type. On a par exemple pour une résistance de 5 Ohms:
24 Chapitre 1. Introduction, contexte et état de l’art

r1 node1 node2 {r=5}.

Pour les simulateurs de type éléments finis (FEM) la résolution est essen-
tiellement spatiale, à une, deux ou trois dimensions. Le maillage adaptatif,
trop lourd dans ce cas, est abandonné au profit d’un maillage fixe (figure
1.15). La notion d’erreur maximale tolérée n’intervient plus dans ce cas
et la précision de la simulation sera liée au nombre de points définis dans
le maillage. Ce maillage est soit directement défini par l’utilisateur, soit
proposé par un logiciel spécialisé.

0 5 10

Fig. 1.14 – Maillage temporel Fig. 1.15 – Maillage

adaptatif. spatial fixe.

Les intersections correspondent au points (noeuds) considérés pour la

résolution des équations, les segments représentent les noeuds voisins pris
en compte pour chacun des noeuds.

1.4.2 Familles de modèles et modélisation du transis-

tor IGBT
Chaque élément d’un circuit (résistance, capacité, transistor) devra
être défini par une ou un ensemble d’équations permettant de lier les
tensions entre ses bornes et les courants dans ses noeuds. Le bloc ainsi
obtenu est appelé macromodèle. Le degré de complexité du modèle utilisé
1.4. Modélisation 25

dépend de la précision attendue dans les résultats de simulation.

Il existe plusieurs familles de modèles inspirés soit par une analyse de la

physique du semiconducteur, soit par une observation comportementale.
On peut définir cinq groupes principaux.
- Les modèles mathématiques. Ils sont basés sur l’analyse des prin-
cipes physiques du semiconducteur. Les différences d’une version à
l’autre résident essentiellement dans les simplifications apportées en
vue de réduire le temps de calcul. Hefner [19] a développé le pre-
mier modèle unidimensionnel complet avec contrôle de la charge qui
donne d’excellents résultats en commutation dure (figure 1.16); mais
les simplifications apportées à l’expression de la conductivité de la
base conduisent à de mauvais résultats en commutation à tension
nulle (ZVS) ou à courant nulle (ZCS).

Cathode Gate
Cm

Coxq MOSFET Coxd

Ccer Cdsj Ccdj

Rb

BJT
Cebj + Cebd

Anode

Fig. 1.16 – Circuit équivalent d’un transistor IGBT selon

A.R. Hefner.

L’expression de la conductivité en régime statique a été améliorée

par Sheng [20] en considérant une analyse bidimensionnelle de la
modulation de la base. Ce modèle donne de très bons résultats mais
nécessite l’extraction d’une centaine de paramètres et sa gestion est
difficile.
26 Chapitre 1. Introduction, contexte et état de l’art

- Les modèles semi mathématiques. Ils combinent des modèles exis-

tants avec des équations basées sur la physique des semiconducteurs.
Ils sont en général composés de modèles de transistors MOSFET et
bipolaires simples augmentés d’un ou plusieurs éléments permet-
tant une meilleure description de certains effets. L’accent est en
général donné vers une meilleure représentation des capacités non
linéaires grille-source et grille-drain du transistor MOSFET [21] ou
de la traînée de courant au déclenchement (current tail), comme
dans le modèle développé par Musumeci [22] pour le logiciel PSpice
(figure 1.17).
COLLECTOR
LC

Ron
CLIM Ihv A
Clv

VN
Ibuf
LG CGD

GATE RG
Vsense VAB

Rcon
CGE
CGD
B

LE
EMITTER

Fig. 1.17 – Circuit équivalent d’un transistor IGBT selon

S. Musumeci.

- Les modèles comportementaux. Des éléments simples tels que résis-

tances, sources de courants et capacités sont adaptés à partir d’une
base de données contenant des valeurs de paramètres pour divers
points de fonctionnement [23] ou à partir d’extrapolations mathé-
matiques [24]. On remarquera que l’interrupteur idéal (équation 1.5)
fait partie de cette catégorie.
- Les modèles numériques. Les dopages sont représentés en deux ou
trois dimensions et traités par un simulateur dédié utilisant les équa-
tions de base de la physique des semiconducteurs sur un certain
nombre de noeuds (éléments finis).
1.5. Objectifs de la thèse 27

- Les modèles semi numériques. Ils contiennent une représentation par

éléments finis de la base alors que les autres parties de l’élément sont
simulés par d’autres méthodes.
Les modèles numériques donnent d’excellents résultats mais leur temps
de calcul élevé rend difficile leur emploi lors d’analyse de systèmes élec-
troniques. Les autres modèles ne donnent de bons résultats qu’autour
d’un point de fonctionnement donné et pour un certain type de commu-
tation. Leur précision est en général proportionnelle au temps de calcul
qu’ils nécessitent. Des méthodes complexes d’adaptation des paramètres
nécessitant paradoxalement plusieurs dizaines de mesures ont même été
proposées pour élargir le domaine de validité d’un modèle (en particu-
lier le modèle Hefner). La commutation dure, encore beaucoup utilisée
dans les montages industrielles, est la mieux représentée. Les pertes à
l’enclenchement dépendant principalement du comportement de la diode
de roue libre, et peu de celui du transistor IGBT. L’attention a donc été
portée vers une modélisation précise des phénomènes de déclenchement
du transistor. Les résultats de simulation de ces modèles sous enclenche-
ment à tension nulle (ZVS) ou avec des circuits d’aide à la commutation
(snubbers) ne donnent qu’une vague approximation du comportement réel
mesurable, en tous cas insuffisante pour un calcul précis des pertes dans
le circuit.

1.5 Objectifs de la thèse

L’objectif de cette thèse est de définir un macromodèle de transistor
IGBT avec un nombre raisonnable de paramètres permettant de déter-
miner précisément la chute de tension sur l’élément Vce en fonction des
sollicitations qu’il subit (courant, potentiel de grille, etc.). Le transistor
IGBT serait alors représenté par un ensemble de sources contrôlées de
nature différente en fonction des mécanismes apparaissant à l’intérieur de
l’élément (canal interne, jonction, etc). Un modèle de ce type permet de
calculer précisément et rapidement les pertes en conduction et en com-
mutation à l’aide d’un logiciel de simulation de type "circuit". Il facilite
ainsi le dimensionnement de circuits refroidisseurs.

Le comportement du transistor IGBT au déclenchement étant déjà large-

28 Chapitre 1. Introduction, contexte et état de l’art

ment documenté dans la littérature, l’accent sera mis sur l’enclenchement

dans cette étude, en particulier sur certains phénomènes de traînée de
tension.

Il s’agit alors de définir:

Chapitre 2: Eléments semiconducteurs de puissance.

- Type d’éléments semiconducteurs pour lesquelles cette étude est va-
lable.
Chapitre 3: Manoeuvre d’enclenchement pour un transistor IGBT.
- Type de sollicitations que l’élément subit le plus couramment. Cette
partie offre un résumé de l’état des connaissances en ce qui concerne
les mécanismes de commutation des transistors IGBTs en fonction
des diverses sollicitations qu’il subit dans un circuit d’électronique
de puissance.
Chapitre 4: Analyse physique des phénomènes.
- Etude complète des mécanismes physiques participant à l’établisse-
ment d’une chute de tension sur le composant en fonction du courant
qui le traverse. On montrera que les nombreuses interdépendances
entre les variables de la physique des semiconducteurs et la com-
plexité géométrique du transistor IGBT rendent impossible l’éla-
boration d’un macromodèle précis à partir de grandeurs physiques
définies sans considérer un nombre élevé de contributions locales
(comme le fait un simulateur par éléments finis).
Chapitre 5: Analyse comportementale - simulations.
- Extractions d’un nombre réduit de contributions locales de nature
purement différente par comparaison avec des résultats de simula-
tion par éléments finis. On obtient ainsi quelques termes de sources
de tension commandées (V = f (Ic ,Vge ) optimisées par des méthodes
numériques pour un élément donné. La méthode d’extraction sera
entièrement automatisée pour permettre une recherche aisée des
nombreux paramètres du modèle.
- Un modèle statique sera d’abord développé pour définir les points de
fonctionnement stables, puis un modèle temporel sera ajouté pour
permettre de bien représenter le comportement dynamique d’un
transistor IGBT.
1.5. Objectifs de la thèse 29

- Définition d’un modèle dynamique simplifié pouvant être paramétré

directement et automatiquement à partir de simulations par élé-
ments finis sur un modèle 3D de transistor IGBT.
Chapitre 6: Macromodèle.
- Mise en place d’un macromodèle dérivé des résultats obtenus dans
le chapitre 5 utilisable par la plupart des simulateurs de circuits
existants.
Chapitre 7: Vérifications.
- Comparaison entre les résultats de mesure ou de simulation (élé-
ments finis) obtenus pour l’utilisation d’un transistor IGBT dans
divers types de circuits d’électronique de puissance avec les résul-
tats obtenus à partir du macromodèle développé.
Chapitre 8: Conclusions.
 31

Chapitre 2

Eléments semiconducteurs
de puissance

Il existe plusieurs types d’éléments de puissance avec des performances

variées au niveau de la tenue en tension, de la rapidité et des pertes en
conduction. Les transistors MOS peuvent être très rapides mais ont des
pertes à l’état passant importantes, surtout pour des tensions de blocage
élevées. Les transistors bipolaires ont des pertes en conduction beaucoup
plus faibles, mais les pertes en commutation importantes dues à l’accumu-
lation de charge nécessaire à son fonctionnement les rendent inutilisables
à des fréquences élevées. Ces deux composants ont des caractéristiques
complémentaires dans les applications de faible et moyenne tension. Com-
binant un transistor bipolaire et un transistor MOSFET sur le même sub-
strat de silicium, le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) associe une
perte en conduction faible, une grande capacité en courant et une tenue
en tension en constante amélioration. Des éléments de 6.5kV et plus sont
annoncées [25] [26] alors que des éléments de 3.3kV pour 1200A sont déjà
commercialisés. Les éléments de puissance comportent en général deux
électrodes de puissance et une électrode de commande (figure 2.1). On
peut leur associer une résistance de fuite à l’état bloqué Rof f et une ré-
sistance non-linéaire à l’état passantRon . Certaines jonctions peuvent être
modélisées par une source de tension non-linéaire en série avec l’élément.
32 Chapitre 2. Eléments semiconducteurs de puissance

Ron

Roff

Fig. 2.1 – Schéma équivalent global d’un élément semicon-

ducteur de puissance.

2.1 Le transistor MOSFET de puissance

Les structures planaires conventionnelles ne peuvent pas bloquer de
hautes tensions et une structure verticale est nécessaire (figure 2.2). Pour

grille
source source
SiO2 SiO2
n+ n+ n+
p+ caisson p+

couche épitaxiale n-

substrat n

drain

Fig. 2.2 – Coupe d’un transistor MOSFET de puissance à

structure verticale.

éviter que le champ électrique n’atteigne la limite critique physique du

drain lorsque le transistor MOSFET de puissance doit bloquer une tension
élevée, la couche épitaxiale doit avoir un dopage ND faible et une grande
épaisseur. Comme la conductivité dépend du niveau de dopage,

n = p + ND ⇠
= ND et n (x) = qµn ND (2.1)
2.2. Le transistor MOSFET à super-jonction 33

la résistance de la couche épitaxiale est grande et représente plus de 95%

de la résistance à l’état passant RDS(on) de l’élément. Le dopage du sub-
strat peut être suffisamment élevé pour que sa résistance soit négligeable.
Dès lors la réduction des pertes en conduction est limitée par la tension de
blocage désirée. On peut obtenir une résistance en conduction plus faible
en augmentant le nombre de cellules en parallèle, pour un prix évidemment
élevé inacceptable dans la plupart des applications industrielles. La der-
nière génération de transistors MOSFETs 800V a une résistance à l’état
passant de RDS(on) = 1Ohm pour un courant nominal de 10A. Avec un
tel élément et en négligeant les pertes en commutation on peut atteindre
un rendement de l’ordre de 97% dans les applications conventionnelles
(220V ⇠).

2.2 Le transistor MOSFET à super-jonction

Le concept de super-jonction (figure 2.3) propose une nouvelle ap-
proche pour diminuer la résistance de la couche épitaxiale n [27]. Comme
dans un transistor MOSFET de puissance la conduction est uniquement
assurée par les porteurs majoritaires. Le dopage de la zone de conduction
peut être augmentée d’un ordre de grandeur au moins. La couche épi-
taxiale est toujours faiblement dopée pour assurer le blocage de tension.
Des bandes verticales dopées positivement sont ajoutées pour séparer les
zones de blocage et de conduction. Des bandes verticales dopées positi-
vement sont ajoutées pour séparer les zones de blocage et de conduction.
Ces bandes limitent la surface effective pour le courant d’électrons et ainsi
augmentent localement les densités de courant. Toutefois la forte diminu-
tion de la résistivité dans cette zone permet de réduire globalement la
chute de tension en conduction aux bornes de l’élément par rapport à la
technologie MOSFET standard.
Quand le transistor est polarisé en inverse, un champ électrique latéral
se forme et conduit les charges vers les zones de contact. La zone de dé-
plétion évolue le long de la jonction physique pn et englobe la totalité
de la structure de bandes pour une tension bloquée supérieure à 50V . Le
comportement se rapproche alors de celui observable dans les diodes pin.
Cette structure n’apporte aucun inconvénient par rapport aux perfor-
mances dynamiques du transistor MOSFET, mais une forte diminution
34 Chapitre 2. Eléments semiconducteurs de puissance

grille
source source
SiO2 SiO2
n+ n+ n+
p+ caisson p+
n
p p couche n
épitaxiale n-

substrat n

drain

Fig. 2.3 – Coupe verticale d’un transistor MOSFET de

puissance à super-jonction.

des pertes en conduction. Un transistor MOSFET à super-jonction actuel

de 800V montre une résistance à l’état passant RDS(on) = 0.25Ohm pour
un courant nominal de 10A. En négligeant les pertes en commutation,
l’élément permet d’attendre un rendement de l’ordre de 99% dans les ap-
plications conventionnelles (220V ⇠).

L’inconvénient majeur de cette structure est la complexité de réalisation

des bandes verticales. La croissance épitaxiale doit être interrompue plu-
sieurs fois pour permettre l’implantation des couches supplémentaires p et
n. Un optimum doit être trouvé entre le coût du nombre d’interruptions
et la linéarité du profil vertical.
Le principe de super-jonction, validé et commercialisé pour le moment uni-
quement en transistor MOSFET, peut également être utilisé pour un tran-
sistor IGBT, dénommé alors transistor bipolaire à super-jonction (SJBT)
[28].

2.3 Le transistor IGBT Non-Punch-Through

La structure du transistor IGBT NPT (Non-Punch-Through) est très
proche de celle du transistor MOSFET vertical [29]. La différence prin-
2.3. Le transistor IGBT Non-Punch-Through 35

cipale réside dans la présence d’une couche p+, à la place du drain du

transistor MOSFET, qui injecte des porteurs minoritaires dans la base
et devient ainsi le collecteur (anode) du transistor IGBT. Cette structure
est appelée Non-Punch-Through (NPT) car la base est suffisamment pro-
fonde pour que la couche de déplétion ne puisse jamais atteindre la couche
d’injection p+ lorsque le transistor IGBT est dans un état bloqué. Quand

grille
émetteur émetteur
SiO2 SiO2
p+ n+ n+ p+ n+

base n-

couche d'injection p+

collecteur

Fig. 2.4 – Coupe verticale d’un transistor IGBT Non-

Punch-Through.

le transistor IGBT est en conduction, le canal du transistor MOSFET in-

jecte des électrons dans la base et permet un effet transistor dans la partie
bipolaire p+ np. Par rapport au courant total, le courant d’électrons cir-
culant dans le canal du transistor MOSFET est réduit de la quantité du
courant de trous circulant directement de la base n vers l’émetteur p.
Le principe de neutralité électrique permet une densité d’électrons dans
la base supérieure à la densité due au dopage, ce qui réduit sa résistivité
effective.
n = p + ND et n (x) = qµn n > qµn ND (2.2)

Ainsi en première approche la résistivité de la base est inversement pro-

portionnelle à la densité de courant et la chute de tension sur la base ne
dépend pas du courant traversant l’élément. La chute de tension à l’état
passant sur le transistor MOSFET de puissance est ainsi réduite au prix
d’une chute de tension additionnelle sur la jonction directe collecteur-base.
36 Chapitre 2. Eléments semiconducteurs de puissance

La base, assurant la tenue en tension du transistor IGBT au blocage, est

toujours plus grande que la longueur de diffusion des porteurs minori-
taires et le gain bipolaire en courant reste malheureusement bas (typique-
ment compris entre 0.5 et 2). On garde ainsi une certaine rapidité pour
des pertes en conduction réduites par rapport au transistor MOSFET de
puissance.

Si les avantages sont évidents en régime statique, cette méthode comporte

quelques inconvénients en régime dynamique. Lorsque l’on veut ouvrir le
transistor IGBT, les porteurs minoritaires excédentaires doivent être reti-
rés et une traînée de courant apparaît. Selon la fréquence de commutation
recherchée, un optimum doit être trouvé pour le dimensionnement du col-
lecteur (gain bipolaire) afin de conserver une faible chute de tension en
saturation, mais avec des pertes au déclenchement raisonnables. Le tran-
sistor IGBT est spécialement apprécié en moyenne tension (700V à 3.5kV)
car la fréquence de commutation y dépasse rarement quelques dizaines de
kiloHerz.
Les transistors IGBTs NPT sont en général développés sur une base de
silicium homogène n d’une centaine de microns, sur laquelle le collecteur
et les autres couches sont diffusés [30]. On obtient ainsi un élément fiable,
avec une bonne tenue en tension et un faible coût de fabrication. Les
dernières générations de transistors IGBTs utilisent également des wafers
(plaquette de silicium de base) plus fins qui donnent de meilleurs résultats
au niveau de la tension de saturation mais sont difficiles à manipuler et
mécaniquement fragiles lors de changements de température brusques dus
au passage du courant.

La présence d’une double couche n+ et p+ pour l’émetteur fait appa-

raître une structure proche de celle d’un thyristor. Si la résistance de
shunt Rsh ou le courant la traversant est trop important, une polarisa-
tion positive peut apparaître sur la base du transistor parasite n+ p+ n
émetteur-émetteur-base représenté sur la figure 2.5. Lorsque ce transistor
est activé des électrons transitent directement de l’émetteur n+ vers la
base n et le transistor IGBT, ne pouvant plus être contrôlé par sa ten-
sion de grille, se comporte comme un thyristor. Ce phénomène, appelé
anti-déclenchement ou latch-up, est une des principales limitations de la
densité de courant admissible par un composant. Un soin tout particulier
2.4. Le transistor IGBT PT (Punch Through) 37

grille

émetteur
SiO2
n+
Rsh p+

base n-

Fig. 2.5 – Transistor bipolaire npn parasite.

doit être apporté à la géométrie de l’émetteur et à la qualité des contacts

métalliques émetteur-émetteur pour reporter au maximum le courant de
seuil d’enclenchement de ce transistor indésirable.

2.4 Le transistor IGBT PT (Punch Through)

La technologie Punch Through (PT), utilisée en premier pour la fabri-
cation de transistors IGBTs, permet de diminuer les pertes en conduction
en raccourcissant la base [30]. Le blocage de la tension est focalisé dans une
portion de la base proche de l’émetteur où un dopage faible est nécessaire
(grande résistivité). Une décroissance plus rapide du champ électrique,
obtenue par un dopage n plus important, est possible dans la zone de
la base proche du collecteur. Le profil du champ électrique résultant le
long de la base est trapézoïdal. Une partie de la base est remplacée par
une extension du collecteur (haute conductivité) sur un wafer standard de
100 µm (figure 2.6). Cette structure est normalement fabriquée à partir
d’une base de silicium dopée positivement (couche du collecteur), sur la-
quelle la couche tampon et la base sont ajoutés par croissance épitaxiale.
Les autres couches sont ensuite diffusées. Le collecteur est beaucoup plus
épais que nécessaire et doit être fortement dopé pour que sa résistance soit
négligeable. Le gain bipolaire est élevé et ne peut plus être contrôlé par
le niveau de dopage de l’émetteur [31]. Pour conserver des pertes en com-
mutation faibles, la durée de vie des porteurs dans la zone tampon doit
être réduite par irradiation ou par d’autres méthodes. Le développement
38 Chapitre 2. Eléments semiconducteurs de puissance

grille
émetteur émetteur
SiO2 SiO2
p+ n+ n+ p+ n+

base n-

couche tampon n+
couche d'injection p+

collecteur

Fig. 2.6 – Coupe verticale d’un transistor IGBT Punch-

Through.

des techniques de contrôle de la durée de vie des porteurs reste le pro-

blème majeur de l’amélioration des performances des transistors IGBTs
PT. L’inconvénient principal de la structure PT est le coût de fabrication
des couches épitaxiales, en particulier pour des tensions de blocage élevées
(Vin > 1.2kV ).

2.5 Le transistor IGBT à champ limité (Field

Stop)
Le Field Stop IGBT a une distribution de champ électrique trapézoï-
dale comme le transistor IGBT PT mais utilise les procédés de fabrication
NPT. La couche d’arrêt du champ ressemble à la couche tampon du tran-
sistor IGBT PT mais est nettement moins dopée. On peut alors encore
contrôler le gain bipolaire par le dopage du collecteur diffusé et les pertes
en régime dynamique sont faibles sans devoir diminuer la durée de vie des
porteurs. Cette technologie est spécialement adaptée pour le blocage de
tensions élevées, lorsque la longueur de la base nécessaire correspond à
l’épaisseur d’un wafer standard (2.7kV à 3.3kV). On peut également ob-
tenir des éléments de 1.2kV en utilisant une technologie de wafers minces.
2.6. Le transistor IGBT avec grille en tranchée 39

grille
émetteur émetteur
SiO2 SiO2
p+ n+ n+ p+ n+

base n-

couche tampon n
couche d'injection p+

collecteur

Fig. 2.7 – Coupe verticale d’un transistor IGBT à champ

limité.

2.6 Le transistor IGBT avec grille en tran-

chée
La technologie de grille en tranchée (Trench gate) peut être couplée
avec les catégories précédemment citées (figure 2.8). Son avantage princi-
pal est d’éliminer le transistor JFET émetteur-émetteur-base n+ pn pa-
rasite (figure 2.5). En évitant les phénomènes d’anti-déclenchement (latch-
up), la structure permet des densités de courant plus importantes pour
une tension de saturation donnée. Les techniques de gravure chimique
pour l’implémentation de la grille sont maintenant bien maîtrisées par la
plupart des manufacteurs du silicium et la structure de grille en tranchée
est largement utilisée dans les éléments commercialisés.

2.7 Choix d’une technologie

Si la fréquence de commutation rentre également en ligne de compte, le
critère principal pour le choix d’une technologie est la tension de blocage
recherchée. Les transistors IGBTs PT étaient en général préférés dans les
catégories 600V et 1.2kV; les transistors IGBTs NPT pour des tensions
40 Chapitre 2. Eléments semiconducteurs de puissance

grille
émetteur SiO2 émetteur SiO2

p n+ n+ p n+

base n-

couche d'injection p+

collecteur

Fig. 2.8 – Coupe verticale d’un transistor IGBT NPT avec

grille en tranchée.

supérieures. Les améliorations technologiques ont quelque peu modifié cet

état des choses ces dernières années. Le transistor MOSFET à super-
jonction, permettant des fréquences de commutation plus élevées, est en
train de remplacer le transistor IGBT dans la catégorie de 600V.
La technologie NPT sur wafer mince montre de meilleures caractéristique
dynamiques que son équivalente PT. La plupart des producteurs de tran-
sistors IGBTs remplacent leurs produits PT 1.2kV par une technologie
NPT plus efficace (Trench gate Field Stop NPT) [32]. Des techniques
intermédiaires tels que Soft-Punch-Through [33] avec une zone tampon
faiblement chargée et large font aussi leur apparition. La technologie PT
est beaucoup utilisée dans la catégorie de 1.7kV car ils peuvent y être ob-
tenus par diffusion sur un wafer standard. Les transistors IGBTs de haute
tension sont encore liés à une technologie naissante et de nouvelles mé-
thodes sont régulièrement proposées, où ils entre en compétition avec les
thyristors et GTOs, montrant pour le moment de meilleures performances.
 41

Chapitre 3

Manoeuvre
d’enclenchement pour un
transistor IGBT

Le passage du mode bloqué au mode passant pour un transistor IGBT

se fait progressivement et dépend du circuit dans lequel le transistor est
utilisé. On développe ici en détail les différentes étapes liées à l’enclen-
chement en commutation dure, cas dans lequel les pertes en commutation
sont les plus importantes. A partir de courbes idéalisées, on s’approche
de courbes mesurables en tenant compte d’éléments parasites internes et
externes. On montre ainsi les difficultés liées à la caractérisation d’un
transistor IGBT à partir de mesures, étant donné l’importance de l’en-
semble des phénomènes perturbateurs. On discutera finalement les erreurs
induites par les mesures elles-mêmes.

3.1 Blocage du transistor IGBT

Dans le mode de fonctionnement normal du transistor IGBT le poten-
tiel électrique du collecteur est toujours plus élevé que celui de l’émetteur.
La jonction collecteur-base est toujours en polarisation directe alors que
la jonction base-émetteur supporte la totalité du blocage de la tension.
42 Chapitre 3. Manoeuvre d’enclenchement pour un IGBT

Pour un potentiel de grille nul et une forte tension collecteur-émetteur

la base n du transistor IGBT est partiellement ou totalement déplétée
(figure 3.1).

Potentiel électrique

Champ
Electrique x

émetteur p

collecteur
n+ zone de
n+ p+
déplétion
grille base n-

Fig. 3.1 – Zone de déplétion, champ et potentiel électriques

dans un transistor IGBT au blocage.

Si la partie non déplétée de la base a une densité d’électrons correspon-

dant à son niveau de dopage, la zone déplétée ne comporte que quelques
porteurs dans sa bande de conduction et elle présente une forte résisti-
vité. La norme du champ électrique présente un maximum à l’endroit de
la jonction physique et la tenue en tension est répartie le long le la zone
de déplétion.

3.2 L’enclenchement du transistor IGBT

Dans cette partie le comportement du transistor IGBT sur charge in-
ductive (commutation dure) est analysé en détails. La traînée en tension
apparaissant à la fin du processus de mise en conduction sera analysée
séparément. Au début de l’enclenchement le transistor IGBT se comporte
principalement comme un transistor MOSFET de puissance. Le fonction-
nement de base sera d’abord décrit [29] puis des effets externes et autres
phénomènes complexes tels que recouvrement dans la diode de roue libre
et l’influence des éléments parasites [34] seront introduits.
La structure simple décrite dans la figure 3.2 sert de référence pour le
comportement du transistor IGBT dans une branche de pont en H.
3.2. L’enclenchement du transistor IGBT 43

Vin {Vgl;Vgh}
+ Rg
+ Charge
- Inductive
-

Fig. 3.2 – Circuit de test pour la commutation dure.

En négligeant l’effet thyristor parasite, un transistor IGBT peut être

représenté par un transistor bipolaire PNP contrôlé par un transistor
MOS. Le schéma équivalent est décrit dans la figure 3.3. On y retrouve

C
Ic

Cgc Jonction
Cce
ID=In directe

Ig Jonction
G inverse
Ip
Cge
Ie
E

Fig. 3.3 – Circuit équivalent du transistor IGBT.

les trois connections de l’élément (grille G, collecteur C et émetteur E),

ainsi que les principaux éléments parasites internes. Si les capacités grille-
émetteur Cge et collecteur-émetteur Cce (liée à la connectique interne)
sont plus ou moins constantes, la capacité grille-collecteur Cgc , aussi appe-
lée par analogie avec le transistor MOSFET de puissance capacité Miller,
44 Chapitre 3. Manoeuvre d’enclenchement pour un IGBT

dépend fortement de la tension collecteur-émetteur appliqué à l’élément.

Ce schéma équivalent va servir de base pour l’analyse et des éléments
parasites vont être ajoutés lorsque nécessaire.

3.3 Comportement idéalisé

On commence l’analyse du comportement du transistor IGBT à l’en-
clenchement en négligeant la plupart des éléments parasites. La figure 3.4
montre l’évolution du courant de collecteur et des tensions grille-émetteur
et collecteur-émetteur dans ce cas simple.

1 zone 1 zone 2 zone 3 Vge

zone 4

Ig
0
0

1 Ic

0.5

0
Vce

0 5 10 15
temps

Fig. 3.4 – Tensions et courant dans le transistor IGBT à

l’enclenchement.

zone 1: On applique un saut de tension sur la résistance de grille et

sa tension augmente de façon exponentielle. La tension collecteur-
émetteur Vce correspond à la tension d’alimentation Vin et il n’y a
pas de courant traversant le transistor IGBT.
zone 2: Quand la tension de la grille a atteint la valeur de tension de seuil
Vge(th) le courant augmente linéairement jusqu’à sa valeur statique.
3.3. Comportement idéalisé 45

Aussi longtemps qu’une partie du courant de la charge circule dans

la diode la tension Vce ne peut pas décroître.
zone 3: Lorsque la totalité du courant circulant dans la charge est prise
en charge par le transistor IGBT Vce peut décroître linéairement.
La charge de la grille est interrompue car la totalité de son courant
sert à décharger la capacité grille-collecteur (effet Miller).
zone 4: Vce a atteint sa valeur statique et la grille peut continuer de se
charger. Le transistor IGBT a atteint son mode de conduction.
Ces diverses parties vont maintenant être analysées en détail.

3.3.1 Délai d’enclenchement

La 1ère zone est généralement dénommée délai ou retard d’enclenche-
ment td(on) . La grille peut être considérée comme une capacité chargée au
travers d’une résistance avec une constante de temps

⌧g = Rg (Cge + Cgc ), (3.1)

où Cge et Cgc sont les capacités parasites de la grille et Rg est la résistance

de grille externe (définie sur la figure 3.2). La tension de grille Vge évolue
comme: ✓ ✓ ◆◆
t
Vge = Vgh 1 exp (3.2)
⌧g

Vgh étant le niveau de tension positive délivré pars le circuit de contrôle

(driver).
Le délai d’enclenchement td(on) est le temps nécessaire pour que la grille
atteigne le niveau de seuil Vge(th) (apparition de canal dans le transistor
MOSFET) plus un retard déterminé par le temps nécessaire aux porteurs
pour traverser la base [35]. Il se calcul comme:
✓ ◆
w2 Vgh
td(on) = b + ⌧g ln (3.3)
2Dp Vgh Vge(th)

avec wb la longueur de la base et Dp le coefficient de diffusion des trous

libres. Le retard dû au temps de transit des porteurs tt (premier terme de
l’équation 3.3) est souvent négligeable.
46 Chapitre 3. Manoeuvre d’enclenchement pour un IGBT

3.3.2 Montée du courant

La deuxième zone est appelée temps de montée du courant. A partir de

Vge(th) la tension de grille continue de monter comme avant et le courant
de collecteur commence à augmenter. En considérant que le transistor
MOSFET est en mode saturé (VD VP ) et que son canal est en forte
inversion le courant de drain du transistor MOSFET ID peut s’exprimer
comme une fonction du potentiel de grille [35].

 ✓ ◆ 2
WM OS t
ID (t) = µef f Cox Vgh Vge(th) Vgh exp = In (t)
LM OS ⌧g
(3.4)
Le courant de collecteur Ic s’exprime en fonction de l’évolution de la
charge dans la base.

dQB QB Ic (t)wb2
= In (t) avec QB = (3.5)
dt ⌧ef f 2Def f

L’expression générale du courant de collecteur Ic se trouve en combi-

nant les équations 3.4 et 3.5. En considérant que le transistor IGBT se
comporte essentiellement comme un transistor MOSFET durant la plus
grande partie de l’enclenchement [29] le courant de collecteur Ic peut être
approché par:

IC ⇠
= ID = In (3.6)

Ainsi le courant de collecteur évolue-t-il comme le carré d’une exponen-

tielle, avec une constante de temps correspondant à celle de la grille, jus-
qu’à ce qu’il ait atteint sa valeur statique. L’équation 3.4 est valable aussi
longtemps que les inductances parasites en série sont suffisamment petites
pour que la chute de tension cumulée à leurs bornes ne dépasse pas la ten-
sion d’alimentation. Des inductances plus grandes limitent la dynamique
de montée en courant (di/dt).
La capacité grille-émetteur n’est pas constante [36]. Lorsque la tension
de grille est faible une couche d’inversion à l’interface n-base/SiO2 induit
une forte capacité équivalente. La capacité diminue ensuite pour chuter
lorsque des trous s’accumulent à l’interface n-base/SiO2 .
3.3. Comportement idéalisé 47

3.3.3 Chute de la tension

Dans la 3ème zone le transistor IGBT peut toujours être assimilé à
un transistor MOSFET de puissance. En négligeant les variations de la
capacité grille-drain Cgd tant que le transistor MOSFET est en mode
saturé et en considérant que la totalité du courant délivré par le driver
de la grille sert à décharger la capacité Miller, la dérivée de la tension
collecteur-émetteur est liée à celle de la tension grille-émetteur.
dVgc Jg Vgh Vge(th) + (Ic (t)/gf s ) dVce
= = = (3.7)
dt CM iller Rg Cgd dt
En général le paramètre de transconductance gf s est suffisamment grand
pour que les variations de courant de collecteur n’aient pas une influence
importante sur la chute de tension, et la dérivée peut être considérée
comme constante.

3.3.4 Conduction
En mode de conduction le transistor IGBT peut être considéré comme
un transistor MOSFET en série avec une diode de puissance ( Figure 3.3).
Le courant de collecteur en conduction peut être exprimé à l’aide du gain
en courant pnp du transistor p+ np.
Ic = In ( pnp + 1) (3.8)
La chute de tension résultante sur le canal du transistor MOSFET en est
proportionnellement réduite.
Ic
Vm = Rds(on) (3.9)
pnp + 1

Contrairement au transistor bipolaire où la longueur de diffusion des por-

teurs minoritaires dans la base est beaucoup plus grande que la base
(Lp wb ), le gain en courant de la partie bipolaire du transistor IGBT
ne dépend que très peu des dopages respectifs de la base et du collecteur
lorsque ce dernier est fortement dopé (NA(émetteur) ND(base) ). Pour un
transistor IGBT PT le gain en courant pnp peut être approché par une
fonction hyperbolique de la longueur de la base.
✓ ◆ 1
wbase
pnp ' cosh (3.10)
Lp
48 Chapitre 3. Manoeuvre d’enclenchement pour un IGBT

Dans le cas d’un transistor IGBT NPT le dopage du collecteur peut être
réduit et le gain en courant pnp dépend également de la proportion de
dopage entre le collecteur et la base.
Le gain en courant du transistor PT ou NPT reste beaucoup plus faible
que celui d’un transistor bipolaire. Les trous ne participent que partielle-
ment au transport de courant (presque totalement pour le bipolaire) mais
forcent une augmentation de la densité d’électrons impliquant une réduc-
tion de la résistance de la base pour ces derniers.
La chute de tension sur la diode de puissance peut être décomposée en
une chute ohmique sur la base et une dépendance exponentielle de la jonc-
tion directe p+ n. La charge totale présente dans la base augmente avec
les densité de courant et sa résistance décroît. A priori la chute de tension
sur la base ne devrait pas dépendre du courant de collecteurIc [29].

wb2
Vbase = (3.11)
(µn + µp )⌧ef f

Mais la durée de vie effective ⌧ef f (à cause de l’effet de recombinaison Au-

ger) et la mobilité des porteurs décroissent lorsque les densités de courant
augmentent. En résulte un comportement quasi résistif Vbase ⇡ Rbase Ic
de la base. La chute de tension totale sur le transistor IGBT est la somme
de ces différents termes.

Vce(on) = Vm (Ic ) + Rbase Ic + Vj (Ic ) (3.12)

Sous hypothèse de forte injection, on peut approcher l’équation 3.12 par

la somme de termes [35]

Vce(on) ' K0 + K1 ln Ic + K2 (Ic )m + K3 Ic (3.13)

avec K0 et K1 deux termes issus du développement exponentielle de la

jonction passante collecteur-base, K2 un terme de quasi-résistivité de la
base associé à un facteur m typiquement compris entre 0.6 et 0.7, et K3
une résistance de passage du canal MOS rapportée au gain bipolaire pnp .
3.4. Influence des éléments parasites internes et externes 49

3.4 Influence des éléments et phénomènes pa-

rasites internes et externes
Cette partie décrit l’influence des éléments externes, tels que recouvre-
ment dans la diode de roue libre ou chute de tension sur les inductances
parasites du circuit, et de phénomènes internes, tels que capacités para-
sites et effet de quasi-saturation.

3.4.1 Recouvrement inverse dans la diode de roue

libre
L’analyse faite dans la section 3.3 considère une diode de roue libre
idéalisée. L’effet de déstockage des charges dans la jonction de la diode
(recouvrement inverse) a été négligé. Lorsque une diode est à l’état passant
des charges, dépendantes du courant traversant la jonction, sont accumu-
lées [35].
Q(0) = IF ⌧H⇤
(3.14)
avec ⌧H⇤
la durée de vie effective sous forte injection.
La tension aux bornes du transistor IGBT ne peut commencer à des-
cendre que lorsque le courant dans la diode a atteint une valeur négative
de recouvrement Irr . Le taux de décroissance du courant dI/dt ne dépend
pas de la diode mais des inductances parasites externes et de la varia-
tion de la tension de grille du transistor IGBT. La chute de tension du
transistor IGBT peut être séparée en trois parties (figure 3.5). Le courant
descend d’abord jusqu’à s’annuler avec un certain taux de décroissance
(équation 3.4). Dans la partie 3a le courant dans la diode est négatif, ce
qui permet d’évacuer les charges excédentaires. Le courant devant rester
constant dans la charge inductive le transistor IGBT doit assumer une
crête de courant Icharge + Irr . Le taux de décroissance reste inchangé.
Au début de la partie 3b toutes les charges excédentaires ont été évacuées,
la tension aux bornes du transistor IGBT peut commencer à décroître et le
courant va s’annuler dans la diode avec un transitoire exponentiel, dépen-
dant des paramètres physiques de la diode. Dans les diodes de puissance
pin conventionnelles le taux de décroissance du courant dI/dt est beau-
coup plus grand dans la partie 3b que dans la partie 3a.
Le courant dans le transistor IGBT a atteint sa valeur statique en 3c et
50 Chapitre 3. Manoeuvre d’enclenchement pour un IGBT

0.5 zone
zone 2 zone 3a 3b zone 3c
0 I(diode)

-0.5

1.5

1 Ic

0.5

Vce
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
temps

Fig. 3.5 – Effet de recouvrement inverse.

la tension aux bornes du transistor IGBT Vce continue à descendre avec

un taux inférieur.
La charge extraite de la diode est proportionnelle à l’intégrale de sa par-
tie négative du courant. En négligeant les effets de recombinaison pour
des transitoires rapides cette intégrale de courant est proportionnelle au
courant statique ayant traversé la diode et la crête de recouvrement Irr
est inversement proportionnelle à la vitesse de commutation.

3.4.2 Capacité parasite du transistor IGBT

On trouve une capacité parasite entre le collecteur et l’émetteur du

transistor IGBT (figure 3.6). Elle est de l’ordre de 1 à 5nF selon les per-
formances en courant (surface active) du transistor IGBT et ne peut pas
être négligée dans les applications de puissance. Le courant la traversant
3.4. Influence des éléments parasites internes et externes 51

C
Ic

ICCE
In

Ig CCE
G
Ip

Ie
E

Fig. 3.6 – Capacité parasite collecteur-émetteur du tran-

sistor IGBT.

s’exprime à partir de la loi de Kirchhoff pour les noeuds.

dVce
Ic = Ip + In + ICCE ) Ip + In = Ic CCE (3.15)
dt
La jonction bipolaire assume la décharge de courant de la capacité parasite
à l’enclenchement car le taux de variation de la tension collecteur-émetteur
dVce /dt y est négatif. L’influence, pas directement mesurable, de cette
capacité sur le courant traversant la base est représenté sur la figure 3.7.

2.5

2 zone
zone 2 zone 3a zone 3c
3b
1.5

1 Ip

0.5
Vce
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
temps

Fig. 3.7 – Effets cumulés du recouvrement inverse de la

diode et de la capacité parasite collecteur-
émetteur sur le courant interne.
52 Chapitre 3. Manoeuvre d’enclenchement pour un IGBT

3.4.3 Capacité parasite de la charge

La charge représentée sur la figure 3.2 est une inductance idéale. Une
capacité parasite parallèle doit être prise en compte pour se rapprocher
de formes mesurables (figure 3.8).

Vin Ipara Idiode Icharge

Cpara
{Vgl;Vgh}
+ Rg
+ Charge
inductive
- -
Ic

Fig. 3.8 – Capacité parasite sur la charge.

On exprime le courant de collecteur en appliquant le premier lemme

de Kirchhoff.
d (Vin Vce )
Ic = Icharge +Ipara Idiode = Icharge Idiode +Cpara (3.16)
dt
La capacité parasite sur la charge conduit à une augmentation du courant
traversant le transistor IGBT. La forme de courant Ic résultante est simi-
laire à celle de Ip présentée pour la capacité parasite collecteur-émetteur
de la figure 3.7. Dans une structure de pont en H la charge passe de Vin
à Vin et subit une variation de tension du/dt double de celle du transis-
tor IGBT. Même de très faible capacités d’accès de la charge nécessitent
plusieurs ampères pour se charger pendant la phase d’enclenchement.
Couplée avec l’inductance de la charge, cette capacité parasite générera
également des oscillations du courant Ic et de la tension Vce pendant le
début de la phase de conduction.

3.4.4 Inductances parasites séries du circuit

Le courant dans la source subit une inversion de sens lors de la phase
d’enclenchement. L’inductivité de la source et des connections du circuit
3.4. Influence des éléments parasites internes et externes 53

entraînent une diminution passagère de la tension aux bornes du transistor

IGBT Vce (figure 3.9).
dIc
Vce = Vin Lpara (3.17)
dt
Cela peut aussi conduire à une limitation de la transition de courant

1.5
zone 2
1 Ic
3c
0.5 zone
3a 3b

Vce
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
temps

Fig. 3.9 – Effets cumulés du recouvrement inverse de la

diode et des inductances séries du circuit sur la
tension aux bornes du transistor IGBT.

dIc /dt lorsque la chute de tension induite par les inductances serait plus
élevée que la tension d’alimentation pour une variation de courant donnée
imposée par le driver.
dIc
Lpara = Vin (3.18)
dt
Couplée aux capacités parasites du circuit, cette inductance parasite géné-
rera également des oscillations pendant le début de la phase de conduction,
à partir de la fin du recouvrement de la diode.

3.4.5 Inductance parasite du transistor IGBT

Les connections internes du collecteur, de l’émetteur, et à moindre
importance de la grille, comportent également une faible inductivité série
parasite. Si la chute de tension aux bornes de ces inductances peut être
négligée dans l’étude de la variation de tension collecteur-émetteur Vce ,
il faut tenir compte de l’influence de l’inductivité de l’émetteur sur le
comportement de la grille. pendant le transitoire de courant la tension
mesurable entre la grille et l’émetteur correspond à la somme de la tension
54 Chapitre 3. Manoeuvre d’enclenchement pour un IGBT

effective sur la grille et de la chute de tension sur l’inductance série de

l’émetteur. Les équations 3.2 et 3.4 ne sont vérifiées que par rapport à la
tension effective de la grille. On obtient le terme correctif de ces équations
par le deuxième lemme de Kirchhoff.

dIc
Vge(mesurable) = Vge(interne) + Linterne (3.19)
dt
L’influence de la boucle de courant de grille (au travers de la capacité
grille-source du transistor MOSFET) peut être négligée en comparaison
de l’influence du courant de collecteur.

3.4.6 Eléments parasites du driver

Un driver réel ne peut pas être assimilé à une source de tension idéale
à deux états. Il comporte plusieurs éléments parasites tels que inductance
et résistance séries ou capacité parallèle qui induisent des oscillations.
Ils sont tout particulièrement importants sur le driver flottant supérieur
d’un pont en H qui subit des variations de tension absolues de l’ordre
de la tension d’alimentation. Le driver doit charger sa capacité parasite
contre terre pendant la chute de tension collecteur-émetteur et le cou-
rant disponible traversant la résistance de grille en est fortement diminué.
Heureusement le courant de collecteur diminue pendant la descente de
la tension Vce (fin du recouvrement inverse de la diode de roue libre) et
des charges en surplus sur la grille permettent de continuer à décharger
rapidement la capacité Miller. A cela s’ajoute une accumulation de trous
à l’interface oxyde-base diminuant la capacité effective de la grille [36].
Dans ce cas la variation de tension dVce /dt ne dépend que de la variation
de courant de collecteur dIc /dt. Un dimensionnement soigné du driver est
nécessaire pour conserver le contrôle de la chute de la tension aux bornes
du transistor IGBT.

3.4.7 Traînée en tension

A la fin de la décharge de la capacité Miller (début de la zone 4 sur la
figure 3.4) la tension collecteur-émetteur n’a pas encore atteint sa valeur
statique. On observe une lente décroissance de faible amplitude vers la ten-
sion de saturation Vsat du transistor IGBT. Outre le fait que la grille n’est
3.4. Influence des éléments parasites internes et externes 55

pas encore totalement chargée, on observe un effet de quasi-saturation ty-

pique des transistors bipolaires [37]. Cet effet est souvent présenté dans
la littérature [29], mais jamais expliqué en détail. Ceci est historique-
ment lié au fait que pour des fréquences et des temps de commutation
relativement longs, les pertes supplémentaires induites par la traînée de
tension sont négligeables vis-à-vis des pertes en conduction ou en commu-
tation. L’amélioration des performances en rapidité des transistors IGBTs
et l’utilisation de plus en plus fréquente de circuits relativement complexes
d’aide à la commutation (CALC) laisse apparaître de nouveaux types de
fonctionnement ou les pertes liées à la traînée en tension deviennent plus
importantes, voire dominantes. Il est donc nécessaire d’étudier les causes
de ce phénomène afin de pouvoir le simuler correctement et de voir dans
quelle mesure il est possible d’en diminuer l’influence. Les phénomènes
induisant la traînée en tension sont décrits en détail dans le chapitre sui-
vant.

3.4.8 Difficultés liées aux mesures

De nombreux problèmes se posent lorsque l’on cherche à mesurer l’évo-
lution de la tensions collecteur-émetteur ou le courant de collecteur d’un
transistor IGBT en commutation dure ou en conduction. En ce qui concerne
l’enclenchement du transistor en commutation dure, on se trouve confronté
aux problèmes suivants lors de mesure sur un circuit de test:
- La présence d’une sonde différentielle aux bornes du transistor in-
troduit une capacité parasite en parallèle qui fausse les résultats.
- La plage de tensions collecteur-émetteur à mesurer est importante
(de 0 à quelques centaines de volts). Les oscilloscopes les plus perfor-
mants permettent un codage vertical sur 11 bits, soit 2048 niveaux.
Pour une tension de blocage de l’ordre du kiloVolt, l’approximation
sur la mesure qui en découle (±0.5V ) ne permet pas une analyse
précise de la traînée en tension.
- Si on réduit le facteur d’échelle de la sonde ou de l’oscilloscope pour
obtenir une plus grande précision, elle ou il entre en saturation au
blocage et les résultats de mesure sont complètement faussés. Un
limiteur approprié peut être ajouté en parallèle sur la sonde pour
éviter la saturation, mais les résultats seront nettement perturbés,
56 Chapitre 3. Manoeuvre d’enclenchement pour un IGBT

surtout lors de commutations rapides.

- Les capacités et inductances parasites, formant un certain nombre
de circuits résonnants, introduisent des oscillations sur la tension et
le courant qui rendent difficile la caractérisation du transistor IGBT
lui-même.
Lors de la caractérisation statique Vce = f (ic ; Vge ) du transistor IGBT,
la plage de tensions à mesurer est faible, mais d’autres problèmes appa-
raissent:
- La variation du courant de collecteur doit être suffisamment lente
pour que des phénomènes dynamiques ne perturbent pas les résul-
tats. Le transistor s’échauffe progressivement à cause des pertes lors
de la mesure et la tension de saturation mesurée dépend de la tem-
pérature.
- Pour une mesure lente on observe également une rémanence pro-
gressive au niveau de la sonde de courant. La mesure de courant
sera ainsi par endroits surestimée.
L’évaluation des pertes dans un élément par le produit des mesures de ten-
sion collecteur-émetteur et de courant de collecteur ne donne ainsi qu’une
vague approximation de la réalité. Un calcul indirect par des mesures sur
la source et la charge ou par des mesures thermiques est souvent néces-
saire. La simulation par éléments finis permet de s’affranchir de toutes ces
sources d’erreur et d’imprécisions, avec un résultat reconnu pour être très
proche de la réalité.
 57

Chapitre 4

Analyse physique des

phénomènes

Dans ce chapitre, la lente décroissance de la tension collecteur-émetteur

du transistor IGBT, aussi appelée traînée en tension ou tension de satu-
ration dynamique est analysée en détail. Les résultats de l’approche théo-
rique sont comparés avec ceux fournis par une simulation par éléments finis
sur le logiciel ISE-TCAD. Toutes les simulations ont été faites en utilisant
un modèle de transistor IGBT NPT 1200V fourni par ABB semiconductor
à Lenzburg (Suisse). Le modèle graphique en deux dimensions subit une
rotation de 360 degrés, représentant ainsi une cellule 3D proche de celle
implémentée dans les éléments réels (structure en nid d’abeille).

4.1 Description physique

Lorsque une tension positive suffisante (Vge > Vge(th) ) est appliquée
sur la grille (figure 4.1) un canal d’électrons apparaît sous celle-ci et les
électrons sont rapidement accélérés vers le collecteur par le champ élec-
trique important subsistant dans la zone de déplétion. Un courant Ic peut
alors circuler au travers de l’élément quelles que soient les dimensions de
la zone déplétée, sa résistivité s’adaptant à la chute de tension imposée
par la diode de roue libre ou par l’état de décharge de la capacité Miller
Cgc . De par la structure particulière du transistor IGBT, son transistor
58 Chapitre 4. Analyse physique des phénomènes

émetteur
n+
p zone de base n- n+ p+

collecteur
déplétion
Vbase Vj
VMOS Ic
grille

Fig. 4.1 – Différentes contributions à la chute de tension

globale sur un transistor IGBT.

bipolaire p+ np interne est toujours en mode de fonctionnement normal

et seuls quelques électrons peuvent traverser la jonction émetteur-base
du transistor IGBT. En conduction, la chute de tension aux bornes du
transistor IGBT peut être séparée en trois parties:
- une chute de tension résistive VM OS sur le canal du transistor MOS-
FET interne;
- une chute de tension quasi résistive Vbase le long de la base, incluant
une terme de déplétion au blocage;
- une chute de tension Vj sur la jonction collecteur-base.
Vce = VM OS + Vbase + Vj (4.1)

Liées à des mécanismes de nature très différentes, ces trois contributions

vont être analysées séparément.

4.2 Chute de tension sur le canal du transis-

tor MOSFET interne
Lors du blocage du transistor IGBT le canal MOS ne supporte qu’un
faible pourcentage de la tension bloquée totale. Toutefois la tension ef-
fective du drain du transistor MOSFET interne (sortie du canal dans la
base) reste proportionnelle à la tension totale sur l’élément pendant toute
la durée de l’effet Miller. On peut considérer la capacité Miller du transis-
tor IGBT comme la mise en série d’une forte capacité entre la grille et le
drain du transistor MOSFET et d’une capacité plus faible sur la zone de
4.2. Chute de tension sur le canal du MOSFET interne 59

déplétion. Le canal est en mode saturé pendant toute la durée de l’effet

Miller et le courant ne dépend pas du potentiel de drain.

Vge VT 0
In = (Vge VT 0 )2 VM OS (4.2)
2n n
Lorsque le transistor MOSFET sort du mode saturé, les modes d’ac-
cumulations changent dans la jonction émetteur-drain et la capacité de
jonction augmente rapidement. On observe ainsi un ralentissement de la
décroissance de la tension avant d’atteindre le régime statique.
A la fin du plateau Miller, lorsque le potentiel du drain est inférieur à
une certaine valeur déterminée par la tension de seuil VT 0 , le transistor
MOSFET interne rentre en mode de conduction. La résistance de passage
RDS(on) dépend principalement de la quantité de charges induites dans le
canal par les charges positives accumulées sur la grille. La chute de tension
sur le canal dépend alors du courant In le traversant et du potentiel de
grille.

In Vge VT 0
VM OS = pourVM OS < (4.3)
(Vge Vge(th) ) n
Le paramètre de transconductance du transistor MOSFET dépend
de la permittivité de l’oxyde de grille ✏ox et de son épaisseur tox , à partir
desquels on définit la capacité par unité de surface Cox de la grille. Il
dépend également de la largeur W et de la longueur L du canal.

✏ox W Cox W
= µn = µn [A/V 2 ] (4.4)
tox L L
La mobilité µn ne peut pas être considérée comme constante. Elle
dépend de la densité locale de porteurs dans le canal [38]. Cette densité
augmente d’une part avec le courant, mais dépend également de la tension
de grille. Si le champ électrique très élevé produit par la grille au niveau
du canal n’a pas d’influence directe sur la mobilité (les vecteurs de champ
électrique de déplacement de porteurs sont perpendiculaires), il module la
profondeur de la couche d’inversion et donc également la densité de por-
teurs dans le canal. Les résultats obtenus par simulation et ceux découlant
de l’équation 4.3 sont représentés dans la figure 4.2. Les paramètres de
l’équation ont été directement extraits de la topologie de l’élément simulé
comme In = 0.5mA par cellule (soit 40A/cm2 après mise en parallèle des
60 Chapitre 4. Analyse physique des phénomènes

2.5

2
Simulation 2D
Vmos [V]

Analyse
1.5

0.5

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 5 1
t [s] x 10

Fig. 4.2 – Comparaisons entre calculs et simulations de la chute

de tension sur le transistor MOSFET interne.

cellules), Vge(th) = 5V , Cox W/L = 7mF/m2 . Une approximation linéaire

de la dépendance entre la mobilité des électrons et la tension de grille
µn = 290 8.65Vge cm2 /V s donne de bons résultats dans l’ordre de gran-
deur usuel de la tension de grille (de Vge(th) à 15V). La comparaison entre
calculs et simulations reste bonne pour diverses tensions d’alimentation,
densités de courant et résistances de grille; le point d’intersection entre les
courbes correspondant exactement à la fin du plateau Miller (t = 1.8µs).

Le retard dû au temps nécessaire pour accumuler des charges supplémen-

taires dans le canal est négligeable pour des variations raisonnablement
lentes de la tension de grille. Ainsi l’équation 4.3 est valable autant en
régime dynamique qu’en régime de conduction statique.

4.3 Chute de tension non régulière sur la base

L’analyse de la chute de tension sur la base du transistor IGBT est
beaucoup plus compliquée que pour un transistor bipolaire à cause de sa
4.3. Chute de tension non régulière sur la base 61

structure non symétrique (figure 3.1) et du fait que l’hypothèse de base

courte (longueur de la base plus petite que la longueur de diffusion des
porteurs) n’est pas vérifiée. Au moins trois phénomènes différents doivent
être pris en compte. Le plus important est l’accumulation de charges,
dépendant du courant de collecteur. Il représente la diminution de la ré-
sistance de la base après injection de porteurs excédentaires du collecteur
et est utilisé dans la plupart des modèles existants. Déterminant la chute
de tension à l’état passant, ce phénomène est trop rapide pour expliquer
la traînée en tension à l’enclenchement.
Il faut alors tenir compte d’autres effets de mise en conduction tels que
l’accumulation dans les zones d’accès difficiles et sous l’extension de la
grille sur la base. Il pourra être judicieux de séparer la base en trois
parties comportant des phénomènes d’accumulation différents. Nous les
appellerons zone de drain du transistor MOSFET interne, chemin préfé-
rentiel et chemin secondaire sur la partie allant du drain vers le collecteur
du transistor IGBT (figure 4.3).

émetteur p

collecteur
chemin secondaire
n+
n+ p+
grille drain chemin préférentiel x

Fig. 4.3 – Différentes régions de la base.

4.3.1 Accumulation de charges dans le chemin préfé-

rentiel
L’injection de trous depuis le collecteur par effet bipolaire permet des
densités de trous et d’électrons (pour satisfaire la neutralité électrique
locale) plusieurs centaines de fois supérieures à la concentration due au
dopage existant. La quantité de porteurs nécessaire pour annuler la zone
de déplétion est négligeable comparée à la quantité nécessaire pour assurer
une bonne saturation de la base. Le comportement de la résistivité de la
base se déduit du modèle à commande par la charge (équation 4.5). C’est
62 Chapitre 4. Analyse physique des phénomènes

une approximation du premier ordre de la série de MacLaurin de l’équation

hyperbolique de la charge Q.
Q(t) dQ(t)
J(t)A = + (4.5)
⌧ dt
Lors de la mise en conduction la charge Q croît de manière exponentielle
en fonction de la densité du courant de trous Jp dans la base.

Q(t) = Jp ⌧p A(1 e t/⌧p

) (4.6)

Avec ⌧p la constante de temps des trous dans la base et A sa section.

La chute de tension sur la base, liée à sa conductivité , dépend de la
charge totale au travers des densités de porteurs n et p et du courant de
conduction Jc .
!
! Jc (x)
r V (x) = ; p (x) = qµp p(x) et n (x) = qµn n(x)
(x)
(4.7)
Pour des courants importants, les densités de porteurs sont suffisamment
élevées pour que l’influence du dopage de base soit négligeable et p(x) '
n(x) (figure 4.4a). Dans les zones non déplétées, les variations de densités
de porteurs en fonction de la position sont suffisamment faibles pour que
les variations de courant de conduction (figure 4.4b) et le courant de
diffusion dans l’axe collecteur-émetteur (x) de la base soient négligeables.
L’équation 4.7 peut alors se simplifier hors du bord de la zone de déplétion
pour être compatible avec les valeurs introduites dans l’équation 4.5.
! !
! Jp J
r V (x) = = (4.8)
qµp p(x) q(µp + µn )n(x)
Ainsi la chute de tension résultante décroît pendant l’établissement du
plasma. Jusqu’à la fin du plateau lié à l’effet Miller les mobilités et durée
de vie des porteurs ne sont pas constantes et les équations résultantes ne
peuvent être résolues analytiquement. Heureusement ces effets n’ont pas
d’importance directe sur la chute de tension sur la base pour des résis-
tances de grille raisonnablement élevées (Rg > 10⌦) car l’effet capacitif
Miller est alors dominant. On rappelle que dans sa partie linéaire le tran-
sistor MOSFET se comporte en source de courant commandée, sa tension
de drain pouvant s’adapter pour compenser les variations de résistance
4.3. Chute de tension non régulière sur la base 63

a) b)
1E16 80

60

densité de courant [A/cm2]

Dopage
Densité de trous
1E15
Densité d'électrons Densité de courant d'électrons
40 Densité de courant de trous
[nb/cm3]

collecteur
20
drain

collecteur
base

drain
1E14 base

0
20 40 60 80 100 120 20 40 60 80 100 120
distance x[µm] distance x [µm]

Fig. 4.4 – Densités de porteurs et de courants sur une

coupe de la base selon l’axe émetteur-collecteur.

de la base. L’effet d’accumulation de charges n’est visible au niveau de la

tension que lorsque le transistor MOSFET interne entre en conduction et
que sa tension de drain dépend du courant le traversant et de sa tension
de grille (après la fin du plateau Miller).
Au niveau de la mesure de la tension collecteur-émetteur Vce du transistor
IGBT le phénomène d’accumulation se comporte comme une limitation
inférieure. Lors de commutations très rapides l’effet Miller peut être né-
gligé et Vce décroît comme une exponentielle de constante de temps ⌧p .
Lors de commutations lentes, la mise en saturation de la base avant la fin
du plateau Miller et limitée par la zone de déplétion restante; Vce décroît
d’abord de manière linéaire puis de manière exponentielle une fois la zone
de déplétion complètement annulée.

4.3.2 Accumulation de charges dans le chemin secon-

daire
A la fin du plateau Miller, bien que non déplétée, une partie impor-
tante de la base n’est pas active car les électrons ne peuvent pas se dépla-
64 Chapitre 4. Analyse physique des phénomènes

cer perpendiculairement au champ électrique (figure 4.5). Seule une petite

quantité d’électrons issus de génération de paires électrons-trous circulent
dans la zone du chemin secondaire.

y
- -
émetteur p chemin secondaire -

collecteur
n+ - - -
base n- n+ p+
-

- - - -
grille drain
- - x
- - - -

Fig. 4.5 – Chemin naturel des électrons de l’émetteur vers

le collecteur.

Les trous suivent également le chemin préférentiel et rejoignent l’émetteur

à proximité du canal d’électrons, augmentant ainsi les risques de "latch
up". Cette concentration des densités de courant sur le chemin préféren-
tiel introduit une réduction de la section effective de la base A.
Le gradient de densité d’électron entre les chemins préférentiels et secon-
daires entraîne un courant de diffusion tendant à uniformiser les densités
sur toute la base. La chute de tension sur la base décroît ainsi lentement
au fur et mesure que des portions éloignées de la base sont "activées". La
mise en conduction des zones du chemin secondaire dépend de la densité
de courant traversant l’élément (déterminant la densité de porteurs dans
le chemin principal). La densité de courant de diffusion, beaucoup plus
faible que celle de conduction, s’exprime localement en fonction des den-
sités de porteurs n ou p, des constantes de diffusion respectives Dn ou Dp
et de la charge élémentaire q.
! !
Jdn = qDn ( rn(x)) ; Jdp = qDp ( rp(x)) (4.9)

4.3.3 Accumulation de charges dans la zone de drain

A priori la zone de drain (figure 4.3), proche de la jonction émetteur-
base, comporterait une faible densité de porteurs. L’extension de la grille
sur la zone de drain force une concentration supplémentaire de porteurs
dans la région de la base sous la grille. Ce plasma induit se répartit dans
4.3. Chute de tension non régulière sur la base 65

la zone de drain par des mécanismes de diffusion. On diminue ainsi la

résistivité de cette zone au prix d’une augmentation de la capacité de
grille. En état de conduction, la chute de tension sur la zone de drain est
inversement proportionnelle au potentiel de grille. En cas de variations
rapides de la tension de grille, la résistivité varie avec un retard dû aux
phénomènes de diffusion. Pour un saut théorique instantané de la tension
de grille la résistivité décroît de manière exponentielle avec une constante
de temps correspondant à la durée de vie des porteurs. Dans la plupart
des applications pratiques les sauts de tension sont limités par le caractère
capacitif de la grille et le transitoire sur la variation de résistivité peut
être négligé.

4.3.4 Analyse physique de la mise en conduction

En négligeant les effets capacitifs, la chute de tension sur la base se
définit à l’aide de la physique des semiconducteurs pour les électrons:

Z
collector
Jn (x,y)
Vbase = dx (4.10)
qµn (x,y,T )n(x,y)
drain

ou de manière similaire pour les trous:

Z
collector
Jp (x,y)
Vbase = dx (4.11)
qµp (x,y,T )p(x,y)
drain

On remarque que la seule valeur facilement définissable est la charge élé-

mentaire q.
Un développement analytique est impossible à cause des nombreux cou-
plages entre variables. Si on peut localement lier les densités de courants
et de porteurs en utilisant l’équation de contrôle de la charge
Q
= Jp ⌧p ⇠
= qpwb (4.12)
A
la répartition spatiale de ces grandeurs à la fin du plateau Miller est dif-
ficile à mettre en évidence (figure 4.6). Les mobilités des porteurs µn et
µp dépendent également des densités de porteurs respectifs et de la tem-
pérature.
66 Chapitre 4. Analyse physique des phénomènes

émetteur
collecteur
grille

Fig. 4.6 – Densités de courants d’électrons à la fin du pla-

teau Miller (Simulation par éléments finis). Du
blanc au noir pour les fortes densités.

Par analogie avec le comportement du transistor bipolaire, on peut sup-

poser une composante de la tension liée au phénomène d’accumulation de
charges de la forme [39]
q
Vbase (t) = Vqs AIc ⌧p (1 e t/⌧p ) (4.13)

avec A une constante de proportionnalité à définir et Vqs la chute de

tension sur la base sans plasma (n(x,y) = ND ).

4.4 Chute de tension sur la jonction collecteur-

base
Cette jonction est toujours polarisée dans son sens direct et se com-
porte comme une diode à l’état passant. La chute de tension sur la jonction
dépend simplement du courant selon l’expression standard
Vj
Ic = Is exp( ) (4.14)
nUT

4.5 Des phénomènes physiques aux grandeurs

électriques calculées
Il n’est pas possible de résoudre analytiquement les équations de la
physique des semiconducteurs sur la totalité de la base en tenant compte
de tous les paramètres, mais une résolution locale est possible. On défi-
nit un élément de volume à l’intérieur duquel tous les paramètres sont
4.5. De la physique aux grandeurs électriques calculées 67

constants spatialement (dopage, mobilité, etc...). Cette approximation est

de plus en plus vraie lorsque ce volume devient petit. Si mathématique-
ment la représentation devient parfaite pour un volume infiniment petit,
physiquement le volume correspondant d’un atome est suffisant. Le com-
portement global est obtenu par la somme de tous les comportements
locaux. Une telle stratégie n’est évidemment pas envisageable analytique-
ment et trop lourde en temps de calcul numériquement. On peut remplacer
une charge pas un groupe de charges sans trop altérer les résultats. Un
élément de volume contenant n charges q se comporte alors comme une
charge équivalent nq située au centre de l’élément de volume. On réduit
alors le semiconducteur complet à un ensemble de charges équivalentes
raisonnablement nombreuses pour permettre une implémentation numé-
rique. Un logiciel spécialisé peut alors résoudre les équations de transport
de charge
! !
J = q(⌘µ E D r⌘) (4.15)
pour chacune des charges équivalentes et ses voisines immédiates. La mobi-
lité est constamment réévaluée en fonction de ses principales dépendances
!
avec la densité de porteurs ⌘ et le champ électrique | E | selon des lois
d’approximation phénoménologiques.

Le choix de la disposition des charges équivalentes (maillage) est cru-

cial pour optimiser le rapport qualité des résultats-temps de calcul. Un
maillage uniformément réparti est en général la moins bonne solution.
L’équation 4.15 est d’autant plus linéaire que le gradient de charge est pe-
tit. Il apparaît alors comme naturel de concentrer les points de maillage
dans les zones ou le dopage varie fortement (à proximité des jonctions par
exemple). Cette loi empirique permet d’automatiser la génération d’un
maillage à partir d’un profil de dopage donné (figure 4.7). Il est cepen-
dant nécessaire de forcer un maillage plus fin dans toute zone de canal
pour obtenir de bons résultats.

Une fois la structure semiconductrice et le maillage définis, des points de

connexion (bornes) avec l’extérieur sont nécessaires pour pouvoir incor-
porer la structure par éléments finis (FEM) dans un circuit électrique. La
simulation par éléments finis extrait les courants totaux dans chacune des
bornes à partir des densités de courant J et de la surface de contact. Elle
détermine également la chute de potentiel entre chacune des bornes par
68 Chapitre 4. Analyse physique des phénomènes

Doping Concentration
6.18468E+19
7.03956E+17
8.0126E+15
9.11986E+13
7.97246E+11
-2.11466E+13
-1.8589E+15
-1.63315E+17

Fig. 4.7 – Transistor MOSFET planaire. Profil de dopage et

maillage correspondant pour une simulation FEM.

!
intégration des champs électriques E . On obtient ainsi un macromodèle
équivalent de la structure semiconductrice déterminé par des courants et
des tensions, compatible avec tous les logiciels de simulation de circuit.
Une simulation dynamique de l’élément est alors possible par l’adjonction
d’un circuit externe d’excitation approprié.
 69

Chapitre 5

Etude comportementale -
simulations

Comme montré dans le chapitre précédent, la complexité des phéno-

mènes participant à la traînée en tension rend illusoire la mise en place
d’un macromodèle à partir d’équations issues de la physique des semi-
conducteurs. Une étude comportementale basée sur des simulations par
éléments finis avec le logiciel ISE TCAD 8.0.3 [40] sera développée dans
ce chapitre.

5.1 GENESISe
De nombreux logiciels différents permettent de réaliser des simulations
par éléments finis. La méthode FEM n’est pas spécifique aux semiconduc-
teurs mais également utilisée en hydraulique, en acoustique , en matériaux
, en médecine, en thermodynamique ou tout autre spécialité nécessitant
une analyse spatiale à partir d’équations différentielles. On trouve des ou-
tils de simulations dédiés à une utilisation particulière (Conventor, Nas-
tran, Actran, Spac,...) ou des outils plus généraux appelés simulateurs
multiphysiques (CFD-ACE+MEMS, ANSYS, FEMLAB,...). Le logiciel
multiphysique GENESISe, développé en Suisse, a été choisi pour ses ca-
pacités en modélisation de semiconducteurs et pour des raisons de facilités
de service. GENESISe est un environnement graphique permettant l’uti-
70 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

lisation et la mise en commun de plusieurs logiciels spécialisés.

LIGAMENT et PROSIT:
Le logiciel LIGAMENT est un ensemble de logiciels permettant la simu-
lation de procédés de fabrication. A partir de masques (Layout) et d’un
descriptif précis des étapes de fabrication (durées d’exposition, énergies
d’ionisation,...) LIGAMENT génère les fichiers nécessaires à une simula-
tion de fabrication par PROSIT (figure 5.1).

Etapes du Infos TCAD

Editeur graphique

Editeur graphique
de masques
processus de Technologie modèles Masques
fabrication paramètres (Layout)
de processus

processus de fabrication

simulation de fabrication

Fig. 5.1 – Diagramme structurel de LIGAMENT.

La structure obtenue sous PROSIT est ensuite directement utilisable

pour de la simulation par éléments finis.

MDRAW et MESH:
Le logiciel MDRAW permet de définir directement une structure semi-
conductrice à partir de descriptions graphiques des limites physiques de
la structure, des couches métalliques, des contacts et à partir d’un fichier
de dopage exprimés sous forme mathématique. Le logiciel MESH défi-
nit ensuite automatiquement un maillage approprié à partir de certaines
consignes de tolérance. Le résultat est ensuite directement utilisable pour
la simulation par éléments finis.
5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 71

DESSIS: Le logiciel DESSIS est le simulateur FEM à proprement dit.

Il peut calculer simultanément le comportement spatial de la structure
donnée et le comportement temporel de la structure dans un circuit d’ex-
citation (simulation mixte).

Fig. 5.2 – Simulation mixte sous DESSIS.

Pour l’élément, DESSIS traite un fichier de maillage défini par PROSIT

ou MDRAW. Le circuit d’excitation est défini par l’utilisateur sous un for-
mat Spice. Les résultats spatiaux à un instant donné peuvent être ensuite
visualisés sous le logiciel TECPLOT. Les formes temporelles des tensions
et des courants sur les différents noeuds du circuit auxiliaire peuvent être
visualisées en utilisant le logiciel INSPECT.

La structure du transistor IGBT étudié a été définie sous le logiciel d’édi-

tion MDRAW puis simulée électriquement avec le logiciel DESSIS.

5.2 Modèle 2D pour transistor IGBT

Dans le cadre de cette étude, un modèle de transistor IGBT NPT 2D
1,2kV a été développé avec l’aide d’ABB semiconductors à Lenzburg. Le
modèle, bien que relativement simple, correspond aux développements ac-
tuels de la technologie pour des semiconducteurs de grande puissance. Il
présente de bonnes caractéristiques électriques pour un coût de fabrication
minimal. Le modèle 2D est analysé en quasi-3D par rotation de la struc-
ture autour de l’émetteur. On obtient ainsi une forme proche du "nid
d’abeilles" utilisée par la plupart des fabricants. Les dopages respectifs
sont représentés sur la figure 5.3.
72 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

0 grille
10 émetteur 0
20 Dopage
30 3.35413E+18
40 1.02507E+17
3.13279E+15
50 9.57402E+13
10
2.84061E+12
60
-2.70623E+1 2

X
X

70 -9.14733E+1 3
-2.99317E+1 5
80 -9.79392E+1 6
90 -3.20465E+1 8
20
10 0
11 0 base

12 0 collecteur
13 0
0 20 40 60 80 0 5 10 15 20
Y Y

Fig. 5.3 – Modèle de transistor IGBT 2D. Du noir au

blanc pour les fortes concentrations.

L’élément est développé sur un substrat de silicium homogène d’une

épaisseur de 130 microns dopé positivement par implantation d’atomes
de Phosphore (ND = 6.6 · 1013 /cm2 ). Sur la face supérieure les portions
p+ et n+ de l’émetteur sont obtenues par diffusion, respectivement de
Bore et de Phosphore. Le processus de diffusion est représenté par une
distribution gaussienne des porteurs à partir du plan d’ionisation. Les
couches d’oxyde et de métallisation sont ensuite déposées. Sur la face
inférieure une petite quantité d’atomes de Phosphore est d’abord diffusée
pour accélérer la décroissance du champ électrique (zone tampon), puis
une forte concentration de Bore pour constituer le collecteur. Le fichier
complet correspondant au profil de dopage peut être consulté dans les
annexes (A.1).

Un facteur d’échelle sur la surface de 79577.472, correspondant à l’inverse

de la surface d’une cellule, a été introduit dans les simulations pour faire
5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 73

correspondre les densités de courant sur les noeuds internes en A/cm2 et

le courant externe en A. Une telle précision de huit chiffres significatifs
et nécessaire pour que lors d’une distribution homogène des densités de
courants, les valeurs locales correspondent exactement au courant total
traversant l’élément.

5.2.1 Comportement statique du modèle 2D

Il existe trois simulations typiques permettant de vérifier le bon com-
portement statique d’un transistor IGBT. On augmente tout d’abord très
lentement le potentiel électrique du collecteur tout en gardant les grille et
émetteur à potentiel nul. On met ainsi en évidence les capacités de blocage
du transistor IGBT (breakdown voltage). Le résultat représenté dans la
figure 5.4 pour une température de 400K (température de référence pour
ce type de caractérisation) montre une augmentation rapide du courant
pour une tension collecteur-émetteur supérieure à 1616V, ce qui repré-
sente une marge raisonnable pour un élément 1,2kV commercialisable.
L’étape suivante consiste à établir un potentiel de grille positif (typ. 15V)
pour des potentiels d’émetteur et de collecteur nuls. On augmente ensuite
lentement le potentiel du collecteur pour représenter le comportement en
conduction de l’élément.
[A/cm2]

1E -1
collecteur
aucollecteur [A/cm2]

1E -2
courant au
densitédedecourant

1E -3
Densité

1E -4
0 500 1000 1500
Tension
tensioncollecteur-émetteur
collecteur-émetteur [V] [V]

Fig. 5.4 – Breakdown voltage - Simulation statique (Vge =

0V ).
74 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

800

collecteur[A/cm
collecteur 2]
[A/cm2]
600

au au
de courant

400
de courant
Densitédensité

200

80
0
0 2.4 5 10 15 20
Tension collecteur-émetteur
Tension [V]
collecteur-émetteur [V]

Fig. 5.5 – Conduction - Simulation statique (Vge = 15V ).

On aperçoit (figure 5.5) une saturation du courant à partir de 600A/cm2 .

Pour des considérations thermiques le courant nominal pour un tel élé-
ment sera choisi autour de 80A/cm2 , zone dans laquelle le transistor IGBT
simulé est bien linéaire. Ce point de fonctionnement correspond à une ten-
sion de saturation Vsat de 2.4V.
Densité de courant de collecteur [A/cm2]
densité de courant de collecteur [A/cm2]

1E0

1E -5

1E-10
0 5 10 15
Potentiels conjoints
potenetiel de grillede grille
et de et de[V]
collecteur collecteur [V]

Fig. 5.6 – Tension de seuil - Simulation statique (Vge =

Vce ).
5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 75

Pour la dernière étape de la caractérisation statique les potentiels de

collecteur et de grille sont conjointement augmentés, le potentiel d’émet-
teur restant nul. La tension de seuil Vge(th) est conventionnellement définie
comme le point où la densité de courant de collecteur atteint 10mA/cm2
pour une température de 300K (selon convention de la plupart des construc-
teurs). Dans le modèle utilisé ce point (figure 5.6) correspond à une tension
de seuil de 4.8V.

5.2.2 Extraction d’une approximation comportemen-

tale statique en conduction

La nature des contributions mises en jeu dans un transistor IGBT

diffère énormément selon les régions considérées. Si l’on veut conserver
une certaine corrélation entre l’essence physique des phénomènes mis en
oeuvre et leur représentation mathématique, il est nécessaire de séparer
les contributions de tension sur le transistor IGBT selon leur nature. Pour
ce faire on introduit des "points de mesure" supplémentaires à l’intérieur
même du substrat en mémorisant les variations de potentiel électrosta-
tique pour des points particuliers de la structure FEM (figure 5.7).

On fait ainsi apparaître trois contributions de tension de nature différente:

- Vj = Vc V2 : la chute de tension sur la jonction base-collecteur du

transistor IGBT.
- Vm = V1 Ve : correspondant à la chute de tension sur le canal MOS
interne du transistor IGBT. Cette chute de tension dépendra du
courant traversant l’élément mais dépendra également fortement du
potentiel de grille appliqué.
- Vb = V2 V1 : représentant la chute de potentiel sur la base n
du transistor IGBT. Elle dépend également de la grille à cause du
surplus de charge induit dans la région de drain de la base par
l’extension de la grille sur cette dernière.

Les expressions mathématiques déduites pour les différentes parties du

transistor IGBT devront être infiniment continûment différentiables (C1)
pour assurer un traitement aisé par n’importe quel outil de simulation.
76 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

y
émetteur
Ve-
p n+ p+
n+ base collecteur
-Vc
grille V1 V2
x

Fig. 5.7 – Points intermédiaires considérés.

Approximation par la méthode des moindres carrés

On cherche à définir une fonction analytique y = f (x) correspondant
le mieux possible à un ensemble de points mesurés. Lorsque la fonction
à approcher est linéaire, la méthode des moindre carrés se prête particu-
lièrement bien à cette manipulation [41]. Soient y~m et x~m deux vecteurs
de dimension k comportant l’ensemble des k points mesurés, tel que pour
un point donné ym(i) = f (xm(i) ). Soit y~a un vecteur dont chaque ligne
correspond au résultat de la fonction analytique y = f (x) appliquée au
terme d’indice correspondant de x~m . La somme des carrés de l’erreur s
s = ⌃ki=1 (ym(i) ya(i) )2 = (y~m y~a )0 (y~m y~a ) (5.1)
devra être la plus faible possible pour que la fonction y = f (x) soit une
bonne approximation de la courbe mesurée. On a ainsi un système de k
équations linéaires de la forme ya(i) = f (xm(i) ) que l’on peut mettre sous
forme matricielle en introduisant une matrice A telle que y~a = A~ ↵. L’en-
semble des paramètres de l’équation y = f (x) permettant de minimiser la
fonction d’erreur se déduisent en appliquant
~↵
ˆ = (A0 A) 1
Ay~m (5.2)
Si l’on cherche par exemple à approcher 4 points de mesures (xm1 ; ym1 ),
(xm2 ; ym2 ), (xm2 ; ym2 ), (xm2 ; ym2 ) par une fonction quadratique de la
forme y = ↵0 + ↵1 x + ↵2 x2 on obtient les termes sous forme matricielle
0 1 0 1
ym1 1 xm1 x2m1 0 1
B ym2 C B C ↵0
C , A = B 1 xm2 xm2 C , ~↵
2
y~m = B
@ ym3 A @ 1 xm3 x2 A ˆ = @ ↵1 A (5.3)
m3
↵2
ym4 1 xm4 x2m4
5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 77

On détermine ainsi la fonction linéaire y = f (x) donnant la meilleure ap-

proximation de la courbe mesurée.

Lorsque l’on cherche à approcher une courbe mesurée par une fonction non
linéaire, la méthode des moindres carrés n’est pas directement applicable.
On peut toutefois en conserver le principe de base en cherchant par itéra-
tions successives les paramètres dans un intervalle donné qui minimisent
la fonction d’erreur s. On aura par exemple pour une fonction exponen-
tielle de la forme y = A exp(x/⌧ ) une itération facilement implémentable
dans un logiciel de calcul:

f or i = 1 : 1000
A = Amin + (Amax Amin )(i/1000)
f or j = 1 : 1000
⌧ = ⌧min + (⌧max ⌧min )(i/1000)
ya (1 : k) = A exp(x(1 : k)/⌧ )
S(i,j) = (y~m y~a )0 (y~m y~a ) (5.4)
end
end
[s,I,J] = min(S)
A = A(i = I)
⌧ = ⌧ (j = J)

Si la précision sur les paramètres A et ⌧ augmente avec le nombre de

points testés (1000 dans le cas présenté), le temps de calcul peut très
vite devenir démesuré (1000x1000 la routine de calcul principale). On
peut alors diminuer le nombre de points testés et réduire progressivement
l’intervalle de test des paramètres autour du minimum probable.

Modélisation statique de la jonction base-collecteur

La représentation de la tension apparaissant sur la jonction en fonc-

tion du courant qui la traverse (Vj = f (Ic )) laisse apparaître trois zones
distinctes (figure 5.8), ne dépendant pas du potentiel Vge appliqué sur la
grille du transistor IGBT.
78 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

a) c)
b)
Ic [A]

pente=1/2uT
pente=1/nouT

Vj [V]

Fig. 5.8 – Caractéristique courant(log)-tension(lin) de la

jonction.

On distingue une zone de faible courant a) caractérisée par une fonction

✓ V ◆
j
Ic = Is0 · e 2uT 1 (5.5)

une zone de courant moyen b) caractérisé par

✓ V ◆
j
Ic = Is · e nuT 1 (5.6)

et une zone de fort courant c) dominée par l’effet résistif sur la jonction
✓ V R Ic ◆
j j
Ic = Is · e nuT
1 (5.7)

Le résistance équivalente de jonction Rj prend également en compte une

approximation linéaire de l’effet Early. On peut trouver par itérations la
valeur de résistance Rj qui rend la fonction

Vja = Vj Rj Ic (5.8)

la plus linéaire possible dans une échelle semi-logarithmique considérée

pour des courants moyens et forts. On obtient alors facilement les facteurs
Is et n dans les zones de faibles et moyens courants. Soit [I0 ; V0 ] le point
5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 79

d’intersection entre les deux droites approchant la tension dans les zones
de faibles et moyens courants; la chute de tension sans effet résistif Vja
est à déterminer de chaque côté du point d’intersection.
8 ⇣ ⌘
< 2uT ln Ic + 1 , Ic  I0
Vja = ⇣Is0 ⌘ (5.9)
: nuT ln Ic + 1 , I c > I0
Is

En considérant un terme de tension à faibles courants et le terme de

différence entre faibles et moyens courants, on peut également écrire
8 ⇣ ⌘
< 2uT ln IIs0
c
+1 , Ic  I0
Vja = ⇣ ⌘ ⇣ ⌘
: 2uT ln Ic + 1 (2 n) · uT ln II0c + 1 , I c > I0
Is0
(5.10)
où un terme commun aux deux régimes est mis en évidence. Finalement,
la continuité C1 différentiable est imposée entre les deux zones en choi-
sissant
0 ⇣ ⌘Ats 1
✓ ◆ ln(1 + II0c )C
Ic B
Vja = 2uT ln +1 @ (2 n) · u T A (5.11)
Is0 ln(1 + eAts )

où le coefficient Ats détermine la courbure de transition entre les deux

régimes de fonctionnement. On obtient alors une forme approchée pour la
chute de potentiel sur la jonction Vj en fonction du courant la traversant
de la forme ⇢
Vja + Rj Ic , Ic 0
Vj = (5.12)
0 , Ic < 0
Dans le cas étudié les paramètres utiles sont la résistance équivalente de
la jonction Rj = 14.86µ⌦, le coefficient n = 1.3175, le courant inverse de
saturation pour faibles courants Is0 = 3.3372 · 10 10 A, le courant inverse
de saturation pour courants moyens et forts Is = 2.33 · 10 15 A et le
point d’intersection entre les caractéristiques de faibles et moyens courants
[I0 = 2.972A; V0 = 603mV ]. La tension thermodynamique uT = 13.16mV
est nettement inférieure aux valeurs usuelles, cela étant dû au courant de
conduction supplémentaire lié au phénomène de multiplication bipolaire.

Le modèle présenté montre une erreur relative maximale inférieure au

80 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

demi pour-cent entre la tension simulée et le résultat de l’approximation

mathématique pour un coefficient de courbure Ats = 5 (figure 5.9).

log(Ic) [A]
Vj [V]

Ic [A] Vj [V]

Fig. 5.9 – Correspondance entre les points simulés (•) et

les points calculés par 5.12 ( ).

Modélisation statique du canal MOS

La différence de potentiel Vm apparaissant sur le canal MOS dépend

du courant qui le traverse, mais également du potentiel appliqué sur la
grille. Le courant In traversant le canal (figure 3.3) dépend du gain en
courant pnp = f (Ic ,t) de la partie bipolaire.

On sépare généralement la fonction In = f (Vm ,Vge ) en trois modes de

fonctionnement [42]:
- un mode de blocage (Vge < Vge(th) ),
- un mode quasi-linéaire (Vge > Vge(th) ; Vm < Vsat ),
- et un mode de saturation (Vge > Vge(th) ; Vm Vsat ).
5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 81

8
>
> 0, (blocage)
>
< V V 0.5(1+ +✓ (Vge Vge(th) ))Vm
In = Vm ge ge(th) 1+✓s (Vge Vcge(th) ) , (quasi linéaire)
>
>
>
: (1+ (Vm Vsat ))(Vge Vge(th) )2
2(1+✓s (Vge Vge(th) ))(1+ +✓c (Vge Vge(th) )) (saturation)
(5.13)
où Vsat = (Vge Vge(th) )/(1 + + ✓c (Vge Vge(th) )) et , , , ✓s et ✓c
sont des paramètres constants du modèle. Le paramètre permet entre
autres de tenir compte de la variation du potentiel moyen de la zone de
substrat du MOS, proportionnelle à la chute de tension sur le canal Vm ,
due au passage du courant de trous à proximité du canal d’électrons.

Même si les passages entre les régions sont continus, les changements
brusques de nature des expressions (quadratique pour la conduction et
proportionnelle pour la saturation) peuvent poser des problèmes de conver-
gence lors de simulations par macromodèle et ne peuvent de toute façon
pas être la représentation du comportement physique du transistor MOS-
FET. Il est judicieux de transformer le modèle par modes Ic = f (Vm ) de
l’équation 5.13 en une fonction de fonction de Vm [42]. Ceci permet de
combiner les régions de saturation et de conduction.
(1 + (Vm VmL ))VmL
In = (Vge Vge(th) 0.5(1+ +✓c (Vge Vge(th) ))VmL )·
1 + ✓s (Vge Vge(th) )
(5.14)
⇢
Vm , Vm < Vsat
VmL = (5.15)
Vsat , Vm Vsat
L’équation 5.15 peut alors être approchée par une fonction C1 différen-
tiable asymptotiquement et proche de VmL . Une fonction possible est
Vm
Vsat ln(1 + eAts (1 Vsat ) )
VmL (Vm ) = Vsat (5.16)
ln(1 + eAts )
le paramètre Ats déterminant la courbure de la transition pour Vm proche
de Vsat . Le paramètre Ats varie entre 5 et 25 selon la longueur du canal
pour un transistor MOSFET standard. L’étude de la dérivée du courant
Ic par rapport à la tension Vm (figure 5.10) pour le transistor MOSFET
interne d’un transistor IGBT montre le caractère très lent et doux de la
transition entre les zones de conduction (la dérivée est une droite) et de
saturation (dérivée constante). Le paramètre de courbure Ats sera ainsi
82 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

dIn/dVm [A/V]

Vm [V]

Fig. 5.10 – Dérivée du courant par rapport et en fonction de

la chute de tension sur le canal MOS (Vg e = 9V ).

plutôt proche de 1. L’approximation de continuité s’étend alors sur l’en-

semble de la zone de conduction et la presque totalité des paramètres de
l’équation 5.14 s’en trouvent dégénérés. On peut expliquer cette dégéné-
rescence du mode de conduction par le relativement faible dopage de la
zone de drain du transistor MOSFET interne du transistor IGBT. Les
variations de longueur effective sont plus aisées que dans un transistor
MOSFET planaire avec un dopage de drain élevé et introduisent une per-
turbation importante sur la chute de tension totale du canal.

On peut alors réécrire l’équation 5.14 sous la forme

✓ ◆
VmL
In = A · Vm (1 + (Vm Vm )) · 1
L L
(5.17)
2Vsat
sans perte de généralité puisque les paramètres , , ✓s et ✓c n’ont de
toute façon pas d’origine purement physique, mais uniquement phénomé-
nologique. Les paramètres A et Vsat sont des fonctions a priori quelconques
de Vge et la fonction développée dans l’équation 5.16 reste valable pour
VmL .

Le paramètre peut être rapidement déduit de l’observation de la pente

de In pour des tensions Vm importantes. En mesurant ou simulant les
fonctions Ic = f (Vm ) pour plusieurs tensions de grille Vge différentes on
peut déterminer par itérations successives sur A et sur Vsat les couples de
5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 83

paramètres permettant de minimiser la fonction d’erreur

s = (Vm(mesure) Vm(analytique) )0 (Vm(mesure) Vm(analytique) ) (5.18)

séparément pour chacune des tensions de grilles envisagées. Ceci revient

à chercher le couple de paramètres A et Vsat permettant d’approcher au
mieux les mesures pour une tension de grille et un facteur de continuité
Ats donnés.

Connaissant une ensemble de valeurs de A optimales pour différentes va-

leurs de Vge on peut extraire par la méthode des moindres carrés une
équation linéaire pour A en fonction de Vge .

A = a0 + a1 Vge + a2 (Vge )n1 (5.19)

Le calcul itératif sur n1 de l’erreur quadratique résultante entre les va-

leurs de A définies et l’approximation permettent de définir un facteur n1
minimisant cette erreur.

La même méthode peut ensuite être utilisée pour définir Vsat comme une
fonction de Vge .

Vsat = vsat0 + vsat1 Vge + vsat2 (Vge )n2 (5.20)

La méthode décrite précédemment a permis d’extraire les valeurs sui-

vantes pour les différents paramètres
Ats = 1 ; = 3.2 · 10 3
;
A= 35.69 + 45.76Vge 7.73 · 104 (Vge ) 3.549
;
Vsat = 1.557 + 0.299Vge 5.625 · 10 4
(Vge )2.705 .
On peut comparer les valeurs obtenues en introduisant les paramètres
définis dans les équations 5.16 et 5.17 avec les valeurs extraites de la si-
mulation par éléments finis (figure 5.11).
Les résultats sont très bons pour une large gamme de points de fonction-
nement. La précision n’en est pas altérée dans la zone de conduction quasi
linéaire (figure 5.12).
84 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

Vge=20V Vge=15V

Vge=13V
In [A]

Vge=11V

Vge=9V

Vge=8V
Vge=7V
Vge=6V

Vm [V]

Fig. 5.11 – Comparaisons des valeurs simulées (FEM) et des

résultats analytiques pour l’expression de la chute
de potentiel sur le transistor MOSFET interne.

Les chutes de tension modélisées se rapportent au courant d’électrons

traversant le canal et ne tiennent pas compte du courant de trous tra-
versant directement la jonction base-émetteur. Pour une modélisation
Vm = f (Ic ) il est nécessaire d’introduire une relation entre le courant
d’électrons et le courant de trous en régime statique. En négligeant les
recombinaisons dans l’émetteur, on peut écrire le gain en courant comme

pnp In = Ip ; Ie = In + Ip (5.21)

pour la région de frontière base-émetteur. Une modélisation précise du

gain bipolaire au niveau de l’émetteur est très compliquée (figure 5.13).
5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 85

3V

V
20

15

11
=1
=

=
ge

ge

ge

ge
V

V
Vge=9V

Vge=8V
In [A]

Vge=7V

Vge=6V

Vm [V]

Fig. 5.12 – Comparaisons des valeurs simulées (FEM) et

des résultats analytiques pour l’expression de
la chute de potentiel sur le transistor MOSFET
interne (zone de conduction quasi linéaire).

Le gain en courant au niveau de l’émetteur sans recombinaisons dans

la base correspond au gain effectif de la jonction collecteur-base. Le cou-
rant d’électrons à fournir par l’émetteur est évidemment plus grand pour
compenser les électrons perdus par recombinaison dans la base (dimi-
nution du gain en courant pour une modélisation avec recombinaison).
Cette diminution est particulièrement marquée pour les faibles densités
de courant car la majeure partie des trous se recombinent dans la base et
n’atteignent pas l’émetteur. Elle devient moins importante pour de fortes
densités de courant, car la désintégration d’excitons (vecteur d’énergie
scalaire) en présence de hautes densités de porteurs tend à diminuer le
taux de recombinaison Auger [40].
 86 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

Ip/In Sans recombinaisons Ip/In

Avec recombinaisons

Ic [A] Ic [A]

Fig. 5.13 – Gain en courant avec ou sans recombinaisons.

Faibles courants et vue globale.

On rappelle que lorsqu’un électron en conduction vient combler un vide

sur une couche atomique inférieure, un électron d’une couche supérieure
est expulsé avec une énergie cinétique plus grande (différence d’énergie
entre les couches). Ce processus induit indirectement une réduction de la
durée de vie des porteurs (effet Auger) [43].

Le gain en courant peut être modélisé par une composante linéaire à la-
quelle s’ajoute une somme de contributions exponentielles provenant de
mécanismes différents. La densité de porteurs dans la zone de drain, et
donc le taux de recombinaison local, dépend du potentiel de grille. Ce der-
nier doit donc également intervenir comme variable dans la modélisation
du gain en courant.
L’influence de tous ces paramètres est toutefois relativement faible et la
précision apportée par un modèle complet est peu importante vis à vis
de la complexité engendrée. Un modèle linéaire indépendant de la tension
de grille pour le gain en courant permet une relativement bonne approxi-
mation de la fonction Ip = f (In ). Dans une représentation du courant
de trous par rapport au courant d’électrons au niveau de l’émetteur, les
courbes simulées pour différentes tensions de grille (6,7,8,9,11,13,15 et
20V) sont quasiment confondues avec l’approximation analytique (figure
5.14).
pnp = 0.35 + 3.81 · 10
5
In (5.22)
5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 87

approximation

simulations 2D
Ip [A]

In [A]

Fig. 5.14 – Courant de trous en fonction du courant d’élec-

trons pour différentes tensions de grille.

Le caractère C1 différentiable de toutes les équations envisagées et

la précision importante sur tous les points de fonctionnement testés laisse
présager une bonne approximation des mesures par la forme analytique
pour l’ensemble des points de fonctionnement possibles et un traitement
numérique aisé et rapide.

Modélisation statique de la base

La différence de potentiel Vb apparaissant sur la base dépend princi-

palement du courant qui la traverse. La base a donc un comportement
essentiellement résistif, dépendant de l’accumulation de charge (plasma)
en chaque point. L’influence de la charge de la grille ne peut toutefois pas
être négligée, car elle introduit une charge spatiale supplémentaire dans
la zone de la base proche de la sortie du canal MOS (zone de drain proche
de Vm sur la figure 5.7). Cette augmentation du nombre de porteurs a
pour effet de diminuer localement la résistivité.

Dans chaque élément de section le long de la base le champ électrique peut

être déterminé à partir des densités de courants et conductivités locales.

! !
J conduction = (µn n + µp p)q E (5.23)
88 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

Le courant de diffusion en régime stationnaire peut être négligé et la com-

posante de conduction s’identifie au courant total. Les électrons suivent
majoritairement la ligne directe Vm à Vb et on négligera également les com-
posantes transverses (axe y) des vecteurs. La densité de porteurs locale n
ou p dépend par contre fortement de la position sur l’axe x. Les champs
électriques restant relativement faibles dans une base en conduction, les
mobilités des porteurs µn et µp ne dépendent que de la densité de porteurs
locale, et ainsi indirectement de la position. Les courants de conduction de
trous et d’électrons étant sensiblement de même amplitude, on pourrait
également tenir compte des interactions entre les courants sur les mobilités
respectives par une composante de mobilité couplée µnp (carrier-carrier
scattering)[44].

Soit wb la longueur de la base dans l’axe direct x, la chute de potentiel

sur l’ensemble de la base peut s’écrire
Z wb Z
1 wb J(x)
Vb = E(x)dx = dx (5.24)
0 q 0 µn (n)n(x) + µp (p)p(x)

L’approximation n(x) ⇡ p(x), souvent utilisée pour la modélisation de la

base, serait maladroite car elle pose de sérieux problèmes de convergence
à faible courants. En introduisant n(x) = p(x) + ND pour satisfaire la
neutralité électrique locale on obtient pour la chute de potentiel sur la
base Z
1 wb J(x)
Vb = dx (5.25)
q 0 µn (p)ND + µ(p)p(x)
avec la mobilité totale ambipolaire µ = µp + µn .

Si localement l’expression du champ électrique est assez simple, les dépen-

dances des densités de courants et de porteurs en fonction de la position x
s’avèrent très compliquées et l’équation 5.25 ne peut être résolue analyti-
quement qu’au prix de nombreuses simplifications dégradant la précision
du résultat. Des complications apparaissent pour l’expression de chacun
des termes.
J(x): La surface disponible pour le passage du courant dans la zone de
drain est plus petite que dans le reste de la base. On a donc une
augmentation correspondante des densités de courants à proximité
de la sortie du canal MOS.
5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 89

µ: La mobilité des porteurs dépend du nombre volumique des impure-

tés, ou de manière similaire des densités de porteurs locales. Si la
mobilité reste plus ou moins constante à faible courant, on remarque
une décroissance rapide à courant élevé. De nombreuses modélisa-
tions de la mobilité en fonction des densités de porteurs existent.
On citera par exemple celle de Mosetti [45] largement utilisée pour
la simulation par éléments finis
µ0 µmin2 µ1
µdop = µmin1 · e (Pc /Ni )
+ ⇣ ⌘↵ ⇣ ⌘ (5.26)
1+ Ni
Cr 1+ Cs
Ni

avec Ni = ND + n + p le nombre total d’impuretés ionisées et tous

les autres termes comme paramètres du modèle dépendant du type
de mobilité (électrons ou trous).
p(x): La densité de porteurs dans la zone de drain dépend du potentiel
appliqué sur la grille (courant de diffusion non négligeable dans cette
zone) et de la densité de courant. Sa modélisation est extrêmement
compliquée. On peut toutefois contourner la difficulté en admettant
que l’augmentation de la densité de porteurs compense l’augmen-
tation de la densité de courant dans la zone de drain et définir le
champ électrique dans cette région par extrapolation de la région
centrale de la base. L’erreur ainsi faite sur la chute de potentiel sur
la zone de drain est relativement faible par rapport à la chute de
potentiel sur l’entier de la base.
Dans la région centrale de la base l’équation de diffusion ambipo-
laire,
d2 p(x) p(x)
= (5.27)
dx2 L2
où L est la longueur de diffusion ambipolaire, permet de déterminer
l’évolution de la densité de trous dans la base à partir des conditions
aux extrémités p(x=0) et p(x=wb )

sinh wbL x sinh x

p(x) = p(x=0) + p (x=wb)
L
(5.28)
sinh wLb sinh wb
L

les résultats obtenus avec l’équation 5.28 et une simulation par élé-
ments finis pour une densité de courant de 80A/cm2 et une longueur
de diffusion L = 172µm est présentée dans la figure 5.15.
90 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

p [1021 /m3]

x [10-4 m]

Fig. 5.15 – Profil de la densité de trous le long de la base et ap-

proximation analytique. Ic = 80A et L = 172µm.

Lorsque l’on s’approche du collecteur, la longueur de diffusion L

diminue à cause de l’augmentation du dopage initial (couche tampon
n+).

La difficulté majeure est de déterminer les conditions aux bornes

p(x=0) et p(x=wb ) pour un courant donné, principalement à cause de
l’influence des courants de recombinaison [46].

Si la résolution analytique en toute rigueur de l’équation 5.25 n’a pas de

sens car chaque approximation sur la mobilité ou la densité de porteurs
entraîne une erreur importante lors de l’intégration, on peut en déduire des
modes de comportement pour des points de fonctionnement spécifiques.
En négligeant les effets de rétrécissement dans la zone de drain, ce qui
est raisonnable si l’on néglige également l’augmentation du nombre de
porteurs dans cette zone, la densité de courant ne dépend pas de la position
et l’équation 5.25 se simplifie.

Z
J wb
1
Vb = dx (5.29)
q 0 µn (p)ND + µ(p)p(x)
5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 91

Pour des valeurs très faibles de courant, la couche d’accumulation de trous

et quasiment inexistante, ce qui permet de définir la résistance maximale
de la base non déplétée
wb
Rmax = (5.30)
qµn ND
Dans le cas du transistor IGBT étudié la longueur de la base wb vaut
0.0125 cm, le dopage de base 6.6 · 1013 cm 3 et la mobilité environ 1400
cm2 /V s. La résistance unipolaire maximale correspondante est de Rmax =
0.85⌦. A noter que l’équation 5.30 ne tient pas compte de la diminution de
la résistivité dans les zones tampons (dopage supérieur) et de drain (sup-
plément d’électrons lié au potentiel de grille). Ainsi la résistance maxi-
male simulée est légèrement inférieure et dépend du potentiel de grille
(Rmax = 0.67⌦ pour Vge = 15V ).

Pour des courants à peine plus élevés, les mobilités sont plus ou moins
constantes. En considérant la densité de trous à proximité de la grille p0
comme négligeable vis à vis du dopage initial ND , une densité de trous
à proximité de l’émetteur pwb et une variation linéaire de la densité de
minoritaires p entre ces deux points, l’équation 5.29 devient
Z ✓ ◆
J wb 1 Jwb µpwb
Vb = dx = ln 1 + (5.31)
q 0 µn ND + µ pwwb x qµpwb µn ND
b

En admettant une durée de vie des porteurs minoritaires ⌧p constante

pour des courants faibles, la densité de trous à proximité de l’émetteur
est proportionnelle à la densité de courant. En effet l’équation de charge
en régime stationnaire Jp A = Q/⌧p se transforme en
pnp +1 qwb
J = pw b · (5.32)
pnp 2A⌧p
et l’équation pour la chute de potentiel sur la base devient finalement
✓ ◆
wb2 ( pnp + 1) 2µ pnp A⌧p
Vb = ln 1 + J (5.33)
2µA⌧p pnp µn ND qwb ( pnp + 1)
Cette équation satisfait les conditions prévues à courant nul puisque on a
dans ce cas Vb(J=0) = 0, et pour la dérivée

dVb wb 1
= · 2µ pnp A⌧p
= Rmax (5.34)
dJ J=0 qµn ND 1 + J
µn ND qwb ( pnp +1)
J=0
92 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

Pour des courants plus importants, la composante liée au dopage initial

peut être négligée. L’équation 5.29 devient alors

Z
J wb
1
Vb = dx (5.35)
q 0 µ(p)p(x)

En considérant une longueur de diffusion L du même ordre que la profon-

deur de la base wb le profil des porteurs le long de la base (équation 5.28)
peut être considéré comme linéaire. En posant p0 la densité de porteurs à
la sortie du canal MOS (x=0) et pwb la densité de porteurs à proximité du
collecteur (x=wb ), la chute de potentiel sur la base peut être approchée
par

Z
wb J wb
(pwb p0 )/wb wb J pw b
Vb = dx = ln
µ(p)q(pwb p0 ) 0 p0 +
(pwb p0 )
x µ(p)q(pwb p0 ) p0
wb
(5.36)
Si les termes pwb et p0 dépendent du courant traversant la base, leur dif-
férence pwb p0 n’augmente que peu avec le courant (figure 5.16). Cette
faible augmentation est compensée par une faible augmentation du terme
logarithmique et une diminution de la mobilité µp . Ainsi dans son en-
semble le facteur

wb pw b
ln (5.37)
µ(p)q(pwb p0 ) p0

peut être considéré comme constant et la base a dans son ensemble un

comportement résistif Vb = RJ.

La charge totale en régime stationnaire

Z wb
Q=q p = Jp A⌧p (5.38)
0

n’est donc pas proportionnelle au courant et on remarque une diminution

de la durée de vie effective des minoritaires dans la base pour des courants
élevés, liée à l’augmentation des courants de recombinaison.
 5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 93

Densité de trous [1016/cm3]

409 A/cm2
307 A/cm2
201 A/cm2
153 A/cm2
108 A/cm2
57 A/cm2

13 A/cm2
1.5 A/cm2

Distance x[10-6m]

Fig. 5.16 – Profil de la densité de trous le long de la base

pour différentes densités de courant.

La transition entre les régimes de faibles et forts courants étant progres-

sive, il est difficile de déterminer un comportement global par continuité
des équations entre ces deux régimes. Les résultats ainsi obtenus seraient
inutilement lourds à manipuler. De plus de tels résultats ne contiennent
pas d’information sur l’influence du potentiel de grille sur la chute de ten-
sion sur la base.

Pour de très faibles courants et une tension de grille donnée, la relation

entre la chute de potentiel sur la base et le courant est de la forme

Vb = A log(1 + BJc ) (5.39)

où A et B sont des paramètres à définir. Des essais de correspondance

entre des simulations par éléments finis et cette forme approchée montre
que les résultats, bien que valables pour des très faibles courants, divergent
rapidement (figure 5.17).
94 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

Vb[V]

Simulation

approximation

Ic[A]

Fig. 5.17 – Chute de tension sur la base à faibles courants

(Vge = 15V ), simulation et approximation.

On peut étendre la correspondance entre les résultats de simulation et

l’approximation à des courants moyens sans perte de précision pour les
courants faibles en modifiant légèrement l’équation 5.39:

Vb = A log(1 + BJcn ) (5.40)

Vb[V]
Simulation
approximation

Ic[A]

Fig. 5.18 – Chute de tension sur la base à faibles et moyens courants

(Vge = 15V ), simulation et approximation étendue.

Des essais montrent que les meilleurs résultats sont obtenus pour un
facteur n = 0.68 (figure 5.18).
5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 95

La correspondance est très bonne jusqu’à une valeur de densité courant

que l’on nommera Jc(th) , qui correspond à une notion de seuil de com-
portement. Au dessus de cette valeur l’erreur entre l’approximation et les
résultats de simulation a une forme quasi résistive. En écriture mathéma-
tique l’approximation complète devient

⇢
A log(1 + BJc0.68 ), Jc  Jc(th)
Vb = (5.41)
A log(1 + BJc0.68 ) + R(Jc Jc(th) ), Jc > Jc(th)

On en déduit aisément une formulation C1 mieux adaptée à l’implémen-

tation d’un macromodèle

1
Vb = A log(1 + BJc0.68 ) + (1 + tanh(Jc Jc(th) ))R(Jc Jc(th) ) (5.42)
2

On peut ainsi, pour une tension de grille donnée, modéliser la chute de

tension sur la base en régime de conduction avec seulement quatre para-
mètres: A, B, Jc(th) et R.

En connaissant les valeurs des paramètres pour chacune des tensions de

grille, on peut par la méthode des moindres carrés les exprimer comme
fonction de Vge . Pour une conductivité ayant un comportement relative-
ment linéaire
1
R= (5.43)
19 + 31Vge

les trois autres paramètres ne dépendent que faiblement de la tension de

grille et peuvent être considérés comme constants

Jc(th) = 20, A = 0.457, B = 0.37 (5.44)

Ceci permet de réécrire l’équation 5.42 en tenant compte de l’influence du

potentiel de grille dans les cas du transistor IGBT étudié.

1 1
Vb = 0.457 ln(1 + 0.37Jc0.68 ) + (1 + tanh(Jc 20)) (Jc 20)
2 19 + 31Vge
(5.45)
96 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

vge=11V vge=13V

vge=9V
vge=15V

vge=8V
vge=20V
vge=7V
Vb[V]
vge=6V

___ Simulation
...... Approximation

Ic[A]

Fig. 5.19 – Chute de tension sur la base, approximations et résul-

tats de simulation pour différentes tensions de grille.

La procédure qui a permis de définir les paramètres peut être entiè-

rement automatisée sous Matlab et prend moins d’une minute de calculs
sur une machine équipée de processeurs récents. L’ensemble des points
!
de fonctionnement simulés sont placés dans deux vecteur ! vb et ic tels
!
que ! vb (i) et ic (i) correspondent à un point de fonctionnement particu-
lier. En prenant un potentiel de grille relativement élevé (par exemple
Vge = 15V ) le terme résistif de l’équation 5.45 n’intervient pas pour des
!
courants faibles. On modifie les vecteurs ! vb et ic de telle sorte que ne
!
restent que les points avec ic (i) < 20.

for i=1:length(ic);
if ic(i)<20;
dim=i;
end
end
5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 97

On cherche ensuite par itérations les paramètres qui minimisent l’er-

reur quadratique.

n=0.67;
A=linspace(0.05,0.5,10000);
for i=1:10000;
B=(exp(vb(dim)./A(i))-1)./(ic(dim).ˆn);
vba=A(i).*log(1+B.*(ic(1:dim).ˆn));
s(i)=(vb(1:dim)-vba)’*(vb(1:dim)-vba);
end
[C,I]=min(s);
A=A(I);
B=(exp(vb(dim)./A)-1)./(ic(dim).ˆn);
vba=A.*log(1+B.*(ic.ˆn));
plot(ic,vb,’b’,ic,vba,’r’);grid on;

Cette routine peut être également imbriquée dans une routine similaire
pour déterminer le meilleur exposant n. L’erreur entre cette première ap-
!
proximation et ! vb est presque nulle pour ic (i) < 20 et correspond à une
droite pour les courants plus importants. Il s’agit alors de déterminer la
meilleure droite pour les courants de 40A (et non 20A pour éviter l’erreur
due à l’inflexion) à 400A.

On recherche d’abord les points de mesures se rapprochant le plus des

courants choisis.

for i=1:length(ic);
if ic(i)<40;
diml=i;
end
if ic(i)<400;
dimh=i;
end
end

La meilleure approximation est ensuite déterminée par la méthode des

98 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

moindres carrés.

erreur=vb-vba;
AA=zeros(dimh-diml+1,2);
AA(:,1)=1;
AA(:,2)=ic(diml:dimh);
x=inv(AA’*AA)*(AA’*(erreur(diml:dimh)));
icth=-x(1)/x(2);
R=x(2);
erreura=(0.5.*(1+tanh(ic-icth))).*R.*(ic-icth);
plot(ic,vb,’k’,ic,vba+erreura,’:k’);grid on;

En répétant ces opérations pour différentes tensions de grille on peut dé-

terminer une fonction entre le paramètre résistif R et la tension de grille
Vge . Les résultats obtenus sur R pour des tensions de grille inférieures à
9V n’ont pas de signification car la plupart des points de fonctionnement
correspondent à un courant inférieur au courant de seuil Jc(th) = 20 et
le facteur en tanh y est nul. La fonction R = f (Vge ) peut également être
déterminée à l’aide de la méthode des moindres carrés.

vge=[6;7;8;9;11;13;15;20];
R=[R6;R7;R8;R9;R11;R13;R15;R20];
AA=zeros(5,2);
AA(:,1)=1;
AA(:,2)=vge(4:8);
x=inv(AA’*AA)*(AA’*(1./R(4:8)));
Ra=1./(x(1)+x(2).*vge);

Les valeurs du paramètre de résistance R pour des potentiels de grille

faibles sont ainsi extrapolées à partir des valeurs obtenues pour des po-
tentiels plus élevés. Il est alors judicieux de déterminer à nouveau les
paramètres A et B découlant de la linéarisation du paramètre R.

erreur=(0.5.*(1+tanh(ic-20))).*(-(20*R)+R.*ic);

L’approximation logarithmique est maintenant valable pour une gamme

5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 99

de courants étendue

for i=1:length(ic);
if ic(i)<max(ic)/2;
dim=i;
end
end
n=0.67;
A=linspace(0.05,0.5,10000);
for i=1:10000;
B=(exp((vb(dim)-erreur(dim))./A(i))-1)./(ic(dim).ˆn);
vba=A(i).*log(1+B.*(ic(1:dim).ˆn));
s(i)=((vb(1:dim)-erreur(1:dim))-vba)’
*((vb(1:dim)-erreur(1:dim))-vba);
end
[C,I]=min(s);
A=A(I);
B=(exp((vb(dim)-erreur(dim))./A)-1)./(ic(dim).ˆn);
vba=A.*log(1+B.*(ic.ˆn));

Les paramètres A et B sont alors obtenus par moyennage des valeurs

obtenues pour les différentes tensions de grille.

5.2.3 Réponse à un saut de courant

Le modèle statique défini suppose des variations lentes des grandeurs
imposées. La réponse à une variation rapide de courant diffère selon la
région du transistor IGBT considérée. En étudiant les diverse réponses des
chutes de tension partielles considérées à des sauts de courants, on peut
affiner le comportement transitoire du modèle statique V(j,b,m) = f (Ic )
développé précédemment.

Modélisation dynamique de la jonction base-collecteur

Une variation rapide de courant est appliquée sur la jonction et on

observe la variation de tension résultante (figure 5.20).
100 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

Ic/100 [A]

Vj(statique) [V]
Vj [V]
[V]
[A]

temps [10-9s]

Fig. 5.20 – Variation rapide du courant traversant la jonc-

tion collecteur-base.

La transition de courant de 0 à 80A se fait en une nanoseconde, ce

qui peut être considéré comme un saut instantané pour un composant
réel. Les valeurs de chute de tension Vj mesurées montrent un certain
retard par rapport aux prédictions faites à partir de la modélisation sta-
tique Vj(statique) (équation 5.12). A faible courant on met en évidence une
constante de temps de l’ordre de la nanoseconde. Elle diminue lorsque le
niveau d’injection augmente. La tension mesurée pourrait être approchée
en appliquant un filtre de constante de temps variable (dépendant du cou-
rant) sur la caractéristique statique.

L’influence de ce retard peut cependant être négligée pour des variations

de courants réalistes dans le transistor IGBT. On peut ainsi se contenter
de la modélisation statique de la jonction, même en régime transitoire.

Modélisation dynamique du canal MOS

Lors d’une sollicitation externe de courant pour un transistor MOS-

FET en conduction, la réponse au niveau du canal est instantanée. La
relation entre la tension aux bornes du canal et le courant le traversant
(équation 5.17) reste valable même lors de variation très rapide d’une des
variables. Dans la figure 5.21, la tension sur le canal Vm en régime transi-
5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 101

toire correspond à l’évolution mesurée à partir d’une simulation 2D, alors

que la correspondance statique est calculée à partir du courant In simulé
et de l’équation 5.17 (régime statique).

x régime transitoire
Vm [V]
-- correspondance statique
[V]
[kA]

In [kA]

Ip [kA]

t [10-6s]

Fig. 5.21 – Evolution de la chute de tension sur le canal

pour une variation rapide du courant traver-
sant le transistor MOSFET.

La brusque apparition de charges dans le canal introduit une dimi-

nution du champ de répulsion des trous dans le substrat. Le défaut de
neutralité électrique transitoire qui en résulte provoque une diminution
du potentiel de pincement du canal et une faible sous-estimation de Vm
[47]. L’erreur résultante est inférieure au pour-cent et peut être négligée.

Le dépassement de tension observé sur le canal lors d’une augmentation

rapide du courant est donc uniquement liée à l’évolution du courant de
trous dans la zone d’émetteur en régime transitoire.

Le courant de trous au niveau de l’émetteur correspond au courant de

trous émis au niveau de la jonction collecteur-base, déduction faite d’une
composante permettant de compenser les recombinaisons et d’une com-
posante permettant l’augmentation de la charge locale. En négligeant le
102 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

terme dû aux recombinaisons, la résolution de l’équation de diffusion

@n(x,t) @ 2 n(x,t)
= Dn (5.46)
@t @x2
nécessite beaucoup de prédictions et de suppositions qui altèrent la va-
leur du résultat [48][49]. On peut toutefois raisonnablement prévoir un
résultat sous forme d’une somme d’exponentielles à constantes de temps
décroissantes tendant vers la valeur du courant en régime permanent [50].
Dans le cas étudié la fonction
Ip(f inal) X t/⌧s w2
Ip (t) = Ip(f inal) · e ; ⌧s = 2 2b ; s = 1,3,4,5,6.
5 s
s ⇡ D p
(5.47)
donne une assez bonne approximation du transitoire de courants de trous
au niveau de l’émetteur (figure 5.22) pour t supérieur au temps de transit
des trous dans la base (quelques nanosecondes).
Ip [A]

x simulation 2D
- approximation

t [10-6 s]

Fig. 5.22 – Variation rapide du courant traversant le transistor MOS-

FET. Comparaison entre les résultats de simulation FEM
et les résultats obtenus par l’approximation analytique.

La constante de temps principale mesurée

wb2
⌧s (s = 1) = ⌧1 = 0.84e 6' 2
⇡ Dp
5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 103

correspond à la prédiction théorique pour une largeur de base effective

wb(ef f ) = 115µm, dans laquelle la zone tampon fortement dopée n’est pas
prise en compte.

On remarque que la constante de temps ⌧s diminue très rapidement quand

le terme itératif s augmente, à cause de la dépendance quadratique. Pour
un saut de courant raisonnablement lent vis à vis des inductances pa-
rasites que tout circuit possède, l’effet des termes de constante de temps
s > 1 est négligeable. On doit toutefois en tenir compte au niveau de l’am-
plitude . Une modélisation simplifiée suffit alors amplement à une bonne
modélisation,

Ip(f inal) 4Ip(f inal)

Ip (t) = Ip(f inal) ·e t/⌧1
·e 16t/⌧1
(5.48)
5 5

Le terme de constante de temps ⌧1 /16 peut également être supprimé

lorsque cela ne pose pas de problème de convergence pour le simulateur.

Ip(f inal)
Ip (t) = Ip(f inal) ·e t/⌧1
(5.49)
5

On notera que si l’on applique les résultats obtenus dans ce paragraphe

pour un saut de courant montant à un saut de courant descendant de 80
à 0A, la forme du courant obtenue correspond à ce que l’on peut obser-
ver lors d’un déclenchement sous commutation dure (traînée en courant).
Une modélisation correcte des phénomènes d’enclenchement permet ainsi
implicitement de modéliser également les principaux phénomènes liés au
déclenchement. On montre ainsi la dualité entre la traînée en tension à
l’enclenchement et la traînée en courant au déclenchement.

Modélisation dynamique de la base

Lorsqu’une variation positive rapide de courant est appliquée sur la

base, la chute de tension à ses bornes peut atteindre de manière transitoire
des valeurs relativement élevées (figure 5.23).
104 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

__Vb [V]
---Ic [A/cm2]

t [10-7 s]

Fig. 5.23 – Evolution de la chute de tension sur la base

pour une variation rapide du courant.

Pour un saut de courant de 0 à 80A/cm2 la chute de tension sur la base

dépasse 150V avant de décroître de manière exponentielle vers la valeur
statique correspondante. La forme de cette courbe est directement liée
à l’établissement progressive d’un plasma dans la base. La variation de
courant est d’abord entièrement assumée par les électrons avant que les
émissions au niveau de la jonction collecteur-base ne permette d’établir un
courant de trous engendrant une augmentation des densités d’électrons et
de trous et donc une diminution de la résistivité de la base (figure 5.24).

Courant total

Courant d'électrons
[A/cm2]

Courant de trous

t [10-7 s]

Fig. 5.24 – Evolution des courants d’électrons et de trous.

5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 105

Pendant quelques nanosecondes, la différence entre les valeurs du cou-

rant après et avant le saut s’applique sur une résistance équivalente de la
base correspondant à la résistance pour les électrons juste avant le saut.
Dans le cas du saut présenté à la figure 5.23 avec un courant de départ
nul cette résistance vaut
wb
Rn = (5.50)
qµn ND
La chute de tension sur la base observée est toutefois nettement plus
importante que celle attendue à partir des résultats obtenus pour la résis-
tance (Rmax = 0.85⌦) lors de l’approximation statique de la base. Cette
différence s’explique par la saturation en vitesse des électrons. La mobilité
des porteurs est constante pour des champs électriques inférieurs au champ
critique Ec1 = 3 · 103 V /cm. Au-delà de cette limite, la vitesse des porteurs
n’est plus proportionnelle au champ
p électrique: une étude phénoménolo-
gique montre qu’elle varie en E avant de prendre une valeur constante
vsat = 107 cm/s à partir du champ critique Ec2 = 1.5 · 104 V /cm.

L’approximation sur la dépendance entre la mobilité et le champ élec-

trique établie par Caughey-Thomas [51] a été étendue en fonction de la
température par Canali [52]
µlow
µ(F ) =  (5.51)
⇣ ⌘ 1/
µlow F
1 + vsat

où µlow est la mobilité à faible champ électrique. Pour les électrons, le

coefficient et la vitesse de saturation vsat dépendent de la température
(en degrés Kelvin) selon
✓ ◆0.66 ✓ ◆0.87
T 300
= 1.109 et vsat = 1.07 · 107
cm/s (5.52)
300 T

Dans la base les vecteurs de densités de courants et de champ électrique

sont principalement colinéaires et ainsi la force électromotrice F s’identifie
au champ électrique E. On peut également considérer que la chute de
tension est uniformément répartie sur la base en conduction (pas de zone
déplétée), c’est à dire que le champ électrique y est à peu près constant.
La chute de tension sur la base est alors liée au champ électrique moyen
106 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

par la relation Vb = wb E. L’approximation de Canali s’écrit alors

µlow
µ(Vb ) =  (5.53)
⇣ ⌘ 1/
µlow Vb
1 + vsat wb

En introduisant ce paramètre de mobilité modifié dans l’équation 5.50 et

en utilisant les paramètres du transistor IGBT étudié on peut alors vérifier
la cohérence des résultats de simulation avec l’analyse effectuée.

156V wb
Rn(mesure) = = 1.95 ' Rn(calcul) = = 2.03
80A qµn(Vb =156V ) ND

L’égalité est parfaite si l’on prend une longueur de base de 100µm, ce

qui permet de tenir compte de la réduction de la résistivité dans la zone
tampon et la zone de drain.

A partir de ces conditions de départ, le plasma s’établit progressivement

jusqu’à ce que la chute de tension sur la base rejoigne la valeur définie
statiquement pour un courant de 80A/cm2 . Si de prime abord la chute de
tension sur la base à une allure exponentielle (figure 5.24), on remarque
en affichant sa valeur réduite

Vb Vb(f inal)
Vb(max)

en fonction du temps avec une échelle semi-logarithmique que ce n’est pas

le cas pendant la première microseconde (figure 5.25 courbe a).

Par contre le résultat est nettement meilleur si au lieu de la tension Vb

on prend l’inverse de sa valeur rapportée à la mobilité des électrons selon
l’approximation de Canali (figure 5.25 courbe b).

1
Vb µn

En comparant cette forme avec l’équation 5.50 on remarque qu’elle a une

identité de densité de porteurs.
5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 107

courbe b

[1]

courbe a

t [10-6 s]

Fig. 5.25 – Analyse dynamique de la chute de tension sur

la base.

Comme la contribution des trous n’est pas prise en compte, la densité

de porteurs neq mise en évidence n’a pas de réalité purement physique. Elle
permettra cependant de modéliser simplement l’évolution de la résistance
totale de la base. La variable auxiliaire neq est définie statiquement par
 ⇣ ⌘ 1/
µlow Vb
wb Jc 1 + vsat wb
wb Jc
neq = = (5.54)
Vb qµn (Vb ) Vb qµlow

où la chute de potentiel sur la base Vb est définie pour un courant donné

par l’équation 5.42. L’équation 5.54 est indéterminée à courant nul (Vb =
Jc = 0). La mise en forme d’un macromodèle utilisant cette équation doit
assurer que ce problème ne se pose pas au simulateur en empêchant des
valeurs trop faibles de courant. Cette équation ne tient pas compte non
plus de la densité d’électrons déjà présente à cause du dopage initial. On
peut inclure cette valeur minimale directement sans beaucoup modifier
les résultats pour des courants importants (figure 5.26).
 ⇣ ⌘ 1/
µlow Vb
wb Jc 1 + vsat wb
neq = + ND (5.55)
Vb qµlow
108 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

neq [/cm2]

____ simulation (FEM)

........ approximation analytique

Ic [A]

Fig. 5.26 – Densité équivalente d’électrons neq en régime

statique. Résultats de simulation FEM et de
l’équation 5.55.

La densité d’électrons équivalente neq varie de manière exponentielle

entre ses points de fonctionnement statique.

neq (t) = neq(f inal) (neq(f inal) neq(initial) ) · e t/⌧

(5.56)

La constante de temps mesurée ⌧ = 0.72µs ne dépend ni du potentiel de

grille ni de la valeur initiale du courant (figure 5.27). Le régime dynamique
peut ainsi aisément être modélisé par un filtre passe-bas du premier ordre.

On retrouve ensuite la chute de potentiel sur la base Vb à tout instant et

pour un courant donné à partir de la densité équivalente d’électrons définie
en fonction du temps.
wb Jc
Vb (t) = ✓ (5.57)
⇣ ⌘ ◆1/
qµ0 neq (t) Jc
qvsat

Le retard pur sur l’évolution de la densité équivalente d’électrons de

quelques nanosecondes est peu visible vis-à-vis de la constante de temps
liée aux variations de l’ordre de la microseconde. Il est lié au temps né-
cessaire pour que les trous traversent la base depuis le collecteur vers
l’émetteur.
5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 109

neq [/cm2]

____ simulation (FEM)

........ approximation analytique

t [10-6 s]

Fig. 5.27 – Densité équivalente d’électrons neq en régime

dynamique. Résultats de simulation FEM et de
l’équation 5.56.

Les sauts de courant instantanés utilisés dans cette approche dyna-

mique ne sont pas possibles dans un circuit réaliste, les variations de cou-
rant étant limitées par les inductances parasites. Le passage du courant
nul au courant nominale se fait de manière linéaire en quelques dizaines
de nanosecondes au moins. Le retard pur considéré a une influence non-
négligeable sur l’évolution de la tension collecteur-émetteur dans ce cas.
Il est donc nécessaire de le modéliser correctement. Le temps tt nécessaire
aux trous pour traverser la base dépend de leur vitesse v,
wb
tt = (5.58)
v
cette dernière dépendant du champ électrique dans la base et de la mobi-
lité.
Vb
v = µE = µ (5.59)
wb
En utilisant l’approximation de Canali pour évaluer la mobilité des trous
en fonction de la chute de tension sur la base Vb on obtient finalement
 ⇣ ⌘ 1/
µlow Vb
wb 1 + vsat wb
2
wb2
tt = = (5.60)
µp Vb µlow Vb
110 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

avec la vitesse de saturation pour les trous vsat = 8.37 · 106 cm/s, la
mobilité des trous à faible champ µlow = 430cm2 /V s et le coefficient de
Canali = 1.213 à température ambiante.

5.2.4 Zone de déplétion

Le modèle développé à partir des caractéristiques en conduction et de

la réponse à un saut de courant ne tient pas compte de l’existence d’une
zone de déplétion au blocage. La longueur de cette zone de déplétion dé-
pend du niveau de tension à bloquer. Les variations de tension aux bornes
de la zone déplétée nécessitent un courant au niveau de la grille. Ce phé-
nomène est en général modélisé par une capacité Miller entre la grille et
le collecteur du transistor IGBT. Cependant ce lien entre la charge de la
grille et la tension collecteur-émetteur n’est valable que si cette dernière
est due à l’existence d’une zone de déplétion et pas lorsqu’elle est due à
un phénomène de conduction. On vérifie en effet que la chute de potentiel
sur la base du transistor IGBT ne dépend pas de la résistance de grille en
commutation douce.

Ainsi la représentation de l’effet Miller par une capacité parasite grille-

collecteur, bien que facilitant nettement la modélisation d’une commuta-
tion dure, rend impossible toute modélisation correcte d’une commutation
douce sous tension nulle (ZVS).

Pour le fonctionnement normal d’un transistor IGBT, le blocage en ten-

sion est assumé par la jonction émetteur-base. Le processus de diffusion,
utilisé pour le dopage des zones proches des surfaces, donne un profil
de dopage relativement compliqué. Le dopage de la base, réalisé couche
par couche lors de la croissance épitaxiale du substrat, est relativement
constant. Le dopage de l’émetteur par diffusion a une allure proche d’une
fonction gaussienne [53] (figure 5.28).

Une solution exacte de l’équation de poisson

⇢
r2 V = (5.61)
✏
5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 111

10

7
NA
6
NA
5
ND
4

1
ND
0
0 30 40 50
p-side n-side x[µm]

Fig. 5.28 – Profile de dopage réaliste pour la jonction

émetteur-base.

où ⇢ est la charge volumique et ✏ la constante diélectrique du semi-

conducteur, est difficile à obtenir pour un profil de dopage suivant une
loi gaussienne. En admettant que la zone de déplétion s’étende principa-
lement dans le côté dopé négativement n de la jonction (NA ND ),
le profil global de dopage peut être approché par un dopage linéaire
(NA ND = kx) sur le côté dopé positivement p et par un dopage
constant ND sur le côté dopé négativement. L’équation de poisson s’écrit
alors [54]
Zx
q qk 2
E(x  0) = k⇠ d⇠ = x x2p (5.62)
✏ 2✏
xp

dans la zone d’émetteur (NA > ND ) et

Zx
qND qND
E(x 0) = d⇠ + E(0) = (x xn ) (5.63)
✏ ✏
0

dans la région de base du transistor IGBT.

Alors que la mise en conduction dépend principalement de l’apport de

charges minoritaires (trous pour une base n), l’annulation d’une zone de
déplétion dépend de l’apport de charges majoritaires. On définit comme
tension de quasi-saturation Vqs la chute de tension sur une zone déplétée
112 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

avant l’établissement d’un plasma.

Dans la partie déplétée de la base en conduction le courant de diffusion est
négligeable par rapport au courant de conduction. La densité d’électrons
y est à peu près constante et augmente de manière exponentielle vers
la valeur de base ND au fur et à mesure de l’annulation de la zone de
déplétion. En négligeant l’apport de porteurs minoritaires dans la base,
beaucoup plus lent que l’apport de majoritaires, on peut approcher la
chute de tension sur la zone déplétée en régime dynamique, par analogie
avec le transistor bipolaire, par une variation exponentielle du type [39].
q
Vdepletion (t) = Vqs AIc ⌧p (1 e t/⌧p ) (5.64)

où A est un facteur proportionnel dépendant du point de fonctionnement

statique à atteindre. En introduisant E0 le champ électrique maximal
dans la jonction et ↵qs un coefficient de proportionnalité dépendant de
l’élément, on approche la dépendance entre la tension de quasi-saturation
Vqs et la tension bloquée par le transistor IGBT avant enclenchement Vin
par [55]

Vqs = ↵qs · E02 (5.65)

en partant des postulats wd / E0 et µn / 1/E0 .

Zone de déplétion pour un transistor IGBT NPT

Dans un transistor IGBT NPT (Non Punch-Through), la base est suffi-
samment grande pour que la zone de déplétion n’atteigne jamis la jonction
collecteur-base de l’élément. A partir des équations 5.62 et 5.63 la chute
de tension totale sur la zone déplétée s’exprime comme
Zxn
qk 3 q
V (xn ) = E(⇠)d⇠ = xp + ND x2n (5.66)
3✏ 2✏
xp

ou étant donné la continuité du champ électrique dans cette zone par

r
✏ 8✏
Vin = E02 + (|E0 |)1.5 (5.67)
2qND 9qk
Il s’agit d’une équation transcendante et une résolution numérique est
nécessaire pour exprimer le champ électrique E0 en fonction de la tension
5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 113

d’alimentation Vin . On peut finalement définir numériquement la tension

de quasi-saturation en fonction de la tension d’alimentation Vin .
s
✏ 8✏
Vin = Vqs + V 0.75 (5.68)
2qND ↵qs 9qk↵qs
1.5 qs

Si l’on considère une jonction abrupte, la tension de saturation est di-

rectement proportionnelle à la tension d’alimentation. On notera que la
durée de vie élevée des porteurs dans un transistor IGBT NPT entraîne
un effet de quasi-saturation réduit. La capacité équivalente de la zone de
déplétion est proportionnelle au dopage alors que la durée de vie des por-
teurs en est inversement proportionnelle. Réduire les niveaux de dopage
accélère l’enclenchement du transistor mais augmente les pertes dues à la
quasi-saturation.
La figure 5.29 montre une comparaison entre les résultats de simulation
par éléments finis et l’analyse physique pour la tension de quasi-saturation
définie selon l’équation 5.68.

18
16
2d simulation
simulation FEM
14 abrupt
jonctionjunction
abrupte
linear
zone p p-side
linéaire
12
10
Vqs [V]
8
6
4
2
0
0 100 200 300 400 500
Vbus [V]

Fig. 5.29 – Tension de saturation en fonction de la tension d’ali-

mentation pour un transistor IGBT NPT. Prévisions
analytiques et résultats de simulation FEM.
114 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

Zone de déplétion pour un transistor IGBT PT

Dans un transistor IGBT PT (Punch-Through), la zone de déplétion
atteint une zone tampon fortement dopée n+ dans laquelle le champ élec-
trique décroît rapidement (dE/dx élevé). Elle n’atteint évidemment pas
la zone de collecteur. Localement les relations développées pour le transis-
tor IGBT NPT restent valables, mais le champ électrique a globalement
une allure trapézoïdale. En négligeant la chute de tension dans la zone
tampon (Nd+ ND ), la relation liant le champ électrique maximal E0 à
la tension d’alimentation Vin vaut alors
r
qND wb2 8✏
Vin = wb E0 + (|E0 |)1.5 (5.69)
2✏ 9qk
oû wb est la longueur de la base sans la zone tampon. On obtient ensuite
s r ✓ ◆0.75
Vqs qND wb2 8✏ Vqs
Vin = wb + (5.70)
↵qs 2✏ 9qk ↵qs

60

50

40 mesures
a nalyse
Vqs [V]

30

20

10

0
0 200 400 600 800 1000 1200
Vbus [V]

Fig. 5.30 – Tension de saturation en fonction de la tension

d’alimentation pour un transistor IGBT NPT.
Prévisions analytiques et mesures.

et la tension de saturation dynamique a également un comportement

exponentiel selon l’équation 4.13. On remarquera dans la figure 5.30 le
5.2. Modèle 2D pour transistor IGBT 115

coude abrupt correspondant au point où la zone de déplétion entre dans

la zone tampon (Vin > 580V ).

On notera qu’il s’agit cette fois de mesures faites sur un élément réel
IRG4PH50U d’International Rectifier et pas de résultats de simulation
par éléments finis. La tension de quasi-saturation Vqs est mesurée par
extrapolation au début de la commutation de la traînée en tension de
forme exponentielle.

Comportement dynamique de la zone de déplétion

Le comportement dynamique de la zone de déplétion dépend fortement

du mécanisme cherchant son annulation à l’enclenchement. Lorsque la
chute de la tension collecteur-émetteur est forcée par un circuit auxiliaire
(voir paragraphe 1.3.5), l’évolution dynamique de Vce est entièrement dé-
finie par les phénomènes de quasi-saturation évoqués dans les paragraphes
précédents. Il peut également arriver, si l’enclenchement n’est pas proche
de la chute de tension collecteur-émetteur, que la base garde une chute de
potentiel Vqs même lorsque Vce est nulle. La jonction collecteur-base est
alors en mode de blocage de la tension Vqs (figure 5.31).

Vb

[V] Vce

Vj

t [10-6 s]

Fig. 5.31 – Variation rapide forcée sur Vce de 1200 à 0V

en t=0. Rg = 50⌦.
116 Chapitre 5. Etude comportementale - simulations

C’est le cas par exemple dans un circuit Salama [13]. Lorsque l’on en-
clenche ensuite le transistor IGBT il reste une certaine tension à annuler
sur la zone de déplétion. Lorsque l’enclenchement se fait sous des condi-
tions de commutation dure, le taux de décroissance dépend de la capacité
Miller et donc également de la résistance de grille. Des phénomènes de
quasi-saturation apparaissent pour des valeurs très faibles de résistance
de grille, lorsque la réduction de la largeur de la zone de déplétion imposée
par le courant de grille tend à être plus rapide que ne le permet la res-
tauration des porteurs dans cette zone. Cet ensemble de comportements
différents rend la modélisation de la capacité relativement compliquée.
 117

Chapitre 6

Macromodèle

La plupart des simulateurs de circuits (Saber, Simplorer, etc...) fonc-

tionnent à partir d’éléments électriques de base, tels que sources, résis-
tances et capacités, linéaires ou non. Certains simulateurs considèrent
directement des formes mathématiques (Matlab-Simulink). Les résultats
obtenus lors d’une étude comportementale doivent être adaptés pour être
facilement implémentables. Un modèle pour un composant constitué de
l’effet cumulé de plusieurs modèles élémentaires est appelé macromodèle.
Il doit évidemment refléter les caractéristiques autant statiques que dyna-
miques de l’élément global. Le macromodèle d’IGBT mis au point résulte
de la mise en série de trois sous-modèles distincts, un pour la jonction
collecteur-base, un pour la base et un pour le transistor MOSFET de
puissance interne. On peut associer le macromodèle développé au schéma
équivalent représenté à la figure 6.1 pour la conduction statique et la com-
mutation douce. Le transistor bipolaire, généralement représenté dans les
schémas équivalents (figures 3.3, 1.16 et1.17), est ainsi séparé en une jonc-
tion idéale collecteur-base, une base résistive et une source de courant pour
la jonction base-émetteur. On peut ainsi mieux tenir compte du fait que
la longueur de la base n’est pas beaucoup plus petite que la longueur de
diffusion des porteurs comme dans un transistor bipolaire conventionnel,
ainsi que de la dépendance de la résistance de la base au potentiel de grille.
Les caractéristiques du MOSFET sont fortement dégénérées à cause du
faible dopage de sa zone de drain.
118 Chapitre 6. Macromodèle

C
Vj
V1

Rb Vb

V2

Ip
G Vm

E
Fig. 6.1 – Schéma équivalent du transistor IGBT utilisé
pour la modélisation.

Pour assurer la convergence de n’importe quel type de simulateur de cir-

cuit, toutes les fonctions y = f (x) contenues dans le macromodèle doivent
être définies en tout point pour f : < ! < et doivent être monotones, donc
strictement croissantes ou décroissantes. Elles doivent également être bi-
jectives (ou biunivoques), c’est à dire qu’à chaque élément x correspond un
et un seul élément image f (x) (fonction injective) et que chaque élément
image y possède un et un seul antécédent x. On remarquera que la bijec-
tivité de f : < ! < pour une fonction monotone impose implicitement la
continuité de la fonction.

6.1 Polarisation inverse

Lorsqu’une polarisation inverse Vce < 0 est appliquée à un transistor
IGBT, il reste dans un état bloqué quel que soit le potentiel de grille
6.2. Modélisation de la jonction collecteur-base 119

appliqué à cause de la jonction collecteur-base. Seul un faible courant de

fuite est mesurable tant que la tension appliquée ne dépasse pas la ten-
sion de rupture ou de claquage de la jonction collecteur-base. Le courant
augmente ensuite très rapidement par effet Zener ou par effet d’avalanche
[56]. La tension de rupture en polarisation inverse est nettement plus faible
que la tension de rupture en polarisation directe. Elle ne dépasse pas une
vingtaine de Volts en inverse pour un transistor IGBT standard suppor-
tant 1.2kV en direct. Il existe toutefois des transistors IGBTs (RB-IGBT)
supportant des tension équivalentes en blocage direct ou inverse (jusqu’à
600V aujourd’hui). Ces éléments ont malheureusement des performances
en conduction moins bonnes que les transistors IGBTs standards et ne
sont développés que pour des applications très particulières [57] [58] où
les transistors n’ont pas de diode de roue libre en anti-parallèle. L’IGBT
avec blocage inverse est principalement utilisé pour la réalisation d’un
thyristor dual.

Toutes les équations développées dans le chapitre 5 concernent le tran-

sistor IGBT dans son mode de conduction normal, c’est à dire avec une
tension collecteur-émetteur, une tension grille-émetteur et un courant de
collecteur positifs ou nuls. Elles sont C1 continûment différentiables et
bijectives dans le mode de conduction f : <+ ! <+ . Ce n’est pas le cas
en polarisation inverse où les équations développées n’ont aucun sens phy-
sique.
Une relation conditionnelle imposant un courant nul ou très faible lorsque
la tension collecteur-émetteur est négative représente à peu près la réalité
physique mais n’assure pas la bijectivité. Une modélisation plus réaliste
de type résistif et/ou exponentiel du courant de fuite est indispensable
pour chaque équation courant-tension du modèle afin de permettre une
convergence aisée du simulateur.

6.2 Modélisation de la jonction collecteur-base

Les réponses de la tension collecteur-base à des sauts de courant sont
suffisamment rapides pour que l’on puisse éviter d’alourdir le modèle par
des phénomènes dynamiques (voir paragraphe 5.2.3). La jonction est ainsi
complètement modélisée par une source de tension commandée en courant
120 Chapitre 6. Macromodèle

selon l’équation 5.12 (figure 6.2).

Vc

Ic

+
Vj=f(Ic)

V2

Fig. 6.2 – Macromodèle pour la jonction collecteur-base.

La mise en série de deux termes de source (logarithmique et exponen-

tielle) et d’une résistance donne le même résultat que l’implémentation
directe de la fonction Vj = f (Ic ) mais ralentit les calculs et augmente l’er-
reur possible par l’introduction de deux noeuds supplémentaires. L’erreur
maximale admissible pour le simulateur est en effet définie pour chacun
des noeuds dans le cas des courants et pour chaque pair de noeuds dans
le cas des tensions.

Le modèle est entièrement défini à l’aide des cinq paramètres Rj , n, Is0 ,

I0 et uT . La formulation définitive, sans indétermination, biunivoque, mo-
notone et tenant compte de la polarisation inverse, s’écrit sous sa forme
mathématique condensée pour la source de tension Vj par exemple comme

(0.5+0.5*SGN(Ic.I))

*(2*uT*LN(ABS((Ic.I/Is0)+1))-uT*(2-n)/LN(1+EXP(5))

*LN(1+ABS((Ic.I/I0)ˆ5)))+(0.5-0.5*SGN(Ic.I))*67MEG*Ic.I+Rj*Ic.I

Les termes de valeur absolue ABS lèvent toutes les indéterminations pos-
sibles de type ln(0), nuisibles à la convergence.
6.3. Modélisation de la chute de potentiel sur le canal MOS 121

6.3 Modélisation de la chute de potentiel sur

le canal MOS

Le macromodèle pour la chute de tension sur le transistor MOSFET

interne doit tenir compte des phénomènes statiques et dynamiques mis
en évidence dans les paragraphes 5.2.2 et 5.2.3. La chute de tension est
fonction du potentiel de grille et du courant traversant l’élément. La mo-
délisation est nettement simplifiée si on sépare la composante de courant
de trous qui traverse directement la jonction base-émetteur du courant
d’électrons passant par le canal MOS.

L’inversion de l’équation 5.17 In = f (Vm ) introduit plusieurs indétermi-

nations qui ne pourront pas être traitées par un simulateur de circuit. Il
est préférable de modéliser la chute de tension sur le canal MOS par une
source de courant commandée par la chute de tension sur le canal Vm ,
ce qui est valable statiquement et dynamiquement. Les résultats obtenus
dans un simulateur de circuits pour une source de tension commandée
en courant et une source de courant commandée en tension sont en effet
identiques, que le modèle soit sollicité en courant ou en tension, pour au-
tant que la relation V = f (I) soit biunivoque de < ! < et monotone. La
tension auxiliaire VmL est évaluée séparément.

Le comportement dynamique est calculé sur le courant Ip à partir du cou-

rant de collecteur en utilisant un filtre approprié. Le transistor MOSFET
interne est ainsi complètement modélisé par une source de tension com-
mandée en courant selon l’équation 5.17 (figure 6.3). Le courant de trous
statique est calculé à partir du courant de collecteur et du gain bipolaire
(voir la figure 5.14 et ses commentaires). Le régime dynamique est ensuite
estimé à partir d’un filtre du 1er ordre pour la constante de temps prin-
cipale et d’un saut instantané pour les constantes de temps plus petites
(voir l’équation 5.49). Cette estimation dynamique est utilisée d’une part
pour définir le courant d’électrons traversant le transistor MOSFET in-
terne, nécessaire au calcul de la chute de tension correspondant Vm . Elle
est également utilisée comme consigne d’une source de courant en paral-
lèle permettant de modéliser la traînée en courant au déclenchement.

Pour le calcul des courants de trous et d’électrons, un ou deux paramètres

122 Chapitre 6. Macromodèle

Vg V1 βpnp 0.2
1+βpnp

Ic +
+
Vge
0.8
+
Ip=Ip Ip
Vm In=f(Vm,Vge)

Ve

Fig. 6.3 – Macromodèle pour le transistor MOSFET in-

terne.

sont nécessaires (selon la précision souhaitée) pour calculer le gain en cou-

rant du transistor bipolaire interne pnp . La constante de temps ⌧1 permet
de dimensionner le filtre passe-bas. Pour le calcul de la chute de tension
sur le canal MOS Vm , il faut introduire les dix paramètres définis au pa-
ragraphe 5.2.2, c’est à dire Ats , , a0 , a1 , a2 , n1 , vsat0 , vsat1 , vsat2 et
n2 . Le transistor MOSFET interne est ainsi complètement modélisé avec
un maximum de 13 paramètres.

Les paramètres liés à la tension de grille Vsat

-1.557+0.299*vge.V-562.5u*(vge.Vˆ2.705)
et A
-35.69+45.76*vge.V-77.3k/(vge.Vˆ3.549)
doivent être maintenus au minimum à une valeur légèrement positive pour
éviter une indétermination au blocage.
Les équations du MOSFET interne sont bijectives en utilisant pour la
tension auxiliaire VmL
(0.5+0.5*SGN(vm.V))
*([Link]-([Link]/1.313)*LN(1+EXP(1-ABS(vm.V)/[Link])))
+(0.5-0.5*SGN(vm.V))*0.557*vm.V
6.4. Modélisation de la chute de potentiel sur la base 123

et pour la source de courant In commandée en tension

(0.5+0.5*SGN(vm.V))*([Link]*vml.V*(1+3.2m*(vm.V-vml.V))
*(1-(vml.V/2/[Link])))+(0.5-0.5*SGN(vm.V))*358*vm.V

6.4 Modélisation de la chute de potentiel sur

la base
Physiquement, la base est simplement formée de matériel résistif dont
on a amélioré la conductivité par dopage, puis par établissement d’un
excès de charge minoritaires. Il semble alors naturel de la modéliser par
une résistance variable, dépendant du courant et du potentiel de grille.
Ceci revient à définir cette résistance à partir de l’équation 5.42.

Vb (Ic ,Vge )
Rb (Ic ,Vge ) = (6.1)
Ic

Mais alors que la chute de potentiel sur la base définie par l’équation
5.42 est parfaitement définie pour un courant Ic nul, le fait d’utiliser la
résistance de base Rb introduit une division par zéro et donc certainement
des problèmes de convergence pour un simulateur de circuits. On va donc
également modéliser la chute de tension sur la base par une source de
tension commandée par le courant et par le potentiel de grille (figure 6.4).
Le régime transitoire est défini à partir de la variable intermédiaire neq .

Il suffit ainsi de cinq paramètres pour modéliser statiquement la base

(voir l’équation 5.45) et des deux paramètres ⌧ (constante de temps du
filtre passe-bas) et ND pour modéliser le régime dynamique; soit un total
de sept paramètres. Les autres paramètres, permettant par exemple de
calculer la mobilité en fonction de la chute de tension sur la base Vb , ne
dépendent pas du transistor IGBT étudié et n’ont pas besoin d’être définis
par l’utilisateur.

Pour l’implémentation dans un simulateur de circuit, on calcul d’abord la

chute de tension en régime statique Vb(stat) pour un courant de collecteur
et une tension de grille donnés.
124 Chapitre 6. Macromodèle

Vg V2

neq(statique)
8
Ic f(Vge) Delay neq

Vge ND

+
Vb=f(neq)

V1

Fig. 6.4 – Macromodèle pour la base du transistor IGBT.

(0.5+0.5*SGN(ic.I))*(0.457*ln(1+0.37*(ABS(ic.I) ˆ0.68))
+0.5*(1+tanh(ic.I-20))*(ic.I-20)/(19+31*vge.V))
+(0.5-0.5*SGN(ic.I))*3*ic.I

On en déduit ensuite la charge équivalente neq associée en régime statique.

ic.I/(ABS(vbstat.V)+1p)*43.37t
*((1+((13.47m*ABS(vbstat.V))ˆ1.109))ˆ(1/1.109))

Cette valeur doit être limitée vers le bas pour tenir compte du dopage
de la base Nd et retardée d’environ 5ns, temps nécessaire au transit des
électrons au travers de la base. On filtre ensuite la valeur limitée avec une
constante de temps de 0.72µs pour obtenir une modélisation dynamique
des variations de charge dans la base. On retrouve finalement la chute
de tension sur la base en régime statique et dynamique en inversant l’ap-
proximations de Canali.

(0.5+0.5*SGN(ic.I))*ic.I*(43.36e12/(((neqdyn.Vˆ1.109)-SGN(ic.I)
*((584.1e9*ABS(ic.I))ˆ1.109))ˆ(1/1.109)))+(0.5-0.5*SGN(ic.I))*3*ic.I

Des valeurs arbitraires en polarisation inverse ont été choisies pour assu-
rer la bijectivité de toutes les fonctions et la continuité de leurs dérivées
à l’origine.
6.5. Modélisation de la zone de déplétion 125

6.5 Modélisation de la zone de déplétion

Pour avoir en même temps une bonne représentation du plateau Mil-
ler au niveau de la grille et du taux de variation de la tension collecteur-
émetteur correspondant lors d’une commutation dure, l’utilisation de la
capacité grille-collecteur est la plus pratique. On perd alors la qualité de
modélisation en commutation douce. On peut contourner cette difficulté
en arrangeant les composants de manière différente, de manière à ce que
la capacité n’ait pas d’effet sur les variations des tensions purement ré-
sistives de la base. Lorsque la tension de grille est inférieure à la tension

Vc

+
Vb+Vm+Vj
1+Vd

Vg C
R=1M

Vge-Vth
Vge Vd

Ve

Fig. 6.5 – Macromodèle complet avec zone de déplétion.

de seuil Vge(th) , l’interrupteur idéal est bloqué. Un petit courant de fuite

traverse la résistance R. La tension collecteur-émetteur Vce appliquée se
retrouve principalement aux bornes de l’interrupteur idéal (Vd ). Lorsque
la tension de grille dépasse la tension de seuil, l’interrupteur est enclenché.
Si l’on est en commutation douce, la chute de tension sur la zone de dé-
plétion Vd est nulle et seuls les effets résistifs apparaissent (Vm + Vb + Vj ).
Si l’on est en commutation dure, la décroissance de la tension collecteur-
émetteur est fixée par la capacité Miller C et les effets résistifs sont inhibés
126 Chapitre 6. Macromodèle

par le terme de pondération 1/(1 + vd ) jusqu’à ce que la chute de tension

sur la zone de déplétion soit suffisamment faible. Ce terme de pondéra-
tion n’est pas complètement gratuit car lors de l’existence d’une zone de
déplétion, la zone de base modulée (et donc sa résistance équivalente) est
réduite d’autant.
 127

Chapitre 7

Vérification du
macromodèle proposé

Il s’agit dans ce chapitre de vérifier que le macromodèle développé dans

ce travail de thèse donne des résultats corrects lorsqu’il est utilisé dans un
logiciel de simulation de circuits. Le logiciel Simplorer d’Ansoft, largement
utilisé par les électroniciens de puissance a été choisi pour la validation
du macromodèle. Les mesures ne donnant pas de résultats suffisamment
précis (voir paragraphe 3.4.8), le comportement réel nécessaire comme ré-
férence pour la vérification du modèle est approché par des simulations
par éléments finis.

On comparera tout d’abord les caractéristiques statiques de la tension

collecteur-émetteur obtenues à partir du macromodèle dans Simplorer
avec les résultats directement issus du simulateur par éléments finis GE-
NESISe. On contrôlera ensuite la validité du modèle pour un saut de cou-
rant correspondant à une commutation douce, et pour des commutations
dures. On discutera finalement la validité du modèle lors des mécanismes
de déclenchement.
128 Chapitre 7. Vérification du macromodèle proposé

7.1 Simplorer
Le logiciel de simulation multi-domaines Simplorer d’Ansoft a été spé-
cialement développé pour les applications d’électronique de puissance et
de traction. Les librairies existantes permettent la simulation rapide de
systèmes complets, incluant le réglage analogique ou digital, l’électronique
de puissance, ainsi que des parties mécaniques (moteurs) et hydrauliques.
Le calcul est basé sur le couplage de trois noyaux différents: un simu-
lateur de circuit, un simulateur par fonctions de transfert continues ou
échantillonnées et un simulateur par graphe d’état. Simplorer supporte
également divers formats de co-simulation, tels que C, C++, Matlab, Si-
mulink et Mathcad pour faciliter l’implémentation de nouveaux modèles.
Une interface électromagnétique 2D FEM a récemment été ajouté pour
permettre une meilleure modélisation de moteurs [59].
Ce logiciel a été choisi pour la validation du modèle en fonction de ses
nombreuses possibilités et de sa simplicité de mise en oeuvre.

7.2 Vérification du comportement statique

On compare ici, en régime statique, les résultats obtenus à partir d’une
simulation FEM sous GENESISe avec ceux obtenus à partir d’une simu-
lation du macromodèle proposé sous Simplorer. Le circuit de test utilisé
ne comporte aucun élément parasite externe (figure 7.1).

Ic

+
Vce

DC
Vge

Fig. 7.1 – Circuit de test pour la vérification du comporte-

ment statique.
7.2. Vérification du comportement statique 129

Dans les deux cas on fait varier très lentement la tension collecteur-
émetteur Vce et on mesure le courant de collecteur Ic pour une tension de
grille Vge donnée. Cette procédure est répétée pour plusieurs tensions de
grille différentes afin de valider le modèle pour tous les points de fonction-
nement possibles. Les résultats obtenus pour des tensions de grille de 6V,
9V, 11V et 15V sont représentés à la figure 7.2. La correspondance est

Fig. 7.2 – Comportement statique, Comparaison entre les résultats de

simulation FEM sous GENESISe et les résultats de simu-
lation pour le macromodèle proposé sous Simplorer.

excellente pour des tensions de grille inférieures à 10V, même en régime

quasi saturé. Le macromodèle donne également de bons résultats pour les
tensions de grille plus élevées en régime de conduction. La représentation
est un peu moins bonne pour des tensions de grille élevées et un courant
élevé; toutefois ce mode de fonctionnement n’est atteint que lors de la
destruction du composant par court-circuit et une bonne précision n’est
pas nécessaire.

L’erreur relative reste inférieure à 3% quel que soit le point de fonctionne-

ment considéré, dans les limites normalement acceptables par un tel tran-
sistor IGBT. La plage de courants utilisée pour cette vérification s’étend
130 Chapitre 7. Vérification du macromodèle proposé

jusqu’à plus de dix fois le courant nominal d’un tel élément; ceci pour
monter la validité du modèle sur l’ensemble des points de fonctionne-
ment. On pourra éventuellement adapter les paramètres du modèle afin
de diminuer l’erreur relative pour des courants inférieurs au courant no-
minal en acceptant une erreur relative plus importante pour des courants
plus importants. Cette démarche est conseillée pour des transistors IGBTs
utilisés comme interrupteurs principaux d’un circuit, dans lesquels le cou-
rant dépasse rarement le courant nominal. Un transistor IGBT utilisé
dans un circuit auxiliaire d’aide à la commutation comme dans [9] et [11]
ne conduit que pendant peu de temps et sera souvent dimensionné par
rapport à son courant maximal admissible et non pas par rapport à son
courant nominal. On s’en tiendra alors au paramètres de base pour une
telle utilisation.

Si chaque simulation FEM Ic = f (Vce ) avec GENESISe nécessite plus de

quatre heures de calculs avec un ordinateur équipé d’une unité centrale
fonctionnant à 2.6GHz, la même simulation sous Simplorer ne dure que
quelques secondes.

7.3 Vérification du comportement dynamique

- Réponse à un saut de courant

On compare ici, pour un saut de courant de collecteur, les résultats

obtenus à partir d’une simulation FEM sous GENESISe avec ceux obtenus
à partir d’une simulation du macromodèle proposé sous Simplorer. Le
transistor IGBT subit des variations rapides de courant, imposées par
une source de courant externe, son potentiel de grille restant constant
(figure 7.3).
7.3. Comportement dynamique - Réponse à un saut de courant 131

Ic

Vce
+

DC
15V

Fig. 7.3 – Circuit de test pour la vérification du comportement dyna-

mique correspondant à la réponse à un saut de courant.
Vce [V]

.... Macromodèle sous Simplorer

__ Modèle FEM sous GENESISe

t [10-7s]

Fig. 7.4 – Comportement dynamique pour un saut de courant

de 0 à 80A en t=0. Comparaison entre les résultats
de simulation sous GENESISe et Simplorer.

Pour un transistor IGBT enclenché, avec une tension de grille de 15V,

on impose un saut de courant de collecteur de 0 à 80A (figure 7.4). Les
courbes issues de la simulation par éléments finis sous GENESISe et sous
Simplorer sont quasiment confondues sur l’ensemble du régime transitoire.
132 Chapitre 7. Vérification du macromodèle proposé

On notera la montée très rapide de la tension collecteur-émetteur lorsque

le saut de courant est appliqué, incontournable pour un élément résistif.
Dans un macromodèle comportant une capacité grille-émetteur relative-
ment élevée pour une tension collecteur-émetteur faible (adaptée pour la
commutation dure), un tel saut de tension n’est pas possible et les résul-
tats obtenus en commutation douce sont inexactes.

Pour un saut de courant plus réaliste, c’est-à-dire avec un temps de mon-

tée de 0 à 80A de 100 nanosecondes, la tension collecteur-émetteur ne
dépasse pas une vingtaine de Volts en régime transitoire (figure 7.5).

.... Macromodèle sous Simplorer

__ Modèle FEM sous GENESISe
Vce [V]

t [10-7s]

Fig. 7.5 – Comportement dynamique pour un saut de cou-

rant de 0 en t=0 à 80A en t=100ns. Comparai-
son entre les résultats de simulation sous GE-
NESISe et Simplorer.

La modélisation du retard pur comme une fonction de la tension ex-

terne collecteur-émetteur pose quelques problèmes sous Simplorer. La
version retardée de la variation continue de charge équivalente neq ap-
paraît sous forme échantillonnée avec un maintien correspondant au re-
tard imposé. De ce fait de petites oscillations apparaissent sur la tension
collecteur-émetteur simulée en régime transitoire. Cependant, à cause de
leur faible amplitude, elles n’apportent pas de dégradation significative
7.3. Comportement dynamique - Réponse à un saut de courant 133

des résultats.

Il est étonnant de constater que la modélisation du retard pur corres-

pondant au temps de transit des électrons au travers de la base est un
des points les plus sensibles pour la qualité des résultats en commutation
douce. La précision du retard pur n’altère quasiment pas la précision des
résultats lors d’un saut de courant instantané, mais une petite erreur sur
le retard pur pour un saut de courant plus lent se reporte drastiquement
sur l’amplitude de la tension collecteur-émetteur en régime transitoire.
En comparant les résultats obtenus en utilisant un retard pur variable
tt = f (vce ) avec ceux obtenus pour un retard fixe de 5 nanosecondes, on
observe une sous-estimation de près de 30% dans le cas du retard fixe
(figure 7.6).

.... Retard pur fixe

__ Retard pur variable
Vce [V]

t [10-7s]

Fig. 7.6 – Comportement dynamique pour un saut de courant

de 0 en t=0 à 80A en t=100ns. Comparaison sous
Simplorer entre les résultats pour un temps de tran-
sit fixe (5n) et un temps de transit variable.

Lors d’un saut de courant lent, la tension collecteur-émetteur s’établit

progressivement avec un champ électrique relativement faible. Le temps
de transit des électrons tt est plus élevé que lors d’un saut de courant
instantané et la résistivité de la base diminue moins rapidement.
134 Chapitre 7. Vérification du macromodèle proposé

7.4 Vérification du comportement dynamique

- Commutation dure
La commutation est dite dure lorsque le transistor IGBT s’enclenche ou
se déclenche sur une charge inductive traversée par un courant non nul, et
sans circuit d’aide à la commutation. Le modèle FEM et le macromodèle
d’IGBT doivent être introduits dans un circuit approprié pour pouvoir
réaliser ce type de commutation (figure 7.7).

IL
10mΩ 10mΩ
50nH
Ic

+
Vin
Rg
+

Vge

Fig. 7.7 – Circuit de test pour la vérification du comporte-

ment en commutation dure.

Le circuit est alimenté par une source de tension continue Vin de 1200V.
La charge inductive est modélisée sous sa forme idéalisée par une source
de courant continu IL . Le transistor IGBT est commandé au travers d’une
résistance de grille Rg par une source de tension variant par paliers entre
0V (transistor déclenché) et 15V (transistor enclenché). Une diode de roue
libre permet le passage du courant IL lorsque le transistor est déclenché.
Les résistances de 10m⌦ et l’inductance de 50nH, représentant les effets
parasites de la connectique externe, sont indispensables à la convergence
du simulateur par éléments finis.
7.4. Comportement dynamique - Commutation dure 135

.... Macromodèle sous Simplorer

__ Modèle FEM sous GENESISe
Vce [V]
Ic [A]
Vge [V]

t [10-7s]

Fig. 7.8 – Résultats de simulation en commutation dure

pour une résistance de grille Rg de 1⌦.

Pour une résistance de grille relativement faible, comme par exemple

Rg = 1⌦, la décroissance de la tension collecteur-émetteur est beaucoup
plus lente que ce que laisse prévoir l’évaluation de la capacité grille-
collecteur Cgc (figure 7.8).

Le régime transitoire est en effet dominé par les phénomènes de mise en

conduction de la base, correspondant à ce que l’on observe lors d’un saut
136 Chapitre 7. Vérification du macromodèle proposé

rapide du courant de collecteur en commutation douce. Des oscillations

apparaissent sur le courant de collecteur Ic et sur la tension collecteur-
émetteur Vce pendant les cent premières nanosecondes lors de la simula-
tion par éléments finis. Elles sont dues au comportement dynamique du
modèle Spice de diode de roue libre utilisé sous GENESISe. Elles n’appa-
raissent pas lors de la simulation sous Simporer car le modèle de diode de
roue-libre utilisé dans ce cas ne comporte pas de modélisation dynamique
(recouvrement inverse). Il serait en effet fastidieux d’adapter dynamique-
ment le modèle de diode sous Simplorer pour qu’il corresponde à celui
utilisé sous GENESISe, alors que les phénomènes qui en découlent n’ap-
portent pas de modification significative des résultats.

Le phénomène de traînée de tension à l’enclenchement apparaît de manière

très satisfaisante dans le macromodèle développé dans ce travail de thèse.
Les résultats obtenus pour l’évolution de la tension collecteur-émetteur
Vce et pour l’évolution du courant de collecteur Ic sous Simplorer sont
très proches des résultats obtenus avec le modèle par éléments finis sous
GENESISe.

La capacité Miller Cgc n’ayant été modélisée que sommairement, des diffé-
rences plus marquées sont remarquables lorsque l’on compare les résultats
des deux simulateurs pour la tension de grille Vge . L’évolution de la ten-
sion de grille n’entre toutefois pas en ligne de compte lors de l’évaluation
du rendement ou lors de l’analyse du fonctionnement d’un circuit d’élec-
tronique de puissance; l’erreur observée sur la tension de grille ne porte
que peu à conséquence et une modélisation plus poussée n’est pas néces-
saire.

Pour une résistance de grille plus élevée, comme par exemple Rg = 50⌦,
la décroissance de la tension collecteur-émetteur dépend principalement
de la capacité grille-collecteur Cgc et les phénomènes dynamiques sur la
base n’entrent pas en ligne de compte (figure 7.9).

La traînée de tension à partir de la fin du plateau Miller est de faible am-

plitude dans ce cas et ne dépend que de la valeur statique de la chute de
tension sur le transistor IGBT en fonction du potentiel de grille. Les ré-
sultats fournis par le macromodèle sous Simplorer sont excellents, compte
tenu de la simplicité du modèle de capacité grille-collecteur utilisé.
7.4. Comportement dynamique - Commutation dure 137

.... Macromodèle sous Simplorer

__ Modèle FEM sous GENESISe
Vce [V]
Ic [A]
Vge [V]

t [10-6s]

Fig. 7.9 – Résultats de simulation en commutation dure

pour une résistance de grille Rg de 50⌦.

On notera que la simulation d’un enclenchement (une dizaine de mi-

crosecondes) nécessite un temps d’exécution de près de quatre heures pour
une simulation FEM sous GENESISe, alors que quelques minutes sont suf-
fisantes avec le macromodèle sous Simplorer. Il devient alors possible de
simuler un circuit de puissance complet avec un degré de précision élevé
sur les phénomènes de commutation pour un temps de calcul raisonnable.
 138 Chapitre 7. Vérification du macromodèle proposé

.... Macromodèle sous Simplorer

__ Modèle FEM sous GENESISe
Vce [V]
Ic [A]
Vge [V]

t [10-6s]

Fig. 7.10 – Résultats de simulation avec CALC pour une

résistance de grille Rg de 50⌦.

7.5 Tension collecteur-émetteur abaissée par

un circuit d’aide à la commutation
Un circuit d’aide à l’enclenchement, inductif ou résonnant, fait rapi-
dement chuter la tension collecteur-émetteur juste avant ou au début de
la mise en conduction. Pour simuler ce type de fonctionnement sous Sim-
plorer, l’inductance série parasite (figure 7.7) est augmentée à 10µH. La
tension collecteur-émetteur décroît alors dès le début de l’augmentation
7.6. Limites du macromodèle proposé 139

du courant (figure 7.10).

La correspondance entre les résultats des deux simulateurs est excellente

en ce qui concerne l’évolution du courant de collecteur et de la tension de
grille. L’erreur au niveau de la tension collecteur-émetteur est à peine plus
importante qu’en commutation dure (figure 7.9) et peut être facilement
réduite par une meilleure modélisation de la capacité grille-collecteur.

7.6 Limites du macromodèle proposé

Le macromodèle proposé dans ce travail de thèse a été principale-
ment développé pour représenter fidèlement les mécanismes de mise en
conduction. Le modèle ne répond pas correctement à certains types de
sollicitations. Des simplifications introduites lors de la modélisation, par-
faitement valables dans les cas de commutations étudiés, devraient être
revues pour une plus grande généralité du modèle. Pour le moment, deux
cas spécifiques à approfondir ont été mis en évidence.

7.6.1 Traînée de courant au déclenchement

Lors de la simulation sous Simplorer d’un déclenchement avec le macro-
modèle proposé, une traînée de courant apparaît. On vérifie ainsi la dualité
entre la traînée de tension à l’enclenchement et la traînée de courant au
déclenchement. Le macromodèle sous Simplorer montre une traînée en
courant de forme exponentielle et d’amplitude raisonnable. La constante
de temps de l’exponentielle est toutefois largement surestimée. L’analyse
conduisant à l’équation 5.49 n’est en effet valable qu’en présence d’un
champ électrique relativement faible. Une modélisation de la constante
d’établissement du courant de trous ⌧1 comme une fonction de la chute de
tension sur la base (c’est-à-dire comme une fonction du champ électrique
interne) est nécessaire pour obtenir de bons résultats en ce qui concerne
la traînée en courant au déclenchement.

7.6.2 Traînée de courant en mode résonnant ZCS

Lors d’un déclenchement en mode résonnant, le courant de collecteur
et la tension collecteur-émetteur sont nuls. Le transistor IGBT n’est pas
140 Chapitre 7. Vérification du macromodèle proposé

réellement bloqué car un plasma important se trouve encore dans la base.

L’excédent de trous disparaît d’abord par recombinaison puis est éva-
cué sous la forme d’une traînée de courant lorsque la tension collecteur-
émetteur remonte [60]. La modélisation du courant de trous utilisée dans
ce travail, indépendante de la chute de potentiel sur la base, ne permet
pas de représenter correctement ce phénomène.
 141

Chapitre 8

Conclusions

De par sa structure, le transistor IGBT s’apparente à un transistor

bipolaire commandé par un transistor MOSFET. Sa modélisation a fait
l’objet de nombreuse publications dans les années 1980-1990, alors que
les publications concernant son utilisation et sa technologie sont majori-
taires aujourd’hui. Les modèles développés alors que le transistor IGBT
était majoritairement employé dans des circuits à commutation dure re-
lativement lents ne prennent pas en compte la plupart des phénomènes
apparaissant lors de commutations rapides ou douces. Les modèles ini-
tiaux ont été dégradés progressivement pour essayer de tenir compte des
modifications des performances du transistor IGBT jusqu’à ne plus avoir
aucun lien avec les postulats de physique des semiconducteurs de base. Le
transistor IGBT doit plutôt être considéré comme un très mauvais tran-
sistor bipolaire (gain faible, comportement influencé par le potentiel de
grille) commandé par un transistor MOSFET dégénéré (faible dopage de
drain), pour lesquels les mises en équation habituelles ne sont pas valables.

La simulation par éléments finis, reconnue pour la validité de ses résultats,

permet d’analyser localement le comportement d’une structure semicon-
ductrice, sans les erreurs de mesure liées à l’expérimentation. Comme les
équations issues de la physique des semiconducteurs ne peuvent pas être
résolues analytiquement pour une structure complexe (interdépendance
des paramètres), toutes les simplifications et hypothèses émises dans ce
travail ont été validées par des simulations FEM appropriées.
142 Chapitre 8. Conclusions

La chute de tension totale sur l’élément est divisée en quatre parties,

correspondant à des mécanismes statiques et dynamiques différents. On a
tout d’abord une chute de tension sur la jonction passante collecteur-base,
sans dynamique particulière associée. Vient ensuite la chute de tension sur
la portion de base non déplétée. Son comportement statique et dynamique
est étroitement lié à l’accumulation de porteurs minoritaires, due princi-
palement à l’émission au niveau de la jonction collecteur-émetteur, mais
aussi aux charges présentes sur la grille. Une portion de base déplétée,
dont la dynamique est principalement liée à celle de la grille, permet de
comprendre les phénomènes liés au blocage. On tient finalement compte
de la chute de tension sur le canal MOS interne.

Le modèle ainsi mis en place est purement physique, même si certains

paramètres sont adaptés de manière phénoménologique. Les équations de
Poisson pour la région de la base, résolues habituellement en fonction du
profil de densité de porteurs et à mobilité fixe pour un modèle contrôlé
par la charge, sont résolues ici en fonction de la mobilité pour une densité
de porteurs variant spatialement de manière linéaire. On met ainsi en évi-
dence une densité de porteurs équivalente permettant une modélisation
simplifiée des phénomènes dynamiques dans la base. Tous les paramètres
dépendent très précisément du potentiel de grille, condition indispensable
pour une bonne évaluation de la traînée en tension et des pertes en conduc-
tion.

Une fois le modèle physique établi, un macromodèle complet a été implé-

menté pour permettre de vérifier son comportement dans un simulateur
de circuit. La correspondance entre les résultats, pour divers types d’en-
clenchements, obtenus par simulation par éléments finis ou à partir du
macromodèle proposé, permet de valider toutes les hypothèses faites au
niveau de l’analyse physique. On montre ainsi qu’un modèle développé en
toute rigueur pour la commutation douce est également valable en com-
mutation dure, alors que l’inverse n’a jamais été vérifié. On aura remarqué
que les performances de modélisation atteintes s’obtiennent avec un temps
de calcul raisonnable et permettent donc une utilisation en simulation de
circuits complexes.

Quelques améliorations au niveau des phénomènes liés au déclenchement,

 143

sortant du cadre de ce travail de thèse, sont encore nécessaires pour obte-

nir un macromodèle complet, donnant des résultats satisfaisants quel que
soit le type de circuit dans lequel le transistor IGBT est utilisé. La modéli-
sation sous forme digitale du retard pur correspondant au temps de transit
des électrons au travers de la base impose un pas de calcul maximal très
faible pour le simulateur. Il serait intéressant de pouvoir implémenter une
forme analogique de ce retard, ce qui permettrait de nettement diminuer
le temps de calcul nécessaire pour simuler une commutation.
 145

Annexe A

A.1 Fichier de dopages pour IGBT 1,2kV

Le fichier ci-dessous est utilisé pour la génération du maillage néces-
saire à la simulation par éléments finis. Il contient toutes les informations
concernant le profil de dopage du transistor IGBT utilisé comme réfé-
rence. Ils sont donnés à titre d’illustration pour un lecteur familiarisé
avec le logiciel FEM utilisé. Il a été aimablement mis à disposition par
ABB Semiconductor à Lenzburg.

title "1.2kV IGBT"

refinement { MinElementSize=0.5 MaxElementWidth=8 MaxElemen-
tHeight=5
# refinement top region
{ left=0 right=20 top=0 bottom=20 MaxElementHeight=0.5
MinElementWidth=2 maxTransDiff=(DopingConcentration,1)}
# refinement top1
{ left=0.0 right=10 top=0 bottom=5 MinElementWidth=0.8
MaxElementHeight=0.3 maxTransDiff=(DopingConcentration,0.1)}
# refinement top1
{ left=0.0 right=20 top=0 bottom=0.7 MinElementWidth=0.5
MaxElementHeight=0.05, maxTransDiff=(DopingConcentration,1.0)}
# channel refinement
{ left=6 right=11 top=0 bottom=0.05 MaxElementHeight=0.01
MinElementWidth=0.15 maxTransDiff=(DopingConcentration,2)}
146 Annexe A.

# channel refinement
{ left=6 right=11 top=0 bottom=0.01 MaxElementHeight=0.002
MinElementWidth=0.15 maxTransDiff=(DopingConcentration,2)}
# source refinement
{ left=3.5 right=8 top=0 bottom=1.5 MaxElementHeight=0.1
MaxElementWidth=0.05 maxTransDiff=(DopingConcentration,0.05)}
# bottom1 refinement
{ left=0 right=20 top=80 bottom=125 MaxElementHeight=2
MinElementSize=0.3 MaxElementWidth=200 MaxAspectratio=200
maxTransDiff=(DopingConcentration,0.1)}
# bottom3 refinement
{ left=0 right=20 top=125 bottom=123 MaxElementHeight=0.07
MinElementSize=0.04 MaxElementWidth=200
maxTransDiff=(DopingConcentration,1)} }
profiles {
# doping of active silicon
constFunction { peakValue=6.6e13 species=P
lateralpenetr=1 line={(0,0) (20,0)} }
# doping of p+body
gaussFunction { peakValAndPenetr=(peakVal=1e19 Penetr=0.9)
lateralpenetr=0.7 species=B line={(0.0,0) (4.0,0)} }
# doping of p-well
gaussFunction { peakValAndPenetr=(peakVal=2.5e17 Penetr=1.0)
lateralpenetr=0.8 species=B line={(0.0,0) (7.0,0)} }
# doping of n+source
gaussFunction { peakValAndPenetr=(peakVal=11e19 Penetr=0.26)
lateralpenetr=0.7 species=P line={(4.0,0) (7.0,0)} }
# doping of n-buffer
gaussFunction { peakValAndPenetr=(peakVal=1.25e16 Penetr=20)
lateralpenetr=0.0 species=P
line={(20,163) (0,163)} }
# doping of p+emitter
gaussFunction { peakValAndPenetr=(peakVal=10e16 Penetr=0.08)
lateralpenetr=0.8 species=B
line={(20,124.8) (0,124.8)} }
# doping of p+emitter toward backend
A.2. Fichier de simulation mixte Dessis 147

gaussFunction { peakValAndPenetr=(peakVal=10e16 Penetr=0.19)

lateralpenetr=0.8 species=B
line={(0,124.8) (20,124.8) } }
#lifetime
constFunction{ constValue =12.0e-06 species = elifetime
line = {(0 125) (0 0)} maxdistance =20 }
constFunction{ constValue = 3.0e-06 species = hlifetime
line = {(0 125) (0 0)} maxdistance =20 } }

A.2 Fichier de simulation mixte Dessis

Le fichier ci-dessous est utilisé pour pour la simulation du transistor
IGBT étudié en commutation dure. Il contient entre autres la liste des
paramètres physiques qui ont été activés pour cette étude et le circuit
externe de test au format Spice.

Thermode { { name= "Anode_T" temperature=400 SurfaceResis-

tance=0.3} }

Plot { ElectricField/Vector Potential eCurrent/Vector hCurrent/Vector

eDensity
hDensity Doping eMobility hMobility eLifeTime hLifeTime eQuasiFermi
hQuasiFermi }

Physics { AreaFactor = 79577.472 Temperature = 300 Mobility ( Doping-

Dependence
HighFieldSaturation Enormal CarrierCarrierScattering )
EffectiveIntrinsicDensity(BennettWilson) OxideCharge=0
Recombination ( SRH(DopingDependence TemperatureDependence)
Auger Avalanche (Eparallel) ) }

Math { Cylindrical Extrapolate RelErrcontrol ErRef(electron)=1e10

ErRef(hole)=1e10 Digits=4 Iterations=12 notDamped=10 Derivatives
NewDiscretization }

File { SPICEPath= ". spice/lib" grid = "@grid@" doping = "@doping@"

current = "@plot@" output = "@log@" plot = "@dat@" save = "@save@"
148 Annexe A.

Dessis igbt{ Electrode { { name= Anode voltage=1200 }

{ name= Cathode voltage=0 } { name= Gate1 voltage= 0 barrier=-0.55
}}}

System { igbt ig1(Anode=node1 Gate1=node2){ File { plot = "@dat@"

current = "@plot@" load = "[Link]" } }
r r1 (node1 node3) {r=0.01}
l l1 (node3 node4) {l0=5.0e-8}
i i1 (node7 node4) {type="pwl" pwlfile="[Link]"}
Capacitor_pset c1 (node4 node5) {capacitance=1e-10}
r r4 (node7 node5) {r=0.01}
D_bridge d1 (node4 node5) { area=1000.0}
v v1 (node5 0) {type="dc" dc=1200.0}
r r3 (node2 node6) {r=50}
v v2 (node6 0) {type="pwl" pwlfile="[Link]"}

plot "n@node@_circ.plt" ( time() node1 node2 node3 node4 node5 node6

i(l1 node3) i(d1 node5) i(l2 node4) )

initialize (node1=1200 node2=0) }

Solve { coupled { hole electron poisson }

coupled { hole electron poisson contact circuit}

Transient( InitialStep=1e-7 MaxStep=1e-6 MinStep=1e-15 InitialTime=0

FinalTime=30e-6 Increment=1.5 Decrement=2.0 ) {
coupled { hole electron poisson contact circuit }
Plot ( FilePrefix="trans" Time=(Range=(0 30e-6)) NoOverwrite ) } }
 149

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 155

Glossaire

Symbole Description

A Surface d’un composant

Cce Capacité parasite collecteur-émetteur
Cgc Capacité parasite grille-collecteur
Cge Capacité parasite grille-émetteur
Cox Capacité d’oxyde de grille
D Rapport cyclique
Def f Constante de diffusion effective
Dn Constante de diffusion pour les électrons
Dp Constante de diffusion pour les trous
E0 Champ électrique maximal dans un semiconducteur
Eof f Energie dissipée lors d’un déclenchement
Eon Energie dissipée lors d’un enclenchement
fc Fréquence de commutation
gf s Paramètre de transconductance d’un transistor MOSFET
Ic Courant de collecteur
ID Courant de drain d’un transistor MOSFET
Ie Courant d’émetteur
Ig Courant de grille
In Courant d’électrons
Ip Courant de trous
Irr Courant maximal de recouvrement inverse
Is Courant inverse de saturation
L Longueur de diffusion ambipolaire
LM OS Longueur du canal d’un transistor MOSFET
156 Glossaire

Symbole Description

Ln Longueur de diffusion pour les électrons

Lp Longueur de diffusion pour les trous
n Nombre volumique d’électrons
neq Densité équivalente d’électrons
NA Dopage initial d’accepteurs d’électrons
ND Dopage initial de donneurs d’électrons
p Nombre volumique de trous
Pcomm Pertes en commutation
Pcond Pertes en conduction
q Charge électrique élémentaire
QB Charge totale dans la base
RDS(on) Résistance à l’état passant d’un transistor MOSFET
Rg Résistance de grille
td(on) Délai d’enclenchement
tox Epaisseur d’un oxyde de grille
tt Temps de transit des porteurs au travers de la base
trr Temps de recouvrement inverse
uT Tension thermodynamique
vsat Vitesse de saturation des porteurs
Uj Chute de tension à l’état passant sur une jonction idéale
Vce Tension collecteur-émetteur
Vge(th) Tension de seuil de la grille
Vgh Tension de commande de grille pour un état passant
Vgl Tension de commande de grille pour le blocage
Vin Tension d’alimentation d’un circuit de puissance
Vj Chute de tension sur la jonction collecteur-base
Vm Chute de tension sur un canal MOSFET
Von Tension à l’état passant sur un transistor
Vp Potentiel de pincement du canal MOSFET
Vqs Tension de quasi-saturation
VT 0 Tension de seuil d’un transistor MOSFET non polarisé
wb Largeur de la base d’un transistor
WM OS Largeur du canal d’un transistor MOSFET
Glossaire 157

Symbole Description

pnp Gain en courant d’un transistor bipolaire

✏ Permittivité
✏ox Permittivité d’un oxyde de grille
⌘ Rendement
⌘ Densité de porteurs
µef f Mobilité effective
µlow Mobilité à faible champ électrique
µn Mobilité des électrons
µp Mobilité des trous
⇢ Charge volumique
n Conductivité pour les électrons
p Conductivité pour les trous
⌧ef f Durée de vie effective des porteurs
⌧g Constante de temps de la grille
⇤
⌧H Durée de vie effective sous forte injection
⌧p Durée de vie des trous
 159

Curriculum Vitae

Serge PITTET
Né le 17 octobre 1973 à Lausanne, Suisse.

EXPERIENCES PROFESSIONNELLES

- Depuis février 2003: Chargé des cours d’électronique de puissance

et d’entraînements réglés à l’école d’ingénieurs de Lausanne (Eivd),
cours du soir.
- Depuis septembre 1999 : Assistant du professeur A. Rufer au la-
boratoire d’électronique de puissance de l’EPFL. Encadrement de
nombreux projets de semestre.
- 1997-1999: Stage de onze mois (dont quatre de travail de diplôme)
à l’institut de microélectronique de Pékin (Chine), travaillant sur le
design de circuits intégrés.
- Depuis 1991 : Responsable de prestation pour des manifestations de
grande envergure dans le domaine de la sonorisation. Principalement
pour Hyperson (Romanel) et Studio 20 (propre entreprise).
- 1991 - 1996: Travail comme animateur dans un centre de loisirs;
bonne expérience éducative et de gestion de groupes. Coordination
de projets impliquant jusqu’à 80 personnes.
160 Curriculum Vitae

ETUDES ENTREPRISES

- Scolarité obligatoire - maturité type scientifique.

- Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne: Titre obtenu (mars 1999):
ingénieur en électricité EPFL.
Electronique: générale, de puissance, HF et VHF.
Traitement du signal: Traitement numérique, de l’image et de
la parole.
Ondes: propagation, audio, émission et antennes.
Management: économie, droit commercial, MBO.

LANGUES

- Français (langue maternelle)

- Anglais (parlé et écrit, bon niveau)
- Allemand (parlé et écrit, bon niveau)
- Chinois (parlé, niveau moyen)

PUBLICATIONS

- Energy storage system using a series connection of supercapacitors,

with an active device for equalising the voltages of each capacitor
(IPEC-Tokyo 2000).
- Importance of quasi-saturation effect in the bipolar junction of high
voltage NPT-IGBTs for power calculations. (PCIM 2001-Nurenberg)
- Analytical analysis of Quasi-Saturation Effect in PT and NPT IGBTs
(PCIM 2002-Shanghai).
- Chairman pour la session "Power Motion Control and Drives" (PCIM
2002-Shanghai).