Correction de la série 3

Exercice 1: Q1 > 0

1-a) La sphère conductrice (S1 ) est en équilibre électrostatique (figure 1), donc le volume
Eint = 0
Q1 > 0
De la sphère est un volume équipotentiel et la surface est aussi est équipotentielle donc :
Vint = cst
Vsur = Vint = V O1 . ρint = 0

Soit dS un élément de la surface de la sphère (S1 ) portant une charge élémentaire dq (figure 2),
Figure 1

il crée en O1 un potentiel :

dq dq 1
dV = ⟹ V O1 = = dq
4πε0 R1 4πε0 R1 4πε0 R1

Q1
D’où : V = V O1 =
4πε0 R1

D’autre part : C =
Q1
⇒ C = 4πε Q1
V V =0 RV1 O1 = Figure 2
4πε0
Q
On a Q1 = ς1 S1 ⟹ ς1 = S 1
1

Donc la densité sphérique est :

Q1
ς1 =
4πR1 2

2- a) (S1 ) et (S2 ) sont relies par un fil conducteur donc ils forment un seule conducteur de même
potentiel :

A l’état initial :
Puisque (S2 ) est neutre donc la charge de Q1 va se repartir sur les deux sphères

On a : Conservation de la charge : Q1 + Q 2 = Q′1 + Q′ 2

D’autre part, les deux sphères ont le de même potentiel donc : V(S1 ) = V(S2 )

Q1 = Q′1 + Q′ 2 (car Q 2 = 0) (1)

Q1 + Q 2 = Q′1 + Q′ 2
⟺ Q′ Q′
V(S1 ) = V(S2 ) 1
= 4πε 2R (2)
4πε 0 R 1 0 2

Q′1 R2
⟺ Q′ 2 = 4πε0 R 2 ⇒ Q′ 2 = Q′1
4πε0 R1 R1

On remplace Q′ 2 par son expression dans l’équation (1) on a :

R2 ′ R1 + R 2 R 1 Q1
Q′1 + Q = Q1 ⇒ Q′1 = Q1 ⇒ Q′1 =
R1 1 R1 R1 + R 2

R 2 Q1
⇒ Q′ 2 =
R1 + R 2

Puisque R1 > R 2 donc : Q′1 > Q′ 2

2-b) Calcul des densités surfaciques de charge :

Q′1 R 1 Q1
ς1 = 2 = 2
4πR1 4πR1 R1 + R 2
Q′ 2 R 2 Q1
ς2 = =
4πR 2 2 4πR 2 2 R1 + R 2
ς1
Le rapport :
ς2
ς1 R 2
= et puisque R1 > R 2 ⇒ ς2 > ς1
ς2 R 1

Donc la densité de charge est inversement proportionnel au rayons de courbure.

2-c) Théorème de Coulomb :

ς
Le champ E(M) au voisinage immediat de la surface d’un conducteur est: E M = ε n, avec n :vecteur
0
normale a la surface :

2
Donc :
ς1 ς2
E1 M = n et E2 M = n
ε0 1 ε0 2

Donc :
E1 M ς1
=
E2 M ς2

ς2 > ς1 ⇒ E1 M < E2 M

On conclue que le champ est plus intense là ou le rayon de courbure est faible ⇒ c’est l’effet de pointes.

Exercice 2:

1-a)

-Repartition des charges :

-S1 est isolé, il conserve sa charge initiale ⇒ Q′1 = Q1 .

-S2int est en influence totale avec S1 , donc selon le théorème des éléments correspondants on a : Q′ 2 =
−Q′1 = −Q1 .

-S2 est isole, il conserve sa charge initiale, donc : Q′ 2 + Q′ 3 = Q 2 ⇒ Q′ 3 = Q1 + Q 2 est la charge de

S2ext .

3
1-b) Calculons V ′1 :

D’après le théorème de superposition , on a :

Q′1 Q′ 2 Q′ 3
V ′1 = V O1 = + +
4πε0 R1 4πε0 R 2 4πε0 R 3

En utilisant les expressions de Q′1 , Q′ 2 et Q′ 3 , on obtient :

Q1 Q1 Q1 + Q 2
V ′1 = V O1 = − +
4πε0 R1 4πε0 R 2 4πε0 R 3

1 Q1 Q1 Q1 + Q 2
V ′1 = ( − + )
4πε0 R1 R 2 R3

2)

a) La nouvelle répartition des charges :

La nouvelle répartition des charges Q′′ 1 , Q′′ 2 et Q′′ 3 successivement sur les surfaces S1 , S2int ,
S2ext est donnée par :
On a, les conducteurs S1 et S2 sont relies fortement par un fil conducteur de capacite négligeable.
Et l’ensemble semble comme un seul conducteur de même potentiel, alors à l’équilibre
électrostatique les charges se répartissent uniquement sur sa surface extérieure. D’ou :
Q′′ 1 = Q′′ 2 = 0 et Q′′ 3 = Q1 + Q 2

b) Calculons V ′′1 :
Q +Q 2
V S1 = V S2 = V ′′1 ⇔ V ′′1 = V O = 4πε
1
0R3

3)

4
 a) Répartition des charges :

on sait que les lignes de champ sont dirigées toujours vers les potentiels décroissants, donc puisque
V2 > V1 (V1 = 0 puisque S1 est lié au sol ), les lignes de champ sont dirigées alors vers S1 . S1 porte donc
une charge négative Q′′′ 1 = −q avec q > 0.

S2int et S1 sont en influence totale car S1 est toujours a l’intérieure de S2 .

Q′′′ 2 = −Q′′′ 1 = q

S2ext sera chargé par Q′′′ 3 .

b) Déterminons E M et V M en tout point situé entre (S1 ) et (S2 ) :

On a une symétrie sphérique, le champ est radial et dépends uniquement de r (voir démonstration dans
l’exercice 5 de la série 2) alors :

E M = E r ur

Nous allons utiliser le théorème de Gauss pour le calcul de E M :

La surface fermée 𝑆𝐺 que nous choisissons pour calculer le flux de 𝐸 est une sphère de centre O,
de rayon r :

Selon Gauss, on a :

Φ= 𝐸 𝑀 . 𝑑𝑆𝑆𝐺 = E r 𝑑𝑆𝐺
𝑆𝐺 𝑆𝐺

Avec : 𝐸 𝑀 = 𝐸 𝑟 𝑢𝑟 , 𝑑𝑆𝐺 = 𝑑𝑆𝐺 𝑢𝑟 = 𝑟 2 𝑠𝑖𝑛𝜃𝑑𝜃𝑑𝜑𝑢𝑟

Φ= E r 𝑢𝑟 . 𝑑𝑆𝐺 𝑢𝑟 = E r 𝑑𝑆𝐺
𝑆𝐺 𝑆𝐺

𝜋 2𝜋
Φ = 𝐸 𝑟 𝑟2 𝑠𝑖𝑛𝜃𝑑𝜃 𝑑𝜑 = 𝐸 𝑟 𝑟 2 −𝑐𝑜𝑠𝜃 𝜋0 2𝜋 = 4𝜋 𝑟 2 𝐸 𝑟
0 0

𝑄𝑖𝑛𝑡
Le théorème de Gauss s’écrit : Φ = 4𝜋 𝑟 2 𝐸 𝑟 =
𝜀0

Donc :
Q int
E M = e
4πε0 r

 Pour 𝑹𝟏 ≤ 𝐫 ≤ 𝐑 𝟐 : on a : Q int = −q, donc :

5
 q
E r =− e
4πε0 r 2 r

D’autre part, on a : On a : 𝐄(𝐌) = −𝐠𝐫𝐚𝐝𝐕, en coordonnes sphériques on a :

𝛛𝐕 𝛛𝐕 𝟏 𝛛𝐕
𝐠𝐫𝐚𝐝𝐕 = 𝐮𝐫 + 𝐮𝛉 + 𝐮
𝛛𝐫 𝐫𝛛𝛉 𝐫 𝐬𝐢𝐧 𝛉 𝛛𝛗 𝛗

𝛛𝐕 𝛛𝐕
Or : 𝛛𝛉 = 𝛛𝛗 = 𝟎 car 𝐄(𝐌) dépends seulement de r.

q
Donc: 𝐝𝐕 = −𝐄(𝐫)𝐝𝐫, d’où : V r = − E(r)dr, donc : V r = − − dr, donc :
4πε 0 r 2

𝐪
𝐕 𝐫 =− + 𝐂𝟏
𝟒𝛑𝛆𝟎 𝐫
𝐪
On a 𝐕 𝐑 𝟏 = 𝐕𝟏 = 𝟎, 𝐜𝐚𝐫 (𝐒𝟏 ) 𝐞𝐬𝐭 𝐫𝐞𝐥𝐢é 𝐚𝐮 𝐬𝐨𝐥), donc : 𝐂𝟏 = 𝟒𝛑𝛆 finalement on a :
𝟎𝐑𝟏

𝐪 𝐪 𝐪 𝟏 𝟏
𝐕 𝐫 =− + = ( − )
𝟒𝛑𝛆𝟎 𝐫 𝟒𝛑𝛆𝟎 𝐑 𝟏 𝟒𝛑𝛆𝟎 𝐑 𝟏 𝐫

c) Les charges 𝐐′′′ 𝟏 , 𝐐′′′ 𝟐 et 𝐐′′′ 𝟑 𝐞𝐧 fonction de 𝐕𝟐 :

On a :

𝐪 𝟏 𝟏
𝐕𝟐 = 𝐕 𝐑 𝟐 = ( − )
𝟒𝛑𝛆𝟎 𝐑 𝟏 𝐑 𝟐

Donc :

𝟒𝛑𝛆𝟎 𝐑 𝟏 𝐑 𝟐 𝐕𝟐
𝐪=
𝐑𝟐 − 𝐑𝟏

𝟒𝛑𝛆𝟎 𝐑 𝟏 𝐑 𝟐 𝐕𝟐
Q′′′ 1 = −q ⇒ Q′′′ 1 = −
𝐑𝟐 − 𝐑𝟏

𝟒𝛑𝛆𝟎 𝐑 𝟏 𝐑 𝟐 𝐕𝟐
Q′′′ 2 = q ⇒ Q′′′ 2 =
𝐑𝟐 − 𝐑𝟏

On a aussi : Pour 𝐫 ≥ 𝑹𝟑 :

Q′′′ 3
𝐕𝐫≥𝐑 𝟑 =
4πε0 r

D’autre part on sait que : V 𝐑 𝟑 = 𝐕𝟐 , donc :

Q′′′ 3
= 𝐕𝟐 ⇒ Q′′′ 3 = 4πε0 𝐑 𝟑 𝐕𝟐
4πε0 𝐑 𝟑

6
Exercice 3:
1- La capacité équivalente entre A et B :

On a C1 et C2 sont en parallèle donc C12 = C1 + C2 A.N : C12 = 10μF + 20μF = 30μF.

On a C3 et C4 sont en parallèle donc C34 = C3 + C4 A.N : C34 = 10μF + 20μF = 30μF.

Le circuit devient :

C12 et C34 sont en série donc :

1 1 1
= +
CAB C12 C34

donc :
C12 C34
CAB =
C12 + C34
30.30 900
A.N : CAB = 30+30 = 60
= 15μF

2- La charge de chacun des condensateurs :

Soit Q AB la charge entre A et B, on a : Q AB = Q1 + Q 2 = Q 3 + Q 4

D’autre part on sait que : Q1 = C1 U1 et Q 2 = C2 U2

On a C1 et C2 ont parallèle donc: U1 = U2 . D’où

Q2
Q1 = C1
C2

A.N : Q1 = 15μC , donc: Q AB = 45μC

D’autre part : Q 3 = C3 U3 et Q 4 = C4 U4 et on a C3 et C4 ont parallèle donc: U3 = U4 .

Q3
Q 4 = C4
C3
C4 Q 1 +Q 2
Puisque : Q AB = Q 3 + Q 4 = Q1 + Q 2 ⇒ Q 3 C3
+ 1 = Q1 + Q 2 ⇒ Q 3 = C 4 +C 3
. C3

A.N: Q 3 = 15μC.

Q 4 = Q AB − Q 3 A.N: Q 4 = 30μC

7
3-La tension entre les armatures de chaque condensateur :
Q1 15μC
On a : Q1 = C1 U1 ⇒ U1 = C1
= 10μF = 1,5V

On sait que : U2 = U1 donc : U2 = 1,5V.

Q3
Q 3 = C3 U3 ⇒ U3 = = 1,5V
C3

De même U3 = U4 ⇒ U3 = 1,5V

4- La tension UAB que subit l’ensemble : UAB = U1 + U3 = U2 + U4

A.N : UAB = 1,5V + 1,5V = 3V

Exercice 4:
1- L’expression de la capacité de ce condensateur plan est :

ε0 S
C=
e
On a :
1
K= ⇒ ε0 = 8,84. 10−12 S. I
4πε0

8,84.10 −12 ×100×10 −6

⇒C= 2.10 −3
= 44,2pF (1pF = 10−12 F)

2- Les charges placées sur chaque armature :

Soit A et B les deux armatures du condensateur:

Q A = C. U

A.N : Q A = 44,2. 10−12 x 6 = 265pC

Les deux armatures sont en influence totale, donc : Q B = −Q A = −265pC

3- On a :
Rappel du champ électrostatique créé dans l’espace entre les deux
armatures d’un condensateur plan :

Entre les deux armatures l’expression du champ électrostatique créé par chaque plan est:
+𝜎
𝐸1 = 𝑢 :champ créé par la première armature plane (voir champ créé par un plan :exercice 4 série
2𝜀 0 12
2).
−𝜎
𝐸2 = 2𝜀 𝑢21 :champ créé par la deuxième armature plane.
0

8
 𝜎
Par application du théorème de superposition, le champ total créé est : 𝐸 = 𝐸1 + 𝐸2 = 𝑢
𝜀 0 12

Donc :
𝛔
𝑬=
𝛆𝟎
Q
Or on sait que: 𝜎 = S
(Q = Q A = −Q B )
𝜎 Q CU U ε0 S U U
𝐸= = = =C = =
𝜀0 𝜀0 S 𝜀0 S 𝜀0 S e 𝜀0 S e
Donc :
𝑈
E=
𝑒
6𝑉
A.N : E = = 3. 103 𝑉/𝑚
2.10 −3 𝑚

1
4- L’énergie emmagasinée est : W = 2 CU 2

A.N : W = 44,2. 10−12 F × 36V = 795,6. 10−12 𝐽

5-On a la nouvelle capacité du condensateur :

ε0 S
C′ =
e′
Lorsqu’on déconnecte la source d’alimentation, le condensateur garde la même charge donc :

C
Q = CU = C ′ U ′ ⇒ U ′ = U
C′

ε0 S
e′
⇒ U = e U ⇒ U′ = U
′
ε0 S e
e′

A.N : U ′ = 0,75V

De même la nouvelle énergie W ′:

1 2 1 1 e′ 1 e′ e′
W ′ = C ′ U ′ = C ′ U ′ U ′ = CU U = CU2 = W
2 2 2 e 2 e e

A.N : W ′ = 99,45. 10−12 𝐽