CHAPITRE II :

DIODES et applications

Elément de module :Electronique

A. Aouaj
 CHAPITRE II: DIODE ET APPLICATION
I/ Diode à jonction
I-1/ Définition
La diode à jonction est un composant électronique de base. Son
fonctionnement macroscopique est celui d'un interrupteur commandé
par une tension Vd qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens.
Cette propriété lui ouvre un champ d'application assez vaste en
électronique dont les plus courants sont:
- Le redressement du courant alternatif issu du secteur.
- La régulation des tensions à l'aide de la diode zener, qui a un
comportement de source de tension quasi idéale.

A P N K A K

VD VD

Structure Symbole
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L'application d'une tension VD < 0 a pour effet d'empêcher tout courant traversant la diode.
L'application d'une tension VD > 0 a pour effet de faire circuler un courant de l'anode (A) à la
cathode (K).

I-2/ Caractéristique courant tension

L'analyse théorique d'une jonction PN

donne l'équation qui lie le courant ID à
la tension appliquée VD :
 VD 

ID = IS  e hVT
 1
 
 
Où :
- IS : courant de saturation inverse de la
jonction
kT
- VT : potentiel thermique ( VT  )
q
- h : facteur technologique dépendant du
type de semi-conducteur.

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I-3/ Modélisation de la diode
La représentation de la diode par sa loi
logarithmique est un peu complexe pour son
utilisation. Plusieurs schémas équivalents
simplifiés peuvent être employés pour faciliter
l'étude d'un circuit utilisant la diode. Pour
établir ces schémas on "linéarise" plus au
moins grossièrement la caractéristique
électrique de la diode, puis on cherche quels
composants simples permettent d'obtenir ces
caractéristiques linéaires.
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I-3-1/ Modèle 1: Diode idéale

Elle consiste à remplacer la caractéristique ID = f(VD) par des

segments de droite

• Polarisée en direct la
diode conduit, elle se
comporte comme un
interrupteur fermé.
• Polarisée en inverse la
diode est bloquée, elle se
comporte comme un
interrupteur ouvert.
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I-3-2/ Modèle 2 : Diode avec seuil

Dans ce modèle on tient compte

de la tension seuil Vg (on négligera
sa résistance dynamique). La
diode ne conduit que si la tension
VD dépasse la tension seuil Vg.

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I-3-3/ Modèle 3 : Diode avec seuil et
résistance
Dans ce cas on prend en compte la
résistance de la diode. Ceci peut être
utile si on utilise la diode en petits
signaux alternatifs et qu'on a besoin
de sa résistance dynamique.
-En polarisation direct la diode est
équivalente à une résistance RB
(résistance extrinsèque) en série
avec Vg.
-En polarisation inverse la diode est
équivalente à une résistance Ri très
grande (∞) en parallèle avec une
source de courant Ii très faible
Pour une diode de Silicium :
Vg  0.6 - 0.7 V, RB = 20 W et Ri >> MW.

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I-3-4/ Résistance de la diode

I-3-4-a/ Résistance statique

La résistance statique est définie par : V
RD  D
c'est un paramètre variable ID

I-3-4-b/ Résistance dynamique

v
La résistance dynamique est définie par : rd 
d
id
c'est la dérivée de la caractéristique électrique
en un point. On la considère souvent constante
si la variation du signal alternatif est très petite
autour du point de polarisation en continu.

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I-3-5/ Droite de charge et point de
fonctionnement
On considère le circuit ci-dessous :
1 1
La droite de charge : ID   VD  V
R R

Le point de fonctionnement est défini par

l'intersection de la droite de charge et la
caractéristique électrique de la diode

R ID

+
V VD
–

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I-4/ Limites de fonctionnement

I-4-1/ Zone de claquage inverse

La tension inverse ne doit pas
dépasser Vmax (quelques dizaines de
volts).
Elle peut conduire à la destruction
de la diode

I-4-2/ Limitation en puissance

Le domaine de travail ne doit pas
dépasser l'hyperbole Pmax = VD ID

I-4-3/ Influence de la température

Diode bloquée : le courant inverse Ii
double tous les 10°C (pour le Si).
Diode passante : la tension VD
diminue (à ID constant) de 2 mV/°C.

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I-5/ Circuits à diode
Plusieurs classes de circuits utilisent le comportement des diodes
(état passant – état bloqué) pour modifier sensiblement la forme des signaux

I-5-1/ Redressement
Dans le montage suivant on i
suppose que la diode est
équivalente au modèle 2.

On applique à l'entrée une tension ve ~ R vR

sinusoïdale ve = Emax sin(wt)
Avec:
Emax = 2 V
R = 1kW
la tension seuil de la diode est
Vg = 0.6 V
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 tension de la source ve(t)
- ve(t) ≥ 0.6 V
La diode conduit et est remplacée par
une source de tension Vg = 0.6 V
La tension aux bornes de R est vR(t) =
ve(t) – 0.6

- ve(t) ≤ 0.6 V tension aux bornes de la diode

La diode est bloquée et est remplacée
par un interrupteur ouvert, le courant
est donc nul
La tension aux bornes de R est nulle,
vR(t) = 0.

tension aux bornes de R

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I-5-2/ Redressement et filtrage
On insère au montage précédent une capacité C en
parallèle à R

VD

ve ~ C R vR

La courbe en pointillé est la tension aux bornes de R sans le condensateur C

La courbe en trait plein épais est la tension aux bornes de R avec C

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A. Aouaj
 I-5-3/ Doubleur de tension
Certaines applications nécessitent des
tensions continues très élevées (quelques
milliers de volts). On pourrait les obtenir
avec un transformateur élévateur et un
redressement/filtrage classique. Il existe
une solution moins onéreuse à base de
diodes et condensateurs : c'est le
doubleur de tension.
Le montage suivant se décompose en
deux : redressement / filtrage par la
cellule D1/C1, puis détecteur de crête
D2/C2.

Aux bornes de C1, si la charge est infinie, la tension VC1 restera constante est égale à la tension crête du
transformateur.
La diode D1 verra à ses bornes la tension Vt+VC1, dont la valeur crête est égale à deux fois la tension
crête du transformateur. Tout se passe comme si la tension du transformateur avait translatée d'une
fois la valeur de la tension crête.
Il suffit de filtrer cette tension à sa valeur de crête avec D2 et C2 : On obtient une tension continue égale
à deux fois la tension crête du transformateur.

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 Symbole
VZ
II/ Diodes spéciales

II-1/ Diodes Zener

* Elles se comportent comme des diodes classiques Caractéristique de la diode zener

quand elles sont polarisées en direct (pas d'intérêt).
* Elles ont un comportement spécial quand elles
sont polarisées en inverse.
* Les diodes zener sont utilisées en général en
polarisation inverse dans la zone de claquage.
* Le claquage n'est pas destructif si le courant
inverse est limité par le circuit extérieur pour éviter
un échauffement excessif.
* Le courant inverse disparaît lorsque la tension
inverse redevient inférieure à VZ.
* Une première utilisation de la diode zener est la
régulation de la tension dans les blocs
d'alimentation

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II-1-2/ Modèles de la diode zener
Modèle 1 : I

– + VZ
 V
Vg
VZ VZ

Modèle 2 : I

– + RZ
 VZ
V
Vg
VZ VZ

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II-1-3/ Applications

Les applications des diodes zener sont très nombreuses.

elles se rapportent aux grandes catégories suivantes :

- Effet de régulation
- Tension constante servant de référence
- Effet de seuil et écrêtage
- Capacité de la jonction

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A. Aouaj
Exemple : La régulation
Elle est utilisée pour réaliser des alimentations stabilisées.
Le schéma le plus simple est le suivant :
Lorsque la tension aux bornes d'entrée croît et dépasse la tension zener,
le courant dans la diode augmente, mais la tension de sortie reste constante
et vaut la tension de zener de la diode choisie. Si la résistance
en série est faible, le courant dans la diode devient rapidement important
et nécessite l'emploi d'une diode de puissance coûteuse montée sur un radiateur,
c'est pourquoi ce schéma est peu utilisé.
Si on considère une diode zener avec Vz = 6.2 V,
alimentée par une source de 9V et de 0.6W de résistance interne,
à travers une résistance série de 10W. On obtient en sortie une tension de 6.2V, entre 0 et
200mA.
10W
+

+ 1000µF RL
9V V
–
6.2V – 200mA

–
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II-2/ Autres diodes
II-2-1/ Diodes de Schottky
Une diode Schottky est une diode qui a un seuil de tension directe très bas et un
temps de commutation très court. Ceci permet la détection des signaux HF
faibles et hyperfréquences, la rendant utile par exemple en radioastronomie.
On utilise aussi pour sa capacité à laisser transiter de relativement fortes
intensités pour le redressement de puissance

Symbole

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A. Aouaj
II-2-2/ Diodes électroluminescentes

Une diode électroluminescente, couramment abrégé sous le sigle DEL (en anglais
LED) est un composant électronique capable d'émettre de la lumière
lorsqu'elle est polarisée en direct.
Une DEL produit un rayonnement monochromatique incohérent à partir d'une
transformation d'énergie. Elle fait partie des composants optoélectronique.

Symbole

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II-2-3/ Photodiodes
Une photodiode est un composant semi-conducteur ayant la capacité de
détecter un rayonnement du domaine optique et de le transformer en
signal électrique.

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A. Aouaj
II-2-4/ Diode à effet tunnel
Une diode à effet tunnel est un dipôle électrique semi-conducteur, qui remplit la fonction d'une diode dans les
circuits où un temps de commutation très court devient indispensable (jusqu'à 5GHz).
Dans une diode classique réalisée avec des semi-conducteurs, la conduction se produit si la jonction est polarisée
en direct, et s'arrête dés la polarisation devient négative. La conduction étant bloquée jusqu'à la tension de
claquage de la diode lors d'une polarisation négative (dans cette zone une diode classique est détruite).
Dans la diode tunnel, le dopage des couches P et N est si important que la tension de claquage est égale à zéro
volt. Cette diode conduit donc en inverse (polarisée en inverse), mais lors de son utilisation en direct (sens positif),
l'effet tunnel se produit donnant à la caractéristique de cette diode une zone où l'augmentation de la tension aux
bornes de la diode entraîne une diminution du courant la traversant. Cela correspondant à une résistance
négative.
La diode tunnel offre de grandes perspectives dans les domaines des oscillateurs HF, c'est-à-dire dans les gammes
de fréquences utilisées dans les fours à micro-ondes.

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