REPUBLIQUE DEMOCRATIQUE DU CONGO

MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET UNIVERSITAIRE

INSTITUT SUPERIEUR DES TECHNIQUES APPLIQUEES DE LUBUMBASHI
ISTA-LUBUMBASHI

COURS D’ELECTRONIQUE DE
BASE

Par : Ir MBANGU TSHINGEJ Néné

ANNEE ACADEMIQUE 2022– 2023

 PRE – TEST

 Lisez attentivement l’objectif général du profil du module.

 Si vous pensez déjà maitrise cet objectif, lisez attentivement les

objectifs

 Si après pensez l’étude d’un chapitre, vous croyez pouvoir

effectuer avec les succès les activités décrites, passer à l’étude

directement au « test de sorte » (contrôle) en fin du dit

chapitre.

 Si vous réussissez ce test (au moins 80% de répondre justes),

vous aurez fait une bonne révision et vos ne serez pas obligé de

revoir une matière que vous maitrise déjà

Alors passez à la page suivante

I. OBJECTIES DU PROFIL

A la fin de cette formation l’étudiant sera capable de :

 Lire un schéma électronique avec composants discrets ;
 Expliquer le rôle des différents étages et composants dans un
équipement électronique ;
 Réaliser les circuits électroniques de base.

II. OBJETIFS SPECIFIQUES

Nous conseillons à l’apprenant de se référer aux objectifs donnés en

tête de chaque chapitre pour prendre connaissance des objectifs spécifiques.
 4

CHAPITRE I. STRUCTURE DE LA MATIERE

I.0. OBJECTIFS

En se réservant de la théorie décrite dans ce chapitre, l’étudiant sera capable de :

 Expliquer la constitution d’un atome ;

 Répartir les électrons sur les différentes couches de l’atome ;
 Etablir la différence électronique entre conducteur et un isolant.

I.1. GENERALITES

Tout corps est constitué par un ensemble d’éléments très petits appelés
ATOME, liés entre eux par une force d’affinité.

I.2. CONSTITUTION D’UN ATOME

Un atome est constitué des éléments suivants :

 Le noyau situé au centre de l’atome et chargé d’électricité positive ;

 Les électrons légers tournant autour du noyau et chargés
d’électricité négative. La figure 1 donne l’exemple d’un atome de
carbone.

Fig. I.1.

La charge négative totale des électrons est compensée par la charge positive du
noyau : à l’état normal, l’atome est électriquement neutre.
Le noyau contient :
 Des protons chargés positivement ;
 Des neutrons de charge nulle.

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 5

La masse du proton est identique à celle du neutron : la somme des deux forme la
masse du noyau.

La figure I.2. Donne les détails de l’atome d’Hélium.

Fig. I.2.

I.3 Disposition des électrons

Les électrons sont répartis sur des couches successives désignées, à partir du
noyau, par les lettres K, L, M, N, O, P, Q. Ces couches sont complètes lorsqu’elles
comportent les nombres d’électrons consignés dans la formule :

Couches : K L M N O P Q

Nombres d’électrons : (Z) : 2(12 +22 + 32+ 42 +32+ 32+ 22)

Couches :K L M N O P Q

Nombres d’électrons (Z) : 2 8 18 18 32 18 8

On peut voir les différentes couches d’atomes dans la figure I.3

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 6

La figure I.4 donne quelques exemples de répartition des électrons.

La couche la plus éloignée du noyau s’appelle couche périphérique. Seuls les

électrons de la couche périphériques participent à la conduction : on les appelle ELECTRONS
DE VALENCE.

I.4. Ionisation

Un atome peut perdre ou gagner un ou plusieurs électrons venant ainsi un ion

positif ou négatif.

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 7

I.5 Matériaux électriques

I.5.1 Conducteur

Un conducteur est un matériau qui est le siège du déplacement des électrons.

Exemple : Cuivre, Argent, Fer, etc.…

I.5.2 Isolant

Un isolant est un matériau qui ne laisse pas passer le courant électrique.

Explication

La couche périphérique d’un atome est divisée en trois bandes à savoir : bande de
VALENCE, bande INTERDITE et bande de CONDUCTION come on peut le voir dans la
figure I.5.

A l’état normal, les électrons de la couche périphérique se trouvent dans la bande

de valence. Pour qu’il y ait conduction, il faut que ces électrons passent de la bande de
valence à la bande de conduction.

Dans les conducteurs, la bande interdite est presque inexistante et les électrons
peuvent passer sans difficulté de la bande de valence à la bande de conduction, tandis que

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 8

pour les isolants, la bande interdite est tellement large que les électrons ne peuvent pas
traverser pour participer à la conduction.

EXERCICES

1. Qu’appelle-t-on ATOME ?
2. Quels sont les éléments constitutifs d’un atome ?
3. Pourquoi les électrons ne s’éloignent-ils pas du noyau dans leur mouvement de
rotation ?
4. On dit qu’à l’état normal, l’atome est électriquement neutre. Expliquer cela.
5. Quelle est la charge électrique d’un électron ?
6. Faire la répartition de 72 électrons sur les couches d’un atome.
7. Quels sont les électrons qui participent à la conduction ?
8. Que devient un atome qui a perdu ou gagné un ou plusieurs électrons ?
9. Expliquer pourquoi un isolant n’est pas le siège du déplacement des électrons.

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 9

CHAPITRE II. SEMI CONDUCTEURS

II.0. Objectifs

A l’issue de ce chapitre, l’étudiant sera en mesure de :

 Définir un semi-conducteur ;
 Expliquer pourquoi les composants au germanium sont remplacés par
ceux au silicium ;
 Donner la différence entre les deux types de semi-conducteurs.

II.1 Définition

Un semi-conducteur est une substance qui peut se placer entre les conducteurs
et les isolants.

Il appartient au groupe 4 de la table de MENDELEEV, c’est-à-dire qu’il à 4

électrons dans la couche périphérique.

Exemple : carbone (c), germanium (Ge), silicium (Si) … etc.

La conductibilité des semi-conducteurs croit avec la température et leur

résistivité diminue. Ils ont donc un coefficient de température négative, à l’inverse des
conducteurs qui ont un coefficient de température positif.

En raison de leur comportement, le germanium et le silicium sont les plus

utilisées.

II.2. COMPARAISON ENTRE GERMANIUM ET SILICIUM

 Température (max) de fonctionnement :

1. Germanium : 85°C
2. Silicium : 185°C
 Courant inverse

Environ 1000 fois plus faible pour le silicium par rapport au

germanium.
Autres considérations

L’emploi du silicium autorise un fonctionnement rapide qu’avec le germanium. Il

tolère mieux les élévations de température, les fortes puissances et les tensions importantes.

Conclusion.

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 10

Pour toutes ces raisons, les composants au germanium sont pratiquement

remplacés par ceux au silicium.

Le germanium conserve l’avantage pour la détection à bas niveau à cause de la

tension de seuil qui est basse : 0,2v.

II.3. LIAISON COVANLENTE

Les atomes d’un semi- conducteur sont repartis dans l’espace selon une structure
géométrique appelée réseau cristallin, comme on peut le voir dans la figure II.1.

Fig.II.1.

L’atome de semi – conducteur est instable puisque n’ayant que 4 électrons sur sa
couche de valence.

Pour qu’il soit stable, cet atome va devoir saturer sa couche de valence, ainsi il
doit emprunter les 4 électrons qui manquent à l’atome voisin, mais cédant aussi les siens dont
l’autre atome a aussi besoin. La figure II.2. Donne un cristal semi- conducteur.

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 11

Fig.II.2

Il s’établit alors une liaison que l’on appelle liaison covalente.

Chaque atome se comporte comme s’il avait 8 électrons sur sa couche de valence.

II.4. SEMICONDUCTEUR INTRINSEQUES ET SEMICONDUCTEURS

EXTRINSEQUES

Un cristal semi- conducteur est dit « intrinsèque » lorsqu’il n’a aucun atome
étranger, c’est- à- dire qu’il est pur.

A la température de 0°k, il n’y a pas de porteurs de charge libres (électrons), il se

comporte comme un isolant.

Si on veut en faire un semi- conducteur, il faut lui fournir de l’énergie, soit

thermique, soit lumineuse, ou encore lui ajouté de très petites quantités d’impuretés pour créer
un nombre suffisant de porteurs de charges. Dans ce dernier cas on dit qu’on a un semi-
conducteur extrinsèque.

II.5. TYPESDES SEMI-CONDUCTEURS

Comme il a été dit plus haut, il est possible d’augmenter considérablement la

conductivité d’une substance semi-conductrice en introduisant, en quantité soigneusement
contrôlée quelques impuretés dans la structure cristalline. Par exemple un atome étranger pour
10.000.000 d’atomes de germanium augmente la conductivité 16 fois. Cette opération est
connue sous le nom de DOPAGE.

On distingue deux types de semi- conducteurs :

II.5. 1. Semi- conducteurs du type N

Choisissons comme impureté l’arsenic de symbole chimique (as), dont la couche

périphérique est donnée à la figure II.3.

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 12

Comme nous le remarquons, l’arsenic possède 5 électrons sur son orbite

extérieure.

Introduit dans une structure cristalline comme celle du silicium, l’atome d’atome
de silicium, comme indique à la figure II.4.

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 13

Quatre des électrons de l’arsenic forment une liaison covalente avec les électrons
du silicium et le cinquième reste pratiquement libre, participant ainsi à la conduction. Un tel
atome est dit « donneur » et le cristal dopé avec une telle impureté s’appelle cristal semi-
conducteur du type N

II.5.2. Semi- conducteurs du type P

Supposons qu’au lieu d’arsenic, nous ayons l’indium (in), représenté (couche
périphérique) à la figure II.5.

L’atome d’indium n’a que 3 électrons sur son orbite extérieure. Lorsqu’ on
l’introduit dans une structure de silicium, il manque un électron pour compléter la liaison
covalente, lorsqu’un électron d’un atome voisin vient compléter cette liaison, l’atome
d’indium devient un ion négatif fixe et l’emplacement d’où vient l’électron devient un trou
capable de participer à la conduction.

On peut voir cela dans la figure II.6.

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 14

En regard de ce qui précède, l’atome d’indium est dit « Accepteur » les porteurs
majoritaires dans ce cas sont des trous et on a un semi - conducteur du type P

Notons que dans les deux types de semi-conducteurs N et P, les porteurs de

charges majoritaires ne sont pas seuls dans le cristal. Il y a toujours une petite quantité de
porteurs de charges minoritaires de signe opposé.

II.6. Neutralité du cristal

Il faut noter qu’un cristal de type N ou de type P a la chaque électrique totale

nulle, car il y a toujours autant de charges positives que de charges négatives ; seulement les
trous ou les électrons libérés par la présence des impuretés peuvent être mis en circulation à
l’aide des potentiels électriques par exemple.

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 15

EXERCICES

1. définir un semi – conducteur.

2. On dit que les semi- conducteurs ont un coefficient de température négatif.
Expliquer cela
3. Pourquoi les composants au silicium remplacent- ils pratiquement ceux au
germanium ?
4. L’atome de semi- conducteur est – il stable ?
5. Donner la différence entre un semi- conducteur intrinsèque et un semi- conducteur
extrinsèque.
6. Comment se comporte un atome semi- conducteur pur à la température de 0°k ?
7. Comment procède-t- on pour doper un semi- conducteur du type P ou du type N ?
8. Comment se fait la conduction dans un semi- conducteur du type P ou type N ?
9. Quelle est la charge électrique totale d’un cristal semi- conducteur de type N ou
P?

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CHAPITRE III : DIODE

III.0. Objectifs

En se servant de la théorie décrite dans ce chapitre, le stagiaire sera capable de :

 Expliquer la formation de la barrière de potentiel ;

 Polariser la formation diode en inverse et en direct ;
 Tracer les caractéristiques de la diode ;
 Redresser et filtrer une tension alternative ;
 Multiplier une tension ;
 Ecrêter une tension ;
 Stabiliser une tension avec la diode zener.

III.1. Formation Et Analyse De Jonction

Accolons deux morceaux de silicium, l’un de type P et l’autre de type N formant

ainsi la jonction PN (figure III.1.).

Les trous se diffusent de la zone P à la zone N et les électrons de N à P

En pratique seuls les porteurs situés prés de la jonction passent d’un milieu à
l’autre.

De même, le côté N qui devient positif empêche d’autres trous de passer.

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 17

Un équilibre chimique va s’établir et il y a formation de ce qu’on appelle la

Barriere De Potentiel

Le côté P s’appelle ANODE (A) et le côté N s’appelle CATHODE(K).

Le symbole de la diode est donné par la figure III.2.

III.2. Polarisation de la diode

III.2.1. polarisation inverse

Le circuit de polarisation en inverse d’une diode se présente comme le montre la

figure III.3.

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 18

Le côté négatif de l’alimentation attire les trous, tandis que le côté positif attire
les électrons. La barrière de potentiel s’agrandit et il n’est plus possible (sauf lorsque la
tension est excessive) que la tension est excessive) que le courant traverse la jonction.

III.2.2. Polarisation directe (figure III.4)

Les bornes positives et négatives de la source d’alimentation bousculent les

électrons et les trous vers la jonction. La barrière de potentiel s’écrase, permettant aux
porteurs de passer d’un côté à l’autre entraînant ainsi la circulation du courant électrique.
Dans ce cas, on dit que la jonction (diode) est polarisée en direct (ou positivement). Toute
fois, le potentiel doit dépasser un certain seuil (0.2v pour le germanium et 0.7v pour le
silicium) Pour que le courant traverse la jonction.

III.3. Caractéristiques de la diode (fig.iii.5.)

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 19

III.4. Applications de la diode

III.4.1.Redressement

III.4.1.1. redressement monophasé mono alternance

a. Débit sur une résistance avec diode idéale

Considérons le circuit de la figure III.6.

b. Etude graphique

La diode est conductrice, l’anode étant positive par rapport à la cathode, un

courant i circule dans le circuit. La loi ohm généralisée permet d’écrire :

𝑉𝑠 = 𝐼 (𝑅𝑠 + 𝑅) + 𝑉𝐷

Avec 𝑅𝑠 = 𝑟é𝑠𝑖𝑠𝑡𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑖𝑛𝑡𝑒𝑟𝑛𝑒 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑠𝑜𝑢𝑟𝑐𝑒 :

𝑉𝐷 = 𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛 𝑎𝑢𝑥 𝑏𝑜𝑟𝑛𝑒𝑠 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑒.

𝑆𝑖 𝑅𝑠 𝑒𝑠𝑡 𝑛é𝑔𝑙𝑖𝑔𝑒𝑎𝑏𝑙𝑒 ; 𝑎𝑙𝑜𝑟𝑠 𝑉𝐷 = 𝑅 . 𝐼

𝑇
La diode est conductrice au temps 0 ≤ 𝑡 ≤ 2

𝑇
2) la diode est bloque 2 ≤ 𝑡 ≤ 𝑇

Le courant I est nul. En conséquence Vo=o et toute la f. é. M .Vs apparait à la

borne de la diode.

Les graphes de la figure III.7. Illustrent ce qui précède.

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 20

b) Valeurs moyenne

𝑉𝑚𝑎𝑥 √2 × 𝑉𝑒𝑓𝑓
𝑉𝑚𝑜𝑦 = = = 0,45 𝑉𝑒𝑓𝑓
𝜋 𝜋
𝑉𝑒𝑓𝑓
𝐼𝑚𝑜𝑦 = 0,45
𝜋

c. Débit sur une résistance avec diode réelle

L’influence de la diode réelle peut être assimilée à celle d’une diode idéale, en
𝑉𝐷
série avec une résistance 𝑅𝐷 = 𝐼𝐷
.d’ où :

𝑉𝑒𝑓𝑓
𝐼𝑚𝑜𝑦 = 0,45 𝑒𝑡 𝑉𝑚𝑜𝑦 = 𝐼𝑚𝑜𝑦 × 𝑅
𝑅𝐷 + 𝑅

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 21

Si la source de tension alternative présente une résistance interne Rs grande, il

faut en tenir compte, en série avec R. la plupart du temps, il s’agit d’un transformateur dont
il convient d’ajouter la résistance du primaire R1 rapportée au secondaire à la résistance
secondaire r2.
𝑉2
N étant le rapport de transformation en tension (𝑛 = 𝑉1
).la résista équivalente du
transformateur est :
𝑅𝑇𝑟 = 𝑟2 + 𝑟1. 𝑛2

𝑉𝑒𝑓𝑓
𝐼𝑚𝑜𝑦 = 0,45 𝑒𝑡 𝑉𝑚𝑜𝑦 = 𝐼𝑚𝑜𝑦 × 𝑅
𝑅𝑇𝑟 + 𝑅𝐷 + 𝑅

d. Tension d’ondulation

La tension redressée peut dans tous les cas examinés être considérée comme
une tension moyenne, 𝑉𝑚𝑜𝑦 à la quelle se superpose une tension alternative qui forme la
tension d’ondulation .
Si à la tension continue moyenne représentée par la courbe B on superpose la
tension d’ondulation représentée par la courbe B on superpose la tension d’ondulation
représentée par la courbe C, on obtient bien la courbe A de la tension instantanée redressée
(Figure III.8.)

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 22

Cette tension d’ondulation est dans la plupart des temps, un inconvénient majeur.
Elle peut être réduite, voire annulée, par les circuits de filtrage.
En effet, la tension d’ondulation peut être considérée comme résultant de la
superposition de plusieurs tensions alternatives sinusoïdales harmoniques les unes des autres
dont le premier harmonique est à la fréquence de la tension appliquée au redresseur.
L’amplitude de ce premier harmonique ou fondamental est la moitié de
l’amplitude de la tension périodique V-MAX, sa fréquence et son amplitude importante le
rendent difficile à éliminer (courbe pointillée figure C).
𝑉𝑚𝑎𝑥
𝑉1 =
2

Les autres harmoniques seront aisément éliminées par filtrage. On a aussi :

𝑉𝑚𝑎𝑥
𝑉1 𝜋
= 2 = = 1,57
𝑉𝑚𝑜𝑦 𝑉𝑚𝑎𝑥 2
𝜋
D’où 𝑉1 = 1,57 𝑉𝑚𝑜𝑦

a. Filtrage de la tension redressée

Le filtrage d’une tension redressée consiste à la débarrasser de l’ondulation ou
tout au moins, à réduire celle-ci à une amplitude telle qu’elle ne soit pas une gêne pour le
circuit à alimenter.

Le schéma de principe d’un circuit de redressement avec filtre est donné par la
figure III.9.

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 23

Le transformateur permet de donner à son secondaire la tension désirée (on peut

par exemple passer de 220V au primaire à 9V au secondaire).

Pendant la première alternance positive de la tension Vi au secondaire du

transformateur, le condensateur C se charge jusqu’au maximum de Vi ; puis la diode bloque,
Vi descend en dessous de ce maximum. Le condensateur C se décharge à travers R avec une
constante de temps RC. D’où le graphe de la figure III.10.

Calcul de la tension d’ondulation

Le graphe de la figure III.10 montre que :

 De 𝑇1 à 𝑇2 le condensateur C se charge de 𝑄 ; il y a donc une

variation de charge 𝑄 et une variation de tension ∆𝑉 telle que ∆𝑄 =
𝐶. 𝑉
 De 𝑇2 à 𝑇1, C se décharge de ∆𝑄 . Un courant moyen traverse la
résistance de charge 𝑅 et on a :
∆𝑄 = 𝐼𝑚𝑜𝑦 (𝑡1′ − 𝑡2 )

Dans les deux instants, on a la même quantité d’électricité

∆𝑄 = 𝐶. ∆𝑉 = 𝐼𝑚𝑜𝑦 (𝑡1′ − 𝑡2 ) ou bien

𝑡2 − 𝑡1
𝐶. ∆𝑉 = 𝐼𝑚𝑜𝑦 [𝑇 − (𝑡2 − 𝑡1 )] = 𝐼𝑚𝑜𝑦. 𝑇. (1 − )
𝑇

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 24

𝑡2 −𝑡1
Si on pose 𝐾 = 1 − 𝑇
alors :
𝐾. 𝐼𝑚𝑜𝑦. 𝑇 𝐼𝑚𝑜𝑦
∆𝑉 = =𝐾
𝐶 𝑓. 𝐶

F= fréquence de la tension d’ondulation = fréquence de la tension redressée ;

K dépend des caractères de l’alimentation et du redresseur.

III.4.1.2 Redressement bipolaire

a. Débit sur une résistance avec diodes idéales

Le schéma de ce redresseur avec transformateur à prise médiane est donné par la

figure III.11

Pendant l’alternance positive, D1 conduit et D2 est bloquée. Lors de l’alternance

négative, D1 est bloquée, c’est D2 qui conduit. La quantité d’électricité livrée à la charge R
est le double de ce que donne une redresseuse mono alternance. Alors :

2 𝑉𝑒𝑓𝑓. √2 2,828 𝑉𝑒𝑓𝑓

𝑉𝑚𝑜𝑦 = = = 0,9 𝑉𝑒𝑓𝑓
𝜋 𝜋
𝑉𝑒𝑓𝑓 0,9𝑉𝑒𝑓𝑓
𝐼𝑚𝑜𝑦 = =
𝑅 𝑅

𝑉𝑒𝑓𝑓 : 𝑇𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛 𝑎𝑢𝑥 𝑏𝑜𝑟𝑛𝑒𝑠 𝑑’𝑒𝑓𝑓𝑖𝑐𝑎𝑐𝑒 𝑎𝑢𝑥 𝑏𝑜𝑟𝑛𝑒𝑠 𝑑’𝑢𝑛 𝑑𝑒𝑚𝑖 – 𝑠𝑒𝑐𝑜𝑛𝑑𝑎𝑖𝑟𝑒.

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 25

b. Débit sur une résistance avec diode réelle

𝑉𝑚𝑜𝑦 0,9 𝑉𝑒𝑓𝑓
𝑉𝑜 = 𝑅+𝑅 𝑅 = 𝑅+𝑅𝐷
𝑅
𝐷

Si le générateur de tension est un transformateur, il faut tenir compte de sa

résistance équivalente R.

Lorsque Vi est positive (alternance positive), le courant arrive par A, traverse D1,
la charge R puis D3 et B. D2 et D4 sont bloquées.

Lorsque Vi est négative (alternance B négative), le courant arrive par B, passe par
D2, la charge R, D4 puis A.

Dans les deux cas, on remarque que le courant va toujours de P1 à P2.

Si les données sont réelles :

0,9 𝑉𝑒𝑓𝑓. 𝑅
𝑉𝑜 =
𝑅 + 2𝑅𝐷 + 𝑅𝑇𝑟

Ce montage est plus avantageux que celui à prise médiane car :

1. Lorsque les tensions correspondent l’une à l’autre de façon adéquate, le

pont peut être branché sur un réseau à courant alternatif sans l’utilisation d’un
transformateur.
2. La tension inverse d’un montage en pont est deux fois inférieure à celle
d’un montage à prise médiane.

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 26

Allure de la tension redressée

La tension redressée se présente de la même façon pour le redresseur symétrique

que pour celui à pont de Graetz.

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 27

Tension d’ondulation

La tension redressée peut encore être considérée comme formée de la tension

moyenne V moyenne à laquelle se superpose une tension alternative qui est la tension
d’ondulation, comme le montre la figure III.13.

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 28

L’amplitude du premier est donnée par :

4
𝑉1 = 𝑉𝑚𝑎𝑥
3𝜋

On a aussi

4
𝑉1 3𝜋 𝑉𝑚𝑎𝑥 2
= = = 0,66
𝑉𝑚𝑜𝑦 2 𝑉𝑚𝑎𝑥 3
𝜋

D’où 𝑉1 = 0,66 𝑉𝑚𝑜𝑦 : ce qui est beaucoup moins que pour le redressement
mono alternance.

Le redresseur bipolaire avec condensateur de filtrage se présente comme indiqué à

la figure III.14. avec transformateur à prise médiane.

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 29

Pendant les deux alternances, le condensateur C se décharge avec le t à l’armature

de dessus d’où le graphe de Vo à la figure III.15.

Calcul de la tension d’ondulation

Le graphe de la figure III.15 montre que la fréquence de la tension d’ondulation a

doublé.

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 30

𝑃é𝑟𝑖𝑜𝑑𝑒 𝑣 à 𝑟𝑒𝑑𝑟𝑒𝑠𝑠𝑒𝑟
𝑃é𝑟𝑖𝑜𝑑𝑒 𝑑𝑒 𝑉𝑜𝑛𝑑 =
2

𝐼𝑚𝑜𝑦.𝑇 𝑡 −𝑡 𝐼𝑚𝑜𝑦
D’où 𝐶. ∆𝑉 = 2
(1 − 2 𝑇 1 ) ⇒ ∆𝑉 = 𝐾 2.𝑓.𝐶
2

On peut également trouver des cellules de filtrage qui se présentent comme le

montre la figure III.16

Remarques

1. Le montage (a) n’est utilisé que pour les redresseurs doublent alternance
car, en mono alternance la valeur de la bobine devient excessive.
2. Pour éviter les tensions transitoires supérieures à Vaes, on place soit au
primaire soit au secondaire du transformateur d’alimentation, un circuit
RC dit d’amortissement, comme on peut le voir à la figure III.17

3. La figure III.16 (b) est utilisée dans la mesure où le courant continu

débité est nul ou négligeable.

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 31

III.4.2 Multiplication de tension

Alors qu’un montage redresseur normal fournit au maximum la tension V

maximum de la source, les montages suivants conduisent à n V maximum à vide.

III.4.2.1 Doubleur de tension

A. Doubleur Latour

Le schéma de principe de ce doubleur est donné à la figure III.18

Lorsque la tension Vi est telle que le point A est positif par rapport à B, la diode
𝐷1 conduit, 𝐷2 est bloquée. Le courant i1 charge la capacité 𝐶1 dans les conditions
habituelles.

Au cours de la demi-période suivante la diode 𝐷2 conduit alors que 𝐷1 est

bloquée. Le condensateur 𝐶2 se charge dans les mêmes conditions que 𝐶1 après un intervalle
𝑇
de temps 2.

Par rapport au point N, les deux Vc1 et Vc2 sont en série et entrainent la décharge
des deux capacités dans R aux bornes de laquelle elle forme la tension : 𝑉𝑜 = 𝑉𝑐1 + 𝑉𝑐2 qui
tend vers 2𝑉𝑚𝑎𝑥 pour 𝑅 infinie (montage à vide).

B. Doubleur SCHENKEL

Le schéma de principe est celui de la figure III.19.

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 32

Lorsque la tension alternative entre A et B est telle qu’elle rende le point B positif
par rapport au point A, la diode D1 est passante , le condensateur C1 se charge à la tension de
crête s’il, n’y a pas de débit.

Au cours de la demi-période suivante, c’est le point A qui devient positif par

rapport à B.

Le potentiel instantané du point P est la somme de la valeur instantanée de la

tension Vi et de la tension à laquelle est chargée la capacité C1.

La diode D2 qui a son anode positive est passante. Le condensateur C2 se charge

à travers elle à la tension VAB + vC1.

Si le condensateur C2 ne se décharge pas, la tension à ses bornes atteint 2Vimax.

III.4.2.2 Multiplicateur de tension par un facteur plus grand que 2

Ces circuits multiplicateurs sont dérivés du doubleur SCHENKEL. Ils sont

constitués d’autant de cellules élémentaires, diodes et capacités que le facteur de
multiplication comporte d’unités.

La figure III.20. Donne un quadruple pour lequel toutes les capacités, sauf 𝐶1,
tendent à se charger, en l’absence de débit, à la tension :

2. 𝑉𝑒𝑓𝑓√2 = 2,8 𝑉𝑒𝑓𝑓

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 33

III.4.3. Circuit limiteur (ecreteur)

Pour protéger certains instruments contre les surtensions on peut utiliser la sortie
Vo du circuit de la figure III.21.On notera que Vo est comprise entre – 𝑉2 et 𝑉1.

Nous supposons que l’amplitude de 𝑉1 est supérieure à 𝑉1 et à 𝑉2.

1 Si 𝑽𝒊 > 𝟎 mais inferieur 𝟎 𝑽𝟏(𝟎 < 𝑉𝑖 < 𝑉𝟏)

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 34

𝐷1 ne peut pas conduire, car 𝑉1 supérieur à 𝑉𝑖 et 𝐷2 polarisée négativement. le

circuit est ouvert en 𝐷1 et en 𝐷2 et 𝑉𝑜 = 𝑉𝑖.

2 Si 𝑽𝒊 > 0 et supérieure à (𝟎 < 𝑉𝟏 < 𝑉𝑖)

D2 est toujours polarisée négativement, mais D1 conduit, d’où le circuit

équivalent de la figure III.22

𝑉𝑜 = 𝑉1, ce qui limite la valeur supérieure de 𝑉𝑜.

3 Si 𝑽𝒊 < 𝑂

𝐷1 restera toujours bloquée tandis que 𝐷2 conduira seulement lorsque l’amplitude

de Vi atteindra seulement lorsque l’amplitude de Vi atteindra –𝑉2. A ce point, 𝑉𝑜 = −𝑉2

La figure III.23 résume les résultats.

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 35

III.4.4. Stabilisation de tension par la diode zener

III.4.4.1. Caractéristiques de la diode zener

C’est une diode au silicium dont on utilise la caractéristique inverse que

représente la figure III.24.

On remarque que la tension reste pratiquement constante pour une variation

importante du courant. Le claquage de la jonction n’est pas destructif tant que la
température de jonction maximale n’est pas dépassée.

Le symbole de la diode zener est donné à la figure III.25.

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 36

Examinons l’action de la diode zonée sur la sortie dans la figure III.26.

𝑉𝑖 = 10. sin 𝑡

𝑉𝑧 : tension de Zener

Dans ce circuit :

1. Si 𝒗𝒊 > 𝑂 mais 𝒗𝒐 > 3𝒗

La diode ne conduit pas car la tension Vo est ici une tension inverse n’atteignant
pas 3V ; et on a le schéma de la figure III.27.

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 37

𝑉𝑖 𝑉𝑖
𝑉𝑜 = 10 =
10 + 10 2

𝑉𝑜 = 3𝑉 lorsque 𝑉𝑖 = 6𝑉

2. VI > 6𝑣

Comme nous l’avons vu ; la diode zoner claquera lorsque VI atteint 6v. Alors la
tension de sortie se maintiendra à 3v

3. 𝑉𝑖 < 𝑂

La diode conduit et on a le circuit équivalent donné à la figure III.28.

Le courant passera à travers le court-circuit de la diode plutôt qu’à travers 𝑅2.

Alors 𝑉𝑜 = 0.

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 38

Le graphe de la figure III.29. Représente la tension de sortie écrêtée.

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 39

CHAPITRE : IV TRANSISTOR

IV.0. Objectifs

A l’issue de ce chapitre l’étudiant en formation sera en mesure de :

 Expliquer le fonctionnement d’un transistor PNP et NPN ;

 Tracer les caractéristiques et calculer les paramètres d’un transistor ;

 Tracer la droite de charge d’un transistor ;

 Déterminer les valeurs des grandeurs électriques et des composants à

partir des circuits équivalents des transistors ;

 Polariser et stabiliser en température¸ les montages à transistors.

IV.1 Constitution

Un transistor est formé de deux jonctions de polarité opposée placées en série. On

peut donc obtenir deux types de transistors, PNP et NPN. Comme on peut voir à travers la
figure IV.1.

La zone centrale (base) est plus mince que les autres.

Le symbole du transistor est donné à la figure IV.2.

La Flèche Indique Le Sens du courant.

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 40

IV.2 Fonctionnement du transistor

Supposons que le transistor est polarisé comme indiqué à la figure IV.3

Dans ces conditions, le transistor ne conduit pas, car la jonction NP est polarisée
négativement.

Supposons maintenant que le transistor est polarisé comme dans la figure IV.4

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 41

Dans ce cas, le courant peut passer de l’émetteur à la base (jonction PN

conductrice). Il y a migration des trous de la zone de l’émetteur dans dans la zone de la base.

Comme cette zone est très mince, ces trous sont soumis au champ électrique qui
existe entre la base et le collecteur. Un certain nombre d’entre eux passeront alors dans la
zone du collecteur, constituant un courant émetteur-collecteur. Si la tension du collecteur est
suffisamment grande, presque tous les trous passeront dans le courant du collecteur.

Ce raisonnement est valable pour un transistor NPN à condition d’inverser les

polarités et de se baser sur les électrons.

IV.3 Courbes caractéristiques

Considérons le circuit de la figure IV.5.

Les tensions continues Vb et Vc sont appelées « tensions de polarisation » ;

La tension Vbe est la tension entre la base et l’émetteur ;

La tension Vce est la tension entre le collecteur et l’émetteur ;

Rc est la résistance de charge du collecteur ;

Rb est la résistance de polarisation de la base.

Les caractéristiques du transistor sont données par le graphe de la figure IV.6

indiquant les relations entre Ib, Ic et Vce.

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 42

IV.4 Paramètres d’un transistor

IV.4.1 Pente

C’est le rapport d’une faible variation du courant collecteur ΔIc, à la faible

variation de la tension ΔVb qui l’a déterminée, la tension du collecteur demeurant constante.

Sa valeur est :

∆𝐼𝐶
𝑆=
∆𝑉𝐵

Exemple : si pour une variation de la tension de la base de 0,4 à 0,6 V, le courant

collecteur varie de 60 à 110 mA, la pente sera :

∆𝐼𝐶 (110 − 60)𝑚𝐴 50

𝑆= = = = 250𝑚𝐴/𝑉
∆𝑉𝐵 (0,6 − 0,4)𝑉 0,2

IV.4.2 Coefficient d’amplification

Il indique combien de fois le courant de collecteur varie plus vite que celui de la
base. On peut voir cela dans l’exemple ci-dessous :

Si en faisant varier le courant de base de 0,5 à 1 mA, le courant collecteur

varierait de 80 à 110 mA, l’amplification de courant serait :

∆𝐼𝐶 110 − 80 30
𝛽= = = = 60
∆𝑉𝐵 1 − 0,5 0,5

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 43

IV.4.3 La résistance d’entrée

C’est le rapport d’une faible tension de base ∆VB à la faible variation qu’elle
détermine dans le courant de base. Elle vaut :
∆𝑉𝐵
𝑟𝑒 =
∆𝐼𝐵

Exemple : Si pour une tension de base allant de 0,4 à 0,6 V, le courant varie de 0,5
à 1 mA, la résistance d’entrée serait :

∆𝑉𝐵 0,6 − 0,4 0,2

𝑟𝑒 = = −3
)= = 4000Ω
∆𝐼𝐵 (1 − 0,5)10 0,5. 10−3

Remarque :

Les trois paramètres fondamentaux d’un transistor sont liés par la relation :

∆𝐼𝐶 ∆𝑉𝐵 ∆𝐼𝐶

𝛽 = 𝑆 × 𝑟𝑒 = × =
∆𝑉𝐵 ∆𝐼𝐵 ∆𝐼𝐵

IV.5 Droite de charge

La droite de charge est une caractéristique dynamique qui traduit graphiquement

la variation de l’intensité du courant collecteur ΔIc en fonction des valeurs de la tension
émetteur-collecteur pour une résistance de charge 𝑅𝑐.

Exemple : considérons le schéma de la figure IV.5 en faisant usage des

caractéristiques données dans la figure IV.6 :

1. Déterminer la valeur du gain en courant ;

2. Avec Vc = 15 V :

a) Obtenir Vce lorsque Ic = 0

b) Obtenir Ic lorsque Vce = 0 et Rc =1,5 kΩ

Solution

1. En prenant une valeur fixe de Vce, on peut définir

∆𝐼𝐶
𝛽= |
∆𝐼𝐵 𝑉 𝑠𝑡𝑒
𝐶𝐸 =𝐶

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 44

Les caractéristiques données à la figure IV.6 nous indiquent que lorsque Ie

va de 0 à 200µA, Ic va de 0 à 10mA, d’où :

(10 − 0)10−∗3
β= = 50
(200 − 0)10−6

2. a) lorsque Ic =0, le circuit du transistor polarisé nous donne dans la

maille de droits :

−VC + R C IC + VCE = 0 d′ où VCE = 15V

b) Lorsque Vce = 0, la relation de KIRCHOFF dans la maille de droite

donne :

VC 15V
IC = = = 10𝑚𝐴
R C 1,5 KΩ

L’équation générale reliant Vce et Ic est (comme tirée de 2.a) :

VC −VCE
IC = RC
Ce qui est l’équation de la droite de charge dont
1
la pente est 𝑅 et dont le graphe est donné par la figure IV.7.
𝐶

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 45

IV.6 Montages de base des transistors

Le tableau ci-dessous donne tous les renseignements sur les montages de base des
transistors.

MONTAGES EMETTEUR COMMUN BASE COMMUNE COLLECTEUR COMMUN

Schémas

Gain/tension Moyen (100 à 200) Plusieurs centaines des milliers Environ 1

∆IC ∆IC ∆IC

Gain/courant β= = 20 à 200 α= <1 γ= = 20 à 200
∆IB ∆IB ∆IB

Gain/puissance Plusieurs milliers Plusieurs centaines Plusieurs dizaines

∆𝑉𝐵 ∆𝑉𝐵 ∆𝑉𝐵

Résistance d’entrée = 200 à 2000 Ω = 30 à 1500 Ω = 0,2 à 1 𝑀Ω
∆𝐼𝐵 ∆𝐼𝐵 ∆𝐼𝐵

∆𝑉𝐶 ∆𝑉𝐶 ∆𝑉𝐶

Résistance de sortie = 10 à 100 𝐾Ω = 0,2 à 2 𝑀Ω = 50 à 500 Ω
∆𝐼𝐶 ∆𝐼𝐶 ∆𝐼𝐶

Phase de la tension de
sortie par rapport à la Opposition En phase En phase
tension d’entrée

En très haute fréquence ; pour Pour attaquer une faible

Utilisation Universelle
attaquer une impédance élevée. impédance

IV.7 Circuit équivalent simple du transistor

Il se présente comme le montre la figure IV.8

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 46

Vbe est une tension de seuil opposée à la tension continue de polarisation Vb

appliquée à la base.

L’étude d’un amplificateur se fera toujours en deux étapes :

 Etude en continu

 Etude en alternatif

L’exemple qui suit illustre les différentes étapes de l’analyse d’un amplificateur à
transistors.

Exemple : pour le circuit de la figure IV.9 , obtenir Ic, Ib , Vce au point de

polarisation du transistor, ainsi que le gain alternatif.

Solution :

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 47

La tension VS donnera lieu à des courants alternatifs Ib dans la base et Ic au

collecteur.

La capacité Cc de couplage empêche le courant continu venant de Vb de passer par

Rs. Ce courant directement dans le transistor.

A. Etude en continu

Si on retient seulement les tensions et les courants continus, et si on remplace le

transistor par son circuit équivalent, tout en notant que Cc est ouvert pour ce qui est du courant
continu (son impédance 1/jwCc = 1/0 = ∞), on obtient le circuit équivalent de la figure IV.10

Dans la maille de gauche, la loi de KIRCHOFF donne (en suivant le courant) :

−VB + VBE + R B IB = 0
VB −VBE
d’où IB = RB

Dans la maille de droite, circule le courant Ic où Ic=Bib et on peut écrire pour la

maille :

−VCE + R C IC + VC = 0 d′ où VCE = R C IC

B. Etude en alternatif

Nous prenons ici comme nulles les tensions continues et on suppose que la
capacité c’est un court-circuit pour le courant alternatif c’est le cas, si la fréquence du signal
1 1
est assez élevée pour qu’on aitWC = ∞ = 0) . Alors on a le schéma de la figure IV.11.
C

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 48

On notera que le courant iD passera directement dans le transistor qui lui présente
un court-circuit, et rien n’ira dans Rd que nous considérons comme ouverte, et on le circuit
de la figure IV.12.

VS βVS
iB = et iC = βiB =
RS RS

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 49

Mais ic crée dans Rc une tension icRc dont les polarités sont opposées à celles de
vo. D’ou :

VD βR C
GV = =−
VS RS

Et le gain en tension alternative est :

Où le signe moins signifie que Vo et vs ont entre elles un déphasage de 180*,

donc si l’une est positive l’autre est négative.

IV.8. Circuits pratiques de polarisation et de stabilisation en temperature des

transistors

Probléme1 : alimentation

Dans les circuits à transistors traités jusqu’ici, nous avions deux sources de
tension continue pour des raisons de commodité, il est préférable d’avoir une seule source.

Le circuit de la figure IV.13. résoud ce problème.

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 50

Rd et Rc ont été rattachées à la borne positive de la même source de courant

continu Vcc .

VCC − VBE
RB =
IB

Problème 2 : Polarisation de la base

Vb est généralement petite.en la remplaçant par Vc qui est généralement grande,

on devra utiliser une large valeur de Rc, pour cela, plusieurs montages sont utilisées.

a. Polarisation de base entre Vcc, Rc et base

Le schéma est celui de la figure IV.13.

−VCC + R C IC + VCE = 0

b. polarisation entre collecteur et base

Le schéma de principe est donné à la figure IV.14.

−VCC + (IB + IC )R C + VCE = 0

VCE = IB R B + VBE, on a :

−VCC + (IB + IC )R C + IB R B + VBE = 0

VCC −IC RC −VBE
d’où IB = RC +RB

c. Polarisation de base par pont entre Vcc et masse

Le schéma de principe est donné à la figure IV.15.

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 51

D’ après le théorème de Thévenin, on a :

VCC . R 2 R1. R2
VB = et R B =
R1 + R2 R1 + R2

D’où le circuit équivalent de la figure IV.16.

−VB + IB R B + VBE = 0
VB −VBE
D’où IB = RB

Problème 3 : l’effet de température.

Les caractéristiques du transistor changent avec la température. Si par

exemple le courant de la base dans un transistor à été, fixé à Id=50¨µA nous donnera une
valeur plus élevée de Ic, d’où les graphes de la figure IV.17.

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 52

A la température T1, Q n’est plus au centre de la droite de charge et il n’est

plus possible d’amplifier normalement le signal appliqué à l’entre.

On pourrait toutefois améliorer la situation si on pouvait déplacer Q1 vers le

centre de la droite de charge, cela demanderait que l’on diminue la valeur de Ib.pour cela,
on introduit une petite résistance Re entre l’émetteur et la masse, comme l’indique le
schéma de la figure IV.18.

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 53

Dans ce schéma :

IB R B − VB + R E IE + VBE = 0

Mais IE = IC + IB ≈ βIB alors IB (R B + βR E ) = VB − VBE

V −V
Soit IB = RB +βRBE
B E

Cette dernière équation montre que, sous l’effet d’une température élevée
augmente, ce qui diminue IB, l’effet désiré.

Problème 4 : le découplage

Dans le schéma de la figure IV.18., il existe une chute de tension aux bornes
de RE, le potentiel de l’émetteur varie avec le signal, ce qui a pour effet de diminuer le
gain du montage.

Pour résoudre ce problème, il convient de stabiliser le potentiel de l’émetteur en le

découplant, c’est-à-dire on met un condensateur Cs en parallèle avec la résistance Re, comme
le montre la figure IV.19.

Dans ces conditions, la composante alternative est sans influence sur le potentiel
de l’émetteur qui est fixe.

La résistance d’émetteur est parcourue par le seul courant continu (composante

continue).

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 54

Problème 5 : La contre-réaction

Faire de la contre-réaction dans un amplificateur, c’est ramener à l’entrée une

fraction de la tension (ou de l’intensité) du signal de sortie.

Considérons le schéma de la figure IV.20.

Dans ce montage, le courant de base est commandé à partir du potentiel collecteur

plus positif que celui de la base, à l’aide d’une résistance R. Lorsque le potentiel du collecteur
devient plus positif et vice versa. Nous sommes donc en présence d’un système compensateur
par contre-réaction puisque c’est la tension de sortie qui est répercuté sur l’entrée.

Problème 6 : Stabilisation par thermistance

Le schéma de principe est donné par la figure IV.21.

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 55

Lorsque le transistor connait des élévations de température, le thermistance

chauffe également, sa résistance diminue, le potentiel de la base devient négatif, ce qui
provoque une réduction du courant collecteur.

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 56

CHAPITRE : V AMPLIFICATION D’UN SIGNAL ALTERNATIF

V.0. Objectifs

A l’issue de ce chapitre, l’agent en formation sera en mesure de :

 Expliquer la technique de l’amplification d’un signal alternatif :

 Monter en série les étages d’un amplificateur pour augmenter le gain du
signal :
 Expliquer les différentes liaisons entre étages d’un amplificateur.

V.1. Technique de l’amplification

La technique de l’amplification d’un signal alternatif est relativement simple,

comme on peut le voir à la figure V.1.

Le signal à amplifier est appliqué entre la base et l’émetteur du transistor. Comme

ce signal est variable, il a pour effet de perturber la tension émetteur base du transistor.

Ces petites variations du courant de base se répercutent, amplifiées, sur l’intensité

du courant collecteur.

Le courant qui passe dans le collecteur du transistor se décompose en deux

composantes : l’une continue (créée par l’alimentation + Vcc) et l’autre alternative (la
république du signal alternatif appliqué à l’entrée).

Pour séparer les deux composantes, on connecte l’une des armatures du

condensateur Co2 au collecteur du transistor.

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 57

Ce condensateur a pour rôle de bloquer la composante continue, n’autorisant que

le passage de la composante alternative (celle qui nous intéresse).

V.2. Liaison entre étages d’un amplificateur

V.2.1 Généralités

Les transistors sont capables d’amplifier les signaux électriques jusqu’à plusieurs
milliers de fois.

Malheureusement, nous nous trouvons dans la pratique+, devant la nécessité

d’amplifier, dans bien des cas, certains signaux jusqu’à plusieurs millions de fois, il faut donc
les monter en série, chacun amplifiant à son tour, le signal sortant de l’étage précédent.

Il va sans dire que tout doit être mis en œuvre pour ne pas perdre de l’énergie au
cours du transfert du signal sortant d’un étage suivant, il faut prendre certaines dispositions
pour assurer au mieux les liaisons entre étages successifs d’une chaine amplificatrice.

V.2.2 Types de liaisons

V.2.2.1 Liaisons par transformateur

Le schéma de principe est donne à la figure V.2.

L’injection du signal , disponible entre les deux extrémités du secondaire du

transformateur de liaison , s’ effectue entre la base et l’ émetteur .

Cependant, les transformateurs sont coûteux, encombrants et ils limitent la

bande de fréquences pouvant être transmises.

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 58

V.2.2.2. Liaison par résistances – capacité

La figure V.3. Montre le schéma d’un amplificateur à deux étages à liaison

R.C.

La liaison entre étagés est assurée par les condensateurs C4 et C5 qui ne

laissent passer que la composante alternative du courant collecteur.

L’encombrement est réduit et les signaux hauts fréquence peuvent facilement

passer.

V .2.2.3. Liaison Directe

Le schéma est celui de la figure V.4.

On relie directement un étage collecteur commun à un étage émetteur commun.

Les impédances de sortie de T1 et T2 sont du même ordre de grandeur et le

gain en puissance est élevé.

Le courant de base de T2 est fixé par le pont R1et R2.

La chute de tension aux bornes de R3 polarise positivement la base de T2.

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 59

Le condensateur de liaison est supprimé et les fréquences basses ne sont pas

atténuées.

V.2.2.4. liaison par symétrie complémentaire

On peut également établir une liaison directe en alternant les transistors NPN
et PNP, comme on peut le voir dans le schémas de la figure V.5.

Les deux transistors ont des caractéristiques semblables au sens des courants
prés.

Le courant d’alimentation se partage entre le collecteur de T1. E la base de T2.

La résistance R3 permet de polariser la base de T2. Ainsi, la base et le

collecteur de T2 sont- ils négatifs par rapport à l’émetteur.

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 60

V .2.2.5. Montage DARLINGTON

Le montage Darlington est composé de deux transistors associés tels que :

-l’ émetteur de l’un est reliés à la base de l’autre :- les deux collecteurs sont
reliés

Il se comporte comme un transistor unique ayant pour base celle de T1, pour
émetteur celui de T2, et pour collecteur, celui de T1 et deT2 réunis. La figure V.6. Illustre
ce qui précède.

L’amplification totale du montage est environ égale au produit des

amplifications de chaque transistor.

La résistance d’entrée beaucoup plus grande.

La résistance de sortie beaucoup plus faible.

Un montage Darlington peut être réalisé avec deux transistors complémentaires.

On peut voir cela dans la figure V .7.

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 61

La figure ci-dessous donne le symbole d’un transistor Darlington

V.2.2.6. liaison par diode

Elle est donnée par le circuit de la figure v .B.

Le collecteur de T1 est relié à la base de T2 par une diode D dans le sens

direct.

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 62

La chute de tensions aux bornes de la diode D permet de décaler le potentiel de

collecteur de T1 pour l’appliquer à la base de T2 .

Si ce décalage est insuffisant , on peut placer plusieurs diodes en série , ou une

diode zener de tension convenable, comme le montre la figure V.9.

Si l’éclairement de la cellule photoconductrice augmente, sa résistance diminue,

T1 bloque et T2 conduit fortement, le contact du relais se ferme .dz assure le décalage de
potentiel.

V.2.2.7.Amplificateur de puissance PUSH-PULL

Lorsque le signal à amplifier est trop grand pour un seul transistor , on peut
utiliser deux transistors en push- pull ou l’un amplifie la partie positive du signal, et l’
autre la partie négative.

On peut par exemple utiliser un transistor NPN et un transistor PNP oyant le

même gain en courant b, comme le montre la figure v.10.

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 63

Sans faire l’ analyse de ce circuit, nous dirons qu’un seul transistor conduira
lorsque V5 est positive alors que l’ autre est bloqué , l’ inverse se produit lorsque V5 est
négative.

Les graphes de sortie sont donnés par la figure V .11.

 graphes a) : sortie NPN

 graphe b) : sortie PNP

La figure V.12 donne le schéma d’un amplificateur avec driver à symétrisé

complémentaire et un étage de puissance série.

C’est le type de montage adopté pour les amplificateurs à transistor de grande

puissance.

L’ étage à symétrie complémentaire ( T3et T4) sert seulement à fournir le

courant de base de l’ étage de puissance (T1 etT2) dont les transistors sont tous deux de
même type , ce sont les transistors NPN au silicium qui sont très utilisés .

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 64

La liaison directe entre le préamplificateur (T6 etT5), le driver complémentaire

(T3etT4) et l’étage de puissance (T1 etT2 : push-pull quasi complémentaire) donne une
bande passant très étendue.

Le réglage de symétrie de l’amplificateur est assuré par la résistance ajustable P,

commandant la polarisation de base du transistor préamplificateur T6,

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 65

On trouve aussi des étages de sortie symétrique à deux montages Darlington,

comme on peut le voir dans le schéma de la figure ci-dessous.

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 66

CHAPITRE : VI. GENERATEURS DES SIGNAUX

VI.0. Objectifs

A l’issue de ce chapitre l’agent en formation sera en mesure de :

 Expliquer les trois étapes d’opération d’un transistor ;

 Représenter les bascules bistable, monostable et stable et expliquer leur
fonctionnement ;
 Expliquer le principe et le fonctionnement des oscillateurs sinusoïdaux.

Dans le transistor, on distingue trois états distincts dans son opération :

1. Le transistor bloqué ou OFF

2. Le transistor actif
3. Le transistor saturé ou ON

Le circuit équivalent du transistor dans chacun de ces trois états est donné à la

figure VI.1

Dans les circuits équivalents, nous avons considéré le transistor comme étant idéal
car nous avons négligé ses tensions et impédances internes. Dans l’étude des bascules
électroniques, le transistor fonctionnera entre l’état OFF et l’état ON (saturé).

VI.1. Types de bascules

Pour une bascule, nous avons besoin de deux transistors.

Les types de bascules possibles sont :

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 67

1. La bascule bistable
2. La bascule monostable
3. La bascule astable

VI.1.2. La bascule bistable

La sortie de la bascule bistable variera entre deux niveaux de tensions stables, le

contrôle étant fourni par un signal d’impulsion d’entrée. Le schéma est donné par la figure
VI.2.

A la mise sous tension, les condensateurs C1 et C2 se chargent avec les polarités

indiquées sur la figure.

Dans ce circuit, C1 = C2, R1 = R2 et les deux transistors sont identiques ; par

conséquent, le montage est symétrique. On ne sait donc pas lequel de T1 et de T2 se saturera
le premier. La saturation de l’un des transistors est favorisée par l’imperfection existant dans
la fabrication des composants.

Supposons que c’est T1 qui ses sature le premier. Son collecteur passe à la masse,
ainsi que l’armature gauche de C1, son armature droite applique une tension négative à la
base de T2, le maintient à l’état bloqué.

A l’arrivée de l’impulsion, T2 se sature, il apparait à la base de T1 la tension

négative –VC2 de la capacité C2.

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Il est maintenu OFF par la tension de C2 qui se décharge lentement dans R2.

VI.1.3. L a bascule monostable

Le circuit ici n’est pas symétrique, il est représenté à la figure VI.3

La bascule ici est susceptible d’être à l’un des états suivants :

1. Repos
2. Etat transitoire après l’application de l’impulsion
3. Retour au repos

1. Maintenance
En l’absence de toute impulsion, les capacités sont chargées et aucun courant ne
les traverse. Le courant quittant Vcc et passant par R doit saturer T2.
Avec T2 saturé, son collecteur est à la terre, la tension négative de C1 maintient à
l’état bloque.
2. Etat transitoire
A l’arrivée d’une impulsion à base de T1, ce transistor se sature, portant son
collecteur à la masse en même temps que la côte gauche de la capacité C. Le coté droit de C
met alors la tension négative à la base de T2, le bloquant. T2 reste bloqué tant que C applique
à sa base une tension négative.
La tension sur C tendra vers + Vcc avec une constante de temps RC. (Figure VI.4)

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 69

La base de T2 partira de la tension –Vcc à une tension Vc = 0 au temps T1.

Si une seconde impulsion arrive à la base de T1 pendant cette période transitoire,
le monostable ne réagira pas puisque T1 est déjà saturé pendant cette période.
3. Retour au repos
Dès que l’armature droite de C dépasse 0,7V, T2 se sature et son collecteur va à la
terre. Alors le courant d’alimentation part de Vcc et maintient T2 à l’état saturé à travers R.
A l’état T2 saturé, la charge négative sur C1 se présente à la base de T1, ce qui
bloquera T1. C se charge avec une constante de temps RcC.
Pour ramener le collecteur de T1 rapidement à la tension Vc,, C doit se charger en
un temps très court par rapport au temps t1 de la transition.

VI.1.4. La bascule astable

Son schéma est représenté par la figure VI.5.

Imaginons que T1 est conducteur et T2 bloqué.

Le collecteur de T1 ainsi que l’armature gauche de C1 sont à la masse. Le coté

négatif de C1 maintient T2 bloqué. Le courent partant de + Vcc décharge C1 à travers RB2.

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 70

Dés que L’armature droite de C1 dépasse 0,7V, T2 entre en saturation. Son

collecteur va à la masse avec l’armature droite de C2. La cote négative de C2 met T1 à l’état
bloqué. Le courent partant de Vcc décharge C2 à travers RB1 jusqu’à la saturation de T1.

Chaque transistor passe donc de l’état bloqué à l’état conducteur. Ce basculement

étant suivi d’un nouveau basculement ramenant le montage aux conditions initiales et cela
indéfiniment.

VI.1.5. Bascule à hystérésis (TRIGGER)

C’est une bascule qui permet à partir d’un signal périodique (par exemple
sinusoïdal, en dents de scie ou de forme quelconque) d’obtenir un signal rectangulaire.

Elle se présente comme le montre la figure VI.6.

Le basculement se fait en passent par un seuil A à la montée de Vi et par un seuil

B différent de A à la descente.

Lorsque Vi dépasse le seuil A, le transistor T1 conduit, son collecteur se trouve à

un potentiel bas et bloque T2.

Lorsque Vi descend en dessous du seuil B, T1 bloque, le potentiel élevé de son

collecteur rend T2 conducteur.

Le graphe de la figure VI.7 illustre ce qui précède.

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 71

VI.2 Les oscillateurs

VI.2.1 Oscillations amorties et oscillations entretenues

Considérons la figure VI.8

Dans la figure (a), le condensateur est chargé par le courant de la source V.

Dans la figure (b), le condensateur chargé est connecté aux bornes d’une
résistance R, il y a décharge.

Chargeons à nouveau le condensateur et branchons-le aux bornes d’une

inductance, comme le montre la figure VI.9

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Le condensateur se décharge, la bobine réagit en sens inverse.

Quand la décharge du condensateur est terminée, la bobine va prolonger le

courant, ce qui aura pour effet, la charge du condensateur dans le sens inverse.

A la fin de la réaction de l’inductance, le condensateur se déchargera à nouveau.

Ce phénomène s’accompagne des pertes énormes d’énergie, raison pour laquelle les
oscillations sont amorties, comme indiqué à la figure VI.10

Il est aisé de concevoir que, si nous avons la possibilité de recharger

convenablement le condensateur, ou d’éliminer l’amortissement, nous disposerons d’un
ensemble producteur d’oscillations entretenues.

VI.2.2 Principe général des oscillateurs

Un oscillateur comporte trois parties essentielles :

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 Un circuit sélectif ;
 Un circuit cumulateur et amplificateur ;
 Un circuit de réaction interposé sur une boucle de réaction mettant en relation
sortie et entrée de l’amplificateur.

Le schéma de la figure VI.11 donne une disposition possible, le circuit sélectif

étant constitué par un circuit résonnant. Tout autre circuit ayant les mêmes propriétés
sélectives peut être utilisé.

L’entrée en oscillation du système ne peut s’effectuer que si trois conditions sont

satisfaites :

1. Le signal de réaction, doit être en phase avec le signal à l’entrée ;

2. 𝑉𝑉 = 𝑉𝑉. 𝑉𝑉 𝑉𝑉 𝑉𝑉 = 𝑉𝑉 = βVs
d’ou 𝑉𝑉 = 𝑉𝑉. βVs ⇒ βAv = 1 (Amplification en boucle)
3. Comme, il faut bien que les oscillations démarrent, à zéro, Av supérieur à
1 pour qu’une petite perturbation initiale le déclenchement par réactions
successives un signal d’amplitude normale.

Mais il faut alors qu’intervienne à ce stade une limitation qui peut être apportée
par un simple mécanisme de saturation ou par des systèmes plus élaborés.

Le schéma de la figure VI.12 donne l’exemple d’un oscillateur C à transistor.

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En fermant l’interrupteur K, le courant collecteur charge C1. Il en résulte une

certaine tension aux bornes de 1. Le courant collecteur se fait amplifier lui-même, par lui-
même, grâce au système des inductances couplées 1 et 2.

Cette amplification va s’arrêter à la saturation du transistor, entrainant la décharge

du C1.

Par le jeu de couplage de 1 et 2, on assiste à une remontée du potentiel de base. Ce

qui entraîne une réduction du courant collecteur. C e phénomène cessera lorsque le potentiel
atteindra le potentiel de l’émetteur, ce qui entraînera le blocage du transistor, dont le
collecteur se trouve à la valeur du potentiel négatif de la source. Nous observons à nouveau le
renversement du phénomène oscillatoire et nous nous retrouvons dans les conditions initiales.

Dans le circuit de la figure VI.13, le signal auxiliaire est prélevé d’une prise
intermédiaire du bobinage du circuit résonnant £C.

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Pour des fréquences relativement basses, inférieures à quelques dizaines de

kilohertz, il est avantageux de réaliser des oscillateurs à résistances-condensateurs
(oscillateurs R-C), ne comportant pas d’inductance, comme on peut le voir dans la figure
VI.14.

Principe

La tension de sortie d’un filtre 𝑉 − 𝑉 est déphasée en arrière d’un angle par
1
rapport à la tension d’entrée telle que 𝑉𝑉 = 𝑉𝑉𝑉

En choisissant RC tel que =60°, on peut obtenir avec trois circuits RC placés dans
une boucle de réaction, un déphasage de 180° compensant la rotation de phase du transistor
T4 monté en émetteur commun.

L’amplification doit compenser l’atténuation due au réseau déphaseur à la

fréquence d’oscillation.

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 76

CHAPITRE : VII. ELEMENTS ELECTRONIQUES DIVERS

VII.1. Transistor a effet de champ (TEC ou FET)

Objectifs

A l’issue de ce chapitre, l’étudiant en formation sera en mesure de :

 Expliquer la constitution et le fonctionnement d’un T.E.C ;

 Tracer les caractéristiques du F.E.T :
 Monter un amplificateur avec T.E.C.

VII.1.1 Constitution

La représentation physique d’un transistor à effet de champ est comme indiquée à

la figure VII.1.

Nous avons ici trois bornes, la grille, le drain et la source.

La grille est ici faite des cristaux du type P tandis que le drain et la source sont
connectés par un bloc de cristal du type N.

Le transistor ci-contre est un FET à canal N, le canal étant l’espace entre les deux
parties de la grille.

Entre les cristaux du type P et du type N nous avons comme dans toutes les
jonctions, une zone de recombinaison des électrons et des trous que l’on appelle zone de
déplétion.

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Le fonctionnement du FET dépendra de la forme et de la largeur de cette zone de

déplétion.

Le FET est représenté par le symbole suivant figure VII.2 où la flèche indique la
direction du cristal P au cristal N, au niveau de la grille.

VII.1.2 Caractéristiques du FET

Pour le FET à canal N, les caractéristiques ont l’allure générale indiquée à la

figure VII.3.

Pour le FET, il existe une tension 𝑉𝑉𝑉 = 𝑉0 pour laquelle les deux zones de
déplétion se touchent, éliminant le canal.

Dans ce cas 𝑉𝑉 = 0

Pour le FET à canal P, les tensions Ves doivent-être positives pour polariser
négativement le diode NNP entre la grille et la source.

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L’impédance d’entrée d’un FET est très grande puisque le diode entre la grille et
la source une tension polarisée négativement pour une opération dans la zone active.

VII.2.3 Amplificateur F.E.T.

Le schéma de principe est donné à la figure VII.4.

Pour le FET à canal N, le point de polarisation comme l’indiquent les

caractéristiques, est fixé par une valeur de Ves négative, une valeur de Vas positive et une
valeur de la Io positive.

La résistance RG est grande (quelques mégaohms) et a pour rôle de présenter à la

grille la tension continue qui est sur RG. Le courant dans RG est presque nul.

VII.2.4 Les MOSFET

Dans le FET que nous avons étudié, la grille se présentait des deux côtés du canal.

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 79

La fabrication d’un tel transistor est difficile à réaliser dans les circuits intégrés à
moyenne et large échelle, le procédé économique dans la fabrication est celui basé sur la
technologie MOS (Métal-Oxyde Semi-conducteurs).

L’allure des transistors MOS est donnée à la figure VII.5

Si la tension positive est mise entre la grille et la source, les électrons du N

viendront sous la grille.

Alors, il se crée un canal N entre la source et la grille.

Une différence de potentiel positive Vds placé entre le drain et la source

permettra à un courant ID de circuler dans et la source permettra à un courant ID de
circuler dans le canal , toute fois , lorsque Vds est trop grande, les électrons du canal,
seront vite absorbés du côte du dirai et le canal va ce rétrécir et le courant Id sera constant
si on augment encore 𝑉𝑉𝑉, la largeur du canal augmente et IA augment en résume , on a
alors les caractéristiques suivantes pour le mosfet( fig. VII. 6 .)

On notera que 𝑉𝑉𝑉 doit être supérieur à VI pour que le MOSFET amplifie.

Si on compare ces caractéristiques avec celles du Fet ayant le même canal, c’est
– à – dire N, on note que pour le mosfet, le transistor marche avec 𝑉𝑉𝑉 positive.

Lorsque 𝑉𝑉𝑉 est négative, le transistor est bloque. Alors que pour le Fet doit
être dans la zone active.

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 80

Le symbole du mosfet est donné par la figure VII.7.

Où les flèches indiquent ici la direction dans laquelle le courant circule dans le
canal.

Le circuit de polarisation de base du mosfet est donné par la figure VII .8.

VII.2. Transistor uni jonction (UJT)

Objectifs : - expliquer la constitution et le fonctionnement

calculer la tension inter – basse et la tension de pic ;

monter un oscillateur à ujt pour le déclenchement du thyristor.

VII.2.1. Constitution

Ce transistor est constitué , par exemple , d’ une barre de cristal semi

conducteur du type N dans lequel est implantée une tige de cristal du type P , comme le
montre la figure VII.9.

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 81

L’émetteur est à la tige et le transistor à deux bases : B1et B2

Le symbole (fig. VII.10.)

La caractéristique essentiel le de cet élément est le fait qu’il exhibe une résistance
négative dans une certaine zone d’opération. En effet, supposons qu’une tension Va est
placée sur B2 est à la terre. Alors uns courant circule dans la barre et à ce point, on peut
symboliser le transistor par la figure VII.11.

La diode exprime le fait qu’on a une jonction PN entre l’émetteur à la base B1.

La tension inter-base est donnée par :

VB
VBB = R
RB1 + RB2 B1

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 82

Pour que la diode conduise, il faut avoir en E, une tension

VB + RD1
VE > VD = + VBE (VBEE =0,7V ⇒ Silicium)
RB1 + RB2

Lorsque Ve augment, la conduction augmente et E et B1 ressemblent de

plus en plus à une jonction PN en conduction, donc la résistance entre E et B1 diminue.

Un générateur d’impulsions (oscillateur) à ujt pour le déclenchement des

thyristors est donné à la figure VII.12.

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 83

Le courant produit par VB charge le condensateur C à travers la résistance R.

Lorsque la tension aux bornes de C Dépasse la tension de pic (Vp) de l’ujt, le

condensateur se décharge à travers E-Rb1 en donnant une impulsion à la gâchette du
thyristor.

VII.3. Le thyristor

OBJECTIFS

 Expliquer la constitution et le fonctionnement du thyristor ;

 Expliquer les procédés de déclenchement et de blocage des thyristors.
 Expliquer la constitution et le fonctionnement des éléments dérivés du
thyristor (GTO, TRIAC)

VII .3.1. Constitution

Le thyristor est constitué par quatre couches de semi-conducteurs de type PNPN

et a l’allure indiquée à la figure VII.13.

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 84

VII.3.2. Fonctionnement

1. figure (b).

Lorsqu’une tension positive est appliquée à l’anode par rapport à la cathode, le

thyristor ne conduit pas à cause de la diode D2 qui est branchée en opposition (sauf quand la
tension est excessive).

2. Figure(d).

Polarisions le thyristor comme indique à la figure VII.14.

Le transistor T2 le (NPN) a à sa base B2 une tension qui le sature. Le courant du

collecteur C2, sort de la base B2 et sature aussi T1. A son tour, le courant sortant du
collecteur C1 pénètre dans la base B2 et maintient T2 en saturation même en l’absence
maintenant de Vaes (quand la gâchette est ouverte).

VII.3.3 Caractéristique du Thyristor

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 85

La caractéristique du thyristor est donnée par la figure VII.15

N.B : le claquage en direct sans l’impulsion de la gâchette est quelques fois

destructif.

Le symbole du thyristor est représenté par la figure VII.16.

V.II.3.4. Procédés de Déclenchement des Thysristors

V.II.3.4.1. Déclenchement Par Résistance

Les schémas de la figure VII.17. Donnent les circuits types.

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 86

La fermeture de K1 ou l’ouverture de K2 provoque l’amorçage du thyristor. R

limite le courant de commande.

En alternatif, une diode D supprime le courant de gâchette les alternances

négatives.

V.II.3.4.2. Déclenchement par résistance et capacité

Le schéma de principe est donné par la figure VII.18.

La capacité C se charge pendant l’alternance positive de la tension d’anode

jusqu’ au point de déclenchement en un temps fixé par RC et de la vitesse de montée de la
tension d’anode.

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 87

Pendant l’alternance négative l’armature supérieure de la capacité prend une

charge négative à travers la diode D2 correspondant à la valeur de crête de la tension, ce qui
permettra à l’alternance suivante (positive) de pouvoir à nouveau se charger.

D1 peut être remplacée par une diode zoner

VII.3.4.3. Déclenchement par semi-conducteur

Reportons-nous au schéma de la figure V.II.19.

Comme nous l’avons dit plus haut (VII.2.1.), le condensateur C se charge à

travers la résistance variable R.

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 88

Lorsque la tension aux bornes de C atteint la tension de pic de l’ujt, le

condensateur C se décharge brusquement dans la résistance R1 à travers la jonction EB1 de
venue conductrice, en y produisant une impulsion nécessaire au déclenchement du thyristor.

Lorsque Vc atteint la valeur de la tension de vallée de l’ ujt, l’ujt se bloque et le

cycle recommence.

La capacité C se charge à nouveau…etc.

On règle la période T :

- En faisant varier R
- En remplaçant R par l’intervalle collecteur –émetteur d’un transistor dont on
règle le courant de base, comme on peut le voir dans la figure V.II.20.

Ce montage est très utilisé dans les variations du courant de base des transistors
sont commandées par rapport à une référence de la grandeur contrôlée par un thyristor :
ceci entraînera une modification de l’ angle de conduction du thyristor qui aura pour effet de
réduire ces écarts

VII.3.4.4. Synchronisation du Transistor Unijonction

Les rélaxateurs de déclenchement sont en général synchronisés sur la tension

d’alimentation du thyristor afin d’obtenir un angle de retard à l’amorçage constant.

Le montage habituellement employé est donné VII.21.

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 89

Le condensateur se décharge complètement à la fin de chaque période. De cette

manière, on est sûr qu’au début du demi-cycle suivant, la charge de C repart de zéro, ce qui
assure la synchronisation sur la fréquence du réseau.

V.II.3.4.5. Utilisation des Transformateurs D’Impulsions

Les transformateurs d’impulsions sont souvent utilisés comme élément de

couplage entre le générateur de déclenchement et le thyristor quand on a besoin d’un
isolement électrique entre les deux circuits. La figure VII.22. Donne un circuit type.

Les graphes de la figure VII.23. Donnent les variations des grandeurs électriques
du circuit de la figure VII.22.

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 90

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 91

La figure VII.24. Montre une façon d’utiliser un transformateur pour une

commande en opposition de phase de deux thyristors, avec un isolement électrique parfait.

VII.3.5. Blocage des thyristors

Avec une alimentation alternative, l’inversion de la tension d’anode provoque le

blocage, par contre, dans le cas d’une alimentation, le blocage demande des circuits
auxiliaires dont nous donnons quelques exemples.

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 92

VII.3.5.1. Blocage Par Contacteur En Parallèle Sur Le Thyristor

Le blocage se produit lorsque le contacteur court-circuite le thyristor comme le

montre la figure VII.25.

Le blocage est plus rapide si on applique à ce moment-la une tension négative V

entre anode et cathode.

Le contacteur peut être un transistor et la tension V peut être fournie par un

condensateur C qui sera chargé, avec les polarités voulues, par un circuit auxiliaire.

VII.3.5.2. Montage En Bascule Avec Capacité En Parallèle

Le circuit est représenté par la figure VII.26.

Le thyristor Th2 est un thyristor auxiliaire qui va rendre possible la commutation

de Th1 (Thyristor principal).

Lorsque Th1 conduit, Th2 est bloqué (aucun signal n’est envoyé sur la gâchette).

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 93

Dans ces conditions la capacité à travers la résistance R et le thyristor Th1. Un

signal (dit de blocage) envoyé sur la gâchette de Th2 le rend conducteur ; le condensateur C,
dont l’armature positive est alors à la masse, applique à Th1 une tension inverse et le bloque.

VII.3.5.3. Blocage Par Inductance D’inversion

Le schéma est donné à la figure VII.27.

On charge le condensateur de commutation C2 par le déblocage du thyristor

auxiliaire Th3. Les polarités sont celles indiquées sur la figure VII.27.

On débloque ensuite l’un des thyristors principaux (Th1 ou Th2). La charge est
alimentée. En temps les polarités du condensateur s’inversent par le circuit oscillant E2C2. Le
courant d’inversion de charge, en forme d’onde sinusoïdale ferme ainsi le circuit constitué par
E2-C2-D5 et Th1 ou Th2.

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 94

A la fin de ce processus, D5 bloque. Le condensateur C2 est alors près à couper le

thyristor principal (Th1 ou Th2).

Pour bloquer Th1 ou Th2, on amorce Th3. C2 est alors connecté en parallèle à
Th1 ou Th2, dans le sens opposé au courant de charge, compensant ce dernier.

Th1 ouTh2 étant bloqué, le processus d’inversion de charge de C2 se poursuit via

D4 et Th3 et Th4 et R, jusqu’à ce que C2 ait retrouvé sa polarité initiale et que la tension qui
le traverse soit égale à la tension de la bobine de couplage. Le réamorçage de Th1 et Th2
relance l’ensemble du processus.

VII.4 Thyristor blocable ou thyristor a extinction par la gachette g.t.o.

Il se présente comme un thyristor ordinaire mais dont le déclenchement et le

blocage s’effectuent par la même gâchette.

La figure VII.28 donne un circuit de commande du G.T.O.

Lorsque Vcom = Vc, T2 est bloqué, T1 est conducteur, le GTO reçoit une
impulsion d’amorçage et le condensateur se charge jusqu’à Vc = Vz.

Lorsque Vcom = 0, T1 se bloque, T2 se débloque (car Vect2 = Vok +Vc = V2

supérieur à 0). Le potentiel d’émetteur de T2 est supérieur à celui de la base, et le
condensateur se décharge en inverse dans l’entrée du G.T.O.

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 95

VII.5. LE TRIAC (Triode Alternating Curent ou Triode Coupe-circuit

Alternatif)

C’est un thyristor qui conduit dans les deux sens.

Son symbole est donné par la figure VII.29.

Les deux sorties principales ne sont pas désignées anode et cathode comme dans
le thyristor, à cause justement du caractère bidirectionnel du dispositif. Au lieu de cela, les
deux électrodes principales sont simplement numérotées 1 et 2, ou A et B.

La troisième électrode garde son nom et son attribution : gâchette, qui permet
d’amorcer le TRIAC par le signal qui lui est appliqué.

Le schéma de la figure VII.30 donne l’exemple d’un circuit avec triac commandé
par un DIAC.

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 96

Le DIAC donne deux impulsions de sens inverse et déphasées de 180° par période
de la tension d’alimentation.

Dans le montage, l’impulsion positive se produit lorsque V2 > V1.

L’impulsion négative se produit lorsque V1 > V2.

Chaque thyristor se bloque à la fin de son alternance directe, de sorte qu’on

obtient dans la charge le même courant qu’avec deux thyristors en parallèle inverse.

VII.6 Cellules Photoélectriques

OBJECTIFS

A l’issue de ce sous-chapitre, l’étudiant sera capable de :

 Expliquer le fonctionnement des cellules photoélectriques

 Réaliser le couplage optique

VII.6.1 Les Photodiodes

Lorsque la lumière frappe la jonction des photodiodes, des électrons peuvent être
libérés et mis en circulation.

Le circuit de polarisation est donné par la figure VII.31

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 97

On note que la photodiode est polarisée négativement, si bien qu’en l’absence de

la lumière il n’y a pas de courant qui circule et Vo = 0. Lorsque la lumière est présente, les
électrons libérés seront recueillis du côté positif de V et il circulera un courant i.

VII.6.2 Les Phototransistors

Cet élément est à deux jonctions comme les transistors.

La jonction collecteur-base est la photo jonction, sensible à la lumière.

Le circuit de base d’un phototransistor NPN est représenté à la figure VII.32.

On remarquera que pour ce qui est de la jonction NP du collecteur-base, la tension

Vp la polarise négativement comme dans le cas de la photodiode.

VII.6.3 Les LED (Light Emitting Diode)

Les LED sont des éléments produisant de la lumière lorsqu’ils sont traversés par
un courant. Leur symbole est donné par la figure VII.33.

La chute de tension aux bornes de la LED dépend de la couleur qui, elle dépend
du dopage.

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 98

Les LED et les phototransistors permettent le couplage optique entre les circuits.
Le schéma de la figure VII.34 donne un circuit type.

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 99

CHAPITRE VIII : ALIMENTATION STABILISEE ET REGULEE

VIII.1 Nécessite de la stabilisation ou régulation

Les sources indépendantes ou les sources de tension d’alimentation à partir du

secteur ne comportant que les dispositifs de redressement et de filtrage présentent
l’inconvénient de subir des variations quelque fois importantes, inhérentes à leur nature même
ou en fonction du courant débité.

En effet, même si une source de courant continu peut être assimilée à un

générateur de f.e.m constante Eo, elle présente une résistance interne r1 non négligeable qui a
deux conséquences (Fig. VIII.1.)

a) La tension aux bornes avec débit d’un courant continu I0 est 𝑉𝑉 =

𝑉𝑉 – 𝑉1. 𝑉𝑉. Si le courant Io varie de Io, la tension Vs varie de 𝑉𝑉 = − 𝑉1. Io et cette
variation est d’autant plus importante que r1 est plus élevée.
b) Pour les signaux utiles, les circuits se referment nécessairement par la source
d’alimentation et une forte résistance interne introduit des signaux parasites dûs à chaque
signal utile sur tous les autres circuits alimentés simultanément.

Certains équipements peuvent tolérer des variations de l’ordre de 10 % de la

tension d’alimentation d’autres exigent 1 % ou o,1 %, voir encore moins.

Pour atteindre e tels résultats, il est nécessaire de faire recours aux circuits de
stabilisation ou de régulation.

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 100

VIII.2 Stabilisation et régulation

On donne le nom de stabilisation ou régulation à tout dispositif qui a pour but de

fournir une tension ou un courant stable ou d’éliminer ou atténuer leurs variations.

VIII.2.1 Stabilisation

Les stabilisateurs « absorbent » les variations d’une tension ou d’un courant : ce

sont les diodes zener, les thermistances, etc…bien qu’il n’y ait pas d’obligation de principe,
les stabilisateurs se présentent généralement sous une forme que schématise la figure VIII.2

Le stabilisateur agit comme un diviseur de tension dont l’une des résistances, la

résistance en parallèle avec l’utilisation R2 s’ajoute automatiquement pour que la tension de
sortie V2 reste constante malgré les variations de V1 ou de V2.

R2 peut être un ensemble complexe et non pas un élément unique.

VIII.2.2 Régulateurs

Les régulateurs « corrigent » ces variations par un système fermé de régulation

constituant un asservissement de la tension ou du courant régulés à une constante qui est elle-
même une tension ou un courant. On a en quelque sorte, l’équivalent d’un servomécanisme
dont le temps de réponse peut être plus ou moins long.

Les régulateurs se présentent généralement sous la forme schématisée par la

figure VIII.3.

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 101

L’amplificateur différentiel A compare la tension de sortie V2 avec une tension de

référence Vr et fournit une tension v ou un courant i de correction qui agit sur un élément,
généralement un transistor qui agit comme une résistance variable R pour que v2 reste quasi
constante, quelles que soient les causes de variation ; R forme le ballast.

Pratiquement, les effets régulateur et stabilisateur peuvent être associés dans un

même dispositif.

La stabilisation ou régulation amont corrige les variations de la tension de sortie

v2, lorsque la tension appliquée v1 varie, généralement lorsque la tension du secteur subit des
variations.
La stabilisation ou régularisation aval corrige les variations de la tension v2
lorsque le courant débité U2 subit des variations.

VIII.2.3. Facteur de stabilisation ou régularisation en tension

Soit une variation ∆V2 de V2, lorsque V1 varie de ∆V1.

Le facteur de stabilisation relatif est :

∆V1
∆V1 𝑉2
S = V1 = ×
∆V2 ∆V2 𝑉1
V2

Il indique que les variations relatives de v2 sont S fois plus petites que les
variations relatives de v1, bien que S soit d’autant plus intéressant qu’il est grand.

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 102

∆V1 ∆V2
On a bien : 𝑉1
=S× 𝑉2

On considère quelques fois l’inverse de S représenté par K.

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 103

VIII.2.4 Montages stabilisateurs à diodes Zener

VIII.2.4.1 Utilisation d’une seule diode Zener

Soit le circuit de la figure VIII.4

𝑉𝑉 = résistance dynamique ou résistance spécifique de la diode ;

𝑉𝑉 = tension de seuil de la diode, elle est très proche de la tension
d’avalanche ou de claquage ;
𝑉2= tension aux bornes du circuit alimenté ;
𝑉𝑉= tension aux bornes de la diode.

Dans le schéma VIII.4, le circuit à alimenter est figuré par la résistance R

équivalente à R = U2/I2.

La diode est placée aux bornes du circuit à alimenter de sorte que l’on a :

𝑉𝑉 = 𝑉2 = 𝑉𝑉 + 𝑉𝑉 𝑉𝑉

𝑉𝑉 = 𝑉𝑉 − (𝑉𝑉 + 𝑉2 )𝑉1 = 𝑉𝑉 − 𝑉1 𝑉1

Ce qui est conforme à la loi d’Ohm.

Les éléments sont déterminés pour que le courant Iz traversant la diode soit au
milieu de la plage de stabilisation dans les conditions normales. La plage de régulation est
l’intervalle entre Imin et Imax.

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 104

Z n’est pas une constante et, pour une diode donnée, varie quelque peu avec I.

a) Stabilisation amont

Si la tension de la source Vi vient à augmenter, comme la tension Uz varie peu, le

courant dans R1 augmente.
Vi−Uz
Sachant que I1 = Iz + I2 = R2
, pour que 𝑉𝑉 reste stable, la variation de I1 est

pratiquement représentée par la variation de 𝑉𝑉.

Vi
D’où : ∆I1 ≈ ∆Iz ≈ R
2

Uz
Pae conséquent, I2 = R
reste constant puisque Uz est constant et c’est le but
recherché.

b) Stabilisation aval

Si le courant débité Iz varie parce que R a varié et si vi est constante, Iz varie en

sens inverse puisque :
Vi−Uz
Iz + I2 = I1 = R1
est constant.

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 105

VIII.2.4.2 Détermination pratique d’un circuit de stabilisation à diode zener

On dispose d’une source de tension variant de 8 à 12 V, soit de 20 % autour de sa

valeur nominale 10V.

On veut obtenir une tension régulée de 6,2 V stabilisée par une diode zener Zy6,2
dont la plage de régulation en courant s’étend de Imin = 5mA à Imax = 160Ma après chute de
tension aux bornes d’une résistance R1 à déterminer. Mais en tenant compte des possibilités
de la source d’alimentation (à ne pas négliger) on limite le courant dans la diode à 100Ma.

Solution

Les possibilités de stabilisation sont d’abord étudiées à vide (R = 0) pour la

tension d’alimentation variant entre 8 et 12V.

La source, la charge et le circuit de stabilisation, peuvent être schématisés par la

figure VIII.5.

Le circuit formé par l’ensemble à quatre bornes ABCD forme le quadripôle de

stabilisation.

Si l’on a à faire à une stabilisation amont (E est variable) pour laquelle R est
constante, on peut représenter le circuit ci-dessus (figure VIII.5.) par le schéma de la figure
VIII.6. a) et b)

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 106

Son équivalent de Thévenin vu des point 1 et 2 est donné par le circuit (b) où :

R1 + R R
R′1 = et Vi′ = Vi
R1 + R R1 + R

V2
Si 𝑉2 est nul, R = I2
=∞ (𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 à 𝑉𝑉𝑉𝑉)

Quand vi varie de ±∆Vi, 𝑉𝑉 reste constante et l’on doit avoir :

R R
(Vi − ∆Vi) ≤ Vi′ ≤ (Vi + ∆Vi)
R1 + R R1 + R
R .R
Dans ces conditions : R′1 = R 1+R tend vers R1
1

R
Et Vi′ = Vi R
1 +R

Pour la figure (b) ci – dessus on a :

V2 = Vi′ − R′1 Iz

Lorsque Vi varie de ±∆Vi., il est indispensable que le courant dans la diode Iz soit
toujours compris entre Imin et Imax, puisque V2 = Vz.

Or, Iz est le courant dans R1 du schéma équivalent de thévenin (figure VIII.6.b) et

l’on a :

Vi′ − V2
Iz =
R′1

En conséquence, on doit avoir :

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 107

Vi′ − V2
Imin ≤ ≤ Imax
R′1

Cette relation permet de déterminer les valeurs extrêmes, maximales et minimales

de R1. En se basant sur la figure VIII.6. a), on a :
Vi−∆Vi −V2 V2
R1
− R
≥ 𝑉𝑉𝑉𝑉

Courant dans R

Courant dans R1

Vi − ∆Vi − V2 V2
− ≤ 𝑉𝑉𝑉𝑉
R1 R

Application pratique au circuit proposé

Pour des raisons de sécurité et en tenant compte des tolérances de fabrication,

Imin est pris à 10mA, Imax est fixé à 100 Ma.

Vi + ∆Vi = 12V; Vi − ∆Vi = 8V

Vi − ∆Vi − V2 V2 8 − 6,2
− = ≤ 10mA
R1 R R1min

Vi − ∆Vi − V2 V2 12 − 6,2
− = ≥ 100mA
R1 R R1min

8 − 6,2
R1min ≥ = 0,18Ω = 180Ω
10
12 − 6,2
R1min ≤ = 0,58 KΩ = 58 KΩ
100

VIII.2.4.3. Utilisation de plusieurs diodes zener en série

Lorsque la tension de sortie est supérieure à la tension de zener d’une diode,

plusieurs diodes peuvent être groupées en série, comme le montre la figure VIII.7.

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 108

VIII.2.4.4. Stabilisation à plusieurs étages

Pour obtenir des tensions particulièrement stables et réaliser des sources de

référence de tension indépendantes dans des larges limites de fluctuation de la tension
d’alimentation, on peut placer, en cascade un certain nombre de régulateurs à diodes zener,
comme le montre la figure VIII.8.

Comme la plupart du temps ces sources ne débitent pratiquement pas, les

résistances de stabilisation R1, R2et R3 peuvent être choisies les plus élevées possibles.

Le calcul s’effectue en déterminant tout d’ abord R3et D6 en fonction de V2, I2et

Vi“, puis R2, D4 et D5 en fonction de Vi “ et du courant pris par la cellule de régulation
calculée précédemment et ainsi de suite.

VIII.3. Stabilisation et régulation de tension pour courants débites importants

Les courants débités importants et variables créent des difficultés sérieuses aux
points de vue de l’efficacité de la stabilisation et du rendement.

En effet, une variation importante du courant débité I2 ne peut être compensée

que par une régulation aval particulièrement efficace.

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 109

Ceci conduit à utiliser une diode zener à courant moyen

Imax +Imin
Egal à 2
important et une forte résistance série R1.

Dans ces conditions la puissance dissipée dans le régulateur est prohibitive.

Il serait avantageux d’obtenir les mêmes résultats avec R1 plus faible. Un circuit
associant un transistor à une ou plusieurs diodes zener comme le montre la figure VIII.9.
Répond à la question.

Les variations 𝑉2de𝑉2 se répercutent sous la forme de variation de tension Vbe,

tension base-émetteur du transistor.
ℎ𝑉𝑉
Il en résulte une variation 𝑉𝑉 = 𝑉. 𝑉𝑉𝑉 = 𝑉
ℎ1𝑉 𝑉𝑉
du transistor beaucoup plus

importante que la résistance R1 peut être réduite en conservant la même efficacité de

régulation.

De nombreuses variantes peuvent être réalisées en particulier en substituant un

montage darlington simple ou complémentaire au transistor.

La figure VIII.10. En est un exemple, pour lequel la gamme de courant régulée est
très importante.

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 110

La résistance R2 dérive une fraction de courant Iz pour que celui-ci ne soit jamais
inférieur à 𝑉𝑉𝑉𝑉 pour I2maxi la résistance R3 dérive une fraction du courant Ici pour
permettre le blocage du transistor T2, pour I2 maximal.

VIII.4. Régulateur à émetteur – follower

On utilise ce type de régulateur à la sortie d’une source ayant une résistance

interne élevée.

Le schéma type est représenté à la figure VIII.11.

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 111

Le transistor T2 compare une fraction de la tension de sortie V2 avec la tension de

référence fournie par une diode zener (ou une source indépendante).

Le courant de sortie de ce comparateur (amplificateur T2) forme le courant de

base du transistor T1et s’ajoute automatiquement de telle sorte que l’écart entre la tension de
référence et la tension dérivée V2 soit négligeable.

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 112

TABLE DES MATIERES

PRE – TEST ............................................................................................................................................. 2

I. OBJECTIES DU PROFIL ................................................................................................................... 3

II. OBJETIFS SPECIFIQUES ................................................................................................................. 3

CHAPITRE I. STRUCTURE DE LA MATIERE ................................................................................. 4

I.0. OBJECTIFS .................................................................................................................................. 4

I.1. GENERALITES............................................................................................................................ 4

I.2. CONSTITUTION D’UN ATOME ............................................................................................... 4

I.3 Disposition des électrons ............................................................................................................... 5

I.4. Ionisation....................................................................................................................................... 6

I.5 Matériaux électriques ..................................................................................................................... 7

I.5.1 Conducteur .............................................................................................................................. 7

I.5.2 Isolant ...................................................................................................................................... 7

EXERCICES ....................................................................................................................................... 8

CHAPITRE II. SEMI CONDUCTEURS ............................................................................................... 9

II.0. Objectifs....................................................................................................................................... 9

II.1 Définition ...................................................................................................................................... 9

II.2. COMPARAISON ENTRE GERMANIUM ET SILICIUM ........................................................ 9

II.3. LIAISON COVANLENTE ....................................................................................................... 10

II.4. SEMICONDUCTEUR INTRINSEQUES ET SEMICONDUCTEURS EXTRINSEQUES .... 11

II.5. TYPESDES SEMI-CONDUCTEURS ...................................................................................... 11

II.5. 1. Semi- conducteurs du type N ............................................................................................. 11

II.5.2. Semi- conducteurs du type P .............................................................................................. 13

II.6. Neutralité du cristal.................................................................................................................... 14

EXERCICES ..................................................................................................................................... 15

CHAPITRE III : DIODE ....................................................................................................................... 16

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 113

III.0. Objectifs ................................................................................................................................... 16

III.1. Formation Et Analyse De Jonction........................................................................................... 16

III.2. Polarisation de la diode ............................................................................................................ 17

III.2.1. polarisation inverse............................................................................................................ 17

III.2.2. Polarisation directe (figure III.4) ....................................................................................... 18

III.3. Caractéristiques de la diode (fig.iii.5.) ..................................................................................... 18

III.4. Applications de la diode ........................................................................................................... 19

III.4.1.Redressement...................................................................................................................... 19

III.4.1.1. redressement monophasé mono alternance ................................................................ 19

III.4.1.2 Redressement bipolaire ............................................................................................... 24

III.4.2 Multiplication de tension .................................................................................................... 31

III.4.2.1 Doubleur de tension..................................................................................................... 31

III.4.2.2 Multiplicateur de tension par un facteur plus grand que 2 .......................................... 32

III.4.3. Circuit limiteur (ecreteur) .................................................................................................. 33

III.4.4. Stabilisation de tension par la diode zener ....................................................................... 35

III.4.4.1. Caractéristiques de la diode zener .............................................................................. 35

CHAPITRE : IV TRANSISTOR ......................................................................................................... 39

IV.0. Objectifs ................................................................................................................................... 39

IV.1 Constitution ............................................................................................................................... 39

IV.2 Fonctionnement du transistor .................................................................................................... 40

IV.3 Courbes caractéristiques............................................................................................................ 41

IV.4 Paramètres d’un transistor ......................................................................................................... 42

IV.4.1 Pente ................................................................................................................................... 42

IV.4.2 Coefficient d’amplification ................................................................................................ 42

IV.4.3 La résistance d’entrée ......................................................................................................... 43

IV.5 Droite de charge ........................................................................................................................ 43

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 114

IV.6 Montages de base des transistors .............................................................................................. 45

IV.7 Circuit équivalent simple du transistor...................................................................................... 45

A. Etude en continu ....................................................................................................................... 47

B. Etude en alternatif ..................................................................................................................... 47

IV.8. Circuits pratiques de polarisation et de stabilisation en temperature des transistors ............... 49

Probléme1 : alimentation............................................................................................................... 49

Problème 2 : Polarisation de la base .............................................................................................. 50

a. Polarisation de base entre Vcc, Rc et base ............................................................................ 50

b. polarisation entre collecteur et base ..................................................................................... 50

c. Polarisation de base par pont entre Vcc et masse .................................................................. 50

Problème 3 : l’effet de température. .............................................................................................. 51

Problème 4 : le découplage ........................................................................................................... 53

Problème 5 : La contre-réaction .................................................................................................... 54

Problème 6 : Stabilisation par thermistance .................................................................................. 54

CHAPITRE : V AMPLIFICATION D’UN SIGNAL ALTERNATIF ................................................ 56

V.0. Objectifs .................................................................................................................................... 56

V.1. Technique de l’amplification ..................................................................................................... 56

V.2. Liaison entre étages d’un amplificateur..................................................................................... 57

V.2.1 Généralités ........................................................................................................................... 57

V.2.2 Types de liaisons ................................................................................................................. 57

V.2.2.1 Liaisons par transformateur .......................................................................................... 57

V.2.2.2. Liaison par résistances – capacité ................................................................................ 58

V .2.2.3. Liaison Directe ......................................................................................................... 58

V.2.2.4. liaison par symétrie complémentaire ........................................................................ 59

V .2.2.5. Montage DARLINGTON .......................................................................................... 60

V.2.2.6. liaison par diode .......................................................................................................... 61

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 115

V.2.2.7.Amplificateur de puissance PUSH-PULL .................................................................... 62

CHAPITRE : VI. GENERATEURS DES SIGNAUX ......................................................................... 66

VI.0. Objectifs ................................................................................................................................... 66

VI.1. Types de bascules ..................................................................................................................... 66

VI.1.2. La bascule bistable ............................................................................................................ 67

VI.1.3. L a bascule monostable ..................................................................................................... 68

VI.1.4. La bascule astable ............................................................................................................. 69

VI.1.5. Bascule à hystérésis (TRIGGER) ..................................................................................... 70

VI.2 Les oscillateurs .......................................................................................................................... 71

VI.2.1 Oscillations amorties et oscillations entretenues ................................................................ 71

VI.2.2 Principe général des oscillateurs ........................................................................................ 72

CHAPITRE : VII. ELEMENTS ELECTRONIQUES DIVERS ........................................................... 76

VII.1. Transistor a effet de champ (TEC ou FET) ............................................................................ 76

Objectifs ........................................................................................................................................ 76

VII.1.1 Constitution....................................................................................................................... 76

VII.1.2 Caractéristiques du FET.................................................................................................... 77

VII.2.3 Amplificateur F.E.T. ......................................................................................................... 78

VII.2.4 Les MOSFET ................................................................................................................... 78

VII.2. Transistor uni jonction (UJT)............................................................................................... 80

VII.2.1. Constitution...................................................................................................................... 80

VII.3. Le thyristor.............................................................................................................................. 83

OBJECTIFS .................................................................................................................................. 83

VII .3.1. Constitution..................................................................................................................... 83

VII.3.2. Fonctionnement .............................................................................................................. 84

VII.3.3 Caractéristique du Thyristor ............................................................................................. 84

V.II.3.4. Procédés de Déclenchement des Thysristors ................................................................ 85

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 116

V.II.3.4.1. Déclenchement Par Résistance ................................................................................ 85

V.II.3.4.2. Déclenchement par résistance et capacité .............................................................. 86

VII.3.4.3. Déclenchement par semi-conducteur ....................................................................... 87

VII.3.4.4. Synchronisation du Transistor Unijonction .............................................................. 88

V.II.3.4.5. Utilisation des Transformateurs D’Impulsions ....................................................... 89

VII.3.5. Blocage des thyristors ..................................................................................................... 91

VII.3.5.1. Blocage Par Contacteur En Parallèle Sur Le Thyristor........................................... 92

VII.3.5.2. Montage En Bascule Avec Capacité En Parallèle .................................................. 92

VII.3.5.3. Blocage Par Inductance D’inversion ........................................................................ 93

VII.4 Thyristor blocable ou thyristor a extinction par la gachette g.t.o. ........................................... 94

VII.5. LE TRIAC (Triode Alternating Curent ou Triode Coupe-circuit Alternatif) ......................... 95

VII.6 Cellules Photoélectriques ......................................................................................................... 96

OBJECTIFS .................................................................................................................................. 96

VII.6.1 Les Photodiodes ................................................................................................................ 96

VII.6.2 Les Phototransistors .......................................................................................................... 97

VII.6.3 Les LED (Light Emitting Diode) ...................................................................................... 97

CHAPITRE VIII : ALIMENTATION STABILISEE ET REGULEE .................................................. 99

VIII.1 Nécessite de la stabilisation ou régulation .............................................................................. 99

VIII.2 Stabilisation et régulation ..................................................................................................... 100

VIII.2.1 Stabilisation ................................................................................................................... 100

VIII.2.2 Régulateurs .................................................................................................................... 100

VIII.2.3. Facteur de stabilisation ou régularisation en tension .................................................... 101

VIII.2.4 Montages stabilisateurs a diodes zener .......................................................................... 103

VIII.2.4.1 Utilisation d’une seule diode zener ........................................................................ 103

VIII.2.4.2 Détermination pratique d’un circuit de stabilisation à diode zener ........................ 105

VIII.2.4.3. Utilisation de plusieurs diodes zener en série ..................................................... 107

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 117

VIII.2.4.4. Stabilisation à plusieurs étages .............................................................................. 108

VIII.3. Stabilisation et régulation de tension pour courants débites importants ............................. 108

VIII.4. Régulateur à émetteur – follower ........................................................................................ 110

TABLE DES MATIERES................................................................................................................... 112

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