Université des frères Mentouri Constantine
Faculté des Sciences de la Technologie - Département d’électronique
Master 1 Microélectronique
UEF 1.2.2 : Techniques de caractérisation des dispositifs semiconducteurs
CHAPITRE INTRODUCTION : INTERET DE L’ETUDE DES TECHNIQUES DE CARACTERISATION
ET RAPPELS SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES SEMICONDUCTEURS
I. Introduction : Intérêt de l’étude des techniques de caractérisation :
Ce cours s’intéresse à des moyens expérimentaux ou des méthodes qui permettent de mesurer et de
déterminer les propriétés essentielles des semiconducteurs ou de certains matériaux qui entrent en jeu
dans la fabrication technologique des composants micro-électroniques, tel que l’oxyde de silicium, en tant
que diélectrique. Ces méthodes sont appelées ‘’techniques de caractérisation’’. Bien que ce cours soit axé
sur des moyens de mesures de différents paramètres, tels que la résistivité, la mobilité, la concentration
de porteurs libres, la durée de vie des porteurs excédentaires, et d’autres mesures telles que celle de
l’épaisseur et de la quantité de charges dans un isolant, le dopage d’un semiconducteur (avec la
caractérisation capacité-tension), l’indice optique, la taille des grains, la rugosité de surface, etc,… il sera
nécessaire, pour certaines techniques, d’exposer des notions théoriques nécessaires à la compréhension
de la méthode mise en œuvre pour l’accès à la mesure des caractéristiques.
L’étude des techniques de caractérisation est donc indispensable dans le domaine de la micro-
électronique et des composants à semiconducteurs. Elles sont aussi nombreuses que diversifiées, et il est
impossible de toutes les décrire dans le cadre d’un seul cours.
Pour mesurer une propriété ou une caractéristique d’un semiconducteur, il faut savoir choisir la méthode
la mieux adaptée, puis, il faut savoir mettre en œuvre cette méthode pour pouvoir interpréter
correctement et efficacement les résultats de mesures.
Dans ce cours, les quatre premiers chapitres seront consacrés aux méthodes de mesure des propriétés
électriques des semiconducteurs (propriétés qui ont été étudiées au premier semestre de cette filière de
master 1- UEF ‘’ Physique des composants à semiconducteurs 1’’). Pour la résistivité, il s’agira de la
méthode des quatre pointes ; pour la mobilité et la concentration de porteurs libres, ce sera la méthode
de Van der Pauw (effet Hall) ; pour la durée de vie des porteurs, la méthode du déclin de la
photoconductivité sera présentée et pour l’étude de la qualité de l’oxyde SiO 2, le calcul des états
d’interfaces, l’épaisseur de l’isolant, la caractérisation C(V) d’une structure MIS sera étudiée. Enfin, les
deux derniers chapitres regrouperont des exemples de techniques optiques (ellipsométrie,
photoluminescence) et de techniques surfaciques et structurales.
Ce premier chapitre est consacré à de brefs rappels sur quelques propriétés des semiconducteurs, telles
que la concentration des porteurs, la mobilité et la résistivité.
II. Les concentrations d’électrons et de trous dans les semiconducteurs:
Les électrons et les trous sont appelés les porteurs de charges. Leurs concentrations n et p sont données
par : n = NC . e (EF- EC) / kT (1) avec NC = 2 (2/h2). me kT 3/2 = (2/ h3). 2. me kT 3/2 (en cm-3) (3)
p= NV . e (EV- EF) / kT (2) avec NV = 2 (2/h2). mp kT 3/2 = (2/ h3). 2. mp kT 3/2 (en cm-3) (4)
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h : constante de Planck, k : constante de Boltzman, me : masse effective de l’électron, mp : masse effective
du trou, T : la température en degrés Kelvin.
Pour un semiconducteur dopé de type N avec ND atomes donneurs, la concentration n est donnée par
n=ND avec l’approximation p
on a donc : n= ND = NC . e (EF- EC) / kT (5)
Pour un semiconducteur dopé de type P avec NA atomes accepteurs, la concentration p est donnée par
p=NA avec l’approximation n
et on a : p = NA = NV . e (EV- EF) / kT (6)
Pour un semiconducteur intrinsèque :
L’équation de neutralité est n = p : la concentration d’électrons est égale à la concentration de trous.
On écrit n = p = ni (en cm-3) où ni est la concentration intrinsèque.
Le produit n.p est obtenu à l’aide des relations (5) et (6) :
n.p = ni2 = NC.NV. e- Eg/kT (7) où Eg (en eV) est la largeur de la bande interdite ou ‘’gap’’.
La relation n.p = ni2 (8) est appelée la loi d’action de masse. C’est une loi très importante, on
l’applique aussi pour un semiconducteur extrinsèque ou dopé.
D’après (7) on obtient la relation qui exprime la concentration de porteurs intrinsèques :
ni = . e- Eg/2kT (9)
Avec les formules de NC et NV données plus haut (relations (3) et (4)), on peut écrire :
ni = (2/ h3). 2. kT 3/2 . (me. mp) 3/4. e- Eg/2kT (10)
Remarque : Pour mette en évidence la dépendance de ni2 avec la température T, le produit ‘’n.p ‘’peut
s’écrire :
n.p = ni2 = NC.NV. e- Eg/kT = (constante).T3. e- Eg/kT (11)
En rappelant que NC = 2 (2/h2).me kT 3/2 (3) et NV = 2 (2/h2). mp kT 3/2 (4), le facteur (constante).T3
dans la relation (10) provient du produit ‘’NC.NV’’.
III. La mobilité des porteurs (électrons et trous) dans un semiconducteur
Sous l’action d’un champ électrique ξ , les porteurs (électrons ou trous) se déplacent suivant un
mouvement ordonné avec une vitesse d’entraînement v qui reste proportionnelle au champ électrique
appliqué, tant que celui-ci est faible. On rappelle que l’unité du champ électrique est le Volt/m (dans le
système MKSA) ou Volt/cm.
Pour les électrons, la vitesse vn = - (qτ/me). ξ avec μ n = qτ/me
μ n est la mobilité des l’électrons (en cm2/Volt.s), q la charge de l‘électron, me sa masse effective, τ : le
temps moyen entre deux collisions ou chocs.
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La relation donnant la vitesse s’écrit alors vn = - μn. ξ (en cm/s)
Pour les trous les relations sont analogues : vp= (q.τ/mp). ξ avec μp = q.τ/mp
μ p est la mobilité des trous, q la charge du trou, mp sa masse effective, τ : le temps moyen entre deux
collisions.
D’où vp = μp. ξ
IV. La densité de courant de conduction ‘’Jc’’, la conductivité ‘’σ ’’ et la résistivité ‘’ρ’’ :
Le déplacement de porteurs sous l’effet du champ électrique ξ crée une densité des courant J appelée
densité de courant de conduction et notée Jc . La densité de courant est définie comme étant ‘’la
concentration de particules chargées (électrons ou trous) qui traversent l’unité de surface pendant l’unité
de temps’’ : en conséquence, elle s’exprime comme étant le produit de la charge par le flux de particules.
La relation entre le courant I (en A) et la densité de courant J (en A/ cm 2) est : J = I/S , S étant la section
ou la surface (en cm2).
Pour les électrons la densité de courant de conduction s’écrit
Jn = -q.n. vn
n est la concentration des électrons (on rappelle que n= ND dans un semiconducteur de dopé de type N
avec ND atomes donneurs).
En remplaçant vn par son expression vn = - μn. ξ , on a :
Jn = q.n.μn. ξ
De la même façon, pour les trous, les relations sont données par:
Jp = q.p. vn
p est la concentration des trous (on rappelle que p=NA dans un semiconducteur de dopé de type P dopé
avec NA atomes accepteurs).
En remplaçant vp par son expression vp = μp. ξ , on a :
Jp = q.p.μp. ξ
Dans le cas général, où on considère le flux créé par les deux types de porteurs, on peut écrire que la
densité de courant de conduction totale JT est la somme :
JT = Jn + Jp = q.n.μn. ξ + q.p.μp. ξ = (q.n.μn + q.p.μp). ξ
Le facteur (q.n.μn + q.n.μp) représente la conductivité du semiconducteur notée ‘’σ ’’ :
σ = q.n.μn + q.p.μp
La résistivité ‘’ρ’’ est définie comme étant l’inverse la conductivité :
ρ= en (Ω.cm)
ρ= =
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V. La conductivité ‘’σ’’ et la résistivité ‘’ρ’’ pour trois cas particuliers:
V.1. Pour le semiconducteur de type N dopé avec N D atomes donneurs: on applique n=ND et p
La densité de courant est exprimée par la relation :
Jn = q.n.μn. ξ = q. ND.μn. ξ
La conductivité est σn = q.n.μn = q. ND.μn
et la résistivité ρ = =
V.2. Pour le semiconducteur de type P dopé avec NA atomes accepteurs: on applique p=NA et n
La densité de courant est exprimée par la relation :
Jp= q.p.μp. ξ = q. NA.μp. ξ
La conductivité est σp = q.p.μp = q. NA.μp
et la résistivité s’écrit :
ρ= =
V.3. Pour le semiconducteur intrinsèque: on applique n = p = ni
La densité de courant est donnée par la relation :
J= (q.n.μn + q.p.μp). ξ = q.ni (μn + μp). ξ
La conductivité du semiconducteur intrinsèque est : σi = q.ni.( μn + μp)
et la résistivité intrinsèque est exprimée par : ρi = =
Références bibliographiques:
- H. Mathieu « Physique des semiconducteurs et des composants électroniques » (5ème Edition Dunod,
2001).
- Christian et Hélène Ngô « Introduction à la physique des semiconducteurs» (Edition Dunod, 1998).
- J.L.Teyssier & H.Brunet « Introduction à la physique des matériaux conducteurs et semi-conducteurs »
(Edition Dunod Université, 1992).
- F. Mansour « Cours de la matière Physique des composants à semiconducteurs1 » Master 1
Microélectronique , Département d’électronique, Faculté des Sciences de la Technologie, Université des
frères Mentouri de Constantine .
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