Université Ibn Tofail

Facultés des sciences

Département de physique
Kenitra

Cours d’Optoélectronique
composants photoniques et fibres optiques
Master
Systèmes de Télécommunication et Electronique embarquée

Semestre 2
2023-2024 Pr.N.AARICH
 Sommaire

I - Interaction lumière-semi-conducteur

II - Propriétés électronique et optique des semi-conducteurs

III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

IV - Détecteurs optiques à semi-conducteurs

V - Guides et fibres optiques

VI - Transmissions optiques

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I - Interaction lumière-semi-conducteur

1. Introduction générale à l’optoélectronique: Introduction

 L'Optoélectronique est l'étude des composants qui interagissent avec de la lumière.

 L'Optoélectronique est considérée comme une sous branche de la photonique.

 Les interactions rayonnement électromagnétique – semi-conducteurs sont le principe des

composants optoélectroniques dont le rôle est la conversion d’un signal optique en un signal
électrique ou réciproquement.

 Ce sont donc des transducteurs électronique vers optique ou optique vers électrique.

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I - Interaction lumière-semi-conducteur

1. Introduction générale à l’optoélectronique: Introduction

La conversion :
 Électron - photon  Photon – électron
 donne le principe des émetteurs de lumière  donne le principe des photorécepteurs

Diodes Electroluminescentes
Photodiodes

L'électroluminescence (phénomène par lequel une excitation La technique des semi-conducteurs a permis de
électrique donne lieu à l'émission d'une radiation réaliser des photorécepteurs présentant des
électromagnétique) est expliquée par la théorie des semi- caractéristiques en parfaite concordance avec les
conducteurs et par la recombinaison radiative des porteurs émetteurs et de concevoir des associations
de charges injectés au voisinage d'une jonction PN. optoélectroniques de qualité.
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I - Interaction lumière-semi-conducteur

1. Introduction générale à l’optoélectronique: Introduction

Le développement, au cours des années 1970, du principe de

la fibre optique a révolutionné les télécommunications Fibres optiques

optiques.

La première application de la fibre optique fut en 1950 par Fibroscope flexible

Van Heel et Hopkins qui inventèrent le fibroscope flexible qui

permettait la transmission d’image le long de fibres en verre.

En raison de son débit et de sa portée bien supérieure aux autres types de câbles, la fibre optique est
principalement utilisée dans les réseaux numériques de communication longues distances, internationaux et
nationaux, terrestres, sous-marins ou aériens.

Elle est utilisée dans les liaisons informatiques de courtes distances ainsi que dans l’instrumentation optique
de mesure et de visualisation industrielles dans les domaines nucléaire, chimique ou alimentaire.
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I - Interaction lumière-semi-conducteur

1. Introduction générale à l’optoélectronique: La transmission par fibre optique fonctionnelle

Chaine de transmission par fibres optiques Eléments optoélectroniques de la chaine de transmission

L'utilisation de la fibre optique, pour le transport du signal, impose une double transformation:

 Au départ le signal électrique est converti en un signal lumineux à l’aide d’un composant photoémetteur. Les
deux catégories de sources les plus adaptées à ce genre de transmission sont les diodes électroluminescentes
et les diodes laser.
 A l'arrivée, le signal optique est converti en un signal électrique à l’aide d’un composant photorécepteur. Sont,
surtout, utilisées dans ce genre de transmission les photodiodes pin et les photodiodes à avalanche.

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I - Interaction lumière-semi-conducteur

2. Propriétés de la lumière : Spectre du rayonnement électromagnétique

La nature ondulatoire du rayonnement lumineux est d'origine électromagnétique et se caractérise par la longueur
d'onde l située dans le spectre.
La fréquence n , en Hz, et la longueur d'onde l , en mètres, sont liées dans le vide par la relation:
𝐜
𝛌=
𝛎

où c = 3.108 m.s-1 est la vitesse de la lumière dans le vide.

L'ordre de grandeur des fréquences indique le potentiel de l'optique en ce qui concerne la quantité d'information
pouvant être transportée si le spectre entier pouvait être utilisé.

Spectre électromagnétique 7
I - Interaction lumière-semi-conducteur

2. Propriétés de la lumière : Spectre du rayonnement électromagnétique

La partie du spectre électromagnétique couramment utilisé

en optoélectronique comprend l'ultraviolet, le visible,
l'infrarouge proche, moyen et lointain.
La partie visible s'étend sur les longueurs d'onde de 400 nm
à 750 nm .

Dans le domaine des télécommunications par fibre optique,

les applications se situent autour des longueurs d'onde

suivantes : 0,85 μm , 1,3 μm et 1,55 μm pour les fibres en

verre, silice SiO2, et autour de 0,58 μm et 0,66 μm pour les
fibres en plastique.
utilisation du spectre électromagnétique Pour les transmissions optiques en espace libre dans les
télécommande et les liaisons infrarouges on travaille
principalement autour de 850 nm .

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I- Interaction lumière-semi-conducteur

2. Propriétés de la lumière : Lois sur les radiations lumineuses

a. Réflexion

La réflexion régulière sur le miroir plan:

- Le rayon lumineux qui arrive sur le miroir est L'angle d'incidence 𝜃i est l'angle entre le rayon lumineux

appelé rayon lumineux incident. incident et la normale.

- Le rayon lumineux qui est renvoyé par le miroir est L'angle de réflexion 𝜃𝑟 est l'angle entre le rayon lumineux

appelé rayon lumineux réfléchi. réfléchi et la normale.

La loi de réflexion s'exprime comme suit :

Le rayon incident, la normale et le rayon réfléchi se
trouvent dans un même plan.
L'angle d'incidence est égal à l'angle de réflexion :
𝜃i = 𝜃𝑟

Représentation schématique de la loi de réflexion

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I - Interaction lumière-semi-conducteur

2. Propriétés de la lumière : Lois sur les radiations lumineuses

b. Réfraction (Cas du passage de l’air au l’eau)
Lorsqu’un faisceau de lumière incident frappe une surface séparant deux milieux transparents, une partie de la lumière est
réfléchie selon la loi de réflexion dans le milieu 1, tandis que le reste est transmis dans le milieu 2.

Lorsque la lumière passe d’un milieu d’indice n1

à un milieu d’indice plus élevé n2 >n1, elle est
réfractée et le rayon réfracté se rapproche de la
normale (i2<i1)
Le rayon lumineux change de direction de
propagation lors du passage du milieu 1 dans le
milieu 2. On dit alors que la lumière est
réfractée et cette déviation est définie comme
étant la réfraction.

Pas de réflexion totale: Il existe un rayon réfracté et un rayon réfléchi.

Indice de réfraction:
L'indice de réfraction n d'un milieu est défini comme le quotient de la vitesse de la lumière C dans le vide par la vitesse de la
lumière v dans le milieu: n= C / v.

Loi de réfraction :
Les angles d’incidence i1 et de réfraction i2 sont liés par la loi de Snell-Descartes: n1 sin i1 = n2 sin i2
L'angle de réfraction i2 est l'angle entre le rayon lumineux réfracté et la normale.

Où n1 et n2 sont les indices absolus de réfraction.

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I - Interaction lumière-semi-conducteur

2. Propriétés de la lumière : Lois sur les radiations lumineuses

b. Réfraction (Cas du passage de l’eau à l’air)

Lorsqu'on passe d'un milieu plus dense à un
milieu moins dense: le rayon réfracté s'écarte de
la normale.
Si on augmenter l'angle d'incidence: l'angle de
réfraction sera égale à 90°, on a alors une
réfraction limite.
Si on augmente encore l'angle d'incidence, il n'est
plus possible d'avoir un rayon réfracté et la
réflexion est totale.

Les conditions pour avoir la réflexion totale

Ne peut se produire que si :

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I - Interaction lumière-semi-conducteur

2. Propriétés de la lumière : Lois sur les radiations lumineuses

C. Diffraction

La diffraction est une propriété des ondes qui se manifeste par un étalement des directions de propagation de l'onde lorsque
celle-ci rencontre une ouverture ou un obstacle.

L'observation du phénomène de diffraction est liée aux dimensions de l'ouverture (ou de l'obstacle) par rapport à la longueur
d'onde λ.

Le phénomène de diffraction est d'autant plus

marqué que la dimension de l'ouverture ou de
l'obstacle est petite par rapport à la longueur
d'onde.

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I - Interaction lumière-semi-conducteur

2. Propriétés de la lumière : Différents types d’interactions lumière-matière

a. Photoconductivité

La photoconductivité survient chaque fois que la résistance électrique d'un corps varie
lorsqu'on l'éclaire avec un rayonnement électromagnétique appartenant à tous les
domaines du spectre lumineux (domaine visible, ultra-violet et infrarouge).

La photoconductivité est la capacité d'un matériau à résister à l'éclairage.

L'effet photoconducteur est un phénomène optoélectronique à la base de nombreux

dispositifs de détection ; on le rencontre couramment à plusieurs niveaux. Ainsi, il
permet aussi bien de produire la photocopie de documents que d'assurer le traitement
de données transmises par voie optique dans le domaine des télécommunications,
comme par exemple Internet.

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I - Interaction lumière-semi-conducteur

2. Propriétés de la lumière : Différents types d’interactions lumière-matière

b. Photo-ionisation

L'ionisation est l'action qui consiste à enlever ou ajouter des charges à un atome ou une molécule. L'atome perdant ou
gagnant des charges n'est plus neutre électriquement. Il est alors appelé ion.
L'ionisation peut être réalisée par des rayonnements de longueur d'onde suffisante pour éjecter cet électron
périphérique. Lorsque le rayonnement ionisant est constitué de photons, on parle de photo-ionisation. C'est par
exemple ce qui se passe dans les nébuleuses planétaires.

La photo ionisation dans l’espace La photo ionisation au niveau d’une particule

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I - Interaction lumière-semi-conducteur

2. Propriétés de la lumière : Différents types d’interactions lumière-matière

c. Effet photoélectrique

L’effet photoélectrique désigne en premier lieu l'émission d'électrons par un matériau soumis à l'action de la lumière.
Lorsque l'effet photoélectrique se manifeste, toute l'énergie du photon incident se transmet à l'électron des couches
profondes. Une quantité d'énergie minimale est nécessaire pour extraire l'électron de l'atome, l'énergie excédentaire
est transmise à l'électron sous forme d'énergie cinétique.
L’effet photoélectron se provoque lorsqu’une onde électromagnétique (Lumière) incidente éjecte des électrons d’un
matériau donné.

L'énergie lumineuse est émise, se propage et est

absorbée sous forme de grains d'énergie appelés Photons.
Chaque Photon, correspond à une radiation

électromagnétique monochromatique de fréquence ν et

possède l'énergie:hν

Une onde électromagnétique incidente éjecte les électrons d’un matériau

ℎ : la constante de Planck,h=6,62.10-34 J/s

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I - Interaction lumière-semi-conducteur

2. Propriétés de la lumière : Différents types d’interactions lumière-matière

d. Effet photovoltaïque

L'effet photovoltaïque est mis en œuvre dans les cellules photovoltaïques pour produire de l'électricité à partir du rayonnement
solaire.
Il est obtenu par absorption des photons dans un matériau semi-conducteur qui génère alors des paires électrons-trous un
courant électrique. Plusieurs types de composants peuvent être créés à partir de ce principe. Ils sont appelés photodiodes,
phototransistors ou des photopiles. Cet effet photovoltaïque est notamment utilisé dans les panneaux solaires photovoltaïques.

Effet photovoltaïque
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I - Interaction lumière-semi-conducteur

3. Unités photométriques

a. Flux lumineux

Cette grandeur se mesure en lumen (lm), Le flux est une grandeur intrinsèque, c’est donc une donnée

La puissance émise par une source dans toutes les directions. constructeur, vous retrouverez cette mesure sur tous les
emballages d’ampoule
Le flux lumineux est la grandeur photométrique qui
caractérise la puissance lumineuse d'une source, telle qu'elle
est perçue par l‘oeil humain.

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I - Interaction lumière-semi-conducteur

3. Unités photométriques

b. Intensité lumineuse

Unité : candela (cd)

Le candela mesure l’intensité lumineuse dans une direction donnée, c’est
le flux lumineux émis dans un élément d’angle solide

L’intensité lumineuse exprime la capacité à éclairer d'une source de

lumière. Il s'agit de la grandeur de base de la photométrie, discipline
scientifique qui étudie les caractéristiques des sources lumineuses telles
qu'elles sont perçues par l’oeil humain.

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I - Interaction lumière-semi-conducteur

3. Unités photométriques

c. Éclairement

L’éclairement lumineux est la grandeur définie par la photométrie

correspondant à la sensation humaine sur la manière dont une
surface est éclairée.

L'éclairement lumineux est la seule grandeur photométrique

directement mesurable. Il s’agit le flux qui atteint un élément de
surface, s’exprime en lux, et en mesure avec un luxmètre.
Le luxmètre mesure la puissance lumineuse reçue sur une petite
surface photosensible.

C’est le flux lumineux reçu en un point d’une surface.

Unité : Lux (Lx)

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II - Propriétés électronique et optique des semi-conducteurs

L’optoélectronique s’intéresse aux composants et techniques permettant l’émission ou la réception de signaux

lumineux par des systèmes électroniques.

Suivant leur mode opératoire, on distingue deux types de composants optoélectroniques :

 Les photodétecteurs qui sont des composants qui convertissent le signal optique en un signal électrique,
 Les photoémetteurs qui convertissent le signale électrique en un signal optique

Ces deux types de composants sont élaborés à partir de matériaux semi-conducteurs et leurs principes de
fonctionnement sont basés sur les interactions rayonnement- semi-conducteur.

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II - Propriétés électronique et optique des semi-conducteurs

1. Structure de bandes des semi-conducteurs

Un atome d'un élément donné présente des niveaux d'énergie bien

définis auxquels on peut associer des fonctions d'onde bien définies.
Les électrons occupent alors des niveaux d'énergie bien définis
correspondant à des modes de propagation également bien définis. Ces
niveaux sont extrêmement proches les uns des autres et sont regroupés
en bandes appelées bandes d'énergie permise.
Les bandes d'énergie permise sont séparées par des zones appelées
bandes interdites où il n'y a pas de niveau d'énergie permise.

A mesure que les atomes se rapprochent, le couplage entre eux

augmente et les niveaux d'énergie se décomposent.

Variation des niveaux d'énergie en fonction de la période

du réseau pour une rangée d'atomes d'hydrogène

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II - Propriétés électronique et optique des semi-conducteurs

2. Notions sur les bandes d'énergie

 La première bande présentant un réel intérêt est la bande de valence qui

correspond aux électrons de valence. Cette bande est généralement
saturée mais ses électrons peuvent en sortir plus ou moins facilement
suivant la nature du solide.

 Enfin, après la bande de valence on rencontre la bande de conduction;

elle est suivant les cas vide ou incomplète.

 La séparation d’énergie Eg entre la bande de conduction et la bande de

valence, appelée largeur de la bande interdite, détermine le
comportement électrique du corps.

22
II - Propriétés électronique et optique des semi-conducteurs

3. Génération et recombinaisons des porteurs

a. Génération de paire électron-trou

Quand on éclaire un semi-conducteur à l’aide d’un faisceau lumineux tel que l’énergie du photon satisfait la condition
ℎ𝜈≥𝐸𝑔=𝐸𝐶-𝐸𝑉, on va exciter un électron de la bande de valence qui passe vers la bande de conduction.
On dit qu’il y a une génération d’une paire électron-trou : c’est l’effet photoélectrique.
Cette génération n’est possible que si : ℎ𝜈≥𝐸𝑔

Et comme : 𝐸𝑔=ℎ𝜈0=ℎ𝑐/𝜆0

Alors: ℎ𝑐 ℎ𝑐
≥
𝜆 𝜆0

Ce qui donne : 𝜆≤𝜆0

𝜆0 : est appelée longueur d’onde –seuil de génération

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II - Propriétés électronique et optique des semi-conducteurs

3. Génération et recombinaisons des porteurs

b. Recombinaisons des porteurs

Inversement, un électron de la bande de conduction (𝐵𝐶) peut retomber spontanément dans la bande de valence (𝐵𝑉)
(dans un état vide) en cédant un photon d’énergie ℎ𝜈 : C’est le phénomène de recombinaison. L’énergie libérée lors de la
recombinaison s’écrit :
ℎ𝜈=𝐸𝑔=𝐸𝐶−𝐸𝑉

C’est l’effet électroluminescent.

La longueur d’onde émise est une caractéristique du matériau :

ℎ𝑐
𝜆0 =
𝐸𝑔

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II - Propriétés électronique et optique des semi-conducteurs

4. Phénomènes d’absorption et d’émission de la lumière

Les phénomènes cohérents d'interaction entre atomes et photons sont à la base des processus d'émission et
d’absorption.

Les trois processus d’interaction entre le rayonnement et le semi-conducteur d’énergie de gap Eg (bande
interdite) étant :
 Absorption,
 émission spontanée,
 émission stimulée

Lorsqu’une onde électromagnétique entre en itération avec un atome, celui-ci prélève une énergie 𝐸C−𝐸V à
l’onde, pour que l’un de ses électrons passe de niveau 1 (appelé fondamental) au niveau 2 appelé excité.

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II - Propriétés électronique et optique des semi-conducteurs

4. Phénomènes d’absorption et d’émission de la lumière

a. Absorption

L’absorption du photon par un électron de la bande de valence et son passage vers la bande de conduction, entrainant
l’apparition d’un trou dans la bande de valence.

La transition du niveau Ev à Ec se fait par l’absorption d’un photon d’énergie : E = h.v

E2 – E1 = hν

Le nombre d’atomes passés du niveau E1 au niveau E2 sous l’effet de l’énergie Uν

est :

𝑑𝑛1=−𝐴𝑛1𝑈𝜈𝑑𝑡

A : Probabilité d’absorption, c’est une caractéristique du milieu.

n1 : Nombre d’atomes présents dans l’état fondamental E1
Uν : Densité spectrale volumique d’énergie
dt : Temps d’interaction
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II - Propriétés électronique et optique des semi-conducteurs

4. Phénomènes d’absorption et d’émission de la lumière

b. Emission

La transition de EC à EV peut avoir deux origines : d’émission spontanée ou d’émission stimulée.

Emission spontanée

L’émission spontanée d’un photon par retour de l’électron excité de la bande de conduction vers la bande de
valence et sa recombinaison avec le trou, dans le cas où l’énergie cédée par l’électron est de type radiatif.

Un élection du niveau du haut peut se désexciter spontanément vers le niveau du bas et engendrer l'émission d'un
photon (la lumière) . Ce photon a une direction et une phase aléatoire.

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II - Propriétés électronique et optique des semi-conducteurs

4. Phénomènes d’absorption et d’émission de la lumière

b. Emission

La transition de EC à EV peut avoir deux origines : d’émission spontanée ou d’émission stimulée.

Emission stimulée

Le terme stimulé souligne le fait que ce type de rayonnement n'existe que si un photon incident est présent pour
désexciter, un élection du niveau du haut en émettant un photon dit "stimulé" dont les propriétés sont exactement les
mêmes (longueur d’onde, direction de la trajectoire et phase) que le photon incident.

L’émission stimulée d’un photon avec retour de l’électron excité vers la bande de valence et sa recombinaison avec un trou.
le photon émis est identique, en longueur d’onde et en phase, au photon incident, il est dans le même état de polarisation.
Ce processus constitue l’émission stimulée c’est la base du fonctionnement des Lasers.

Le nombre d’électrons qui passent de E2à E1 sous l’effet d’une excitation :

dn2 = - B2 n2 Uν dt

B2 : Probabilité d’émission stimulée

n2 : Nombre d’électrons dans le niveau 2
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II - Propriétés électronique et optique des semi-conducteurs

4. Phénomènes d’absorption et d’émission de la lumière

Nous remarquons que les processus d’absorption et d’émission stimulée nécessitent un rayonnement extérieur,
alors que l’émission spontanée se fait de manière ‘naturelle’ une fois l’atome est dans un état excité.

 l’absorption (gain du rayonnement par l’atome) :

l’atome (ou électrons de l’atome) passe du niveau
inférieur E1au niveau supérieur E2 en absorbant le
rayonnement hn.

 L’émission (perte du rayonnement par l’atome) :

tout état excité ne dure pas dans le temps et
l’atome a toujours tendance à retourner de
manière spontanée à son état fondamental en
émettant un photon d’énergie hn.

 L’émission stimulée : on peut provoquer le retour

à l’état fondamental par apport d’un rayonnement
hn. (ce processus est à l’origine de l’effet laser).
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II - Propriétés électronique et optique des semi-conducteurs

4. Phénomènes d’absorption et d’émission de la lumière

La nature et l’énergie du gap Eg du semi-conducteur jouent un rôle déterminant dans le choix du matériau à utiliser pour la
fabrication du composant optoélectronique.

Les semi-conducteurs employés dans l’industrie des composants sont le silicium Si ou le germanium Ge (groupe IV), des
composés intermétalliques (groupe III-V) tels GaAs, AlAs, InSb, GaP et GaAlAs, ou des composés (II-VI) tels ZnO, CdTe et
ZnS.

Classification périodique des éléments chimiques 30

II - Propriétés électronique et optique des semi-conducteurs

4. Phénomènes d’absorption et d’émission de la lumière

L’énergie de gap des semi-conducteurs est comprise entre 0.5 et 4 eV, elle est surtout voisine de 1 eV. Le tableau ci-
dessous donne quelques exemples à 300 K.

Pour assurer le passage de l’électron de la bande de valence à la bande de conduction (absorption) ou la recombinaison de
la paire électron-trou (émission), le photon doit avoir une énergie égale à Eg:

E = Ec- Ev = Eg
E = h. v = hc/ λ

Avec :
h: constante de Planck = 4,136 10-15 eV.s
c: vitesse de la lumière dans le vide = 3 108 m/s 31
II - Propriétés électronique et optique des semi-conducteurs

4. Phénomènes d’absorption et d’émission de la lumière

La relation entre la longueur d’onde du photon et l’énergie de gap du semi-conducteur est alors :

Eg (eV) . 𝛌(µm) = 1.24

Exemple :
Dans le cas d’un cristal d’arséniure de gallium (GaAs), la bande interdite Eg est de 1,43 eV.
Calculer la longueur d’onde du photon d’énergie.

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II - Propriétés électronique et optique des semi-conducteurs

4. Phénomènes d’absorption et d’émission de la lumière

Le choix du matériau utilisé pour la fabrication des composants optoélectroniques est basé sur certaines
propriétés suivant l’utilisation du composant :

Pour un détecteur optique, il faut considérer :

 L’absorption de la lumière,
 La création de porteurs en excès,
 Le rendement photoélectrique,
 la sensibilité spectrale

Pour un émetteur de lumière, il faut considérer :

 La longueur d’onde de la radiation émise,
 La recombinaison de porteurs en excès et la durée de vie,
 Le rendement d’électroluminescence

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II - Propriétés électronique et optique des semi-conducteurs

Exercice 1
1/Calculez la longueur d'onde (en mm) d’un rayonnement qui possède une fréquence de 500000 GHz
2. Calculez la fréquence (en MHz) d’un rayonnement qui possède une longueur d'onde de 2,865 m.

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II - Propriétés électronique et optique des semi-conducteurs

Exercice 2
1. Il existe de multiples sources lumineuses. Comment les caractériser?
2. Quelle est la signification physique de ces indication:

150 W 2800 K 66,5 cd 836 lm

3. Citer les trois processus d’interaction résonante atome rayonnement

4. Une diode laser, émet un rayonnement monochromatique de fréquence égale à 3,70*1014 hz, C= 3*108 m/s,
h= 6,63*10-34 JS,
 Quelle est la longueur d’onde dans le vide de la radiation émise par la diode?
 Quelle est l’énergie d’un photon de cette radiation? Exprimer le résultat en joule et en ev.

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III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

1. Introduction

Les émetteurs de lumière transforment l'énergie électrique qu'ils reçoivent en radiation optique (UV - IR). La
lumière émise résulte de la recombinaison paire électron-trou. Ces composants sont utilisés dans les
télécommunications sous forme de diodes électroluminescentes LED, ou diodes Lasers.

Les émetteurs optiques à semi-conducteurs, utilisés dans les liaisons par fibres optiques, sont très utilisés
du fait de leur :

 petite taille,
 émission à des longueurs d’onde couvrant le visible et l’infrarouge et même l’ultraviolet,
 Bon rendement,
 Possibilité de modulation par le courant,
 Intégration facile.

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III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

1. Introduction

A cause de la structure de bande qui est une propriété interne des semi-conducteurs, tous les matériaux semi-
conducteurs ne sont pas adaptés pour des émetteurs optiques, en général la structure de bande doit être directe.

Les matériaux semi-conducteurs utilisés pour leur développement sont à gap direct, donc à transitions radiatives.

Diagramme de bandes d’énergie pour un matériau à gap direct

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III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

1. Introduction

On distingue deux types d’émetteurs à semi-conducteurs :

i- les Diodes électroluminescentes (DEL) (ou « LED: Light emitting diode » en Anglais): qui constituent les
éléments les plus simples. Elles couvrent tous le spectre visible et peuvent être modulées par le courant jusqu’à
100 MHz. Les DEL produisent un rayonnement monochromatique incohérent de faible puissance.

ii- les diodes laser (laser à semi-conducteurs) qui sont les composants essentiels dans les transmissions par
fibres optiques. Elles présentent un rayonnement cohérent et une bande passante de modulation de plusieurs GHz,
avec une puissance optique émise pouvant atteindre quelques Watts.

38
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

2. Matériaux semi-conducteurs pour les émetteurs de lumières

2.1. Electroluminescence

Un photon peut être émis dans un semi-conducteur si un électron transite de la bande de conduction à la bande de
valence, il s'agit d'une recombinaison électron-trou.
La différence d'énergie entre les deux bandes est l'énergie de gap Eg. Ce phénomène est appelé électroluminescence.

Le choix de la longueur d’onde émise dépend donc du matériau. La relation entre la longueur d’onde 𝛌𝟎 d’émission et

l’énergie de gap Eg du matériau étant :

Eg (eV) . 𝛌𝟎 (µm) = 1.24

 λ < λ0 ➯ matériau peut être utilisé en photorécepteur,

 λ ≈ λ0 ➯ il peut être utilisé, à priori, comme émetteur de lumière.

39
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

2. Matériaux semi-conducteurs pour les émetteurs de lumières

2.2. Structure de bandes d’énergie

a. Structure à gap direct

Le dôme de la BV et la Vallée de la BC, sur le diagramme E(k), correspondent à la même valeur du vecteur d’onde 𝑘.
Le passage d’un électron de la BC vers la BV pourrait se faire pratiquement à la verticale et produire l’émission d’un

photon avec : une importante énergie hν = Eg, de l’ordre d’1 eV, soit 10-19 j.
Dans ce cas, le rendement interne sera très grand.

Diagramme E 𝑘 ;
structure à gap direct

40
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

2. Matériaux semi-conducteurs pour les émetteurs de lumières

2.2. Structure de bandes d’énergie

b. Structure à gap indirect

Le dôme de la BV et la Vallée de la BC ne sont pas situés à la même valeur du vecteur d’onde 𝑘 .

Dans ce type de matériau, la transition radiative est moins probable.

Diagramme E 𝑘 ;
Structure à gap indirect

41
 III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

2. Matériaux semi-conducteurs pour les émetteurs de lumières

2.3. Types de recombinaisons

Les électrons en excès, créés dans le semi-conducteur par une excitation extérieure telle qu’une injection électronique
ou un faisceau de lumière, ont tendance à revenir à l’équilibre en traversant le gap avec une certaine cinétique : c’est le
processus de recombinaison de la paire électron-trou.
Ce mécanisme de recombinaison peut se faire de façons différentes. On distingue alors deux types de recombinaisons :

a. Recombinaisons radiatives

L’énergie de cette recombinaison est libérée sous forme de photon. Les plus importantes recombinaisons radiatives
sont :

a) la recombinaison bande à bande entre un électron de la bande de conduction et un trou de la bande de valence.
C’est la recombinaison radiative la plus dominante. Sa probabilité est proportionnelle à la concentration de dopants.

b) la recombinaison à travers des niveaux donneurs et

accepteurs.

c) Les recombinaisons dues aux isoélectriques (excitons).

42
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

2. Matériaux semi-conducteurs pour les émetteurs de lumières

2.3. Types de recombinaisons

b. Recombinaisons non radiatives

Dans ce type de recombinaison, on distingue :

a) La recombinaison de type Auger :

Elle se fait par transition directe bande à bande ou par l’intermédiaire d’un centre recombinant. L’énergie résiduelle
est cédée à une troisième particule (électron ou trou) qui est excitée à un état d’énergie supérieur puis transférée de
façon non radiative au réseau.

b) La recombination de type Shockley-Read -Hall (SRH)

C’est le mécanisme dominant dans le silicium et la plupart des semi-
conducteurs.
La recombinaison se fait en deux étapes, par l’intermédiaire d’un centre
recombinant qui est un défaut ou une impureté qui introduit un niveau
profond Ep dans la bande interdite.
43
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

2. Matériaux semi-conducteurs pour les émetteurs de lumières

Le semi-conducteur doit vérifier une condition: il faut que la transition de l’entrer la bande de conduction et la bande
de valence soit directe, c’est à dire sans changement de vecteur d’onde, ou impulsion, de l’électron.
Ceci exclut un certain nombre de semi-conducteurs simples comme le Silicium Si, ou le Germanium Ge.

Transition directe et indirecte : émission d'un photon par

recombinaison électron-trou dans une transition directe radiative
(gauche) et transition non-radiative indirecte (droite).

44
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

2. Matériaux semi-conducteurs pour les émetteurs de lumières

Le silicium (Si) et le germanium (Ge), matériaux à gap indirect, ne se prêtent pas à la réalisation de
photoémetteurs, par contre l’arséniure de gallium (GaAs), l’antimoniure de gallium (GaSb) et l’antimoniure d’indium
(InSb) sont à gap direct et à transitions radiatives et sont donc aptes pour la réalisation de dispositifs émetteurs de
lumière tels que les diodes lasers et les diodes électroluminescentes

45
 III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

2. Matériaux semi-conducteurs pour les émetteurs de lumières

2.4. Rendement interne d’électroluminescence (en fonction de taux de recombinaisons)

Le rendement d’électroluminescence ou rendement quantique interne de l’effet électroluminescent ⴄi représente le

rapport du taux de recombinaisons radiatives et le taux de recombinaisons total (pourcentage de recombinaisons
radiatives). Il peut être exprimé par le rapport entre le nombre de photons émis et le nombre de porteurs en excès :

rrad rrad
ⴄi = =
r rrad + rn−rad

Toutes ces recombinaisons peuvent se produire simultanément et indépendamment et l’ensemble des taux de
recombinaison est représenté par un taux total de recombinaisons r donné par :

r = rrad + rn-rad

Avec :
rrad le taux de recombinaisons radiatives et rn-rad le taux de recombinaisons non radiatives.

46
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

2. Matériaux semi-conducteurs pour les émetteurs de lumières

2.4. Rendement interne d’électroluminescence (en fonction des durées de vies des porteurs minoritaires)

Dans un semi-conducteur de type P, par exemple, les électrons en excès vont se recombiner, certains de façon
radiative et d’autres de façon non radiative. Leur durée de vie τn va donc représenter la contribution des différentes
recombinaisons. C’est une durée de vie effective donnée par :
1 1 1
= +
τn τr τnr
Avec τr la durée de vie radiative des porteurs minoritaires en excès et τnr la durée de vie non radiative.
Ceci nous permet d’écrire : ∆𝑛 ∆𝑛
𝑟𝑛−𝑟𝑎𝑑 =− Δn : La densité de porteurs en excès
𝑟𝑟𝑎𝑑 = ; 𝜏𝑛𝑟
𝜏𝑟

Ainsi, en fonction des durées de vies des porteurs minoritaires, l’expression du rendement quantique interne
devient :

τnr
ⴄi =
τr + τnr

47
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

2. Matériaux semi-conducteurs pour les émetteurs de lumières

2.4. Rendement interne d’électroluminescence (en fonction des durées de vies des porteurs minoritaires)

Dans le cas des semi-conducteurs à énergie de gap directe, nous avons (τnr >> τr ) ce qui permet un rendement
quantique interne assez élevé :

τnr
ⴄi = ~1
τr + τnr

Exemple :
ⴄi est de l’ordre de 90 % pour le GaAs mais seulement de l’ordre de 10-4 pour le silicium qui est à gap indirect.

48
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

3. Diodes électroluminescentes (DEL) (LED: Ligh Emetting Diode)

3.1. Définition

Diode électroluminescente (DEL) : est un composant

électronique permettant de transformer un signal électrique en
énergie lumineuse proportionnelle.

Une diode électroluminescente (DEL) est une diode semi-

conductrice qui produit un rayonnement visible incohérent issu
d’émissions spontanées de photons, on l'appelle très souvent LED
l'acronyme de Light Emitting Diode.
Les différents couleurs des LED’s

49
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

3. Diodes électroluminescentes (DEL) (LED: Ligh Emetting Diode)

3.2. Principe de fonctionnement

Une diode électroluminescente est une jonction P-N qui doit être polarisée en sens direct lorsqu’on veut émettre de la
lumière.
Il s’agit essentiellement d’une jonction PN polarisée en directe, les porteurs injectés par les contacts vont diffuser : les
électrons vont vers la région (P) et les trous vers la région (N) et on a recombinaison d’une paire (électron-trou) avec
émission de photon d’énergie hν (recombinaison essentiellement radiative).
La LED émet un rayonnement incohérent issu d’émissions spontanées de photons.
La lumière émise peut ainsi être du domaine de radiations proche infrarouges, visibles ou ultraviolettes.
La face émettrice de la LED est la zone P car c’est la plus radiative.

Principe de fonctionnement
d’une LED

50
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

3. Diodes électroluminescentes (DEL) (LED: Ligh Emetting Diode)

3.2. Principe de fonctionnement

La diode électroluminescente fonctionne sous polarisation

directe. Lorsque la tension d’alimentation est assez
importante, la LED doit être protégée par une résistance pour
limiter le courant qui la traverse à des valeurs inférieures à
l’intensité maximale de courant tolérée. Ainsi, l’alimentation
de la LED se fait plutôt en courant qu’en tension, et ceci à
travers la résistance, présente dans le circuit, qui permet de Circuit de polarisation de la LED
fixer ou limiter la valeur du courant ainsi que celle de la Limitation du courant par une résistance dans un
puissance lumineuse émise. montage à DEL

Le courant qui travers la jonction est donné par l’expression :

Avec:
Is, le courant de saturation de la diode, K ; la constante de Boltzmann, T ; la température et Vd ; la tension aux
bornes de la diode. 51
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

3. Diodes électroluminescentes (DEL) (LED: Ligh Emetting Diode)

3.2. Principe de fonctionnement

Exemple :
Pour un courant nominal de 20 mA et une tension de seuil de 1.7 V, si la LED, à émission dans le rouge, est
alimentée par une tension de 9 V, il lui faut une résistance de protection de :

Valim − Vd 9 − 1.7
R= = = 365Ω
Id 0.02

Le choix d’une valeur de la résistance supérieure à celle calculée produira un courant plus faible et par
conséquence une lumière moins intense.

52
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

3. Diodes électroluminescentes (DEL) (LED: Ligh Emetting Diode)

3.3. Le spectre d’émission de la LED

La lumière émise d’une LED étant principalement due à des

recombinaisons spontanées, sa caractéristique spectrale (intensité
émise – longueur d’onde) est continue. Elle est de type sensiblement
gaussien et relativement large (l’émission de la LED n’est pas
rigoureusement monochromatique).

Le maximum d’intensité correspond à des photons d’énergie :

ℎ𝜈𝑝𝑖𝑐 ≈ 𝐸𝑔 + 𝐾 𝑇Τ2
Spectre d’émission d’une diode
électroluminescente.

Ce qui correspond à une longueur d’onde au sommet λpic :

c 1.24
λpic μm = = (ev)
νpic hνpic
53
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

3. Diodes électroluminescentes (DEL) (LED: Ligh Emetting Diode)

3.3. Le spectre d’émission de la LED

La largeur à mi-hauteur en énergie Δhν est de l’ordre de 1.8 KT, ce qui correspond à une largeur à mi-hauteur, sur la
caractéristique (Intensité-longueur d’onde) , de:
∆𝛌 = 𝟏. 𝟒𝟓𝛌𝟐𝐩𝐢𝐜 𝐊𝐓

La largeur à mi-hauteur du spectre est donc proportionnelle au carrée de la longueur d’onde centrale. Elle est
étroite pour les radiations du domaine de l’ultraviolet et s’élargie en allant vers le proche infrarouge.

Spectres d’émission de LED pour différentes énergies de gap 54

 III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

3. Diodes électroluminescentes (DEL) (LED: Ligh Emetting Diode)

3.4. Rendements de la diode électroluminescente

Les photons générés au niveau de la jonction sont émis dans toutes les directions, mais seule une fraction peut
émerger en dehors de la surface et peut donc être utile. On définit alors le rendement de puissance de la LED par :

Puissance optique émise de la LED

ⴄ=
Puissance électrique fournie à la LED

Le rendement global de la DEL est calculé à partir de ses différents rendements qui sont :

 Le rendement quantique interne ⴄi

 Le rendement optique ⴄo

 Le rendement quantique externe ⴄe

55
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

3. Diodes électroluminescentes (DEL) (LED: Ligh Emetting Diode)

3.4. Rendements de la diode électroluminescente

a. Le rendement quantique interne ⴄi

Le courant d'injection Id amène des électrons qui au niveau de la jonction peuvent

effectuer une recombinaison électron-trou donnant un photon, ce phénomène est
caractérisé par le rendement quantique interne ⴄi de la DEL défini précédemment
(Il représente le taux de recombinaisons radiatives sur le taux global de
jonction P-N polarisée en direct
recombinaisons):

rr rr τnr
ⴄi = = Soit ⴄi =
r rr + rnr τr + τnr

Ce taux exprime l’efficacité de conversion des électrons en photons.

Il peut atteindre 80 %, il est pratiquement supérieur à 10 % pour les matériaux à gap direct où la durée de vie non
radiative τnr des porteurs minoritaires est très grande par rapport à leur durée de vie radiative τr .

56
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

3. Diodes électroluminescentes (DEL) (LED: Ligh Emetting Diode)

3.4. Rendements de la diode électroluminescente

a. Le rendement quantique interne ⴄi

Ce rendement permet de déterminer la puissance lumineuse interne Pint émise au niveau de la jonction :

Id
Pint = ⴄi . hν. (ν étant la fréquence de la radiation émise et Id le courant d’injection)
q

Exemple :
Soit une LED au GaAsP à émission dans le rouge avec λ=670 nm et un rendement quantique interne de 0.16.
Si le courant qui la traverse est de 20 mA, la puissance optique générée dans la zone active est :

Id Id
Pint = ⴄi . hν. = ⴄi . 1.24 ≈ 6𝑚𝑊
q λ(μmሻ

57
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

3. Diodes électroluminescentes (DEL) (LED: Ligh Emetting Diode)

3.4. Rendements de la diode électroluminescente

b. Le rendement optique ⴄo

ne sont pas tous les photons créés à la jonction qui sortent de la diode. Une partie de ces
photons qui atteint la surface du composant est réabsorbée par le matériau après réflexion à
l’interface matériau-air. Cette perte de photons est appelée perte de Fresnel.

Le facteur de réflexion en incidence normale correspond au facteur de réflexion de Fresnel R est

Trajectoires des photons créés
définît comme suit : n−1 2 au niveau de la jonction
R= 2
n+1
n: l’indice de réfraction du matériau semi-conducteur qui varie entre 3.4 et 3.6 pour la plus part des semi-conducteurs.

Deux phénomènes limitent l’émission de photons à l’extérieur :

 la valeur élevée de l’indice de réfraction n, (n=3.5), ce qui donne un facteur R ≈ 30% .

Le coefficient de transmission : T=1−R= 1-0.3=0.7

 Soit seulement 70% du rayonnement est transmis vers l’extérieur du matériau.

58
 III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

3. Diodes électroluminescentes (DEL) (LED: Ligh Emetting Diode)

3.4. Rendements de la diode électroluminescente

b. Le rendement optique ⴄo

 L’existence d’un angle de réflexion totale relativement faible.

Cet angle est donné par la loi de Snell-Descartes : n1 sin θ1 = n2 sin θ2

Soit pour n1 =n (semi-conducteur) et n2 =1 (air), l’angle de réflexion totale θrt est donné par :

Réflexion de la lumière à
sin πΤ2 1 l’interface air-semi-conducteur
sin θrt = =
n n

Pour une valeur moyenne de l’indice n= 3.5, l’angle de réflexion totale vaut : θrt = 16°

Ainsi, tous les photons qui arrivent à la surface avec θ supérieur à θrt, = 16°, sont totalement réfléchis dans le matériau.

59
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

3. Diodes électroluminescentes (DEL) (LED: Ligh Emetting Diode)

3.4. Rendements de la diode électroluminescente

b. Le rendement optique ⴄo
Seuls les photons émis au niveau de la jonction, dans un cône sous-tendu par l’angle θrt = 16°,
sortent de la diode.

L’angle solide couvrant l’espace étant :

L’angle solide sous-tendu par θrt est :

Dans la mesure où θrt est petit : On a alors : Cône de lumière avec

angle au sommé égal à θrt

Sachant que le rayonnement est émis par la diode de façon isotrope, nous pouvons écrire le rendement optique de sortie
sous la forme:

Où 𝑇ത et 𝑅ത sont des valeurs moyennes des coefficients de transmission et réflexion, respectivement, pour les angles d’incidence
compris entre 0 et θrt .
60
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

3. Diodes électroluminescentes (DEL) (LED: Ligh Emetting Diode)

3.4. Rendements de la diode électroluminescente

b. Le rendement optique ⴄo

En supposant R constant et égal à sa valeur sous incidence normale, on peut écrire :

θrt étant petit, on utilise l’approximation :

On obtient ainsi l’expression simplifiée du rendement optique :

Pour n = 3.5 , on obtient ⴄo= 1.4 %

Le rendement est faible si on considère une géométrie simple. Pour une

configuration qui n’est pas plane, qu’on obtient en plaçant, au-dessus de la
LED, un hémisphère en plastique d’indice np < n, on diminue les réflexions
et on augmente le rendement optique en réduisant la discontinuité d'indice
entre le semi-conducteur et l'air.
Le matériau transparent représente un traitement antireflet et sert de
rayons optiques traversant
lentille pour modifier le diagramme de rayonnement de la LED. les matériaux d'indice
différent dans une DEL 61
 III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

3. Diodes électroluminescentes (DEL) (LED: Ligh Emetting Diode)

3.4. Rendements de la diode électroluminescente

b. Le rendement optique ⴄo

Exemple :
Le taux de lumière transmise par une diode électroluminescente au GaP d’indice n=3.45, couverte d’un matériau transparent
d’indice np =1,5 est :

Avec un taux de transmission à l’interface air- matériau transparent :

Qui est à l’origine d’une faible perte à cette interface.

Cette amélioration du taux de transmission permet un rendement optique de :

De plus, on peut limiter les pertes d’interface air- matériau plastique en donnant à ce dernier une forme de dôme
hémisphérique pour que le rayonnement sorte en incidence normale. Le rendement optique peut dans ce cas atteindre les 20%
suivant la valeur de l’indice du matériau transparent.
62
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

3. Diodes électroluminescentes (DEL) (LED: Ligh Emetting Diode)

3.4. Rendements de la diode électroluminescente

c. Le rendement quantique externe ⴄe

Il est défini comme le rapport du nombre de photons émis par la diode au nombre d’électrons injectés dans la jonction.

nombre de photons émis par la LED Nph

ⴄe = =
nombre des électrons injectés dans la LED Nel

En d’autres termes, le rendement quantique externe est donné par :

63
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

3. Diodes électroluminescentes (DEL) (LED: Ligh Emetting Diode)

3.4. Rendements de la diode électroluminescente

d. Le rendement global ⴄ
Le rendement global est défini comme le rapport de la puissance lumineuse émise, à la puissance électrique absorbée :

Popt 𝑃𝑢𝑖𝑠𝑠𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑜𝑝𝑡𝑖𝑞𝑢𝑒 é𝑚𝑖𝑠𝑒

ⴄ= =
Pél 𝑃𝑢𝑖𝑠𝑠𝑎𝑛𝑐𝑒 é𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑖𝑞𝑢𝑒 𝑎𝑏𝑠𝑜𝑟𝑏é𝑒
• Pour une lumière supposée monochromatique composée Nph photons d’énergie hν, la puissance lumineuse émise est :

Popt(W)=Nph. hν
• Et, la puissance électrique absorbée est donnée par le produit V.I où V est la tension appliquée à la diode et I le courant
débité. I représente la quantité de charges qui traversent la jonction par seconde, soit :

I=Nel.e D’où: Pél = Nel.e.V

Ce qui donne pour le rendement global :

64
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

3. Diodes électroluminescentes (DEL) (LED: Ligh Emetting Diode)

3.5. Caractéristique de la lumière émise par une LED

L'intensité lumineuse émise par une LED dépend directement du courant qui la traverse.
La caractéristique puissance émise-courant de polarisation montre une croissance linéaire sans la présence d’un courant seuil.

La puissance que peut dissiper une diode LED commune est de l'ordre de 20 à 100 mW.
Les puissances des diodes LED destinées aux applications d'éclairage de locaux ou des lieux publics sont de l'ordre du Watt.

Intensité lumineuse en fonction du courant

d'injection dans la diode électroluminescente.
65
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

3. Diodes électroluminescentes (DEL) (LED: Ligh Emetting Diode)

3.5. Caractéristique de la lumière émise par une LED

 La brillance de la LED est définie comme la puissance émise par unité de surface émettrice et unité d'angle solide. Elle
s’exprime en W/ (sr.m2),
 La LED possède une surface émettrice plane. Elle n'émet de ce fait que dans un demi-plan, et de plus de manière non
isotrope.

La répartition de cette lumière émise est définie par le diagramme de rayonnement qui représente la répartition angulaire
de l'intensité relative émise.
Dans le cas de la LED sans optique, le diagramme de rayonnement est de type Lambertien.

Distribution spatiale du
rayonnement émis par une LED 66
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

3. Diodes électroluminescentes (DEL) (LED: Ligh Emetting Diode)

3.5. Caractéristique de la lumière émise par une LED

L’ouverture angulaire à mi- intensité Δθ pour le diagramme de rayonnement qui dépend de la présence d'une lentille elle vaut
typiquement 20°. Une DEL émettant par la surface sans optique émet un diagramme de rayonnement Lambertien.

DEL émettant par la surface sans

DEL munie d'une lentille hémisphérique DEL munie d'une lentille parabolique
lentille

67
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

3. Diodes électroluminescentes (DEL) (LED: Ligh Emetting Diode)

3.6. Applications

Le choix de la couleur dépend de l’utilisation :

 Les constructeurs proposent un choix important de LED émettant dans le visible: DEL de couleurs différentes, rouge,
jaune, verte, orange, bleue et même blanche. Les LED de couleur visible sont utilisées pour la visualisation, Les
grands domaines d'application des DEL sont l'affichage et l'éclairage dans le visible et la transmission d'information
dans le visible et le proche infrarouge.

 Les LED IR sont utilisées dans les télécommandes, les barrières de comptage de personnes, dans certaines alarmes,
pour certaines transmissions d'informations dans l'air et dans la transmission d'informations par fibre optique. Les
télécommandes en espace libre utilisent surtout des DEL émettant dans le proche infrarouge autour de λ≈900 nm en
AsGa ou AlGaAs.

68
 III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

3. Diodes électroluminescentes (DEL) (LED: Ligh Emetting Diode)

3.7. Avantages et Inconvénients

Avantages Inconvénients
 Petite taille: on peut par exemple construire des LED de  Les LED, comme tout composant électronique, ont des limites
la taille d'un pixel (ce qui ouvre la possibilité d'utiliser des maximales de température de fonctionnement ce qui
diodes pour construire des écrans de haute résolution), conditionne en partie la durée de vie des lampes à LED,
 Facilité de montage sur un circuit imprimé, traditionnel  La dissipation thermique des composants des ampoules à LED
ou CMS (Composant Monté en Surface), est un facteur limitant leur montée en puissance,
 Consommation inférieure aux lampes à incandescence et  L'efficacité lumineuse de certaines LED baisse rapidement
du même ordre de grandeur que les tubes fluorescents, (comme pour la plupart des technologies lumineuses) pour ne
 Excellente résistance mécanique (chocs, écrasement, plus produire en fin de vie que 20% de la quantité de lumière
vibrations), initiale, mais pour les LED les plus performantes du marché, la
 Taille beaucoup plus réduite que les lampes classiques ce quantité de lumière produite en fin de vie serait encore d'au
qui offre la possibilité de réaliser des sources de lumière moins 70%,
très ponctuelles, de faible à très faible consommation.  Le processus de fabrication d'une LED est très coûteux en
énergie (mais une production à grande échelle comme
actuellement permet de réduire massivement ce coût).
69
 III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

4. LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)

4.1. Définition

LASER est l'acronyme de l'expression anglaise Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation, qui signifie «
amplification de la lumière par émission stimulée de rayonnement ». Un laser est donc avant tout un amplificateur de lumière,
qui repose sur un principe physique découvert par Einstein : l’émission stimulée.

L’amplification de la lumière par émission stimulée de photons produit une lumière qui est monochromatique, directionnelle,
cohérente et de haute intensité.
Le principe utilisé dans le laser est l’émission stimulée, principe découvert par Einstein en 1917, ce principe correspond à un
électron déjà excité, qui reçoit un photon. Il est alors « bousculé », il va donc libérer un deuxième photon pour retomber dans
un état d’énergie inférieur.

70
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

4. LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)

4.1. Définition

Dans le cas d’une émission spontanée, un atome va forcément émettre un photon. Ce photon va ensuite entraîner une
cascade d’émissions stimulées qui vont le dupliquer un grand nombre de fois, jusqu’à atteindre une grande puissance.
Le faisceau laser est ainsi présent.

71
 III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

4. LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)

4.2. Le principe physique du laser

Le principe physique du laser a été décrit en 1917 par Einstein, il repose sur trois phénomènes physiques qui décrivent
l'interaction d'un atome avec la lumière.
 Absorption, Emission spontanée, Émission stimulée
L'émission de lumière dans un laser est la conséquence des transitions entre niveaux d'énergie dans le milieu considéré. La
transition se fait entre deux niveaux d'énergie E1 et E2 avec E2 > E1 , l'énergie du photon crée est alors : hν= E2 – E1

En général pour connaître si l'émission entre ces deux niveaux est possible il faut connaître les populations respectives des
niveaux 1 et 2, ceci est déterminé par la statistique régissant les populations.

Pour la statistique de Boltzmann le rapport des populations est :

à l'équilibre thermique on a toujours N2 < N1 puisque E2 > E1 et T > 0

Pour obtenir l'effet d'émission laser il faut créer une inversion de population de façon à obtenir la condition N2 > N1.

Pour obtenir l’effet laser, il est nécessaire de privilégier l’émission stimulée au détriment des deux autres processus. Deux
conditions doivent être réalisées pour favoriser cette émission stimulée et ainsi obtenir l’effet laser :
 Inversion de population
 La cavité optique 72
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

4. LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)

4.2. Le principe physique du laser

 Inversion de population

Il faut avoir suffisamment d’électron dans l’état d’énergie supérieure. Dans un semi-conducteur, ceci est réalisé par une
opération dite de pompage électrique qui consiste à promouvoir un maximum d’électrons dans la bande de conduction : c’est
ce qu’on appelle une inversion de population.

afin d’augmenter le nombre d’émissions stimulées et donc d'augmenter la puissance du faisceau LASER, il faut qu’il y est plus
d’atomes excités que d’atomes stables dans le milieu actif. Une source excitante va permettre d’élever ces électrons à un niveau
d’énergie supérieur. On appelle donc ce phénomène « inversion de population », qui sera réalisable grâce à des méthodes dites
de « pompage » qui apportent sans cesse de l’énergie et surpeuplent la population d’atomes dans l’état excité. Les sources
d'énergie extérieures peuvent être de différents types, par exemple un générateur électrique, ou un autre laser (pompage
optique).

73
Inversion de population
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

4. LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)

4.2. Le principe physique du laser

 La cavité optique

Il faut favoriser l’émission stimulée : il faut donc avoir suffisamment de photons incidents (excitateurs). Pour cela, on enferme
le semi-conducteur dans une cavité.

Le milieu actif est inséré dans une cavité optique, constituée par deux miroirs: un totalement réfléchissant et un semi-
réfléchissant. Les photons émis selon l’axe de cette cavité rebondissent sur les miroirs, ce qui engendre, au cours d’allers-
retours, de plus en plus d’émissions stimulées, donc de plus en plus de photons : il y a amplification. Une part des photons
s’échappe par le miroir semi-réfléchissant, constituant le faisceau LASER.

74
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

4. LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)

4.3. Les éléments constitutifs d’un laser

Un laser est composé de trois organes principaux:

 Le milieu amplificateur : il est composé des atomes que l'on va venir exciter. Ce milieu peut être solide, liquide ou
gazeux ou semi-conducteur (à base d’ Arséniure de gallium GaAs typiquement),
 La source de pompage : elle permet d'exciter les atomes du milieu amplificateur (l’inversion de population) en
injectant de l'énergie. Cette source peut être d'origine électrique ou lumineuse (optique),
 Le résonateur optique (cavité optique) : un miroir qui réfléchit tous les photons incidents et un miroir semi-
réfléchissant qui laisse passer entre 1% et 10% des photons incidents qui constitue le faisceau laser et réfléchit le reste
du rayonnement.

Principe du laser

75
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

4. LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)

4.4. Caractéristiques du rayonnement laser

Si le laser a aujourd’hui tellement d’applications, c’est que la lumière qu’il émet est très particulière :

 Le laser est monochromatique : (spectre très fin Δλ < 1 nm) il n’émet qu’une seule couleur (rouge, vert,
bleu, orange) ou encore une seule longueur d’onde.

 Directionnelle et cohérence : il émet de la lumière selon un faisceau ayant une direction donnée et
cohérente (toutes les ondes émises sont « en phase » entre elles.) ne diverge qu’à très peu. En conséquence
il est possible de le focaliser très fortement, c’est-à-dire de concentrer son énergie sur une toute petite
surface (quelques microns carrés).

 On peut obtenir avec un laser des impulsions de lumière très courtes, et extrêmement puissant jusqu'à
plusieurs dizaines de kW en fonctionnement continu.

76
 III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

4. LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)

4.5. Différents types de laser

Différentes sortes de lasers existent. Ils comprennent tous trois éléments nécessaires qui sont : le milieu émetteur, l’excitation
et l’amplification.

Selon le milieu amplificateur. Il existe plusieurs types de milieux amplificateurs possibles :

 Lasers à solide : Les lasers à solide utilisent des cristaux, des céramiques ou des verres dopés avec différents
atomes comme milieu amplificateur de la lumière. Ce sont les lasers les plus puissants. , exemple : Lasers YAG
dopes au Néodyme,
 Lasers à liquide : Dans les lasers à liquide, le milieu d'émission peut être un colorant organique,
 Laser à gaz : Le milieu générateur de photons est ici un gaz contenu dans un tube isolant (verre, quartz ou
céramique). Exemples : laser Hélium – Néon et laser CO2,
 Laser à semi-conducteurs : Ces lasers utilisent comme matériaux des semi-conducteurs (à base d’Arséniure de
gallium GaAs typiquement).

77
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

5. Laser à semi-conducteur ou la diode laser

5.1. Définition

Une diode laser est un composant optoélectronique à base de matériaux semi-conducteurs. Elle émet de la lumière
monochromatique cohérente destinée, entre autres, à transporter un signal contenant des informations (dans le cas d'un
système de télécommunications) ou à apporter de l'énergie lumineuse pour le pompage de certains lasers (lasers à fibre) et
amplificateurs optiques.

78
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

5. Laser à semi-conducteur ou la diode laser

5.2. Structure de base

La diode laser est un composant similaire à la diode électroluminescente, car elle est constituée d'une jonction p-n réalisée sur
des matériaux à gap direct avec une région active où les porteurs injectés, par forte polarisation directe de la diode, se
recombinent de façon radiative, produisant une lumière cohérente issue d’émissions stimulées de photons.
Une telle diode laser s'appelle laser à homojonction, sa structure de base est représentée sur la figure au dessous. Son
faisceau lumineux de sortie est latéral. Il est très directif et de fréquence très précise.

Structure de base d’une diode laser

79
 III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

5. Laser à semi-conducteur ou la diode laser

5.3. Cavité optique résonnante de la diode laser (Fabry- Pérot cavité)

La région active de la diode, comprise entre les régions N et P, est quasi neutre. Elle est équivalente à une cavité optique
résonnante (cavité Fabry- Pérot) qui consiste en un guide d’ondes délimité par deux faces clivées perpendiculairement au plan de
la jonction qui forment. Deux miroirs semi-transparents de facteurs de réflexion 𝑅1 et 𝑅2, le clivage consistant à réaliser une
cassure nette et parallèle à un plan réticulaire. Les autres côtés de la structure sont rugueux pour éviter des réflexions sur les
autres faces de la structure.

Cavité optique d’une diode LASER

80
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

5. Laser à semi-conducteur ou la diode laser

5.3. Cavité optique résonnante de la diode laser (Fabry- Pérot cavité)

La longueur L de cette cavité résonante est un multiple entier de la demi-longueur d’onde des photons créés par émission
stimulée pour que les ondes stationnaires qui peuvent se former pour certaines longueurs d'onde discrètes subissent des
réflexions multiples par les miroirs et s’additionnent en phase pour former un signal de grande amplitude : La diode fonctionne
alors comme un amplificateur.

Avec m un entier égal à 1, 2, 3,4,… et 𝛌𝟎=𝒄/𝒗 est la longueur d’onde de la radiation dans le vide.

Les dimensions types de la diode à homojonction sont :

 L : longueur de la diode : 200 - 500 μm
 l : largeur de la diode : 100 - 300 μm
 d : épaisseur de zone active (au voisinage de la
jonction) : 0.1 – 0.3 μm

81
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

5. Laser à semi-conducteur ou la diode laser

5.4. Amplification de la lumière dans une diode LASER

Dans un premier temps le processus d’émission spontanée va prédominer. Les premiers photons créés dans la zone active sont
obtenus par émissions spontanées.
Ensuite les ondes qui se propagent vers les faces miroirs vont être amplifiées par stimulation d’autres photons. Dès que la
lumière induite dépasse la lumière absorbée dans le milieu amplificateur (absorption par porteurs libres (effet Auger) et par
défauts dans le matériau), l’oscillation LASER commence.

Si on désigne par αP(λ) le coefficient d’absorption par porteurs libres, qui est de l’ordre de 100 cm-1, et par g(λ) le gain de la
cavité par émission stimulée, pour que le LASER oscille et l’émission LASER apparaisse il faut que le gain compense les pertes
par absorption et que le coefficient net d’absorption soit positif :

82
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

5. Laser à semi-conducteur ou la diode laser

5.4. Amplification de la lumière dans une diode LASER

La condition d'émission LASER s’obtient en écrivant les • Le champ électrique de l’onde dans la cavité:

conditions de résonance :
 Le gain sur un aller-retour, dans la cavité doit être
supérieur aux pertes. Avec
 Le déphasage sur un aller-retour doit être un multiple
On doit donc avoir :
de 2π.
Soit :

Avec

On a

Par conséquence on obtient pour l’intensité de lumière :

Milieu amplificateur avec miroirs de coefficients de Ou bien :

réflexion
83
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

5. Laser à semi-conducteur ou la diode laser

5.4. Amplification de la lumière dans une diode LASER

Ce qui constitue la condition d’oscillation pour que le gain compense les pertes par absorption interne αP et les pertes par
transmission des miroirsR1 et R2.

On obtient la condition de gain :

gs est le gain seuil de la cavité. C’est le gain minimal que la région active doit fournir pour que l’effet laser se produise. Il
est déterminé par la géométrie et les caractéristiques de la cavité. L’expression montre, par exemple, que lorsque la
longueur de la cavité décroît, ce gain seuil augmente.

Lorsque le gain est supérieur à gs, la cavité est en oscillation :

 la moindre émission stimulée présente une augmentation brutale du signal lumineux émis par la diode,
 Il apparait une certaine directivité de l’émission dans la direction de la plus grande langueur du milieu amplificateur,
 La cavité sélectionne un certain nombre de modes de résonance définis par 2nL=mλ.
On dit que la diode est super radiante.

84
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

5. Laser à semi-conducteur ou la diode laser

5.4. Amplification de la lumière dans une diode LASER

Il y a 3 régimes de fonctionnement:
1. Dans le cas d’un niveau d’injection faible, l’émission spontanée domine l’émission stimulée: la diode laser fonctionne
comme une LED,
2. Dans le cas d’un niveau d’injection moyen, l’émission stimulée domine l’émission spontanée, mais les pertes de la cavité
sont supérieures au gain du milieu: la diode laser opère comme un amplificateur,
3. Dans le cas d’un niveau d’injection fort, on obtient alors le régime d’oscillation laser (gain > pertes)

Le nombre de photons créés par seconde dans la zone active est proportionnel au courant injecté.

85
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

5. Laser à semi-conducteur ou la diode laser

5.4. Amplification de la lumière dans une diode LASER

Exemple :
Pour αp =10 cm-1, une surface avec un coefficient de réflexion de 30% et l’autre totalement réfléchissante, déterminer le
gain seuil d’une diode laser au GaAs de 300μm de longueur.

Réponse :

Soit, le gain seuil est de :

86
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

5. Laser à semi-conducteur ou la diode laser

5.5. Matériaux utilisés pour les diodes laser

Les exigences des télécommunications optiques en ce qui concerne la longueur d'onde de la lumière laser (850 nm et
surtout 1330 nm et 1550nm) nécessitent l'utilisation de certains alliages de semi-conducteurs comme l'arséniure de
gallium (GaAs) ou l'arséniure de gallium-aluminium (Ga x Al 1-x As où : x est la proportion de gallium).

Matériaux pour les diodes LASERs

De gauche à droite : pointeurs laser à 405, 473, 532,

593, 635 et 650nm
87
 III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

5. Laser à semi-conducteur ou la diode laser

5.6. Inversion de population dans les lasers à semi‐conducteurs

Pour réaliser l’inversion de population dans un laser à semi conducteur, on doit considérer une jonction PN où les régions p et n
sont dégénérées.

 À l'équilibre (sans polarisation), les niveaux de Fermi des deux semi-conducteurs

s'alignent. La bande de conduction et la bande de valence sont toutes deux au
dessus de EF du côté p de la jonction et au-dessous de son côté n.

 À l’équilibre thermodynamique, le semi-conducteur est défini par ses

concentrations de porteurs n0 et p0, soit par un niveau de Fermi EF qui
correspond au plus haut niveau énergétique occupé par un électron à 0K.

 Le niveau EF permet de déterminer la probabilité f(E ) d’occupation d’un niveau

énergétique E par un électron, suivant la statique de Fermi-Dirac :
Diagramme énergétique d’une
jonction pn fortement dopée à l’équilibre
thermodynamique
Avec K ; la constante de Boltzmann
Et T ; la température [K]

88
 III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

5. Laser à semi-conducteur ou la diode laser

5.6. Inversion de population dans les lasers à semi‐conducteurs

L’application d’une tension de polarisation directe entraine l’injection d'électrons

dans la partie n et de trous dans la partie p de la jonction. Ceci va déplacer le
niveau de Fermi de part et d'autre de la jonction. Le semi-conducteur est alors
défini par deux pseudo-niveaux de Fermi Efn et Efp caractérisant un régime de
pseudo équilibre dans chacune des bandes d’énergie et donnant les densités et
les distributions des porteurs.
Diagramme
énergétique de la jonction PN
dégénérée sous polarisation direct
A l’équilibre on retrouve :

 L’amplification de la lumière est obtenue par émissions stimulées. Dans un semi-conducteur, pour favoriser l'émission
stimulée, par rapport à l’émission spontanée, il faut avoir une région avec une forte concentration d’électrons dans la bande
de conduction et une forte concentration en trous dans la bande de valence. Cette situation représente une inversion de
population qu’on peut obtenir par l’injection d’une forte densité de courant à travers la jonction.
89
 III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

5. Laser à semi-conducteur ou la diode laser

5.6. Inversion de population dans les lasers à semi‐conducteurs

 Si on augmente la tension de polarisation directe, l'injection de porteurs est

suffisante pour obtenir une zone assez mince de largeur d, au voisinage de la
jonction, avec une forte densité d’électrons dans la BC et de trous dans la BV, ce
qui est la condition pour une inversion de population. Cette zone est appelé
"zone active", son épaisseur d correspond, environ, à la longueur de diffusion Ln
des électrons injectés dans la région p.

 Le courant injecté représente le mécanisme de pompage qui est nécessaire pour Création d’une zone active,
maintenir la condition d’inversion de population qui se traduit donc par avec inversion de population, par forte
polarisation de la jonction dégénérée
l’existence d’une région avec un pseudo niveau de Fermi EFn dans la bande de
conduction et un pseudo niveau EFP dans la bande de valence. Autrement dit, la
condition d’inversion de populations est :

90
 III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

5. Laser à semi-conducteur ou la diode laser

5.7. Caractéristiques électriques et optiques de la diode laser

Dans une diode laser la caractéristique puissance optique en
fonction du courant P(I) présente une forme caractéristique, il
y émission de puissance au delà du courant de seuil Is ensuite
la puissance varie d’une façon linéaire.

Caractéristique puissance-courant
de la diode laser
91
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

5. Laser à semi-conducteur ou la diode laser

5.7. Caractéristiques électriques et optiques de la diode laser

Le courant de seuil varie avec la température selon une loi d'activation :

Où T0 est la température caractéristique de la diode. Sa valeur varie de

120 à 230 K Pour les diodes laser à base de GaAlAs et de 60 à 80 K pour
les lasers à base de GaInAsP. Iso est le courant de seuil caractéristique.
caractéristique puissance courant
pour les températures T1 < T2

On définit le rendement différentiel ⴄd par la pente de la caractéristique P(I) dans la région de fonctionnement normal. Cette
pente est de l’ordre de 100 à 200 mW/A.

92
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

5. Laser à semi-conducteur ou la diode laser

5.7. Caractéristiques électriques et optiques de la diode laser

Exemple :
Une diode laser au GaAlAs a un coefficient de température de T0 = 160 K. Lorsqu’elle est utilisée à 20° C la densité de
courant de seuil est de 2200 A/cm2. Quelle est la nouvelle valeur de la densité de courant de seuil si sa température passe à
80°C.

Réponse :

Nous avons : et

Ce qui donne :

Ainsi à 80°, la densité de courant de seuil passe à :

93
 III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

5. Laser à semi-conducteur ou la diode laser

5.7. Caractéristiques électriques et optiques de la diode laser

La polarisation du rayonnement en sortie est le plus souvent rectiligne parallèle aux plans des jonctions.
La zone active du laser, limitée par L, l et d, joue le rôle d’un guide de lumière de
surface émettrice S= d.l de forme rectangulaire. Le faisceau lumineuse à sa
sortie, appelée champ proche présente une tache de surface S. Ce dernier se
dirige dans une direction unique avec une certaine divergence. Son ouverture est
limitée par le phénomène de diffraction au niveau de la fenêtre de sortie (≈fente)
diagramme de rayonnement
associé à la faible épaisseur de la zone active. astigmatique d’une diode laser
Par conséquent, dans une certaine distance de la zone émettrice (champ lointain),
le faisceau apparaîtra comme une tache elliptique. Elle est représentée par deux
angles d’ouverture :

dans le plan de la zone active :

: dans le plan perpendiculaire à la zone active :

94
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

5. Laser à semi-conducteur ou la diode laser

5.8. Caractéristiques spectrales de la diode laser

Pour chaque cavité résonnante, seules les ondes retrouvant leur phase après un aller
et retour dans la cavité sont susceptibles d’être amplifiées. Cette condition est à
l’origine d’un spectre optique, des cavités Fabry-Pérot et VCSEL, composé d’un
ensemble de raies spectrales individuelles avec un espacement régulier Δλ appelées
aussi modes longitudinaux.
La largeur spectrale de chaque raie dépend de nombreux facteurs, en particulier de
la puissance de la diode laser. Ces raies sont comprises à l’intérieur d’une enveloppe
Spectre d’émission d’une diode laser
plus large appelée courbe de gain.
L'espacement entre modes, la distance intermodale (l'intermode) , est fonction de la longueur de la cavité L et de l'indice du
matériau nsc :

Exemple :
Pour λ =0.85 μm, L =300 μm, n=3.6 on obtient : Δλ = 0.35 nm
Tandis que pour λ =1.3 μm, l’intervalle devient de : Δλ = 0.78 nm 95
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

5. Laser à semi-conducteur ou la diode laser

 La zone active équivaut à une cavité de Fabry –Pérot,

 La cavité de Fabry-Pérot est un guide d’ondes avec 2 faces ⊥ au plan de la jonction qui jouent le rôle de miroirs de
coefficients de réflexion R1 et R2,

 La longueur de cette cavité satisfait la condition L =mλ/2 avec m entier et λ la longueur d’onde des photons
stimulés,

 Cette condition sur L permet d’avoir plusieurs réflexions pour « amplifier » l’amplitude du signal par stimulations
répétées:

L = mλ/2 = m λ0/2n1

Avec n1 indice de réfraction et λ0 la longueur d’onde dans le vide.

96
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

Répondez aux questions suivantes:

1. Que signifie lumière monochromatique ?

2. Précisez le domaine de longueur d’onde du spectre visible.
3. Expliquer le processus: émission spontanée de la lumière par un atome.
4. Donner la structure et le principe de fonctionnement d’une diode laser (LD).
5. Donnez les principales caractéristiques de la lumière produite par une diode LASER.

97
 III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

EXERCICE: Les lasers

RAPPEL

 Laser "amplification de lumière par émission stimulée" (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation),
 Un Laser est un oscillateur optique qui comporte 3 éléments:
1. Un milieu actif amplificateur (gaz, liquide ou solide),
2. Une cavité résonante ( de type Fabry-Perot),
3. Un système de pompage permettant de réaliser une inversion de population au sein du milieu actif
(excitation extérieure demandant beaucoup d'énergie: excitation électrique ou radiative).

Les oscillateurs laser ont pour particularité d'avoir des

miroirs réfléchissants dont la fonction première est de
confiner l'onde à l'intérieur de la cavité et d'augmenter
son parcourt dans le milieu amplificateur afin d'obtenir
des niveaux d'amplification considérables. Ils ont
également un miroir de sortie qui permet d'extraire une
partie de l'onde lumineuse de la cavité afin de pouvoir
utiliser le rayonnement.
Schéma d'un oscillateur laser

Le milieu amplificateur, le système de pompage, et les miroirs formant

la cavité, dont le miroir de sortie. 98
 III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

EXERCICE: Les lasers

RAPPEL
Comment amplifier la lumière?
L'émission stimulée est à la base de l'amplification lumineuse et donc au cœur même du fonctionnement d'un laser.
Considérons deux niveaux d'énergie E1 et E2 (E1<E2) dont la population va pouvoir interagir avec une lumière de fréquence
hν=E2−E1. L'ensemble E1-E2 est appelé transition radiative si le passage des atomes de E1 à E2 (ou de E2 à E1) ne peut se
faire que par interaction avec la lumière. Le niveau d'énergie E1 est appelé le niveau du bas et celui d'énergie E2, le niveau
du haut.
 Absorption : Un atome du niveau du bas peut
monter dans le niveau du haut par effet
d'absorption d'un photon de fréquence hν.
 Emission spontanée : Un atome du niveau du
haut peut se désexciter spontanément vers le
niveau du bas et engendrer l'émission d'un
photon de fréquence h ν si la transition entre
E2 et E1 est radiative. Ce photon a une
direction et une phase aléatoire.

 Émission stimulée : par l'action d'un photon incident, un atome du niveau du haut peut également se désexciter en
émettant un photon dit "stimulé" dont les propriétés sont exactement les mêmes que le photon incident.
99
 III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

EXERCICE: Les lasers

RAPPEL
Comment amplifier la lumière?
Pour une transition radiative, les trois mécanismes sont toujours présents en même temps. Pour faire un milieu laser, il faut
donc trouver des conditions qui permettent de privilégier l'émission stimulée au détriment de l'absorption et de l'émission
spontanée, ce qui donne deux conditions:

1. N2 > N1: il faut procéder à une inversion de population.

L'absorption et l'émission stimulée sont vraiment deux processus réciproques. Pour favoriser l'émission stimulée au
détriment de l'absorption, la solution est de jouer sur les populations des niveaux : il faut s'arranger pour avoir plus
d'atomes sur le niveau du haut que sur le niveau du bas.

2. Il faut un suffisamment de photons d'ou l'interet d'un cavité optique.

l'émission spontanée a tendance à vider naturellement le niveau du haut. Il faut donc trouver un moyen de vider le
niveau du haut plus vite par émission stimulée que par émission spontanée. Or il se trouve que l'émission stimulée est
d'autant plus probable que le milieu est éclairé avec un grand nombre de photons semblables. L'astuce va donc consister
à éclairer fortement le milieu, un bon moyen pour cela est le confinement des photons dans une cavité.

100
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

EXERCICE: Les lasers

RAPPEL
Inversion de population et pompage
Avoir une population plus élevée dans le niveau du haut (N2) que dans le niveau du bas (N1) n'est pas une situation
d'équilibre. En effet, à l'équilibre thermodynamique, la répartition des populations sur les niveaux est donnée par la loi de
Boltzmann :

Dans ce cas, N2 est toujours inférieure à N1. Il faut donc créer une situation hors équilibre en apportant de l'énergie au
système des atomes via un “pompage” dont l'objectif est d'amener suffisamment d'atomes sur le niveau du haut.

On parle alors d'inversion de population que l'on appelle ΔN=N2-N1. Il y aura amplification de lumière si l'inversion de
population est positive. Le pompage pourra se faire par voie électrique, optique ou chimique.

101
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

EXERCICE: Les lasers

RAPPEL
Le rôle de la cavité
Cependant, avoir une inversion de population positive n'est pas suffisant pour générer un effet laser. En effet, il ne faut pas
oublier que les mécanismes d'émission stimulée et d'émission spontanée sont en compétition.
C'est la cavité qui va créer les conditions favorables pour que l'émission stimulée devienne prédominante par rapport
l'émission spontanée. La cavité ou résonateur optique est composée de miroirs qui permettent à la lumière de passer de
nombreuses fois dans le milieu amplificateur.
Au bout de plusieurs dizaines de milliers d'allers et retours (en
général), la quantité de photons générée dans l'axe de la cavité
par émission stimulée va être devenir égale à celle qui est
perdue (en particulier via le miroir de sortie). Il va donc y avoir
un état stationnaire pour lequel un rayonnement (dit
rayonnement laser) sort de façon continue par le miroir de
sortie. On dit alors que le laser oscille : c'est à dire que le laser
émet en continu un rayonnement majoritairement issu de
l'émission stimulée filtré par la cavité.

102
 III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

EXERCICE: Les lasers

RAPPEL
Le rôle de la cavité
 Qualité spatiale du faisceau laser en sortie  Spectre d'un oscillateur laser
La cavité a également un rôle de filtre sur le spectre émis par le laser.
La cavité laser est d'abord un filtre Seules des ondes de certaines fréquences peuvent s'y propager.
spatial sélectionnant uniquement les Ces fréquences sont telles que:
rayons lumineux qui sont très proches
de l'axe de la cavité : les autres sont où k est un entier , c la vitesse de la lumière dans le vide et L la longueur
perdus à cause de l'éloignement optique de la cavité. La cavité est capable de filtrer
progressif de l'axe et de la dimension l'émission spontanée sous la forme de
finie des miroirs fréquences discrètes (les modes
longitudinaux de la cavité). Les ondes
qui se propagent dans la cavité laser
avec ces fréquences particulières sont
appelées les modes longitudinaux de
la cavité.
Les modes longitudinaux sont espacé
Allure du spectre émis par le laser par du même Intervalle Spectral Libre
rapport au spectre d'émission (ISL).
spontanée de la transition laser
103
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

EXERCICE: Les lasers

RAPPEL
Le rôle de la cavité
 Conditions d’oscillation laser
Il y a cependant certaines conditions à respecter pour qu'un laser puisse effectivement fonctionner. On trouve une
condition sur le gain et les pertes de la cavité et une condition sur la fréquence qui peut se reporter sur la longueur de la
cavité.
1. Condition sur le gain
G représente le gain en intensité après un aller-retour. La puissance après un aller et retour peut s'écrire :
En appelant P la puissance du laser juste avant le miroir M1.
G+ et G- étant les gains effectifs dans le sens "+" et le sens "-
". Le sens "+" correspond par définition à la direction du
faisceau laser en sortie. Le sens "-" est l'autre direction.

Les miroirs de la cavité doivent donc être choisis de telle

sorte que le gain par aller et retour G+G- soit supérieur à
1/R1R2 : on dit aussi que le gain doit être supérieur aux
pertes de la cavité (représentées par les transmissions
des miroirs).
104
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

EXERCICE: Les lasers

RAPPEL
Le rôle de la cavité
 Conditions d’oscillation laser
2. Condition sur la fréquence Les fréquences pouvant exister dans la cavité s'écrivent

Il faut également qu'elles se trouvent dans la bande de gain du milieu amplificateur.

La condition sur le gain peut donc se traduire par une certaine plage spectrale Δν dans
laquelle les fréquences vont pouvoir mener à une oscillation.
En général, la plage spectrale Δν est plus grande que c/2L. Ainsi, l'ensemble des
fréquences qui peuvent osciller peut être assez grand (quelques dizaines à quelques
centaines de fréquences) : le nombre dépend de la largeur de la plage spectrale Δν par
rapport à l'intervalle spectral imposé par la cavité Fabry Pérot (c/2L).

Cependant, dans certains cas, la plage

spectrale Δν est plus petite que c/2L.
Il peut alors arriver qu'aucune
fréquence ne soit capable d'osciller.

105
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

EXERCICE: Les lasers

RAPPEL
Le rôle de la cavité
 Conditions d’oscillation laser Finesse F d'un mode:

Si un seul mode vérifie cette condition,

la laser sera monomode, sinon
multimode.

106
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

EXERCICE: Les lasers

RAPPEL
Catégories de lasers
 système à trois niveaux avec un pompage optique

Le premier laser qui ait jamais fonctionné dans le domaine optique était un laser de ce type : le laser à rubis met en effet en jeu 3 niveaux.
La formule du rubis est : Cr3+:Al2O3.
On y distingue la transition dite de pompage (entre E1 et E3) et la transition laser (entre E1 et E2).
Cette figure présente un cycle idéal pour un atome : il monte dans le niveau 3 par absorption d'un photon issu de la lumière de pompe. Il
descend ensuite dans le niveau 2 très rapidement. Il se désexcite enfin par émission stimulée vers le niveau 1.

107
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

EXERCICE: Les lasers

RAPPEL
Catégories de lasers
 système à quatre niveaux avec un pompage optique
Un des milieux les plus connus fonctionnant sur ce schéma est le néodyme YAG (Nd3+:Y3Al5O12).
Cette fois, la transition de pompe (pompage optique) et la transition laser se font sur un couple de niveaux distincts (E0-E3 pour la
pompe et E1-E2 pour le laser).

Le système est également choisit de tel sorte que les atomes ne

restent ni sur le niveau 3, ni sur le niveau 1.
Cette figure présente un cycle idéal de fonctionnement pour un
atome.
Contrairement au cas précédent, dès qu'un atome atteint le niveau
2, l'inversion de population est positive et le milieu devient
amplificateur. Pour maintenir l'inversion de population, il faut éviter
que les atomes ne s'accumulent dans le niveau 1. C'est pour cela
que le système doit être choisi de telle sorte que la désexcitation du
niveau 1 vers le niveau 0 soit rapide.

108
III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

EXERCICE: Les lasers

RAPPEL
Catégories de lasers
 laser He-Ne avec un pompage électrique
L'hélium est utilisé comme gaz intermédiaire, capable de transférer l'énergie des électrons au néon, par des collisions. En effet, l'hélium
présente la particularité d'avoir deux niveaux excités dits "métastables", c'est à dire que les atomes peuvent y rester très longtemps avant
de redescendre vers le niveau fondamental. Les atomes d'hélium sont portés dans les niveaux excités par des collisions avec les électrons.
Le transfert d'énergie vers le néon peut avoir lieu facilement car ces niveaux métastables coïncident avec des niveaux excités du néon. Il se
produit lors de collisions entre les atomes : On peut résumer le transfert d'énergie par cette équation : He* + Ne -> He + Ne*.

Le milieu actif est constitué d'un mélange des gaz hélium et néon , 85% de He et
15% de Ne , placé dans un tube en verre. Une anode et une cathode placés aux
extrémités du tube fournissent la décharge en continu le long du tube. Le pompage
se fait par une décharge électrique, les électrons et les ions sont accélérés dans le
gaz et par collision induisent des états excités.
L'émission privilégiée se situe dans le rouge à 632,8 nm , dans l'infrarouge il existe
plusieurs autres transitions par exemple à 1152,3 nm et à 3391,2 nm . Le tube
contenant le gaz est placé entre deux miroirs formant une cavité Fabry-Pérot. Les
miroirs semi-réflechissants sont réalisés par des traitements multicouches
diélectriques avec typiquement R » 99% .

109
 III - Emetteurs optiques à semi-conducteurs

EXERCICE: Les lasers

Un laser hélium-néon émettant à l0 =633nm a une longueur de cavité L = 5 cm et émet en continu une puissance de sortie de
20mW.
1/Calculer le nombre N de photons émis par seconde
2/Sachant que la largeur à mi-hauteur de la raie laser émise centrée sur l0 est Dl = 0.02 nm, calculer en GHz la fréquence n0 de
ce laser ainsi que la largeur fréquentielle à mi-hauteur Dn de la raie laser centrée sur n0 .
3/ Calculer en GHz l’intervalle spectral libre dn correspondant à la cavité de ce laser.
4/La courbe gain-perte du laser hélium-néon est représentée dans la figure ci-dessous :

Sachant que les seuls modes susceptibles d’osciller sont ceux pour lesquels le gain laser est
gain supérieur aux pertes.
a. Expliquer brièvement l’origine du gain
pertes b. Expliquer brièvement l’origine des pertes
c. La courbe est-elle relative à un laser monomode ou multi-mode ?
d. Calculer le nombre n de modes de ce laser hélium-néon
e. Afin d’avoir un laser monomode il faut que l’intervalle spectral libre dn soit supérieur ou
égal à Dn/2, à partir de quelle longeur de cavité nous obtenons un laser monomode centré
sur n0 ?

Données : h = 6,625.10-34J.s et c = 3.108 m/s et 1eV = 1.6 .10-19 J 110

IV - Détecteurs optiques à semi-conducteurs (Détecteurs de lumière: les photorécepteurs)

1. Définition

Tout comme il existe plusieurs méthodes pour envoyer l’information sur le signal lumineux, il existe différentes techniques
pour la récupérer : les photo-détecteurs sont des composants susceptibles de convertir des signaux lumineux en signaux
électriques c’est l'effet photorécepteur.

Les semi-conducteurs peuvent également être utilisés pour détecter la lumière. Le principe en est très simple. Si le semi-
conducteur est éclairé avec une lumière dont la fréquence est supérieure à celle du gap (telle que l’énergie hν du photon est
suffisante pour faire passer l’électron de la bande de valence à la bande de conduction), il y aura création de paires électron-
trou, c’est l’effet photoélectrique

Absorption d’un photon et création d’une

paire électron-trou

Les détecteurs optoélectroniques couvrent aujourd'hui un grand domaine d'applications, comme les transmissions par fibre
optique, les systèmes de prise de vue, la détection infrarouge ou les panneaux solaires.

En gros, on peut définir Les photorécepteurs comme étant des dispositifs photosensibles. Leur fonctionnement est basé sur
l’interaction photon–électron. Lorsque la radiation lumineuse est absorbée par le matériau photosensible, elle cède son
énergie aux électrons du matériau les faisant passer vers des niveaux énergétiques supérieurs.

111
IV - Détecteurs optiques à semi-conducteurs (Détecteurs de lumière: les photorécepteurs)

1. Définition

 Les photorécepteurs : dispositifs photosensibles,

 Lorsque la lumière est absorbée: l’électron absorbe un photon et passe au niveau supérieur, et on obtient par
exemple un courant, une émission d’électrons ( comme dans les photomultiplicateurs), etc,
 Il y a des photorécepteurs à effet de surface: photocathodes, tubes photomultiplicateurs,  ce sont des dispositifs à
effet photoélectrique externe,
 Il y a des photorécepteurs à effet de volume: photodiodes, photorésistances,  ce sont des dispositifs à effet
photoélectrique interne,
 Certains photo-détecteurs (photorécepteurs) n’ont pas besoin d’être polarisés par une source externe (exemple:
photopile), et d’autres qui en ont besoin (exemples: photodiodes, phototransistors,…),
 Ces composants assurent au bout d’une chaine de transmission, la conversion de l’optique vers l’électrique.

Conversion de l’optique vers l’électrique

112
 IV - Détecteurs optiques à semi-conducteurs (Détecteurs de lumière: les photorécepteurs)

2. Absorption dans les semi-conducteurs: Paramètres de fonctionnement des photo-détecteurs

2.1. Matériaux semi-conducteurs utilisés pour détecteurs

 Pour avoir l’effet photoélectrique interne, il faut avoir hν ≥ hν0= Eg , soit λ ≤ λ0, λ0 est la longueur d’onde seuil de l’effet
photoélectrique, elle est telle que:

Dans l’hypothèse contraire λ ≥ λ0, le corps pourra être supposé comme transparent. Le photon traverse le matériau sans
être absorbé.
 Les matériaux utilisés sont nombreux:
 Le Silicium , Si, d ’énergie de gap Eg = 1.12 eV, est utilisé dans le domaine visible, 450 nm < λ < 750 nm , et le
proche infrarouge jusqu'à 1 μm,
 Le Germanium ,Ge, d ’énergie de gap Eg = 0.67 eV , est utilisé dans le proche infrarouge, 900 nm < λ < 1700 nm .

 Les transmission par fibre optique, dans l’infrarouge proche, utilisent trois fenêtres de transmission:
dans la première fenêtre à λI = 850 nm on dispose de photodiodes en Si , et dans la deuxième, à λII = 1300 nm , et la
troisième, à λIII = 1550 nm , en InGaAs et en Ge . On utilise surtout InGaAs qui présente moins de bruit que Ge .

 Les photodiodes sont les éléments les plus sensibles et les plus rapides, elles peuvent être utilisées en mode
photoconducteur, par une jonction polarisée en inverse, par exemple dans les transmissions ou en mode photovoltaïque, à
l’aide d’une jonction non polarisée, par exemple dans les cellules solaires.
113
 IV - Détecteurs optiques à semi-conducteurs (Détecteurs de lumière: les photorécepteurs)

2. Absorption dans les semi-conducteurs: Paramètres de fonctionnement des photo-détecteurs

2.2. Coefficient d'absorption

Le phénomène important qui détermine le rendement d'une photodiode est l’absorption du matériau semi-conducteur,
caractérisée par le coefficient d'absorption α, qui est défini par unité de longueur habituellement en cm-1.

Considérons l’interface air-semi-conducteur, qui constitue la face

d’entrée du semi-conducteur et injectons un flux de lumière
monochromatique de fréquence ν.
Le flux Φi(ν) peut s’exprimer en Watts, au niveau de la surface, ce
flux va tout d’abord subir une perte due à la discontinuité des indices
de réfraction :

 Une partie du flux va être réfléchie: Φr(ν)=R. Φi(ν)

Incidence, réflexion et réfraction de la lumière
2
Φr n−1 à l’interface air/semi-conducteur
Avec: R le coefficient de réflexion de la lumière R= = 2
Φi n+1

 Et, l’autre partie va être transmise: Φt(ν,x=0)=T.Φi(ν)=Φ0(ν)

Φt 4n
Avec: T le coefficient de transmission T= = 1−R = 2
Φi n+1

Avec : Φi(ν)=Φr(ν)+ Φt(ν,x=0)

114
 IV - Détecteurs optiques à semi-conducteurs (Détecteurs de lumière: les photorécepteurs)

2. Absorption dans les semi-conducteurs: Paramètres de fonctionnement des photo-détecteurs

2.2. Coefficient d'absorption

La majorité des matériaux semi-conducteurs est caractérisée par un indice de réfraction dont la valeur est comprise entre 3 et 4.
La réflexion de la lumière à la surface du semi-conducteur produit alors une perte de l’ordre de 30%.

A l’intérieur du matériau, le flux de lumière subit une perte en fonction de la profondeur x de pénétration, liée à l’effet
photoélectrique.
Admettant un taux relatif de pertes constant, correspondant à une loi normale d’un corps homogène, on aura :
1 dΦt ν, x
α ν, x = α ν = − [cm-1]
Φt ν, x dx
α(ν) ou α(λ) est le coefficient d’absorption de la lumière de fréquence ν Variation de Φ(x)/Φ0,
(longueur d’onde λ), par le semi-conducteur. En considérant une variation du pour différentes valeurs
de α : α1> α2> α3
coefficient d’absorption α(λ) en fonction de la longueur d’onde, on peut écrire :

Φt(λ,x) = Φt(λ,0)e-α(λ)x =Φ0 e-α(λ)x

Absorption
exponentielle de la Plus α est grand l’absorption se fait en surface
lumière par le semi- Plus α est faible l’absorption se fait en volume
conducteur.
115
IV - Détecteurs optiques à semi-conducteurs (Détecteurs de lumière: les photorécepteurs)

2. Absorption dans les semi-conducteurs: Paramètres de fonctionnement des photo-détecteurs

2.2. Coefficient d'absorption

Les courbes de la figure ci-dessous donnent l’évolution du On peut distinguer plusieurs zones dans la variation de

coefficient d’absorption α(λ) pour certains matériaux l’absorption en fonction de la longueur d’onde :

semi-conducteurs utilisés dans la fabrication de photo-

 Une zone d’absorption pour 𝜆< λ0 où l’on peut
détecteurs.
considérer en première approximation 𝛼 constant,
 Une zone de transparence pour 𝜆> λ0 (𝛼 devient nul),
 Une zone où 𝛼 devient très grand pour des longueurs
d’onde petites (𝜆<<λ0) et où pratiquement toute
l’absorption se fait à la surface avec un temps de
recombinaison est très court.

Coefficients d’absorption dans différents semi-conducteurs

116
IV - Détecteurs optiques à semi-conducteurs (Détecteurs de lumière: les photorécepteurs)

2. Absorption dans les semi-conducteurs: Paramètres de fonctionnement des photo-détecteurs

2.3. Rendement quantique

Le rendement quantique (efficacité) d’un photodétecteur représente le rapport entre le nombre de paires électron-trou
collectées et le nombre de photons incidents. Il est donné par :

𝐼𝑝 Τ𝑞
ⴄ𝑒 =
𝛷𝑖 Τℎ 𝜈

𝐼𝑝 : Photocourant et 𝛷𝑖 : Flux incident en Watt

D’où vient cette formule?

Réponse: rappelez-vous que dans la partie de la LED, on a montré que: Nph/Ne = Nph/(I/e)=eNph/I,
Donc: Ne/Nph = I/eNph = (I/e)/Nph = (I/q)/Nph

117
IV - Détecteurs optiques à semi-conducteurs (Détecteurs de lumière: les photorécepteurs)

2. Absorption dans les semi-conducteurs: Paramètres de fonctionnement des photo-détecteurs

2.4. Sensibilité spectrale

La sensibilité (réponse) spectrale du photodétecteur correspond au rapport entre le photocourant et la puissance optique
incidente pour chaque longueur d’onde :

Où le rapport q/hc vaut 0.8 et 𝜆 est exprimée en μm.

Un exemple de sensibilité pour les trois semi-conducteurs les plus utilisés comme détecteurs dans les transmissions par fibre
optique en fonction de la longueur d'onde 𝜆.

 Le silicium peut détecter le visible et le proche IR

jusqu’à 1 μm,
 Le germanium peut être utilisé pour le proche IR :
1.3 à 1.5 μm,
 Au-dessus de ces longueurs d’onde, on peut
utiliser les composés type InSb, PbSe et HgCdTe

118
IV - Détecteurs optiques à semi-conducteurs (Détecteurs de lumière: les photorécepteurs)

3. Photodiodes
3.1. Principe de fonctionnement

 La photodiode est une diode non encapsulée,

 Elle fonctionne en polarisation inverse en étant soumise à un rayonnement,
𝑉ൗ
 Le courant qui circule dans une photodiode dans l’obscurité est donné par:𝐼 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑈𝑇
−1 ,

Avec IS représentant le courant de saturation, UT = 26 mV à 300K, et V représentant la tension appliquée (négative),

 Lorsque la diode est polarisée en inverse et 𝑉 ≫ 𝑈𝑇 , alors I = −𝐼𝑆 ,
 Le courant est du aux porteurs minoritaires des régions p et n et à la génération des paires électrons-trous dans la
ZCE ( zone de déplétion).

Schéma d’un circuit simple contenant une photodiode

Schéma d’une photodiode 119
 IV - Détecteurs optiques à semi-conducteurs (Détecteurs de lumière: les photorécepteurs)

3. Photodiodes
3.1. Principe de fonctionnement
La lumière incidente (photons) crée de nouvelles paires électrons-trous (porteurs minoritaires) dans les 3 régions:

 Les électrons minoritaires générés dans la région P diffusent vers la ZCE, tandis que les trous minoritaires générés dans la
région n diffusent dans le sens contraire mais eux aussi vers la ZCE. Ces porteurs minoritaires participent de ce fait au courant
total par ce qu’on appelle des photocourants de diffusion Ie,diff et Ip,diff,

 Dans la ZCE, les paires électrons-trous générées sont dissociés et chaque type de porteur va dans un sens opposé de l’autre
(électrons minoritaires vers la région n, et trous minoritaires vers la région p). Ces porteurs minoritaires générés dans la ZCE

participent eux aussi au courant total par ce qu’on appelle un photocourant de génération Ig,

 Rappelons que les porteurs majoritaires sont bloqués.

 Le courant total, ou bien le photocourant total s’écrit:

Iph = Ie,diff + Ip,diff + Ig

 D’où, le courant total inverse de la diode est égale à:

𝑉ൗ
𝐼 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑈𝑇 − 1 − 𝐼𝑝ℎ

Donc, en inverse il augmente en valeur absolu.

Mécanisme de conduction dans les photodiodes 120
IV - Détecteurs optiques à semi-conducteurs (Détecteurs de lumière: les photorécepteurs)

3. Photodiodes
3.2. Mode de fonctionnement
Une photodiode peut être utilisée suivant deux modes :

Mode photoconducteur : ici on applique une tension Mode photovoltaïque : qui correspond à une
inverse, c'est le mode le plus utilisé pour les longueurs diode non polarisée en circuit ouvert.
d'onde dans le visible et dans le proche infrarouge,

Mode photoconducteur Mode photovoltaïque

La caractéristique courant-tension d’une photodiode dans les deux modes

121
 IV - Détecteurs optiques à semi-conducteurs (Détecteurs de lumière: les photorécepteurs)

3. Photodiodes
3.2. Mode de fonctionnement
Mode photoconducteur: Mode de fonctionnement Mode photovoltaïque: Mode de fonctionnement
polarisation inverse (V0 <0) photovoltaïque (I=0)
Les photodiodes sont polarisées en inverse avec des tensions En circuit ouvert, dans la photodiode on a I=0,
de l'ordre de 5V et inférieures à la tension d'avalanche, afin
de réduire le temps de transit et la capacité de jonction. Donc 𝐼𝑆 𝑒
𝑉ൗ
𝑈𝑇 − 1 − 𝐼𝑝ℎ =0 avec V=VCO,
𝑉ൗ
 On a 𝐼 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑈𝑇
− 1 − 𝐼𝑝ℎ , et puisque V0 ≈ 5V ( plus que
𝐼𝑝ℎ
D’où: 𝑉𝐶𝑂 = 𝑈𝑇 ln +1
ça, on risque d’avoir l’effet avalanche), et dans le cas où: 𝐼𝑆

𝑉0 ≫ 𝑈𝑇 , avec V0 négatif, alors : VCO est donc proportionnelle au log népérien de Iph et donc
I = IS – Iph ≈ - Iph car IS est petit. aussi proportionnelle au log népérien du rayonnement.
Par conséquent, le photocourant total I est proportionnel à
l’intensité de la lumière incidente.

La caractéristique I(V) d’une photodiode en obscurité et sous éclairement 122

IV - Détecteurs optiques à semi-conducteurs (Détecteurs de lumière: les photorécepteurs)

3. Photodiodes
3.3. Temps de réponse de la photodiode

 C’est le temps qui s’écoule entre la réception du signal lumineux et la sortie d’un courant électrique,
 Le temps de montée c’est le temps qu’il faut pour que le courant de sortie de diffusion passe de 10% à 90% de sa valeur
maximale,
 La diffusion des porteurs minoritaires des régions p et n vers la ZCE prend un temps tdiff ≈ 10-9 à 10-8 s,

 Le transit des porteurs photogénérés à travers la ZCE prend un

temps tg ≈ 10-11 à 10-10 s,
 On sait par ailleurs que tg = W/Vd, avec Vd vitesse des porteurs dans
la ZCE, et W la largeur de la ZCE,
 Pour favoriser le mécanisme de génération par rapport à la diffusion :
(i) On minimise la zone frontale,
(ii) On élargit la ZCE pour absorber le maximum de rayonnement.

Temps de réponse d’une photodiode

123
IV - Détecteurs optiques à semi-conducteurs (Détecteurs de lumière: les photorécepteurs)

3. Photodiodes
3.4. Efficacité quantique de la photodiode

Pour calculer ⴄe considérons le cas idéal :

 d’une structure où les épaisseurs, d1 et d2, des régions P+ et N sont très
faibles devant la zone de charge d’espace W,
 où toutes les paires photo-générées sont collectées (pas de
recombinaisons).

Pour un flux de lumière incidente Φi (W), le flux qui pénètre dans la diode, suite à la Photodiode idéale
discontinuité d’indices, est :

Le flux qui reste après une profondeur de pénétration x est :

En négligeant d1 devant W, la perte de puissance par absorption dans W est :

Cette quantité correspond aux photons qui sont à l’origine de la génération de paires électron-trou.
En négligeant le courant de diffusion devant le photocourant de génération dans la zone de charge d’espace, le courant peut
avoir pour expression:

Ainsi le rendement quantique de la photodiode est :

124
IV - Détecteurs optiques à semi-conducteurs (Détecteurs de lumière: les photorécepteurs)

3. Photodiodes
3.4. Efficacité quantique de la photodiode

Par ailleurs, pour une longueur d’onde donnée, cette efficacité quantique est reliée à la réponse spectrale de la
photodiode par :

125
IV - Détecteurs optiques à semi-conducteurs (Détecteurs de lumière: les photorécepteurs)

3. Photodiodes
3.4. Bruits

 Le bruit est un signal qui perturbe la détection de la photodiode,

 Il y a le bruit externe lié au rayonnement de l’ambiant à dominante IR et il y a le bruit interne,
 Il y a plusieurs sortes de bruits internes. Chacun d’eux est représenté par une source de courant dont l’intensité efficace est
la racine carrée de la valeur quadratique moyenne du courant de bruit correspondant.

 Bruit d’origine thermique

 Il représente les fluctuations de tension (et de courant) à l’équilibre thermodynamique suite aux mouvements aléatoires des
charges engendrées par la température,
 La valeur quadratique moyenne du courant de bruit thermique est donnée par la formule de Johnson Nyquist:

2
4𝑘𝐵 𝑇
𝐼𝑡ℎ = ∆𝑓
𝑅
R: résistance équivalente du circuit, Δf: la bande passante.

 La valeur efficace de courant de bruit généré est :

2
𝑖𝑡ℎ = 𝐼𝑡ℎ

126
 IV - Détecteurs optiques à semi-conducteurs (Détecteurs de lumière: les photorécepteurs)

3. Photodiodes
3.4. Bruits

 Bruit de grenaille ou de jonction ( Bruit Schottky: shot noise)

 Même en l’absence de lumière, il y a quand même un courant sous l’effet de température. On l’appelle courant de l’obscurité
(il est du à l’agitation thermique),
 Donc, le courant d’obscurité et le photocourant, tous les deux sont à l’origine du bruit de grenaille,
 La formule de Schottky donne:
𝐼𝑆2 = 2𝑞 𝐼0 + 𝐼𝑝 ∆𝑓

Et aussi: 𝑖𝑆 = 𝐼𝑆2

 Bruit de scintillation ou bruit en 1/f

 C’est un bruit basse-fréquence ( ne prédomine qu’à basse fréquence),

 Ce bruit existe lorsque le détecteur est utilisé en lumière modulée,
 La loi de sa densité spectrale: ∆𝑓
𝐼𝑓2 = 𝐶𝐼𝛼 Avec C=cste, α=2, 0.8<β<1.5
𝑓𝛽
 Ce bruit est négligeable.
127
IV - Détecteurs optiques à semi-conducteurs (Détecteurs de lumière: les photorécepteurs)

3. Photodiodes
3.4. Bruits

 Bruit total

 La moyenne quadratique du bruit c’est la somme des moyennes quadratiques de tous les autres bruits.
2
𝐼𝐵2 = 𝐼𝑡ℎ + 𝐼𝑆2

Et: 𝑖𝐵 = 𝐼𝐵2
𝑆 𝐼𝑝2
 Le rapport signal sur bruit en puissance est donné par: = 2
𝐵 𝐼𝑡ℎ + 𝐼𝑆2

𝐼𝑝2 Indique la puissance électrique du signal au niveau de la diode.

En décibels: 𝑆 𝑆
= 10 log
𝐵 𝑑𝐵
𝐵

 Le seuil de la détection est atteint lorsque:

𝑆
=1
𝐵 𝑑𝐵
128
IV - Détecteurs optiques à semi-conducteurs (Détecteurs de lumière: les photorécepteurs)

3. Photodiodes
3.5. Détectivité et NEP (puissance équivalente de bruit)
 Le « NEP » caractérise la puissance d’entrée ,minimale qu’on peut détecter pour discerner le signal du bruit. On a:
𝛷𝑜𝑏𝑠
𝑁𝐸𝑃 = 𝑒𝑛 𝑊 Τ 𝐻𝑧
∆𝑓

 La détectivité est l’inverse du NEP:

1 ∆𝑓 𝑒𝑛 𝐻𝑧Τ𝑊
𝐷= =
𝑁𝐸𝑃 𝛷𝑜𝑏𝑠

 La détectivité réduite (spécifique) D* représente le rapport de détectivité à l’unité de surface A (elle permet de
comparer les photodétecteurs entre eux)
∆𝑓 𝐴
𝐷∗ = 𝑒𝑛 𝑊 −1 𝑐𝑚 𝐻𝑧
𝛷𝑜𝑏𝑠

 Le NEP et la détectivité doivent être spécifiés par rapport aux conditions de détection suivantes:
1- La longueur d’onde, 2- La fréquence du signal, 3- La température, 4- La surface A du détecteur, 5- La bande passante Δf.

3.6. Structures dérivées

 Photodiode PIN, Photodiode à avalanche APD.

129
 IV - Détecteurs optiques à semi-conducteurs (Détecteurs de lumière: les photorécepteurs)

Exercice

On considère une photodiode d’efficacité quantique ⴄ = 85%. Elle reçoit un signal lumineux de 50 mW de puissance
dont la longueur d’onde est λ = 1.3 µm.
1) Que doit être la largeur de la bande interdite pour que la photodiode puisse fonctionner avec la longueur
d’onde utilisée.
2) Calculer le nombre des électrons crées.
3) Calculer la sensibilité spectrale et déduit l’intensité du photocourant générée par la photodiode.
4) On considère différents semi-conducteurs dont on rappelle les largeurs de bandes interdites exprimées en eV.

Quels seraient les matériaux appropriés pour réaliser une photodiode devant détecter une radiation lumineuse
de longueur d’onde égale à 1,55 µm, pourquoi ?

Données : h = 6,625.10-34J.s et c = 3.108 m/s 130

 V - fibres optiques

1. Introduction
Pour transmettre l'information émise par les sources optiques il faut disposer de milieux matériels ayant des faibles pertes et pouvant
guider la lumière. Le matériau privilégié est le verre de grande pureté, qui est la silice 𝑆𝑖𝑂2.

Si on veut transmettre un signal électrique, il sera converti, dans un premier lieu, en un signal lumineux proportionnel, grâce à un
ensemble de composants optoélectroniques appelé émetteur; qui assure également la modulation du signal. Ce signal est guidé par la
fibre optique, et aboutit finalement au récepteur dans lequel il développe un signal proportionnel au signal initial; et ce signal sera
démodulé avant de parvenir à l'usager.

Illustration schématique d'une ligne de transmission de données à fibre optique 131

 V - fibres optiques

1. Introduction

Une fibre optique est un fil en verre (ou en plastique) très fin (diamètre de quelques μm à une centaine de μm) qui nous permet de faire
circuler de la lumière transportant un grand débit d’informations (données informatiques, sons, images, téléphone, visioconférence…) qui
peut atteindre les Tbit/s.

La fibre optique constitue actuellement l’élément important dans les

télécommunications optiques à grandes distances et dans la fabrication des
capteurs très sensibles comme les capteurs de température, de pression… Ses
propriétés sont aussi exploitées d’une manière très large en médecine (en
chirurgie, en endoscopie pour éclairer l’intérieur du corps et transmettre les
images jusqu’au médecin), en aéronautique et en éclairage (espaces publics ou
domestiques).

Cette forte utilisation de la fibre optique est favorisée par le grand développement
que connaît l’industrie des composants optoélectroniques : les sources LASERs,
les LEDs, les photodiodes, les phototransistors.
Illustration schématique d'une ligne de
transmission de données à fibre optique

132
V - fibres optiques

2. Constitution et principe de transmission

 Une fibre optique est un guide d'onde diélectrique de géométrie cylindrique,

 La lumière, est confinée à l'intérieur du guide et se propage le long de l'axe de la fibre optique,
 La propagation se fait sous forme de modes, seulement un nombre fini de modes se propage le long de la fibre.
 La fibre optique est constituée d’un cœur cylindrique de silice dopée, entouré par une gaine optique en silice dont l’indice de
réfraction est plus faible que celui du cœur et le tout est protégé par un revêtement en plastique,
 La partie centrale d’une fibre optique est le cœur d'indice nc, elle est entourée par la gaine constituée du même matériau
mais d'indice légèrement inférieur ng. La condition de guidage impose ng < nc,
 Les principales qualités des fibres optiques sont : une faible absorption, une faible dispersion, l’insensibilité aux parasites
électromagnétiques, pas de rayonnement propre vers l'extérieur, une taille réduite, un poids faible, l’isolation électrique
totale et pas de déflagration en cas de rupture.

Constitution d’une fibre optique Principe de la transmission de la lumière dans une fibre optique 133
 V - fibres optiques

3. Types de fibres optiques

Il existe 2 grands types de fibres optiques, les fibres monomodes, où l'onde lumineuse circule dans le cœur de la
fibre, et les fibres multimodes (à saut ou à gradient d'indice), où l'onde se réfléchie sur les parois de la fibre.
La fibre multimode peut être classée en deux catégories : la fibre multimode à saut d’indice et la fibre multimode à
gradient d’indice.
L’allure de l’indice de réfraction nc du cœur joue un rôle important dans la propagation de la lumière dans la fibre.
La fibre optique à saut d'indice ‘SI’, où l’indice est constant dans le cœur et la fibre optique à gradient d'indice ‘GI’,
où le cœur possède un indice dépendant de la position, que l’on trouve dans les fibres optiques multi modes.

•Multimode : dans lequel il existe différents modes de

propagation de la lumière au sein du cœur de la fibre.
•Monomode : dans lequel il existe un seul mode de
propagation de la lumière, le mode en ligne droite.

La fibre monomode La fibre multimodale La fibre multimodale

à saut d’indice à saut d’indice à gradient d’indice

134
 V - fibres optiques

3. Types de fibres optiques

3.1. La fibre optique multimodale à saut d’indice
La fibre à saut d’indice est une fibre dont l’indice de réfraction est uniforme dans le cœur et fortement réduit dans l'interface cœur-gaine en
raison d’un indice de réfraction plus faible dans la gaine.
La fibre à saut d'indice est constituée d'un cœur et d'une gaine optique ayant un indice de réfraction différent et constant.
Le cœur de fibre multimode à saut d’indice est constitué entièrement d’un seul type de matériau tandis que la gaine optique est faite
d’autre type de matériaux avec des caractéristiques optiques différentes.
Pour la fibre multimode à saut d’indice, la lumière se propage le long de l'axe de la fibre en zigzag selon le principe de la réflexion totale. La
lumière qui pénètre dans la fibre sous différents angles d'incidence empruntera des chemins différents.
Bien que les lumières incidentes se propagent à la même vitesse simultanément à l'entrée, le temps nécessaire pour atteindre la sortie de la
fibre est différent, ce qui entraîne une dispersion temporelle appelée dispersion modale.
En général, le diamètre du cœur est élevé. Ainsi, le fort diamètre du cœur provoque une dispersion importante des signaux qui la
traversent, impliquant une déformation du signal d'entrée.

135
 V - fibres optiques

3. Types de fibres optiques

3.2. La fibre optique multimodale à gradient d'indice
La fibre multimode à gradient d'indice est un type de fibre optique dont l'indice de réfraction est plus élevé dans l'axe du cœur, puis diminue
progressivement vers l'interface cœur-gaine. C'est-à-dire que l'indice de réfraction d'une fibre à gradient d'indice diminue progressivement à
partir de son centre, et finit par atteindre la même valeur que la gaine au bord du cœur. Le changement d'indice de réfraction provoque une
réfraction plutôt qu'une réflexion totale interne. Lorsque la lumière traverse une couche ayant un indice de réfraction plus faible, elle se
replie sur l'axe de la fibre. La réflexion totale interne ne se produit pas car la réfraction ramène la lumière dans l'axe de la fibre avant qu'elle
arrive au niveau de la gaine.

Dans le cas de la fibre multimode à gradient d'indice, la lumière se propage vers l'avant sous forme d'oscillation sinusoïdale.
Comme les fibres multimodes à saut d’indice, les différentes lumières d'une fibre multimode à gradient d'indice suivent des chemins
différents. Cependant, la vitesse de propagation de la lumière dans les fibres multimodes à gradient d'indice est différente car la vitesse de la
lumière guidée varie en fonction de l'indice de réfraction du cœur de la fibre. Plus la lumière s'éloigne du centre de la fibre, plus sa vitesse
est rapide.

136
V - fibres optiques

3. Types de fibres optiques

Quelle est la différence entre les fibres multimodes à saut d’indice et à gradient d’indice ?

137
V - fibres optiques

3. Types de fibres optiques

3.3. La fibre optique monomode à saut d’indice

La fibre monomode possède un cœur très fin. Le chemin de propagation est ainsi unique, direct et parallèle à l'axe de la
fibre.
La dispersion modale est alors quasi-nulle. L'impulsion d'entrée se retrouve en sortie non déformée. C'est le type de fibre
le plus performant de ce point de vue.

138
 V - fibres optiques

3. Types de fibres optiques

3.4. Dimensions
a) Les fibres optiques multimodales sont caractérisées par une région de cœur assez importante. Les valeurs typiques du
diamètre du cœur (2a) sont 50 à 100 μm pour des diamètres de gaine (2b) de 125 à 250 μm. Les rayons lumineux se
déplacent dans la fibre en rebondissant dans le cœur grâce aux réflexions totales. Pour la fibre à saut d'indice, la
dispersion des rayons lumineux est très grande, ce qui provoque une déformation du signal reçu et une forte
atténuation du signal à la sortie. Elle est utilisée dans le transport de données et elle est, à ce jour, la fibre la plus
utilisée.
Certains défauts ont été corrigés pour la fibre à gradient d'indice ; en effet, cette fibre est composée de plusieurs couches à
indices de réfraction croissants, ce qui permet de ramener ''délicatement'' le rayon vers le centre de la fibre et par
conséquent de diminuer l'atténuation à la sortie. Elle est utilisée dans les réseaux locaux.

b) Cependant, La fibre monomode a un diamètre de cœur plus petit par rapport au diamètre de la gaine. Il est
typiquement de 5 à 10 μm pour un diamètre de la région de gaine de 125 μm. Les rayons lumineux se déplacent donc
quasiment en ligne droite ce qui diminue alors considérablement l'atténuation.

Dimensions de fibres optiques multimodale (a) et monomode (b)

139
V - fibres optiques

3. Types de fibres optiques

3.4. Dimensions

On remarque que c'est la fibre monomode qui présente les meilleures performances : le signal est le moins atténué et le
moins déformé et sa bande passante est la plus grande.

Bien que son coût soit plus élevé que les autres types de fibres, elle peut ainsi être considérée comme un important
progrès dans le transport d'informations.

140
V - fibres optiques

4. Fibre optique à saut d'indice

4.1. La différence relative d'indices

L’indice de réfraction de la région du cœur (nc), dans une fibre optique, est généralement de l’ordre de 1.4 à 1.5, il
est légèrement supérieur à celui de la gaine (ng). L’écart relatif Δ donné par :

La différence relative d'indices, qui donne une mesure du saut d'indice entre le cœur et la gaine est de l’ordre de 0.001à
0.01,

141
V - fibres optiques

4. Fibre optique à saut d'indice

4.2. Ouverture numérique

Ce facteur dépend de nc et ng, il se définit comme la mesure d’un

cône de lumière qu’une fibre optique peut accepter pour donner
une réflexion totale des ondes.

Cône d’acceptante représentant

Injectons à l’intérieur de la fibre optique un rayon lumineux avec l’ouverture numérique de la fibre optique

un angle θ0 , l’onde transmise dans le cœur de la fibre optique va

faire un angle θ1 avec la normale au plan de séparation des deux
milieux cœur/gaine.

L’onde subit une réflexion dans la région de cœur avec un angle

θ1 et une réfraction dans la gaine avec un angle θ2 Suivant la loi
de Snell-Descartes:

nc sinθ1 = ng sinθ2 Réfraction du faisceau

lumineux à l’interface cœur/gaine

142
V - fibres optiques

4. Fibre optique à saut d'indice

4.2. Ouverture numérique

Comme l’indice de réfraction de la région de cœur nc est supérieur à ng, l’angle

θ1 est alors inférieur à θ2 :
 il existe un angle θ1 = θc pour lequel θ2 = π /2,
 θc est appelé angle critique : angle pour lequel le rayon est réfracté
parallèlement à la gaine.

On a alors : nc sinθc = ng sin(π /2) ,ce qui donne pour θc la valeur :

Réfraction du faisceau
𝑛𝑔 lumineux à l’interface cœur/gaine
𝜃𝑐 = 𝑎𝑟𝑐𝑠𝑖𝑛
𝑛𝑐
Ainsi :
 θ1>θc : l’onde est totalement réfléchie à l’interface cœur/gaine et se propage dans la fibre optique,
 θ1<θc : l’onde se perd dans la région de gaine de la fibre optique.

Ce qui correspond à la condition de guidage de l’onde dans la région de cœur suivante :

𝑛𝑔
𝜃1 >𝜃𝑐 ≥ 𝑎𝑟𝑐𝑠𝑖𝑛
𝑛𝑐
143
 V - fibres optiques

4. Fibre optique à saut d'indice

4.2. Ouverture numérique

𝜋
Nous avons : 𝑛0 sin 𝜃0 = 𝑛𝑐 sin − 𝜃1
2
Les ondes guidées dans la région de cœur viennent de l’extérieur (n0= 1), l’angle
d’incidence du rayon externe est alors lié à θc par: 𝜋
𝑛0 sin 𝜃max = 𝑛𝑐 sin − 𝜃c
2
C-à-d : 𝑛0 sin 𝜃max = 𝑛𝑐 cos 𝜃𝑐 Réfraction du faisceau
lumineux à l’interface cœur/gaine

θmax est l’angle d’acceptance ou angle maximum du faisceau externe qui peut se propager dans la fibre.

L’ouverture numérique ON est alors donnée par: 𝑂𝑁 = sin 𝜃𝑚𝑎𝑥 = 𝑛𝑐2 − 𝑛𝑔2

On peut aussi la mettre sous la forme: 𝑂𝑁 = sin 𝜃𝑚𝑎𝑥 = 𝑛𝑐 2∆

L’angle θl = (π /2-θc) est appelé angle de propagation.

Les fibres optiques ont une ouverture numérique qui peut varier de 0,16 à 0,66 et peut se situer même en dehors de ces
limites.

 Plus ON est grande, plus l’énergie introduite dans la fibre est importante (moins de pertes),
 Une petite ON ne permet l’injection que d’un faisceau issu d’une source de lumière très directive telle une diode laser.
144
V - fibres optiques

4. Fibre optique à saut d'indice

4.3. Propagation de l’onde dans la fibre optique

Une onde optique guidée par des réflexions totales internes successives peut être représentées par des faisceaux de rayons
appelés modes, on distingue:
a. La fibre optique monomode à saut d’indice

Où la région de cœur est très étroite (le diamètre du cœur est de quelques micromètres) et ne permet la propagation que du
mode axial (central). La fibre est monomode si, entre le rayon du cœur et la longueur d’onde de propagation, existe la
relation :

Ou bien :

Où ν représente la fréquence normalisée et λ0 la longueur d’onde de la radiation dans le vide.

145
V - fibres optiques

4. Fibre optique à saut d'indice

4.2. Propagation de l’onde dans la fibre optique

b. Les fibres optiques multimodales

 Chaque rayon lumineux qui se propage dans la fibre optique avec un angle différent correspond à un mode différent,
 L’étude des conditions de propagation à partir des équations de Maxwell montre qu’un seul nombre limite de types
d’ondes est susceptible de s’y propager. Il correspond aux modes de propagation,
 Lorsque le nombre de modes est important il est approché par la relation :

146
V - fibres optiques

4. Fibre optique à saut d'indice

4.2. Propagation de l’onde dans la fibre optique

Exemple :

Considérons une fibre optique avec un cœur d’indice de réfraction nc = 1.5, un écart relatif Δ = 0.003 et une ouverture
numérique ON = 0.116, dans le cas d’une onde monochromatique de λ0 = 850 nm et observons ses modes de propagation :
La fibre optique est monomode si elle présente un rayon de cœur :

147
 V - fibres optiques

4. Fibre optique à saut d'indice

4.2. Propagation de l’onde dans la fibre optique

c. La longueur d’onde de coupure

La longueur d’onde de coupure (λc) est celle au-dessus de laquelle une fibre optique, caractérisée par son ouverture
numérique et sa dimension de cœur, devient monomode. Elle est déduite des relations précédentes et s’exprime par:

En dessous de cette valeur (λc) le mode fondamental perd de l’énergie au profit des modes d’ordre supérieur.

Exemple :
Pour les longueurs d’onde utilisées en télécommunication on a des fibres optiques monomodes pour des rayons de cœurs
suivants :

148
 V - fibres optiques

5. Les fibres optiques à gradient d'indice

La fibre optique à gradient d’indice permet de réduire les pertes qui peuvent survenir par pénétration des rayons dans la région
de gaine :

 La variation graduelle de l’indice de réfraction du cœur mène à un changent moins brusque de la direction de propagation
des rayons,
 Le gradient d’indice modifie aussi la vitesse de propagation ; Les faisceaux les plus éloignés de l’axe de la fibre sont les
plus rapides.

 Il en résulte une égalisation des chemins optiques.

égalisation des chemins optiques

149
V - fibres optiques

5. Les fibres optiques à gradient d'indice

Dans le cas de fibres optiques à gradient d’indice, la variation de l’indice de réfraction est exprimée par :

Où :R est la distance par rapport à l’axe de la fibre et d le diamètre du cœur (d = 2a),

𝛼: Est un paramètre donne le profil de l’indice de réfraction du cœur de la FO.

et α est le paramètre du profil d’indice tel que ce profil est linéaire pour α =1 et parabolique pour α = 2 lorsque la valeur de α
tend vers l’infini, on retrouve le profil de la fibre à saut d’indice.

Profil d’indice pour

différentes valeurs de α 150
V - fibres optiques

5. Les fibres optiques à gradient d'indice

 On peut exprimer l’ouverture numérique de deux manières :

 Pour le mode central ou axial, ON s'exprime de la même manière que dans la fibre à saut d'indice (L’ouverture
numérique est la même que celle d’une fibre à saut d’indice, pour les rayons qui pénètrent juste au milieu de la
fibre) :

 Pour les autres modes, ON est donnée par :

 Le nombre de modes qui se propagent dans la fibre à gradient d’indice est donné par :

151
V - fibres optiques

Exercice:

Soit une fibre optique à gradient d’indice a un cœur de diamètre 50𝜇𝑚 possède un profil d’indice de
réfraction parabolique, cette FO a une ouverture numérique égale 0.2. Estimer le nombre totale des modes
guidés qui propageant dans ce FO à 𝜆 = 1𝜇𝑚 ?

152
V - fibres optiques

Exercice:

Soit un câble du FO à silice avec un cœur de diamètre suffisamment large à l’analyse théorique du rayon et possède
ainsi un indice de réfraction du cœur 𝑛𝑐 = 1.50 et l’indice de réfraction de la gaine 𝑛𝑔 = 1.47. Déterminer : L’angle
critique du l’interface Cœur / Gaine ?

153
V - fibres optiques

Exercice:
1) Une fibre à saut d’indice de 100 μm de diamètre de cœur à la longueur d’onde de 1 μm et dont l’indice de cœur est 1.48
et la différence d’indice entre le cœur et la gaine de 2.10-2.
 La fibre est-elle monomode ou multimode ?
 Calculer le nombre de modes se propageant dans cette fibre.

2) Pour la même fibre à la longueur d’onde de 1.55 μm.

 La fibre est-elle monomode ou multimode ?
 Calculer le nombre de modes se propageant dans cette fibre.

3) Que fait-il pour que la fibre soit monomode ?

154
V - fibres optiques

Exercice:
Multimode . Une fibre optique à saut d'indice possède un indice de cœur n1 = 1,48 , un indice de gaine n2 =
1,46 et un rayon de cœur a = 25mm .
1) Calculer l'ouverture numérique ON . Quel est l'angle maximum q0max du cône d'entrée pour un faisceau
injecté dans la fibre optique ?
2) Calculer pour cette fibre optique la fréquence normalisée V pour un rayonnement à lI = 850 nm et à lII =
1300 nm .
3) Combien de modes se propagent à lI = 850 nm et à lII = 1300 nm ?

Monomode . Soit une fibre optique monomode à saut d’indice de diamètre de cœur d = 8 mm avec un indice
de coeur n1 = 1,48 et un indice de gaine n2 = 1,475 .
1) Calculer l’ouverture numérique ON
2) Quel doit être le diamètre de cœur maximum pour cette fibre optique soit en fonctionnement monomode à
partir de l = 1200 nm ?
3) Pour lII = 1300 nm et lIII = 1550 nm calculer la fréquence normalisée V

155
VI - Transmissions optiques

1. Les problèmes de transmission

La liaison par fibre optique permet la transmission de données numériques codées en binaire par deux états logiques 0 et 1.
Le signal injecté dans la fibre est alors composé d’impulsions qui doivent être récupérées à l’autre extrémité de la chaine de
transmission. Or, dans une fibre optique réelle on constate que toute l'énergie lumineuse entrante n'est pas entièrement
récupérée en sortie. Il y a des problèmes de dispersion et d’atténuation qui causent cette perte d’énergie et cet élargissement
de l’impulsion pouvant mener jusqu’à la déformation de l’information.

Atténuation et étalement du signal lors de sa propagation dans la fibre optique

On rencontre, en général, trois types de problèmes :

i. Les causes d’affaiblissement (l’atténuation) dans la fibre par absorption et diffusion.
ii. Les pertes liées aux défauts de connections.
iii. Les problèmes de bandes passantes liés aux différentes dispersions du signal optique.
156
VI - Transmissions optiques

1. Les problèmes de transmission

1.1. L’Affaiblissement (Atténuation du signal )

La lumière transmise dans la fibre optique subit toujours une

atténuation (ou affaiblissement), causée essentiellement par les
pertes d’énergie au niveau de l’interface gaine/cœur et par
l’absorption due aux impuretés (𝐹𝑒, 𝐶𝑢, 𝐶𝑜, 𝑁𝑖, 𝑂𝐻−…) présents
dans le verre silice constituant le cœur de la fibre. Ces pertes
Atténuation d’un signal
d’énergie doivent être minimisées sur des grandes distances pour
pouvoir récupérer toutes les impulsions à la sortie de la fibre.

Soient P0 et PL les puissances à l’entrée et à la sortie d'une fibre de longueur L

L’ensemble des pertes que subit le rayonnement par sa propagation dans la fibre est estimé par le coefficient d’atténuation
linéique A qui dépend de la nature du matériau de cœur et de la longueur d’onde de la lumière.

L'atténuation linéique se traduit alors par une décroissance exponentielle de la puissance en fonction de la longueur de la fibre.
La puissance à la sortie de la fibre est alors donnée par :

𝑃𝐿 = 𝑃0 . 𝑒 −𝐴𝐿
157
 VI - Transmissions optiques

1. Les problèmes de transmission

1.1. L’Affaiblissement (Atténuation du signal )

L’atténuation du signal dans une fibre de longueur 𝐿 par le coefficient A en dB/km. A est donné par :

Donc, c’est rien que le rapport entre la puissance d’entrée et la puissance de sortie. A est encore appelé coefficient
d’affaiblissement du signal.

L’atténuation dans la fibre a plusieurs origines :

 Pertes par absorption moléculaire: elles sont causées par l’absorption des rayons optiques par la silice et les impuretés
contenus dans celle-ci,
 Pertes par micro courbures: elles sont dues principalement aux techniques de fabrication, elles se traduisent par
l’irrégularité de l’interface cœur-gaine. Lorsqu’un faisceau de rayons optiques atteint l’interface cœur-gaine qui présente des
irrégularités, chaque rayon incident est caractérisée par sa trajectoire qui est imposée par le point de réflexion,
 Pertes par courbures: lorsqu’on courbe une fibre, l’angle d’incidence diminue, ce qui a pour conséquence soit une conversion
de mode, soit un rayonnement dans la gaine,
 Pertes par épissurage: elles sont dues au couplage des fibres.
158
VI - Transmissions optiques

1. Les problèmes de transmission

1.1. L’Affaiblissement (Atténuation du signal )

L’atténuation de la lumière dans la fibre optique dépend fortement de la longueur d’onde λ, elle est maximale dans le domaine
des courtes longueurs l’onde (domaine du proche ultra-violet du visible), diminue progressivement dans le domaine 𝐼𝑅 et
présente des minimums autour des longueurs d’onde λ=1,30μm et λ=1,55μm .
La transmission optique du signal sur les câbles à fibres monomodes (en silice) utilise couramment les fenêtres optiques autour
des longueurs λ=1,30μm et λ=1,55μm pour récupérer les signaux avec le minimum de pertes.

Atténuation dans une fibre de silice 159

VI - Transmissions optiques

1. Les problèmes de transmission

1.2. Les pertes liées aux défauts de connections

Les défauts de connexion représentent l’une des sources les plus importantes des pertes d'une ligne de transmission par fibres
optiques. Seule la lumière qui est couplée dans le cœur de la fibre de réception se propage, tout le reste de la lumière est
perdu par connexion ou épissure.

Types de défauts de connexion entre deux fibres:

Une Séparation longitudinale Un décalage axial Un désalignement angulaire

Ces pertes sont minimes lorsque les deux cœurs de fibres sont identiques et parfaitement alignés, les connexions ou épissures
sont bien finies et aucune impureté n’est présente à l’interface.

160
 VI - Transmissions optiques

1. Les problèmes de transmission

1.3. Les pertes liées à la dispersion

 L’autre paramètre qui perturbe la propagation d’un signal lumineux dans une fibre optique est sa dispersion.
 Tout signal injecté dans une fibre optique de longueur L subit une déformation, c’est le phénomène de dispersion .
 Le phénomène de dispersion se traduit par un élargissement des impulsions au cœur de leur propagation, cet élargissement
limite la bande passante du canal.

 La dispersion est estimée en ns/km.

Evolution du signal optique après propagation dans une fibre optique

161
 VI - Transmissions optiques

1. Les problèmes de transmission

1.3. Les pertes liées à la dispersion

 Une fibre optique multimode possède une dispersion intermodale , qui a comme origine les différentes vitesses de
propagation des modes. Celle-ci est nettement plus faible dans une fibre optique à gradient d’indice que dans une fibre
optique à saut d’indice pratiquement abandonnée en télécommunications (La dispersion intermodale calculée dans les fibres
à saut d’indice est beaucoup plus grande que celle relevée sur les fibres à gradient d’indice, ce qui limite leur utilisation dans
les grandes distantes, car on risque de perdre totalement l’information transmise).

 Pour les liaisons à moyenne et longue distance, on utilise presque exclusivement le fibre monomode qui ne présente pas de
dispersion intermodale (Les fibres monomodes en silice offrent actuellement la meilleure fiabilité et la plus grande bande
passante que toute autre fibre, indispensables pour une propagation du signal sur de longues distances).
Il existe deux types de dispersion :
 La dispersion modale ou intermodale: qui résulte de la différence de temps de propagation des différentes modes qui se
propage dans la fibre multimode,
- Prépondérante dans les fibres multimodes
- Nulle dans les fibres monomodes
 La dispersion chromatique ou intramodale : qui résulte de la différence de vitesses de groupes des différentes
composantes spectrales du signal de transmission.
- Prépondérante dans la fibre monomode
- Faible par rapport à la dispersion modale dans les fibres multimodes
162
 VI - Transmissions optiques

1. Les problèmes de transmission

1.3. Les pertes liées à la dispersion

 Dispersion intermodale: (dispersion intermodale pour une fibre à saut d'indice SI)

Dans une fibre optique SI de longueur L on peut calculer la différence de

temps de parcours entre un signal se propageant avec une trajectoire
longue caractérisée par l’angle θ0max , correspondant à l’ouverture
numérique de la fibre optique, et un signal qui se propageant le long de
Chemin des rayons le plus rapide et le plus lent
l'axe pour θ = 0 . indiquant l’effet de la dispersion

Pour une distance L de fibre on obtient : avec

où avec l'angle critique à l'interface cœur-gaine

La dispersion intermodale dSI est obtenue en divisant dt par la longueur de la fibre optique L :
Dans le cas habituel où𝑛1 ≅ 𝑛2 , cette relation peut être écrite sous la forme :

163
VI - Transmissions optiques

1. Les problèmes de transmission

1.3. Les pertes liées à la dispersion

 Dispersion intermodale: (dispersion intermodale pour une fibre à gradient d'indice GI)
Les fibres GI ont été réalisées afin de diminuer la dispersion intermodale.

La dispersion théorique :

Pour Δ = 1,5% et n1 = 1,48 la dispersion théorique est dGI = 0,14 ns. Km-1 , mais en pratique à cause de l'imperfection des
interfaces on a plutôt dGI = 0,6 ns. Km-1 ,

164
VI - Transmissions optiques

1. Les problèmes de transmission

1.3. Les pertes liées à la dispersion

 Dispersion chromatique (intramodale ):

L'effet de la dispersion chromatique résulte du fait que la vitesse de propagation du mode dépend de la longueur d'onde et de
la dispersion propre du matériau. Cette dernière est due à la variation du nombre 𝑛𝑐 en fonction de la longueur d'onde. Une
impulsion lumineuse est constituée d'un paquet d'ondes et la vitesse de déplacement de l'impulsion est appelée vitesse du
groupe.

A cause de la dispersion chromatique la vitesse de groupe vg à l'intérieur d'un mode de propagation varie en fonction de la
longueur d’onde λ . Le retard de groupe du signal après une longueur L sera alors :

Dans le cas d’un signal issu d’une source émettant sur une raie de largeur ∆λ, l’impulsion va subir au bout de la longueur L, à
cause de la dispersion chromatique, un élargissement 𝛿𝑡𝑔 :
𝛿𝑡𝑔 = 𝐷𝜆 . 𝐿. ∆𝜆
∆λ : largeur spectrale de la source émettrice

Dλ coefficient de dispersion chromatique, dépendant des paramètres de la fibre et de la longueur d’onde, qui peut être calculé par :
1 𝑑𝑡𝑔
𝐷𝜆 = (s’exprime en ps/nm.km) 165
𝐿 𝑑𝜆
 VI - Transmissions optiques

1. Les problèmes de transmission

1.3. Les pertes liées à la dispersion

La dispersion modale, dite parfois intermodale. Quand on utilise une fibre multi mode, la lumière peut prendre plusieurs chemins (modes).
La distance parcourue par certains modes est donc différente de la distance parcourue par d’autres modes. Lorsqu’une impulsion est
envoyée dans la fibre optique, elle se décompose selon les différents modes, certaines composantes arrivent avant d’autres ce qui provoque
un étalement de l’impulsion. Les différents temps de propagation entrainent un étalement des impulsions émises dans la fibre optique.
Cette dispersion intermodale crée un élargissement d’impulsion

Dispersion chromatique
Comme une impulsion lumineuse issue de source optique est composée de plusieurs longueurs d’ondes, l’indice de réfraction étant
différent, selon la longueur d’onde de la lumière. Chaque longueur d’onde se propage dans la fibre optique avec une vitesse spécifique,
certaines longueurs d’ondes arrivent avant d’autres et l’impulsion s’étale (s’élargit).
Cette dispersion est due au fait que la lumière n’est pas strictement confinée dans le cœur.
Les longueurs d’ondes les plus petites auront tendance à se propager plus lentement que les longueurs d’ondes plus grandes, d’où un
élargissement de l’impulsion lumineuse.

166
 VI - Transmissions optiques

1. Les problèmes de transmission

1.3. Les pertes liées à la dispersion

EXERCICE : Fibre Optique à saut d'indice

Multimode . Une fibre optique à saut d'indice possède un indice de cœur n1 = 1,48 et un indice de gaine n2 =
1,46.
1. Calculer la dispersion intermodale pour cette fibre dSI en ns/km. (avec c = 3.108 m.s-1).
2. Quel est l'étalement δt d'une impulsion sur une longueur de 10 km ?

Monomode. Soit une fibre optique monomode à saut d’indice de diamètre de cœur d = 8,34 μm avec un indice de cœur
n1 = 1,48 et un indice de gaine n2 = 1,475.
La dispersion chromatique dans les deux fenêtres de transmission de la fibre optique, λII = 1300 nm et λIII, = 1550 nm, est
D1300nm = 3 ps.km-1.nm-1 et D1550nm = 18 ps.km-1.nm-1 .
Si l'on considère une DEL émettant à λII = 1300 nm et ayant une largeur spectrale Δλ = 50 nm, déterminer l'étalement d'une
impulsion dt1300nm (en ns) sur une longueur de 10 km. Si l'on considère une diode laser émettant à λIII = 1550 nm et ayant un
spectre sous modulation de largeur Δν = 10 GHz (0,08 nm), quel est l'étalement dt1550nm (en ns) sur une longueur L = 100 km ?

167
 VI - Transmissions optiques

1. Les problèmes de transmission

1.4. Bande passante d’une fibre optique

C’est ce paramètre, directement lié aux phénomènes de dispersion qui induit les limites d’utilisation de la fibre optique.

Pour ne pas avoir un mélange d’informations et une perte, la fréquence d’émission est donc limitée ce qui a pour conséquence de
réduire la bande passante.

Pour déterminer la bande passante d’une fibre optique, il faut connaitre l’élargissement du signal (de l’impulsion) au cours de sa
propagation suite aux phénomènes de dispersions chromatique et/ou modale.
Le codage binaire de l'information consiste à envoyer des impulsions lumineuses " bits" avec une période T et la dispersion
provoque leur élargissement dans le temps.

Pour qu’il n’y ait pas de recouvrement entre les trois impulsions à la sortie de la fibre et que le signal soit déchiffrable, il faut
que la période considérée soit supérieure ou égale à la dispersion totale

Dispersion par propagation de trois impulsions avec une période T

168
VI - Transmissions optiques

1. Les problèmes de transmission

1.4. Bande passante d’une fibre optique

La fibre optique se comporte alors comme un filtre passe bas avec une fréquence de coupure égale à :

On définit aussi la capacité de transmission d’une fibre optique. qui représente son débit d’information en bit/s par :

Comme la dispersion du signal évolue avec la longueur L de la fibre, on donne en générale la bande passante B de la fibre par
le produit :

De façon générale, la fréquence de coupure, donc la bande passante, d’une fibre optique est donnée par :

169
 VI - Transmissions optiques

2. Calcul des pertes dans une liaison par fibre optique

Les lacunes aux extrémités des fibres causent deux problèmes ; la perte d'insertion et la perte de réflexion.

Les ouvertures numériques et les diamètres de cœur sont aussi deux sources de pertes.

Le bilan d’énergie dans un système de transmission par fibre optique demande le calcul des pertes dans les composants du
système pour avoir à la réception une énergie au niveau de la sensibilité de la photodiode.

Le flux, à l’entrée du Photodétecteur doit être suffisant pour que le rapport signal sur bruit assure un taux d’erreur maximum.

Soit Pe la puissance disponible à la sortie de l’émetteur et Pr celle disponible à l’entrée de la photodiode.

L’équation du bilan des pertes est donné par :

Ligne de transmission par fibre optique

170
 VI - Transmissions optiques

3. Les Solutions pour compenser les pertes

Pour résoudre les problèmes de dispersion et d’atténuation on fait appel à certaines techniques qui permettent l’amélioration de
la forme du signal de sortie, l’amplification de son intensité et l’augmentation de la capacité de transmission.

3.1. Correction de la dispersion du signal Optique

Compenser la dispersion chromatique revient à compenser le retard dans la fenêtre de longueur d’onde utilisée.

3.2. L'amplification du signal Optique

Le but de l’amplification est de compenser les pertes en ligne de l’intensité du signal optique, essentiellement dues à
l’atténuation. On distingue :

 L'amplification électrique

Elle est obtenue par l’insertion d’un répéteur optoélectronique

composé d’un photorécepteur, d’un amplificateur électrique puis
d’un photoémetteur, avec une périodicité de 150 km.

Cette technique était utilisée avant 1995. Elle présentait le problème

de la bande passante des amplificateurs optoélectroniques qui est
limitée comparée à celle des fibres optiques. 171
VI - Transmissions optiques

3. Les Solutions pour compenser les pertes

3.2. L'amplification du signal Optique

 L’amplification optique

L’amplification optique du signal est réalisable par l’utilisation d’une «

Fibre Dopée Erbium ». Cette amplification est notée EDFA.
L’EDFA se présente comme un segment de quelques mètres (=20 m)
de fibre optique dopée à l’Erbium, insérée dans la ligne de
transmission.
Dans les systèmes optiques, il est nécessaire d’amplifier le signal
typiquement tous les 100 Km.

L’Erbium fait partie des terres rares (Terbium, Erbium, Ytterbium). Il possède des propriétés intéressantes au niveau de sa
structure électronique.
Les ions Erbium sont excités par les longueurs d'onde suivantes : 514, 532, 667, 800, 980 et 1480 nm.

172
VI - Transmissions optiques

3. Les Solutions pour compenser les pertes

3.3. Le Multiplexage

La technique du multiplexage est utilisée pour augmenter la capacité de transmission des fibres existantes tout en évitant de
poser de nouveaux câbles.
Le multiplexage représente la combinaison de signaux indépendants en un seul signal composite destiné à être transmis sur
une seule fibre optique afin de multiplier la bande passante de celle-ci. Le procédé nécessite l'utilisation en entrée d’un
multiplexeur, et en sortie d’un démultiplexeur

Les signaux optiques sont portés par des longueurs d’ondes

différentes et espacées assez largement afin d’être transmis
simultanément sans qu’ils interfèrent entre eux. Les signaux
sont amplifiés tous les 100 Km et remis en forme après plusieurs
centaines de Km.

On réalise le multiplexage principalement dans des fibres

monomodes, à partir de plusieurs diodes laser monomodes à Principe d’une liaison WDM « Wavelength Division
spectre fin ou d’une seule diode à spectre large. Multiplexing » Le multiplexage en longueur d’onde

173
Exercice 1 :

Dans cette partie, les rayons lumineux sont supposés issus d’une radiation monochromatique de fréquence f, de pulsation ω
et de longueur d’onde λ dans le milieu constituent le cœur.
Les différents angles utiles sont représentés sur la figure 1.

Figure 1: Fibre optique en coupe

1. A quelle condition sur i, angle d’incidence à l’interface cœur/gaine, le rayon reste-t-il confiné à l’intérieur du cœur ? On
note il l’angle d’incidence limite.
2. Montrer que la condition précédente est vérifiée si l’angle d’incidence θ est inférieur à un angle limite θl dont on
exprimera le sinus en fonction de n et il. En déduire l’expression de l’ouverture numérique ON=sinθl de la fibre en fonction
de n et n1 uniquement.
3. Donner la valeur numérique de ON pour n=1,50 et n1=1,47.
 Figure 1: Fibre optique en coupe

On considère une fibre optique de longueur L. Le rayon entre dans la fibre avec un angle d’incidence θ variable compris entre
0 et θl. On note c la vitesse de la lumière dans le vide.

4. Pour quelle valeur de l’angle θ, le temps de parcours de la lumière dans la fibre est-il minimal ? maximal ? Exprimer alors
l’intervalle de temps δt entre le temps de parcours minimal et maximal en fonction de L, c, n et n1.

5. On pose 2Δ=1- (n1/n)2. On admet que pour les fibres optiques Δ<<1. Donner dans ce cas l’expression approchée de δt en
fonction L, c, n et Δ. On conservera cette expression de δt pour la suite du problème.
On injecte à l’entrée de la fibre une impulsion lumineuse d’une
durée caractéristique t0=t2-t1 formée par un faisceau de rayons
ayant un angle d’incidence compris entre 0 et θl. La figure 2 ci-
contre représente l’allure de l’amplitude A du signal lumineux
en fonction du temps t.
6. Reproduire la figure 2 en ajoutant à la suite l’allure du signal
lumineux à la sortie de la fibre.
Quelle est la durée caractéristique 𝑡0′ de l’impulsion lumineuse en Figure 2: Impulsion lumineuse
sortie de fibre ?
Le codage binaire de l’information consiste à envoyer des impulsions lumineuses (appelées « bits ») périodiquement avec
une fréquence d’émission F.
7. En supposant t0 négligeable devant δt, quelle condition portant sur la fréquence d’émission F exprime le non-
recouvrement des impulsions à la sortie de la fibre optique ?
Pour une fréquence F donnée, on définit la longueur maximale Lmax de la fibre optique permettant d’éviter le phénomène de
recouvrement des impulsions. On appelle bande passante de la fibre le produit B=Lmax. F.
8. Exprimer la bande passante B en fonction de c, n et Δ.
9. Calculer la valeur numérique de Δ et de la bande passante B (exprimée en MHz.km) avec les valeurs de n et n1 données
dans la question 3. Pour un débit d’information de F=100 Mbits.s-1= 100 MHz, quelle longueur maximale Lmax de fibre
optique peut-on utiliser pour transmettre le signal
Exercice 2 : La fibre optique à saut d’indice

Pour guider la lumière dans une direction donnée, on réalise des fibres optiques, longs fils cylindriques dont l’indice diminue
quand on s’éloigne de l’axe. La lumière suit la direction moyenne de l’axe grâce au phénomène de réflexion totale, à
condition que le faisceau incident ait une ouverture angulaire convenable.
Dans le modèle qui suit, on considère que la fibre est constituée d’un cœur cylindrique de rayon a, d’indice n1=1,510 et d’une
gaine de rayon extérieur b, d’indice n2=1,495.
1. Un rayon incident se propage dans l’air dans un plan axial de la fibre
et arrive en I, à une distance OI<a de l’axe, sur une extrémité de la fibre,
sous un angle d’incidence i0.
On note i1 l’angle que fait le rayon avec la normale séparant le gain du
cœur. Déterminer la condition sur i1 tel qu’il y a guidage dans la fibre.
2. Exprimer la relation entre i0 et i1.
3. En déduire la condition sur i0, de la forme i0<im, permettant le
confinement du rayon dans la fibre.
4. On appelle ouverture numérique ON la quantité sin(im). Exprimer ON en
fonction de n1 et n2.
5. Supposons que l’on envoie dans la fibre une impulsion lumineuse sous la
forme d’un faisceau conique convergente, de demi-angle au sommet is<im.
Calculer le temps t0 mis pour parcourir une distance L pour un rayon d’angle
i0 = 0, puis le temps t1 pour un rayon d’angle is. Que constate-t’on ?
6. Evaluer Δt=t1-t0 pour L=10m, is=8° et c=3x108 m.s-1.