Russello Carmelo 10/02/2025

Empain Matteo
Vanherreweghen Nathan

RAPPORT LABO VI
EXPÉRIMENTATION BJT (SUITE) +
MULTIVIBRATEUR ABRAHAM BLOCH

2024-2025
Table des matières
Objectifs et références des matériels. .......................................................................................................................3
➢ Quels étaient les objectifs de la session ? ................................................................................ 3
➢ Les références des matériels utilisées dans le labo ? ............................................................ 3
Éléments théoriques utilisés. ....................................................................................................................................4
Le transistor : .................................................................................................................................. 4
Qu'est-ce qu'un transistor ?.............................................................................................................. 4
Les différents fonctionnements : ..................................................................................................... 5
Fonctionnement en régime de saturation :........................................................................................ 5
Exercice 2 : Astable Abraham Bloch 1 : ..................................................................................................................7
Exercice 3 : Astable Abraham Bloch 2 : ..................................................................................................................8
Exercice 4 : Astable Abraham Bloch 3 : ..................................................................................................................9
Exercice 5 : Astable Abraham Bloch 4 : ................................................................................................................10
Conclusion .............................................................................................................................................................11

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Objectifs et références des matériels.

➢ Quels étaient les objectifs de la session ?

Comprendre le fonctionnement d’un transistor bipolaire au travers différent montages simples.

Savoir déterminer quelles sont les fonctions de ces montages lorsque ces derniers
fonctionnent.(exemple : amplification en courant). 𝜏
➢ Les références des matériels utilisées dans le labo ?

Oscilloscope numérique : Tektonix TDS 2001C 50MHz, 500MS/s

Alimentation variable continue : Elix 20223
Fiche banane rouge : ARCVELTLM27R
Fiche banane noir : ARCVELTLM27B
Pince crocodile : VELCM11N
Adaptateur BNC: FIC0300 Resistance
Sonde oscillo: VELPROBE60S
Breadboard: VELVTBB2N
Résistances : 2,2KΩ, 22KΩ, 47KΩ, 220KΩ, 1MΩ
Ampèremètre : metrix n°4, fluxion DMM100 et Fluke 115 TRUE RMS Multimeter.
Transistor : BC549C
Condensateurs : 1nF

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Éléments théoriques utilisés.

Le transistor :

Qu'est-ce qu'un transistor ?

Avant tout, voilà la photo d'un transistor :

➢ Il existe 4 grandes familles, qui sont : les transistors bipolaires, les transistors à effet
de champ, les transistors uni-jonction et les transistors hybrides (qui allient en eux
deux types de transistors).
➢ La technologie : pour chaque famille de transistor, il existe une ou plusieurs
technologies différentes. On retrouve les technologies NPN et PNP pour les transistors
bipolaires ; les technologies CMOS et FET pour les transistors à effet de champ ;
enfin, la technologie IGBT chez les transistors hybrides.
Au cours de ce labo nous avons utilisé le transistor bipolaire à technologie NPN.

Symbole Définir : B, C, E
C : C'est par le collecteur que les courants
vont entrer dans le transistor. Cependant, et
ce n'est pas rare, on peut récupérer le signal
de sortie sur le collecteur. Nous verrons cela
plus loin.

B : La base joue un rôle déterminant pour le

transistor. Car c'est elle qui commande le
passage du courant à travers le transistor.

E : Les courants de base et de collecteur qui

entrent dans le transistor ont besoin de sortir
de celui-ci, sinon il y a problème !
L'émetteur a été inventé pour ça. C'est donc
par lui que sortent les courants provenant de
la base et du collecteur. On récupère là aussi
le signal de sortie.

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Les différents fonctionnements :

Il existe plusieurs façons d'utiliser un transistor ! Ou plus exactement, le transistor peut

fonctionner dans deux régimes différents :
➢ Régime de saturation : dans ce régime, le transistor peut avoir deux états : un état
"bloqué" ou un état "passant" (ou « saturé »). On parle de saturation lorsque le transistor
est à l'état passant, c'est à dire lorsque le courant traverse le transistor du collecteur vers
l'émetteur. Inversement, il est dit bloquant lorsque le courant ne le traverse plus.
➢ Régime linéaire : différent du régime de saturation, le régime linéaire nous donne la
possibilité d'avoir une infinité d'états du transistor. Le passage du courant entre le
collecteur et l'émetteur peut donc prendre les valeurs suivantes : un tout petit peu
passant, un peu plus passant, un peu passant, moyennement passant, passant, un peu
plus passant, passant beaucoup, passant très beaucoup.

Fonctionnement en régime de saturation :

Pour comprendre le principe voici deux schémas avec un interrupteur ouvert et un fermer.

On constate (interrupteur ouvert) que

lorsque la base n’est pas alimentée
l’ampoule reste éteint, il n'y a pas de
courant qui circule entre le collecteur
et l'émetteur du transistor. Alors le
transistor est dit bloqué.

À l’inverse lorsque l’interrupteur est

fermé la base est alimentée, l’ampoule
s’allume. Le courant peut circuler
dans la base du transistor ce qui a
pour effet de rendre possible le
passage du courant entre le collecteur
et l'émetteur du transistor. Alors le
transistor est dit passant (saturé).

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Exercice 1 : Vérification de la (non)-destruction d’n BJT au travers d’un montage simple :
En théorie :
Y’a-t-il un risque de détérioration du transistor (vérifier à l’aide des « 2 paramètres critiques »
de la datasheet) ? :
1) Trouver les paramètres de la datasheet :
➔ Vcc max = 30v et Ic max = 100mA

2) Détermination du courant de base du circuit :

➔ Ib = Vcc/Rb => 12/1000000 = 12µA

3) Calcul du courant collecteur. Safe or not ? :

➔ hFE = moyenne datasheet = 495
Ic = 12 x 10-6 x 495 = 5,94mA
SAFE car : Nous respectons les valeurs maximums autorisées par la datasheet.

4) Calcul de la puissance dissipée. Safe or not ?

➔ Pdissipé = 12 x 5,94 x 10 -3 = 71mW
SAFE car : Nous respectons les valeurs maximums autorisées par la datasheet.
Partie pratique :
Mesurer IB et IC. Que vaut le gain réel ? Quelle est la puissance réelle dissipée par le
transistor ? Déterminer, par calculs et à l’aide de la datasheet (PDMAX ) la résistance de base
minimum (RBMIN ) à placer pour ne pas détruire le transistor.
➔ IB = 10µA
➔ IC = 5,75 mA
➔ hFE = 575
➔ PD = 12 x 5,75 = 69mW
➔ PDMAX = VCE x IC => 0.5 = 12 x 0.041
➔ IBMAX = 0.0041/575 = 7,1 x 10 -5 A
➔ RBMIN = (Vcc – VBE)/IB = (12-0,7)/7.1 x 10-5 = 160KΩ

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Exercice 2 : Astable Abraham Bloch 1 :
Réalisation du câblage :

Voici les résultats obtenus à l’oscilloscope :

Schéma Photo

Ch1 : T1
Ch2 : T2

Pour le schéma réalisé ci-dessus, les valeurs des résistances de bases RB1 et RB2 (étant
identique) sont de 22000Ω
1) Calculer la fréquence théorique et estimée la puissance dissipée par la résistance
collecteur.
➔ f = 1/1,38 x 22000 x 1 x 10-9 = 32 938,07 Hz
➔ PD = 12 x 5,45 = 65,45mW
2) Relever à l’oscilloscope le signal et vérifier sa fréquence ; la comparer avec votre
calcul théorique.
➔ Nous observons à l’oscilloscope la valeur de 33 784,4 Hz. C’est une valeur
assez proche de notre valeur théorique pour que l’on considère celle-ci comme
étant une valeur correcte.

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Exercice 3 : Astable Abraham Bloch 2 :
Réalisation du câblage :

Voici les résultats obtenus à l’oscilloscope :

Schéma Photo

Ch1 : T1
Ch2 : T2

Pour le schéma réalisé ci-dessus, les valeurs des résistances de bases RB1 et RB2 (étant
identique) sont de 47000Ω
1) Calculer la fréquence théorique et estimée la puissance dissipée par la résistance
collecteur.
➔ f = 1/1,38 x 47000 x 1 x 10-9 = 15 417 Hz
➔ PD = 12 x 5,45 = 65,45mW
2) Relever à l’oscilloscope le signal et vérifier sa fréquence ; la comparer avec votre
calcul théorique.
➔ Nous observons à l’oscilloscope la valeur de 15 609 Hz. C’est une valeur
assez proche de notre valeur théorique pour que l’on considère celle-ci comme
étant une valeur correcte.

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Exercice 4 : Astable Abraham Bloch 3 :
Réalisation du câblage :

Voici les résultats obtenus à l’oscilloscope :

Schéma Photo

Ch1 : T1
Ch2 : T2

Pour le schéma réalisé ci-dessus, les valeurs des résistances de bases RB1 et RB2 (étant
identique) sont de 220 000Ω
1) Calculer la fréquence théorique et estimée la puissance dissipée par la résistance
collecteur.
➔ f = 1/1,38 x 220 000 x 1 x 10-9 = 3293 Hz
➔ PD = 12 x 5,45 = 65,45mW
2) Relever à l’oscilloscope le signal et vérifier sa fréquence ; la comparer avec votre
calcul théorique.
➔ Nous observons à l’oscilloscope la valeur de 3293 Hz. C’est une valeur assez
proche de notre valeur théorique pour que l’on considère celle-ci comme étant
une valeur correcte.

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Exercice 5 : Astable Abraham Bloch 4 :
Réalisation du câblage :

Voici les résultats obtenus à l’oscilloscope :

Schéma Photo

Ch1 : T1
Ch2 : T2

Pour le schéma réalisé ci-dessus, les valeurs des résistances de bases R B1 et RB2(étant
identique) sont de 1 000 000Ω
1) Calculer la fréquence théorique et estimée la puissance dissipée par la résistance
collecteur.
➔ f = 1/1,38 x 1 000 000x 1 x 10 -9 = 724 Hz
➔ PD = 12 x 5,45 = 65,45mW
2) Relever à l’oscilloscope le signal et vérifier sa fréquence ; la comparer avec votre
calcul théorique.
➔ Nous observons à l’oscilloscope la valeur de 714 Hz. C’est une valeur assez
proche de notre valeur théorique pour que l’on considère celle-ci comme étant
une valeur correcte.

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Conclusion

1. Fonctionnement du transistor BJT

• Les différents montages réalisés ont permis d'observer les régimes de
fonctionnement du transistor bipolaire : blocage, saturation et région
active.
• L'importance de la polarisation a été mise en évidence, notamment dans
les configurations permettant l'amplification de courant.
2. Étude des montages astables (Abraham-Bloch)
• L'utilisation de résistances de base allant jusqu'à 1 MΩ a permis
d'analyser l'impact de ces valeurs sur la dynamique du signal.
On a pu démontrer que plus la valeur de ces résistances de base était
haute, plus on tenait vers un signal de sortie carré.
• Les observations à l'oscilloscope ont validé les comportements attendus
des montages astables et ont renforcé notre compréhension des
phénomènes de commutation rapide.
3. Vérification de la robustesse du BJT
• Les tests menés ont démontré la non-destruction du transistor malgré
les contraintes appliquées, soulignant la stabilité du composant dans les
conditions expérimentales.
4. CCLS finales sur la qualité des signaux (Rapport Rb/Rc)
• Commentaire : Une augmentation du rapport Rb/Rc tend à allonger la
constante de temps τ, ce qui peut conduire à une dégradation de la
forme du signal, notamment par des fronts moins nets.
• Conclusion : Une bonne optimisation du rapport Rb/Rc est essentielle
pour assurer des signaux propres et stables avec une fréquence T bien
définie.
• Limites : Des résistances trop élevées dans le circuit peuvent introduire
des instabilités ou des bruits indésirables sur les signaux.

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