CHAPITRE 2 : Purification du silicium et Fabrication du cristal
Introduction
Le silicium est le deuxième élément de la croûte terrestre où il existe essentiellement sous forme oxydée
(sable, silice, quartz). Nous définirons la "qualité du silicium" par son degré de pureté. Pour 104 ppm
d’impuretés, on aura un silicium pur à 99% dit de qualité métallurgique. Pour les applications de la
microélectronique, le niveau d’impuretés requis est de 1 ppm au total (soit pur à 99,9999%) donnant du
silicium de grade électronique (Electronic Grade Silicon EG-Si).
2.1 Réalisation des tranches de silicium
2.1.1 Préparation et purification du silicium électronique (EG-Si)
Le procédé Siemens est le standard actuel pour purifier le silicium au niveau de qualité électronique. La
silice est réduite par chauffage avec du carbone dans des fours électrique selon la réaction suivante :
SiO2 + 2C → Si + 2CO (1)
Le silicium est sorti du four, lavé puis transformé en un composé gazeux plus facile à purifier : le
trichlorosilane SiHCl3 selon la réaction suivante :
Si + 3 HCl → SiHCl3 + H2 (2)
Ce trichlorosilane doit alors subir une distillation fractionnée à 250°C pour réduire le taux d’impuretés. La
vapeur SiHCl3 purifié est ensuite décomposée et réduite par l’hydrogène à 1000°C (réaction 3), donnant lieu au
dépôt du silicium ultra pur à 99,99% de "qualité électronique".
SiHCl3 (gaz) + H2 → Si (solide) + 3 HCl (3)
Le silicium apparaît à ce stade sous forme amorphe, ce qui signifie que ses atomes sont arrangés d’une façon
aléatoire. Il n’a pas encore de structure cristalline.
2.1.2 Obtention de la structure cristalline
La cristallisation des lingots est obtenue par solidification progressive et contrôlée du silicium liquide. La
méthode la plus connue est de CZOCHRALSKI. Elle consiste à faire d’abord fondre du silicium amorphe de
qualité électronique dans un creuset de quartz chauffé par induction (Figure 21). Ensuite un germe
monocristallin convenablement orienté est disposé à la surface du silicium liquide qui se solidifie et se
cristallise suivant le même système cristallin que celui du germe, après un refroidissement progressif. Le
silicium monocristallin qui se forme est alors tourné lentement et tiré avec une vitesse de l’ordre de 10 cm/h et
le diamètre des lingots, paramètre le plus important du point de vue économique, peut atteindre aujourd’hui 30
cm pour 1 m de longueur et un poids de 160 Kg.
Par ségrégation naturelle entre phase solide et liquide, les impuretés tendent à se concentrer dans le silicium
fondu. Il y a donc une seconde purification de la matière première pendant le tirage. Si k0 est le rapport des taux
de concentrations d’une impureté CS dans la phase solide et CL dans la phase liquide, le taux d’impuretés dans
la phase solidifiée CS dépendra de la teneur initiale CL0 et de la fraction solidifiée g suivant la loi :
CS = CL0. k0. (1-g)k0-1
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Avec : k0 : coefficient de ségrégation à l’équilibre.
Où : CS : concentration du dopant dans la phase solide ;
CL : concentration du dopant dans la phase liquide.
Le tableau suivant présente les coefficients de ségrégation des dopants dans le silicium.
Tableau 2.1
Dopant k0 Type
As 0.3 n
C 0.07 n
Li 10-2 n
O 0.5 n
P 0.35 n
Sb 0.023 n
Te 2.10-4 n
Al 2.8 10-3 p
Ga 8 10-3 p
B 0.8 p
Le dopage du lingot est effectué par adjonction dans le bain liquide d’impuretés convenables en quantité
contrôlée. Si l’opération a été convenablement conduite, le dopage dans les tranches sciées dans la région
centrale du lingot est à peu près uniforme.
Germe
Chauffage HF
Figure 21. Méthode de tirage Czochralski
2.1.3 Traitement des lingots
Le lingot de silicium est ensuite découpé en tranches de silicium ou wafers de 1 mm d’épaisseur. Ces
tranches sont alors polies puis traitées dans des bains chimiques pour les roder et les polir optiquement.
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